JPH10184973A - 電磁弁駆動装置 - Google Patents
電磁弁駆動装置Info
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- JPH10184973A JPH10184973A JP8356680A JP35668096A JPH10184973A JP H10184973 A JPH10184973 A JP H10184973A JP 8356680 A JP8356680 A JP 8356680A JP 35668096 A JP35668096 A JP 35668096A JP H10184973 A JPH10184973 A JP H10184973A
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
- F16K31/02—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
- F16K31/06—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a magnet, e.g. diaphragm valves, cutting off by means of a liquid
- F16K31/0675—Electromagnet aspects, e.g. electric supply therefor
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
- F16K31/02—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
- F16K31/06—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a magnet, e.g. diaphragm valves, cutting off by means of a liquid
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/08—Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
- H01F7/18—Circuit arrangements for obtaining desired operating characteristics, e.g. for slow operation, for sequential energisation of windings, for high-speed energisation of windings
- H01F7/1844—Monitoring or fail-safe circuits
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetically Actuated Valves (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁弁を初期高電圧駆動するために必要な高
電圧と、これよりは低いが電源電圧よりは高い電圧と
を、回路規模を増大させることなしに効率よく得ること
ができるようにした。 【解決手段】 バッテリ３から昇圧コイル１１への電流
をスイッチング素子１２によりオン、オフして得られた
高圧電圧ＶＭを第１コンデンサ１４に蓄えておくように
した昇圧回路１０を備えた電磁弁駆動装置１において、
第２コンデンサ２１と、第２コンデンサ２１の充電電圧
レベルを判別する判別回路２３とを設け、第２コンデン
サ２１の充電電圧が所定レベルに達していない場合にの
み高圧電圧ＶＭによって第２コンデンサ２１を充電する
ようにした。
電圧と、これよりは低いが電源電圧よりは高い電圧と
を、回路規模を増大させることなしに効率よく得ること
ができるようにした。 【解決手段】 バッテリ３から昇圧コイル１１への電流
をスイッチング素子１２によりオン、オフして得られた
高圧電圧ＶＭを第１コンデンサ１４に蓄えておくように
した昇圧回路１０を備えた電磁弁駆動装置１において、
第２コンデンサ２１と、第２コンデンサ２１の充電電圧
レベルを判別する判別回路２３とを設け、第２コンデン
サ２１の充電電圧が所定レベルに達していない場合にの
み高圧電圧ＶＭによって第２コンデンサ２１を充電する
ようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁弁の駆動初期
に高電圧を印加して電磁弁の高速駆動を実現するように
した電磁弁駆動装置に関するものである。
に高電圧を印加して電磁弁の高速駆動を実現するように
した電磁弁駆動装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電磁弁を高速駆動するため電磁弁の駆動
初期段階で所定時間だけ電源電圧よりも高い高電圧を電
磁弁に印加する方法が一般に知られている。この目的で
用いられる高電圧は、制御回路を駆動するための直流電
圧を昇圧チョッパ回路により昇圧して得ている（例え
ば、特開昭６３−３４８７号公報、特開平６−２６５８
９号公報参照）。また、この種の電磁弁駆動装置にあっ
ては、例えば昇圧チョッパ回路から電磁弁へ供給される
電流のオン、オフ制御のため、あるいは高電圧駆動後の
電磁弁への保持電流の供給の制御のために、電磁弁への
電流供給をオン、オフするためのスイッチ素子が用いら
れているが、安全性確保の面からこの種のスイッチ素子
は電磁弁のハイサイドに設けるのが一般的である。この
種のスイッチ素子としては、ＰＮＰトランジスタ、Ｐチ
ャネルＦＥＴ、ＮチャネルＦＥＴなどを利用することが
できるが、スイッチ素子におけるエネルギー損失を最小
とするため実際には損失の最も小さくなるＮチャネルＦ
ＥＴが用いられている。
初期段階で所定時間だけ電源電圧よりも高い高電圧を電
磁弁に印加する方法が一般に知られている。この目的で
用いられる高電圧は、制御回路を駆動するための直流電
圧を昇圧チョッパ回路により昇圧して得ている（例え
ば、特開昭６３−３４８７号公報、特開平６−２６５８
９号公報参照）。また、この種の電磁弁駆動装置にあっ
ては、例えば昇圧チョッパ回路から電磁弁へ供給される
電流のオン、オフ制御のため、あるいは高電圧駆動後の
電磁弁への保持電流の供給の制御のために、電磁弁への
電流供給をオン、オフするためのスイッチ素子が用いら
れているが、安全性確保の面からこの種のスイッチ素子
は電磁弁のハイサイドに設けるのが一般的である。この
種のスイッチ素子としては、ＰＮＰトランジスタ、Ｐチ
ャネルＦＥＴ、ＮチャネルＦＥＴなどを利用することが
できるが、スイッチ素子におけるエネルギー損失を最小
とするため実際には損失の最も小さくなるＮチャネルＦ
ＥＴが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＮチャネルＦ
ＥＴを電磁弁のハイサイドで使用するためには、一般
に、ゲート駆動のために電源電圧よりも高い３０Ｖ程度
のゲート駆動電圧が必要となる。このゲート駆動電圧は
電源電圧よりは高いが上記した高電圧よりは低い電圧で
あるため、駆動装置内でこのゲート駆動電圧を別途発生
させる必要が生じる。このゲート駆動電圧を得るために
は、ゲート駆動電圧を発生させるための専用の昇圧回路
を別途設けるか、又は高電圧発生のための昇圧回路の出
力側に抵抗器と定電圧ダイオードとを用いた降圧回路を
