JPH10197306A - 流量センサ - Google Patents
流量センサInfo
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- JPH10197306A JPH10197306A JP9000499A JP49997A JPH10197306A JP H10197306 A JPH10197306 A JP H10197306A JP 9000499 A JP9000499 A JP 9000499A JP 49997 A JP49997 A JP 49997A JP H10197306 A JPH10197306 A JP H10197306A
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- fluid
- resistors
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 流体の流量を感度よく測定する。
【解決手段】 基板１に形成したブリッジ１１上に絶縁
膜３を介して第一、第二の抵抗体４，５を形成する。流
体の流れの上流側に配列される第一の抵抗体４は下流側
に配列される第二の抵抗体５よりも放熱特性を高くす
る。また、抵抗体４，５は流体の流れに曝され易いよう
に流れに対して略垂直に延出させて配置する。従って、
上流側の第一の抵抗体４の流体への放熱が促進され、下
流側の第二の抵抗体５の熱の奪われ方が少なくなる。こ
のため、第一、第二の抵抗体４，５の温度が一定になる
条件では第一、第二の抵抗体４，５に与える電力の差を
大きくすることができ、その大きな電力差は流体の温度
が変化しても変わりないため、流体の流量を感度よく測
定することが可能となる。
膜３を介して第一、第二の抵抗体４，５を形成する。流
体の流れの上流側に配列される第一の抵抗体４は下流側
に配列される第二の抵抗体５よりも放熱特性を高くす
る。また、抵抗体４，５は流体の流れに曝され易いよう
に流れに対して略垂直に延出させて配置する。従って、
上流側の第一の抵抗体４の流体への放熱が促進され、下
流側の第二の抵抗体５の熱の奪われ方が少なくなる。こ
のため、第一、第二の抵抗体４，５の温度が一定になる
条件では第一、第二の抵抗体４，５に与える電力の差を
大きくすることができ、その大きな電力差は流体の温度
が変化しても変わりないため、流体の流量を感度よく測
定することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流体の流量を測定
するもので、例えば、ガスメータ、空調用の流量計等に
利用される流量センサに関する。
するもので、例えば、ガスメータ、空調用の流量計等に
利用される流量センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の流量センサとしてはマイクロブ
リッジフローセンサと称せられる流量センサが知られて
いる。これは、基板の表面に所定長さの凹部とこの凹部
の中間部を横切るブリッジとを形成し、このブリッジの
表面に絶縁膜を介して対をなす抵抗体を形成し、これら
の抵抗体の表面を絶縁性の保護膜により被覆した構造を
基本としている。このような流量センサは、一対の抵抗
体が流量測定の対象となる流体の流れる方向に沿って並
ぶように設置され、一対の抵抗体のそれぞれに電力を供
給して流体との温度差が一定になるように抵抗体を加熱
し、流体の流速が変化した際の電力を流量値の信号とし
て読み取るものである。このような流量センサは流体の
温度が変化すると、流量０のときの出力が変化してしま
う欠点をもっている。
リッジフローセンサと称せられる流量センサが知られて
いる。これは、基板の表面に所定長さの凹部とこの凹部
の中間部を横切るブリッジとを形成し、このブリッジの
表面に絶縁膜を介して対をなす抵抗体を形成し、これら
の抵抗体の表面を絶縁性の保護膜により被覆した構造を
基本としている。このような流量センサは、一対の抵抗
体が流量測定の対象となる流体の流れる方向に沿って並
ぶように設置され、一対の抵抗体のそれぞれに電力を供
給して流体との温度差が一定になるように抵抗体を加熱
し、流体の流速が変化した際の電力を流量値の信号とし
て読み取るものである。このような流量センサは流体の
温度が変化すると、流量０のときの出力が変化してしま
う欠点をもっている。
【０００３】そこで、上記欠点をなくすための方法が幾
つか提案されている。例えば、特開昭６０−１４２２６
