JPH10209009A - 感応基板，アライメント方法および電子線露光装置 - Google Patents
感応基板，アライメント方法および電子線露光装置Info
- Publication number
- JPH10209009A JPH10209009A JP9008444A JP844497A JPH10209009A JP H10209009 A JPH10209009 A JP H10209009A JP 9008444 A JP9008444 A JP 9008444A JP 844497 A JP844497 A JP 844497A JP H10209009 A JPH10209009 A JP H10209009A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- alignment mark
- alignment
- wafer
- sensitive substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度なアライメントマーク検出を行うこと
ができるアライメント方法の提供。 【解決手段】 Ｎ型シリコン基板のウエハ１にＰ層を形
成してアライメントマーク２を複数形成する。このウエ
ハ１に走査電子線ＥＢを照射し、そのときに生成される
電子−正孔対による信号を検出してアライメントマーク
２の位置を計測しウエハ１のアライメントを行う。
ができるアライメント方法の提供。 【解決手段】 Ｎ型シリコン基板のウエハ１にＰ層を形
成してアライメントマーク２を複数形成する。このウエ
ハ１に走査電子線ＥＢを照射し、そのときに生成される
電子−正孔対による信号を検出してアライメントマーク
２の位置を計測しウエハ１のアライメントを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線リソグラフ
ィに用いられる感応基板、感応基板のアライメント方法
および電子線露光装置に関する。
ィに用いられる感応基板、感応基板のアライメント方法
および電子線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路を製造するためのリソグ
ラフィにおいては、ウエハ上の同一領域に複数回のパタ
ーン露光を行う、いわゆるパターンの合せ露光が行われ
る。その際、ウエハの正確な位置合せのために、ウエハ
上に設けられたアライメントマークを用いてウエハのア
ライメントが行われる。図５はウエハ上に形成されたア
ライメントマークの一例を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）はアライメントマークが段差マークの場合の
Ａ−Ａ断面図、（ｃ）は重金属を用いたマークの場合の
Ａ−Ａ断面図である。図５（ｂ）の段差マークの場合
は、ウエハのシリコン基板５２をエッチングすることに
より図５（ａ）のような十字状の溝を形成し、アライメ
ントマーク５１をウエハ上に形成する。一方、図５
（ｃ）に示すアライメントマークの場合には、タングス
テンやタンタル等の重金属５３をシリコン基板５２上に
パターンニングしてマークを形成する。
ラフィにおいては、ウエハ上の同一領域に複数回のパタ
ーン露光を行う、いわゆるパターンの合せ露光が行われ
る。その際、ウエハの正確な位置合せのために、ウエハ
上に設けられたアライメントマークを用いてウエハのア
ライメントが行われる。図５はウエハ上に形成されたア
ライメントマークの一例を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）はアライメントマークが段差マークの場合の
Ａ−Ａ断面図、（ｃ）は重金属を用いたマークの場合の
Ａ−Ａ断面図である。図５（ｂ）の段差マークの場合
は、ウエハのシリコン基板５２をエッチングすることに
より図５（ａ）のような十字状の溝を形成し、アライメ
ントマーク５１をウエハ上に形成する。一方、図５
（ｃ）に示すアライメントマークの場合には、タングス
テンやタンタル等の重金属５３をシリコン基板５２上に
パターンニングしてマークを形成する。
【０００３】アライメントマーク５１の位置を計測する
際には、図５（ａ）の矢印ｘ，ｙで示すようにアライメ
ントマーク５１上を電子線でｘ方向，ｙ方向に走査し、
アライメントマーク５１からの反射電子信号を検出す
る。図５（ｂ）に示した段差マークの場合には、電子線