設け、ゲート駆動電圧を得る等の構成が考えられる。し
かし、前者の構成によると回路規模が増大してコストの
上昇を招くという問題を生じる。一方、後者の構成によ
ると、回路構成は簡単で済むが高電圧発生のための昇圧
回路のコンデンサに蓄えられた高電圧エネルギーを降圧
回路で常に消費してしまうこととなり、エネルギー損失
が大きくなってしまうという問題を生じる。この３０Ｖ
程度の電圧は、別の目的でもしばしば要求される。
ＥＴを電磁弁のハイサイドで使用するためには、一般
に、ゲート駆動のために電源電圧よりも高い３０Ｖ程度
のゲート駆動電圧が必要となる。このゲート駆動電圧は
電源電圧よりは高いが上記した高電圧よりは低い電圧で
あるため、駆動装置内でこのゲート駆動電圧を別途発生
させる必要が生じる。このゲート駆動電圧を得るために
は、ゲート駆動電圧を発生させるための専用の昇圧回路
を別途設けるか、又は高電圧発生のための昇圧回路の出
力側に抵抗器と定電圧ダイオードとを用いた降圧回路を
設け、ゲート駆動電圧を得る等の構成が考えられる。し
かし、前者の構成によると回路規模が増大してコストの
上昇を招くという問題を生じる。一方、後者の構成によ
ると、回路構成は簡単で済むが高電圧発生のための昇圧
回路のコンデンサに蓄えられた高電圧エネルギーを降圧
回路で常に消費してしまうこととなり、エネルギー損失
が大きくなってしまうという問題を生じる。この３０Ｖ
程度の電圧は、別の目的でもしばしば要求される。
【０００４】本発明の目的は、したがって、電磁弁を初
期高電圧駆動するために必要な高電圧と、これよりは低
いが電源電圧よりは高い電圧とを、回路規模を増大させ
ることなしに効率よく得ることができるようにした、改
善された電磁弁駆動装置を提供することにある。
期高電圧駆動するために必要な高電圧と、これよりは低
いが電源電圧よりは高い電圧とを、回路規模を増大させ
ることなしに効率よく得ることができるようにした、改
善された電磁弁駆動装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の請求項１に記載の発明の特徴は、低圧電源から昇圧コ
イルへの電流をチョッパ用スイッチング素子によりオ
ン、オフすることにより前記昇圧コイルに生じた高圧電
圧を第１コンデンサに蓄えておくようにした昇圧回路を
備え、該第１コンデンサに蓄えられた高電圧を電磁弁高
速駆動のため電磁弁駆動の初期段階において電磁弁に所
定時間だけ印加するようにした電磁弁駆動装置におい
て、第２コンデンサと、前記昇圧コイルに生じた高圧電
圧エネルギーを該第２コンデンサへ供給するのを制御す
るためのスイッチ手段と、前記第２コンデンサの充電電
圧が所定レベルに達したか否かを判別するための判別手
段と、該判別手段に応答し前記第２コンデンサの充電電
圧が所定レベルに達していない場合にのみ前記スイッチ
手段をオンとするための制御手段とを備えた点にある。
の請求項１に記載の発明の特徴は、低圧電源から昇圧コ
イルへの電流をチョッパ用スイッチング素子によりオ
ン、オフすることにより前記昇圧コイルに生じた高圧電
圧を第１コンデンサに蓄えておくようにした昇圧回路を
備え、該第１コンデンサに蓄えられた高電圧を電磁弁高
速駆動のため電磁弁駆動の初期段階において電磁弁に所
定時間だけ印加するようにした電磁弁駆動装置におい
て、第２コンデンサと、前記昇圧コイルに生じた高圧電
圧エネルギーを該第２コンデンサへ供給するのを制御す
るためのスイッチ手段と、前記第２コンデンサの充電電
圧が所定レベルに達したか否かを判別するための判別手
段と、該判別手段に応答し前記第２コンデンサの充電電
圧が所定レベルに達していない場合にのみ前記スイッチ
手段をオンとするための制御手段とを備えた点にある。
【０００６】この構成によると、第２コンデンサに蓄え
られている充電電圧のレベルが判別手段によって判別さ
れ、判別手段の判別結果に従ってスイッチ手段が制御手
段によってオン、オフ制御され、昇圧回路において得ら
れた高圧電圧エネルギーにより第２コンデンサが必要に
応じて充電される。この結果、第２コンデンサから所要
のレベルの電圧を取り出すことができる。
られている充電電圧のレベルが判別手段によって判別さ
れ、判別手段の判別結果に従ってスイッチ手段が制御手
段によってオン、オフ制御され、昇圧回路において得ら
れた高圧電圧エネルギーにより第２コンデンサが必要に
応じて充電される。この結果、第２コンデンサから所要
のレベルの電圧を取り出すことができる。
【０００７】請求項２に記載の発明の特徴は、低圧電源
から昇圧コイルへの電流をチョッパ用スイッチング素子
によりオン、オフすることにより前記昇圧コイルに生じ
た高圧電圧を第１コンデンサに蓄えておくようにした昇
圧回路を備え、該第１コンデンサに蓄えられた高電圧を
電磁弁高速駆動のため電磁弁駆動の初期段階において電
磁弁に所定時間だけ印加するようにした電磁弁駆動装置
において、第２コンデンサと、前記昇圧コイルに生じた
高圧電圧エネルギーを該第２コンデンサへ供給するのを
制御するためのスイッチ手段と、前記第１コンデンサの
充電電圧が所定の第１レベルに達したか否かを判別する
第１判別手段と、前記第２コンデンサの充電電圧が所定
の第２レベルに達したか否かを判別する第２判別手段
と、前記第１及び第２判別手段に応答し前記第１又は第
２コンデンサの少なくとも一方の充電電圧が所定のレベ
ルに達していない場合には前記チョッパ用スイッチング
素子をオン、オフ動作させると共に、前記第２コンデン
サの充電電圧が所定のレベルに達していない場合にはさ
らに前記スイッチ手段をオンとする充電制御手段とを備
えた点にある。
から昇圧コイルへの電流をチョッパ用スイッチング素子
によりオン、オフすることにより前記昇圧コイルに生じ
た高圧電圧を第１コンデンサに蓄えておくようにした昇
圧回路を備え、該第１コンデンサに蓄えられた高電圧を
電磁弁高速駆動のため電磁弁駆動の初期段階において電
磁弁に所定時間だけ印加するようにした電磁弁駆動装置
において、第２コンデンサと、前記昇圧コイルに生じた
高圧電圧エネルギーを該第２コンデンサへ供給するのを
制御するためのスイッチ手段と、前記第１コンデンサの
充電電圧が所定の第１レベルに達したか否かを判別する
第１判別手段と、前記第２コンデンサの充電電圧が所定
の第２レベルに達したか否かを判別する第２判別手段
と、前記第１及び第２判別手段に応答し前記第１又は第
２コンデンサの少なくとも一方の充電電圧が所定のレベ
ルに達していない場合には前記チョッパ用スイッチング
素子をオン、オフ動作させると共に、前記第２コンデン
サの充電電圧が所定のレベルに達していない場合にはさ
らに前記スイッチ手段をオンとする充電制御手段とを備
えた点にある。
【０００８】この構成によると、第１及び第２判別手段
により第１コンデンサの充電電圧又は第２コンデンサの
充電電圧の少なくともいずれか一方が対応して定められ
ている所定のレベル以下であると判別された場合、充電
制御手段によりチョッパ用スイッチング素子がオン、オ
フ動作し、これにより昇圧コイルに高圧電圧を生じせし
める。さらに、第２コンデンサの充電電圧が所定の第２
レベル以下である場合には、充電制御手段によってスイ
ッチ手段もオンとされる。
により第１コンデンサの充電電圧又は第２コンデンサの
充電電圧の少なくともいずれか一方が対応して定められ
ている所定のレベル以下であると判別された場合、充電
制御手段によりチョッパ用スイッチング素子がオン、オ
フ動作し、これにより昇圧コイルに高圧電圧を生じせし
