JPH10199832A - Method for grinding wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
研削砥石でダイシングしたり或いは研磨したりする研削
工程において、研削により生ずる熱で、研削砥石および
ウェーハが酸化しないようにしたウェーハの研削方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a grinding method for a wafer in which a grinding wheel and a wafer are not oxidized by heat generated by grinding in a grinding step of dicing or polishing a semiconductor wafer with a grinding wheel. Things.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハをダイシングし
たり或いは研磨したりする研削工程においては、クリー
ンルームと称される領域内で行っているが、その領域内
と言えども大気の雰囲気であって、結局、この種の研削
加工は大気の雰囲気中で遂行されていることになる。2. Description of the Related Art In general, a grinding process for dicing or polishing a semiconductor wafer is performed in an area called a clean room. That is, this kind of grinding is performed in the atmosphere of the atmosphere.
【０００３】前記のような切削または研磨砥石による研
削加工においては、加工部分において加工熱が発生す
る。この加工熱は、摩擦熱によって相乗的に発生する酸
化によって生じる発熱であるといわれている。そこで、
半導体ウェーハの研削加工の場合には、発熱を避けるた
めに研削部位に研削液を供給しながら切削または研磨を
行っている。[0003] In the above-described cutting or grinding with a grinding wheel, processing heat is generated in a processed portion. This processing heat is said to be heat generated by oxidation which is generated synergistically by frictional heat. Therefore,
In the case of grinding a semiconductor wafer, cutting or polishing is performed while supplying a grinding liquid to a grinding portion in order to avoid heat generation.
【０００４】しかしながら、この供給された研削液は、
研削部位に供給されるものであるが、実質的に研削部位
の周囲に在るだけで研削点迄は入り込めないと認識され
ている。[0004] However, the supplied grinding fluid is
It is supplied to the grinding portion, but it is recognized that it is substantially located only around the grinding portion and cannot enter the grinding point.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】そして、この研削液は
発生した熱を除冷する効果はあるが、酸化を防止する効
果はないので、研削砥石及びウェーハに酸化反応が生
じ、その酸化反応によって研削砥石の摩耗が進むと共
に、ウェーハを構成する半導体物質の結晶転移（分子配
列が変化すること）が生じ、著しい時には、その特性が
変わってしまうと言う問題点を有している。The grinding fluid has the effect of removing the generated heat, but has no effect of preventing oxidation. Therefore, an oxidation reaction occurs on the grinding wheel and the wafer, and the oxidation reaction causes As the wear of the grinding wheel progresses, crystal transition (change in molecular arrangement) of the semiconductor material constituting the wafer occurs, and there is a problem that the characteristics change when the condition is significant.
【０００６】酸化作用による研削砥石の摩耗は、研削砥
石を構成するダイヤモンドの構成元素は炭素（Ｃ12）で
あり、この炭素が酸化により二酸化炭素 （ＣＯ2）等に
なってガス化して消費されるものと推測される。The wear of the grinding wheel due to the oxidizing action is such that the constituent element of the diamond constituting the grinding wheel is carbon (C 12 ), and this carbon is gasified and consumed as carbon dioxide (CO 2 ) by oxidation. It is supposed to be.
【０００７】従って、研削砥石を用いたウェーハの研削
加工においては、酸化防止に解決しなければならない課
題を有している。[0007] Therefore, in the grinding of a wafer using a grinding wheel, there is a problem that must be solved to prevent oxidation.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的手段として本発明は、半導体ウェーハをチャ
ックテーブルに保持する工程と、該チャックテーブルに
保持されたウェーハに研削液体を供給しながら研削砥石
で研削を遂行する研削工程と、からなるウェーハの研削
方法であって、該研削工程において、少なくとも研削砥
石とウェーハとの接触部が不活性ガスの雰囲気中にあっ
て、研削砥石またはウェーハの酸化を防止しながら研削
を遂行することを特徴とするウェーハの研削方法を提供
するものである。SUMMARY OF THE INVENTION As a specific means for solving the problems of the prior art, the present invention comprises a step of holding a semiconductor wafer on a chuck table and a step of supplying a grinding liquid to the wafer held on the chuck table. A grinding step of performing grinding with a grinding wheel while performing, a grinding method of a wafer, comprising in the grinding step, at least the contact portion between the grinding wheel and the wafer is in an atmosphere of an inert gas, grinding wheel or An object of the present invention is to provide a method of grinding a wafer, wherein the grinding is performed while preventing oxidation of the wafer.
