JPH10200014A - Ceramic multilayer wiring board - Google Patents

Ceramic multilayer wiring board

Info

Publication number
JPH10200014A
JPH10200014A JP9002394A JP239497A JPH10200014A JP H10200014 A JPH10200014 A JP H10200014A JP 9002394 A JP9002394 A JP 9002394A JP 239497 A JP239497 A JP 239497A JP H10200014 A JPH10200014 A JP H10200014A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal lines
wiring board
wiring
ceramic multilayer
multilayer wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9002394A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Tenmyo
浩之 天明
Bunichi Tagami
文一 田上
Shosaku Ishihara
昌作 石原
Masahide Okamoto
正英 岡本
Tetsuya Yamazaki
哲也 山崎
Hidetaka Shigi
英孝 志儀
Ryohei Sato
了平 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9002394A priority Critical patent/JPH10200014A/en
Publication of JPH10200014A publication Critical patent/JPH10200014A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the wiring capacitance of a ceramic multilayer wiring board, without lowering the insulation between the through-holes and signal lines. SOLUTION: The wiring board uses a ceramic material formed into a multilayer board and has a laminate structure composed of power source layers, ground layers and wiring layers. Each wiring layer has a wiring pattern involving signal lines each running the shortest path between two through-holes to be connected. The wiring pattern of the wiring layer for connecting the through- holes arranged in the diagonal directions (at 45 deg. to axis X) of e.g. an orthogonal grid includes signal lines 106 running in the diagonal directions of this grid. The signal lines 106 are laid to route the shortest path along regions defined by the proximity limit lines set round the through-holes 104.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主としてLSIチ
ップの搭載に用いられるセラミック多層配線基板に関す
る。
[0001] The present invention relates to a ceramic multilayer wiring board mainly used for mounting an LSI chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】セラミック多層配線基板は、従来、専ら
ICパッケージ内部の小型基板として用いられていたも
のであるが、高熱伝導性等の高密度実装に適した特徴を
有していることが注目され、LSIチップ搭載用の基
板、特に、超大型コンピュータのCPUを実装する大型
基板としても重用されるようになった。このセラミック
多層配線基板とは、アルミナ焼成前のグリーンシートの
段階で導体印刷と多層化とを行い、その後、アルミナと
導体配線とを一体焼成することにより作成されるもので
あるが、多層化後の焼成条件その他の加工条件によっ
て、その性能が大きく改善されることが知られている。
例えば、特公平2−49550号公報には、より信頼性
の高いセラミック多層配線基板を製造するために有用な
加工条件(導体材料、グリーンシートを形成するスラリ
の組成、多層化後の焼成条件)が開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, ceramic multilayer wiring boards have been used exclusively as small substrates in IC packages. However, attention has been paid to their features such as high thermal conductivity suitable for high-density mounting. As a result, it has come to be used frequently as a substrate for mounting an LSI chip, particularly a large substrate for mounting a CPU of a super-large computer. The ceramic multilayer wiring board is formed by performing conductor printing and multilayering at the stage of a green sheet before firing alumina, and thereafter firing alumina and the conductor wiring integrally. It is known that the performance is greatly improved depending on the firing conditions and other processing conditions.
For example, Japanese Patent Publication No. 2-49550 discloses that processing conditions (conductor material, composition of a slurry for forming a green sheet, firing conditions after multilayering) useful for manufacturing a ceramic multilayer wiring board with higher reliability. Is disclosed.

【0003】また、これに薄膜技術を併用して実装密度
を上げる試みも為されている。例えば、NIKKEI
MICRODEVICE 1989年6月号(p50)に
は、セラミックス多層配線基板のデバイス搭載面に、薄
膜技術を用いて、微細配線パターン(配線幅20μm、
配線厚さ5μm程度)を形成する技術が記載されてい
る。
Attempts have also been made to increase the mounting density by using a thin film technique in combination with this. For example, NIKKEI
MICRODEVICE, June 1989 (p50), describes a fine wiring pattern (wiring width 20 μm,
A technique for forming a wiring thickness of about 5 μm) is described.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の多層セラミック
ス配線基板の配線レイアウトは、互いに直交する2方向
(X方向、Y方向)への経路選択を原則として行われてい
る。従って、セラミックス多層配線基板上のデバイスの
配置によっては、余儀なく信号線を伸長をせざるを得な
いことがある。例えば、この原則(以下、配線レイアウ
トルールと呼ぶ)に従って、セラミックス多層配線基板
の対角線上に配置された2つのデバイスを接続する場合
には、少なくとも実際のデバイス間隔の約√2倍もの長
さの信号線が必要となる。
The wiring layout of the conventional multilayer ceramic wiring board has two directions orthogonal to each other.
(X direction, Y direction) is selected in principle. Therefore, depending on the arrangement of the devices on the ceramic multilayer wiring board, the signal lines may have to be extended. For example, in accordance with this principle (hereinafter referred to as a wiring layout rule), when connecting two devices arranged on a diagonal line of a ceramic multilayer wiring board, at least about 少 な く と も 2 times the actual device interval is required. A signal line is required.

【0005】こうした配線レイアウト設計上の制約に伴
う信号線の伸長は、集積規模の拡大に伴う信号線の伸長
と相俟って電子機器の性能を左右する程(著しく信号伝
送遅延を増加させる程)に配線容量を増加させるように
なってきた。例えば、電気抵抗の小さな銅と、誘電率の
低いガラスセラミックス(比誘電率 5.2)とから形成
されたセラミックス多層配線基板であっても、140m
m×140mmの搭載エリアに25個のLSIチップを
5×5配列で搭載すると、1行1列目のLSIチップか
ら最も遠方に位置する5行5列目のLSIチップ迄の信
号伝送遅延時間(最大信号伝送遅延時間)が約1.28〜
2.13nsにまで達することが知られている。
The extension of the signal line due to the restriction on the wiring layout design, together with the extension of the signal line accompanying the increase in the scale of integration, affects the performance of the electronic device (as the signal transmission delay increases remarkably). ) To increase the wiring capacitance. For example, even a ceramic multilayer wiring board formed of copper having a small electric resistance and glass ceramic having a low dielectric constant (relative dielectric constant of 5.2) has a length of 140 m.
When 25 LSI chips are mounted in a mounting area of m × 140 mm in a 5 × 5 array, the signal transmission delay time from the LSI chip in the first row and the first column to the LSI chip in the fifth row and the fifth column located farthest ( Maximum signal transmission delay time)
It is known to reach 2.13 ns.

【0006】そこで、多層プリント配線基板の配線レイ
アウトルールにならって、X方向とY方向とに加えて斜
め方向(X方向と直交しない方向、例えば、セラミック
ス多層配線基板の対角線方向)にも信号線の経路選択の
自由度を広げることにより、信号線の短縮化を図る必要
が生じてきた。
Therefore, in accordance with the wiring layout rules of the multilayer printed wiring board, the signal lines are not only in the X direction and the Y direction but also in an oblique direction (a direction not orthogonal to the X direction, for example, a diagonal direction of the ceramic multilayer wiring board). It has become necessary to shorten the signal lines by increasing the degree of freedom of the path selection.

【0007】しかし、多層セラミックス配線基板の高密
度実装化が進み、スルーホール間隔が更に狭くなってく
ると、多層プリント配線基板の配線レイアウトルールを
そのまま適用することはできなくなる。図13に示すよ
うに、放射線方向に信号線106を配線した場合(a)に
は、Y方向に信号線106を配線した場合(b)と比較し
て、スルーホール104と信号線106との間隙tが狭
くなるため、スルーホール104と信号線106とが近
接限界を超えて接近する可能性があるからである。即
ち、スルーホールと信号線との間の絶縁抵抗が低下し、
マイグレーション等の弊害が生じる可能性が高くなるか
らである。
However, when the multilayer ceramic wiring board is mounted at a high density and the through-hole interval is further reduced, the wiring layout rule of the multilayer printed wiring board cannot be applied as it is. As shown in FIG. 13, when the signal line 106 is wired in the radiation direction (a), compared with the case where the signal line 106 is wired in the Y direction (b), the distance between the through hole 104 and the signal line 106 is smaller. This is because the gap t becomes narrower, and the through hole 104 and the signal line 106 may approach beyond the proximity limit. That is, the insulation resistance between the through hole and the signal line decreases,
This is because there is a high possibility that adverse effects such as migration will occur.

【0008】そこで、本発明は、スルーホールと信号線
との間の絶縁抵抗を低下させることなく、セラミックス
多層配線基板の配線容量を低減することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to reduce the wiring capacitance of a ceramic multilayer wiring board without lowering the insulation resistance between a through hole and a signal line.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基本格子の交点上に位置する接続点の内
の2つの接続点の間を接続する信号線が1組以上形成さ
れた配線層を含んだセラミックス多層配線基板であっ
て、前記1組以上の信号線の内の少なくとも1組の信号
線は、当該信号線の少なくとも一部分が、前記基本格子
の同列にない2つの格子点に位置する接続点の間を結ぶ
最短経路に沿って配線されていることを特徴とするセラ
ミックス多層配線基板を提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, at least one pair of signal lines connecting between two connection points among the connection points located on the intersection of the basic lattice are formed. A ceramic multi-layer wiring board including a wiring layer, wherein at least one set of signal lines of the one or more sets of signal lines has at least a part of the signal lines that are not in the same row of the basic lattice. Provided is a ceramic multilayer wiring board which is wired along a shortest path connecting connection points located at lattice points.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しなが
ら、本発明に係る一実施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0011】最初に、図1により、本実施の形態に係る
セラミックス多層配線基板の基本構造について説明す
る。
First, the basic structure of the ceramic multilayer wiring board according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

【0012】本セラミックス多層配線基板100は、基
板材料にセラミックスを用い、これを、図1(a)に示す
ように多層化したものである。具体的には、電源層(不
図示)とグランド層102a1,...,102amと配
線層103b1,...,103bnとからなる積層構造
を有し、各層には、予め定めた架空の直交基本格子の格
子点の位置に、それぞれスルーホール104が形成され
ている。そして、各配線層103b1,...,103
nの配線パターンには、接続すべき2つのスルーホー
ルの間を結ぶ最短経路に沿って走る信号線が含まれてい
る。例えば、X方向(直交基本格子を規定する一方の平
行直線群101aに平行な方向)に並んだ2つのスルー
ホールの間を接続する配線層103b1の配線パターン
には、X方向へ走る信号線106aが含まれている。ま
た、Y方向(直交基本格子を規定する他方の平行直線群
101bに平行な方向)に並んだ2つのスルーホールの
間を接続する配線層103b2の配線パターンには、Y
方向に走る信号線106bが含まれている。また、直交
基本格子の対角線方向に並んだスルーホール間を接続す
る配線層103b3,103b4の配線パターンには、直
交基本格子の対角線方向に走る信号線106c1,10
6c2が含まれている。
The ceramic multilayer wiring board 100 uses ceramics as a substrate material and has a multilayer structure as shown in FIG. 1 (a). Specifically, a power supply layer (not shown) and ground layers 102a 1 ,. . . , The wiring layer 103b 1, 102a m. . . , 103b n, and through holes 104 are formed in each layer at predetermined lattice point positions of an imaginary orthogonal basic lattice. Then, each of the wiring layers 103b 1 ,. . . , 103
The wiring pattern of the b n, contains signal lines running along the shortest route connecting between the two through holes to be connected. For example, the wiring pattern of the wiring layer 103b 1 that connects between the two through holes arranged in (a direction parallel to one of the parallel straight lines 101a defining an orthogonal lattice element) X direction, the signal lines running in the X direction 106a. Further, the wiring pattern of the wiring layer 103b 2 which connects between the two through holes aligned in the Y direction (direction parallel to the other parallel line group 101b defining an orthogonal lattice element), Y
A signal line 106b running in the direction is included. The wiring patterns of the wiring layers 103b 3 and 103b 4 connecting the through holes arranged in the diagonal direction of the orthogonal basic lattice include signal lines 106c 1 and 10 running in the diagonal direction of the orthogonal basic lattice.
6c 2 is included.

【0013】次に、図2、図3、図4により、このよう
な配線パターンの配線層を含むセラミックス多層配線基
板100の製造方法について説明する。
Next, with reference to FIGS. 2, 3 and 4, a method of manufacturing the ceramic multilayer wiring board 100 including the wiring layers of such a wiring pattern will be described.

