JPH10189682A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】搬送ラインと、搬送ラインに対して必要とされ
ている全ての真空処理装置との準備が同時には達成でき
ない場合であっても、搬送ラインの調整を行う作業者の
拘束時間を必要最小限に短縮する。 【解決手段】複数の真空処理室１ａと、これらの真空処
理室１ａに対して超高真空下で被処理体４ａの搬送を行
う搬送室１ｂと、大気圧下において被処理体４ａの搬送
を行う搬送機構３と搬送室１ｂとの間において被処理体
４ａの授受を行わせる真空予備室３ｄとを取り外し可能
に連結した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は真空処理装置に関
し、さらに詳細にいえば、半導体ウェハーに対する各種
処理を行って半導体を製造する半導体製造装置のよう
に、高真空下において被処理体の搬送、処理を行うため
の真空処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、真空処理装置として、複数の
真空処理室と、これらの真空処理室に対して超高真空下
で被処理体の搬送を行う第１搬送室と、大気圧下におい
て被処理体の搬送を行う搬送機構と、搬送機構と第１搬
送室との間において被処理体の授受を行わせる第２搬送
室とを含む真空処理装置が提案されている（特開平６−
３１４７２９号公報、特開平６−３１４７３１号公報な
ど参照）。

【０００３】この真空処理装置は、超高真空下での処理
を行うものであるから、第１搬送室と各真空処理室、第
１搬送室と第２搬送室とは、取り外しを許容しない状態
で一体的に連結されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記の構成の真空処理
装置を採用する場合には、真空処理装置を含む製造設備
全体の配置、調整に長時間がかかり、製造設備が稼動し
始めるまでの期間が著しく長くなってしまう。そして、
これに伴って、各部の調整を行うための作業者の拘束期
間が長くなってしまうという問題もある。

【０００５】これらの問題点についてさらに詳細に説明
する。真空処理装置を含む製造設備の構成は、一般的
に、被処理体を搬送する搬送ラインと、搬送ラインの適
宜位置に配置された真空処理装置とを含むものであり、
必要に応じて、搬送ラインに対して被処理体を供給する
ための供給装置などが配置されている。

【０００６】ところで、このような構成の製造設備全体
の配置を行うに当たっては、搬送ラインと、必要数の真
空処理装置とが同時に準備されていることはきわめて希
であり、具体的には、搬送ラインの準備が完了した時点
において一部の真空処理装置のみしか準備されていない
ことが多い。これは、搬送ラインの要求仕様に対して真
空処理装置の要求仕様が厳しく、真空処理装置の製造に
長時間がかかることが原因であると思われる。

【０００７】このような状況下においては、準備が完了
した搬送ラインに対して、真空処理装置を、その時点で
準備が完了しているものについてのみ予め設定されてい
る位置に配置し、搬送ラインと真空処理装置との間での
必要な調整作業を行うことになる。この結果、搬送ライ
ンの調整を行う作業者の拘束時間が、全ての真空処理装
置の配置が完了するまでの著しい長期間になってしま
う。

【０００８】

【発明の目的】この発明は前記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、搬送ラインと、搬送ラインに対して必要
とされている全ての真空処理装置との準備が同時には達
成できない場合であっても、搬送ラインの調整を行う作
業者の拘束時間を必要最小限に短縮することができる真
空処理装置を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の真空処理装置
は、複数の真空処理室と、これらの真空処理室に対して
超高真空下で被処理体の搬送を行う搬送室と、大気圧下
において被処理体の搬送を行う搬送機構と、搬送機構と
搬送室との間において被処理体の授受を行わせる真空予
備室とを含む真空処理装置であって、前記真空予備室が
搬送室に対して取り外し可能に連結されている。

【００１０】請求項２の真空処理装置は、前記搬送機構
として、複数の被処理体を保持する保持カセットを密閉
容器に収容した状態で搬送するものを採用し、前記真空
予備室として、１つずつの被処理体を搬送機構と搬送室
との間において授受させるものを採用し、密閉容器に対
する保持カセットの出し入れを行う出し入れ機構と、出
し入れ機構と真空予備室との間で１つずつの被処理体を
授受させる授受機構とをさらに含み、前記真空予備室、
出し入れ機構および授受機構が一体的に連結されている
ものである。

【００１１】請求項３の真空処理装置は、前記出し入れ
機構および授受機構として、外部からの塵埃の侵入を阻
止するケーシング内に配置されているものを採用してい
る。請求項４の真空処理装置は、複数の真空処理室と搬
送室とを制御する第１コントローラをさらに有している
とともに、真空予備室を制御する第２コントローラをさ
らに有しており、第２コントローラとして、第１コント
ローラと接続されて真空予備室の制御を行うとともに、
第１コントローラと接続されていない状態において、搬
送機構に対して被処理体を供給する供給機構を制御する
第３コントローラとの間の信号授受を第１コントローラ
に代わって行うものを採用したものである。

【００１２】

【作用】請求項１の真空処理装置であれば、複数の真空
処理室と、これらの真空処理室に対して超高真空下で被
処理体の搬送を行う搬送室と、大気圧下において被処理
体の搬送を行う搬送機構と、搬送機構と搬送室との間に
おいて被処理体の授受を行わせる真空予備室とを含む真
空処理装置であって、前記真空予備室が搬送室に対して
取り外し可能に連結されているのであるから、真空処理
装置の全体が完成していなくても、搬送機構および真空
予備室のみが完成した時点で、製造設備の搬送ラインに
対する配置、および必要な調整作業を行うことができ、
搬送ラインの調整を行う作業者の拘束時間を必要最小限
に短縮することができる。

【００１３】また、搬送機構および真空予備室を予め設
定した規格に基づいて標準化しておけば、搬送機構およ
び真空予備室が完成していない時点においても、標準的
な搬送機構および真空予備室を用いて製造設備の搬送ラ
インに対する配置、および必要な調整作業を行うことが
できる。請求項２の真空処理装置であれば、前記搬送機
構として、複数の被処理体を保持する保持カセットを密
閉容器に収容した状態で搬送するものを採用し、前記真
空予備室として、１つずつの被処理体を搬送機構と搬送
室との間において授受させるものを採用し、密閉容器に
対する保持カセットの出し入れを行う出し入れ機構と、
出し入れ機構と真空予備室との間で１つずつの被処理体
を授受させる授受機構とをさらに含み、前記真空予備
室、出し入れ機構および授受機構が一体的に連結されて
いるものを採用しているので、請求項１の作用に加え、
搬送機構および真空予備室の取り扱いを簡単化できる。

【００１４】請求項３の真空処理装置であれば、前記出
し入れ機構および授受機構として、外部からの塵埃の侵
入を阻止するケーシング内に配置されているものを採用
しているので、請求項２の作用に加え、出し入れ機構お
よび授受機構をクリーンな環境に保持することができ、
被処理体に塵埃が付着するという不都合を未然に防止す
ることができる。

【００１５】請求項４の真空処理装置であれば、複数の
真空処理室と搬送室とを制御する第１コントローラをさ
らに有しているとともに、真空予備室を制御する第２コ
ントローラをさらに有しており、第２コントローラとし
て、第１コントローラと接続されて真空予備室の制御を
行うとともに、第１コントローラと接続されていない状
態において、搬送機構に対して被処理体を供給する供給
機構を制御する第３コントローラとの間の信号授受を第
１コントローラに代わって行うものを採用しているの
で、請求項１から請求項３の何れかと同様の作用を達成
することができる。

【００１６】

【発明の実施の態様】以下、添付図面を参照しながら、
この発明の実施の態様を詳細に説明する。図１はこの発
明の真空処理装置を組み込んだ処理システムを概略的に
示す斜視図である。この処理システムは、半導体製造に
適用されるものであり、半導体製造装置１と、被処理体
である半導体ウェハーを搬送するための工程内搬送装置
２と、半導体製造装置１と工程内搬送装置２との間で半
導体ウェハーの授受を行わせるためのインターフェース
装置３とを有している。

【００１７】前記半導体製造装置１は、スパッタリン
グ、エッチングなどの処理を行うための複数の真空処理
室１ａと、真空処理室１ａどうしの間において半導体ウ
ェハーを授受させるための搬送室１ｂとを有している。
搬送室１ｂは、半導体ウェハーを所定角度だけ回転移動
させ、もしくは半径方向に進退させるための回転伸縮ア
ーム部材（図示せず）を有するものであり、真空処理室
１ａは、搬送室１ｂとの間に位置するゲート（図示せ
ず）を有しているとともに、スパッタリング、エッチン
グなどの処理を行うために必要な処理部（図示せず）を
有するものである。したがって、搬送室１ｂを通して順
次各真空処理室１ａに半導体ウェハーを搬送して半導体
の製造を行うことができる。なお、搬送室１ｂは、超高
真空（１０^-6Ｐａ以上の真空）に保持される。

【００１８】前記工程内搬送装置２は、図示しない工程
間搬送装置により搬送されてきて、図示しないストッカ
に保管された被処理集合体（例えば、複数の半導体ウェ
ハーを保持カセットにより保持したもの）を搬送する搬
送ライン（図示せず）を有しているとともに、搬送ライ
ンから被処理集合体４を受け取って一時的に保持する支
持台２ａと、支持台２ａと搬送ラインとの間および支持
台２ａとインターフェース装置３との間で被処理集合体
４の授受を行わせるためのロボット２ｂとを有してい
る。なお、搬送ラインとしては、無人搬送車、オーバー
ヘッドモノレールなどからなるものが例示できる。

【００１９】前記インターフェース装置３は、工程内搬
送装置２から受け取った被処理集合体４を一時的に保持
し、被処理集合体４から各被処理体４ａを分離し、各被
処理体４ａを順次搬送室１ｂに供給し、また、搬送室１
ｂから各被処理体４ａを受け取って被処理集合体４に組
み込み、工程内搬送装置２に供給するものである。図２
はインターフェース装置３を概略的に示す斜視図であ
り、ケーシング３ａの中央部に搬送ロボット３ｂを有し
ているとともに、搬送ロボット３ｂを中心として互いに
対称な位置に被処理集合体４の出し入れ、および位置決
めを行なうインデクサ３ｃを有している。そして、ケー
シング３ａの所定位置に、搬送室１ｂとの間で被処理体
４ａを１つずつ授受させるための１対の真空予備室３ｄ
を有している。さらに、ケーシング３ａの所定位置に、
ファンおよびフィルタを有するファン・フィルタユニッ
ト３ｅを設けて、ケーシング３ａ内に清浄な空気を供給
し、ケーシング３ａ内を清浄な環境に保持できるように
している。

【００２０】前記真空予備室３ｄは、図示しない真空ポ
ンプと連通されることにより、その内部を大気圧状態と
真空状態とに切り替えることができるよう構成されてい
る。ここで、大気圧状態は、ケーシング３ａ側と真空予
備室３ｄとの間で被処理体４ａを１つずつ授受させる状
態であり、真空状態は、真空予備室３ｄと搬送室１ｂと
の間で被処理体４ａを１つずつ授受させる状態であるか
ら、大気圧状態において真空予備室３ｄと搬送室１ｂと
の間を遮蔽する第１ゲートバルブ装置３ｆを設けてある
とともに、真空状態においてケーシング３ａ内部と真空
予備室３ｄとの間を遮蔽する第２ゲートバルブ装置３ｍ
を設けてある。なお、真空予備室３ｄは高真空（〜１０
^-5Ｐａ程度の真空）に保持される。

