JPH10178224A - 半導体レーザ駆動回路および光ビーム走査装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路および光ビーム走査装置Info
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- JPH10178224A JPH10178224A JP8338092A JP33809296A JPH10178224A JP H10178224 A JPH10178224 A JP H10178224A JP 8338092 A JP8338092 A JP 8338092A JP 33809296 A JP33809296 A JP 33809296A JP H10178224 A JPH10178224 A JP H10178224A
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/10544—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ駆動回路において、電源投入時
に半導体レーザに過大電流が流れるのを防止する。 【解決手段】 正電圧を有するレーザ電源16を半導体レ
ーザ10のアノードに接続し、半導体レーザ10のカソード
をＮＰＮ型トランジスタ12のコレクタに接続し、トラン
ジスタ12のエミッタを抵抗14を介して接地する。正電源
20と負電源22により駆動されるオペアンプ24の出力をト
ランジスタ12のベースに接続する。順序回路26により正
電源20と負電源22の起動の順序を以下のように制御す
る。即ち、最初に負電源22を起動し、負電源22の電圧値
が定常値に達するまでは正電源20は起動しない。次に、
負電源22の電圧値が定常値に達したら正電源20を起動す
る。
に半導体レーザに過大電流が流れるのを防止する。 【解決手段】 正電圧を有するレーザ電源16を半導体レ
ーザ10のアノードに接続し、半導体レーザ10のカソード
をＮＰＮ型トランジスタ12のコレクタに接続し、トラン
ジスタ12のエミッタを抵抗14を介して接地する。正電源
20と負電源22により駆動されるオペアンプ24の出力をト
ランジスタ12のベースに接続する。順序回路26により正
電源20と負電源22の起動の順序を以下のように制御す
る。即ち、最初に負電源22を起動し、負電源22の電圧値
が定常値に達するまでは正電源20は起動しない。次に、
負電源22の電圧値が定常値に達したら正電源20を起動す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに電
流を供給する半導体レーザ駆動回路に関し、より詳細に
は半導体レーザ駆動回路の電源投入時の駆動方法に関す
るものである。
流を供給する半導体レーザ駆動回路に関し、より詳細に
は半導体レーザ駆動回路の電源投入時の駆動方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトデイスクプレーヤ、ミニデイ
スクプレーヤ等のピックアップ部の読取光源や、放射線
画像読取装置（例えば、特公平 ３−７９６９５号、特
開平７−１９１４２１号等）、蛍光診断装置（例えば、
特開平１−１３６６３０号、特開平７−５９７８３号
等）等の励起光源として半導体レーザが使用されている
ことは良く知られている。ここで、放射線画像読取装置
とは、放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シ
ートに励起光を照射し、この蓄積性蛍光体シートに蓄積
記録された前記放射線画像情報に応じて輝尽発光する輝
尽発光光を検出してこの放射線画像情報を読み取る医用
画像読取装置の一種である。また、蛍光診断装置とは、
腫瘍親和性を有し光により励起されたとき蛍光を発する
光感受性物質を予め生体の腫瘍部分に吸収させておき、
その部分に光感受性物質の励起波長領域にある励起光を
照射して蛍光を生じさせ、この蛍光による画像を表示し
て腫瘍部分を診断する医用画像読取装置の一種である。
スクプレーヤ等のピックアップ部の読取光源や、放射線
画像読取装置（例えば、特公平 ３−７９６９５号、特
開平７−１９１４２１号等）、蛍光診断装置（例えば、
特開平１−１３６６３０号、特開平７−５９７８３号
等）等の励起光源として半導体レーザが使用されている
ことは良く知られている。ここで、放射線画像読取装置
とは、放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シ
ートに励起光を照射し、この蓄積性蛍光体シートに蓄積
記録された前記放射線画像情報に応じて輝尽発光する輝
尽発光光を検出してこの放射線画像情報を読み取る医用
画像読取装置の一種である。また、蛍光診断装置とは、
腫瘍親和性を有し光により励起されたとき蛍光を発する
光感受性物質を予め生体の腫瘍部分に吸収させておき、
その部分に光感受性物質の励起波長領域にある励起光を
照射して蛍光を生じさせ、この蛍光による画像を表示し
て腫瘍部分を診断する医用画像読取装置の一種である。
【０００３】このような各種装置において光源として使
用されている半導体レーザは、小型であること、安価で
あること、取り扱いが容易であること等から、従来の真
空管構造のレーザに置き換わり急速に需要が増大してい
る。
用されている半導体レーザは、小型であること、安価で
あること、取り扱いが容易であること等から、従来の真
空管構造のレーザに置き換わり急速に需要が増大してい
る。
【０００４】一方、この半導体レーザは、過電流が流れ
ると破壊するという特性を有しており、使用に際しては
半導体レーザの最大許容電流値を越えないようにしなけ
ればならず、定電流制御等により半導体レーザに過大電
流が流れないように制御して使用しなければならない。
そして、この要請は半導体レーザに電流を供給する起動
時、特に電源の投入時においても、瞬間的な過大電流が
流れないように十分注意をして使用する必要がある。
ると破壊するという特性を有しており、使用に際しては
半導体レーザの最大許容電流値を越えないようにしなけ
ればならず、定電流制御等により半導体レーザに過大電
流が流れないように制御して使用しなければならない。
そして、この要請は半導体レーザに電流を供給する起動
時、特に電源の投入時においても、瞬間的な過大電流が
流れないように十分注意をして使用する必要がある。
【０００５】このため、従来より半導体レーザに電流を
供給するレーザ電源部にスロースタート回路を設け、レ
ーザ電源の電源電圧を徐々に上昇させることにより、電
源投入時の過渡的な過電流から半導体レーザを保護する
方法が用いられている。
供給するレーザ電源部にスロースタート回路を設け、レ
ーザ電源の電源電圧を徐々に上昇させることにより、電
源投入時の過渡的な過電流から半導体レーザを保護する
方法が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記スロースタート回
路を設け、電源投入時の過渡的な過電流から半導体レー
ザを保護する方法においては、抵抗と電解コンデンサに
よる積分回路を構成し、この積分回路の充電特性を利用
して半導体レーザに電流を供給するレーザ電源部の起動
時間を制御するものである。一方、従来の半導体レーザ
駆動回路は、定常状態においても半導体レーザに過大電
流が流れないようにＡＣＣ（ ＡutomaticＣurrent Ｃon
trol ）制御回路やＡＰＣ（ Ａutomatic Ｐower Ｃontr
ol ）制御回路等の制御回路を設けている。このＡＣＣ
制御回路やＡＰＣ制御回路は、通常以下のような構成を
採って実現している。即ち、ＡＣＣ制御回路は図４に示
すように、制御アンプとしてオペアンプ24を使用し、半
導体レーザ10、トランジスタや電解効果トランジスタ
（ＦＥＴ）等の電流制御素子12および電流検出用抵抗14
を直列に接続し、半導体レーザ10に流れる電流値を電流
検出用抵抗14の両端の電圧値により等価的に検出して、
この検出した電圧値を制御アンプの反転入力端子（−）
に入力するとともに非反転入力端子（＋）に所定の基準
電圧値を入力し、電流制御素子12の制御入力端子（ベー
スまたはゲート）にオペアンプ24の出力を接続し、半導
体レーザ10に流れる電流値が最大許容電流値以下の所定
の値となるように負帰還回路を構成することにより実現
している。また、ＡＰＣ制御回路は図５に示すように基
本的にはＡＣＣ制御回路と同様な構成を採りつつ、半導
体レーザ10の光出力をフォトダイオード等の光検出素子
11により受光することにより半導体レーザ10の光量値を
検出して、この光量値が最大許容光量値以下の所定の値
となるように半導体レーザに流れる電流値を制御するこ
とにより実現される。
路を設け、電源投入時の過渡的な過電流から半導体レー
ザを保護する方法においては、抵抗と電解コンデンサに
よる積分回路を構成し、この積分回路の充電特性を利用
して半導体レーザに電流を供給するレーザ電源部の起動
時間を制御するものである。一方、従来の半導体レーザ
駆動回路は、定常状態においても半導体レーザに過大電
流が流れないようにＡＣＣ（ ＡutomaticＣurrent Ｃon
trol ）制御回路やＡＰＣ（ Ａutomatic Ｐower Ｃontr
ol ）制御回路等の制御回路を設けている。このＡＣＣ
制御回路やＡＰＣ制御回路は、通常以下のような構成を
採って実現している。即ち、ＡＣＣ制御回路は図４に示
すように、制御アンプとしてオペアンプ24を使用し、半
導体レーザ10、トランジスタや電解効果トランジスタ
（ＦＥＴ）等の電流制御素子12および電流検出用抵抗14
を直列に接続し、半導体レーザ10に流れる電流値を電流
検出用抵抗14の両端の電圧値により等価的に検出して、
この検出した電圧値を制御アンプの反転入力端子（−）
に入力するとともに非反転入力端子（＋）に所定の基準
電圧値を入力し、電流制御素子12の制御入力端子（ベー
スまたはゲート）にオペアンプ24の出力を接続し、半導
体レーザ10に流れる電流値が最大許容電流値以下の所定
の値となるように負帰還回路を構成することにより実現
している。また、ＡＰＣ制御回路は図５に示すように基
本的にはＡＣＣ制御回路と同様な構成を採りつつ、半導
体レーザ10の光出力をフォトダイオード等の光検出素子
11により受光することにより半導体レーザ10の光量値を
検出して、この光量値が最大許容光量値以下の所定の値
となるように半導体レーザに流れる電流値を制御するこ
とにより実現される。
【０００７】ところで、上記制御回路のオペアンプの電
源は従来は正負ほぼ同時に投入されていた。このため、
上記スロースタート回路により半導体レーザに電流を供
給するレーザ電源部の起動時間を制御してもオペアンプ
の起動状態によっては、過渡的に過大電流が流れる場合
が生じていた。これはオペアンプにより構成される負帰
還回路がオペアンプの電源起動時に定常状態とは異なる
動作をするために生じるものである。この対策として、
オペアンプの出力と電流制御素子の制御入力端子との間
にさらに抵抗と電解コンデンサによる積分回路を構成し
て電流制御素子の電流起動を遅らせる手段を講じたりす
ることもある。
源は従来は正負ほぼ同時に投入されていた。このため、
上記スロースタート回路により半導体レーザに電流を供
給するレーザ電源部の起動時間を制御してもオペアンプ
の起動状態によっては、過渡的に過大電流が流れる場合
が生じていた。これはオペアンプにより構成される負帰
還回路がオペアンプの電源起動時に定常状態とは異なる
動作をするために生じるものである。この対策として、
オペアンプの出力と電流制御素子の制御入力端子との間
にさらに抵抗と電解コンデンサによる積分回路を構成し
て電流制御素子の電流起動を遅らせる手段を講じたりす
ることもある。
【０００８】しかし、このような抵抗と電解コンデンサ
により構成される積分回路を用いても起動を開始してか
ら定常状態に達するまでの過渡時においても半導体レー
ザに過大電流が流れないように管理することは困難であ
る。さらに、電源のオン／オフを繰り返す場合において
も、抵抗と電解コンデンサにより構成される積分回路の
充放電特性を制御し過大電流が流れないように管理する
ことは非常に困難である。
により構成される積分回路を用いても起動を開始してか
ら定常状態に達するまでの過渡時においても半導体レー
ザに過大電流が流れないように管理することは困難であ
る。さらに、電源のオン／オフを繰り返す場合において
も、抵抗と電解コンデンサにより構成される積分回路の
充放電特性を制御し過大電流が流れないように管理する
ことは非常に困難である。
【０００９】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、半導体レーザに電流を供給する半導体レーザ駆
動回路において、電源投入時に半導体レーザに過大電流
が流れ破壊することがないようにする半導体レーザ駆動
回路を提供するとともに、この半導体レーザ駆動回路を
適用したレーザ光源を有する光ビーム走査装置を提供す
るものである。
であり、半導体レーザに電流を供給する半導体レーザ駆
動回路において、電源投入時に半導体レーザに過大電流
が流れ破壊することがないようにする半導体レーザ駆動
回路を提供するとともに、この半導体レーザ駆動回路を
適用したレーザ光源を有する光ビーム走査装置を提供す
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザに電流を供給する半導体レーザ駆動回路は、半導体レ
ーザに正電圧または負電圧により電流を供給するレーザ
電源と、正電源および負電源により駆動されるオペアン
プと、上記半導体レーザに流れる電流量を上記オペアン
プの出力によって制御する電流制御素子とを有する半導
体レーザ駆動回路であり、上記オペアンプの正負両電源
のうち、上記レーザ電源と反対の極性の電源が最初に起
動し定常電圧に達した後に、上記レーザ電源と同じ極性
の電源が起動するようにする順序回路を有することを特
徴とするものである。
ザに電流を供給する半導体レーザ駆動回路は、半導体レ
ーザに正電圧または負電圧により電流を供給するレーザ
電源と、正電源および負電源により駆動されるオペアン
プと、上記半導体レーザに流れる電流量を上記オペアン
プの出力によって制御する電流制御素子とを有する半導
体レーザ駆動回路であり、上記オペアンプの正負両電源
のうち、上記レーザ電源と反対の極性の電源が最初に起
動し定常電圧に達した後に、上記レーザ電源と同じ極性
の電源が起動するようにする順序回路を有することを特
徴とするものである。
【００１１】即ち、本発明による半導体レーザ駆動回路
は、従来から使用されているレーザ電源部のスロースタ
ート回路の起動とオペアンプの電源の起動を個別に行う
もので、特に、オペアンプを正負両電源で駆動し、この
正負両電源の起動の順序を制御することにより、オペア
ンプの起動時に電流制御素子、即ち半導体レーザに過大
電流が流れないようにしたことを特徴とするものであ
る。
は、従来から使用されているレーザ電源部のスロースタ
ート回路の起動とオペアンプの電源の起動を個別に行う
もので、特に、オペアンプを正負両電源で駆動し、この
正負両電源の起動の順序を制御することにより、オペア
ンプの起動時に電流制御素子、即ち半導体レーザに過大
電流が流れないようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００１２】また本発明による光ビーム走査装置は、上
述の半導体レーザ駆動回路を備えたレーザ光源を有する
ことを特徴とするものである。
述の半導体レーザ駆動回路を備えたレーザ光源を有する
ことを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の効果】本発明による半導体レーザ駆動回路によ
れば、レーザ電源部がすでに起動していたとしても、オ
ペアンプの一方の電源がオペアンプの出力が電流制御素
子を遮断したまま起動するので、この一方の電源電圧が
定常値に達するまでは半導体レーザに電流は流れない。
また、他方の電源が起動する過渡時においては徐々に定
常状態に達するため半導体レーザに過大電流が流れるこ
とがない。また、レーザ電源部が起動していなければ、
オペアンプの起動が上記のように起動する限り半導体レ
ーザに過大電流が流れない。
れば、レーザ電源部がすでに起動していたとしても、オ
ペアンプの一方の電源がオペアンプの出力が電流制御素
子を遮断したまま起動するので、この一方の電源電圧が
定常値に達するまでは半導体レーザに電流は流れない。
また、他方の電源が起動する過渡時においては徐々に定
常状態に達するため半導体レーザに過大電流が流れるこ
とがない。また、レーザ電源部が起動していなければ、
オペアンプの起動が上記のように起動する限り半導体レ
ーザに過大電流が流れない。
【００１４】したがって、従来半導体レーザ駆動回路の
電源起動時に半導体レーザに過大電流が流れ得るという
問題が解決され、電源起動時においても半導体レーザを
破壊する心配が無くなる。
電源起動時に半導体レーザに過大電流が流れ得るという
問題が解決され、電源起動時においても半導体レーザを
破壊する心配が無くなる。
【００１５】このような半導体レーザ駆動回路をレーザ
光源に適用し、このレーザ光源を放射線画像読取装置等
の光ビーム走査装置に使用することにより、放射線画像
読取装置等の信頼性が向上することとなる。
光源に適用し、このレーザ光源を放射線画像読取装置等
の光ビーム走査装置に使用することにより、放射線画像
読取装置等の信頼性が向上することとなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態による半導体レーザ駆動回路の概略図である。
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態による半導体レーザ駆動回路の概略図である。
【００１７】レーザ電源16は半導体レーザ10のアノード
に接続され、半導体レーザ10のカソードはＮＰＮ型トラ
ンジスタ12のコレクタに接続され、トランジスタ12のエ
ミッタは抵抗14を介して接地される。トランジスタ12の
ベースはオペアンプ24の出力と接続され、オペアンプ24
は正電源20と負電源22により駆動されている。また、正
電源20と負電源22には順序回路26が接続されている。
に接続され、半導体レーザ10のカソードはＮＰＮ型トラ
ンジスタ12のコレクタに接続され、トランジスタ12のエ
ミッタは抵抗14を介して接地される。トランジスタ12の
ベースはオペアンプ24の出力と接続され、オペアンプ24
は正電源20と負電源22により駆動されている。また、正
電源20と負電源22には順序回路26が接続されている。
【００１８】レーザ電源16は正電圧を有する電源であり
半導体レーザ10に流れる電流を供給する。半導体レーザ
10に流れる電流量を制御する電流制御素子として機能す
るトランジスタ12により半導体レーザ10に流れる電流量
が制御される。トランジスタ12のベースは上述のように
オペアンプ24の出力と接続され、このオペアンプ24によ
り構成される定電流制御ループ（図示せず）によって半
導体レーザ10とトランジスタ12の定常状態の電流値が設
定される。
半導体レーザ10に流れる電流を供給する。半導体レーザ
10に流れる電流量を制御する電流制御素子として機能す
るトランジスタ12により半導体レーザ10に流れる電流量
が制御される。トランジスタ12のベースは上述のように
オペアンプ24の出力と接続され、このオペアンプ24によ
り構成される定電流制御ループ（図示せず）によって半
導体レーザ10とトランジスタ12の定常状態の電流値が設
定される。
【００１９】一方、順序回路26は、オペアンプ24の電源
である正電源20と負電源22の電源投入の順序を制御す
る。即ち、最初に負電源22を起動し、負電源22の電圧値
が定常値に達するまでは正電源20は起動しない。この
時、オペアンプ24の出力は、少なくともゼロから負電源
22の電圧値の間にある。したがって、トランジスタ12の
ベースは逆バイアス状態にあり、トランジスタ12は遮断
状態にある。つまりトランジスタ12には電流が流れず、
たとえレーザ電源16が起動していたとしても半導体レー
ザ10には電流が流れない。次に、負電源22の電圧値が定
常値に達したら正電源20が起動し徐々に電圧値が定常値
に達する。この時、オペアンプ24の出力は、上述の定電
流制御ループとして機能を始め、半導体レーザ10に流れ
る電流値が定常状態の電流値となるように制御しようと
する。正電源20の電圧値が定常値に達する過渡時におい
ては、正電源20の電圧値が低く、半導体レーザ10に流れ
る電流は定常状態の電流値以下であり、過大電流を半導
体レーザ10に流すことはない。
である正電源20と負電源22の電源投入の順序を制御す
る。即ち、最初に負電源22を起動し、負電源22の電圧値
が定常値に達するまでは正電源20は起動しない。この
時、オペアンプ24の出力は、少なくともゼロから負電源
22の電圧値の間にある。したがって、トランジスタ12の
ベースは逆バイアス状態にあり、トランジスタ12は遮断
状態にある。つまりトランジスタ12には電流が流れず、
たとえレーザ電源16が起動していたとしても半導体レー
ザ10には電流が流れない。次に、負電源22の電圧値が定
常値に達したら正電源20が起動し徐々に電圧値が定常値
に達する。この時、オペアンプ24の出力は、上述の定電
流制御ループとして機能を始め、半導体レーザ10に流れ
る電流値が定常状態の電流値となるように制御しようと
する。正電源20の電圧値が定常値に達する過渡時におい
ては、正電源20の電圧値が低く、半導体レーザ10に流れ
る電流は定常状態の電流値以下であり、過大電流を半導
体レーザ10に流すことはない。
【００２０】したがって、本構成による半導体レーザ駆
動回路によれば、電源の起動時の過渡状態においても半
導体レーザ10に過大電流が流れるということがなく、半
導体レーザ10を破壊する心配がない。尚、レーザ電源16
と正電源20は、同一の電源であっても良い。
動回路によれば、電源の起動時の過渡状態においても半
導体レーザ10に過大電流が流れるということがなく、半
導体レーザ10を破壊する心配がない。尚、レーザ電源16
と正電源20は、同一の電源であっても良い。
【００２１】次に、図２を参照して本発明の第２の実施
の形態を詳細に説明する。図２は本発明の第２の実施の
形態による半導体レーザ駆動回路の概略図である。なお
この図２において、図１中の要素と同等の要素には同番
号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り
省略する。
の形態を詳細に説明する。図２は本発明の第２の実施の
形態による半導体レーザ駆動回路の概略図である。なお
この図２において、図１中の要素と同等の要素には同番
号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り
省略する。
【００２２】半導体レーザ10のカソードは接地されてお
り、半導体レーザ10のアノードはＰＮＰ型トランジスタ
12のコレクタに接続され、トランジスタ12のエミッタは
抵抗14を介してレーザ電源16に接続されている。レーザ
電源16は負電圧を有する電源であり半導体レーザ10に流
れる電流を供給する。
り、半導体レーザ10のアノードはＰＮＰ型トランジスタ
12のコレクタに接続され、トランジスタ12のエミッタは
抵抗14を介してレーザ電源16に接続されている。レーザ
電源16は負電圧を有する電源であり半導体レーザ10に流
れる電流を供給する。
【００２３】順序回路26は、最初に正電源20を起動し、
正電源20の電圧値が定常値に達するまでは負電源22は起
動しない。この時、オペアンプ24の出力は、少なくとも
ゼロから正電源20の電圧値の間にある。したがって、ト
ランジスタ12のベースは逆バイアス状態にあり、トラン
ジスタ12は遮断状態にある。つまりトランジスタ12には
電流が流れず、たとえレーザ電源16が起動していたとし
ても半導体レーザ10には電流が流れない。次に、正電源
20の電圧値が定常値に達したら負電源22が起動し徐々に
電圧値が定常値に達する。この時、オペアンプ24の出力
は、上述の定電流制御ループとして機能を始め、半導体
レーザ10に流れる電流値が定常状態の電流値となるよう
に制御しようとする。正電源20の電圧値が定常値に達す
る過渡時においては、負電源22の電圧値が低く、半導体
レーザ10に流れる電流は定常状態の電流値以下であり、
過大電流を半導体レーザ10に流すことはない。
正電源20の電圧値が定常値に達するまでは負電源22は起
動しない。この時、オペアンプ24の出力は、少なくとも
ゼロから正電源20の電圧値の間にある。したがって、ト
ランジスタ12のベースは逆バイアス状態にあり、トラン
ジスタ12は遮断状態にある。つまりトランジスタ12には
電流が流れず、たとえレーザ電源16が起動していたとし
ても半導体レーザ10には電流が流れない。次に、正電源
20の電圧値が定常値に達したら負電源22が起動し徐々に
電圧値が定常値に達する。この時、オペアンプ24の出力
は、上述の定電流制御ループとして機能を始め、半導体
レーザ10に流れる電流値が定常状態の電流値となるよう
に制御しようとする。正電源20の電圧値が定常値に達す
る過渡時においては、負電源22の電圧値が低く、半導体
レーザ10に流れる電流は定常状態の電流値以下であり、
過大電流を半導体レーザ10に流すことはない。
【００２４】したがって、本構成による半導体レーザ駆
動回路によっても、電源の起動時の過渡状態において半
導体レーザ10に過大電流が流れるということがなく、半
導体レーザ10を破壊する心配がない。尚、レーザ電源16
と負電源22は、同一の電源であっても良い。
動回路によっても、電源の起動時の過渡状態において半
導体レーザ10に過大電流が流れるということがなく、半
導体レーザ10を破壊する心配がない。尚、レーザ電源16
と負電源22は、同一の電源であっても良い。
【００２５】なお、本発明による半導体レーザ駆動回路
は、上述した実施の形態の構成に限定されるものではな
く、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、
半導体レーザ10をトランジスタ12のエミッタ側に接続す
る構成を採ることができる。また、上記何れの実施の形
態の説明においても、電流制御素子としてトランジスタ
を使用した構成を採っているが、トランジスタの代わり
にＦＥＴを使用することもでき、ＮＰＮ型トランジスタ
はＮチャネル型ＦＥＴと、ＰＮＰ型トランジスタはＰチ
ャネル型ＦＥＴに交換することができる。そしてＦＥＴ
を使用する場合は、トランジスタのそれぞれの端子を以
下のように置き換える。即ち、ベースをゲートに、コレ
クタをドレインに、エミッタをソースに置き換えた構成
とすればよい。このＦＥＴを使用する場合においても、
上記トランジスタを使用した場合と同様にオペアンプの
電源の起動の順序を制御することにより、電源の起動時
の過渡状態において半導体レーザ10に過大電流が流れる
のを防止し、半導体レーザ10の破壊を防止することがで
きる。
は、上述した実施の形態の構成に限定されるものではな
く、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、
半導体レーザ10をトランジスタ12のエミッタ側に接続す
る構成を採ることができる。また、上記何れの実施の形
態の説明においても、電流制御素子としてトランジスタ
を使用した構成を採っているが、トランジスタの代わり
にＦＥＴを使用することもでき、ＮＰＮ型トランジスタ
はＮチャネル型ＦＥＴと、ＰＮＰ型トランジスタはＰチ
ャネル型ＦＥＴに交換することができる。そしてＦＥＴ
を使用する場合は、トランジスタのそれぞれの端子を以
下のように置き換える。即ち、ベースをゲートに、コレ
クタをドレインに、エミッタをソースに置き換えた構成
とすればよい。このＦＥＴを使用する場合においても、
上記トランジスタを使用した場合と同様にオペアンプの
電源の起動の順序を制御することにより、電源の起動時
の過渡状態において半導体レーザ10に過大電流が流れる
のを防止し、半導体レーザ10の破壊を防止することがで
きる。
【００２６】また、本発明による半導体レーザ駆動回路
をレーザ光源に適用し、このレーザ光源を使用して特開
平７−１９１４２１号等に記載の放射線画像読取装置を
構成することも可能である。図３は放射線画像読取装置
を構成する画像読取部の光ビーム走査装置の概略構成図
であり、この光ビーム走査装置は、本発明による半導体
レーザ駆動回路を適用したレーザ光源31を備えている。
この光ビーム走査装置について簡単に説明する。
をレーザ光源に適用し、このレーザ光源を使用して特開
平７−１９１４２１号等に記載の放射線画像読取装置を
構成することも可能である。図３は放射線画像読取装置
を構成する画像読取部の光ビーム走査装置の概略構成図
であり、この光ビーム走査装置は、本発明による半導体
レーザ駆動回路を適用したレーザ光源31を備えている。
この光ビーム走査装置について簡単に説明する。
【００２７】光ビーム走査装置は、所定の波長のレーザ
光Ｌを出射する本発明の半導体レーザ駆動回路を適用し
たレーザ光源31、この出射されたレーザ光Ｌを反射偏向
する回転多面鏡32、この回転多面鏡32を回転駆動するモ
ータ33、レーザ光Ｌを集光するｆθレンズ34、集光され
たレーザ光Ｌを反射して向きを変える反射光学系35から
なる。このレーザ光Ｌの照射によって、蓄積記録されて
いる放射線画像情報に応じた光量で発光する輝尽発光光
Ａを集光する光ガイド36、集光された輝尽発光光Ａを増
幅して光電変換するフォトマルチプライヤ37などの画像
情報読取手段が蓄積性蛍光体シート40に蓄積記録された
放射線画像情報を読み取る。
光Ｌを出射する本発明の半導体レーザ駆動回路を適用し
たレーザ光源31、この出射されたレーザ光Ｌを反射偏向
する回転多面鏡32、この回転多面鏡32を回転駆動するモ
ータ33、レーザ光Ｌを集光するｆθレンズ34、集光され
たレーザ光Ｌを反射して向きを変える反射光学系35から
なる。このレーザ光Ｌの照射によって、蓄積記録されて
いる放射線画像情報に応じた光量で発光する輝尽発光光
Ａを集光する光ガイド36、集光された輝尽発光光Ａを増
幅して光電変換するフォトマルチプライヤ37などの画像
情報読取手段が蓄積性蛍光体シート40に蓄積記録された
放射線画像情報を読み取る。
【００２８】放射線画像情報の蓄積記録された蓄積性蛍
光体シート40は搬送手段60に載置されて矢印Ｘ方向に搬
送され、画像読取部に搬入される。画像読取部において
は、レーザ光源31より出射したレーザ光Ｌは、モータ33
により高速回転駆動される回転多面鏡32により所定の方
向に偏向され、この変更されたレーザ光Ｌはｆθレンズ
34により集光され、さらに反射光学系35により反射され
て蓄積性蛍光体シート40を照射する。このとき回転多面
鏡32の矢印Ｋ方向への回転により、レーザ光Ｌは蓄積性
蛍光体シート40を矢印Ｙ方向に主走査し、蓄積性蛍光体
シート40は、この主走査と搬送手段60の矢印Ｘ方向への
移動（副走査）とが組み合わされて、均一にレーザ光Ｌ
を照射される。
光体シート40は搬送手段60に載置されて矢印Ｘ方向に搬
送され、画像読取部に搬入される。画像読取部において
は、レーザ光源31より出射したレーザ光Ｌは、モータ33
により高速回転駆動される回転多面鏡32により所定の方
向に偏向され、この変更されたレーザ光Ｌはｆθレンズ
34により集光され、さらに反射光学系35により反射され
て蓄積性蛍光体シート40を照射する。このとき回転多面
鏡32の矢印Ｋ方向への回転により、レーザ光Ｌは蓄積性
蛍光体シート40を矢印Ｙ方向に主走査し、蓄積性蛍光体
シート40は、この主走査と搬送手段60の矢印Ｘ方向への
移動（副走査）とが組み合わされて、均一にレーザ光Ｌ
を照射される。
【００２９】レーザ光Ｌを照射された蓄積性蛍光体シー
ト40の表面からは、蓄積記録された放射線画像情報に応
じた輝尽発光光Ａが発光し、この輝尽発光光Ａは光ガイ
ド36によって集光されて読み取られ、フォトマルチプラ
イヤ37により増幅されたうえで電気信号S0に光電変換さ
れる。
ト40の表面からは、蓄積記録された放射線画像情報に応
じた輝尽発光光Ａが発光し、この輝尽発光光Ａは光ガイ
ド36によって集光されて読み取られ、フォトマルチプラ
イヤ37により増幅されたうえで電気信号S0に光電変換さ
れる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
駆動回路の概略図
駆動回路の概略図
【図２】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
駆動回路の概略図
駆動回路の概略図
【図３】本発明の半導体レーザ駆動回路を適用したレー
ザ光源を有する光ビーム走査装置の概略図
ザ光源を有する光ビーム走査装置の概略図
【図４】ＡＣＣ制御回路の一実施例を示す回路図
【図５】ＡＰＣ制御回路の一実施例を示す回路図
10 半導体レーザ 11 フォトダイオード（光検出素子） 12 トランジスタ（電流制御素子） 14 抵抗 16 レーザ電源 20 正電源 22 負電源 24 オペアンプ 26 順序回路 31 レーザ光源 32 回転多面鏡 33 モータ 34 ｆθレンズ 35 反射光学系 36 光ガイド 37 フォトマルチプライヤ 40 蓄積性蛍光体シート 60 搬送手段
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザに正電圧または負電圧によ
り電流を供給するレーザ電源と、 正電源および負電源により駆動されるオペアンプと、 前記半導体レーザに流れる電流量を前記オペアンプの出
力によって制御する電流制御素子とを有する半導体レー
ザ駆動回路において、 前記オペアンプの正負両電源のうち、前記レーザ電源と
反対の極性の電源が最初に起動し定常電圧に達した後
に、前記レーザ電源と同じ極性の電源が起動するように
する順序回路を有することを特徴とする半導体レーザ駆
動回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ駆動回路を
備えてなるレーザ光源を有することを特徴とする光ビー
ム走査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8338092A JPH10178224A (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 半導体レーザ駆動回路および光ビーム走査装置 |
| US08/992,715 US6091748A (en) | 1996-12-18 | 1997-12-17 | Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8338092A JPH10178224A (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 半導体レーザ駆動回路および光ビーム走査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10178224A true JPH10178224A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18314838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8338092A Pending JPH10178224A (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 半導体レーザ駆動回路および光ビーム走査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6091748A (ja) |
| JP (1) | JPH10178224A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525305B2 (en) | 2000-09-11 | 2003-02-25 | Perkinelmer Canada, Inc. | Large current watchdog circuit for a photodetector |
| US6696887B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-02-24 | Matthew S. Taubman | Transistor-based interface circuitry |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136630A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-29 | Olympus Optical Co Ltd | 蛍光観察用内視鏡装置 |
| US5276697A (en) * | 1992-11-04 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Laser diode automatic power control circuit with means of protection of the laser diode |
| JP3221169B2 (ja) * | 1993-08-26 | 2001-10-22 | 松下電器産業株式会社 | 癌病巣診断装置 |
| JP3260028B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2002-02-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 蓄積性蛍光体シートの残留ノイズ消去方法および装置 |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP8338092A patent/JPH10178224A/ja active Pending
-
1997
- 1997-12-17 US US08/992,715 patent/US6091748A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6091748A (en) | 2000-07-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040910 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050208 |