がアライメントマーク５１のエッジ部５１ａ，５１ｂを
通過するときに図６（ａ）に示すように検出信号強度が
変化し（一点鎖線がそれぞれエッジ部５１ａ，５１ｂの
位置を示す）、この信号変化からエッジ部５１ａ，５１
ｂの位置を検出する。一方、図５（ｃ）に示した重金属
マークの場合には電子線の反射率が物質により異なるた
め、シリコン基板５２と重金属５３とでは反射率が異な
るために図６（ｂ）に示すように反射電子信号強度が異
なる。そして、この検出された信号強度の違いからエッ
ジ部５１ａ，５１ｂの位置を検出する。このような電子
線による走査を上述したようにｘ方向，ｙ方向にそれぞ
れ行えば、アライメントマーク５１の位置を（ｘ，ｙ）
の座標として計測することができる。このようにしてウ
エハ上に形成された複数のアライメントマーク５１の位
置を計測し、この計測データを露光時のパターン座標デ
ータヘフィードバックして露光座標を決定することによ
り高精度な合せ露光を行うことができる。
際には、図５（ａ）の矢印ｘ，ｙで示すようにアライメ
ントマーク５１上を電子線でｘ方向，ｙ方向に走査し、
アライメントマーク５１からの反射電子信号を検出す
る。図５（ｂ）に示した段差マークの場合には、電子線
がアライメントマーク５１のエッジ部５１ａ，５１ｂを
通過するときに図６（ａ）に示すように検出信号強度が
変化し（一点鎖線がそれぞれエッジ部５１ａ，５１ｂの
位置を示す）、この信号変化からエッジ部５１ａ，５１
ｂの位置を検出する。一方、図５（ｃ）に示した重金属
マークの場合には電子線の反射率が物質により異なるた
め、シリコン基板５２と重金属５３とでは反射率が異な
るために図６（ｂ）に示すように反射電子信号強度が異
なる。そして、この検出された信号強度の違いからエッ
ジ部５１ａ，５１ｂの位置を検出する。このような電子
線による走査を上述したようにｘ方向，ｙ方向にそれぞ
れ行えば、アライメントマーク５１の位置を（ｘ，ｙ）
の座標として計測することができる。このようにしてウ
エハ上に形成された複数のアライメントマーク５１の位
置を計測し、この計測データを露光時のパターン座標デ
ータヘフィードバックして露光座標を決定することによ
り高精度な合せ露光を行うことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような反射電子信号強度の変化は反射電子信号全体の
強度に比べて小さいため、検出信号から正確な位置計測
を行うことが困難であった。そのため、従来は電子線に
よる走査を複数回行い、得られた信号を加算するという
方法を採用してＳ／Ｎ比を向上させることによりマーク
位置計測精度を向上させている。しかし、この場合は走
査を複数回行わなければならず、そのためにスループッ
トが低下するという欠点があった。
たような反射電子信号強度の変化は反射電子信号全体の
強度に比べて小さいため、検出信号から正確な位置計測
を行うことが困難であった。そのため、従来は電子線に
よる走査を複数回行い、得られた信号を加算するという
方法を採用してＳ／Ｎ比を向上させることによりマーク
位置計測精度を向上させている。しかし、この場合は走
査を複数回行わなければならず、そのためにスループッ
トが低下するという欠点があった。
【０００５】また、ウエハプロセスの進行に伴って、ア
ライメントマーク上に様々な層が形成されるためにアラ
イメントマークのコントラストが減少し、プロセスの途
中でアライメントマークをウエハ上の別の位置に作り直
さなければならないという問題があった。
ライメントマーク上に様々な層が形成されるためにアラ
イメントマークのコントラストが減少し、プロセスの途
中でアライメントマークをウエハ上の別の位置に作り直
さなければならないという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、高精度なアライメントマ
ーク検出を行うことができるアライメント方法，電子線
露光装置およびそれらに使用される感応基板を提供する
ことにある。
ーク検出を行うことができるアライメント方法，電子線
露光装置およびそれらに使用される感応基板を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１および４に対応付けて説明する。 （１）請求項１の発明は、アライメントの際に電子線Ｅ
Ｂが照射されるアライメントマーク２を複数有し、電子
線露光に用いられる感応基板１に適用され、アライメン
トマーク２をＰＮ接合で形成したことにより上述の目的
を達成する。 （２）請求項２の発明は、請求項１に記載の感応基板１
のアライメント方法であって、アライメントマーク２に
走査電子線ＥＢを照射し、ＰＮ接合からの出力信号に基
づいて感応基板１の位置を計測することにより上述の目
的を達成する。 （３）請求項３の発明は、請求項２に記載のアライメン
ト方法において、アライメントマーク２に照射される走
査電子線ＥＢの加速電圧を５０ｋＶ以上とした。 （４）図４に対応付けて説明すると、請求項４の発明
は、請求項１に記載の感応基板１を使用する電子線露光
装置であって、感応基板１のアライメントマーク２に走
査電子線ＥＢを照射した際のＰＮ接合からの出力信号を
検出する検出手段１４と、検出手段１４により検出され
た信号に基づいて感応基板１の位置を検出する位置検出
手段１７とを備えて上述の目的を達成する。
図１および４に対応付けて説明する。 （１）請求項１の発明は、アライメントの際に電子線Ｅ
Ｂが照射されるアライメントマーク２を複数有し、電子
線露光に用いられる感応基板１に適用され、アライメン
トマーク２をＰＮ接合で形成したことにより上述の目的
を達成する。 （２）請求項２の発明は、請求項１に記載の感応基板１
のアライメント方法であって、アライメントマーク２に
走査電子線ＥＢを照射し、ＰＮ接合からの出力信号に基
づいて感応基板１の位置を計測することにより上述の目
的を達成する。 （３）請求項３の発明は、請求項２に記載のアライメン
ト方法において、アライメントマーク２に照射される走
査電子線ＥＢの加速電圧を５０ｋＶ以上とした。 （４）図４に対応付けて説明すると、請求項４の発明
は、請求項１に記載の感応基板１を使用する電子線露光
装置であって、感応基板１のアライメントマーク２に走
査電子線ＥＢを照射した際のＰＮ接合からの出力信号を
検出する検出手段１４と、検出手段１４により検出され
た信号に基づいて感応基板１の位置を検出する位置検出
手段１７とを備えて上述の目的を達成する。
【０００８】（１）請求項１〜３の発明では、電子線Ｅ
Ｂがアライメントマーク２に照射されると電子−正孔対
が生成されてそれに応じた出力信号が得られ、その出力
信号に基づいて感応基板のアライメントが行われる。 （２）請求項４の発明では、感応基板１のアライメント
マーク２に電子線ＥＢが照射されたときにＰＮ接合から
の出力信号は検出手段４により検出される。
Ｂがアライメントマーク２に照射されると電子−正孔対
が生成されてそれに応じた出力信号が得られ、その出力
信号に基づいて感応基板のアライメントが行われる。 （２）請求項４の発明では、感応基板１のアライメント
マーク２に電子線ＥＢが照射されたときにＰＮ接合から
の出力信号は検出手段４により検出される。
【０００９】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４を参照して本発
明の実施の形態を説明する。図１はアライメントマーク
を説明する図であり、ウエハ１上に形成された複数のア
ライメントマーク２の内の一つを示す図である。ウエハ
１には、Ｎ型シリコン基板１０に十字状のＰ層を形成す
ることによってＰＮ接合のアライメントマーク２が形成
される。なお、Ｐ層は通常の半導体製造プロセスを用い
て形成され、十字状に限らず任意の形状に形成すること
ができる。Ｐ層のアライメントマーク２およびＮ型シリ
コン基板１０にはリード線４ａ，４ｂの一端が接続され
ており、リード線４ａの他端はアンプ３に接続されリー
ド線４ｂの他端は接地されている。
明の実施の形態を説明する。図１はアライメントマーク
を説明する図であり、ウエハ１上に形成された複数のア
ライメントマーク２の内の一つを示す図である。ウエハ
１には、Ｎ型シリコン基板１０に十字状のＰ層を形成す
ることによってＰＮ接合のアライメントマーク２が形成
される。なお、Ｐ層は通常の半導体製造プロセスを用い
て形成され、十字状に限らず任意の形状に形成すること
ができる。Ｐ層のアライメントマーク２およびＮ型シリ
コン基板１０にはリード線４ａ，４ｂの一端が接続され
ており、リード線４ａの他端はアンプ３に接続されリー
ド線４ｂの他端は接地されている。
【００１１】図２（ａ）はアライメントマーク２付近の
ウエハ１の断面図であり、ウエハ１上を電子線ＥＢでｘ
方向に走査すると、アライメントマーク２に電子線ＥＢ
が照射されたときにＰＮ接合部で電子−正孔対が生成さ
れ、生成される電子−正孔対の数は電子線ＥＢのエネル
ギーに依存する。電子−正孔対生成に要するエネルギー
は１対当り約３．６ｅＶであり、例えば加速電圧５ｋＶ
の電子線の場合、すなわち５ｋｅＶのエネルギーを持つ
電子が入射した場合、入射電子のエネルギーの１００％
が電子−正孔対の生成に費やされたとすると、１つの入
射電子に対して約１０3個の電子−正孔対が発生するこ
とになり理論的には１０3のゲインがＰＮ接合部で得ら
れることになる。ただし、電子線ＥＢのエネルギーが高
いほどよりコントラストの高い信号が得られることや、
実際には入射電子のエネルギーの１００％が生成に費や
されるわけではないことや熱雑音等を考慮すると、１桁
大きい加速電圧５０ｋＶとすることが好ましい。また、
このような加速電圧とすることにより、電子線ＥＢの透
過力（進入深さ）が高くなってアライメントマーク２上
に他の膜が形成されてもその影響を受けにくい。図２
（ｂ）は電子線ＥＢをｘ方向に走査したときにアンプ３
の出力端５から出力される信号６の概略を示す図であ
り、アライメントマーク２の境界２ａ，２ｂ間において
信号強度が高くなる。
ウエハ１の断面図であり、ウエハ１上を電子線ＥＢでｘ
方向に走査すると、アライメントマーク２に電子線ＥＢ
が照射されたときにＰＮ接合部で電子−正孔対が生成さ
れ、生成される電子−正孔対の数は電子線ＥＢのエネル
ギーに依存する。電子−正孔対生成に要するエネルギー
は１対当り約３．６ｅＶであり、例えば加速電圧５ｋＶ
の電子線の場合、すなわち５ｋｅＶのエネルギーを持つ
電子が入射した場合、入射電子のエネルギーの１００％
が電子−正孔対の生成に費やされたとすると、１つの入
射電子に対して約１０3個の電子−正孔対が発生するこ
とになり理論的には１０3のゲインがＰＮ接合部で得ら
れることになる。ただし、電子線ＥＢのエネルギーが高
いほどよりコントラストの高い信号が得られることや、
実際には入射電子のエネルギーの１００％が生成に費や
されるわけではないことや熱雑音等を考慮すると、１桁
大きい加速電圧５０ｋＶとすることが好ましい。また、
このような加速電圧とすることにより、電子線ＥＢの透
過力（進入深さ）が高くなってアライメントマーク２上
に他の膜が形成されてもその影響を受けにくい。図２
（ｂ）は電子線ＥＢをｘ方向に走査したときにアンプ３
の出力端５から出力される信号６の概略を示す図であ
り、アライメントマーク２の境界２ａ，２ｂ間において
信号強度が高くなる。
【００１２】このように、ＰＮ接合によりアライメント
マーク２を形成すると、電子線を１回走査するだけでコ
ントラストの高い信号が得られるため、スループットの
低下を抑えられるだけでなく、より高精度にアライメン
トマーク２の位置を計測することができる。また、ＰＮ
接合を用いたアライメントマーク２では、アライメント
マーク２で反射された電子を検出するのではなくＰＮ接
合に入射した電子により生ずる電子−正孔対に依る出力
信号を検出する。そのため、アライメントマーク２が半
導体製造プロセスによって劣化するような場合、例えば
アライメントマーク２上に層が形成された場合でもその
影響を受けにくいという利点を有している。この利点
は、電子線ＥＢの加速電圧が高くなるほど顕著になる。
マーク２を形成すると、電子線を１回走査するだけでコ
ントラストの高い信号が得られるため、スループットの
低下を抑えられるだけでなく、より高精度にアライメン
トマーク２の位置を計測することができる。また、ＰＮ
接合を用いたアライメントマーク２では、アライメント
マーク２で反射された電子を検出するのではなくＰＮ接
合に入射した電子により生ずる電子−正孔対に依る出力
信号を検出する。そのため、アライメントマーク２が半
導体製造プロセスによって劣化するような場合、例えば
アライメントマーク２上に層が形成された場合でもその
影響を受けにくいという利点を有している。この利点
は、電子線ＥＢの加速電圧が高くなるほど顕著になる。
【００１３】図３はウエハ１の一部を示す平面図であ
り、２０はパターンが露光される領域であってその周辺
にはアライメントマーク２がそれぞれ複数形成されてい
る。１２はアライメントマーク２のＰ層に接続している
導電パターンであり、導電パターン１２はウエハ１の周
辺部まで形成されている。各アライメントマーク２で生
じた信号は導電パターン１２より取り出され、その信号
は導電パターン１２の取り出し部１２ａから外部に取り
出される。
り、２０はパターンが露光される領域であってその周辺
にはアライメントマーク２がそれぞれ複数形成されてい
る。１２はアライメントマーク２のＰ層に接続している
導電パターンであり、導電パターン１２はウエハ１の周
辺部まで形成されている。各アライメントマーク２で生
じた信号は導電パターン１２より取り出され、その信号
は導電パターン１２の取り出し部１２ａから外部に取り
出される。
【００１４】図４は露光装置の一部を示す図であり、図
３に示したウエハ１はｘｙ方向に移動可能なウエハステ
ージ１３に載置される。１４はウエハステージ１３に着
脱可能に取り付けられる信号取り出し用治具であり、プ
ローブ１５ａがアライメントマーク２の導電パターン１
２の取り出し部１２ａに接触し、プローブ１５ｂがウエ
ハ１のＮ型基板１０に接触している。プローブ１５ａは
アンプ３に接続され、プローブ１５ｂは接地される。な
お、図示しないが導電パターン１２とＮ型シリコン基板
１０との間には絶縁層が形成される。１６はウエハステ
ージ１３の位置を計測するためのステージ位置計測装置
であり、レーザ干渉計等により構成される。ステージ位
置計測装置１６およびアンプ３からの信号は位置演算回
路１７に入力され、位置演算回路１７によりアライメン
トマーク２の位置が算出される。その算出結果は露光装
置の光学系（不図示）やウエハステージ１３をそれぞれ
制御する制御装置１８に入力され、算出されたアライメ
ントマーク２の位置に基づいて領域２０へのパターン露
光が行われる。
３に示したウエハ１はｘｙ方向に移動可能なウエハステ
ージ１３に載置される。１４はウエハステージ１３に着
脱可能に取り付けられる信号取り出し用治具であり、プ
ローブ１５ａがアライメントマーク２の導電パターン１
２の取り出し部１２ａに接触し、プローブ１５ｂがウエ
ハ１のＮ型基板１０に接触している。プローブ１５ａは
アンプ３に接続され、プローブ１５ｂは接地される。な
お、図示しないが導電パターン１２とＮ型シリコン基板
１０との間には絶縁層が形成される。１６はウエハステ
ージ１３の位置を計測するためのステージ位置計測装置
であり、レーザ干渉計等により構成される。ステージ位
置計測装置１６およびアンプ３からの信号は位置演算回
路１７に入力され、位置演算回路１７によりアライメン
トマーク２の位置が算出される。その算出結果は露光装
置の光学系（不図示）やウエハステージ１３をそれぞれ
制御する制御装置１８に入力され、算出されたアライメ
ントマーク２の位置に基づいて領域２０へのパターン露
光が行われる。
【００１５】なお、上述した実施の形態では、アライメ
ントマーク２としてＰＮ接合を用いたが、ＰＩＮ接合や
ショットキー接合を用いても同様の効果を得ることがで
きる。
ントマーク２としてＰＮ接合を用いたが、ＰＩＮ接合や
ショットキー接合を用いても同様の効果を得ることがで
きる。
【００１６】上述した発明の実施の形態と特許請求の範
囲の要素との対応において、ウエハ１は感応基板を、治
具１４は検出手段を、位置演算回路１７は位置検出手段
をそれぞれ構成する。
囲の要素との対応において、ウエハ１は感応基板を、治
具１４は検出手段を、位置演算回路１７は位置検出手段
をそれぞれ構成する。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アライメントマーク上を電子線で走査した際の検出信号
強度の変化が従来に比べ非常に大きいため、アライメン
トマークを高精度に検出することができ、感応基板のア
ライメントを高精度に行うことができる。さらに、アラ
イメントマーク上に層が形成されたりしても、得られる
検出信号はその影響を受けにくいという利点を有する。
アライメントマーク上を電子線で走査した際の検出信号
強度の変化が従来に比べ非常に大きいため、アライメン
トマークを高精度に検出することができ、感応基板のア
ライメントを高精度に行うことができる。さらに、アラ
イメントマーク上に層が形成されたりしても、得られる
検出信号はその影響を受けにくいという利点を有する。
【図１】アライメントマークを説明する図。
【図２】アライメントマーク検出を説明する図であり、
（ａ）はウエハ１の断面図、（ｂ）は出力端５から出力
される信号の概略図。
（ａ）はウエハ１の断面図、（ｂ）は出力端５から出力
される信号の概略図。
【図３】ウエハ１の一部を示す平面図。
【図４】露光装置の一部を示す図。
【図５】アライメントマークの一例を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は段差マークの場合の断面図、
（ｃ）は重金属マークの場合の断面図。
（ａ）は平面図、（ｂ）は段差マークの場合の断面図、
（ｃ）は重金属マークの場合の断面図。
【図６】アライメントマークに電子線が照射されたとき
の検出信号の概略を示す図であり、（ａ）は段差マーク
の場合、（ｂ）は重金属マークの場合。
の検出信号の概略を示す図であり、（ａ）は段差マーク
の場合、（ｂ）は重金属マークの場合。
１ ウエハ ２ アライメントマーク ６ 信号 １０ Ｎ型シリコン基板 １４ 治具 １５ａ，１５ｂ プローブ １７ 位置演算回路 ＥＢ 電子線
Claims (4)
- 【請求項１】 アライメントの際に電子線が照射される
アライメントマークを複数有し、電子線露光に用いられ
る感応基板において、 前記アライメントマークをＰＮ接合で形成したことを特
徴とする感応基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の感応基板のアライメン
ト方法であって、 前記アライメントマークに走査電子線を照射し、前記Ｐ
Ｎ接合からの出力信号に基づいて前記感応基板の位置を
計測することを特徴とするアライメント方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のアライメント方法にお
いて、 前記アライメントマークに照射される走査電子線の加速
電圧を５０ｋＶ以上としたことを特徴とするアライメン
ト方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の感応基板を使用する電
子線露光装置であって、 前記感応基板のアライメントマークに走査電子線を照射
した際の前記ＰＮ接合からの出力信号を検出する検出手
段と、 前記検出手段により検出された信号に基づいて前記感応
基板の位置を検出する位置検出手段とを備えることを特
徴とする電子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9008444A JPH10209009A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 感応基板，アライメント方法および電子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9008444A JPH10209009A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 感応基板，アライメント方法および電子線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209009A true JPH10209009A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11693305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9008444A Pending JPH10209009A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 感応基板，アライメント方法および電子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7343064B2 (en) | 2006-03-07 | 2008-03-11 | Tecdia Co., Ltd. | Optical switch and optical add/drop multiplexer |
-
1997
- 1997-01-21 JP JP9008444A patent/JPH10209009A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7343064B2 (en) | 2006-03-07 | 2008-03-11 | Tecdia Co., Ltd. | Optical switch and optical add/drop multiplexer |
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