【００２１】図３は第１ゲートバルブ装置３ｆの構成の
一例を示す縦断面図であり、真空予備室３ｄに対して一
体的に接続されているとともに、ボルトなど３ｈによっ
て搬送室１ｂに対して取り外し可能に接続されている。
この第１ゲートバルブ装置３ｆは、真空予備室３ｄと搬
送室１ｂとの間で授受される被処理体４ａの通過を許容
する空間３ｊを有しているとともに、この空間３ｊを遮
蔽すべく動作させられるゲートバルブ３ｋを有してい
る。ただし、搬送室１ｂに対して一体的に接続されてい
るとともに、ボルトなどによって真空予備室３ｄに対し
て取り外し可能に接続されるゲートバルブ装置を採用し
てもよいことはもちろんである。これらの何れの場合に
おいても、第１ゲートバルブ装置３ｆを接続する前の状
態においては、第１ゲートバルブ装置３ｆが接続されて
いない側には図示しない盲フランジを取り外し可能に取
り付けておくことが好ましく、塵埃の侵入を防止するこ
とができる。

【００２２】図４は第２ゲートバルブ装置３ｍの構成の
一例を示す縦断面図であり、真空予備室３ｄに対して一
体的に接続されているとともに、ボルトなど３ｎによっ
てケーシング３ａに対して取り外し可能に接続されてい
る。この第２ゲートバルブ装置３ｍは、真空予備室３ｄ
とケーシング３ａとの間で授受される被処理体４ａの通
過を許容する空間３ｐを有しているとともに、この空間
３ｐを遮蔽すべく動作させられるゲートバルブ３ｑを有
し、しかもゲートバルブ３ｑに対して一体的に接続され
たベローズ３ｒを有している。ただし、ケーシング３ａ
に対して一体的に接続されているとともに、ボルトなど
によって真空予備室３ｄに対して取り外し可能に接続さ
れるゲートバルブ装置を採用してもよいことはもちろん
である。これらの何れの場合においても、第２ゲートバ
ルブ装置３ｍを接続する前の状態においては、第２ゲー
トバルブ装置３ｍが接続されていない側には図示しない
盲フランジを取り外し可能に取り付けておくことが好ま
しく、塵埃の侵入を防止することができる。

【００２３】ただし、第１ゲートバルブ装置３ｆと第２
ゲートバルブ装置３ｍとは選択的に採用されることが好
ましく、ゲートバルブ装置が設けられた側において真空
予備室３ｄが対応する部分に対して取り外し可能に接続
されることになる。また、この実施態様の処理システム
において適用可能な被処理集合体４としては、複数の被
処理体４ａをカセット４ｂに出し入れ可能に収容してな
るものであってもよく、また、複数の被処理体４ａをカ
セット４ｂに出し入れ可能に収容し、このカセット４ｂ
を塵埃の侵入を防止するクリーンボックス４ｃに取り出
し可能に収容してなるものであってもよい。そして、後
者の構成の被処理集合体４を採用した場合には、インデ
クサ３ｃとして、クリーンボックス４ｃに対してカセッ
ト４ｂを出し入れする機能をも有するものを採用すれば
よい。さらに、複数の被処理体４ａをカセット４ｂに出
し入れ可能に収容し、このカセット４ｂを塵埃の侵入を
防止するクリーンボックス４ｃに収容し、クリーンボッ
クス４ｃの扉を開いて被処理集合体４をカセット４ｂに
対して出し入れできるように構成してなるものを採用し
てもよい。

【００２４】上記の構成の処理システムの作用は次のと
おりである。図５は、半導体製造装置１、工程内搬送装
置２、およびインターフェース装置３の間における被処
理体４ａの流れを説明する図である。なお、図５におい
ては、被処理集合体４をクリーンボックスとして示し、
各被処理体４ａをウェハとして示し、真空予備室３ｄを
枚葉ロードロックとして示し、搬送室１ｂをＣＴコアと
して示している。また、図５には、ウェハの方向を合わ
せるアライナ、ウェハに記載されたＩＤ情報を読み取る
ＩＤ読み取り装置が示されている。ただし、アライナお
よびＩＤ読み取り装置は省略することが可能である。ま
た、図６および図７はインターフェース装置３における
ウェハ搬入処理およびウェハ搬出処理を説明するフロー
チャートである。

【００２５】図５および図６から明らかなように、工程
内搬送装置２から供給されたクリーンボックスは一方の
インデクサ３ｃに導かれ、カセットの取り出し、および
位置決めが行われる（図６のステップＳＰ１参照）。そ
して、搬送ロボット３ｂによってカセットからウェハを
１枚ずつ取り出して（図６のステップＳＰ２参照）、オ
プション処理の有無を判定する（図６のステップＳＰ３
参照）。オプション処理があると判定された場合には、
取り出したウェハをＩＤ読み取り装置に供給し、ウェハ
に記載されたＩＤ情報を読み取る（図６のステップＳＰ
４、ＳＰ５参照）。ＩＤ情報が読み取られたウェハはア
ライナに導かれることにより方向合わせが行われる（図
６のステップＳＰ５参照）。次いで、オプション処理が
行われて方向合わせが行われたウェハ、またはオプショ
ン処理が行われなかったウェハは搬送ロボット３ｂによ
って一方の枚葉ロードロックに供給される（図６のステ
ップＳＰ６参照）。この時点においては、枚葉ロードロ
ックとＣＴコアとの間が第１ゲートバルブ装置３ｆによ
って遮蔽されている。また、ケーシング３ａ内部と枚葉
ロードロックとの間は連通されている。そして、ウェハ
が枚葉ロードロックに供給されたことに応答して、ケー
シング３ａ内部と枚葉ロードロックとの間を第２ゲート
バルブ装置３ｎにより遮蔽する。この状態で図示しない
真空ポンプを動作させることにより、枚葉ロードロック
をＣＴコアと同程度の高真空状態にする。その後、第１
ゲートバルブ装置３ｆによる枚葉ロードロックとＣＴコ
アとの間の遮蔽を解除し、回転伸縮アーム部材によって
枚葉ロードロック内のウェハをＣＴコア内に取り込む。

【００２６】ＣＴコア内に取り込まれたウェハは、回転
伸縮アーム部材によって順次真空処理室１ａに供給さ
れ、必要な真空処理が行われる。必要な全ての真空処理
が行われたウェハは、前記と逆に、図７に示すように、
他方の枚葉ロードロック、他方のインデクサ３ｃを通し
てカセットに収容され、このカセットがクリーンボック
スに収容され、その後、工程内搬送装置２に供給され
る。

【００２７】なお、以上には、ウェハが一方の枚葉ロー
ドロックを通してＣＴコアに取り込まれ、他方の枚葉ロ
ードロックを通してＣＴコアから取り出される場合につ
いて説明したが、双方の枚葉ロードロックを通してウェ
ハの取り込み、および取り出しを行なわせることが可能
であるほか、枚葉ロードロックを１つだけにして構成を
簡素化することが可能である。

【００２８】また、特には図示していないが、工程内搬
送装置２によりウェハが１枚ずつ供給される場合にも簡
単に対処することができる。図８は枚葉ロードロックを
通してウェハの取り込み、取り出しを行なわせる状態を
概略的に示す縦断面図である。図８から明らかなよう
に、枚葉ロードロックの内容積は、１枚のウェハを通過
させるために必要十分な内容積であればよく、カセット
ごと収容する従来のカセットロードロックと比較して内
表面積を著しく小さくすることができる。また、内表面
積を著しく小さくしたことに伴って、大気圧状態から真
空状態にする場合の所要時間を大幅に短縮することがで
きる。また、枚葉ロードロックを採用した場合には、ウ
ェハの取り込み、取り出しを行なう毎に大気圧状態と真
空状態との切り替えが必要であるが、両枚葉ロードロッ
クを交互に用いてウェハの取り込み、および取り出しを
行なうようにすれば、一方の枚葉ロードロックを通して
ウェハの取り込み、取り出しを行っている間に他方の枚
葉ロードロックにおける大気圧状態と真空状態との切り
替えを行なうことができるのであるから、ウェハ１枚当
たりの所要時間が長くなることはない。この結果、大気
圧状態から真空状態にする場合の所要時間の大幅な相違
に起因して、全体としての所要時間を大幅に短縮するこ
とができる。