【０００９】また、不活性ガスの雰囲気は、研削砥石と
ウェーハとの接触部に不活性ガスを供給することにより
形成されること；研削砥石はダイシング用のブレードで
あり、研削工程はウェーハのダイシングであること；及
び研削砥石は研磨用の砥石であり、研削工程はウェーハ
の面の研磨であることを付加的に含むものである。The atmosphere of the inert gas is formed by supplying an inert gas to a contact portion between the grinding wheel and the wafer; the grinding wheel is a dicing blade, and the grinding process is performed by dicing the wafer. And the grinding wheel is a polishing wheel, and the grinding step additionally includes polishing a surface of a wafer.
【００１０】本発明に係るウェーハの研削方法において
は、研削砥石とウェーハとの接触部が不活性ガスの雰囲
気中にあることで、摩擦による熱は生じても酸化による
熱は生じなくなり、しかもウェーハと研削砥石とに酸化
作用が生じないことから、ウェーハの特性に変化が無
く、且つ研削砥石の摩耗も抑制できるようになる。In the method of grinding a wafer according to the present invention, since the contact portion between the grinding wheel and the wafer is in an atmosphere of an inert gas, even though heat due to friction is generated, heat due to oxidation is not generated. Since the oxidizing action does not occur between the grinding wheel and the grinding wheel, there is no change in the characteristics of the wafer, and the wear of the grinding wheel can be suppressed.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】次に本発明を図示の実施例により
更に詳しく説明する。先ず、図１〜３に示した第１実施
例は研削加工として半導体ウェーハをダイシングする装
置を示すものであり、その半導体ウェーハ１は、粘着テ
ープ等の加工用シート２によってフレーム３と一体に貼
着されており、フレーム３に支持された状態で研削加工
等に供される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in more detail with reference to the illustrated embodiments. First, the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 shows an apparatus for dicing a semiconductor wafer as a grinding process, and the semiconductor wafer 1 is integrally attached to a frame 3 by a processing sheet 2 such as an adhesive tape. It is provided for grinding and the like while being supported by the frame 3.
【００１２】ダイシング装置１０は、少なくとも半導体
ウェーハ１をフレーム３と一緒に吸着保持しダイシング
するためのチャックテーブル１１と、ダイシング用のブ
レード１２が装備されたスピンドルユニット１３とを備
えている。The dicing apparatus 10 includes at least a chuck table 11 for holding the semiconductor wafer 1 together with the frame 3 by suction and dicing, and a spindle unit 13 equipped with a dicing blade 12.
【００１３】更に、ダイシング装置１０には、半導体ウ
ェーハ１を多数搭載したカセット４から、順序良く一枚
づつ取り出すと共に元の位置に収納する搬出手段１４
と、その搬出手段１４によって載置領域１５まで搬出さ
れた半導体ウェーハ１をチャックテーブル１１まで搬送
する旋回アーム１６と、ダイシング済みの半導体ウェー
ハ１をチャックテーブル１１から洗浄領域１７まで搬送
して洗浄に供する搬送アーム１８とを装備している。な
お、ダイシング装置１０における装置本体から延設した
延設部１０ａに撮影装置１９が設けられ、チャックテー
ブル１１上に載置した半導体ウェーハ１を撮像し、パタ
ーンマッチングなどの画像処理によって切削すべき領域
のアライメントが完了した後、半導体ウェーハ１をブレ
ード１２でダイシングするものである。Further, the dicing apparatus 10 takes out one sheet at a time from the cassette 4 on which a large number of semiconductor wafers 1 are mounted, and unloads the sheet at its original position.