【0014】まず、図2(A)に示すように、適当な混合
割合でセラミックス原料粉末200とフィラー201と
を混合し、これに有機バインダ202と溶剤203と可
塑剤(不図示)とを加えてボールミル204で十分湿式混
合して混合スラリを作成する。例えば、セラミック原料
粉末200としてSiO2−B23−K2O−Al23
ホウケイ酸ガラスを使用し、フィラー201としてムラ
イト粉末を使用する場合には、両者の混合割合(重量比)
を約7:3とすることが望ましい。そして、これを適当
な時間だけ減圧下に放置して粘度調節と脱泡を行う。そ
の後、表面状態の良好なキャリアフィルムに混合スラリ
を流し出し、これをドクターブレイドで均一な厚さ(通
常、約0.2mm)に展延する。そして、これを乾燥さ
せると、溶剤が揮発し、可とう性のあるグリーンシート
205が完成する。
First, as shown in FIG. 2A, a ceramic raw material powder 200 and a filler 201 are mixed at an appropriate mixing ratio, and an organic binder 202, a solvent 203, and a plasticizer (not shown) are added thereto. The mixture is sufficiently wet-mixed in a ball mill 204 to prepare a mixed slurry. For example, using the SiO 2 -B 2 O 3 -K 2 O-Al 2 O 3 based borosilicate glass as the ceramic raw material powder 200, when using the mullite powder as a filler 201, the mixing ratio between the two (the weight ratio )
Is preferably about 7: 3. Then, this is left under reduced pressure for an appropriate time to perform viscosity adjustment and defoaming. Thereafter, the mixed slurry is poured into a carrier film having a good surface condition, and is spread with a doctor blade to a uniform thickness (typically, about 0.2 mm). Then, when this is dried, the solvent is volatilized, and a flexible green sheet 205 is completed.

【0015】次に、図2(B)に示すように、グリーンシ
ート205を支持枠206で固定した後、超硬工具(パ
ンチ)207を用いて、直交基本格子の格子点の位置(通
常、0.3mm程度のピッチ毎)にスルーホール205
aを打ち抜く。尚、本実施の形態では、この穴開け加工
に複数の超硬工具207を備えたNC工作機械を導入す
ることにより、加工能率の向上を図っている。
Next, as shown in FIG. 2B, after fixing the green sheet 205 with the support frame 206, the position of the lattice point of the orthogonal basic lattice (usually, Through hole 205 at every 0.3mm pitch)
punch out a. In the present embodiment, the machining efficiency is improved by introducing an NC machine tool having a plurality of carbide tools 207 in the drilling.

【0016】次に、図2(C)に示すように、スクリーン
印刷法によって、グリーンシート205に打ち抜かれた
スルーホール205aの内部に、ビヒクルに導体粉末
(例えば、Cu粉末、Au粉末等)を懸濁させた導体ペー
スト208を充填する。具体的には、グリーンシート2
05に対してステンシルスクリーン209aを位置合わ
せした後、ステンシルスクリーン209a上でスキージ
210を移動させることによって、導体ペースト208
をステンシルスクリーン209aのスルーホールパター
ン部Aから通過させる。これにより、グリーンシート2
05に打ち抜かれたスルーホール205a内部には導体
ペースト208が充填される。
Next, as shown in FIG. 2C, the conductive powder is applied to the vehicle inside the through holes 205a punched in the green sheet 205 by screen printing.
(For example, Cu powder, Au powder, or the like) is filled with a conductive paste 208 suspended therein. Specifically, Green Sheet 2
After the stencil screen 209a is positioned with respect to the stencil screen 209, the squeegee 210 is moved on the stencil screen 209a so that the conductive paste 208
From the through-hole pattern portion A of the stencil screen 209a. Thereby, the green sheet 2
The inside of the through hole 205a punched in 05 is filled with the conductor paste 208.

【0017】同様にして、図2(D)に示すように、複数
枚のグリーンシート205上に、それぞれ、所定の配線
パターン211を印刷する。具体的には、グリーンシー
ト205に対してステンシルスクリーン209bを位置
合わせした後、ステンシルスクリーン209bのスキー
ジ210を移動させることによって、ステンシルスクリ
ーン209bの配線パターン部Bに導体ペースト208
を通過させる。これにより、ステンシルスクリーン20
9bに描かれている配線パターンがグリーンシート20
5上に転写される。尚、このとき使用するステンシルス
クリーン209bに描かれた配線パターンには、互いに
傾きの異なる直線パターンの内の何れか一の直線パター
ン、もしくは、それら直線パターンを結合させた結合パ
ターンが含まれている。例えば、代表的な直線パターン
としては、図3に示したような、X方向に平行な直線パ
ターン(A)、X方向と正の角度(本実施の形態では、+
45°)で斜交する直線パターン(B)、X方向と負の角
度(本実施の形態では、−45°)で斜交する直線パター
ン(C)、Y方向に平行な直線パターン(D)等が挙げられ
る。また、それらを結合させた結合パターンとしては、
例えば、2つの直線パターンを斜交させた斜交パターン
(E)が挙げられる。
Similarly, as shown in FIG. 2D, predetermined wiring patterns 211 are printed on a plurality of green sheets 205, respectively. Specifically, after the stencil screen 209b is positioned with respect to the green sheet 205, the squeegee 210 of the stencil screen 209b is moved so that the conductive paste 208 is applied to the wiring pattern portion B of the stencil screen 209b.
Through. Thereby, the stencil screen 20
The wiring pattern drawn in 9b is a green sheet 20
5 is transferred. Note that the wiring pattern drawn on the stencil screen 209b used at this time includes any one of the linear patterns having different inclinations from each other, or a combined pattern obtained by combining these linear patterns. . For example, as a representative straight line pattern, as shown in FIG. 3, a straight line pattern (A) parallel to the X direction, a positive angle with the X direction (in the present embodiment, +
45 °), a straight line pattern (C) oblique at a negative angle to the X direction (−45 ° in the present embodiment), and a straight line pattern (D) parallel to the Y direction. And the like. Also, as a bonding pattern that combines them,
For example, an oblique pattern in which two linear patterns are oblique
(E).

【0018】このようにして複数枚のグリーンシート2
05に、それぞれ、必要とする配線パターン208を印
刷した後、これらを、図4(A)に示すように、予め定め
た枚数毎にグランド層102を介在させながら積層す
る。このとき、各層のスルーホール104が精度良く位
置決めされている必要がある。尚、各グリーンシート2
05の間は、混合スラリに混合した有機バインダ203
の接着力で接着する。
In this manner, a plurality of green sheets 2
After printing the required wiring patterns 208 on the respective layers 05, they are stacked with the ground layer 102 interposed every predetermined number as shown in FIG. 4A. At this time, it is necessary that the through holes 104 of each layer be accurately positioned. In addition, each green sheet 2
During the period of 05, the organic binder 203 mixed in the mixed slurry was used.
Adhere with adhesive strength.

【0019】その後、図4(B)に示すように、これの外
形を所定の形状に打ち抜いてから、所定の焼成スケジュ
ールに従って電気炉内で雰囲気焼結する。尚、本実施の
形態では、電気炉内の雰囲気を制御して、まず、約55
0℃〜650℃の加湿窒素ガス中で有機バインダ203
を抜いてから、約900℃の窒素ガス中でアルミナ焼結
するようにしている。
Thereafter, as shown in FIG. 4 (B), the outer shape thereof is punched into a predetermined shape, and then the atmosphere is sintered in an electric furnace according to a predetermined firing schedule. In this embodiment, the atmosphere in the electric furnace is controlled so that about 55
Organic binder 203 in humidified nitrogen gas at 0 ° C. to 650 ° C.
, Alumina sintering is performed in nitrogen gas at about 900 ° C.

