JPH1019689A

JPH1019689A - 基板温度測定ユニット

Info

Publication number: JPH1019689A
Application number: JP8197050A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Yamaguchi; 一郎山口; Ko Fuwa; 耕不破; Saburo Shimizu; 三郎清水; Fumio Kimijima; 文雄君島
Original assignee: Ulvac Inc; RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Current assignee: Ulvac Inc; RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Priority date: 1996-07-08
Filing date: 1996-07-08
Publication date: 1998-01-23
Anticipated expiration: 2016-07-08
Also published as: JP3600873B2

Abstract

(57)【要約】【課題】真空成膜装置内の基板の温度を非接触で精度
高く測定し得て、かつ真空成膜装置への着脱が簡便で較
正機器としての使用も可能な基板温度測定装置を提供す
ること。【解決手段】覗き窓４付きのコンフラット・フランジ
５にレーザ１、一対のイメージセンサ２、３を固定して
真空チャンバ１４のフランジポート１６に取り付け、基
板１１とレーザ１、イメージセンサ２、３とを所定の位
置関係におく。イメージセンサ２、３には相関計８、９
が接続され、これらにコンピュータ５１が接続される。
レーザ光が基板１１で散乱反射されて生じ、イメージセ
ンサ２、３で受像されるスペックル・パターンの加熱前
後における移動が相関計８、９で求められ、基板１１の
温度がコンピュータ５１で演算される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空成膜装置内の基
板の温度を測定するための装置に関するものであり、更
に詳しくは非接触で精度高く測定し得て真空成膜装置へ
の着脱容易な基板温度測定ユニットに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、真空成膜装置内で基板に薄膜を形
成させる場合の基板温度の測定には熱電対や放射型赤外
線温度計が使用されている。周知のように、熱電対は２
種の金属線の接点を測定対象に取りつけた時の起電力の
大きさから温度を測定する素子であり、放射型赤外線温
度計は測定対象から放射される赤外線の強度、すなわち
放射エネルギ密度が温度によって変化することから、特
定波長の強度変化を捉えて温度を測定する非接触タイプ
の温度計である。

【０００３】熱電対はその接点と基板との接触具合によ
って指示温度が異なり、隙間があると実際の基板の温度
よりも低く指示し、場合によっては数十度の誤差を生ず
る。更には、基板の１枚、１枚に熱電対の接点を取り付
けることは煩雑な作業であり、真空成膜装置の成膜枚数
を低下させるという点において生産には向かない。

【０００４】放射型赤外線温度計は、例えば真空成膜装
置内の基板から放射され覗き窓を透過する赤外線を装置
外において光学レンズでＳｉフォトダイオードなどの検
出素子に集光してその強度を求め得るが、測定波長の強
度が弱いと測定精度が低下するので、非接触タイプでは
あるが測定端子を基板に近接させる必要がある。しか
し、基板の表面への近接は成膜の障害になるので、図６
にその取り付けを示すように、基板１１を載置する基板
ホールダ１２’、及びこれと一体的なヒータ１３’とか
らなるヒータ部に穿設した貫通孔に、他端を赤外線強度
測定装置４５に接続した光ファイバ４４の先端の石英ロ
ッド４３をプローブとして挿入して赤外線の強度を求め
ることが行われ、基板１１の裏面の温度が測定されてい
る。このプローブとしての石英ロッド４３には基板１１
からの赤外線のほかに、ヒータ１３からの赤外線、石英
ロッド４３自身が高温になることによって放射する赤外
線などが混在してくるので、その測定精度は必ずしも満
足なものではない。又、ヒータ部に貫通孔を設けること
は加熱分布の均一性を低下させるし、ましてや基板面の
温度を多点測定することは多くの貫通孔を要するので実
際上無理である。

【０００５】更には、実際の真空成膜装置においては、
基板の温度を直接に測定することを行わず、ヒータ部に
熱電対の接点を埋め込んで、予めその指示値と基板温度
との差を測定しておき、実際の成膜に当たってはヒータ
部の温度から基板の温度を求めている装置も少なくな
い。そのような装置では、予め測定する基板温度が正確
であらねばならないが、前述の如く熱電対、放射型赤外
線温度計は基板温度の精度の高い測定には難があり、較
正機器としての信頼性に欠ける。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みてなされ、真空成膜装置に取り付けて、基板温度を
非接触で精度高く測定し得る基板温度測定ユニット、更
には真空成膜装置への着脱が容易で測温用の較正機器と
しても使用し得る基板温度測定ユニットを提供すること
を課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、真空成膜
装置内の基板へ照射するレーザ、及び該レーザから照射
されるレーザ光の照射点から光軸の両側へ等角度で等距
離の対称位置に配置され前記レーザ光が前記基板で散乱
反射されて生ずるスペックル・パターンを受像するため
の一対のイメージセンサが真空フランジに対し固定され
た測定ヘッドと、前記一対のイメージセンサのそれぞれ
に接続され前記基板の加熱前後における前記スペックル
・パターンの移動量を求める相関計と、該相関計に接続
され前記スペックル・パターンの移動量の差、前記一対
のイメージセンサの配置されている前記角度と前記距
離、及び既知である前記基板の熱膨張係数から前記基板
の温度を演算するコンピュータとからなり、前記測定ヘ
ッドの前記真空フランジが前記真空成膜装置に対し直接
に又は必要な部材を介して取り付けられることを特徴と
する基板温度測定ユニット、によって達成される。

【０００８】レーザ光の発振源から照射されるレーザ光
が基板で散乱反射されて生じ、所定の位置に対象的に配
置された一対のイメージセンサーに受像されるスペック
ル・パターンは基板の加熱によって移動するが、その移
動量が相関計で求められ、相関計に接続されたコンピュ
ータがスペックル・パターンの移動量の差、イメージセ
ンサの位置、既知である基板の熱膨張係数から基板の温
度を演算するので、真空成膜装置内の基板の温度を非接
触で精度高く測定し得る。又、レーザ光の発振源と一対
のイメージセンサとを真空フランジに固定して測定ヘッ
ドとしているので、直接に又は必要部材を介しての真空
成膜装置への着脱が極めて容易である。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図面を参照して説明する。

【００１０】（実施の形態１）図１は基板温度測定ユニ
ット１０の基本的な構成図であり、レーザ光の透過材で
成る覗き窓４付きのコンフラット・フランジ５に取り付
けられた固定枠６にレーザ光の発振源１（以下、レーザ
１と略す）と一対のイメージセンサ２、イメージセンサ
３がレーザ光の照射点Ｐを含む同一面内に固定されて測
定ヘッド７が形成されており、イメージセンサ２、３に
はそれぞれ相関計８、９が接続され、これら相関計８、
９にはコンピュータ５１が接続されている。因みに、コ
ンフラット・フランジは金属ガスケットをナイフエッジ
で挟持してシールするフランジである。温度が測定され
る基板１１は真空成膜装置の真空チャンバ１４内におい
て、ヒータ１３と一体的な基板ホールダ１２上に載置さ
れており、基板１１の温度の測定に当たっては、真空チ
ャンバ１４に設けられているフランジポート１６のコン
フラット・フランジ１５に、測定ヘッド７のコンフラッ
ト・フランジ５が金属ガスケット１７を介しボルト１８
で接合される。なお、覗き窓４は熱膨張係数が金属に近
いコバール用ガラスが使用され、コンフラット・フラン
ジ５に対してコバール封じされている。

【００１１】測定ヘッド７が真空チャンバ１４に取り付
けられた状態において、レーザ１からのレーザ光は覗き
窓４を通して基板１１へ照射され、レーザ光が基板１１
の表面の微細な凹凸によって散乱反射されて生ずる干渉
模様、すなわちスペックル・パターンは同じく覗き窓４
を通してイメージセンサ２、３に受像される。レーザ１
に対してイメージセンサ２、３はレーザ光の照射点Ｐか
ら光軸Ｚの両側へ角度±θ、距離Ｌ₀ の対称位置に配置
される。なお、レーザ１は基板１１へ照射角度を調整し
得るように、又イメージセンサ２、３はその位置する角
度±θと距離Ｌ₀ を調整し得るように固定されている。
そして、これらはＩＣＦ２０３のコンフラット・フラン
ジに余裕をもって固定し得る程にコンパクトである。