A rotating arm 16 for transporting the semiconductor wafer 1 unloaded to the mounting area 15 by the unloading means 14 to the chuck table 11, and a dicing semiconductor wafer 1 from the chuck table 11 to the cleaning area 17 for cleaning. And a transfer arm 18 to be provided. A photographing device 19 is provided on an extension portion 10a of the dicing device 10 that extends from the device main body. The photographing device 19 captures an image of the semiconductor wafer 1 placed on the chuck table 11, and the region to be cut by image processing such as pattern matching. After the above alignment is completed, the semiconductor wafer 1 is diced with the blade 12.
【００１４】このダイシング加工において、図２に示し
たように、ノズル等からなる研削液供給手段２０を介し
て研削領域に所定の研削液（純水）を供給しながら、ブ
レード１２によって半導体ウェーハ１の研削または切削
が遂行される。研削液供給手段２０は、ヘッド部１３ａ
を介してブレード１２の両側に配設されており、切削液
供給パイプ２１を通して供給され、研削領域の両側から
研削液が所定の圧力で噴射されるようになっている。In this dicing process, as shown in FIG. 2, while supplying a predetermined grinding fluid (pure water) to the grinding area via a grinding fluid supply means 20 composed of a nozzle or the like, the semiconductor wafer 1 is cut by the blade 12. Grinding or cutting is performed. The grinding fluid supply means 20 includes a head 13a
Are provided on both sides of the blade 12 via a cutting fluid supply pipe 21 so that the grinding fluid is jetted at a predetermined pressure from both sides of the grinding area.
【００１５】更に、ヘッド部１３ａには研削領域に臨ま
せて不活性ガス供給手段２２が設けられ、研削領域に対
して所定の不活性ガスが所要量供給される。この場合
に、図３に示したように、研削部位に対して効率良く不
活性ガスを供給するためには、ブレード１２が半導体ウ
ェーハ１と接触する部位（加工点）に直接供給されるよ
うに、研削進行方向の前方側から吹き付けるようにして
供給した方が良い。Further, an inert gas supply means 22 is provided in the head portion 13a so as to face the grinding area, and a predetermined amount of inert gas is supplied to the grinding area. In this case, as shown in FIG. 3, in order to efficiently supply the inert gas to the grinding portion, the blade 12 is supplied directly to the portion (working point) in contact with the semiconductor wafer 1. It is better to supply by spraying from the front side in the grinding progress direction.
【００１６】使用される不活性ガスとしては、例えば、
入手し易い窒素ガスまたはアルゴンガス等であるが、そ
の他の不活性ガスでも使用可能である。そして、不活性
ガスは適宜のガスボンベ等から供給ホース２３を介して
供給され、図示していないが適宜のバルブ等によって流
量・圧力等が任意に調整できるようになっている。As the inert gas used, for example,
Nitrogen gas or argon gas or the like is easily available, but other inert gases can also be used. The inert gas is supplied from a suitable gas cylinder or the like via the supply hose 23, and although not shown, the flow rate, pressure, and the like can be arbitrarily adjusted by a suitable valve or the like.
【００１７】このようにダイシング加工において、研削
部位に研削液と不活性ガスとを同時に供給して研削、即
ち切削加工が行われることにより、研削液はもともと加
工点に直接入り込めないとされていることから、切削部
周辺における半導体ウェーハ１及びブレード１２の除熱
を行うと共に、コンタミの除去を行うものである。As described above, in the dicing process, the grinding fluid and the inert gas are simultaneously supplied to the grinding portion to perform the grinding, that is, the cutting process, so that the grinding fluid cannot originally enter the machining point. Therefore, the heat is removed from the semiconductor wafer 1 and the blade 12 in the vicinity of the cutting portion, and the contamination is removed.