【００２９】なお、以上には、真空予備室３ｄとして枚
葉ロードロックを採用した場合を説明したが、枚葉ロー
ドロックに代えて、内部に複数枚（２〜３枚程度）のウ
ェハを収容できるロードロックを採用すること、多数枚
のウェハをカセットごと収容するカセットロードロック
を採用することが可能である。また、複数の真空処理室
１ａと搬送室１ｂとを制御する第１コントローラをさら
に有しているとともに、真空予備室３ｄを制御する第２
コントローラをさらに有しており、第２コントローラと
して、第１コントローラと接続されて真空予備室３ｄの
制御を行うとともに、第１コントローラと接続されてい
ない状態において、搬送機構３に対して被処理体を供給
する供給機構（工程内搬送装置など）２を制御する第３
コントローラとの間の信号授受を第１コントローラに代
わって行うものを採用している。

【００３０】次いで、真空処理装置を含む製造設備の立
ち上げ時の処理を説明する。製造設備の立ち上げ時に
は、工程内搬送装置（例えば、無人搬送車、オーバーヘ
ッドモノレールなど）２が最初に設置される。したがっ
て、半導体製造装置１が納入される前であっても、工程
内搬送装置２の所定位置に対応させてインターフェース
装置３を設置し（図９参照）、工程内搬送装置２を動作
させながら各インターフェース装置３との間での被処理
集合体（例えば、クリーンボックス）４の授受を行なわ
せながら、授受がスムーズに行なわれるか否かの確認、
および必要な調整を行なうことができる。この結果、半
導体製造装置１が納入される前において工程内搬送装置
２の自動設備立ち上げを達成することができる。

【００３１】工程内搬送装置２の自動設備立ち上げが行
われた後に、半導体製造装置１が納入された場合には、
既に設置されているインターフェース装置３に対して納
入された半導体製造装置１を接続し（図１０、図１１参
照）、インターフェース装置３と半導体製造装置１との
間において被処理体（例えば、ウェハ）４ａの授受を行
なわせながら、授受がスムーズに行なわれるか否かの確
認、および必要な調整を行なうことができる。なお、図
１０は第１ゲートバルブ装置３ｆを採用した場合を示
し、図１１は第２ゲートバルブ装置３ｎを採用した場合
を示している。

【００３２】以上の説明から明らかなように、半導体製
造装置１の全てもしくは一部が納入されていない状態で
あっても工程内搬送装置２の自動設備立ち上げを達成す
ることができ、その後は、半導体製造装置１が納入され
る都度もしくは全ての半導体製造装置１が納入された時
点で半導体製造装置１の立ち上げ作業を行なうことがで
きるので、全ての半導体製造装置、および工程内搬送装
置が搬入されてから始めて立ち上げ作業を行なっていた
従来の製造設備と比較して立ち上げ工期を短縮できると
ともに、それぞれの動作確認および調整を行なう作業者
の拘束期間を大幅に短縮することができる。

【００３３】また、このように半導体製造装置１とイン
ターフェース装置３とを分離可能としても、第１搬送室
１ｂと真空予備室３ｄとの接続を第１ゲートバルブ装置
３ｆを介在させて達成するようにしているので、両者の
接続部における真空漏れを確実に防止でき、何ら不都合
なく半導体の製造を達成することができる。

【００３４】

【発明の効果】請求項１の発明は、真空処理装置の全体
が完成していなくても、搬送機構および第２搬送室のみ
が完成した時点で、製造設備の搬送ラインに対する配
置、および必要な調整作業を行うことができ、搬送ライ
ンの調整を行う作業者の拘束時間を必要最小限に短縮す
ることができるという特有の効果を奏する。

【００３５】請求項２の発明は、請求項１の効果に加
え、搬送機構および真空予備室の取り扱いを簡単化でき
るという特有の効果を奏する。請求項３の発明は、請求
項２の効果に加え、出し入れ機構および授受機構をクリ
ーンな環境に保持することができ、被処理体に塵埃が付
着するという不都合を未然に防止することができるとい
う特有の効果を奏する。