【００１２】基板１１が加熱され伸びることによってス
ペックル・パターンは移動するが、イメージセンサ２、
３が並ぶＸ方向への基板１１の伸びによるスペックル・
パターンの移動はイメージセンサ２、３で捉えられる。
２基のイメージセンサ２、３を使用するのは伸び以外の
要因によるスペックル・パターンの移動を排除するため
である。加熱前後における上記スペックル・パターンの
移動量はイメージセンサ２、３のそれぞれに接続されて
いる相関計８、９によって求められ、相関計８、９が接
続されているコンピュータ５１によって基板１１の加熱
前後におけるスペックル・パターンの移動量の差、イメ
ージセンサ２、３の位置する角度±θと距離Ｌ₀ 、及び
既知である基板１１の熱膨張係数αから基板１１の加熱
後の温度が演算されるようになっている。

【００１３】すなわち、イメージセンサ２、３における
加熱前後におけるスペックル・パターンの移動量のＸ成
分をそれぞれＡ₁ 、Ａ₂ とするとＡ₁ とＡ₂ との差ΔＡ
は ΔＡ＝−２ΔＬ／Ｌ・Ｌ₀ ｔａｎθ・・・・（１）となる。ここにおいて、Ｌは加熱前の基板１１のＸ方向
の長さ、ΔＬは加熱による基板１１の伸びである。加熱
前の温度Ｔ₀ と加熱後の温度Ｔとの温度差ΔＴと基板１
１の熱膨張係数αは次のように表される。 ΔＬ／Ｌ＝α・ΔＴ・・・・・・・・・・・（２）従って、式（１）、（２）から ΔＴ＝−ΔＡ・Ｌ₀ ｔａｎθ／２α・・・・（３）となる。このようにして、式（３）から基板１１の加熱
前後の温度差ΔＴが求められるので、加熱前の温度Ｔ₀
を基準にして加熱後の温度Ｔを知り得る。

【００１４】レーザ光のように干渉性の大きい光が粗面
で散乱反射した時に生ずるスペックル・パターンは物体
の微小な変位、変形量、移動速度、その他の測定に利用
されており（岩波理化学辞典、第４版、１９８７年）、
特開平４−１３２９４４号公報に係る「熱膨張係数測定
装置」には、図７に示すような測定原理図に基いて、加
熱前後におけるサンプルの長さ変化、すなわち熱膨張係
数をスペックル相関法で求める装置が開示されている。
しかし、レーザを温度測定に使用した装置機器は未だ知
られていない。

【００１５】図２は基板温度測定ユニット１０を分子線
エピタキシャル装置（ＭＢＥ装置）３０に取り付けた場
合の概略構成図である。このＭＢＥ装置３０は全圧５×
１０^-6Ｔｏｒｒの真空下において、ＧａＡｓ（００１）
基板１９に対しＡｌ、Ｇａ、Ａｓから成る薄膜を形成さ
せる装置である。

【００１６】ＭＢＥ装置３０の真空チャンバ３４のフラ
ンジポート３５におけるコンフラット・フランジ３６に
は基板温度測定ユニット１０の測定ヘッド７における覗
き窓４付きのコンフラット・フランジ５が金属ガスケッ
ト１７を介しボルト１８で取り付けられる。測定ヘッド
７のイメージセンサ２、３にそれぞれ相関計８、９が接
続され、これらにコンピュータ５２が接続されているこ
とに変わりはない。

【００１７】真空チャンバ３４内のヒータ１３と基板ホ
ールダ１２とからなるヒータ部に基板１９が載置され、
基板１９に対向してＡｌ、Ｇａ、Ａｓのそれぞれに対応
する３個の“るつぼ”３１、３２、３３が配置され、そ
れぞれのシャッタ３１’、３２’、３３’はコンピュー
タ５２の指令で独立して開閉されるようになっている。

【００１８】又、真空チャンバ３４のフランジポート３
７のコンフラット・フランジ３８に金属ガスケット１７
を介しボルト１８で固定されているコンフラットフラン
ジ４１にセラミック製の導入端子４７、４８が取り付け
られており、ヒータ１３は外部の温度制御器４１から導
入端子４７を経由する加熱ケーブル４９によって加熱さ
れ、ヒータ部に接点を埋め込んだ熱電対４２は導入端子
４８を経由して温度制御器４１へ温度信号を入力し、そ
の温度は温度制御器４１に表示される。又、温度制御器
４１から温度信号がコンピュータ５２へ入力され、コン
ピュータ５２は各“るつぼ”のシャッタ３１’、３
２’、３３’を開閉する。なお、温度制御器４１は基板
１９の温度をプログラム制御し得るようになっている。

【００１９】次に基板温度測定ユニット１０の作用を説
明する。真空チャンバ３４内で室温放置した基板１９の
加熱前の温度Ｔ₀ はヒータ部における熱電対４２の指示
温度で求められる。基板１９の温度とヒータ部の熱電対
４２の指示温度との較正は次のように行なう。真空チャ
ンバ３４を真空排気した後に温度制御器４１を作動させ
約７００℃の温度までの間の何点かにおいて、熱電対４
２の指示温度と基板温度測定モータ１０で測定される基
板１９の温度との差を記録する。この間、加熱によって
ＧａＡｓ（００１）基板１９からＡｓが脱離することを
防ぐためにＡｓの“るつぼ”３３のシャッタ３３’を開
とし基板１９の表面に十分なＡｓ蒸気を照射充満させ
る。

【００２０】上記のようにして室温から約７００℃まで
の間の熱電対４２の指示温度と基板温度測定ユニット１
０で測定される基板１９の温度との差の較正曲線が得ら
れる。そしてこの温度差を温度制御器４１のプログラム
に取り込んでおくことによって基板１９の温度の正確な
プログラム制御が可能となる。較正曲線作成後は基板温
度測定ユニット１０を真空チャンバ３４から取りはず
し、盲コンフラット・フランジでフランジポート３５を
密閉シールするようにしてもよい。

【００２１】ＧａＡｓ（００１）基板１９にＡｌＧａＡ
ｓ薄膜を形成させるに当たっては、予め熱電対４２の指
示温度と基板温度測定ユニット１０による基板１９の温
度との差を取り込んでプログラムされている温度曲線に
従い、温度制御器４１によって基板１９の加熱が行われ
る。基板クリーニングの温度を６３０℃、成膜温度を６
００℃として、熱電対４２の較正指示温度で基板１９の
温度が６３０℃になった時点でコンピュータ５２がＡｓ
の“るつぼ”３３のシャッタ３３’を開とし１分間保持
することによりＧａＡｓ（００１）基板１９の清浄な表
面が得られる。その後、温度制御器４１はプログラムに
従ってヒータ電力を調整し、熱電対４２の較正指示温度
で基板１９の温度が６００℃になった時点で、その温度
を保持するように働く。そしてコンピュータ５２はＡ
ｌ、Ｇａ、Ａｓの“るつぼ”３１、３２、３３のシャッ
タ３１’、３２’、３３’を開とし、基板１９上にＡｌ
ＧａＡｓ薄膜を成長させる。このようにして、基板１９
の温度が正確に制御され、作業者の意図した通りの条件
でＡｌＧａＡｓ薄膜を形成させることができる。

【００２２】図３は一般的なスパッタリング成膜装置４
０の概略図であり、図４はこのスパッタリング成膜装置
４０に基板温度測定ユニット１０を取り付けた場合の概
略図である。

【００２３】図３において、スパッタリング装置４０の
真空チャンバ２４内にはヒータ１３と一体的な基板ホー
ルダ１２上に基板１１が載置される。真空チャンバ２４
内のメンテナンスのために真空チャンバ２４は上蓋２３
をあけて上部が開放されるようになっており、かつ上蓋
２３に取付部材２２を介してカソードとしてのターゲッ
ト２１が取り付けられている。そして上蓋２３を閉めた
時に、ターゲット２１が基板１１の直上方に位置するよ
うになっている。

【００２４】真空チャンバ２４内の基板１１はヒータ１
３と一体的な基板ホールダ１２上に載置される。又、ヒ
ータ１３が外部の温度制御器４１から導入端子４７を経
由する加熱ケーブル４９と接続されており、ヒータ部に
固定した熱電対４２からの温度信号が導入端子４８を経
由して温度制御器４１に入力されていることは図２に示
したと同様である。図３に見られるように、スパッタリ
ング装置の真空チャンバ２４内の基板１１の直上にはタ
ーゲット２１が存在するのが一般であり、基板温度測定
ユニット１０を取り付け得るようなフランジポートは存
在しないことが多い。類似の形態はＣＶＤ成膜装置にお
いても見られる。

【００２５】このような場合には図４に見られるよう
に、図３の上蓋２３に代え得るコンフラット・フランジ
２５’付きの交換上蓋２３’を別途作成し、このコンフ
ラット・フランジ２５’と基板温度測定ユニット１０に
おける測定ヘッド７のコンフラット・フランジ５とを金
属ガスケット１７と共にボルト１８で接合しておく。

【００２６】ヒータ部に取り付けた熱電対４２の指示温
度と基板１１の温度との較正を行なう際には、真空チャ
ンバ２４から本来の上蓋２３を取りはずし、図４に示す
ように基板温度測定ユニット１０の測定ヘッド７を接合
した交換上蓋２３’を取り付ける。その後は上述のＭＢ
Ｅ装置３０において行なったと同様な手順で熱電対４２
の指示温度と基板温度測定ユニット１０で測定される基
板１１の温度との較正曲線を作成する。実際に成膜する
場合には基板温度測定ユニット１０付きの交換上蓋２
３’を取りはずし、本来の上蓋２３を取り付けて行な
う。このようにして基板温度測定ユニット１０は真空成
膜装置に形状的制約がある場合でも、交換可能な部材を
利用し、これに取り付けての較正曲線の作成が可能であ
る。

【００２７】（実施の形態２）実施の形態１の基板温度
測定ユニット１０では、図１を参照して、測定ヘッド７
においてレーザ１、及び一対のイメージセンサ２、３が
真空チャンバ１４の外部にあるように、覗き窓４付きの
コンフラット・フランジ５の大気面側の固定枠６に固定
したが、実施の形態２の基板温度測定ユニット２０の測
定ヘッド７’は図１に対応する図５に示すように、レー
ザ１、及びイメージセンサ２、３を真空チャンバ１４の
内部に配置するべく、セラミック製の導入端子２７、２
８、２９を取り付けた盲のコンフラット・フランジ５’
の真空面側において固定枠６’に固定している。従って
基板温度の測定では、レーザ１から照射されるレーザ
光、及びイメージセンサ２、３に受像されるスペックル
・パターンは覗き窓を透過しないので、測定精度を低下
させる要因としての光学的変動を回避し得る。なお、図
５の基板温度測定ユニット２０の測定ヘッド７’以外の
構成要素は図１の基板温度測定ユニット１０の構成要素
と全く同様であるので対応する要素には同じ符号を付し
てそれらの説明は省略する。

【００２８】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、
本発明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。

【００２９】例えば、使用するレーザ光の波長は限定さ
れないが、発振波長が可視領域にあるＨｅ−Ｎｅレーザ
が好適に使用されるし、小型化のためには半導体レーザ
を使用し得る。発振波長が非可視領域、例えば赤外線領
域にある場合には、照射の光軸を決めるために可視領域
のガイドビームを設けることが望ましい。

【００３０】又、使用するイメージセンサは一次元また
は二次元の光電変換素子であり、スペックル・パターン
の移動を捉え得るものであればその種類は問わないが、
小型軽量の観点からは電荷転送方式のＣＣＤイメージセ
ンサが好ましく使用される。

【００３１】又、使用する覗き窓はレーザ光を透過させ
るものであれば、必ずしもコバール用ガラスでなくても
よい。更には、高温の基板から放射される赤外線がイメ
ージセンサに入射しノイズとなることを防ぐために、使
用するレーザの波長のみを選択的に透過させるフィルタ
を覗き窓４に取り付けることは好ましい処置である。な
お、この選択透過フィルタはイメージセンサ２、３に取
り付けてもよい。

【００３２】又、本実施の形態では真空フランジ部にコ
ンフラットフランジを採用したが、Ｏ−リングでシール
する真空フランジとすることもできる。

【００３３】又、各実施の形態においては、レーザ１と
イメージセンサ２、３とを照射点Ｐを含む同一面内にあ
るように配置したが、イメージセンサ２、３は散乱反射
されて生ずるスペックル・パターンを受像するものであ
るから、レーザ１とイメージセンサ２、３との配置に対
称性が維持される限りにおいて必ずしも同一面内に配置
しなくともよい。

【００３４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の基板温度測
定ユニットによれば、その測定はレーザ光が基板で散乱
反射されて生ずるスペックル・パターンの加熱前後の移
動から求めるものである。すなわち、その測定は直接的
な測定でありながら非接触で基板に何らの変化損傷を与
えず、かつ他の要因による誤差を含みにくいので測定精
度が極めて高い。従って、成膜プロセス中に基板毎の温
度測定が可能であるし、基板の温度をそれに接するヒー
タ部の温度から求める間接的な測温方式の真空成膜装置
に対しても、基板温度とヒータ部の温度との差を正確に
求める際の較正機器として使用し得る。

【００３５】更には、レーザ光の発振源と一対のイメー
ジセンサとを真空フランジに固定し測定ヘッドとしてま
とめているので、真空成膜装置へ直接に、又は必要な部
材を介して簡便に着脱し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による基板温度測定ユニ
ットの基本構成図である。

【図２】実施の形態１の基板温度測定ユニットを取り付
けたＭＢＥ装置の概略図である。

【図３】一般的なスパッタリング成膜装置の概略図であ
る。

【図４】実施の形態１の基板温度測定ユニットを取り付
けた一般的なスパッタリング成膜装置の概略図であり、
図３に対応する。

【図５】本発明の実施の形態２による基板温度測定ユニ
ットの基本構成図であり、図１と対応する。

【図６】従来例の放射型赤外線温度計の基板温度測定時
における配置図である。

【図７】公開されている熱膨張係数測定の原理図であ
る。

【符号の説明】

１レーザ２イメージセンサ３イメージセンサ４覗き窓５コンフラット・フランジ６固定枠７測定ヘッド８相関計９相関計１０基板温度測定ユニット１１基板１２基板ホールダ１３ヒータ１４真空チャンバ１６フランジポート１９基板２０基板温度測定ユニット２１ターゲット２３上蓋２４真空チャンバ３０ＭＢＥ装置３４真空チャンバ４０スパッタリング成膜装置４１温度制御器４２熱電対５１コンピュータ５２コンピュータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者清水三郎神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内 (72)発明者君島文雄神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空成膜装置内の基板へ照射するレーザ
光の発振源及び該レーザ光の発振源から照射されるレー
ザ光の照射点から光軸の両側へ等角度で等距離の対称位
置に配置され前記レーザ光が前記基板で散乱反射されて
生ずるスペックル・パターンを受像するための一対のイ
メージセンサが真空フランジに対し固定された測定ヘッ
ドと、前記一対のイメージセンサのそれぞれに接続され
前記基板の加熱前後における前記スペックル・パターン
の移動量を求める相関計と、該相関計に接続され前記ス
ペックル・パターンの移動量の差、前記一対のイメージ
センサの配置されている前記角度と前記距離、及び既知
である前記基板の熱膨張係数から前記基板の温度を演算
するコンピュータとからなり、前記真空フランジが前記
真空成膜装置に対し直接に又は必要な部材を介して取り
付けられることを特徴とする基板温度測定ユニット。
【請求項２】前記測定ヘッドにおいて、前記レーザ光
の発振源が前記基板への照射角度を調整し、前記一対の
イメージセンサがその位置する前記角度と前記距離を調
整し得るように前記真空フランジに固定されている請求
項１に記載の基板温度測定ユニット。
【請求項３】前記測定ヘッドにおいて、前記レーザ光
の発振源及び前記一対のイメージセンサが前記真空フラ
ンジの大気面側に取り付けられており、前記レーザ光の
発振源による前記レーザ光の照射、及び前記一対のイメ
ージセンサによる前記スペックル・パターンの受像が前
記真空フランジに設けたレーザ光の透過材でなる窓を通
して前記真空成膜装置の外部で行われる請求項１又は請
求項２に記載の基板温度測定ユニット。
【請求項４】前記測定ヘッドにおいて、前記レーザ光
の発振源及び前記一対のイメージセンサが前記真空フラ
ンジの真空面側に取り付けられており、前記レーザ光の
発振源による前記レーザ光の照射、及び前記一対のイメ
ージセンサによる前記スペックル・パターンの受像が前
記真空成膜装置の内部で行われる請求項１又は請求項２
に記載の基板温度測定ユニット。