JPH10187359A - System for storing data and method for transferring data applied to the same system - Google Patents

System for storing data and method for transferring data applied to the same system

Info

Publication number
JPH10187359A
JPH10187359A JP34896196A JP34896196A JPH10187359A JP H10187359 A JPH10187359 A JP H10187359A JP 34896196 A JP34896196 A JP 34896196A JP 34896196 A JP34896196 A JP 34896196A JP H10187359 A JPH10187359 A JP H10187359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
bus
transfer
buffer memory
memory means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP34896196A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3688835B2 (en
Inventor
Hiroshi Sukegawa
博 助川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP34896196A priority Critical patent/JP3688835B2/en
Publication of JPH10187359A publication Critical patent/JPH10187359A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3688835B2 publication Critical patent/JP3688835B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Memory System (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Bus Control (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize data transfer independent for each flash EEPROM by providing a data bus for each flash EEPROM in a system using a semiconductor disk device. SOLUTION: A data storage system using a semiconductor disk device constituted of flash EEPROM is provided with data buses A and B provided for each flash memory 2A and 2B, and a controller 4 connected with each bus A and B for controlling the transfer of input and output data for each flash memory 2A and 2B. Thus, the controller 4 can transfer the input and output data independently for each flash memory 2A and 2B so that an average transferring speed especially at the time of a data writing operation can be quickened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータシス
テムに適用し、フラッシュEEPROMから構成される
半導体ディスク装置を使用したデータ記憶システムに関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data storage system applied to a computer system and using a semiconductor disk device composed of a flash EEPROM.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、コンピュータシステムでは、メイ
ンメモリとは異なり、電源遮断時にデータの保存を維持
し、かつ大容量のデータ保存機能を有する外部記憶装置
が必要不可欠な構成要素になっている。この外部記憶装
置として、磁気ディスク装置や光ディスク装置等と比較
して、高速アクセスの可能なフラッシュEEPROM
(フラッシュメモリ)から構成される半導体ディスク装
置が注目されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a computer system, unlike a main memory, an external storage device which retains data when power is turned off and has a large-capacity data storage function is an essential component. As this external storage device, a flash EEPROM that can be accessed at a higher speed than a magnetic disk device or an optical disk device, etc.
(Semiconductor disk devices) composed of (flash memories) are attracting attention.

【0003】半導体ディスク装置は、概略的には複数の
フラッシュEEPROMのメモリチップと、コントロー
ラと、バッファRAMとからなる。コントローラは、ホ
ストシステムと各フラッシュEEPROMとのインター
フェースであり、ホストシステムのアクセス要求に応じ
て各フラッシュEEPROMのリード/ライト制御を実
行する。バッファRAMは、ホストシステムとコントロ
ーラとのデータ転送を行なうためのバッファメモリであ
り、ホストシステムから転送されたライトデータを格納
し、また各フラッシュEEPROMから読出されたリー
ドデータを格納する。
A semiconductor disk device generally includes a plurality of flash EEPROM memory chips, a controller, and a buffer RAM. The controller is an interface between the host system and each flash EEPROM, and executes read / write control of each flash EEPROM in response to an access request from the host system. The buffer RAM is a buffer memory for transferring data between the host system and the controller, and stores the write data transferred from the host system and the read data read from each flash EEPROM.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前述したように、半導
体ディスク装置では、コントローラがホストシステムと
各フラッシュEEPROMとのインターフェースを構成
し、入出力データ(リード/ライトデータ)の転送を制
御する方式である。ところで、コントローラと各フラッ
シュEEPROMとの間のデータ転送は、通常では1本
のデータバスにより行なわれている。
As described above, in the semiconductor disk device, the controller forms an interface between the host system and each flash EEPROM and controls the transfer of input / output data (read / write data). is there. Incidentally, data transfer between the controller and each flash EEPROM is normally performed by one data bus.

【0005】フラッシュEEPROMは、データの読出
し動作に対して書込み動作(消去動作も含む)が低速で
ある。このため、特にデータの書込み動作時に、1本の
データバスによるデータ転送では、各フラッシュEEP
ROMを連続的にアクセスする際の処理効率が著しく低
下する。
In a flash EEPROM, a writing operation (including an erasing operation) is slower than a data reading operation. For this reason, especially during data write operation, in data transfer by one data bus, each flash EEP
The processing efficiency when accessing the ROM continuously decreases remarkably.

【0006】そこで、本発明の目的は、半導体ディスク
装置を使用したシステムにおいて、各フラッシュEEP
ROM毎または複数のフラッシュEEPROMからなる
グループ毎にデータバスを設けて、各フラッシュEEP
ROM毎のデータ転送を可能にして、特にデータ書込み
動作時のアクセス処理の効率を向上させることにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a flash EEP in a system using a semiconductor disk device.
A data bus is provided for each ROM or each group of a plurality of flash EEPROMs, and each flash EEPROM is provided with a data bus.
An object of the present invention is to make it possible to transfer data for each ROM and to improve the efficiency of access processing particularly during a data write operation.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、フラッシュE
EPROMから構成される半導体ディスク装置を使用し
たデータ記憶システムにおいて、例えば1グループが複
数のフラッシュEEPROMからなる場合に、各グルー
プ毎に設けられた複数のデータバスと、この各データバ
スに接続されて各フラッシュEEPROM毎に入出力デ
ータの転送を制御するためのコントローラとを備えたシ
ステムである。このような構成により、コントローラは
各フラッシュEEPROM毎に独立して、入出力データ
の転送を行なうことができるため、特にデータ書込み動
作におけるアクセス効率を向上させることができる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a flash E
In a data storage system using a semiconductor disk device composed of an EPROM, for example, when one group is composed of a plurality of flash EEPROMs, a plurality of data buses provided for each group and a plurality of data buses connected to each data bus are provided. This is a system including a controller for controlling transfer of input / output data for each flash EEPROM. With such a configuration, the controller can transfer input / output data independently for each flash EEPROM, so that access efficiency particularly in a data write operation can be improved.

【0008】さらに、本発明は、コントローラとバッフ
ァメモリ(バッファRAM)とは1本のバスにより接続
された構成を想定している。バッファメモリは、ホスト
システムから転送されたデータ(ライトデータ)および
コントローラから転送された各フラッシュEEPROM
から読出されたデータ(リードデータ)を格納する。コ
ントローラは、データ書込み動作時に、各フラッシュE
EPROM毎のデータバスに独立にデータ転送を実行す
るが、バッファメモリからは1本のバスによるデータ転
送を制御する必要がある。
Further, the present invention assumes a configuration in which the controller and the buffer memory (buffer RAM) are connected by one bus. The buffer memory includes data (write data) transferred from the host system and each flash EEPROM transferred from the controller.
The data (read data) read from the memory is stored. At the time of data write operation, the controller
Data transfer is performed independently on the data bus of each EPROM, but it is necessary to control data transfer from the buffer memory via one bus.

【0009】そこで、本発明のコントローラは、各デー
タバス毎に第1と第2のレジスタを組みとするバス用レ
ジスタを有し、各データバス手段毎のデータ転送要求に
応じてバッファメモリに接続された1本のバスを時分割
転送によるバスアービトレーションを実行する手段を有
する。このとき、各データバス毎に設けられた第1と第
2のレジスタを交互に使用して、データバスに対するデ
ータ転送制御を実行する。これにより、データ書込み動
作時に、各フラッシュEEPROMに対する独立したデ
ータ転送と共に、バッファメモリからは時分割転送制御
によるデータ転送を実現して、データ転送効率を向上さ
せて結果的にデータ書込み動作時のアクセス処理の効率
を高めることが可能となる。
Therefore, the controller of the present invention has a bus register in which the first and second registers are combined for each data bus, and connects to the buffer memory in response to a data transfer request for each data bus means. Means for executing bus arbitration by time-division transfer on one of the selected buses. At this time, the data transfer control for the data bus is executed by using the first and second registers provided for each data bus alternately. Thus, at the time of data write operation, independent data transfer to each flash EEPROM and time-division transfer control data transfer from the buffer memory are realized, thereby improving data transfer efficiency and consequently providing access during data write operation. Processing efficiency can be improved.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を説明する。図1は本発明の実施形態に関係する
半導体ディスク装置の要部を示すブロック図である。 (システム構成)本実施形態の半導体ディスク装置1は
大別して、図1に示すように、フラッシュEEPROM
(以下フラッシュメモリと称する)2A,2Bと、コン
トローラ(ディスクコントローラ)4と、バッファRA
M(バッファメモリ)8とを有する。ここで、各フラッ
シュメモリ2A,2Bはそれぞれ、1グループが複数の
フラッシュEEPROMからなる場合にグループ単位の
メモリチップからなる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a main part of a semiconductor disk device according to an embodiment of the present invention. (System Configuration) The semiconductor disk device 1 of the present embodiment is roughly classified as shown in FIG.
(Hereinafter referred to as flash memories) 2A and 2B, a controller (disk controller) 4, and a buffer RA
M (buffer memory) 8. Here, each of the flash memories 2A and 2B includes a group of memory chips when one group includes a plurality of flash EEPROMs.

【0011】各フラッシュメモリ2A,2BはEEPR
OMのメモリセル以外に、データレジスタ12A,12
Bを有し、このデータレジスタ12A,12Bをバッフ
ァとして入出力データ(I/O)の転送を行なう。各フ
ラッシュメモリ2A,2Bは、リードアクセスまたはラ
イトアクセスに応じてデータのリード/ライト時にはビ
ジィ(BUSY)信号を出力し、またリード/ライトが
可能であればレディ(READY)信号を出力する(R
/B信号)。さらに、本発明では、入出力データを転送
するためのデータバス3として、各フラッシュメモリ2
A,2B毎のデータバスA,Bが設けられている。
Each of the flash memories 2A and 2B has an EEPR
In addition to the OM memory cells, the data registers 12A, 12A
B, and input / output data (I / O) is transferred using the data registers 12A and 12B as buffers. Each of the flash memories 2A and 2B outputs a busy (BUSY) signal at the time of data read / write in response to a read access or a write access, and outputs a ready (READY) signal if the read / write is possible (R
/ B signal). Further, in the present invention, each flash memory 2 is used as a data bus 3 for transferring input / output data.
Data buses A and B are provided for each of A and 2B.

【0012】コントローラ4は大別して、データ転送ブ
ロック5と、マイクロプロセッサ(MPU)ブロック6
と、ホストシステムとのインターフェース7とから構成
されている。データ転送ブロック5は、MPUブロック
(以下単にMPUと称する)6からの制御により、バッ
ファRAM8と各フラッシュメモリ2A,2Bとのデー
タ転送を実行する。このデータ転送動作に必要な制御信
号(R/B信号やチップセレクト信号CEなど)を各フ
ラッシュメモリ2A,2Bとの間で交換する。さらに、
データ転送ブロック5は、前記のように、各フラッシュ
メモリ2A,2Bとはそれぞれ専用のデータバスA,B
を介して、入出力データ(リード/ライトデータ)の転
送(シリアルデータ転送)を行なう。また、データ転送
ブロック5は、後述するように、1本のバス9を介して
バッファRAM8とのデータ転送を行なう。
The controller 4 is roughly divided into a data transfer block 5 and a microprocessor (MPU) block 6
And an interface 7 with the host system. The data transfer block 5 executes data transfer between the buffer RAM 8 and each of the flash memories 2A and 2B under the control of an MPU block (hereinafter simply referred to as MPU) 6. Control signals (such as an R / B signal and a chip select signal CE) necessary for this data transfer operation are exchanged between the flash memories 2A and 2B. further,
As described above, the data transfer block 5 has dedicated data buses A and B with the flash memories 2A and 2B, respectively.
, Input / output data (read / write data) is transferred (serial data transfer). The data transfer block 5 performs data transfer with the buffer RAM 8 via one bus 9 as described later.

【0013】MPU6は半導体ディスク装置1のメイン
制御装置であり、図示しないROMに格納されたプログ
ラムを実行することにより、ホストシステムのリード/
ライトコマンド処理などの各種の制御動作を実行する
(プログラムと共にファームウェアとも呼ばれる)。具
体的には、MPU6はホストシステムからのアクセス要
求に応じて、データ転送ブロック5、インターフェース
7、バッファRAM8を制御して、ホストシステムとの
データ転送を制御する。インターフェース7は、ホスト
システムから転送されたデータをバッファRAM8に転
送し、またデータ転送ブロック5によりバッファRAM
8に格納されたデータをホストシステムに転送する。
The MPU 6 is a main control device of the semiconductor disk device 1 and executes a program stored in a ROM (not shown) to read / write data from / to the host system.
Performs various control operations such as write command processing (also called firmware together with programs). Specifically, the MPU 6 controls the data transfer block 5, the interface 7, and the buffer RAM 8 in response to an access request from the host system to control data transfer with the host system. The interface 7 transfers data transferred from the host system to the buffer RAM 8, and the data transfer block 5
8 is transferred to the host system.

【0014】ホストシステムは、外部バスを介して半導
体ディスク装置1などの周辺デバイスと接続されるコン
ピュータ本体であり、ここでは半導体ディスク装置1を
外部記憶装置の周辺デバイスとして使用する場合を想定
している。 (本実施形態のデータ転送動作)前述のようなシステム
構成において、コントローラ4では、データ転送ブロッ
ク5がMPU6の指示に従って、バッファRAM8と各
フラッシュメモリ2A,2Bとの間のデータ転送を実行
する。ここで、フラッシュメモリ2A,2Bは便宜的に
2個のメモリチップであると想定する。
The host system is a computer main unit connected to a peripheral device such as the semiconductor disk device 1 via an external bus. Here, it is assumed that the semiconductor disk device 1 is used as a peripheral device of an external storage device. I have. (Data transfer operation of the present embodiment) In the system configuration as described above, in the controller 4, the data transfer block 5 executes data transfer between the buffer RAM 8 and each of the flash memories 2A and 2B according to the instruction of the MPU 6. Here, it is assumed that the flash memories 2A and 2B are two memory chips for convenience.

【0015】本実施形態では、コントローラ4は、専用
のデータバスA,Bを介して、フラッシュメモリ2A,
2Bとはそれぞれ独立してデータ転送を実行する。ここ
で、データ転送ブロック5は、図2に示すように、デー
タ転送動作に必要なレジスタ群を有する。レジスタ群
は、データバスA,B毎に設けられており、それぞれバ
ッファRAM8側のデータ開始アドレス用レジスタ20
A,20B、フラッシュメモリ側のデータ開始アドレス
用レジスタ21A,21B、データ転送方向の指示用レ
ジスタ22A,22B、データ転送監視用レジスタ23
A,23Bが含まれている。データ転送監視用レジスタ
23A,23Bは、データ転送状態(動作中または終
了)を認識するためのフラグ情報を保持するレジスタで
ある。
In this embodiment, the controller 4 communicates with the flash memories 2A, 2A via dedicated data buses A, B.
Data transfer is performed independently of 2B. Here, as shown in FIG. 2, the data transfer block 5 has a group of registers necessary for the data transfer operation. The register group is provided for each of the data buses A and B, and the data start address register 20 in the buffer RAM 8 is respectively provided.
A, 20B, data start address registers 21A, 21B on the flash memory side, data transfer direction instructing registers 22A, 22B, data transfer monitoring register 23
A, 23B. The data transfer monitoring registers 23A and 23B are registers that hold flag information for recognizing a data transfer state (operating or ended).

【0016】MPU6は、これらのレジスタ群にアドレ
ス、方向の指示、データ転送状態のフラグの各制御情報
をセットし、かつセットした各制御情報を参照すること
によりデータ転送制御を実行する。即ち、データ転送ブ
ロック5は、データバスA,B毎に設けられたレジスタ
群を介したMPU6の制御により、データバスA,Bに
対して相互に干渉することなく、それぞれ独立してデー
タ転送を行なう。
The MPU 6 sets control information such as an address, a direction instruction, and a data transfer state flag in these registers, and executes data transfer control by referring to the set control information. In other words, the data transfer block 5 independently transfers data without interfering with the data buses A and B under the control of the MPU 6 through the register group provided for each of the data buses A and B. Do.

【0017】ここで、フラッシュメモリ2A,2Bの各
データバスA,Bは通常では8ビットのバスであるのに
対して、バッファRAM8のバス9は2倍の16ビット
のバスである。従って、各データバスA,Bはそれぞ
れ、バッファRAM8のバス9に対して同じサイクルで
動作すれば2倍の転送速度差となる。また、前述したよ
うに、フラッシュメモリ2A,2Bに対するデータ書込
み動作時のデータ転送速度は低速であるため、前記速度
差はデータ書込み動作時のデータ転送平均速度差はさら
に大きくなる。
The data buses A and B of the flash memories 2A and 2B are usually 8-bit buses, whereas the bus 9 of the buffer RAM 8 is a double 16-bit bus. Therefore, if each of the data buses A and B operates in the same cycle with respect to the bus 9 of the buffer RAM 8, the transfer speed difference becomes twice. Further, as described above, since the data transfer speed in the data write operation to the flash memories 2A and 2B is low, the speed difference further increases the data transfer average speed difference in the data write operation.

【0018】そこで、本実施形態は、フラッシュメモリ
2A,2B毎に専用に設けられたデータバスA,Bによ
り、それぞれ独立したデータ転送動作を実行する。これ
により、従来のように1本のデータバスの場合と比較し
て、フラッシュメモリ2A,2Bのデータ転送速度を高
速化することができる。特に、フラッシュメモリ2A,
2Bに対するデータ書込み動作時(ライトアクセス時)
では、従来ではバッファRAM8のバス9の転送速度に
対するデータ転送平均速度差をかなり縮小することが可
能である。 (バッファRAMのバスアービトレーション)前述した
ように、本実施形態によればフラッシュメモリ2A,2
B毎に専用に設けられたデータバスA,Bにより、それ
ぞれ独立したデータ転送が可能であるため、特にデータ
書込み動作時にデータ転送ブロック5とフラッシュメモ
リ2A,2Bとのデータ転送速度を高速化することがで
きる。
In this embodiment, independent data transfer operations are performed by the data buses A and B provided exclusively for the flash memories 2A and 2B. Thus, the data transfer speed of the flash memories 2A and 2B can be increased as compared with the case of a single data bus as in the related art. In particular, the flash memory 2A,
Data write operation to 2B (write access)
In the prior art, it is possible to considerably reduce the difference in average data transfer speed with respect to the transfer speed of the bus 9 of the buffer RAM 8. (Bus Arbitration of Buffer RAM) As described above, according to the present embodiment, the flash memories 2A, 2A
Data buses A and B provided exclusively for each B enable independent data transfer. Therefore, the data transfer speed between the data transfer block 5 and the flash memories 2A and 2B is particularly increased during a data write operation. be able to.

【0019】ところで、データ書込み動作時には、デー
タ転送ブロック5は、バッファRAM8からライトデー
タを転送して、フラッシュメモリ2A,2Bに転送す
る。バッファRAM8は、通常では1本のバス9により
データ転送ブロック5に接続されている。従って、MP
U6は、データバスA,Bに独立してデータを転送する
場合に、それらのデータを同一のバス9によりバッファ
RAM8から転送するため、バス9上の干渉を回避する
ためのバスアービトレーション(バス調停機能)を行な
う必要がある。
During a data write operation, the data transfer block 5 transfers write data from the buffer RAM 8 and transfers the write data to the flash memories 2A and 2B. The buffer RAM 8 is normally connected to the data transfer block 5 by one bus 9. Therefore, MP
When transferring data independently to the data buses A and B, U6 transfers the data from the buffer RAM 8 via the same bus 9, so that bus arbitration (bus arbitration) for avoiding interference on the bus 9 is performed. Function).

【0020】以下、図3の概念図、図4のタイミングチ
ャート、および図5のフローチャートを参照して、本実
施形態のバッファRAM8側のバス9のデータ転送方式
を説明する。
The data transfer method of the bus 9 of the buffer RAM 8 according to the present embodiment will be described below with reference to the conceptual diagram of FIG. 3, the timing chart of FIG. 4, and the flowchart of FIG.

【0021】まず、本実施形態は、図3に示すように、
データ転送ブロック5は、データバスA,Bのそれぞれ
専用の第1と第2のレジスタを有する。データバスAに
対応する第1と第2のレジスタをそれぞれバスA0レジ
スタとバスA1レジスタとする。同様に、データバスB
に対応する第1と第2のレジスタをそれぞれバスB0レ
ジスタとバスB1レジスタとする。各レジスタはいずれ
も例えば16ワードである。
First, in the present embodiment, as shown in FIG.
The data transfer block 5 has first and second registers dedicated to the data buses A and B, respectively. The first and second registers corresponding to the data bus A are referred to as a bus A0 register and a bus A1 register, respectively. Similarly, data bus B
Are referred to as a bus B0 register and a bus B1 register, respectively. Each register is, for example, 16 words.

【0022】データ転送ブロック5は、仮にデータバス
Aの転送要求が発生すると、バス9の転送が可能であれ
ば、バッファRAM9からバスA0レジスタにデータの
転送を実行する(ステップS1〜S3)。次に、データ
バスAの転送要求に応じてバス9の転送が可能であれ
ば、バッファRAM9からバスA1レジスタにデータの
転送を実行する(ステップS4〜S6)。このとき、デ
ータ転送ブロック5は、バスA0レジスタに保持されて
いるデータをデータバスAに転送する(ステップS
7)。このような処理は、データバスBの転送要求がな
ければ、繰り返すことになる。即ち、バスA0レジスタ
とバスA1レジスタとを交互に使用して、バッファRA
M9から転送されたデータをデータバスAに転送する。
If a transfer request for the data bus A occurs, the data transfer block 5 transfers data from the buffer RAM 9 to the bus A0 register if the transfer on the bus 9 is possible (steps S1 to S3). Next, if the transfer on the bus 9 is possible in response to the transfer request on the data bus A, the data is transferred from the buffer RAM 9 to the bus A1 register (steps S4 to S6). At this time, the data transfer block 5 transfers the data held in the bus A0 register to the data bus A (Step S).
7). Such processing is repeated unless there is a transfer request for the data bus B. That is, the buffer RA is used by alternately using the bus A0 register and the bus A1 register.
The data transferred from M9 is transferred to data bus A.

【0023】一方、データバスBの転送要求が発生する
と、バス9の転送が可能であれば、バッファRAM9か
らバスB0レジスタにデータの転送を実行する(ステッ
プS8〜S10)。ここで、図4に示すように、バス9
の転送可能時間を時分割で2等分にして、転送可能時間
(yesで示す時間)に転送要求があれば、データ転送
が実行される。従って、次のデータバスBの転送要求が
発生したときに、バスBよう転送可能時間でない時間
(noで示す時間)であれば、バッファRAM9からバ
スB1レジスタへのデータ転送は実行されないことにな
る(ステップS11,S12のNO)。
On the other hand, when a transfer request for the data bus B occurs, if the transfer on the bus 9 is possible, the data is transferred from the buffer RAM 9 to the bus B0 register (steps S8 to S10). Here, as shown in FIG.
The transferable time is divided into two equal parts by time division, and if there is a transfer request in the transferable time (time indicated by yes), data transfer is executed. Therefore, when a transfer request for the next data bus B occurs, if the transfer time is not the transfer time as the bus B (the time indicated by no), the data transfer from the buffer RAM 9 to the bus B1 register will not be executed. (NO in steps S11 and S12).

【0024】要するに、図4のタイミングチャートに示
すように、2等分に時分割された転送可能時間(yes
の時間)に、各データバスA,Bの転送要求が発生すれ
ば、バッファRAM9からバスA0レジスタ、バスA1
レジスタ、バスB0レジスタ、バスB1レジスタのいず
かに転送されることになる。そして、データバスBも同
様に、バスB1レジスタにデータの転送が実行されたと
きに、データ転送ブロック5は、バスB0レジスタに保
持されているデータをデータバスBに転送する(ステッ
プS13,S14)。従って、バスB0レジスタとバス
B1レジスタとを交互に使用して、バッファRAM9か
ら転送されたデータをデータバスBに転送する。
In short, as shown in the timing chart of FIG. 4, the transferable time (yes) divided into two equal parts
), A transfer request for each of the data buses A and B is generated.
The data is transferred to one of the register, the bus B0 register, and the bus B1 register. Similarly, when data is transferred to the bus B1 register on the data bus B, the data transfer block 5 transfers the data held in the bus B0 register to the data bus B (steps S13 and S14). ). Therefore, the data transferred from the buffer RAM 9 is transferred to the data bus B by using the bus B0 register and the bus B1 register alternately.

【0025】以上のように本実施形態によれば、フラッ
シュメモリ2A,2B毎に専用に設けられたデータバス
A,Bにより、それぞれ独立したデータ転送動作を実行
することができる。従って、特にデータ書込み動作時に
おいて、フラッシュメモリ2A,2Bに対する平均転送
速度を高速化することができる。これにより、フラッシ
ュメモリ2A,2Bに対するアクセス効率を向上するこ
とができる。
As described above, according to the present embodiment, independent data transfer operations can be executed by the data buses A and B provided exclusively for the flash memories 2A and 2B. Therefore, the average transfer speed to the flash memories 2A and 2B can be increased particularly during the data write operation. Thereby, the access efficiency to the flash memories 2A and 2B can be improved.

【0026】ここで、バッファRAM8とのデータ転送
を1本のバス9に対して、各データバスA,B毎の時分
割転送によるバスアービトレーションを実行することに
より、各データバスA,Bから独立して転送要求が発生
した場合でも、バス9で干渉するような事態を防止し、
各データバスA,BにバッファRAM8からのデータを
確実に転送することができる。
Here, the data transfer to and from the buffer RAM 8 is performed on one bus 9 by executing bus arbitration by time division transfer for each of the data buses A and B, so that the data is independent from the data buses A and B. Even if a transfer request occurs, it prevents a situation where interference occurs on the bus 9,
Data from the buffer RAM 8 can be reliably transferred to each of the data buses A and B.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、半
導体ディスク装置を使用したシステムにおいて、各フラ
ッシュEEPROM毎にデータバスを設けて、各フラッ
シュEEPROM毎に独立したデータ転送を実現でき
る。従って、特にデータ書込み動作時に、各フラッシュ
EEPROMに対する平均転送速度を高速化して、アク
セス処理の効率を向上させることができる。
As described in detail above, according to the present invention, in a system using a semiconductor disk device, a data bus is provided for each flash EEPROM, and independent data transfer can be realized for each flash EEPROM. Therefore, particularly during a data write operation, the average transfer speed for each flash EEPROM can be increased, and the efficiency of access processing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に関係する半導体ディスク装
置の要部を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a main part of a semiconductor disk device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施形態に関係するコントローラの内部構成
を示す概念図。
FIG. 2 is an exemplary conceptual diagram showing the internal configuration of a controller related to the embodiment.

【図3】同実施形態に関係するコントローラの内部構成
を示す概念図。
FIG. 3 is an exemplary conceptual diagram showing the internal configuration of a controller related to the embodiment.

【図4】同実施形態に関係する動作を説明するためのタ
イミングチャート。
FIG. 4 is a timing chart for explaining an operation related to the embodiment.

【図5】同実施形態に関係する動作を説明するためのフ
ローチャート。
FIG. 5 is a flowchart for explaining an operation related to the embodiment;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体ディスク装置 2A,2B…フラッシュEEPROM(フラッシュメモ
リ) 3…データバス(データバスA,B) 4…コントローラ 5…データ転送ブロック 6…MPUブロック 7…インターフェース 8…バッファRAM 9…バス(バッファRAM側バス) 20A,20B…データ開始アドレス用レジスタ(バッ
ファRAM側) 21A,21B…データ開始アドレス用レジスタ(フラ
ッシュメモリ側) 22A,22B…データ転送方向の指示用レジスタ 23A,23B…データ転送監視用レジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor disk device 2A, 2B ... Flash EEPROM (flash memory) 3 ... Data bus (Data bus A, B) 4 ... Controller 5 ... Data transfer block 6 ... MPU block 7 ... Interface 8 ... Buffer RAM 9 ... Bus (buffer) RAM side bus) 20A, 20B ... data start address register (buffer RAM side) 21A, 21B ... data start address register (flash memory side) 22A, 22B ... data transfer direction instruction register 23A, 23B ... data transfer monitoring Register

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のフラッシュEEPROMから構成
される半導体ディスク装置を使用したデータ記憶システ
ムであって、 前記各フラッシュEEPROM毎に独立して設けられ
て、前記フラッシュEEPROMに対する入出力データ
の転送を行なうための複数のデータバス手段と、 前記各データバスに接続されて、ホストシステムからの
リード/ライト要求に応じて前記各フラッシュEEPR
OM毎にアクセス制御し、前記入出力データの転送を制
御するためのコントローラ手段とを具備したことを特徴
とするデータ記憶システム。
1. A data storage system using a semiconductor disk device composed of a plurality of flash EEPROMs, which is provided independently for each of the flash EEPROMs and transfers input / output data to and from the flash EEPROMs. And a plurality of data bus means connected to each of the data buses, and each of the flash EEPROMs in response to a read / write request from a host system.
A data storage system comprising: controller means for controlling access for each OM and controlling transfer of the input / output data.
【請求項2】 前記ホストシステムとの間でデータの転
送を行なうためのインターフェース手段を有し、 前記インターフェース手段を介して前記ホストシステム
から転送されたデータを格納し、また前記コントローラ
手段から転送されたデータを格納するバッファメモリ手
段を有し、 前記コントローラ手段は前記バッファメモリ手段と1本
のバスにより接続されて、前記バッファメモリ手段に格
納されたデータを指定の前記フラッシュEEPROMに
転送するように制御する手段を有することを特徴とする
請求項1記載のデータ記憶システム。
2. An interface means for transferring data to and from the host system, storing data transferred from the host system via the interface means, and transferring data from the controller means. Buffer memory means for storing the data stored therein, and the controller means is connected to the buffer memory means by a single bus so as to transfer the data stored in the buffer memory means to the designated flash EEPROM. The data storage system according to claim 1, further comprising a control unit.
【請求項3】 前記コントローラ手段はデータ転送を制
御するためのレジスタ群を有し、 レジスタ群はデータ転送開始アドレス、データ転送方
向、データ転送状態の監視の各レジスタを含み、かつ各
レジスタを前記各データバス手段毎に設けられているこ
とを特徴とする請求項1記載のデータ記憶システム。
3. The controller means has a register group for controlling data transfer. The register group includes registers for monitoring a data transfer start address, a data transfer direction, and a data transfer state. 2. The data storage system according to claim 1, wherein said data storage system is provided for each data bus means.
【請求項4】 複数のフラッシュEEPROMから構成
される半導体ディスク装置を使用したデータ記憶システ
ムであって、 前記各フラッシュEEPROM毎に独立して設けられ
て、前記フラッシュEEPROMに対する入出力データ
の転送を行なうための複数のデータバス手段と、 ホストシステムから転送された入力データまたは前記フ
ラッシュEEPROMから読出された出力データを一時
的に格納するためのバッファメモリ手段と、 前記各データバスを介して前記各フラッシュEEPRO
Mに接続されて、かつ1本のバスを介して前記バッファ
メモリ手段に接続されて、前記バッファメモリ手段と前
記各フラッシュEEPROMとの間の入出力データの転
送を実行するデータ転送手段と、 前記ホストシステムからのリード/ライトコマンドを処
理して、前記各フラッシュEEPROMに対するリード
/ライトアクセスを制御し、前記バッファメモリ手段と
前記データ転送手段とを制御して前記ホストシステムと
のデータ転送を制御するための制御手段とを具備したこ
とを特徴とするデータ記憶システム。
4. A data storage system using a semiconductor disk device composed of a plurality of flash EEPROMs, provided independently for each of said flash EEPROMs, for transferring input / output data to and from said flash EEPROMs. A plurality of data bus means, buffer memory means for temporarily storing input data transferred from a host system or output data read from the flash EEPROM, and each of the flash memories via each of the data buses. EEPRO
M, and a data transfer means connected to the buffer memory means via one bus to execute transfer of input / output data between the buffer memory means and each of the flash EEPROMs; A read / write command from the host system is processed to control read / write access to each of the flash EEPROMs, and controls the buffer memory means and the data transfer means to control data transfer with the host system. A data storage system comprising:
【請求項5】 前記ホストシステムと前記バッファメモ
リ手段との間でデータ転送を行なうためのインターフェ
ース手段を有し、 前記制御手段は、前記ホストシステムからのライトアク
セス要求に応じて前記インターフェース手段を介して前
記ホストシステムから転送された入力データを前記バッ
ファメモリ手段に格納し、かつ前記ホストシステムから
のリードアクセス要求に応じて前記データ転送手段によ
り前記バッファメモリ手段に格納された前記フラッシュ
EEPROMからの出力データを前記インターフェース
手段を介して前記ホストシステムから転送するように制
御することを特徴とする請求項4記載のデータ記憶シス
テム。
5. An interface means for transferring data between the host system and the buffer memory means, wherein the control means is responsive to a write access request from the host system via the interface means. The input data transferred from the host system is stored in the buffer memory means, and an output from the flash EEPROM stored in the buffer memory means by the data transfer means in response to a read access request from the host system. 5. The data storage system according to claim 4, wherein control is performed so that data is transferred from said host system via said interface means.
【請求項6】 前記データ転送手段は、前記各データバ
ス手段毎に前記バッファメモリ手段から出力されるデー
タを保持するための第1と第2のレジスタを組みとする
バス用レジスタを有し、 前記各データバス手段毎のデータ転送要求に応じて前記
バッファメモリ手段に接続された1本のバスを時分割転
送によるバスアービトレーションを実行する手段を有
し、 データ転送許可により前記バッファメモリ手段から転送
されたデータを、前記データバス手段に対応する前記第
1と第2のレジスタを交互に使用してアクセス対象の前
記データバス手段に転送する手段を有することを特徴と
する請求項4記載のデータ記憶システム。
6. The data transfer means has a bus register as a set of first and second registers for holding data output from the buffer memory means for each of the data bus means, Means for executing bus arbitration by time-division transfer on one bus connected to the buffer memory means in response to a data transfer request for each of the data bus means, and transferring from the buffer memory means by permitting data transfer 5. The data according to claim 4, further comprising means for transferring the obtained data to said data bus means to be accessed by using said first and second registers corresponding to said data bus means alternately. Storage system.
【請求項7】 複数のフラッシュEEPROMから構成
される半導体ディスク装置を使用したデータ記憶システ
ムに適用するデータ転送方法であって、 前記各フラッシュEEPROM毎に独立して設けられ
て、前記フラッシュEEPROMに対する入出力データ
の転送を行なうための複数のデータバスA,Bと、ホス
トシステムから転送された入力データまたは前記フラッ
シュEEPROMから読出された出力データを一時的に
格納するためのバッファメモリ手段と、前記各データバ
スA,Bを介して前記各フラッシュEEPROMに接続
されて、かつ1本のバスを介して前記バッファメモリ手
段に接続されて、前記バッファメモリ手段と前記各フラ
ッシュEEPROMとの間の入出力データの転送を実行
するデータ転送手段とを有し、 前記データ転送手段は前記データバスA,B毎に前記バ
ッファメモリ手段から出力されるデータを保持するため
のバスレジスタA0,A1およびバスレジスタB0,B
1を有し、 前記ホストシステムからのライトアクセス要求に応じて
前記バッファメモリ手段からのデータをアクセス対象の
フラッシュEEPROMに対応するデータバスA,Bに
転送するときに、前記データバスA,B毎に前記バッフ
ァメモリ手段の1本のバス転送可能時間を時分割し、 前記データバスAの転送要求に応じて前記バッファメモ
リ手段のバス転送可能時に前記バッファメモリ手段から
転送されたデータを前記バスレジスタA0に格納する処
理と、 前記データバスAの転送要求に応じて前記バッファメモ
リ手段のバス転送可能時に前記バッファメモリ手段から
転送されたデータを前記バスレジスタA1に格納すると
共に、前記バスレジスタA0またはA1のいずれからデ
ータを前記データバスAの転送する処理と、 前記データバスBの転送要求に応じて前記バッファメモ
リ手段のバス転送可能時に前記バッファメモリ手段から
転送されたデータを前記バスレジスタB0に格納する処
理と、 前記データバスBの転送要求に応じて前記バッファメモ
リ手段のバス転送可能時に前記バッファメモリ手段から
転送されたデータを前記バスレジスタB1に格納すると
共に、前記バスレジスタB0またはB1のいずれからデ
ータを前記データバスBの転送する処理とからなること
を特徴とするデータ転送方法。
7. A data transfer method applied to a data storage system using a semiconductor disk device composed of a plurality of flash EEPROMs, wherein the data transfer method is provided independently for each of the flash EEPROMs, and is provided for each of the flash EEPROMs. A plurality of data buses A and B for transferring output data; buffer memory means for temporarily storing input data transferred from a host system or output data read from the flash EEPROM; Input / output data between the buffer memory means and each of the flash EEPROMs is connected to each of the flash EEPROMs via data buses A and B and to the buffer memory means via one bus. Data transfer means for executing the transfer of Over data transfer means said data bus A, bus register A0 for holding data output from said buffer memory means for each B, A1 and bus registers B0, B
1 when transferring data from the buffer memory means to data buses A and B corresponding to the flash EEPROM to be accessed in response to a write access request from the host system. Time-divided one bus transferable time of the buffer memory means, and transfers the data transferred from the buffer memory means when the buffer memory means can transfer the bus in response to the transfer request of the data bus A. A process for storing data in A0; storing data transferred from the buffer memory means when the buffer memory means can perform bus transfer in response to a transfer request of the data bus A in the bus register A1; A1 for transferring data from any one of the data buses A, A process of storing data transferred from the buffer memory means in the bus register B0 when the buffer memory means can perform a bus transfer in response to a transfer request of the bus B; Storing the data transferred from the buffer memory means in the bus register B1 when the means is capable of bus transfer, and transferring data from the bus register B0 or B1 to the data bus B. Data transfer method.
【請求項8】 1グループが複数の前記フラッシュEE
PROMからなり、前記データバス手段は、各グループ
毎に独立して設けられていることを特徴とする請求項1
から請求項6までのいずれか記載のデータ記憶システ
ム。
8. A flash EE comprising a plurality of flash EEs.
2. The data bus means comprising a PROM, wherein the data bus means is provided independently for each group.
A data storage system according to any one of claims 1 to 6.
JP34896196A 1996-12-26 1996-12-26 Data storage system and data transfer method applied to the system Expired - Fee Related JP3688835B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34896196A JP3688835B2 (en) 1996-12-26 1996-12-26 Data storage system and data transfer method applied to the system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34896196A JP3688835B2 (en) 1996-12-26 1996-12-26 Data storage system and data transfer method applied to the system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10187359A true JPH10187359A (en) 1998-07-14
JP3688835B2 JP3688835B2 (en) 2005-08-31

Family

ID=18400564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34896196A Expired - Fee Related JP3688835B2 (en) 1996-12-26 1996-12-26 Data storage system and data transfer method applied to the system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3688835B2 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005038655A1 (en) * 2003-10-17 2005-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device, controller, and read/write control method thereof
US6944723B2 (en) 2001-03-02 2005-09-13 Fujitsu Limited Data processing device for processing data accessed by a buffer manager, and interface device
US7114117B2 (en) 2001-08-09 2006-09-26 Renesas Technology Corp. Memory card and memory controller
CN100371873C (en) * 2003-09-18 2008-02-27 松下电器产业株式会社 Semiconductor memory card, semiconductor memory control apparatus, and semiconductor memory control method
JP2009020913A (en) * 2008-10-02 2009-01-29 Seiko Epson Corp Identification system and identification method for print recording material receptacles
JP2009510594A (en) * 2005-09-29 2009-03-12 トレック・2000・インターナショナル・リミテッド Portable data storage device using SLC and MLC flash memory
WO2009107426A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
JP2009211235A (en) * 2008-03-01 2009-09-17 Toshiba Corp Memory system
JP2010515197A (en) * 2006-12-21 2010-05-06 インテル・コーポレーション High-speed fanout system architecture and input / output circuit for non-volatile memory
EP2250567A1 (en) * 2008-03-01 2010-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
EP2250566A1 (en) * 2008-03-01 2010-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
JP2020087498A (en) * 2018-11-28 2020-06-04 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. Nonvolatile memory device including a plurality of memory planes and memory system including the same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4675985B2 (en) 2008-03-01 2011-04-27 株式会社東芝 Memory system
US8706950B2 (en) 2008-03-01 2014-04-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
KR101067457B1 (en) 2008-03-01 2011-09-27 가부시끼가이샤 도시바 Memory system
JP2009211233A (en) 2008-03-01 2009-09-17 Toshiba Corp Memory system
JP5032371B2 (en) 2008-03-01 2012-09-26 株式会社東芝 Memory system
JP4691122B2 (en) 2008-03-01 2011-06-01 株式会社東芝 Memory system
JP5253901B2 (en) 2008-06-20 2013-07-31 株式会社東芝 Memory system
JP5317689B2 (en) 2008-12-27 2013-10-16 株式会社東芝 Memory system
JP2010186341A (en) 2009-02-12 2010-08-26 Toshiba Corp Memory system

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6944723B2 (en) 2001-03-02 2005-09-13 Fujitsu Limited Data processing device for processing data accessed by a buffer manager, and interface device
US7114117B2 (en) 2001-08-09 2006-09-26 Renesas Technology Corp. Memory card and memory controller
US7290198B2 (en) 2001-08-09 2007-10-30 Renesas Technology Corp. Memory card and memory controller
US8042021B2 (en) 2001-08-09 2011-10-18 Renesas Electronics Corporation Memory card and memory controller
US7954039B2 (en) 2001-08-09 2011-05-31 Renesas Electronics Corporation Memory card and memory controller
CN100371873C (en) * 2003-09-18 2008-02-27 松下电器产业株式会社 Semiconductor memory card, semiconductor memory control apparatus, and semiconductor memory control method
US7633817B2 (en) 2003-10-17 2009-12-15 Panasonic Corporation Semiconductor memory device, controller, and read/write control method thereof
US7203105B2 (en) 2003-10-17 2007-04-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device, controller, and read/write control method thereof
CN100422955C (en) * 2003-10-17 2008-10-01 松下电器产业株式会社 Semiconductor memory device, controller, and read/write control method thereof
WO2005038655A1 (en) * 2003-10-17 2005-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device, controller, and read/write control method thereof
JP2009510594A (en) * 2005-09-29 2009-03-12 トレック・2000・インターナショナル・リミテッド Portable data storage device using SLC and MLC flash memory
JP2010515197A (en) * 2006-12-21 2010-05-06 インテル・コーポレーション High-speed fanout system architecture and input / output circuit for non-volatile memory
JP2012155837A (en) * 2006-12-21 2012-08-16 Intel Corp High speed fanned out system architecture and input/output circuits for non-volatile memory
KR101132497B1 (en) 2008-02-29 2012-04-12 가부시끼가이샤 도시바 Memory system
US8364884B2 (en) 2008-02-29 2013-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system with a memory controller controlling parallelism of driving memories
WO2009107426A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
EP2250566A4 (en) * 2008-03-01 2011-09-28 Toshiba Kk Memory system
EP2250567A4 (en) * 2008-03-01 2011-09-28 Toshiba Kk Memory system
JP2009211235A (en) * 2008-03-01 2009-09-17 Toshiba Corp Memory system
JP4691123B2 (en) * 2008-03-01 2011-06-01 株式会社東芝 Memory system
US8176237B2 (en) 2008-03-01 2012-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state drive with input buffer
EP2250566A1 (en) * 2008-03-01 2010-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
EP2250567A1 (en) * 2008-03-01 2010-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
JP2009020913A (en) * 2008-10-02 2009-01-29 Seiko Epson Corp Identification system and identification method for print recording material receptacles
JP2020087498A (en) * 2018-11-28 2020-06-04 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. Nonvolatile memory device including a plurality of memory planes and memory system including the same
KR20200063833A (en) * 2018-11-28 2020-06-05 삼성전자주식회사 Nonvolatile memory device including memory planes and memory system including the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3688835B2 (en) 2005-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10187359A (en) System for storing data and method for transferring data applied to the same system
JP2829091B2 (en) Data processing system
JPH04363746A (en) Microcomputer system having dma function
US6085297A (en) Single-chip memory system including buffer
JP2522412B2 (en) Communication method between programmable controller and input / output device
JPS6146552A (en) Information processor
JP2555580B2 (en) Storage device control system
JPH10312307A (en) Emulator for computer system
JP2912090B2 (en) Time slot interchange circuit
JP2785855B2 (en) Information processing device
JPH0580698B2 (en)
JPH0316652B2 (en)
JPH1139278A (en) Processor and memory access method
JPS6146545A (en) Input and output instruction control system
JPH0381854A (en) Memory access system
JPS6349818B2 (en)
JPS62168246A (en) Memory writing control system
JPS6337418B2 (en)
JPH10134013A (en) Multi-cpu system
JPS6140658A (en) Data processor
JPH03260854A (en) Additional bus access control system
JPH0573473A (en) Industrial computer system
JPS63182764A (en) Memory control system
JPH03220654A (en) Microcomputer
JPS62102353A (en) Down line loading system for program

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050329

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050518

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050609

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees