JPH10203816A - 金属シリコンからのボロン除去方法 - Google Patents
金属シリコンからのボロン除去方法Info
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- JPH10203816A JPH10203816A JP9009537A JP953797A JPH10203816A JP H10203816 A JPH10203816 A JP H10203816A JP 9009537 A JP9009537 A JP 9009537A JP 953797 A JP953797 A JP 953797A JP H10203816 A JPH10203816 A JP H10203816A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、太陽電池用シリコンの製造に際し、
ボロンの除去を従来より一層迅速に行える金属シリコン
の精製方法を提供することを目的としている。 【解決手段】溶融状態にある金属シリコンの溶湯面に、
水蒸気を付加したアルゴン・ガスからなるプラズマ・ガ
スを吹き付けて、該金属シリコンが含有するボロンを除
去するに際し、プラズマ・ガスが形成する流れの方向に
対する水蒸気の吹込み角度を規定する。
ボロンの除去を従来より一層迅速に行える金属シリコン
の精製方法を提供することを目的としている。 【解決手段】溶融状態にある金属シリコンの溶湯面に、
水蒸気を付加したアルゴン・ガスからなるプラズマ・ガ
スを吹き付けて、該金属シリコンが含有するボロンを除
去するに際し、プラズマ・ガスが形成する流れの方向に
対する水蒸気の吹込み角度を規定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属シリコンの精
錬方法に関し、詳しくは、金属シリコンから太陽電池用
シリコンを製造する際に障害となる主要不純物、つまり
ボロンを効率良く除去する技術である。
錬方法に関し、詳しくは、金属シリコンから太陽電池用
シリコンを製造する際に障害となる主要不純物、つまり
ボロンを効率良く除去する技術である。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池に使用するシリコン基板は、所
要の半導体特性を発揮するには、含有するボロンを０．
１〜０．３ｐｐｍの範囲まで低減する必要がある。しか
し、ボロンを１０ｐｐｍ程度含有する原料としての金属
シリコンから、ボロンを上記レベルまで低減させるの
は、非常に難しいことであったので、従来より多くのボ
ロン除去技術が研究されてきた。
要の半導体特性を発揮するには、含有するボロンを０．
１〜０．３ｐｐｍの範囲まで低減する必要がある。しか
し、ボロンを１０ｐｐｍ程度含有する原料としての金属
シリコンから、ボロンを上記レベルまで低減させるの
は、非常に難しいことであったので、従来より多くのボ
ロン除去技術が研究されてきた。
【０００３】例えば、特開昭６３−２１８５０６号公報
は、「シリカ製容器に保持した金属シリコンに、高温の
プラズマを照射して該金属シリコンを溶融することで、
ボロンを酸化、除去する」方法を開示している。その
際、第１段階として、水素とアルゴンの混合ガスを、第
２段階として０．００５〜０．０５ｖｏｌ％の酸素、１
〜９９．９９５ｖｏｌ％の水素、残部アルゴンからなる
混合ガスをプラズマ発生ガスに用いている。
は、「シリカ製容器に保持した金属シリコンに、高温の
プラズマを照射して該金属シリコンを溶融することで、
ボロンを酸化、除去する」方法を開示している。その
際、第１段階として、水素とアルゴンの混合ガスを、第
２段階として０．００５〜０．０５ｖｏｌ％の酸素、１
〜９９．９９５ｖｏｌ％の水素、残部アルゴンからなる
混合ガスをプラズマ発生ガスに用いている。
【０００４】ところが、この特開昭６３−２１８５０６
号公報記載の方法には、 （１）熱の利用効率が悪いプラズマで溶融（経済的でな
い） （２）金属シリコンの溶融領域が狭い（量産性なし） （３）シリコンの飛散、蒸発ロスが多く、プラズマ・ガ
ス中の酸素濃度が低く、除去速度が遅い等の欠点があっ
た。
号公報記載の方法には、 （１）熱の利用効率が悪いプラズマで溶融（経済的でな
い） （２）金属シリコンの溶融領域が狭い（量産性なし） （３）シリコンの飛散、蒸発ロスが多く、プラズマ・ガ
ス中の酸素濃度が低く、除去速度が遅い等の欠点があっ
た。
【０００５】そこで、本出願人は、先般、「多量の金属
シリコンが溶解可能で経済的なボロン除去技術」を、特