８号公報に記載されているように、流体の流れ方向の上
流側と下流側とに発熱体である対の抵抗体を配置し、こ
れらの抵抗体の温度差を出力する方法が提案されてい
る。また、特開平２−２５９５２７号公報に記載されて
いるように、基板に形成されたブリッジ上に２本の発熱
体を流体の流れる方向に対して垂直に配置し、２本の発
熱体の出力差を出力して流体の流量を測定する方法が示
されている。さらに、特開平７−１９０８２２号公報に
記載されているように、基板に形成されたブリッジ上
に、流量０のときの静特性が等しい２本の発熱体を配置
し、これらの発熱体のそれぞれを流体の流れに対する熱
の奪われ方が異なるように配置し、２本の発熱体の出力
差により流体の流量を測定する方法が提案されている。
つか提案されている。例えば、特開昭６０−１４２２６
８号公報に記載されているように、流体の流れ方向の上
流側と下流側とに発熱体である対の抵抗体を配置し、こ
れらの抵抗体の温度差を出力する方法が提案されてい
る。また、特開平２−２５９５２７号公報に記載されて
いるように、基板に形成されたブリッジ上に２本の発熱
体を流体の流れる方向に対して垂直に配置し、２本の発
熱体の出力差を出力して流体の流量を測定する方法が示
されている。さらに、特開平７−１９０８２２号公報に
記載されているように、基板に形成されたブリッジ上
に、流量０のときの静特性が等しい２本の発熱体を配置
し、これらの発熱体のそれぞれを流体の流れに対する熱
の奪われ方が異なるように配置し、２本の発熱体の出力
差により流体の流量を測定する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載された方法では、何れも２つの抵抗体の出力の
差をとるために、抵抗体単体の出力変化をとる場合より
出力が極めて小さくなってしまい、測定感度が悪くな
る。出力を上げるためには発熱体の温度を高める方法も
あるが、そうすることで消費電力が上昇し、さらには熱
による抵抗体の劣化が起き易くなり好ましくない。
報に記載された方法では、何れも２つの抵抗体の出力の
差をとるために、抵抗体単体の出力変化をとる場合より
出力が極めて小さくなってしまい、測定感度が悪くな
る。出力を上げるためには発熱体の温度を高める方法も
あるが、そうすることで消費電力が上昇し、さらには熱
による抵抗体の劣化が起き易くなり好ましくない。
【０００５】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
で、感度を高め、且つ抵抗体の温度を低めに抑えること
が可能な流量センサを提供することを目的とする。
で、感度を高め、且つ抵抗体の温度を低めに抑えること
が可能な流量センサを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の流量セン
サは、半導体の表面に所定長さの凹部とこの凹部の中間
部を横切るブリッジとが形成され、前記ブリッジの表面
を含む前記基板の表面に絶縁膜が形成され、前記凹部に
より前記絶縁体基板から熱的に絶縁された前記ブリッジ
上の前記絶縁膜の表面に、流量測定の対象となる流体の
流れる方向と略垂直な方向に延出された第一の抵抗体
と、この第一の抵抗体の下流側に所定の間隔をおいて平
行に配置されるとともに流体に対する放熱特性が前記第
一の抵抗体よりも低い第二の抵抗体とが形成され、前記
第一、第二の抵抗体の表面が絶縁性の保護膜により被覆
されている。
サは、半導体の表面に所定長さの凹部とこの凹部の中間
部を横切るブリッジとが形成され、前記ブリッジの表面
を含む前記基板の表面に絶縁膜が形成され、前記凹部に
より前記絶縁体基板から熱的に絶縁された前記ブリッジ
上の前記絶縁膜の表面に、流量測定の対象となる流体の
流れる方向と略垂直な方向に延出された第一の抵抗体
と、この第一の抵抗体の下流側に所定の間隔をおいて平
行に配置されるとともに流体に対する放熱特性が前記第
一の抵抗体よりも低い第二の抵抗体とが形成され、前記
第一、第二の抵抗体の表面が絶縁性の保護膜により被覆
されている。
【０００７】従って、第一、第二の抵抗体は流体の流れ
る方向と略直交する状態で平行に配置されているため流
体に曝され易くなる。そして、流体の流れの上流側に配
置された第一の抵抗体は放熱特性が高いため流体への放
熱が促進され、下流側に配置された第二の抵抗体は放熱
特性が低く且つ比較的高温の流体に曝されるため熱の奪
われ方が少なくなる。これにより、第一、第二の抵抗体
の温度が一定になる条件では第一、第二の抵抗体に与え
る電力の差が大きくなる。この大きな電力差は流体の温