【0020】この焼結過程において、グリーンシート2
05に含有されているフラックス成分(SiO2等)が配
線パターン208に拡散して中間層を形成するため、非
常に強固な接着強度を得ることができる。
In this sintering process, the green sheet 2
Since a flux component (such as SiO 2 ) contained in the substrate 05 diffuses into the wiring pattern 208 to form an intermediate layer, a very strong adhesive strength can be obtained.

【0021】次に、本セラミックス多層配線基板100
における配線容量の改善度を、LSIチップの間の信号
伝送遅延時間に基づいて検討する。但し、ここでは、1
50mm角のセラミックス多層配線基板100を使用す
ることとする。
Next, the present ceramic multilayer wiring board 100
The degree of improvement of the wiring capacity in the above is examined based on the signal transmission delay time between LSI chips. However, here, 1
It is assumed that a 50 mm square ceramic multilayer wiring board 100 is used.

【0022】本セラミックス多層配線基板100の搭載
エリア(140mm×140mm)に、TAB方式により
25個のLSIチップを5×5配列で搭載し、1行1列
目のLSIチップから最も遠距離に位置する5行5列目
のLSIチップ迄の信号伝送遅延時間(最大信号伝送遅
延時間)を測定した。
In the mounting area (140 mm × 140 mm) of the ceramic multilayer wiring board 100, 25 LSI chips are mounted in a 5 × 5 array by the TAB method, and are located at the farthest distance from the LSI chips in the first row and first column. The signal transmission delay time (maximum signal transmission delay time) up to the 5th row and 5th column LSI chip was measured.

【0023】XY方向に加えて放射線方向にも信号線の
経路選択の自由度を広げたことで、搭載エリアの対角線
上に配置した2つのLSIチップを接続する信号線の長
さを従来の(√2)/2(即ち、約7/10)に短縮してあ
るため、理論的には、2つのLSIチップの間の配線容
量が従来の約7/10に低減され、それにより最大信号
伝送遅延時間も従来の約7/10となるはずである。
By increasing the degree of freedom in selecting signal lines in the radiation direction in addition to the XY directions, the length of the signal lines connecting two LSI chips arranged diagonally to the mounting area can be reduced. √2) / 2 (that is, about 7/10), theoretically, the wiring capacity between the two LSI chips is reduced to about 7/10 of the conventional one, thereby maximizing signal transmission. The delay time should be about 7/10 of the conventional one.

【0024】実際には、本セラミックス多層配線基板1
00の最大信号伝送遅延時間は、約0.90〜1.50
nsであり、ほぼ理論通り、従来のセラミックス多層配
線基板の最大信号伝送遅延時間(約1.28〜2.13
ns)の約7/10に短縮されていることが確認され
た。即ち、信号伝送遅延の原因である配線容量が従来の
約7/10に抑制されていることが確認された。
In practice, the present ceramic multilayer wiring board 1
00 is approximately 0.90 to 1.50.
ns, which is almost the same as the theoretical maximum transmission delay time of the conventional ceramic multilayer wiring board (about 1.28 to 2.13).
(ns) was confirmed to be reduced to about 7/10. That is, it was confirmed that the wiring capacitance, which is the cause of the signal transmission delay, was suppressed to about 7/10 of the related art.

【0025】さて、今後、更に推進されるであろうLS
Iチップの高密度実装化に対応するためには、グリーン
シート上に転写すべき配線パターンを、単に、互いに傾
きの異なる直線パターン(図3参照)によって構成するだ
けでは足りず、更に、図5に示すような工夫が必要とな
る。即ち、図5に示すように、直交基本格子101a,
101bの各格子点101cの回りに、スルーホールに
対する信号線の近接限界500を設定しておき、この近
接限界500に囲まれた領域500A内に信号線が配線
されないように、当初に定めた直線パターン501を修
正し、近接限界500に囲まれた領域500Aの外周を
最短距離で迂回する新たな配線パターン502を作成す
る。このような修正を加えることによって、図6(B)に
示すように、スルーホール104と信号線106との間
隙tを一定距離以上に確保することができるため、スル
ーホール104と信号線106との間の絶縁抵抗が極度
に低下するということはなくなる。このようにした場合
には、近接限界500に囲まれた領域500Aの外周を
迂回する分だけ信号線が伸長されることになるが、この
程度の僅かな伸長であれば、電子機器の性能を左右する
程の極端な信号伝送遅延が誘発されることがないことは
確認済みである。
LS which will be further promoted in the future
In order to cope with the high-density mounting of the I chip, it is not sufficient to simply configure the wiring patterns to be transferred onto the green sheet by linear patterns having different inclinations from each other (see FIG. 3). A device as shown in Fig. 1 is required. That is, as shown in FIG. 5, the orthogonal basic grating 101a,
A proximity limit 500 of the signal line with respect to the through hole is set around each lattice point 101c of 101b, and a straight line initially determined so that the signal line is not routed in an area 500A surrounded by the proximity limit 500. The pattern 501 is corrected, and a new wiring pattern 502 that bypasses the outer periphery of the area 500A surrounded by the proximity limit 500 by the shortest distance is created. By making such a modification, as shown in FIG. 6B, the gap t between the through hole 104 and the signal line 106 can be secured to a certain distance or more. The insulation resistance during the period is not extremely reduced. In such a case, the signal line is extended by an amount that bypasses the outer periphery of the area 500A surrounded by the proximity limit 500. However, with such a slight extension, the performance of the electronic device is reduced. It has been confirmed that no extreme signal transmission delay is induced.

【0026】尚、スルーホールに対する信号線の近接限
界500の設定を変更すれば、図6(B)に示した配線レ
イアウトとは異なる配線レイアウトを完成させることも
できる。例えば、六角形状の近接限界500を設定すれ
ば、図6(A)に示したような配線レイアウトとすること
もできる。
By changing the setting of the proximity limit 500 of the signal line to the through hole, a wiring layout different from the wiring layout shown in FIG. 6B can be completed. For example, if a hexagonal proximity limit 500 is set, a wiring layout as shown in FIG. 6A can be obtained.

