JPH10190308A - 積層型フィルタ - Google Patents

積層型フィルタ

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JPH10190308A
JPH10190308A JP35086396A JP35086396A JPH10190308A JP H10190308 A JPH10190308 A JP H10190308A JP 35086396 A JP35086396 A JP 35086396A JP 35086396 A JP35086396 A JP 35086396A JP H10190308 A JPH10190308 A JP H10190308A
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伸治 磯山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を構成する誘電体材料の比誘電率を上
げることなく、この基板に内蔵可能な積層型フィルタの
小型化をはかる。 【解決手段】 積層型フィルタは、誘電体層3の主面に
3段の1/4波長型共振線路の一部を構成する共振線路
11A、11B、11Cが形成され、誘電体層5の主面
に共振線路11A、11Bとビアホール41、42を介
して接続される共振用容量電極12A、12Bが形成さ
れ、誘電体層2の主面に共振線路11Cとビアホール4
3を介して接続される共振用容量電極12Cが形成さ
れ、これら誘電体層2、3、5が、アース電極21が形
成される誘電体層1、入出力電極31、32が形成され
る誘電体層4およびアース電極22が形成される誘電体
層6とともに積層されて基板とともに焼成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型フィルタに
関し、特にRFモジュール基板に内蔵する基板内蔵用積
層型フィルタに関するもので、例えば、携帯通信用電話
機等の高周波回路無線機に利用する高周波回路用フィル
タやデュプレクサ等に利用される積層型フィルタに関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、積層型フィルタの例としては特開
平6−97705号公報に記載されているものが知られ
ている。この積層型フィルタでは、1/4波長型ストリ
ップライン共振素子の一部を構成する共振線路を、2層
以上の誘電体層の主面に導電性材料を印刷することによ
って形成し、各共振線路をビアホールまたはスルーホー
ルによって接続するとともに、アース電極が形成された
誘電体層や入出力電極が形成された誘電体層と積層一体
化している。これにより、積層型フィルタの小型化を図
っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】携帯電話の小型化に伴
い、電子部品のモジュール化が進み、フィルタやマッチ
ング回路などの受動回路を基板に内蔵させることが要求
されている。フィルタ回路の小型化は、上述したような
従来の技術を用いて行うことができる。従来の積層型フ
ィルタに用いられている誘電体層の誘電体材料として
は、比誘電率が30〜80程度のものが使われており、
さらに小型化を図るためには、誘電体材料の比誘電率を
さらに向上させることが考えられる。しかしながら、マ
ッチング回路等を内蔵させるためには、10〜20程度
の低い比誘電率の基板を用いる必要があり、このような
低い比誘電率の誘電体材料で形成される基板内に同時に
フィルタを構成する場合には、フィルタ回路の小型化を
図ることが困難となる。
【0004】本発明は、基板を構成する誘電体材料の比
誘電率を上げることなく、この基板に内蔵可能な積層型
フィルタの小型化をはかることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層型フィ
ルタは、複数の誘電体層が積層され、2段以上のストリ
ップライン型共振線路を有しており、共振線路が複数の
誘電体層のうちの少なくとも2つ以上の誘電体層にわた
って存在し、共振線路の解放端側が共振用容量電極を形
成し、共振用容量電極のうち少なくとも1つの共振用容
量電極は、他の共振用容量電極とは別の誘電体層上に位
置している。
【0006】上述のような構成によれば、各共振用容量
電極の面積を大きくとることが可能となり、フィルタの
小型化に必要なより大きな共振用容量を得ることが可能
となる。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態が採用
される基板内蔵用積層型フィルタの模式展開図である。
この基板内蔵用積層型フィルタは、複数の誘電体層が積
層される基板と同時に形成され、未焼成のグリーンシー
ト等からなる誘電体層の片面に導電性材料からなる電極
層を印刷等により形成し、適宜積層し、焼成することに
よって作製される。
【0008】図1に示すように、厚み方向最下部に配置
される誘電体層1の主面にはアース電極21が形成され
ている。誘電体層1の上面に積層される誘電体層2の主
面には、1/4波長型共振回路の一部を構成する共振用
容量電極12Cが形成されている。この共振用容量電極
12Cとアース電極21との間で共振用コンデンサを構
成する。
【0009】誘電体層2の上面に積層される誘電体層3
の主面には、3段の1/4波長型ストリップライン共振
回路の一部を構成する共振線路11A、11B、11C
が形成される。誘電体層3の上面に積層される誘電体層
4の主面には、入出力電極31、32が形成されてい
る。第1の入出力電極31は、その一部が1段目の共振
線路11Aと対向して配置されることにより入出力コン
デンサを構成し、他の一部が3段目の共振電極11Cと
対向して配置されることによりゼロ点形成用コンデンサ
を構成している。同様に、第2の入出力電極32は、そ
の一部が2段目の共振電極11Bと対向して配置される
ことにより入出力コンデンサを構成しており、3段目の