める。さらに、第２コンデンサの充電電圧が所定の第２
レベル以下である場合には、充電制御手段によってスイ
ッチ手段もオンとされる。
【０００９】この結果、第１コンデンサの充電電圧が所
定の第１レベルに達していない場合には、チョッパ用ス
イッチング素子がオン、オフ動作して第１コンデンサの
充電電圧が第１レベルに達するまで第１コンデンサへの
充電が行われる。また、第２コンデンサの充電電圧が所
定の第２レベルに達していない場合には、チョッパ用ス
イッチング素子がオン、オフ動作すると共にスイッチ手
段がオンとなり、第２コンデンサへの充電が行われる。
このとき、第１コンデンサの充電電圧が第２コンデンサ
の充電電圧と同じか又は低い場合は、第１コンデンサへ
の充電も同時に実行される。第１コンデンサの充電電圧
が第２コンデンサの充電電圧より高い場合は第２コンデ
ンサのみの充電となる。第２コンデンサの充電電圧が第
２レベルに達すれば、スイッチ手段はオフとされる。こ
のとき第１コンデンサの充電電圧が第１レベルに達して
いればチョッパ用スイッチング素子のオン、オフ動作も
停止せしめられる。
定の第１レベルに達していない場合には、チョッパ用ス
イッチング素子がオン、オフ動作して第１コンデンサの
充電電圧が第１レベルに達するまで第１コンデンサへの
充電が行われる。また、第２コンデンサの充電電圧が所
定の第２レベルに達していない場合には、チョッパ用ス
イッチング素子がオン、オフ動作すると共にスイッチ手
段がオンとなり、第２コンデンサへの充電が行われる。
このとき、第１コンデンサの充電電圧が第２コンデンサ
の充電電圧と同じか又は低い場合は、第１コンデンサへ
の充電も同時に実行される。第１コンデンサの充電電圧
が第２コンデンサの充電電圧より高い場合は第２コンデ
ンサのみの充電となる。第２コンデンサの充電電圧が第
２レベルに達すれば、スイッチ手段はオフとされる。こ
のとき第１コンデンサの充電電圧が第１レベルに達して
いればチョッパ用スイッチング素子のオン、オフ動作も
停止せしめられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。図１は、本発明
による電磁弁駆動装置の実施の形態の一例を示す概略ブ
ロック図である。電磁弁駆動装置１は、電磁弁２の駆動
初期において所定時間だけ高電圧を印加した後電磁弁２
に作動保持電流を流すようにして、電磁弁２を高速駆動
するようにした構成の装置である。図１において、３は
バッテリ、４はバッテリ３の電圧ＶＢを昇圧して１００
〜２００Ｖ程度の電磁弁２の初期駆動用の高電圧ＶＨ
と、該高電圧ＶＨよりはレベルの低いＮチャネルＦＥＴ
のゲート駆動のための３０Ｖ程度の駆動用電圧ＶＦとを
得るための電圧発生回路、５は電磁弁２に作動保持電流
を供給するための電流供給回路である。電圧発生回路４
からの高電圧ＶＨはＮチャネルＦＥＴ６を介して電磁弁
２に印加され、電流供給回路５からの作動保持電流は別
のＮチャネルＦＥＴ７を介して電磁弁２に供給される構
成である。符号８で示されるのは逆流防止のためにダイ
オードであり、電磁弁２に印加される高電圧ＶＨにより
電流が電流供給回路５側に逆流するのを防止している。
施の形態の一例につき詳細に説明する。図１は、本発明
による電磁弁駆動装置の実施の形態の一例を示す概略ブ
ロック図である。電磁弁駆動装置１は、電磁弁２の駆動
初期において所定時間だけ高電圧を印加した後電磁弁２
に作動保持電流を流すようにして、電磁弁２を高速駆動
するようにした構成の装置である。図１において、３は
バッテリ、４はバッテリ３の電圧ＶＢを昇圧して１００
〜２００Ｖ程度の電磁弁２の初期駆動用の高電圧ＶＨ
と、該高電圧ＶＨよりはレベルの低いＮチャネルＦＥＴ
のゲート駆動のための３０Ｖ程度の駆動用電圧ＶＦとを
得るための電圧発生回路、５は電磁弁２に作動保持電流
を供給するための電流供給回路である。電圧発生回路４
からの高電圧ＶＨはＮチャネルＦＥＴ６を介して電磁弁
２に印加され、電流供給回路５からの作動保持電流は別
のＮチャネルＦＥＴ７を介して電磁弁２に供給される構
成である。符号８で示されるのは逆流防止のためにダイ
オードであり、電磁弁２に印加される高電圧ＶＨにより
電流が電流供給回路５側に逆流するのを防止している。
【００１１】ＮチャネルＦＥＴ６、７の各ゲート６Ｇ、
７Ｇには、制御ユニット９から駆動制御信号が与えられ
る。これにより、ＮチャネルＦＥＴ６は駆動の初期段階
で所定時間だけオンとされ、電磁弁２に高電圧ＶＨが所
定時間だけ印加される。その後、ＮチャネルＦＥＴ７が
オンとされ、電流供給回路５から作動保持電流が電磁弁
２に供給される。ＮチャネルＦＥＴ６、７を上述の如く
オン、オフ制御するための構成それ自体は公知であるか
ら、ここでは、制御ユニット９の詳細構成を説明するの
を省略する。
７Ｇには、制御ユニット９から駆動制御信号が与えられ
る。これにより、ＮチャネルＦＥＴ６は駆動の初期段階
で所定時間だけオンとされ、電磁弁２に高電圧ＶＨが所
定時間だけ印加される。その後、ＮチャネルＦＥＴ７が
オンとされ、電流供給回路５から作動保持電流が電磁弁
２に供給される。ＮチャネルＦＥＴ６、７を上述の如く
オン、オフ制御するための構成それ自体は公知であるか
ら、ここでは、制御ユニット９の詳細構成を説明するの
を省略する。
【００１２】図２には、電圧発生回路４の詳細回路図が
示されている。１０は低圧電源であるバッテリ３の電圧
ＶＢを昇圧するための昇圧回路であり、バッテリ３から
昇圧コイル１１への電流をチョッパ用スイッチング素子
であるスイッチングトランジスタ１２でオン、オフする
ことにより昇圧コイル１１に高電圧を発生させる公知の
回路構成を有している。１３はスイッチングトランジス
タ１２をオン、オフ制御するための制御回路であり、制
御回路１３には昇圧コイル１１に生じた高圧電圧により
充電される第１コンデンサ１４の端子電圧がフィードバ
ックされる公知の構成である。１５は逆流防止用のダイ
オードである。昇圧回路１０は上述のように構成されて
おり、第１コンデンサ１４に所要の高電圧ＶＨが蓄えら
れ、第１出力端子１６から高電圧ＶＨを取り出すことが
できる。
示されている。１０は低圧電源であるバッテリ３の電圧
ＶＢを昇圧するための昇圧回路であり、バッテリ３から
昇圧コイル１１への電流をチョッパ用スイッチング素子
であるスイッチングトランジスタ１２でオン、オフする
ことにより昇圧コイル１１に高電圧を発生させる公知の
回路構成を有している。１３はスイッチングトランジス
タ１２をオン、オフ制御するための制御回路であり、制
御回路１３には昇圧コイル１１に生じた高圧電圧により
充電される第１コンデンサ１４の端子電圧がフィードバ
ックされる公知の構成である。１５は逆流防止用のダイ
オードである。昇圧回路１０は上述のように構成されて
おり、第１コンデンサ１４に所要の高電圧ＶＨが蓄えら
れ、第１出力端子１６から高電圧ＶＨを取り出すことが
できる。
【００１３】一方、昇圧回路１０の昇圧コイル１１に発
生する高圧電圧を用いて駆動用電圧ＶＦを供給すること
ができるようにするため、電圧発生回路４にはこのため
の付加回路２０が設けられている。付加回路２０は、昇
圧コイル１１に発生する高圧電圧を利用して駆動用電圧
ＶＦを蓄えておくための第２コンデンサ２１と、昇圧コ
イル１１に発生する高圧電圧を第２コンデンサ２１に供
給するのをオン、オフ制御するためのスイッチング手段
として働くスイッチングトランジスタ２２と、第２コン
デンサ２１の端子電圧が所要の電圧レベルに達したか否
かを判別するための判別回路２３と、判別回路２３に応