度が変化しても変わらないため流体の流量が感度よく測
定される。
る方向と略直交する状態で平行に配置されているため流
体に曝され易くなる。そして、流体の流れの上流側に配
置された第一の抵抗体は放熱特性が高いため流体への放
熱が促進され、下流側に配置された第二の抵抗体は放熱
特性が低く且つ比較的高温の流体に曝されるため熱の奪
われ方が少なくなる。これにより、第一、第二の抵抗体
の温度が一定になる条件では第一、第二の抵抗体に与え
る電力の差が大きくなる。この大きな電力差は流体の温
度が変化しても変わらないため流体の流量が感度よく測
定される。
【０００８】請求項２記載の流量センサは、請求項１記
載の流量センサであって、保護膜と絶縁膜との少なくと
も何れか一方に、金属膜が第一の抵抗体と対向する位置
に近接配置されて形成されている。従って、上流側の第
一の抵抗体の近傍の熱は金属膜の存在により高くなる。
また、この金属膜が設けられたブリッジと流体との界面
では温度差に比例して熱流束が大きくなるので、第一の
抵抗体の放熱作用がさらに促進される。
載の流量センサであって、保護膜と絶縁膜との少なくと
も何れか一方に、金属膜が第一の抵抗体と対向する位置
に近接配置されて形成されている。従って、上流側の第
一の抵抗体の近傍の熱は金属膜の存在により高くなる。
また、この金属膜が設けられたブリッジと流体との界面
では温度差に比例して熱流束が大きくなるので、第一の
抵抗体の放熱作用がさらに促進される。
【０００９】請求項３記載の流量センサは、請求項２記
載の流量センサであって、第一、第二の抵抗体及び金属
膜はＰｔにより形成されている。従って、Ｐｔは抵抗温
度係数が大きく、また、温度特性が直線性に優れている
ため、高性能の抵抗体が得られる。また、抵抗体と金属
膜とは同一の成膜装置で形成することが可能となる。
載の流量センサであって、第一、第二の抵抗体及び金属
膜はＰｔにより形成されている。従って、Ｐｔは抵抗温
度係数が大きく、また、温度特性が直線性に優れている
ため、高性能の抵抗体が得られる。また、抵抗体と金属
膜とは同一の成膜装置で形成することが可能となる。
【００１０】請求項４記載の流量センサは、請求項３記
載の流量センサであって、絶縁膜及び保護膜はＴａ２０
５により形成されている。従って、絶縁膜及び保護膜に
対する抵抗体や金属膜の密着性が向上する。
載の流量センサであって、絶縁膜及び保護膜はＴａ２０
５により形成されている。従って、絶縁膜及び保護膜に
対する抵抗体や金属膜の密着性が向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態における構
成を、図面を参照して製造工程順に説明する。図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−
Ａ線部の縦断側面図である。図２ないし図５のそれぞれ
は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線部において製造過程を示
す縦断側面図である。
成を、図面を参照して製造工程順に説明する。図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−
Ａ線部の縦断側面図である。図２ないし図５のそれぞれ
は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線部において製造過程を示
す縦断側面図である。
【００１２】１はＳｉ（１００）により形成された基板
である。図１（ａ）におけるＡ−Ａ方向は＜１００＞方
向である。まず、基板１の表面全面にＰｔの金属膜をス
パッタリングにより成膜し、その上にＴａ２０５をスパ
ッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィとドライ
エッチングによりＴａ２０５をＰｔ金属膜のエッチング
マスクとなるように加工し、その後スパッタエッチャー
によりＰｔ金属膜をエッチングする。このようにして図
２に示すように、基板１の所望の位置にＰｔの金属膜２
を形成する。
である。図１（ａ）におけるＡ−Ａ方向は＜１００＞方
向である。まず、基板１の表面全面にＰｔの金属膜をス
パッタリングにより成膜し、その上にＴａ２０５をスパ
ッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィとドライ
エッチングによりＴａ２０５をＰｔ金属膜のエッチング
マスクとなるように加工し、その後スパッタエッチャー
によりＰｔ金属膜をエッチングする。このようにして図
２に示すように、基板１の所望の位置にＰｔの金属膜２
を形成する。
【００１３】次に、図３に示すように、金属膜２を含む
基板１の表面にＴａ２０５の絶縁膜３を形成し、その表
面に金属膜２の真上に位置する第一の抵抗体４と第二の
抵抗体５とを所定の間隔を開けて形成する。これらの抵
抗体４，５はＰｔの薄膜であるが、流量測定の対象とな
る流体に対する放熱特性は第二の抵抗体５より第一の抵
抗体４の方が高く定められている。さらに、図４に示す
ように、抵抗体４，５を含めて基板１の表面にＴａ２０
５の保護膜６を形成し、この保護膜６の上にＰｔの金属
膜７を第一の抵抗体４の真上に配置して形成する。
基板１の表面にＴａ２０５の絶縁膜３を形成し、その表
面に金属膜２の真上に位置する第一の抵抗体４と第二の
抵抗体５とを所定の間隔を開けて形成する。これらの抵
抗体４，５はＰｔの薄膜であるが、流量測定の対象とな
る流体に対する放熱特性は第二の抵抗体５より第一の抵
抗体４の方が高く定められている。さらに、図４に示す
ように、抵抗体４，５を含めて基板１の表面にＴａ２０
５の保護膜６を形成し、この保護膜６の上にＰｔの金属
膜７を第一の抵抗体４の真上に配置して形成する。
【００１４】次に、フォトリソグラフィとドライエッチ
ングによりエッチング用ホール８（図５参照）とボンデ
ィングパッド９（図１（ａ）参照）を形成し、異方性エ
ッチングにより凹部１０（図１（ａ）（ｂ）参照）を形
成する。この凹部１０は、その中央部にブリッジ１１が
形成されるようにトンネル状に形成する。
ングによりエッチング用ホール８（図５参照）とボンデ
ィングパッド９（図１（ａ）参照）を形成し、異方性エ
ッチングにより凹部１０（図１（ａ）（ｂ）参照）を形
成する。この凹部１０は、その中央部にブリッジ１１が
形成されるようにトンネル状に形成する。
【００１５】このようにして形成された流量センサＳ
は、流量測定の対象となる流体の流れに対して第一の抵
抗体４が上流側に、第二の抵抗体５が下流側に位置する
ように配置して用いる。そして、抵抗体４，５は電力を
供給することにより発熱するが、流体の流れの上流側に
配置された第一の抵抗体４は放熱特性が高いため流体へ
の放熱が促進され、下流側に配置された第二の抵抗体５
は放熱特性が低く且つ比較的高温の流体に曝されるため
熱の奪われ方が少なくなる。流量が０の場合、上流側と
下流側の抵抗体４，５は放熱特性が異なるため、両抵抗
体４，５を同じ温度に保つためには異なる電力を投入す
ることになる。このことから、抵抗体４，５の出力差は
０にならないので流量が０のときにオフセットが生ず
る。このオフセットは抵抗体４，５の出力差をとること
で、流体の温度が変化しても変化しない。そして、流量
に対する一定温度に抵抗体４，５を保つためには、上流
側の第一の抵抗体４への投入電力が大きくなり、下流側
の第二の抵抗体５への投入電力は小さくなる。すなわ
ち、流量に対する抵抗体４，５間の投入電力差が大きく
なるため感度が向上する。
は、流量測定の対象となる流体の流れに対して第一の抵
抗体４が上流側に、第二の抵抗体５が下流側に位置する
ように配置して用いる。そして、抵抗体４，５は電力を
供給することにより発熱するが、流体の流れの上流側に
配置された第一の抵抗体４は放熱特性が高いため流体へ
の放熱が促進され、下流側に配置された第二の抵抗体５
は放熱特性が低く且つ比較的高温の流体に曝されるため
熱の奪われ方が少なくなる。流量が０の場合、上流側と
下流側の抵抗体４，５は放熱特性が異なるため、両抵抗
体４，５を同じ温度に保つためには異なる電力を投入す
ることになる。このことから、抵抗体４，５の出力差は
０にならないので流量が０のときにオフセットが生ず
る。このオフセットは抵抗体４，５の出力差をとること
で、流体の温度が変化しても変化しない。そして、流量
に対する一定温度に抵抗体４，５を保つためには、上流
側の第一の抵抗体４への投入電力が大きくなり、下流側
の第二の抵抗体５への投入電力は小さくなる。すなわ
ち、流量に対する抵抗体４，５間の投入電力差が大きく
なるため感度が向上する。
【００１６】また、抵抗体４，５は流体の流れに対して
略垂直な方向に延出するので流体の流れに曝され易くな
る。これにより、上流側の第一の抵抗体４は流体により
熱が奪われ易くなり、下流側の第二の抵抗体５は高温の
流体に曝され易くなることで熱が奪われにくくなる。こ
のため感度がさらに向上する。
略垂直な方向に延出するので流体の流れに曝され易くな
る。これにより、上流側の第一の抵抗体４は流体により
熱が奪われ易くなり、下流側の第二の抵抗体５は高温の
流体に曝され易くなることで熱が奪われにくくなる。こ
のため感度がさらに向上する。
【００１７】また、絶縁膜３と保護膜６との少なくとも
何れか一方（本実施の形態では両方）に、金属膜２，７
が第一の抵抗体４と対向する位置に近接配置されて形成
されているので、上流側の第一の抵抗体４の近傍の熱
は、金属膜２，７が存在しない場合より存在する場合の
方が高くなる。このことは赤外線顕微鏡を用いた測定に
より確認された。この金属膜２，７が設けられたブリッ
ジ１１と流体との界面では温度差に比例して熱流束が大
きくなるので、第一の抵抗体４の放熱作用がさらに促進
される。また、金属膜２，７は様々な方法で容易に形成
することができ、フォトリソグラフィを利用して比較的
容易にエッチングし、任意の形状を得ることができる。
何れか一方（本実施の形態では両方）に、金属膜２，７
が第一の抵抗体４と対向する位置に近接配置されて形成
されているので、上流側の第一の抵抗体４の近傍の熱
は、金属膜２，７が存在しない場合より存在する場合の
方が高くなる。このことは赤外線顕微鏡を用いた測定に
より確認された。この金属膜２，７が設けられたブリッ
ジ１１と流体との界面では温度差に比例して熱流束が大
きくなるので、第一の抵抗体４の放熱作用がさらに促進
される。また、金属膜２，７は様々な方法で容易に形成
することができ、フォトリソグラフィを利用して比較的
容易にエッチングし、任意の形状を得ることができる。
【００１８】さらに、第一、第二の抵抗体４，５及び金
属膜２，７はＰｔにより形成されているので、Ｐｔは抵
抗温度係数が大きく、また、温度特性が直線性に優れて
いるため、高性能の抵抗体４，５が得られる。また、抵
抗体４，５と金属膜２，７とは同一の成膜装置で形成す
ることが可能となるので、製造コストを低減することが
できる。
属膜２，７はＰｔにより形成されているので、Ｐｔは抵
抗温度係数が大きく、また、温度特性が直線性に優れて
いるため、高性能の抵抗体４，５が得られる。また、抵
抗体４，５と金属膜２，７とは同一の成膜装置で形成す
ることが可能となるので、製造コストを低減することが
できる。
【００１９】さらに、絶縁膜３及び保護膜６はＴａ２０
５により形成されているので、絶縁膜３及び保護膜６に
対する抵抗体４，５や金属膜２，７の密着性を向上させ
ることができ、また、これらをフォトリソグラフィとド
ライエッチングにより所望の形状に加工して薄膜として
容易に成膜することができる。さらに、ＰｔもＴａ２０
５も同じスパッタリング装置で成膜すれば、製造コスト
をさらに低減することができる。
５により形成されているので、絶縁膜３及び保護膜６に
対する抵抗体４，５や金属膜２，７の密着性を向上させ
ることができ、また、これらをフォトリソグラフィとド
ライエッチングにより所望の形状に加工して薄膜として
容易に成膜することができる。さらに、ＰｔもＴａ２０
５も同じスパッタリング装置で成膜すれば、製造コスト
をさらに低減することができる。
【００２０】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、第一、第二の
抵抗体は流体の流れる方向と略直交する状態で平行に配
置されているため流体に曝され易くすることができる。
そして、流体の流れの上流側に配置される第一の抵抗体
は放熱特性が高いため流体への放熱が促進され、下流側
に配置された第二の抵抗体は放熱特性が低く且つ比較的
高温の流体に曝されるため熱の奪われ方が少なくなるの
で、第一、第二の抵抗体の温度が一定になる条件では第
一、第二の抵抗体に与える電力の差を大きくすることが
でき、その大きな電力差は流体の温度が変化しても変わ
りないため、流体の流量を感度よく測定することができ
る。
抵抗体は流体の流れる方向と略直交する状態で平行に配
置されているため流体に曝され易くすることができる。
そして、流体の流れの上流側に配置される第一の抵抗体
は放熱特性が高いため流体への放熱が促進され、下流側
に配置された第二の抵抗体は放熱特性が低く且つ比較的
高温の流体に曝されるため熱の奪われ方が少なくなるの
で、第一、第二の抵抗体の温度が一定になる条件では第
一、第二の抵抗体に与える電力の差を大きくすることが
でき、その大きな電力差は流体の温度が変化しても変わ
りないため、流体の流量を感度よく測定することができ
る。
【００２１】請求項２の発明によれば、絶縁膜と保護膜
との少なくとも何れか一方に、金属膜が第一の抵抗体４
と対向する位置に近接配置されて形成されているので、
上流側の第一の抵抗体４の近傍の熱は、金属膜が存在し
ない場合より存在する場合の方が高くなる。この金属膜
が設けられたブリッジと流体との界面では温度差に比例
して熱流束が大きくなるので、第一の抵抗体の放熱作用
をさらに促進することができる。
との少なくとも何れか一方に、金属膜が第一の抵抗体４
と対向する位置に近接配置されて形成されているので、
上流側の第一の抵抗体４の近傍の熱は、金属膜が存在し
ない場合より存在する場合の方が高くなる。この金属膜
が設けられたブリッジと流体との界面では温度差に比例
して熱流束が大きくなるので、第一の抵抗体の放熱作用
をさらに促進することができる。
【００２２】請求項３の発明によれば、第一、第二の抵
抗体及び金属膜はＰｔにより形成されているので、Ｐｔ
は抵抗温度係数が大きく、また、温度特性が直線性に優
れているため、高性能の抵抗体を得ることができる。ま
た、抵抗体と金属膜とを同一の成膜装置で形成すること
ができるので、製造コストを低減することができる。
抗体及び金属膜はＰｔにより形成されているので、Ｐｔ
は抵抗温度係数が大きく、また、温度特性が直線性に優
れているため、高性能の抵抗体を得ることができる。ま
た、抵抗体と金属膜とを同一の成膜装置で形成すること
ができるので、製造コストを低減することができる。
【００２３】請求項４の発明によれば、絶縁膜及び保護
膜はＴａ２０５により形成されているので、絶縁膜及び
保護膜に対する抵抗体や金属膜の密着性を向上させるこ
とができる。
膜はＴａ２０５により形成されているので、絶縁膜及び
保護膜に対する抵抗体や金属膜の密着性を向上させるこ
とができる。
【図１】本発明の実施の一形態を示すもので、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線部の縦断側面
図である。
平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線部の縦断側面
図である。
【図２】図１（ａ）におけるＡ−Ａ線部において流量セ
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
【図３】図１（ａ）におけるＡ−Ａ線部において流量セ
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
【図４】図１（ａ）におけるＡ−Ａ線部において流量セ
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
【図５】図１（ａ）におけるＡ−Ａ線部において流量セ
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
ンサの製造過程を示す縦断側面図である。
１ 基板 ２，７ 金属膜 ３ 絶縁膜 ４ 第一の抵抗体 ５ 第二の抵抗体 ６ 保護膜 １０ 凹部 １１ ブリッジ
フロントページの続き (72)発明者 山口 隆行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 佐藤 幸人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 庄子 浩義 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 安住 純一 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に凹部とこの凹部の中間部を横切る
ブリッジとが形成された基板と、 前記ブリッジの表面を含む前記基板の表面に形成された
絶縁膜と、 前記凹部により前記基板から熱的に絶縁された前記ブリ
ッジ上の前記絶縁膜の表面に形成されるとともに、流量
測定の対象となる流体の流れる方向と略垂直な方向に延
出された第一の抵抗体と、 前記ブリッジ上の前記絶縁膜の表面において前記第一の
抵抗体の下流側に所定の間隔をおいて平行に配置されて
形成されるとともに、流体に対する放熱特性が前記第一
の抵抗体よりも低い第二の抵抗体と、 前記第一、第二の抵抗体の表面を被覆する絶縁性の保護
膜と、を具備することを特徴とする流量センサ。 - 【請求項２】 保護膜と絶縁膜との少なくとも何れか一
方に、金属膜が第一の抵抗体と対向する位置に近接配置
されて形成されていることを特徴とする請求項１記載の
流量センサ。 - 【請求項３】 第一、第二の抵抗体及び金属膜はＰｔに
より形成されていることを特徴とする請求項２記載の流
量センサ。 - 【請求項４】 絶縁膜及び保護膜はＴａ２０５により形
成されていることを特徴とする請求項３記載の流量セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9000499A JPH10197306A (ja) | 1997-01-07 | 1997-01-07 | 流量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9000499A JPH10197306A (ja) | 1997-01-07 | 1997-01-07 | 流量センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10197306A true JPH10197306A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11475461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9000499A Pending JPH10197306A (ja) | 1997-01-07 | 1997-01-07 | 流量センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10197306A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239183B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-05-29 | Akzo Nobel Nv | Method for controlling the rheology of an aqueous fluid and gelling agent therefor |
| US6506710B1 (en) | 1997-12-19 | 2003-01-14 | Akzo Nobel N.V. | Viscoelastic surfactants and compositions containing same |
| US7216709B2 (en) | 1999-09-22 | 2007-05-15 | Akzo Nobel N.V. | Hydraulic fracturing using non-ionic surfactant gelling agent |
| CN109115275A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-01 | 清华大学 | 风速风向计 |
-
1997
- 1997-01-07 JP JP9000499A patent/JPH10197306A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239183B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-05-29 | Akzo Nobel Nv | Method for controlling the rheology of an aqueous fluid and gelling agent therefor |
| US6506710B1 (en) | 1997-12-19 | 2003-01-14 | Akzo Nobel N.V. | Viscoelastic surfactants and compositions containing same |
| USRE41585E1 (en) * | 1997-12-19 | 2010-08-24 | Akzo Nobel Nv | Method for controlling the rheology of an aqueous fluid and gelling agent therefor |
| US7216709B2 (en) | 1999-09-22 | 2007-05-15 | Akzo Nobel N.V. | Hydraulic fracturing using non-ionic surfactant gelling agent |
| CN109115275A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-01 | 清华大学 | 风速风向计 |
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