【００１８】そして、同時に供給されている不活性ガス
は加工点に入り込んで（加工点が不活性ガス雰囲気で全
面的に覆われるようになること）摩擦熱で相乗的に生じ
ていた酸化反応を抑制し、酸化作用による発熱を防止す
ると共に、ブレードを構成するダイヤモンドの元素であ
る炭素が、酸化作用によりガス化して消費されないよう
にしてブレードの摩耗促進を防止するのである。The inert gas supplied at the same time enters the processing point (the processing point is completely covered with the inert gas atmosphere), and the oxidation reaction which has been synergistically generated by the frictional heat is performed. This suppresses heat generation due to the oxidizing action, and prevents carbon, which is an element of diamond constituting the blade, from being gasified and consumed by the oxidizing action, thereby preventing acceleration of the blade wear.
【００１９】また、図４〜６に示した第２実施例は研削
加工として半導体ウェーハを研磨またはグラインダーす
る装置を示すものであり、その場合に半導体ウェーハ１
は、その表面側に粘着テープ等の適宜の加工用保護シー
トを貼着して保護した状態で供給され、半導体ウェーハ
１の裏面側が研磨または研削加工される。The second embodiment shown in FIGS. 4 to 6 shows an apparatus for polishing or grinding a semiconductor wafer as a grinding process.
Is supplied in a protected state by sticking an appropriate processing protection sheet such as an adhesive tape to the front surface side, and the back surface side of the semiconductor wafer 1 is polished or ground.
【００２０】この研磨装置３０は、作業台３１上にチャ
ックテーブル３２が配設され、該チャックテーブル３２
は適宜の駆動部により回転できると共に、載置された被
加工物、即ち半導体ウェーハ１を適宜の吸着手段により
吸着支持する構成になっている。In the polishing apparatus 30, a chuck table 32 is provided on a work table 31, and the chuck table 32
Is configured to be rotatable by an appropriate driving unit and to adsorb and support the placed workpiece, that is, the semiconductor wafer 1 by an appropriate adsorbing means.
【００２１】チャックテーブル３２の上部には、研磨手
段３３が配設されている。この研磨手段３３は、筒状の
胴部３４と、該胴部の上部に取り付けられたモータ３５
と、該モータによって駆動され前記胴部から下方に突出
したスピンドル３６と、該スピンドルに取り付けられた
ホイールベース３７と、該ホイールベースに着脱自在に
取り付けられた研磨砥石３８とから構成されている。Above the chuck table 32, a polishing means 33 is provided. The polishing means 33 comprises a cylindrical body 34 and a motor 35 mounted on the upper part of the body.
And a spindle 36 driven by the motor and protruding downward from the body, a wheel base 37 attached to the spindle, and a grinding wheel 38 detachably attached to the wheel base.
【００２２】そして、胴部３４は、作業台３１から起立
して設けた壁体３９に対して、上下動可能に取り付けら
れている。即ち、壁体３９に縦方向に一対のレール４０
が設けられ、該レールに沿って上下動するスライド板４
１が配設されている。このスライド板４１に対し、胴部
３４に取り付けられている支持板４２がボルト等の適宜
の固定手段により固定され、スライド板４１の上下動に
よって研磨手段３３が上下動するように構成されてい
る。尚、スライド板４１の上下動は、壁体３９の裏面側
に設けられた駆動部４３によって遂行される。この研磨
装置３０は、一般に使用されているものがそのまま使用
できるのであり、実際にはコンピューター制御された研
磨装置３０が使用される。The body 34 is vertically movably attached to a wall 39 provided upright from the work table 31. That is, a pair of rails 40 are vertically
And a slide plate 4 that moves up and down along the rail.
1 is provided. A support plate 42 attached to the body 34 is fixed to the slide plate 41 by appropriate fixing means such as bolts, and the polishing means 33 is configured to move up and down by the vertical movement of the slide plate 41. . The vertical movement of the slide plate 41 is performed by a drive unit 43 provided on the back surface side of the wall body 39. As the polishing apparatus 30, a commonly used polishing apparatus can be used as it is. In practice, a computer controlled polishing apparatus 30 is used.
【００２３】このような構成のグラインダーまたは研磨
装置３０を用いて、前記半導体ウェーハ１の表面側、即
ち保護部材が貼着されている側をチャックテーブル３２
上に載置して吸着させ、半導体ウェーハ１の裏面側を研
磨砥石３８により研磨するものである。Using the grinder or polishing apparatus 30 having such a configuration, the front side of the semiconductor wafer 1, that is, the side to which the protective member is adhered, is attached to the chuck table 32.
The semiconductor wafer 1 is placed on and sucked, and the back surface of the semiconductor wafer 1 is polished by a polishing grindstone 38.
【００２４】この研磨に際し、研磨または研削部位に対
して研削液供給手段４４から研削液が供給されると共
に、ガス供給手段４５から不活性ガスが供給される。こ
の場合に、研磨砥石３８と半導体ウェーハ１とは所定の
範囲の面で接触していることから、その所定範囲の接触
面に不活性ガスを万遍なく供給することは比較的困難で
ある。At the time of this polishing, a grinding fluid is supplied from a grinding fluid supply means 44 to a portion to be polished or ground, and an inert gas is supplied from a gas supply means 45. In this case, since the polishing grindstone 38 and the semiconductor wafer 1 are in contact with each other in a predetermined range of surfaces, it is relatively difficult to uniformly supply an inert gas to the predetermined range of contact surfaces.
【００２５】従って、研削部位または研削領域の所定の
範囲が全面的に不活性ガス雰囲気になるように、所定の
範囲を閉空間に形成する。この閉空間は、例えば所定の
仕切り部材または囲い部材４６等により形成され、その
閉空間内にガス供給手段４５から不活性ガスを供給して
充満させることにより、必然的に研磨砥石３８と半導体
ウェーハ１との接触面に不活性ガスが供給できるのであ
る。この場合の仕切り部材または囲い壁４６は、例えば
透明なプラスチック製の箱体等で良い。Therefore, a predetermined range is formed in a closed space so that a predetermined range of a grinding portion or a grinding region is entirely in an inert gas atmosphere. The closed space is formed by, for example, a predetermined partitioning member or an enclosing member 46 and the like. By supplying an inert gas from a gas supply means 45 to fill the closed space, the polishing wheel 38 and the semiconductor wafer are inevitably formed. The inert gas can be supplied to the contact surface with the first gas. In this case, the partition member or the surrounding wall 46 may be, for example, a transparent plastic box.
【００２６】また、ガス供給手段４５としては、図５及
び６に示したように、研磨砥石３８と半導体ウェーハ１
との接触面（加工部位）に直接不活性ガスを吹き付けて
供給するようにしても良い。この場合のガス供給手段４
５は、研磨または研削される接触面の形状に合わせたノ
ズル４５ａ、４５ｂを使用して、接触部位の内側と外側
との近接した位置から不活性ガスを同時に吹き付けて、
接触部位の全般に渡って万遍なく供給し、加工部位に不
活性ガスを強制的に入り込ませると共にその周囲が不活
性ガスの雰囲気で包囲された状態で研削または研磨加工
が遂行される。この時の不活性ガスの供給圧力及び流量
等については、同時に供給されている研削液との関係
で、経験則に沿って計算された値にする必要がある。As shown in FIGS. 5 and 6, the gas supply means 45 includes a polishing grindstone 38 and a semiconductor wafer 1.
An inert gas may be directly blown onto the contact surface (working portion) with the gas to be supplied. Gas supply means 4 in this case
5, by using nozzles 45a and 45b adapted to the shape of the contact surface to be polished or ground, and simultaneously blowing an inert gas from a position close to the inside and outside of the contact portion,
Grinding or polishing is performed in a state where the gas is supplied evenly over the entire contact area, the inert gas is forcibly introduced into the processing area, and the surrounding area is surrounded by an inert gas atmosphere. At this time, the supply pressure and the flow rate of the inert gas need to be values calculated in accordance with empirical rules in relation to the simultaneously supplied grinding fluid.
【００２７】特に、研磨砥石３８は、所定の幅をもった
円形状（リング状）で且つ所定高さ立ち下がっており、
その内側に所定の空間が存在するため、内側のノズル４
５ａの配設位置が確保できるのであり、その内側のノズ
ル４５ａの先端は凸円弧状に形成されている。また、外
側のノズル４５ｂの先端は、凹円弧状に形成されてお
り、研磨砥石３８に対して前記内側のノズル４５ａと共
に近接した状態で配設されている。そして、これら両ノ
ズル４５ａ，４５ｂは、設定位置に対して進退自在に配
設されている。尚、図示していないが、研削液の供給も
他の適宜の研削液供給手段により、同時に供給されるこ
とは言うまでもない。In particular, the grinding wheel 38 has a circular shape (ring shape) having a predetermined width and a predetermined height,
Since there is a predetermined space inside, the inner nozzle 4
The arrangement position of 5a can be ensured, and the tip of the nozzle 45a inside it is formed in a convex arc shape. Further, the tip of the outer nozzle 45b is formed in a concave arc shape, and is disposed in a state of being close to the polishing grindstone 38 together with the inner nozzle 45a. These two nozzles 45a and 45b are disposed so as to be able to advance and retreat with respect to a set position. Although not shown, it is needless to say that the supply of the grinding fluid is simultaneously supplied by other appropriate grinding fluid supply means.
【００２８】前記したように不活性ガス雰囲気中で、ま
たはガス供給手段４５により、研削される半導体ウェー
ハ１と研磨砥石３８との接触面に不活性ガスを直接吹き
付けて研削または研磨を遂行することにより、不活性ガ
スは研削または研磨部分に入り込んで摩擦熱で相乗的に
生じていた酸化反応を抑制し、酸化作用による発熱を防
止すると共に、発熱が防止されることによって高温化が
抑制され、熱による半導体物質の結晶転移（分子配列の
変化）を防止し、更に研磨砥石３８の酸化作用による摩
耗促進を防止するのである。尚、使用される不活性ガス
としては、例えば、入手し易い窒素ガスまたはアルゴン
ガス等であるが、その他の不活性ガスでも使用可能であ
る。As described above, grinding or polishing is performed by directly blowing an inert gas onto the contact surface between the semiconductor wafer 1 to be ground and the polishing grindstone 38 in an inert gas atmosphere or by the gas supply means 45. Thereby, the inert gas enters the grinding or polishing portion and suppresses the oxidation reaction that has been synergistically generated by the frictional heat, thereby preventing the heat generation due to the oxidizing action, and preventing the heat generation to suppress the increase in the temperature, This prevents crystal transition (change in molecular arrangement) of the semiconductor material due to heat, and further prevents abrasion promotion due to the oxidizing action of the polishing wheel 38. The inert gas used is, for example, easily available nitrogen gas or argon gas, but other inert gases can also be used.
【００２９】いずれにしても、半導体ウェーハ等の被加
工物を不活性ガス雰囲気中または不活性ガスを加工部位
に供給しながら研削加工を行うことにより、摩擦熱によ
って相乗的に生ずる酸化作用を防止すると共に、酸化作
用によって生ずる発熱等を防止でき、それによって種々
の不都合が全面的に解消できるのである。即ち、ブレー
ドまたは研磨砥石等の研削工具の摩耗促進が防止され、
研削工具の構成材料であるダイヤモンドの目つぶれ現
象、それによって生じていた加工熱の異常上昇、加工品
質及び加工精度の低下、及び被加工物における残留応力
の悪影響（クラック発生、結晶転移等）が解消できるの
である。In any case, by performing a grinding process on a workpiece such as a semiconductor wafer in an inert gas atmosphere or while supplying an inert gas to a processing portion, it is possible to prevent an oxidizing action synergistically generated by frictional heat. At the same time, heat generated by the oxidizing action can be prevented, so that various inconveniences can be completely eliminated. That is, the promotion of wear of a grinding tool such as a blade or a grinding wheel is prevented,
The crushing phenomenon of diamond, which is a constituent material of grinding tools, the abnormal increase in processing heat, the reduction in processing quality and processing accuracy, and the adverse effects of residual stress in workpieces (cracks, crystal transformation, etc.) It can be eliminated.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウェ
ーハの研削方法は、半導体ウェーハをチャックテーブル
に保持する工程と、該チャックテーブルに保持されたウ
ェーハに研削液体を供給しながら研削砥石で研削を遂行
する研削工程と、からなるウェーハの研削方法であっ
て、該研削工程において、少なくとも研削砥石とウェー
ハとの接触部が不活性ガスの雰囲気中にあって、研削砥
石またはウェーハの酸化を防止しながら研削を遂行する
ようにしたことにより、研削工程における摩擦熱で相乗
的に生じていた酸化作用及び酸化作用による発熱が防止
され、それによって研削砥石（工具）の摩耗促進が防止
されると共に、研削砥石の摩耗による種々の不都合を解
消できると言う優れた効果を奏する。As described above, the method for grinding a wafer according to the present invention comprises the steps of holding a semiconductor wafer on a chuck table and supplying a grinding liquid to the wafer held by the chuck table with a grinding wheel. A grinding step of performing grinding, and a method of grinding a wafer, comprising: in the grinding step, at least a contact portion between the grinding wheel and the wafer is in an atmosphere of an inert gas to oxidize the grinding wheel or the wafer. By performing the grinding while preventing, the oxidizing action and the heat generated by the oxidizing action which are generated synergistically by the frictional heat in the grinding process are prevented, thereby preventing the wear of the grinding wheel (tool) from being promoted. At the same time, it has an excellent effect that various inconveniences caused by wear of the grinding wheel can be eliminated.
【００３１】また、不活性ガスの雰囲気は、研削砥石
（工具）と被加工物との接触部に不活性ガスを供給する
ことにより形成されるので、一般的に使用されているダ
イシング装置及び研磨装置に対して不活性ガス供給手段
を付加すれば、そのまま従来の装置が使用できるので、
本発明の方法を簡単に適用することができると言う優れ
た効果を奏する。Since the atmosphere of the inert gas is formed by supplying the inert gas to the contact portion between the grinding wheel (tool) and the workpiece, a generally used dicing apparatus and polishing apparatus are used. If an inert gas supply means is added to the device, the conventional device can be used as it is,
It has an excellent effect that the method of the present invention can be easily applied.
【図１】本発明に係る研削方法の第１実施例を示すダイ
シング加工を遂行する装置の略示的斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of an apparatus for performing a dicing process showing a first embodiment of a grinding method according to the present invention.
【図２】同実施例における主要構成部のみを示す斜視図
である。FIG. 2 is a perspective view showing only main components in the embodiment.
【図３】同実施例における研削状況を略示的に示した要
部の側面図である。FIG. 3 is a side view of a main part schematically showing a grinding situation in the embodiment.
【図４】本発明に係る研削方法の第２実施例を示す研磨
加工を遂行する装置の略示的斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view of an apparatus for performing a polishing process showing a second embodiment of the grinding method according to the present invention.
【図５】同実施例における不活性ガス供給手段の他の例
を示す要部のみの略示的側面図である。FIG. 5 is a schematic side view of only a main part showing another example of the inert gas supply means in the embodiment.
【図６】同実施例における不活性ガス供給手段の他の例
を平面から略示的に示した説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram schematically showing a plan view of another example of the inert gas supply means in the embodiment.
１……半導体ウェーハ、 ２……加工用シート、 ３…
…フレーム、１０……ダイシング装置、 １０ａ……延
設部、 １１……チャックテーブル １２……ブレード、 １３……スピンドルユニット、
１３ａ……ヘッド部、１４……搬出手段、 １５……載
置領域、 １６……旋回アーム、１７……洗浄領域、
１８……搬送アーム、 １９……撮影装置、２０……研
削液供給手段、 ２１……研削液供給パイプ、２２……
不活性ガス供給手段、 ２３……供給ホース、３０……
研磨装置、 ３１……作業台、 ３２……チャックテー
ブル、３３……研磨手段、 ３４……胴部、 ３５……
モータ、３６……スピンドル、 ３７……ホイールベー
ス、 ３８……研磨砥石、３９……壁体、 ４０……レ
ール、 ４１……スライド板、 ４２……支持板 ４３……駆動部、４４……研削液供給手段、 ４５……
ガス供給手段、４５ａ，４５ｂ……ノズル、 ４６……
仕切り部材または囲い部材。1 ... semiconductor wafer, 2 ... processing sheet, 3 ...
... frame, 10 ... dicing device, 10a ... extended portion, 11 ... chuck table 12 ... blade, 13 ... spindle unit,
13a: head section, 14: unloading means, 15: mounting area, 16: rotating arm, 17: cleaning area,
18: transfer arm, 19: photographing device, 20: grinding fluid supply means, 21: grinding fluid supply pipe, 22 ...
Inert gas supply means, 23 ... supply hose, 30 ...
Polishing device, 31 Work table, 32 Chuck table, 33 Polishing means, 34 Body, 35
Motor 36 Spindle 37 Wheelbase 38 Grinding wheel 39 Wall 40 Rail 41 Slide plate 42 Support plate 43 Drive unit 44 Grinding fluid supply means, 45 ...
Gas supply means, 45a, 45b ... nozzle, 46 ...
Partition or enclosure member.
Claims (4)
持する工程と、該チャックテーブルに保持されたウェー
ハに研削液体を供給しながら研削砥石で研削を遂行する
研削工程と、からなるウェーハの研削方法であって、 該研削工程において、少なくとも研削砥石とウェーハと
の接触部が不活性ガスの雰囲気中にあって、研削砥石ま
たはウェーハの酸化を防止しながら切削を遂行すること
を特徴とするウェーハの切削方法。1. A wafer grinding method comprising: a step of holding a semiconductor wafer on a chuck table; and a grinding step of performing grinding with a grinding wheel while supplying a grinding liquid to the wafer held on the chuck table. In the grinding step, at least a contact portion between the grinding wheel and the wafer is in an atmosphere of an inert gas, and the cutting is performed while preventing oxidation of the grinding wheel or the wafer. .
ことにより形成されること、 を特徴とする請求項１に記載のウェーハの研削方法。2. The wafer grinding method according to claim 1, wherein the inert gas atmosphere is formed by supplying an inert gas to a contact portion between the grinding wheel and the wafer.
り、研削工程はウェーハのダイシングであることを特徴
とする請求項１または２に記載のウェーハの研削方法。3. The wafer grinding method according to claim 1, wherein the grinding wheel is a dicing blade, and the grinding step is dicing of the wafer.
程はウェーハの面の研磨であることを特徴とする請求項
１または２に記載のウェーハの研削方法。4. The wafer grinding method according to claim 1, wherein the grinding wheel is a grinding wheel, and the grinding step is polishing of a wafer surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP362297A JPH10199832A (en) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Method for grinding wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP362297A JPH10199832A (en) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Method for grinding wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199832A true JPH10199832A (en) | 1998-07-31 |
Family
ID=11562606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP362297A Withdrawn JPH10199832A (en) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Method for grinding wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199832A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030089508A (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | Method and apparatus for chemical mechanical polishing |
| JP2012016770A (en) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Disco Corp | Method and device for grinding |
-
1997
- 1997-01-13 JP JP362297A patent/JPH10199832A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030089508A (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | Method and apparatus for chemical mechanical polishing |
| US7785175B2 (en) | 2002-05-17 | 2010-08-31 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method and apparatus for chemical mechanical polishing |
| JP2012016770A (en) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Disco Corp | Method and device for grinding |
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