答し第２コンデンサ２１の端子電圧が所要の電圧レベル
に達していない場合にのみスイッチングトランジスタ２
２をオンとするためのスイッチ制御回路２４とから成っ
ている。
生する高圧電圧を用いて駆動用電圧ＶＦを供給すること
ができるようにするため、電圧発生回路４にはこのため
の付加回路２０が設けられている。付加回路２０は、昇
圧コイル１１に発生する高圧電圧を利用して駆動用電圧
ＶＦを蓄えておくための第２コンデンサ２１と、昇圧コ
イル１１に発生する高圧電圧を第２コンデンサ２１に供
給するのをオン、オフ制御するためのスイッチング手段
として働くスイッチングトランジスタ２２と、第２コン
デンサ２１の端子電圧が所要の電圧レベルに達したか否
かを判別するための判別回路２３と、判別回路２３に応
答し第２コンデンサ２１の端子電圧が所要の電圧レベル
に達していない場合にのみスイッチングトランジスタ２
２をオンとするためのスイッチ制御回路２４とから成っ
ている。
【００１４】第２コンデンサ２１の一端は第２出力端子
２５に接続されその他端はアースされている。そして、
昇圧コイル１１の出力側と逆流防止ダイオード１５のア
ノード側との間には、スイッチングトランジスタ２２の
ドレイン−ソース回路が逆流防止用のダイオード１７と
共に直列に接続されている。このスイッチングトランジ
スタ２２のオン、オフを制御するためのスイッチ制御回
路２４は、抵抗器２６〜２９、ダイオード３０、定電圧
ダイオード３１、及びトランジスタ３２が図示の如く接
続されて構成されている。
２５に接続されその他端はアースされている。そして、
昇圧コイル１１の出力側と逆流防止ダイオード１５のア
ノード側との間には、スイッチングトランジスタ２２の
ドレイン−ソース回路が逆流防止用のダイオード１７と
共に直列に接続されている。このスイッチングトランジ
スタ２２のオン、オフを制御するためのスイッチ制御回
路２４は、抵抗器２６〜２９、ダイオード３０、定電圧
ダイオード３１、及びトランジスタ３２が図示の如く接
続されて構成されている。
【００１５】判別回路２３は、第２出力端子２５とアー
スとの間に生じる第２コンデンサ２１の充電電圧を抵抗
器３３、３４で分圧した電圧を、所定の安定化低電圧Ｖ
Ｃを抵抗器３５、３６で分圧して得た基準電圧と電圧比
較器３７でレベル比較する構成となっている。ここで、
３８はプルアップ抵抗器、３９はフィードバック抵抗器
である。電圧比較器３７の出力側にはトランジスタ４０
が接続されており、第２コンデンサ２１の充電電圧、す
なわち第２出力端子２５からの駆動用電圧ＶＦが所定の
レベル以下となった場合に電圧比較器３７の出力が高レ
ベル状態となり、トランジスタ４０がオンとなる構成で
ある。
スとの間に生じる第２コンデンサ２１の充電電圧を抵抗
器３３、３４で分圧した電圧を、所定の安定化低電圧Ｖ
Ｃを抵抗器３５、３６で分圧して得た基準電圧と電圧比
較器３７でレベル比較する構成となっている。ここで、
３８はプルアップ抵抗器、３９はフィードバック抵抗器
である。電圧比較器３７の出力側にはトランジスタ４０
が接続されており、第２コンデンサ２１の充電電圧、す
なわち第２出力端子２５からの駆動用電圧ＶＦが所定の
レベル以下となった場合に電圧比較器３７の出力が高レ
ベル状態となり、トランジスタ４０がオンとなる構成で
ある。
【００１６】トランジスタ４０のコレクタは抵抗器２
６、２７を介して昇圧回路１０の第１出力端子１６に接
続されており、トランジスタ４０がオンになった場合に
トランジスタ３２がオンとされ、これによりスイッチン
グトランジスタ２２が導通状態とされる。
６、２７を介して昇圧回路１０の第１出力端子１６に接
続されており、トランジスタ４０がオンになった場合に
トランジスタ３２がオンとされ、これによりスイッチン
グトランジスタ２２が導通状態とされる。
【００１７】一方、第２コンデンサ２１の充電電圧、す
なわち第２出力端子２５からの出力電圧が所定のレベル
に達すると、トランジスタ４０がオフとなるので、トラ
ンジスタ３２もオフとなり、スイッチングトランジスタ
２２は非導通状態になる。
なわち第２出力端子２５からの出力電圧が所定のレベル
に達すると、トランジスタ４０がオフとなるので、トラ
ンジスタ３２もオフとなり、スイッチングトランジスタ
２２は非導通状態になる。
【００１８】次に、図３を参照しながら図２に示した電
圧発生回路４の動作について説明する。
圧発生回路４の動作について説明する。
【００１９】制御回路１３によってスイッチングトラン
ジスタ１２が図３（Ａ）に示されるよう時刻Ｔ１にオ
ン、オフ動作を開始すると、昇圧コイル１１の出力端子
１１Ａにはパルス状の高圧電圧ＶＭが誘起される（図３
（Ｂ））。この高圧電圧ＶＭはダイオード１５を介して
第１コンデンサ１４に印加され、これにより第１コンデ
ンサ１４が充電されるので、第１出力端子１６から得ら
れる高電圧ＶＨのレベルは時間の経過と共に増大し、所
定のレベルに達して安定する。
ジスタ１２が図３（Ａ）に示されるよう時刻Ｔ１にオ
ン、オフ動作を開始すると、昇圧コイル１１の出力端子
１１Ａにはパルス状の高圧電圧ＶＭが誘起される（図３
（Ｂ））。この高圧電圧ＶＭはダイオード１５を介して
第１コンデンサ１４に印加され、これにより第１コンデ
ンサ１４が充電されるので、第１出力端子１６から得ら
れる高電圧ＶＨのレベルは時間の経過と共に増大し、所
定のレベルに達して安定する。
【００２０】一方、時刻Ｔ１において第２コンデンサ２
１の端子電圧が所定のレベルである３０Ｖより低いの
で、判別回路２０のトランジスタ４０はオンとなる（図
３（Ｄ））。このため、スイッチ制御回路２４のトラン
ジスタ３２もオンとなり（図３（Ｅ））、スイッチング
トランジスタ２２が導通状態（ＯＮ状態）とされる（図
３（Ｆ））。この結果、高圧電圧ＶＭは第２コンデンサ
２１にも印加され、これにより第２コンデンサ２１の端
子電圧である駆動用電圧ＶＦのレベルは時間の経過と共
に図３（Ｃ）に示されるように増大する。駆動用電圧Ｖ
Ｆのレベルが時刻Ｔ２において所定レベルである３０Ｖ
に達すると判別回路２０のトランジスタ４０がオフとな
り、これによりスイッチングトランジスタ２２が非導通
状態（ＯＦＦ状態）となり、高圧電圧ＶＭによる第２コ
ンデンサ２１への充電が停止される。この場合、逆流防
止用ダイオード１５の働きにより、第２コンデンサ２１
の充電動作中に第１コンデンサ１４に蓄えられていた電
荷が第２コンデンサに流出することはない。なお、電磁
弁駆動装置１の電源投入時においては高電圧ＶＨのレベ
ルは略零であるから、必ず昇圧回路１０が作動し、これ
により第２コンデンサ２１への充電が必ず実行される。
１の端子電圧が所定のレベルである３０Ｖより低いの
で、判別回路２０のトランジスタ４０はオンとなる（図
３（Ｄ））。このため、スイッチ制御回路２４のトラン
ジスタ３２もオンとなり（図３（Ｅ））、スイッチング
トランジスタ２２が導通状態（ＯＮ状態）とされる（図
３（Ｆ））。この結果、高圧電圧ＶＭは第２コンデンサ
２１にも印加され、これにより第２コンデンサ２１の端
子電圧である駆動用電圧ＶＦのレベルは時間の経過と共
に図３（Ｃ）に示されるように増大する。駆動用電圧Ｖ
Ｆのレベルが時刻Ｔ２において所定レベルである３０Ｖ
に達すると判別回路２０のトランジスタ４０がオフとな
り、これによりスイッチングトランジスタ２２が非導通
状態（ＯＦＦ状態）となり、高圧電圧ＶＭによる第２コ
ンデンサ２１への充電が停止される。この場合、逆流防
止用ダイオード１５の働きにより、第２コンデンサ２１