共振電極11Cと対向して配置されることによりゼロ点
形成用コンデンサを構成している。
【0010】誘電体層4の主面に積層される誘電体層5
の主面には、共振用容量電極12A、12Bが形成され
ている。誘電体層5の上に積層される誘電体層6の主面
には、アース電極22が形成されている。共振用容量電
極12A、12Bとアース電極22との間で共振用コン
デンサを構成する。
【0011】誘電体層3に形成された共振線路11A、
11Bは誘電体層5に形成された共振用容量電極12
A、12Bとそれぞれビアホール41、42を介して接
続されている。また、誘電体層3に形成された共振線路
11Cは誘電体層2に形成された共振用容量電極12C
とビアホール43を介して接続されている。このよう
に、各共振線路11A、11B、11C、共振用容量電
極12A、12B、12Cおよびビアホール41、4
2、43により3段の1/4波長型ストリップライン型
共振回路を構成している。
【0012】共振用容量電極12A、12B、12C
は、誘電体層2と誘電体層5とに分けて形成されてお
り、同一誘電体層に形成する場合に比して大きな面積と
することができる。したがって、共振用容量電極12
A、12B、12Cの面積をできるだけ大きくすること
により、共振線路11A、11B、11Cの長さを短く
することができ、小さな専有面積で大きな共振用容量を
もつ積層型フィルタを得ることが可能となる。特に基板
に内蔵する場合には、共振線路11A、11B、11C
のビアホールが接続されない側をビアホールまたは垂直
電極によりアース電極21、22に接続する。また、ア
ース電極21、22の外周はビアホールまたは垂直電極
により接続する。
【0013】また、誘電体層6の厚みを薄くすることに
より共振用容量電極12A、12Bの形状を小さくする
ことが可能となり、誘電体層2の厚みを薄くすることに
よって、共振用容量電極12Cの形状を小さくすること
が可能となり、さらにこの基板内蔵用積層型フィルタの
小型化を図ることが可能となる。共振線路11A、11
B、11Cの上下に位置する誘電体層3、4は、フィル
タの損失を低減するために、厚みをできる限り厚くする
ことが好ましい。また、ビアホール41、42、43は
垂直電極等で構成しても良い。
【0014】各誘電体層1〜6を構成する誘電体材料と
しては、比誘電率が10〜20程度とすることにより、
このフィルタ回路が内蔵される基板内にマッチング回路
を一体的に内蔵させることが可能となる。また、アース
電極21、22、共振線路11A、11B、11C、共
振用容量電極12A、12B、12C、入出力電極3
1、32およびビアホール41、42、43は、銀、
銅、金などの低抵抗導体を用いて形成される。したがっ
て、各誘電体層は、焼成温度が900℃〜1000℃程
度の低温焼結材料を用いて基板との同時焼成を行うこと
が好ましい。
【0015】このようにした本発明の1実施形態では、
図2に示すような等価回路となる。これについて以下に
説明する。この積層型フィルタでは、1/4波長型スト
リップライン共振器を構成する共振線路11A、11
B、11Cにより共振用インダクタ51、52、53が
構成され、共振用容量電極12A、12B、12Cによ
り共振用コンデンサ54、55、56が構成されてい
る。
【0016】また、入出力電極31と1段目の共振線路
11Aとの間で入出力コンデンサ57を構成しており、
3段目の共振線路11Cとの間でゼロ点形成用コンデン
サ59を構成している。同様に、入出力電極32と2段
目の共振線路11Bとの間で入出力コンデンサ58を構
成しており、3段目の共振線路11Cとの間でゼロ点形
成用コンデンサ60を構成している。
【0017】共振線路11Aと11B、11Bと11C
はそれぞれ磁器結合しており、等価回路においてはMに
より表されている。通過帯域の高周波側において、ゼロ
点形成用コンデンサ59、60と共振線路11A、11
B、11Cにより1/2波長型共振回路が構成され、減
衰極の一つが形成される。また、ゼロ点形成用コンデン
サ59、60の経路と入出力コンデンサ57、58、磁
器結合Mの経路において、位相の反転が起こり、もう一
つの減衰極が形成される。
【0018】
【発明の効果】本発明に係る積層型フィルタでは、共振
用容量電極の面積を大きくとることができ、これによっ
て共振線路を短くすることができ、フィルタの小型化を
図ることが可能となる。また、比誘電率の小さな誘電体
材料であっても、小型のフィルタ回路を構成することが
可能であるため、マッチング回路などと同一の基板内に
同時に内蔵させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態が採用される積層型誘電体
フィルタの模式展開図。
【図2】その等価回路図。
【符号の説明】
1〜6 誘電体層 11A,11B,11C 共振線路 12A,12B,12C 共振用容量電極 21,22 アース電極 31,32 入出力電極 41,42,43 ビアホール 51,52,53 共振用インダクタ 54,55,56 共振用コンデンサ 57,58 入出力コンデンサ 59,60 ゼロ点形成用コンデンサ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の誘電体層が積層され、2段以上のス
    トリップライン型共振線路を有する積層型フィルタであ
    って、 前記共振線路がそれぞれ前記複数の誘電体層のうちの少
    なくとも2つ以上の誘電体層にわたって存在し、前記共
    振線路の解放端側が共振用容量電極を形成し、前記共振
    用容量電極のうち少なくとも1つの共振用容量電極は、
    他の共振用容量電極とは別の誘電体層上にあることを特
    徴とする積層型フィルタ。
  2. 【請求項2】前記ストリップライン共振線路は3段のス
    トリップライン型共振線路である、請求項1に記載の積
    層型フィルタ。
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