【００３６】請求項４の発明は、請求項１から請求項３
の何れかと同様の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の真空処理装置を組み込んだ処理シス
テムを概略的に示す斜視図である。

【図２】インターフェース装置を概略的に示す斜視図で
ある。

【図３】第１ゲートバルブ装置の構成の一例を示す縦断
面図である。

【図４】第２ゲートバルブ装置の構成の一例を示す縦断
面図である。

【図５】半導体製造装置、工程内搬送装置、およびイン
ターフェース装置の間における被処理体の流れを説明す
る図である。

【図６】インターフェース装置におけるウェハ搬入処理
を説明するフローチャートである。

【図７】インターフェース装置におけるウェハ搬出処理
を説明するフローチャートである。

【図８】枚葉ロードロックを通してウェハの取り込み、
取り出しを行なわせる状態を概略的に示す縦断面図であ
る。

【図９】工程内搬送装置の立ち上げを説明する概略図で
ある。

【図１０】半導体製造装置の立ち上げの一例を説明する
概略図である。

【図１１】半導体製造装置の立ち上げの他の例を説明す
る概略図である。

【符号の説明】

１ａ 真空処理室 １ｂ 搬送室 ３ インターフェース装置 ３ａ ケーシング ３ｂ 搬送ロボット ３ｃ インデクサ ３ｄ 真空予備室 ４ａ 被処理体 ４ｂ カセット ４ｃ クリーンボックス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別當 譲 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者 田口 英治 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の真空処理室（１ａ）と、これらの
   真空処理室（１ａ）に対して超高真空下で被処理体（４
   ａ）の搬送を行う搬送室（１ｂ）と、大気圧下において
   被処理体（４ａ）の搬送を行う搬送機構（３）と、搬送
   機構（３）と搬送室（１ｂ）との間において被処理体
   （４ａ）の授受を行わせる真空予備室（３ｄ）とを含む
   真空処理装置において、 前記真空予備室（３ｄ）が搬送室（１ｂ）に対して取り
   外し可能に連結されていることを特徴とする真空処理装
   置。
2. 【請求項２】 前記搬送機構（３）は、複数の被処理体
   （４ａ）を保持する保持カセット（４ｂ）を密閉容器
   （４ｃ）に収容した状態で搬送するものであり、前記真
   空予備室（３ｄ）は、１つずつの被処理体（４ａ）を搬
   送機構（３）と搬送室（１ｂ）との間において授受させ
   るものであり、 密閉容器（４ｃ）に対する保持カセット（４ｂ）の出し
   入れを行う出し入れ機構（３ｃ）と、出し入れ機構（３
   ｃ）と真空予備室（３ｄ）との間で１つずつの被処理体
   （４ａ）を授受させる授受機構（３ｂ）とをさらに含
   み、 前記真空予備室（３ｄ）、出し入れ機構（３ｃ）および
   授受機構（３ｂ）が一体的に連結されている請求項１に
   記載の真空処理装置。
3. 【請求項３】 前記出し入れ機構（３ｃ）および授受機
   構（３ｂ）は、外部からの塵埃の侵入を阻止するケーシ
   ング（３ａ）内に配置されている請求項２に記載の真空
   処理装置。
4. 【請求項４】 複数の真空処理室（１ａ）と搬送室（１
   ｂ）とを制御する第１コントローラをさらに有している
   とともに、真空予備室（３ｄ）を制御する第２コントロ
   ーラをさらに有しており、第２コントローラは、第１コ
   ントローラと接続されて真空予備室（３ｄ）の制御を行
   うとともに、第１コントローラと接続されていない状態
   において、搬送機構（３）に対して被処理体を供給する
   供給機構（２）を制御する第３コントローラとの間の信
   号授受を第１コントローラに代わって行うものである請
   求項１から請求項３の何れかに記載の真空処理装置。