開平４−２２８４１４号公報で提案した。それは、「原
料となる金属シリコンを、シリカあるいはシリカを主成
分とする耐火物で内張された容器内で、誘導加熱や抵抗
加熱等で溶解、保持し、その溶湯面に高温、高速のプラ
ズマ・ガスを吹き付け、ボロンを酸化物として気化、除
去する」方法であった。その際、プラズマ・ガスとして
用いるアルゴン・ガスには、０．１〜１０ｖｏｌ％の水
蒸気を添加するようにした。これにより、特開昭６３−
２１８５０６号公報に記載された方法の前記（１）〜
（３）の欠点が著しく改善され、従来より経済的に太陽
電池用シリコンが安価に量産できるようになった。
シリコンが溶解可能で経済的なボロン除去技術」を、特
開平４−２２８４１４号公報で提案した。それは、「原
料となる金属シリコンを、シリカあるいはシリカを主成
分とする耐火物で内張された容器内で、誘導加熱や抵抗
加熱等で溶解、保持し、その溶湯面に高温、高速のプラ
ズマ・ガスを吹き付け、ボロンを酸化物として気化、除
去する」方法であった。その際、プラズマ・ガスとして
用いるアルゴン・ガスには、０．１〜１０ｖｏｌ％の水
蒸気を添加するようにした。これにより、特開昭６３−
２１８５０６号公報に記載された方法の前記（１）〜
（３）の欠点が著しく改善され、従来より経済的に太陽
電池用シリコンが安価に量産できるようになった。
【０００６】ところで、上記した従来技術を記載した公
報には、水蒸気の濃度に関する記述はあるが、水蒸気の
添加方法に関しては特段の規定はなく、例えば特開平４
−２２８４１４号公報では、あらかじめプラズマ・ガス
に水蒸気を混合しても良く、プラズマ・ガスとは別系統
でシリコン浴面に水蒸気を吹きつけても良いとされてい
る。しかしながら、本発明者らの試験によれば、水蒸気
の吹きつけ方法により同じ水蒸気濃度でも、ボロンの除
去速度が大きく変動することがわかった。すなわちボロ
ン除去処理の安定化および高速化のためには、水蒸気を
最適な方法で供給するための指標が必要であることが明
らかとなった。
報には、水蒸気の濃度に関する記述はあるが、水蒸気の
添加方法に関しては特段の規定はなく、例えば特開平４
−２２８４１４号公報では、あらかじめプラズマ・ガス
に水蒸気を混合しても良く、プラズマ・ガスとは別系統
でシリコン浴面に水蒸気を吹きつけても良いとされてい
る。しかしながら、本発明者らの試験によれば、水蒸気
の吹きつけ方法により同じ水蒸気濃度でも、ボロンの除
去速度が大きく変動することがわかった。すなわちボロ
ン除去処理の安定化および高速化のためには、水蒸気を
最適な方法で供給するための指標が必要であることが明
らかとなった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
を鑑み、太陽電池用シリコンの製造に際し、ボロン除去
を行うにあたっての水蒸気供給方法を最適化するための
指標を提供し、ボロン除去を従来より一層迅速に行える
金属シリコンの精製方法を提供することを目的としてい
る。
を鑑み、太陽電池用シリコンの製造に際し、ボロン除去
を行うにあたっての水蒸気供給方法を最適化するための
指標を提供し、ボロン除去を従来より一層迅速に行える
金属シリコンの精製方法を提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、溶融状態にある金属シリコンの溶湯面に、
水蒸気を付加した不活性ガスからなるプラズマ・ガスを
吹き付けて、該金属シリコンが含有するボロンを除去す
るに際し、上記水蒸気を、プラズマ・ガスが形成する流
れの方向に対し、一定範囲内の角度θ1 で吹き込むこと
を特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法であ
る。
の本発明は、溶融状態にある金属シリコンの溶湯面に、
水蒸気を付加した不活性ガスからなるプラズマ・ガスを
吹き付けて、該金属シリコンが含有するボロンを除去す
るに際し、上記水蒸気を、プラズマ・ガスが形成する流
れの方向に対し、一定範囲内の角度θ1 で吹き込むこと
を特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法であ
る。
【０００９】また、本発明は、プラズマ・ガスの流速を
ＶP 、水蒸気の流速をＶH として、上記角度θ1 の範囲
を、 ｓｉｎθ1 ＜ Ｃ（ＶP ／ＶH ） （Ｃ〜ｔａｎ１
０°） とすることを特徴とする金属シリコンからのボロン除去
方法であり、あるいはシリコン浴面上のプラズマ火点の
中心と、水蒸気吹き出し口から浴面に立てた垂線の足と
の間の距離をＲとした時、水蒸気吹き出し口と浴面との
距離ｄが、 ｄ ≧ Ｒ／ｔａｎθ1 の範囲内にあることを特徴とする金属シリコンからのボ
ロン除去方法でもある。
ＶP 、水蒸気の流速をＶH として、上記角度θ1 の範囲
を、 ｓｉｎθ1 ＜ Ｃ（ＶP ／ＶH ） （Ｃ〜ｔａｎ１
０°） とすることを特徴とする金属シリコンからのボロン除去
方法であり、あるいはシリコン浴面上のプラズマ火点の
中心と、水蒸気吹き出し口から浴面に立てた垂線の足と
の間の距離をＲとした時、水蒸気吹き出し口と浴面との
距離ｄが、 ｄ ≧ Ｒ／ｔａｎθ1 の範囲内にあることを特徴とする金属シリコンからのボ
ロン除去方法でもある。
【００１０】この場合、不活性ガスとしては、アルゴン
・ガス及び／又はヘリウム・ガスの利用が好ましい。
・ガス及び／又はヘリウム・ガスの利用が好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に、本発明に係る金属シリコ
ンからのボロン除去方法を実施する装置の１例を示す。
それは、金属シリコン１を溶解するプラズマ・ガス２を
発生させるトーチ３と、該トーチ３に付帯する陽極４と
陰極５との間に電圧を印加する非移行型プラズマ電源６
と、金属シリコン１の供給手段７（シュート）と、溶解
した溶融状態の金属シリコン１を保持するシリカあるい
はシリカ質耐火物を内張りした精錬容器８と、該精錬容
器８を保護する黒鉛あるいは水冷銅製容器１０とで形成
されている。ここで、非移行型プラズマ電源６とは、ト
ーチ３に付帯した陽極４と陰極５との間に電圧を印加
し、該トーチ３内のみでアーク１１を発生させ、プラズ
マ発生用ガスをそこで加熱することで高温にするもので
ある。この方式で発生したプラズマ・ガス２は、被加熱
物をアーク１１で加熱しないので、熱効率は移行型プラ
ズマより劣るが、高速のため溶湯の撹拌力が強い長所が
ある。
ンからのボロン除去方法を実施する装置の１例を示す。
それは、金属シリコン１を溶解するプラズマ・ガス２を
発生させるトーチ３と、該トーチ３に付帯する陽極４と
陰極５との間に電圧を印加する非移行型プラズマ電源６
と、金属シリコン１の供給手段７（シュート）と、溶解
した溶融状態の金属シリコン１を保持するシリカあるい
はシリカ質耐火物を内張りした精錬容器８と、該精錬容
器８を保護する黒鉛あるいは水冷銅製容器１０とで形成
されている。ここで、非移行型プラズマ電源６とは、ト
ーチ３に付帯した陽極４と陰極５との間に電圧を印加
し、該トーチ３内のみでアーク１１を発生させ、プラズ
マ発生用ガスをそこで加熱することで高温にするもので
ある。この方式で発生したプラズマ・ガス２は、被加熱
物をアーク１１で加熱しないので、熱効率は移行型プラ
ズマより劣るが、高速のため溶湯の撹拌力が強い長所が
ある。
【００１２】本発明は、この精錬容器８に溶融状態で保
持された金属シリコン１の溶湯面に、不活性ガスと水蒸
気とからなるプラズマ・ガス２を高速で吹き付ける場合
に適用される。従来は、例えば図１に示すように、トー
チ３の先端面に設けられ、中心軸とθ 1 の吹き出し角を
持つノズル１２から水蒸気を吹き出していたが、角度の
選び方に関する規定がなく、θ1 の値によってボロン除
去速度が大幅に変動していた。これに対して、本発明者
らは、ボロン除去処理の高速化と安定化を目標に鋭意研
究を進め、図２に示すように、最大のボロン除去速度を
達成できるθ1 は、下記（１）式を満足する範囲内にあ
ることを見い出した。
持された金属シリコン１の溶湯面に、不活性ガスと水蒸
気とからなるプラズマ・ガス２を高速で吹き付ける場合
に適用される。従来は、例えば図１に示すように、トー
チ３の先端面に設けられ、中心軸とθ 1 の吹き出し角を
持つノズル１２から水蒸気を吹き出していたが、角度の
選び方に関する規定がなく、θ1 の値によってボロン除
去速度が大幅に変動していた。これに対して、本発明者
らは、ボロン除去処理の高速化と安定化を目標に鋭意研
究を進め、図２に示すように、最大のボロン除去速度を
達成できるθ1 は、下記（１）式を満足する範囲内にあ
ることを見い出した。
【００１３】 ｓｉｎθ1 ＜ Ｃ（ＶP ／ＶH ） ……（１） ここで、ＶP は、プラズマ・ジェット２の吹き出し速
度、ＶH は、水蒸気の吹き出し速度であり（図３参
照）、Ｃは、ｔａｎ１０°程度の定数である。角度θ1
をこの範囲内にすることで、水蒸気１４が、プラズマ・
ジェット２に効率良く巻き込まれ、ボロン除去反応が起
きている火点へ高効率で供給されるようになる。そのた
めに、本発明の効果が発現するものと推察される。
度、ＶH は、水蒸気の吹き出し速度であり（図３参
照）、Ｃは、ｔａｎ１０°程度の定数である。角度θ1
をこの範囲内にすることで、水蒸気１４が、プラズマ・
ジェット２に効率良く巻き込まれ、ボロン除去反応が起
きている火点へ高効率で供給されるようになる。そのた
めに、本発明の効果が発現するものと推察される。
【００１４】なお、図１では、非移行型プラズマ（プラ
ズマ・アークではなく、高温ガス・ジェットが発生）に
よる本発明の実施形態を例示したが、熱効率に優れる移
行型プラズマ（アーク）を熱源としても良い。また、水
蒸気１４の吹き付け方法は、トーチ３の側壁に設けたノ
ズル１２に限ることはなく、別途の独立した吹き付け手
段、例えばガス吹きランスを利用しても良い。
ズマ・アークではなく、高温ガス・ジェットが発生）に
よる本発明の実施形態を例示したが、熱効率に優れる移
行型プラズマ（アーク）を熱源としても良い。また、水
蒸気１４の吹き付け方法は、トーチ３の側壁に設けたノ
ズル１２に限ることはなく、別途の独立した吹き付け手
段、例えばガス吹きランスを利用しても良い。
【００１５】さらに、本発明では、水蒸気吹き付けをプ
ラズマ・トーチ内蔵ノズルによるか、別途の独立した手
段によるかを問わず、水蒸気吹き込み口の浴面からの高
さｄは ｄ ≧ Ｒ／ｔａｎθ1 …… （２） であることが好ましい。
ラズマ・トーチ内蔵ノズルによるか、別途の独立した手
段によるかを問わず、水蒸気吹き込み口の浴面からの高
さｄは ｄ ≧ Ｒ／ｔａｎθ1 …… （２） であることが好ましい。
【００１６】ここで、Ｒは、水蒸気吹き込み口からシリ
コン浴面におろした垂線の足と、浴面のプラズマ火点の
中心点との間の距離である。このｄが（２）式の範囲か
ら外れると、例え角度θ1 が（１）式の範囲にあっても
水蒸気の火点への到達効率が低下し、結果としてボロン
除去速度が低下するからである。
コン浴面におろした垂線の足と、浴面のプラズマ火点の
中心点との間の距離である。このｄが（２）式の範囲か
ら外れると、例え角度θ1 が（１）式の範囲にあっても
水蒸気の火点への到達効率が低下し、結果としてボロン
除去速度が低下するからである。
【００１７】以下、実施例によりさらに詳細に本発明の
方法について説明するが、本発明は以下の例における具
体的条件に何ら拘束されるものではない。
方法について説明するが、本発明は以下の例における具
体的条件に何ら拘束されるものではない。
【００１８】
（実施例１）３０ｋｇの金属シリコン１を、図１に示し
た精錬容器８に装入し、プラズマ・トーチ３で発生させ
た出力３００ｋＷのアルゴン・プラズマ・ジェットで溶
解した。その後、溶湯温度を１６２０〜１６３０℃に維
持するために、出力２００ｋＷに変更した後、プラズマ
・ジェット（流量２００Ｎリットル／ｍｉｎ）の流れ方
向に対して角度θ1 で、プラズマ・ジェット吹き出し口
中心から３００ｍｍの位置に配置されたノズル１２か
ら、水蒸気を含有するアルゴン・ガスを５０Ｎリットル
／ｍｉｎの速度で注入し、浴面吹き付けガス総量に対す
るＨ2 Ｏの体積分率が１０％となるように調整した。浴
面に形成された火点１３の深さとトーチ浴面間距離（２
００ｍｍ）とから、プラズマ・ガス・ジェットの吹き出
し速度ＶPは５００ｍ／ｓｅｃと見積もられた。また、
水蒸気含有ガスの吹き出し速度ＶHは１２０ｍ／ｓｅｃ
であった。
た精錬容器８に装入し、プラズマ・トーチ３で発生させ
た出力３００ｋＷのアルゴン・プラズマ・ジェットで溶
解した。その後、溶湯温度を１６２０〜１６３０℃に維
持するために、出力２００ｋＷに変更した後、プラズマ
・ジェット（流量２００Ｎリットル／ｍｉｎ）の流れ方
向に対して角度θ1 で、プラズマ・ジェット吹き出し口
中心から３００ｍｍの位置に配置されたノズル１２か
ら、水蒸気を含有するアルゴン・ガスを５０Ｎリットル
／ｍｉｎの速度で注入し、浴面吹き付けガス総量に対す
るＨ2 Ｏの体積分率が１０％となるように調整した。浴
面に形成された火点１３の深さとトーチ浴面間距離（２
００ｍｍ）とから、プラズマ・ガス・ジェットの吹き出
し速度ＶPは５００ｍ／ｓｅｃと見積もられた。また、
水蒸気含有ガスの吹き出し速度ＶHは１２０ｍ／ｓｅｃ
であった。
【００１９】この状態で、浴面にプラズマ・ガス・ジェ
ット２を吹き付け、浴から採取した試料の比抵抗値が
１．５オーム・ｃｍになった時点をもって脱ボロンが終
了したと判断し、溶解を終らせた。表１には、水蒸気吹
き付け角度θ1 に応じたボロンの分析値、及び水蒸気の
吹込み開始からボロン除去処理終了までの時間（以下、
処理時間という）を示す。
ット２を吹き付け、浴から採取した試料の比抵抗値が
１．５オーム・ｃｍになった時点をもって脱ボロンが終
了したと判断し、溶解を終らせた。表１には、水蒸気吹
き付け角度θ1 に応じたボロンの分析値、及び水蒸気の
吹込み開始からボロン除去処理終了までの時間（以下、
処理時間という）を示す。
【００２０】見積ったＶP およびＶH から判断すると、
（１）式の範囲を満たすには、θ1＜４７°でなければ
ならない。表１から明らかなように、本発明の角度範囲
を満たす角度θ1 ＝１５°，４０°での脱ボロン処理
は、本発明の範囲外でのθ1 ＝５５°の場合に対して、
１／３時間で終了することがわかる。なお、上記実施例
では、プラズマ火点中心と、水蒸気吹き出し口から浴面
におろした垂線の足との間の距離Ｒが３０ｍｍであった
ので、（２）式を満たすためには、水蒸気吹き出し口が
位置するトーチ先端面と浴面の間の距離ｄは、それぞれ
のθ1 に対して表１に示した（Ｒ／ｔａｎθ1 ）より大
きくなければならない。θ1 ＝１５°の場合において、
ｄを（Ｒ／ｔａｎθ1 ）より小さい１００ｍｍとして実
験を行ったところ、表１に併せて示したように、（２）
式を満たすｄ＝２００ｍｍの場合に比し、約２倍のボロ
ン除去処理時間を要した。
（１）式の範囲を満たすには、θ1＜４７°でなければ
ならない。表１から明らかなように、本発明の角度範囲
を満たす角度θ1 ＝１５°，４０°での脱ボロン処理
は、本発明の範囲外でのθ1 ＝５５°の場合に対して、
１／３時間で終了することがわかる。なお、上記実施例
では、プラズマ火点中心と、水蒸気吹き出し口から浴面
におろした垂線の足との間の距離Ｒが３０ｍｍであった
ので、（２）式を満たすためには、水蒸気吹き出し口が
位置するトーチ先端面と浴面の間の距離ｄは、それぞれ
のθ1 に対して表１に示した（Ｒ／ｔａｎθ1 ）より大
きくなければならない。θ1 ＝１５°の場合において、
ｄを（Ｒ／ｔａｎθ1 ）より小さい１００ｍｍとして実
験を行ったところ、表１に併せて示したように、（２）
式を満たすｄ＝２００ｍｍの場合に比し、約２倍のボロ
ン除去処理時間を要した。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、太陽
電池用シリコンの製造に際し、ボロンの除去を従来より
一層迅速に行えるようになった。その結果、該シリコン
の製造に要する時間が短縮され、太陽電池用シリコンの
生産性が向上すると共に、製造コストの低下が可能とな
る。
電池用シリコンの製造に際し、ボロンの除去を従来より
一層迅速に行えるようになった。その結果、該シリコン
の製造に要する時間が短縮され、太陽電池用シリコンの
生産性が向上すると共に、製造コストの低下が可能とな
る。
【図１】本発明に係る金属シリコンからのボロン除去方
法を実施した装置の一例を示す縦断面図である。
法を実施した装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】プラズマ・トーチの側壁に設けた水蒸気添加用
ノズルとプラズマ・ガス流との関係を説明する図であ
る。
ノズルとプラズマ・ガス流との関係を説明する図であ
る。
【符号の説明】 １ 金属シリコン（溶湯） ２ プラズマ・ガス（ジェット） ３ プラズマ・トーチ（トーチ） ４ 陽極 ５ 陰極 ６ 非移行型プラズマ電源 ７ 供給手段 ８ 精錬容器 ９ 水蒸気含有アルゴン・ガス １０ 黒鉛あるいは水冷銅製容器 １１ アーク １２ ノズル（水蒸気の付加） １３ 火点
フロントページの続き (72)発明者 阿部 正道 千葉市中央区川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 阪口 泰彦 千葉市中央区川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内 (72)発明者 加藤 嘉英 千葉市中央区川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 溶融状態にある金属シリコンの溶湯面
に、水蒸気を付加した不活性ガスからなるプラズマ・ガ
スを吹き付けて、該金属シリコンが含有するボロンを除
去するに際し、 上記水蒸気を、プラズマ・ガスが形成する流れの方向に
対し、一定範囲内の角度θ1 で吹き込むことを特徴とす
る金属シリコンからのボロン除去方法。 - 【請求項２】 プラズマ・ガスの流速をＶP 、水蒸気の
流速をＶH として、上記角度θ1 の範囲を、 ｓｉｎθ1 ＜ Ｃ（ＶP ／ＶH ） （Ｃ〜ｔａｎ１
０°） とすることを特徴とする請求項１記載の金属シリコンか
らのボロン除去方法。 - 【請求項３】 シリコン浴面上のプラズマ火点の中心
と、水蒸気吹き出し口から浴面に立てた垂線の足との間
の距離をＲとした時、水蒸気吹き出し口と浴面との距離
ｄが、 ｄ ≧ Ｒ／ｔａｎθ1 の範囲内にあることを特徴とする請求項１又は２記載の
金属シリコンからのボロン除去方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009537A JPH10203816A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 金属シリコンからのボロン除去方法 |
| TW087100564A TW372935B (en) | 1997-01-22 | 1998-01-16 | Method for removing boron from metallurgical grade silicon and apparatus |
| NO980278A NO980278L (no) | 1997-01-22 | 1998-01-21 | FremgangsmÕte og apparatur for fjerning av bor fra silisium av metallurgisk kvalitet |
| EP98101009A EP0855367A1 (en) | 1997-01-22 | 1998-01-21 | Method for removing boron from metallurgical grade silicon and apparatus |
| KR1019980001879A KR100275973B1 (ko) | 1997-01-22 | 1998-01-22 | 금속 실리콘으로부터의 붕소제거 방법 및 장치 |
| CN98105942A CN1105081C (zh) | 1997-01-22 | 1998-01-22 | 从金属硅中除去硼的方法和装置 |
| CA002227693A CA2227693C (en) | 1997-01-22 | 1998-01-22 | Method for removing boron from metallurgical grade silicon and apparatus |
| BR9800434A BR9800434A (pt) | 1997-01-22 | 1998-01-22 | Processo para remoção de boro a partir de silício de grau metalúrgico e aparelho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009537A JPH10203816A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 金属シリコンからのボロン除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10203816A true JPH10203816A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=11723029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9009537A Withdrawn JPH10203816A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 金属シリコンからのボロン除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10203816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432496B1 (ko) * | 2002-08-06 | 2004-05-20 | 주식회사 실트론 | 어닐 웨이퍼의 제조 방법 |
-
1997
- 1997-01-22 JP JP9009537A patent/JPH10203816A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432496B1 (ko) * | 2002-08-06 | 2004-05-20 | 주식회사 실트론 | 어닐 웨이퍼의 제조 방법 |
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