の充電動作中に第１コンデンサ１４に蓄えられていた電
荷が第２コンデンサに流出することはない。なお、電磁
弁駆動装置１の電源投入時においては高電圧ＶＨのレベ
ルは略零であるから、必ず昇圧回路１０が作動し、これ
により第２コンデンサ２１への充電が必ず実行される。
【００２１】このように、第２コンデンサ２１の充電の
ために、昇圧回路１０に設けられている昇圧コイル１１
及びスイッチングトランジスタ１２を利用する構成であ
るから、回路のコストを大巾に増大させることなく駆動
用電圧ＶＦを得ることができ、省スペース、低コストで
所要の高い電圧を得ることができる。また、第２コンデ
ンサ２１への充電は必要に応じて実行される構成である
から、効率よく所要の高圧電圧を得ることができる。
ために、昇圧回路１０に設けられている昇圧コイル１１
及びスイッチングトランジスタ１２を利用する構成であ
るから、回路のコストを大巾に増大させることなく駆動
用電圧ＶＦを得ることができ、省スペース、低コストで
所要の高い電圧を得ることができる。また、第２コンデ
ンサ２１への充電は必要に応じて実行される構成である
から、効率よく所要の高圧電圧を得ることができる。
【００２２】図２に示した本発明の実施の形態において
は、第２コンデンサ２１の充電制御のためのスイッチ手
段としてスイッチングトランジスタ２２を用いた回路構
成を示した。しかし、このスイッチングトランジスタ２
２に代えて、自己保持型のスイッチ素子であるシリコン
制御整流素子（サイリスタ）を用いて回路をより一層簡
単化することができる。
は、第２コンデンサ２１の充電制御のためのスイッチ手
段としてスイッチングトランジスタ２２を用いた回路構
成を示した。しかし、このスイッチングトランジスタ２
２に代えて、自己保持型のスイッチ素子であるシリコン
制御整流素子（サイリスタ）を用いて回路をより一層簡
単化することができる。
【００２３】図４には、サイリスタ素子を用いて第２コ
ンデンサ２１への充電電流を制御するようにした本発明
による電磁弁駆動装置の別の実施の形態の要部を示す回
路図が示されている。図４に示した電磁弁駆動装置のた
めの電圧発生回路４’は、図２に示した電圧発生回路４
のスイッチングトランジスタ２２に代えてサイリスタ５
１を設け、サイリスタ５１のカソードとゲートとの間に
抵抗器５２とコンデンサ５３との並列回路を設け、トラ
ンジスタ３２のコレクタをダイオード３０及び抵抗器５
４を介してサイリスタ５１のゲートに接続した点での
み、電圧発生回路４と異なっている。したがって、図４
の各部のうち、図２に示した各部に対応する部分には同
一の符号を付してそれらの説明を省略する。
ンデンサ２１への充電電流を制御するようにした本発明
による電磁弁駆動装置の別の実施の形態の要部を示す回
路図が示されている。図４に示した電磁弁駆動装置のた
めの電圧発生回路４’は、図２に示した電圧発生回路４
のスイッチングトランジスタ２２に代えてサイリスタ５
１を設け、サイリスタ５１のカソードとゲートとの間に
抵抗器５２とコンデンサ５３との並列回路を設け、トラ
ンジスタ３２のコレクタをダイオード３０及び抵抗器５
４を介してサイリスタ５１のゲートに接続した点での
み、電圧発生回路４と異なっている。したがって、図４
の各部のうち、図２に示した各部に対応する部分には同
一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００２４】次に、図５を参照しながら図４に示した電
圧発生回路４’の動作について説明する。電圧発生回路
４’の場合も、制御回路１３によってスイッチングトラ
ンジスタ１２が時刻ＴＡにおいてオン、オフ動作を開始
すると（図５（Ａ））、昇圧コイル１１の出力端子１１
Ａに生じたパルス状の高圧電圧ＶＭ（図５（Ｂ））はダ
イオード１５を介して第１コンデンサ１４に印加され、
これにより第１コンデンサ１４が充電され、第１出力端
子１６から所要の高電圧ＶＨを得ることができる。
圧発生回路４’の動作について説明する。電圧発生回路
４’の場合も、制御回路１３によってスイッチングトラ
ンジスタ１２が時刻ＴＡにおいてオン、オフ動作を開始
すると（図５（Ａ））、昇圧コイル１１の出力端子１１
Ａに生じたパルス状の高圧電圧ＶＭ（図５（Ｂ））はダ
イオード１５を介して第１コンデンサ１４に印加され、
これにより第１コンデンサ１４が充電され、第１出力端
子１６から所要の高電圧ＶＨを得ることができる。
【００２５】一方、時刻ＴＡにおいて第２コンデンサ２
１の端子電圧が所定レベルである３０Ｖより低いために
判別回路２０のトランジスタ４０がオンとなる（図５
（Ｄ））と、スイッチ制御回路２４のトランジスタ３２
もオンとなる（図５（Ｅ））。しかし、時刻ＴＡにあっ
てはサイリスタ５１のカソードの電位が略アースレベル
のままであるからサイリスタ５１は未だオフ状態のまま
である。時刻ＴＢにおいて高圧電圧ＶＭのレベルが急激
に立ち上がると、これによりはじめてサイリスタ５１が
オンとなり、高圧電圧ＶＭが第２コンデンサ２１に印加
され第２コンデンサの充電が行われ、その充電電圧が徐
々に増大する（（図５（Ｃ））。そして、時刻ＴＣにお
いて高圧電圧ＶＭのレベルが再びアースレベルにまで低
下するとサイリスタ５１はオフとなる。
１の端子電圧が所定レベルである３０Ｖより低いために
判別回路２０のトランジスタ４０がオンとなる（図５
（Ｄ））と、スイッチ制御回路２４のトランジスタ３２
もオンとなる（図５（Ｅ））。しかし、時刻ＴＡにあっ
てはサイリスタ５１のカソードの電位が略アースレベル
のままであるからサイリスタ５１は未だオフ状態のまま
である。時刻ＴＢにおいて高圧電圧ＶＭのレベルが急激
に立ち上がると、これによりはじめてサイリスタ５１が
オンとなり、高圧電圧ＶＭが第２コンデンサ２１に印加
され第２コンデンサの充電が行われ、その充電電圧が徐
々に増大する（（図５（Ｃ））。そして、時刻ＴＣにお
いて高圧電圧ＶＭのレベルが再びアースレベルにまで低
下するとサイリスタ５１はオフとなる。
【００２６】このようにして、以後、高圧電圧ＶＭのレ
ベル変化に応じてサイリスタ５１がオンオフを繰り返
し、第２コンデンサ２１への充電が間歇的に実行され
る。このようにして第２コンデンサ２１への充電が進
み、時刻ＴＸにおいて駆動用電圧ＶＦのレベルが所定の
レベルである３０Ｖに達すると判別回路２０のトランジ
スタ４０がオフとなる。しかし、この時点においては高
圧電圧ＶＭのレベルが未だ零となっていないのでサイリ
スタ５１はそのオン状態を維持したままである。時刻Ｔ
Ｙにおいて高圧電圧ＶＭのレベルが略零となることによ
りサイリスタ５１がオフとなり、高圧電圧ＶＭによる第
２コンデンサ２１への充電が以後停止される。このよう
に、サイリスタ５１を用いると、逆流防止用のダイオー
ド１７（図２参照）は不要となる。なお、電磁弁駆動装
置１の電源投入時においては高電圧ＶＨのレベルは略零
であるから、必ず昇圧回路１０が作動し、これにより第
２コンデンサ２１への充電が必ず実行される。
ベル変化に応じてサイリスタ５１がオンオフを繰り返
し、第２コンデンサ２１への充電が間歇的に実行され
る。このようにして第２コンデンサ２１への充電が進
み、時刻ＴＸにおいて駆動用電圧ＶＦのレベルが所定の
レベルである３０Ｖに達すると判別回路２０のトランジ
スタ４０がオフとなる。しかし、この時点においては高
圧電圧ＶＭのレベルが未だ零となっていないのでサイリ
スタ５１はそのオン状態を維持したままである。時刻Ｔ
Ｙにおいて高圧電圧ＶＭのレベルが略零となることによ
りサイリスタ５１がオフとなり、高圧電圧ＶＭによる第
２コンデンサ２１への充電が以後停止される。このよう
に、サイリスタ５１を用いると、逆流防止用のダイオー
ド１７（図２参照）は不要となる。なお、電磁弁駆動装
置１の電源投入時においては高電圧ＶＨのレベルは略零
であるから、必ず昇圧回路１０が作動し、これにより第
２コンデンサ２１への充電が必ず実行される。
【００２７】図６には、図１に示した電磁弁駆動装置１
のための電圧発生回路のさらに別の実施の形態が示され
ている。この電圧発生回路６０は、高電圧ＶＨを得るた
めにバッテリ６１の電圧ＶＢを昇圧する昇圧回路６２を
有している。この昇圧回路６２の構成は、基本的に、図
２に示した昇圧回路１０と同一である。したがって、図
６において、昇圧回路１０の各部に対応する部分には同
一の符号を付してそれらの説明は省略する、図６に示し
た回路では、スイッチングトランジスタ１２のオン、オ
フ駆動は、バッテリ６１と昇圧回路６２との間に挿入さ
れた抵抗器６４の両端に生じる電圧がフィードバックさ
れている充電制御部６３からの第１充電制御信号ＣＳ１
に基づいて制御される。
のための電圧発生回路のさらに別の実施の形態が示され
ている。この電圧発生回路６０は、高電圧ＶＨを得るた
めにバッテリ６１の電圧ＶＢを昇圧する昇圧回路６２を
有している。この昇圧回路６２の構成は、基本的に、図
２に示した昇圧回路１０と同一である。したがって、図
６において、昇圧回路１０の各部に対応する部分には同
一の符号を付してそれらの説明は省略する、図６に示し
た回路では、スイッチングトランジスタ１２のオン、オ
フ駆動は、バッテリ６１と昇圧回路６２との間に挿入さ
れた抵抗器６４の両端に生じる電圧がフィードバックさ
れている充電制御部６３からの第１充電制御信号ＣＳ１
に基づいて制御される。
【００２８】昇圧コイル１１の出力端子１１Ａに生じる
高圧電圧ＶＭを利用して駆動用電圧ＶＦを第２出力端子
２５から得ることができるようにするため、第２出力端
子２５とアースとの間には第２コンデンサ２１が接続さ
れている。そして、昇圧コイル１１の出力端子１１Ａに
生じる高圧電圧を第２コンデンサ２１に印加するのを制
御するため、その間にはダイオード１７とスイッチング
トランジスタ２２とが直列に接続されている。２９は抵
抗器、３１は定電圧ダイオードである。スイッチングト
ランジスタ２２のオン、オフは充電制御部６３からの第
２充電制御信号ＣＳ２に基づいて制御される。
高圧電圧ＶＭを利用して駆動用電圧ＶＦを第２出力端子
２５から得ることができるようにするため、第２出力端
子２５とアースとの間には第２コンデンサ２１が接続さ
れている。そして、昇圧コイル１１の出力端子１１Ａに
生じる高圧電圧を第２コンデンサ２１に印加するのを制
御するため、その間にはダイオード１７とスイッチング
トランジスタ２２とが直列に接続されている。２９は抵
抗器、３１は定電圧ダイオードである。スイッチングト
ランジスタ２２のオン、オフは充電制御部６３からの第
２充電制御信号ＣＳ２に基づいて制御される。
【００２９】充電制御部６３には、第１及び第２出力端
子１６、２５からの各出力電圧が印加されており、充電
制御部６３において高電圧ＶＨ及び駆動用電圧ＶＦの各
レベルがそれぞれ規定の第１及び第２レベルに達してい
るか否かが判別される。第１又は第２コンデンサ１４、
２１の少なくとも一方の充電電圧が対応する所定のレベ
ルに達していない場合には、スイッチングトランジスタ
１２をオン、オフ駆動させるための第１充電制御信号Ｃ
Ｓ１が充電制御部６３から出力され、スイッチングトラ
ンジスタ１２のゲートに印加される。第１充電制御信号
ＣＳ１は、図３（Ａ）に示したパルス信号波形に相応し
たパルス信号であり、これに応答してスイッチングトラ
ンジスタ１２のオン、オフが繰り返えされ、昇圧コイル
１１の出力端子１１Ａに高圧電圧ＶＭを生じさせること
ができる。この結果、第１コンデンサ１４が充電され
る。ここで、第２コンデンサ２１の充電電圧が所定の第
２レベルに達していないと充電制御部６３において判別
されている場合には、さらに第２充電制御信号ＣＳ２が
出力され、スイッチングトランジスタ２２がオンとされ
る。この結果、高圧電圧ＶＭは第２コンデンサ２１にも
印加され、第２コンデンサ２１がこれにより充電され
る。
子１６、２５からの各出力電圧が印加されており、充電
制御部６３において高電圧ＶＨ及び駆動用電圧ＶＦの各
レベルがそれぞれ規定の第１及び第２レベルに達してい
るか否かが判別される。第１又は第２コンデンサ１４、
２１の少なくとも一方の充電電圧が対応する所定のレベ
ルに達していない場合には、スイッチングトランジスタ
１２をオン、オフ駆動させるための第１充電制御信号Ｃ
Ｓ１が充電制御部６３から出力され、スイッチングトラ
ンジスタ１２のゲートに印加される。第１充電制御信号
ＣＳ１は、図３（Ａ）に示したパルス信号波形に相応し
たパルス信号であり、これに応答してスイッチングトラ
ンジスタ１２のオン、オフが繰り返えされ、昇圧コイル
１１の出力端子１１Ａに高圧電圧ＶＭを生じさせること
ができる。この結果、第１コンデンサ１４が充電され
る。ここで、第２コンデンサ２１の充電電圧が所定の第
２レベルに達していないと充電制御部６３において判別
されている場合には、さらに第２充電制御信号ＣＳ２が
出力され、スイッチングトランジスタ２２がオンとされ
る。この結果、高圧電圧ＶＭは第２コンデンサ２１にも
印加され、第２コンデンサ２１がこれにより充電され
る。
【００３０】このように、第１コンデンサ１４の充電電
圧が所定の第１レベルに達していない場合には、スイッ
チングトランジスタ１２がオン、オフ動作して第１コン
デンサの充電電圧が第１レベルに達するまで第１コンデ
ンサへの充電が行われる。また、第２コンデンサ２１の
充電電圧が所定の第２レベルに達していない場合には、
スイッチングトランジスタ１２がオン、オフ動作すると
共にスイッチングトランジスタ２２がオンとなり、第２
コンデンサ２１への充電が行われる。このとき、第１コ
ンデンサ１４の充電電圧が第２コンデンサ２１の充電電
圧と同じか又は低い場合は、第１コンデンサ１４への充
電も同時に実行される。第１コンデンサ１４の充電電圧
が第２コンデンサ２１の充電電圧より高い場合には第２
コンデンサ２１のみの充電となる。第２コンデンサ２１
の充電電圧が第２レベルに達すれば、スイッチングトラ
ンジスタ２２はオフとされる。このとき第１コンデンサ
１４の充電電圧が第１レベルに達していればスイッチン
グトランジスタ１２のオン、オフ動作も停止せしめられ
る。
圧が所定の第１レベルに達していない場合には、スイッ
チングトランジスタ１２がオン、オフ動作して第１コン
デンサの充電電圧が第１レベルに達するまで第１コンデ
ンサへの充電が行われる。また、第２コンデンサ２１の
充電電圧が所定の第２レベルに達していない場合には、
スイッチングトランジスタ１２がオン、オフ動作すると
共にスイッチングトランジスタ２２がオンとなり、第２
コンデンサ２１への充電が行われる。このとき、第１コ
ンデンサ１４の充電電圧が第２コンデンサ２１の充電電
圧と同じか又は低い場合は、第１コンデンサ１４への充
電も同時に実行される。第１コンデンサ１４の充電電圧
が第２コンデンサ２１の充電電圧より高い場合には第２
コンデンサ２１のみの充電となる。第２コンデンサ２１
の充電電圧が第２レベルに達すれば、スイッチングトラ
ンジスタ２２はオフとされる。このとき第１コンデンサ
１４の充電電圧が第１レベルに達していればスイッチン
グトランジスタ１２のオン、オフ動作も停止せしめられ
る。
【００３１】図７には、図６に示した電圧発生回路６０
のより具体的な構成を示す回路図が示されている。図７
において、図６の各部に対応する部分には同一の符号が
付されている。制御回路１３は図２に示したものと同一
であり、昇圧コイル１１に直列に接続されている抵抗器
６４における電圧降下を検出し、直列接続された１組の
トランジスタ６５、６６及び抵抗器６７を介してオン、
オフ駆動用のパルス信号がスイッチングトランジスタ１
２のゲートに印加される構成となっている。６８は電流
制御用のコレクタ抵抗器である。
のより具体的な構成を示す回路図が示されている。図７
において、図６の各部に対応する部分には同一の符号が
付されている。制御回路１３は図２に示したものと同一
であり、昇圧コイル１１に直列に接続されている抵抗器
６４における電圧降下を検出し、直列接続された１組の
トランジスタ６５、６６及び抵抗器６７を介してオン、
オフ駆動用のパルス信号がスイッチングトランジスタ１
２のゲートに印加される構成となっている。６８は電流
制御用のコレクタ抵抗器である。
【００３２】総体的に符号６９で示されるのは、第１コ
ンデンサ１４の充電電圧が所定の第１レベルに達してい
るか否かを判別するための第１判別回路である。この回
路構成は基本的に図２に示した判別回路２３と同一であ
るからその各部と対応する部分に同一の符号を付してそ
の説明を省略する。ここで、コンデンサ７０は雑音除去
用に設けられているものである。電圧比較器３７は、第
１コンデンサ１４の充電電圧が第１レベルより小さい場
合にその出力が高レベル状態となる。電圧比較器３７の
出力は、論理ゲート回路７１の一方の入力に接続されて
いる。
ンデンサ１４の充電電圧が所定の第１レベルに達してい
るか否かを判別するための第１判別回路である。この回
路構成は基本的に図２に示した判別回路２３と同一であ
るからその各部と対応する部分に同一の符号を付してそ
の説明を省略する。ここで、コンデンサ７０は雑音除去
用に設けられているものである。電圧比較器３７は、第
１コンデンサ１４の充電電圧が第１レベルより小さい場
合にその出力が高レベル状態となる。電圧比較器３７の
出力は、論理ゲート回路７１の一方の入力に接続されて
いる。
【００３３】総体的に符号７１で示されるのは、第２コ
ンデンサ２１の充電電圧が所定の第２レベルに達してい
るか否かを判別するための第２判別回路である。この回
路構成は基本的に図２に示した判別回路２３と同一であ
るからその各部と対応する部分に同一の符号を付してそ
の説明を省略する。ここで、コンデンサ７２は雑音除去
用に設けられているものである。第２コンデンサ２１の
充電電圧が第２レベルよりも小さい場合にトランジスタ
４０がオンとなり、トランジスタ４０のコレクタ回路に
接続されているトランジスタ７３がオンとなる。この結
果、スイッチングトランジスタ２２がオンとなり、高圧
電圧ＶＭが第２コンデンサ２１に印加され、第２コンデ
ンサ２１が充電される。
ンデンサ２１の充電電圧が所定の第２レベルに達してい
るか否かを判別するための第２判別回路である。この回
路構成は基本的に図２に示した判別回路２３と同一であ
るからその各部と対応する部分に同一の符号を付してそ
の説明を省略する。ここで、コンデンサ７２は雑音除去
用に設けられているものである。第２コンデンサ２１の
充電電圧が第２レベルよりも小さい場合にトランジスタ
４０がオンとなり、トランジスタ４０のコレクタ回路に
接続されているトランジスタ７３がオンとなる。この結
果、スイッチングトランジスタ２２がオンとなり、高圧
電圧ＶＭが第２コンデンサ２１に印加され、第２コンデ
ンサ２１が充電される。
【００３４】第１判別回路６９の電圧比較器３７の出力
と第２判別回路７１の電圧比較器３７の出力とは、論理
ゲート回路７４に入力されている。論理ゲート回路７４
は、２つの電圧比較器３７の出力の少なくとも一方が高
レベル状態になるとその出力が低レベル状態となる論理
となっている。すなわち、第１コンデンサ１４又は第２
コンデンサ２１の少なくとも一方が所要の充電状態にな
っている場合に、論理ゲート回路７４の出力が低レベル
となる構成となっている。
と第２判別回路７１の電圧比較器３７の出力とは、論理
ゲート回路７４に入力されている。論理ゲート回路７４
は、２つの電圧比較器３７の出力の少なくとも一方が高
レベル状態になるとその出力が低レベル状態となる論理
となっている。すなわち、第１コンデンサ１４又は第２
コンデンサ２１の少なくとも一方が所要の充電状態にな
っている場合に、論理ゲート回路７４の出力が低レベル
となる構成となっている。
【００３５】論理ゲート回路７４の出力は、抵抗器７５
を介してアースされているトランジスタ７６のベースと
抵抗器７７を介して接続されている。トランジスタ７６
のコレクターエミッタ回路は制御回路１３の出力とアー
スとの間に接続されており、、論理ゲート回路７４の出
力が低レベルとなった場合トランジスタ７６がオフとな
り、制御回路１３の出力がトランジスタ６５、６６を介
してスイッチングトランジスタ１２のゲートに印加され
る。この結果、スイッチングトランジスタ１２がオン、
オフ動作して昇圧コイル１１の出力端子１１Ａに高圧電
圧が発生し、第１コンデンサ１４の充電が行われる。ま
た、このとき第２コンデンサ２１の充電電圧が所要の第
２レベル以下であると、第２判別回路７１によってスイ
ッチングトランジスタ２２もオンとされるので、第２コ
ンデンサ２１の充電も同時に行われる。
を介してアースされているトランジスタ７６のベースと
抵抗器７７を介して接続されている。トランジスタ７６
のコレクターエミッタ回路は制御回路１３の出力とアー
スとの間に接続されており、、論理ゲート回路７４の出
力が低レベルとなった場合トランジスタ７６がオフとな
り、制御回路１３の出力がトランジスタ６５、６６を介
してスイッチングトランジスタ１２のゲートに印加され
る。この結果、スイッチングトランジスタ１２がオン、
オフ動作して昇圧コイル１１の出力端子１１Ａに高圧電
圧が発生し、第１コンデンサ１４の充電が行われる。ま
た、このとき第２コンデンサ２１の充電電圧が所要の第
２レベル以下であると、第２判別回路７１によってスイ
ッチングトランジスタ２２もオンとされるので、第２コ
ンデンサ２１の充電も同時に行われる。
【００３６】図６及び図７に示した構成によると、第１
及び第２コンデンサ１４、２１の充電のために昇圧コイ
ル１１及びスイッチングトランジスタ１２等を共用する
ことができるので部品点数の削減が図れ、低コスト、小
型化を実現することができる。さらに、第１コンデンサ
１４への充電の周期に関係なく第２コンデンサへの充電
を行うことができるので、第２出力端子２５から得られ
る駆動用電圧ＶＦのレベル変動を有効に抑えることがで
きる。
及び第２コンデンサ１４、２１の充電のために昇圧コイ
ル１１及びスイッチングトランジスタ１２等を共用する
ことができるので部品点数の削減が図れ、低コスト、小
型化を実現することができる。さらに、第１コンデンサ
１４への充電の周期に関係なく第２コンデンサへの充電
を行うことができるので、第２出力端子２５から得られ
る駆動用電圧ＶＦのレベル変動を有効に抑えることがで
きる。
【００３７】以下、本発明を実施の形態に基づいて説明
したが、本発明はこれらの実施の形態の構成に限定され
るものではない。例えば駆動用電圧ＶＦは、ＦＥＴのゲ
ート駆動用に用いるほか、適宜の用途に用いることも可
能である。
したが、本発明はこれらの実施の形態の構成に限定され
るものではない。例えば駆動用電圧ＶＦは、ＦＥＴのゲ
ート駆動用に用いるほか、適宜の用途に用いることも可
能である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、上述の如く、装置内で
種々の用途のために用いられる２種類の高電圧を省スペ
ース、低コストにて効率よく発生させることができるよ
うにした電磁弁駆動装置を実現することができる。ま
た、第１コンデンサへの充電周期に関係なく第２コンデ
ンサへの充電を行うことができるので、第２コンデンサ
から安定に所要の電圧を得ることができる。
種々の用途のために用いられる２種類の高電圧を省スペ
ース、低コストにて効率よく発生させることができるよ
うにした電磁弁駆動装置を実現することができる。ま
た、第１コンデンサへの充電周期に関係なく第２コンデ
ンサへの充電を行うことができるので、第２コンデンサ
から安定に所要の電圧を得ることができる。
【図１】本発明による電磁弁駆動装置の実施の形態の一
例を示す概略構成図。
例を示す概略構成図。
【図２】図１に示した電圧発生回路の詳細回路図。
【図３】図２に示した電圧発生回路の作動を説明するた
めの各部の信号波形図。
めの各部の信号波形図。
【図４】図２に示した電圧発生回路の変形例を示す詳細
回路図。
回路図。
【図５】図４に示した電圧発生回路の作動を説明するた
めの各部の信号波形図。
めの各部の信号波形図。
【図６】図１に示した電圧発生回路の別の構成を示す回
路図。
路図。
【図７】図６に示した電圧発生回路の詳細回路図。
１ 電磁弁駆動装置 ２ 電磁弁 ３ バッテリ ４、４’、６０ 電圧発生回路 １０ 昇圧回路 １１ 昇圧コイル １２、２２ スイッチングトランジスタ １４ 第１コンデンサ ２１ 第２コンデンサ ２３ 判別回路 ２４ スイッチ制御回路 ５１ サイリスタ ６２ 昇圧回路 ６３ 充電制御部 ６９ 第１判別回路 ７１ 第２判別回路 ＣＳ１ 第１充電制御信号 ＣＳ２ 第２充電制御信号 ＶＦ 駆動用電圧 ＶＨ 高電圧
Claims (2)
- 【請求項１】 低圧電源から昇圧コイルへの電流をチョ
ッパ用スイッチング素子によりオン、オフすることによ
り前記昇圧コイルに生じた高圧電圧を第１コンデンサに
蓄えておくようにした昇圧回路を備え、該第１コンデン
サに蓄えられた高電圧を電磁弁高速駆動のため電磁弁駆
動の初期段階において電磁弁に所定時間だけ印加するよ
うにした電磁弁駆動装置において、 第２コンデンサと、 前記昇圧コイルに生じた高圧電圧エネルギーを該第２コ
ンデンサへ供給するのを制御するためのスイッチ手段
と、 前記第２コンデンサの充電電圧が所定レベルに達したか
否かを判別するための判別手段と、 該判別手段に応答し前記第２コンデンサの充電電圧が所
定レベルに達していない場合にのみ前記スイッチ手段を
オンとするための制御手段とを備えたことを特徴とする
電磁弁駆動装置。 - 【請求項２】 低圧電源から昇圧コイルへの電流をチョ
ッパ用スイッチング素子によりオン、オフすることによ
り前記昇圧コイルに生じた高圧電圧を第１コンデンサに
蓄えておくようにした昇圧回路を備え、該第１コンデン
サに蓄えられた高電圧を電磁弁高速駆動のため電磁弁駆
動の初期段階において電磁弁に所定時間だけ印加するよ
うにした電磁弁駆動装置において、 第２コンデンサと、 前記昇圧コイルに生じた高圧電圧エネルギーを該第２コ
ンデンサへ供給するのを制御するためのスイッチ手段
と、 前記第１コンデンサの充電電圧が所定の第１レベルに達
したか否かを判別する第１判別手段と、 前記第２コンデンサの充電電圧が所定の第２レベルに達
したか否かを判別する第２判別手段と、 前記第１及び第２判別手段に応答し前記第１又は第２コ
ンデンサの少なくとも一方の充電電圧が所定のレベルに
達していない場合には前記チョッパ用スイッチング素子
をオン、オフ動作させると共に、前記第２コンデンサの
充電電圧が所定のレベルに達していない場合にはさらに
前記スイッチ手段をオンとする充電制御手段とを備えた
ことを特徴とする電磁弁駆動装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP35668096A JP3616223B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 電磁弁駆動装置 |
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| DE19755669A DE19755669A1 (de) | 1996-12-27 | 1997-12-15 | Antriebssystem für ein Solenoidventil |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP35668096A JP3616223B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 電磁弁駆動装置 |
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| JPH10184973A true JPH10184973A (ja) | 1998-07-14 |
| JP3616223B2 JP3616223B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=18450253
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|---|---|---|---|
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| KR100893826B1 (ko) | 2007-03-29 | 2009-04-20 | 윤채석 | 솔레노이드 밸브의 사용효율을 높인 전원관리부 |
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-
1996
- 1996-12-27 JP JP35668096A patent/JP3616223B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-09 KR KR1019970067123A patent/KR100256920B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-12-15 DE DE19755669A patent/DE19755669A1/de not_active Ceased
- 1997-12-17 US US08/992,090 patent/US5938172A/en not_active Expired - Fee Related
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| DE19755669A1 (de) | 1998-07-16 |
| JP3616223B2 (ja) | 2005-02-02 |
| US5938172A (en) | 1999-08-17 |
| KR19980063942A (ko) | 1998-10-07 |
| KR100256920B1 (ko) | 2000-05-15 |
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