【0027】ところで、セラミックス多層配線基板の表
層に薄膜配線層を形成することによって、LSIチップ
の実装密度を上げる試みが為されていることは、従来技
術の欄で既に述べたが、こうした薄膜配線層の配線レイ
アウトルールとして上記配線レイアウトルールを採用し
ても前述の場合な効果を達成することができる。以下、
この薄膜配線層の積層構造について説明する。
It has already been mentioned in the section of the prior art that attempts have been made to increase the mounting density of LSI chips by forming a thin film wiring layer on the surface of a ceramic multilayer wiring board. Even if the above-described wiring layout rule is adopted as the wiring layout rule of the layer, the above-described effect can be achieved. Less than,
The laminated structure of the thin film wiring layer will be described.

【0028】図7に示すように、セラミックス多層配線
基板900の表層に形成された薄膜配線層901は、層
間絶縁膜層905a1,...,905a5と配線層90
3a,903bもしくは電源層902とを交互に積み重
ねた積層構造を有しており、その表層面には、更に、デ
バイス搭載パターン906が形成されている。そして、
各配線層903a,903bには、前述の配線レイアウ
トルールに従って配線された信号線、例えば、X方向に
走る信号線1000(図8(A)参照)、Y方向に走る信号
線1003(図8(E)参照)、X方向と−45°をなす方
向に走る信号線1001(図8(B)参照)、X方向と+4
5°をなす方向に走る信号線1002(図8(C)参照)が
形成されている。そして、当然、信号線とスルーホール
104との間隙を一定距離以上に確保するための修正も
加えてある。尚、各配線層903a,903bの配線パ
ターンに、異なる2方向に走る信号線1004,100
5が混在する場合(図8(D)参照)があり得るのは言うま
でもない。
As shown in FIG. 7, the thin-film wiring layer 901 formed on the surface of the ceramic multilayer wiring board 900 includes interlayer insulating film layers 905a 1 ,. . . , 905a 5 and the wiring layer 90
It has a laminated structure in which 3a, 903b or a power supply layer 902 are alternately stacked, and a device mounting pattern 906 is further formed on a surface layer thereof. And
Each of the wiring layers 903a and 903b has a signal line wired in accordance with the above-described wiring layout rule, for example, a signal line 1000 running in the X direction (see FIG. 8A) and a signal line 1003 running in the Y direction (see FIG. E)), a signal line 1001 running in a direction at an angle of -45 ° with the X direction (see FIG. 8B),
A signal line 1002 (see FIG. 8C) running in a direction forming 5 ° is formed. Then, of course, a modification for securing the gap between the signal line and the through-hole 104 to a certain distance or more is also added. Note that signal lines 1004, 100 running in two different directions are added to the wiring patterns of the wiring layers 903a, 903b.
Needless to say, there may be a case where 5 are mixed (see FIG. 8D).

【0029】そして、各配線層903a,903bの間
は、層間絶縁膜層905a3に形成されたスルーホール
905Aを介して接続されている。同様に、セラミック
ス多層配線基板900の表層に形成された端子パターン
907と各配線層903a,903bとの間は、それぞ
れ、層間絶縁膜層905a1,905a2,905a3
形成されたスルーホール905Aを介して接続されてお
り、デバイス搭載パターン906と各配線層903a,
903bとの間は、それぞれ、層間絶縁膜層905
3,905a4,905a5に形成されたスルーホール
905Aを介して接続されている。
[0029] Then, the wiring layers 903a, between 903b are connected via a through hole 905A formed in the interlayer insulating film layer 905a 3. Similarly, between the terminal pattern 907 formed on the surface layer of the ceramic multilayer wiring board 900 and each of the wiring layers 903a and 903b, through holes 905A formed in the interlayer insulating film layers 905a 1 , 905a 2 and 905a 3 respectively. Through the device mounting pattern 906 and each wiring layer 903a,
903b, an interlayer insulating film layer 905, respectively.
a 3, 905a 4, are connected via a through hole 905A formed in the 905a 5.

【0030】次に、図9により、この薄膜配線層901
の積層方法について説明する。尚、ここでは、薄膜配線
層901を形成するセラミックス多層配線基板900と
して、図1を用いて説明した積層構造を有するセラミッ
クス多層配線基板100を使用することとする。
Next, referring to FIG. 9, this thin film wiring layer 901
Will be described. Here, as the ceramic multilayer wiring substrate 900 for forming the thin film wiring layer 901, the ceramic multilayer wiring substrate 100 having the laminated structure described with reference to FIG. 1 is used.

【0031】まず、図9(A)に示すように、スパッタ法
によってセラミックス多層配線基板900の表層にAl
(または、Cr、Cu、Crの順番で)を成膜させること
により、セラミックス多層配線基板900の表層に端子
パターン907を形成する。
First, as shown in FIG. 9 (A), the surface layer of
(Or in the order of Cr, Cu, Cr) to form a terminal pattern 907 on the surface layer of the ceramic multilayer wiring board 900.

【0032】次に、セラミックス多層配線基板900の
表層に感光性ポリイミドを塗布した後、適当な時間、こ
れを予備乾燥する。そして、フォトリソグラフィ工程
(露光、現像、硬化)によって、図9(B)に示すような層
間絶縁膜905a1を形成した後、スパッタ法により、
その上に重ねて、図9(C)に示すようなAl薄膜908
を形成する。そして、スピンコータを用いてAl薄膜9
08上にレジストを塗布した後、適当な時間、これを予
備乾燥する。そして、図9(D)に示すように、露光と現
像とにより、前述の配線レイアウトルールに従って設計
しておいた配線パターンを形成するためのレジストマス
ク909を形成する。そして、このレジストマスク90
9を利用して、Al薄膜908をエッチングした後、不
要となったレジストマスク909を剥離する。これによ
り、図9(E)に示すように、所望の配線パターン910
が形成される。以上の処理を必要回数繰返すことによっ
て、図7に示した薄膜配線層901を形成することがで
きる。
Next, a photosensitive polyimide is applied to the surface layer of the ceramic multilayer wiring board 900, and is then pre-dried for an appropriate time. And the photolithography process
(Exposure, development, cured) by, after forming an interlayer insulating film 905a 1, as shown in FIG. 9 (B), by a sputtering method,
An Al thin film 908 as shown in FIG.
To form Then, an Al thin film 9 is formed using a spin coater.
After applying the resist on the substrate 08, it is pre-dried for an appropriate time. Then, as shown in FIG. 9D, a resist mask 909 for forming a wiring pattern designed in accordance with the wiring layout rules described above is formed by exposure and development. Then, this resist mask 90
After the Al thin film 908 is etched by using the resist mask 9, the unnecessary resist mask 909 is removed. As a result, as shown in FIG.
Is formed. By repeating the above process as many times as necessary, the thin film wiring layer 901 shown in FIG. 7 can be formed.

【0033】ところで、より配線抵抗の小さな薄膜配線
層を形成する必要がある場合には、以上説明したスパッ
タ法を利用する積層方法よりも、むしろ、以下に説明す
る電気めっきを利用する積層方法を採用することを推奨
する。配線パターンに残留する応力が小さいからであ
る。
When it is necessary to form a thin film wiring layer having a smaller wiring resistance, a laminating method using electroplating described below is used rather than a laminating method using the sputtering method described above. We recommend that you adopt it. This is because the stress remaining in the wiring pattern is small.

【0034】この場合も、まず、図10(A)に示すよう
に、スパッタ法によってセラミックス多層配線基板90
0の表層にAl(または、Cr、Cu、Crの順番で)を
成膜させることにより、セラミックス多層配線基板90
0の表層に端子パターン907を形成する。そして、図
10(B)に示すように、スパッタ法によってセラミック
ス多層配線基板900の表層にクロムと銅を成膜させる
ことにより、電気めっき用の給電膜911を形成する。
そして、スピンコータを用いてレジスト(厚さ約20μ
m)を塗布した後、適当な時間、これを予備乾燥する。
そして、図10(C)に示すように、露光と現像とによ
り、スルーホールを形成するためのめっきレジストマス
ク912を形成する。そして、図10(D)に示すよう
に、給電膜911を陰極として、Cuめっき液による電
気めっきを選択的に行うことにより、スルーホールとな
るべき導体部913を形成する。そして、図10(E)に
示すように、不要となっためっきレジストマスク912
を剥離した後、図10(F)に示すように、不要となった
給電膜911をエッチングする。そして、その上に重ね
て、誘電率の低いポリイミドを塗布し、これを硬化させ
ることによって、図11(G)に示すような層間絶縁膜9
14を形成する。そして、層間絶縁膜914の表面に研
磨加工を施して、スルーホール913の端子面が露出し
たら、図11(H)に示すように、スパッタ法によって、
その上にクロムと銅を成膜させることにより、電気めっ
き用の給電膜915を形成する。そして、スピンコータ
を用いて、その上に重ねてレジスト(厚さ 約20μm)
を塗布した後、適当な時間、これを予備乾燥する。そし
て、図11(I)に示すように、露光と現像とにより、前
述の配線レイアウトルールに従って設計しておいた配線
パターンを形成するためのめっきレジストマスク916
を形成する。そして、図11(J)に示すように、給電膜
915を陰極として、Cuめっき液による電気めっきを
選択的に行うことにより、配線パターンとなるべき導体
部917を形成する。そして、スピンコータを用いて、
その上に重ねてレジスト(厚さ 約20μm)を塗布した
後、適当な時間、これを予備乾燥する。そして、図11
(K)に示すように、露光と現像とにより、スルーホール
を形成するためのめっきレジストマスク918を形成す
る。そして、図12(L)に示すように、給電膜915を
陰極として、Cuめっき液による電気めっきを選択的に
行うことにより、スルーホールとなるべき導体部919
を形成する。そして、図12(M)に示すように、不要と
なっためっきレジストマスク916,918を剥離した
後、図12(N)に示すように、不要となった給電膜91
5をエッチングする。そして、スピンコータを用いて、
その上に重ねてポリイミドを塗布し、これを硬化させる
ことによって、図12(O)に示すような層間絶縁膜92
0を形成する。そして、層間絶縁膜920の表面に研磨
加工を施して、スルーホール919の端子面を露出させ
る。以上の処理を必要回数繰返すことによって、図7に
示した薄膜配線層901を形成することができる。
Also in this case, first, as shown in FIG. 10A, the ceramic multilayer wiring board 90 is formed by sputtering.
By depositing Al (or in the order of Cr, Cu, Cr) on the surface layer of the ceramic multilayer wiring substrate 90,
A terminal pattern 907 is formed on the surface layer of No. 0. Then, as shown in FIG. 10B, a power supply film 911 for electroplating is formed by depositing chromium and copper on the surface layer of the ceramic multilayer wiring substrate 900 by a sputtering method.
Then, using a spin coater, resist (about 20 μm thick)
After application of m), it is pre-dried for a suitable time.
Then, as shown in FIG. 10C, a plating resist mask 912 for forming a through hole is formed by exposure and development. Then, as shown in FIG. 10D, by using the power supply film 911 as a cathode and selectively performing electroplating with a Cu plating solution, a conductor portion 913 to be a through hole is formed. Then, as shown in FIG.
Then, as shown in FIG. 10F, the unnecessary power supply film 911 is etched. Then, a polyimide having a low dielectric constant is applied thereon, and is cured to form an interlayer insulating film 9 as shown in FIG.
14 is formed. Then, the surface of the interlayer insulating film 914 is polished, and when the terminal surface of the through hole 913 is exposed, as shown in FIG.
A power supply film 915 for electroplating is formed by depositing chromium and copper thereon. Then, using a spin coater, put a resist on top of it (about 20 μm thick)
After the application, it is pre-dried for an appropriate time. Then, as shown in FIG. 11 (I), a plating resist mask 916 for forming a wiring pattern designed according to the above wiring layout rules by exposure and development.
To form Then, as shown in FIG. 11J, by using the power supply film 915 as a cathode and selectively performing electroplating with a Cu plating solution, a conductor portion 917 to be a wiring pattern is formed. Then, using a spin coater,
After a resist (approximately 20 μm thick) is applied thereon, it is pre-dried for an appropriate time. And FIG.
As shown in (K), a plating resist mask 918 for forming a through hole is formed by exposure and development. Then, as shown in FIG. 12 (L), by selectively performing electroplating with a Cu plating solution using the power supply film 915 as a cathode, the conductor portion 919 to be a through hole is formed.
To form Then, as shown in FIG. 12 (M), after the unnecessary plating resist masks 916 and 918 are removed, as shown in FIG.
5 is etched. Then, using a spin coater,
Polyimide is applied on top of this, and cured, whereby an interlayer insulating film 92 as shown in FIG.
0 is formed. Then, the surface of the interlayer insulating film 920 is polished to expose the terminal surface of the through hole 919. By repeating the above process as many times as necessary, the thin film wiring layer 901 shown in FIG. 7 can be formed.

【0035】[0035]

【発明の効果】本実施の形態に係るセラミックス多層配
線基板によれば、スルーホールと信号線との間の絶縁抵
抗を低下させることなく、信号伝送遅延の原因となる配
線容量を低減させることができる。
According to the ceramic multilayer wiring board of the present embodiment, it is possible to reduce the wiring capacitance that causes signal transmission delay without lowering the insulation resistance between the through hole and the signal line. it can.

【0036】尚、セラミックス原料粉末の組成、導体材
料、LSIチップの搭載密度等の設計条件を変更して
も、変らぬ効果が得られることは言うまでもない。
It is needless to say that the same effect can be obtained even if the design conditions such as the composition of the ceramic raw material powder, the conductor material, and the mounting density of the LSI chip are changed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るセラミックス多層配
線基板の基本構造を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a basic structure of a ceramic multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のセラミックス多層配線基板の製造方法を
説明するための図である。
FIG. 2 is a view for explaining a method of manufacturing the ceramic multilayer wiring board of FIG. 1;

【図3】図1のセラミックス多層配線基板の配線レイア
ウトの一例を示した図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a wiring layout of the ceramic multilayer wiring board of FIG. 1;

【図4】図1のセラミックス多層配線基板の製造方法を
説明するための図である。
FIG. 4 is a view for explaining a method of manufacturing the ceramic multilayer wiring board of FIG. 1;

【図5】図3の配線レイアウトの修正を説明するための
図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining correction of the wiring layout of FIG. 3;

【図6】修正された配線レイアウトの一例を示した図で
ある。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a corrected wiring layout.

【図7】本発明の実施の形態に係るセラミックス多層配
線基板の構造の一例を示した図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a structure of a ceramic multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図8】図7の薄膜配線層の配線レイアウトの一例を示
した図である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of a wiring layout of a thin film wiring layer of FIG. 7;

【図9】図7の薄膜配線層の形成方法を説明するための
図である。
FIG. 9 is a view for explaining a method of forming the thin film wiring layer of FIG. 7;

【図10】図7の薄膜配線層の形成方法を説明するため
の図である。
FIG. 10 is a view for explaining a method of forming the thin film wiring layer of FIG. 7;

【図11】図7の薄膜配線層の形成方法を説明するため
の図である。
FIG. 11 is a view for explaining a method of forming the thin film wiring layer of FIG. 7;

【図12】図7の薄膜配線層の形成方法を説明するため
の図である。
FIG. 12 is a view for explaining a method of forming the thin film wiring layer of FIG. 7;

【図13】従来のセラミックス多層配線基板の配線レイ
アウトの一例を示した図である。
FIG. 13 is a diagram showing an example of a wiring layout of a conventional ceramic multilayer wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100…セラミックス多層配線基板 101a,101b…直交基本格子を規定する平行直線
群 101c…直交基本格子の格子点 102a1,...,102am…グランド層 103b1,...,103bn…配線層 104…スルーホール 106a,106b,106c1,106c2…信号線 200…セラミックス原料粉末 201…フィラー 202…有機バインダ 203…溶剤 204…ボールミル 205…グリーンシート 206…支持枠 207…超硬工具(パンチ) 208…導体ペースト 209a,209b…ステンシルスクリーン 210…スキージ 211…配線パターン 500…スルーホールに対する信号線の近接限界 900…セラミックス多層配線基板 901…薄膜配線層 902…電源層 903a,903b…配線層 905a1,905a2,905a3,905a4,905a5
…層間絶縁膜層 906…デバイス搭載パターン 907…端子パターン 908…Al薄膜 909…レジストマスク 910…配線パターン 911…給電膜 912…めっきレジストマスク 913…導体部 915…給電膜 916…めっきレジストマスク 917…導体部 918…めっきレジストマスク 919…導体部
100 ... multilayer ceramic wiring board 101a, 101b ... orthogonal grid points 102a 1 parallel straight lines 101c ... orthogonal lattice element defining a primitive lattice. . . , 102a m ... ground layer 103b 1,. . . , 103b n ... wiring layer 104 ... through hole 106a, 106b, 106c 1 , 106c 2 ... signal line 200 ... ceramic raw material powder 201 ... filler 202 ... organic binder 203 ... solvent 204 ... ball mill 205 ... green sheet 206 ... support frame 207 ... Carbide tool (punch) 208 ... Conductor paste 209a, 209b ... Stencil screen 210 ... Squeegee 211 ... Wiring pattern 500 ... Proximity limit of signal line to through hole 900 ... Ceramic multilayer wiring board 901 ... Thin film wiring layer 902 ... Power supply layer 903a, 903b ... wiring layer 905a 1, 905a 2, 905a 3 , 905a 4, 905a 5
... interlayer insulating film layer 906 ... device mounting pattern 907 ... terminal pattern 908 ... Al thin film 909 ... resist mask 910 ... wiring pattern 911 ... feeding film 912 ... plating resist mask 913 ... conductor part 915 ... feeding film 916 ... plating resist mask 917 ... Conductor 918 ... Plating resist mask 919 ... Conductor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 正英 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山崎 哲也 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 志儀 英孝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 佐藤 了平 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masahide Okamoto 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd.Production Technology Laboratory (72) Inventor Tetsuya Yamazaki 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside Hitachi, Ltd. Production Technology Research Laboratories (72) Inventor Hidetaka Shigi 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Hitachi Ltd. Production Technology Research Laboratories (72) Ryohei Sato Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture 292 Yoshidacho Inside Hitachi, Ltd. Production Engineering Laboratory

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基本格子の交点上に位置する接続点の内の
2つの接続点の間を接続する信号線が1組以上形成され
た配線層を含んだセラミックス多層配線基板であって、 前記1組以上の信号線の内の少なくとも1組の信号線
は、当該信号線の少なくとも一部分が、前記基本格子の
同列にない2つの格子点に位置する接続点の間を結ぶ最
短直線経路に沿って配線されていることを特徴とするセ
ラミックス多層配線基板。
1. A ceramic multilayer wiring board including a wiring layer in which at least one set of signal lines connecting between two connection points among connection points located on intersections of a basic lattice is formed, At least one signal line of the one or more signal lines is formed along a shortest straight path connecting at least a part of the signal lines between connection points located at two grid points that are not in the same column of the basic grid. A ceramic multilayer wiring board characterized by being wired.
【請求項2】基本格子の交点上に位置する接続点の内の
2つの接続点の間を接続する信号線が1組以上形成され
た配線層を含んだセラミックス多層配線基板であって、 前記1組以上の信号線の内の少なくとも1組の信号線
は、少なくとも当該信号線の一部分が、前記基本格子の
各交点の周囲に予め定めた侵入禁止領域の外周を最短距
離で迂回しながら前記基本格子の同列にない2つの格子
点に位置する接続点の間を結ぶ最短直線経路に沿って配
線されていることを特徴とするセラミックス多層配線基
板。
2. A ceramic multilayer wiring board including a wiring layer in which one or more pairs of signal lines connecting between two connection points among connection points located on intersections of a basic lattice are formed, At least one signal line of the one or more signal lines may be configured such that at least a portion of the signal lines detours at a shortest distance around a perimeter of each intersection of the basic lattice and a predetermined perimeter of a no-entry area. A ceramic multilayer wiring board, which is wired along a shortest straight path connecting between connection points located at two grid points that are not in the same row of the basic grid.
【請求項3】表面に、前記基本格子の交点上に位置する
接続点の内の2つの接続点の間を接続する信号線を1組
以上含む薄膜配線層が形成された請求項1または2記載
のセラミックス多層配線基板であって、 前記薄膜配線層に含まれる1組以上の信号線の内の少な
くとも1組の信号線は、当該信号線の少なくとも一部分
が、前記基本格子の同列にない2つの格子点に位置する
接続点の間を結ぶ最短直線経路に沿って配線されている
ことを特徴とするセラミックス多層配線基板。
3. A thin film wiring layer including at least one set of signal lines connecting between two connection points among the connection points located on the intersection of the basic lattice is formed on the surface. 3. The ceramic multilayer wiring board according to claim 1, wherein at least one set of signal lines among one or more sets of signal lines included in the thin film wiring layer has at least a part of the signal lines not in the same row of the basic lattice. A ceramic multilayer wiring board, which is wired along a shortest straight path connecting between connection points located at two lattice points.
【請求項4】表面に、前記基本格子の交点上に位置する
接続点の内の2つの接続点の間を接続する信号線を1組
以上含む薄膜配線層が形成された請求項1または2記載
のセラミックス多層配線基板であって、 前記薄膜配線層に含まれる1組以上の信号線の内の1組
の信号線は、少なくとも当該信号線の一部分が、前記基
本格子の各交点の周囲に予め定めた禁止領域の外周を最
短距離で迂回しながら前記基本格子の同列にない2つ格
子点に位置する接続点の間を結ぶ最短直線経路に沿って
配線されていることを特徴とするセラミックス多層配線
基板。
4. A thin-film wiring layer including at least one set of signal lines connecting between two connection points among the connection points located on the intersection of the basic lattice is formed on the surface. 4. The ceramic multilayer wiring board according to claim 1, wherein at least one part of the signal lines of the one or more signal lines included in the thin film wiring layer is formed around each intersection of the basic lattice. Ceramics characterized in that the ceramics are wired along a shortest straight path connecting between connection points located at two grid points that are not in the same row of the basic grid while bypassing the outer circumference of a predetermined prohibited area by a shortest distance. Multilayer wiring board.
【請求項5】請求項1、2、3または4記載のセラミッ
クス多層配線板上に複数のデバイスを搭載した電子回路
装置。
5. An electronic circuit device comprising a plurality of devices mounted on the ceramic multilayer wiring board according to claim 1, 2, 3 or 4.
【請求項6】請求項5の電子回路装置を搭載した電子機
器。
6. Electronic equipment on which the electronic circuit device according to claim 5 is mounted.
JP9002394A 1997-01-09 1997-01-09 Ceramic multilayer wiring board Pending JPH10200014A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9002394A JPH10200014A (en) 1997-01-09 1997-01-09 Ceramic multilayer wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9002394A JPH10200014A (en) 1997-01-09 1997-01-09 Ceramic multilayer wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10200014A true JPH10200014A (en) 1998-07-31

Family

ID=11528032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9002394A Pending JPH10200014A (en) 1997-01-09 1997-01-09 Ceramic multilayer wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10200014A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312767A (en) * 1998-04-06 1999-11-09 Motorola Inc Mutual connecting method and device of integrated circuit
JP2007250679A (en) * 2006-03-14 2007-09-27 Mitsubishi Electric Corp Ceramic wiring board and manufacturing method thereof
US8154364B2 (en) 2006-09-01 2012-04-10 Nec Corporation High-frequency transmission line having ground surface patterns with a plurality of notches therein
WO2014024744A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 株式会社村田製作所 High frequency signal transmission line and electronic apparatus

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312767A (en) * 1998-04-06 1999-11-09 Motorola Inc Mutual connecting method and device of integrated circuit
JP2007250679A (en) * 2006-03-14 2007-09-27 Mitsubishi Electric Corp Ceramic wiring board and manufacturing method thereof
US8154364B2 (en) 2006-09-01 2012-04-10 Nec Corporation High-frequency transmission line having ground surface patterns with a plurality of notches therein
WO2014024744A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 株式会社村田製作所 High frequency signal transmission line and electronic apparatus
CN104221482A (en) * 2012-08-09 2014-12-17 株式会社村田制作所 High frequency signal transmission line and electronic apparatus
GB2516568A (en) * 2012-08-09 2015-01-28 Murata Manufacturing Co High frequency signal transmission line and electronic apparatus
JP5686226B2 (en) * 2012-08-09 2015-03-18 株式会社村田製作所 High frequency signal transmission line and electronic equipment
US9490513B2 (en) 2012-08-09 2016-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency signal transmission line and electronic device
GB2516568B (en) * 2012-08-09 2018-04-18 Murata Manufacturing Co High frequency signal transmission line and electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0127264B1 (en) Manufacture of semiconductor device
DE69715056T2 (en) Method and device for producing fine patterns on printed circuit boards
JP3026465B2 (en) Ceramic thin film hybrid wiring board and manufacturing method
JP2510747B2 (en) Mounting board
JPH0897557A (en) Multilayered thin film wiring board
JPH10200014A (en) Ceramic multilayer wiring board
DE10110151B4 (en) A wiring substrate, a method of manufacturing the same, and an electronic device using the same
JP3408590B2 (en) Wiring structure of multilayer printed circuit board
JP2833521B2 (en) Wiring board
JP4407781B2 (en) Manufacturing method of ceramic circuit board
EP1189495A1 (en) Method of manufacturing multilayer ceramic substrate, and conductor paste
JP3237904B2 (en) Manufacturing method of ceramic multilayer substrate
JPH0363237B2 (en)
US20050062587A1 (en) Method and structure of a substrate with built-in via hole resistors
JPH06334346A (en) Pattern forming method of thick film - thin film hybrid multilayered wiring board
Albertsen et al. Combined manufacture methods for high density LTCC substrates: thick film screen printing, ink jet, postfiring thin film processes, and laser-drilled fine vias
DE10164880B4 (en) Wiring board e.g. for mobile communications device or computer, has insulating pattern formed on substrate, intersecting wiring pattern to define electrode
JPH0563373A (en) Structure of power hybrid ic
JPH0543710A (en) Green sheet and production of multilayer ceramic circuit board
KR100481197B1 (en) Method for manufacturing built-in ceramic inductor
US8772647B1 (en) Single-cap via-in-pad and methods for forming thereof
JPH06302961A (en) Hybrid multilayer interconnection board and its manufacture
JPS62144394A (en) Formation of via-hole
JPH02246299A (en) Multilayer ceramic circuit board and its manufacture
JPS58147097A (en) Method of producing multilayer circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040202

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees