JPH10173292A - 窒化ガリウム系半導体レーザ - Google Patents
窒化ガリウム系半導体レーザInfo
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- JPH10173292A JPH10173292A JP8333172A JP33317296A JPH10173292A JP H10173292 A JPH10173292 A JP H10173292A JP 8333172 A JP8333172 A JP 8333172A JP 33317296 A JP33317296 A JP 33317296A JP H10173292 A JPH10173292 A JP H10173292A
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サファイア基板上に形成された窒化ガリウム
系レーザに於いて、光がｎ型窒化ガリウムコンタクト層
に大きく分布せず、活性層への光閉込係数が大きくなる
ような、光閉込構造を明らかにすることによって、発振
しきい値電流が低く、かつレーザ光をレンズで集光した
際にスポットサイズが小さいレーザを実現する。 【解決手段】 活性領域より基板側にクラッド層として
厚さ０．７μｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０．０１≦ｘ
≦１）層、特に、厚さ０．７μｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x
Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０５）層、特に、厚さ１．０μ
ｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０３）
層を形成し、かつ前記クラッド層よりも基板側に厚さ２
μｍ以下の窒化ガリウム層を形成する。特に、電極を前
記クラッド層に接して形成する。特に、前記クラッド層
より基板側の窒化ガリウム層の厚さを１．０μｍ以下と
する。
系レーザに於いて、光がｎ型窒化ガリウムコンタクト層
に大きく分布せず、活性層への光閉込係数が大きくなる
ような、光閉込構造を明らかにすることによって、発振
しきい値電流が低く、かつレーザ光をレンズで集光した
際にスポットサイズが小さいレーザを実現する。 【解決手段】 活性領域より基板側にクラッド層として
厚さ０．７μｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０．０１≦ｘ
≦１）層、特に、厚さ０．７μｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x
Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０５）層、特に、厚さ１．０μ
ｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０３）
層を形成し、かつ前記クラッド層よりも基板側に厚さ２
μｍ以下の窒化ガリウム層を形成する。特に、電極を前
記クラッド層に接して形成する。特に、前記クラッド層
より基板側の窒化ガリウム層の厚さを１．０μｍ以下と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム系半
導体レーザ（以下単に窒化ガリウム系レーザと示す）に
関し、特に、光閉込構造が最適化された窒化ガリウム系
レーザに関する。
導体レーザ（以下単に窒化ガリウム系レーザと示す）に
関し、特に、光閉込構造が最適化された窒化ガリウム系
レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウムは、燐化インジウムや砒化
ガリウムといった従来の一般的な化合物半導体に比べ、
禁制帯エネルギーが大きい。そのため、窒化ガリウム系
化合物半導体は緑から紫外にかけての発光素子、特に半
導体レーザ（以下単にレーザ）への応用が期待されてい
る。
ガリウムといった従来の一般的な化合物半導体に比べ、
禁制帯エネルギーが大きい。そのため、窒化ガリウム系
化合物半導体は緑から紫外にかけての発光素子、特に半
導体レーザ（以下単にレーザ）への応用が期待されてい
る。
【０００３】現在、窒化ガリウム系レーザに関する報告
は、主なものは６件しかなく、いずれもＩｎx Ｇａ1-x
Ｎ（０＜ｘ＜１）量子井戸層とそれよりも禁制帯エネル
ギーの大きいＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）障壁層と
からなる単一または多重の量子井戸構造の活性層と、窒
化ガリウム光ガイド層と、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦
１）インジウム解離防止層とからなる活性領域の上下
に、クラッド層として厚さ０．５μｍ以下のＡｌx Ｇａ
1-x Ｎ（０．０５≦ｘ＜０．１５）層が形成されてい
る。
は、主なものは６件しかなく、いずれもＩｎx Ｇａ1-x
Ｎ（０＜ｘ＜１）量子井戸層とそれよりも禁制帯エネル
ギーの大きいＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）障壁層と
からなる単一または多重の量子井戸構造の活性層と、窒
化ガリウム光ガイド層と、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦
１）インジウム解離防止層とからなる活性領域の上下
に、クラッド層として厚さ０．５μｍ以下のＡｌx Ｇａ
1-x Ｎ（０．０５≦ｘ＜０．１５）層が形成されてい
る。
【０００４】図９は、初めて報告された窒化ガリウム系
レーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Jpn.
J. Appl. Phys. 35 (1996) L74）。図９に於いて、この
窒化ガリウム系レーザは、（０００１）面を表面とする
サファイア基板１０１上に、厚さ３００Åのアンドープ
の窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添加
された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０
３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加された厚さ
０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４０
５、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウ
ム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子
井戸構造活性層１０７、マグネシウムが添加された厚さ
２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止
層１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍの
ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添
加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラ
ッド層１１０、マグネシウムが添加された厚さ０．５μ
ｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るｎ電極１１３が形成されている。
レーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Jpn.
J. Appl. Phys. 35 (1996) L74）。図９に於いて、この
窒化ガリウム系レーザは、（０００１）面を表面とする
サファイア基板１０１上に、厚さ３００Åのアンドープ
の窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添加
された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０
３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加された厚さ
０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４０
５、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウ
ム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子
井戸構造活性層１０７、マグネシウムが添加された厚さ
２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止
層１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍの
ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添
加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラ
ッド層１１０、マグネシウムが添加された厚さ０．５μ
ｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るｎ電極１１３が形成されている。
【０００５】図１０は、第２の報告の窒化ガリウム系レ
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Jpn. J.
Appl. Phys. 35 (1996) L217)。図１０に於いて、この
窒化ガリウム系レーザは、（１１−２０）面を表面とす
るサファイア基板５０１上に、厚さ５００Åのアンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添
加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１
０３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1
Ｇａ0.9 Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加された厚
さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層５０
５、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウ
ム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２０周期の多重量子
井戸構造活性層５０７、マグネシウムが添加された厚さ
２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止
層１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍの
ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添
加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラ
ッド層５１０、マグネシウムが添加された厚さ０．５μ
ｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るｎ電極１１３が形成されている。
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Jpn. J.
Appl. Phys. 35 (1996) L217)。図１０に於いて、この
窒化ガリウム系レーザは、（１１−２０）面を表面とす
るサファイア基板５０１上に、厚さ５００Åのアンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添
加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１
０３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1
Ｇａ0.9 Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加された厚
さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層５０
５、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウ
ム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２０周期の多重量子
井戸構造活性層５０７、マグネシウムが添加された厚さ
２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止
層１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍの
ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添
加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラ
ッド層５１０、マグネシウムが添加された厚さ０．５μ
ｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るｎ電極１１３が形成されている。
【０００６】図１１は、第３の報告の窒化ガリウム系レ
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Appl. P
hys. Lett. 68 (1996) 2405)。図１１に於いて、この窒
化ガリウム系レーザは、（１１１）面を表面とするＭｇ
Ａｌ2 Ｏ4 基板６０１上に、厚さ３００Åのアンドープ
の窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添加
された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０
３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加された厚さ
０．４μｍのｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層５０
５、珪素が添加された厚さ０．０７μｍのｎ型窒化ガリ
ウム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.15Ｇａ0.85Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２０周期の多重量子
井戸構造活性層６０７、マグネシウムが添加された厚さ
２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止
層１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．０７μｍ
のｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが
添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎク
ラッド層５１０、マグネシウムが添加された厚さ０．４
μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るｎ電極１１３が形成されている。
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Appl. P
hys. Lett. 68 (1996) 2405)。図１１に於いて、この窒
化ガリウム系レーザは、（１１１）面を表面とするＭｇ
Ａｌ2 Ｏ4 基板６０１上に、厚さ３００Åのアンドープ
の窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添加
された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０
３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加された厚さ
０．４μｍのｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層５０
５、珪素が添加された厚さ０．０７μｍのｎ型窒化ガリ
ウム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.15Ｇａ0.85Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２０周期の多重量子
井戸構造活性層６０７、マグネシウムが添加された厚さ
２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止
層１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．０７μｍ
のｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが
添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎク
ラッド層５１０、マグネシウムが添加された厚さ０．４
μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るｎ電極１１３が形成されている。
【０００７】図１２は、第４の報告の窒化ガリウム系レ
ーザの概略断面図である(I. Akasaki et al., Elec. Le
tt. 32 (1996) 1105）。図１２に於いて、この窒化ガリ
ウム系レーザは、（０００１）面を表面とするサファイ
ア基板１０１上に、厚さ３００Åのアンドープの窒化ア
ルミニウム低温成長バッファ層７０２、珪素が添加され
た厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、
珪素が添加された厚さ０．５μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎクラッド層４０５、珪素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、厚さ１５Å
のアンドープのＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ単一量子井戸層７０
７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、マグネシ
ウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光
ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚さ０．５
μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１１０、マグ
ネシウムが添加された厚さ０．８μｍのｐ型窒化ガリウ
ムコンタクト層１１１、酸化珪素膜７１４、ニッケルか
らなるｐ電極７１２、チタン（第１層）およびアルミニ
ウム（第２層）からなるｎ電極１１３が形成されてい
る。
ーザの概略断面図である(I. Akasaki et al., Elec. Le
tt. 32 (1996) 1105）。図１２に於いて、この窒化ガリ
ウム系レーザは、（０００１）面を表面とするサファイ
ア基板１０１上に、厚さ３００Åのアンドープの窒化ア
ルミニウム低温成長バッファ層７０２、珪素が添加され
た厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、
珪素が添加された厚さ０．５μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎクラッド層４０５、珪素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、厚さ１５Å
のアンドープのＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ単一量子井戸層７０
７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、マグネシ
ウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光
ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚さ０．５
μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１１０、マグ
ネシウムが添加された厚さ０．８μｍのｐ型窒化ガリウ
ムコンタクト層１１１、酸化珪素膜７１４、ニッケルか
らなるｐ電極７１２、チタン（第１層）およびアルミニ
ウム（第２層）からなるｎ電極１１３が形成されてい
る。
【０００８】図１３は、第５の報告の窒化ガリウム系レ
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Extende
d Abstracts of 1996 International Conference on So
lidState Devices and Materials, Yokohama, 1996, p
p.67-69)。図１３に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ３００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ３μｍの
ｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、珪素が添加され
た厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防
止層８０４、珪素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａ
ｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８０５、珪素が添加された
厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、
厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸
層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁
層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層８０７、マ
グネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇ
ａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、マグネシウムが
添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド
層１０９、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍの
ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１０、マグネシウ
ムが添加された厚さ０．２μｍのｐ型窒化ガリウムコン
タクト層１１１、ニッケル（第１層）および金（第２
層）からなるｐ電極１１２、チタン（第１層）およびア
ルミニウム（第２層）からなるｎ電極１１３が形成され
ている。
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Extende
d Abstracts of 1996 International Conference on So
lidState Devices and Materials, Yokohama, 1996, p
p.67-69)。図１３に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ３００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ３μｍの
ｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、珪素が添加され
た厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防
止層８０４、珪素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａ
ｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８０５、珪素が添加された
厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、
厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸
層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁
層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層８０７、マ
グネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇ
ａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、マグネシウムが
添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド
層１０９、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍの
ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１０、マグネシウ
ムが添加された厚さ０．２μｍのｐ型窒化ガリウムコン
タクト層１１１、ニッケル（第１層）および金（第２
層）からなるｐ電極１１２、チタン（第１層）およびア
ルミニウム（第２層）からなるｎ電極１１３が形成され
ている。
【０００９】図１４は、第６の報告の窒化ガリウム系レ
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Appl. P
hys. Lett. 69 (1996) 1477)。図１４に於いて、（１１
−２０）面を表面とするサファイア基板５０１上に、厚
さ３００Åのアンドープの窒化ガリウム低温成長バッフ
ァ層１０２、珪素が添加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガ
リウムコンタクト層１０３、珪素が添加された厚さ０．
１μｍのｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層８０
４、珪素が添加された厚さ０．５μｍのｎ型Ａｌ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎクラッド層９０５、珪素が添加された厚さ０．
１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、厚さ３０
ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ
６０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からな
る７周期の多重量子井戸構造活性層８０７、マグネシウ
ムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ
インジウム解離防止層１０８、マグネシウムが添加され
た厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０
９、マグネシウムが添加された厚さ０．５μｍのｐ型Ａ
ｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層９１０、マグネシウムが添
加された厚さ０．２μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト
層１１１、ニッケル（第１層）および金（第２層）から
なるｐ電極１１２、チタン（第１層）およびアルミニウ
ム（第２層）からなるｎ電極１１３が形成されている。
ーザの概略断面図である(S. Nakamura et al., Appl. P
hys. Lett. 69 (1996) 1477)。図１４に於いて、（１１
−２０）面を表面とするサファイア基板５０１上に、厚
さ３００Åのアンドープの窒化ガリウム低温成長バッフ
ァ層１０２、珪素が添加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガ
リウムコンタクト層１０３、珪素が添加された厚さ０．
１μｍのｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層８０
４、珪素が添加された厚さ０．５μｍのｎ型Ａｌ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎクラッド層９０５、珪素が添加された厚さ０．
１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、厚さ３０
ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ
６０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からな
る７周期の多重量子井戸構造活性層８０７、マグネシウ
ムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ
インジウム解離防止層１０８、マグネシウムが添加され
た厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０
９、マグネシウムが添加された厚さ０．５μｍのｐ型Ａ
ｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層９１０、マグネシウムが添
加された厚さ０．２μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト
層１１１、ニッケル（第１層）および金（第２層）から
なるｐ電極１１２、チタン（第１層）およびアルミニウ
ム（第２層）からなるｎ電極１１３が形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一般に、窒化ガリウム
系レーザはＴＭモードよりもＴＥモードの方が利得が大
きく、利得の生じる層への光閉込係数が最も大きくなる
ような次数のＴＥモードで発振する。
系レーザはＴＭモードよりもＴＥモードの方が利得が大
きく、利得の生じる層への光閉込係数が最も大きくなる
ような次数のＴＥモードで発振する。
【００１１】例えば、図１２に示された窒化ガリウム系
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
１０次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図
１５に示す。（ここでは、最低次のモード、即ち基本モ
ードを０次モードと記述する。また、計算上、空気及び
電極の屈折率を１と、サファイア基板の屈折率を１．７
９と仮定する。）図１２に示された構造のレーザでは、
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４０５の厚さが厚く、光がｎ
型窒化ガリウムコンタクト層１０３に大きく分布するこ
とはないが、アルミニウム組成が大きいことから、クラ
ックが生じ易くなる。
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
１０次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図
１５に示す。（ここでは、最低次のモード、即ち基本モ
ードを０次モードと記述する。また、計算上、空気及び
電極の屈折率を１と、サファイア基板の屈折率を１．７
９と仮定する。）図１２に示された構造のレーザでは、
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４０５の厚さが厚く、光がｎ
型窒化ガリウムコンタクト層１０３に大きく分布するこ
とはないが、アルミニウム組成が大きいことから、クラ
ックが生じ易くなる。
【００１２】また図９、図１０、図１１に示された従来
の窒化ガリウム系レーザに於いても、図１２の窒化ガリ
ウム系レーザと同様に、活性領域の上下に厚さ０．４μ
ｍまたは０．５μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層が形
成されているが、ＡｌＧａＮ層のアルミニウム組成が
０．１２≦ｘ≦０．１５と大きいため、クラックが生じ
易くなる。
の窒化ガリウム系レーザに於いても、図１２の窒化ガリ
ウム系レーザと同様に、活性領域の上下に厚さ０．４μ
ｍまたは０．５μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層が形
成されているが、ＡｌＧａＮ層のアルミニウム組成が
０．１２≦ｘ≦０．１５と大きいため、クラックが生じ
易くなる。
【００１３】図９、図１０、図１１に示された従来の窒
化ガリウム系レーザに於いては、クラックを防ぐために
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の下にＩｎＧａＮクラック防
止層１０４を形成している。しかし、ＩｎＧａＮクラッ
ク防止層１０４による光の吸収損失が大きいため、発振
しきい値電流が高くなるという問題が生じる。
化ガリウム系レーザに於いては、クラックを防ぐために
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の下にＩｎＧａＮクラック防
止層１０４を形成している。しかし、ＩｎＧａＮクラッ
ク防止層１０４による光の吸収損失が大きいため、発振
しきい値電流が高くなるという問題が生じる。
【００１４】次に、図１３に示された窒化ガリウム系レ
ーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量子
井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような４
次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図１６
に示す。
ーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量子
井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような４
次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図１６
に示す。
【００１５】さらに図１４に示された窒化ガリウム系レ
ーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量子
井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような３
次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図１７
に示す。
ーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量子
井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような３
次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図１７
に示す。
【００１６】図１３、図１４に示された従来の窒化ガリ
ウム系レーザに於いては、活性領域の上下にクラッド層
として厚さ０．４μｍまたは０．５μｍのＡｌx Ｇａ
1-x Ｎ（０．０５≦ｘ≦０．０７）層が形成されている
が、この組成と厚さのクラッド層では、アルミニウム組
成が小さいことから、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の厚さ
は厚いが、光がｎ型窒化ガリウムコンタクト層に大きく
分布してしまい光の閉じ込めは不十分となる。
ウム系レーザに於いては、活性領域の上下にクラッド層
として厚さ０．４μｍまたは０．５μｍのＡｌx Ｇａ
1-x Ｎ（０．０５≦ｘ≦０．０７）層が形成されている
が、この組成と厚さのクラッド層では、アルミニウム組
成が小さいことから、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の厚さ
は厚いが、光がｎ型窒化ガリウムコンタクト層に大きく
分布してしまい光の閉じ込めは不十分となる。
【００１７】ここで、図１６および図１７のグラフを求
める計算に於いては、図１３および図１４のｎ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層８０５より基板側に形成されたＩｎＧａ
Ｎクラック防止層８０４が光を吸収しないと仮定してい
るが、実際には、ＩｎＧａＮクラック防止層８０４が光
を吸収するために、光がｎ型窒化ガリウムコンタクト層
１０３に大きく分布することはない。
める計算に於いては、図１３および図１４のｎ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層８０５より基板側に形成されたＩｎＧａ
Ｎクラック防止層８０４が光を吸収しないと仮定してい
るが、実際には、ＩｎＧａＮクラック防止層８０４が光
を吸収するために、光がｎ型窒化ガリウムコンタクト層
１０３に大きく分布することはない。
【００１８】しかし、ＩｎＧａＮクラック防止層８０４
による光の吸収損失が大きいため、発振しきい値電流が
高くなるという問題が生じる。また仮に、ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層８０５より基板側にＩｎＧａＮクラック防
止層１０４を形成しなかった場合は、光がｎ型窒化ガリ
ウムコンタクト層１０３に大きく分布するために、活性
層への光閉込係数が小さく発振しきい値電流が高い、レ
ーザ光をレンズで集光した際にスポットサイズが大きい
という問題が生じる。
による光の吸収損失が大きいため、発振しきい値電流が
高くなるという問題が生じる。また仮に、ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層８０５より基板側にＩｎＧａＮクラック防
止層１０４を形成しなかった場合は、光がｎ型窒化ガリ
ウムコンタクト層１０３に大きく分布するために、活性
層への光閉込係数が小さく発振しきい値電流が高い、レ
ーザ光をレンズで集光した際にスポットサイズが大きい
という問題が生じる。
【００１９】本発明の目的は、ｎ側クラッド層より基板
側にＩｎＧａＮクラック防止層を形成することなく、光
がｎ型窒化ガリウムコンタクト層に大きく分布せず、か
つ、クラックが生じにくい、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ
≦１）クラッド層のアルミニウム組成や厚さを明らかに
することによって、発振しきい値電流が低く、かつ、レ
ーザ光をレンズで集光した際にスポットサイズが小さ
く、さらには製造の際の歩留まりの良い窒化ガリウム系
レーザを実現することにある。
側にＩｎＧａＮクラック防止層を形成することなく、光
がｎ型窒化ガリウムコンタクト層に大きく分布せず、か
つ、クラックが生じにくい、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ
≦１）クラッド層のアルミニウム組成や厚さを明らかに
することによって、発振しきい値電流が低く、かつ、レ
ーザ光をレンズで集光した際にスポットサイズが小さ
く、さらには製造の際の歩留まりの良い窒化ガリウム系
レーザを実現することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
半導体レーザは、サファイア基板上にＩｎx Ｇａ1-xＮ
（０＜ｘ＜１）量子井戸層と前記量子井戸層よりも禁制
帯エネルギーの大きいＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）
障壁層とからなる単一または多重の量子井戸構造の活性
層と、前記量子井戸層よりも禁制帯エネルギーの大きい
Ｉｎx Ｇａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）光ガイド層とを含む活
性領域を有する窒化ガリウム系半導体レーザであって、
前記活性領域よりも基板側に、前記量子井戸層および障
壁層および光ガイド層のいずれよりも屈折率の小さなク
ラッド層として、厚さ０．７μｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x
Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０５）層が形成されていること
を特徴とする。また前記活性領域にＡｌx Ｇａ1-x Ｎ
（０≦ｘ≦１）インジウム解離防止層を含むことを特徴
とする。
半導体レーザは、サファイア基板上にＩｎx Ｇａ1-xＮ
（０＜ｘ＜１）量子井戸層と前記量子井戸層よりも禁制
帯エネルギーの大きいＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）
障壁層とからなる単一または多重の量子井戸構造の活性
層と、前記量子井戸層よりも禁制帯エネルギーの大きい
Ｉｎx Ｇａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）光ガイド層とを含む活
性領域を有する窒化ガリウム系半導体レーザであって、
前記活性領域よりも基板側に、前記量子井戸層および障
壁層および光ガイド層のいずれよりも屈折率の小さなク
ラッド層として、厚さ０．７μｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x
Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０５）層が形成されていること
を特徴とする。また前記活性領域にＡｌx Ｇａ1-x Ｎ
（０≦ｘ≦１）インジウム解離防止層を含むことを特徴
とする。
【００２１】さらに前記クラッド層の組成がＡｌx Ｇａ
1-x Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０３）であり、かつ前記ク
ラッド層の厚さが１．０μｍ以上であることを特徴とす
る。また電極が前記クラッド層に接していることを特徴
とする。さらに前記クラッド層よりも基板側に形成され
た窒化ガリウム層の厚さが１．０μｍ以下であることを
特徴とする。
1-x Ｎ（０．０１≦ｘ＜０．０３）であり、かつ前記ク
ラッド層の厚さが１．０μｍ以上であることを特徴とす
る。また電極が前記クラッド層に接していることを特徴
とする。さらに前記クラッド層よりも基板側に形成され
た窒化ガリウム層の厚さが１．０μｍ以下であることを
特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明では、基板側のクラッド層
の厚さおよび組成と、クラッド層と基板の間の窒化ガリ
ウム層の厚さを調整し、十分な光閉じ込めを得ながら、
かつ、クラッド層からのクラックの発生を抑制してい
る。
の厚さおよび組成と、クラッド層と基板の間の窒化ガリ
ウム層の厚さを調整し、十分な光閉じ込めを得ながら、
かつ、クラッド層からのクラックの発生を抑制してい
る。
【００２３】本発明の第１、２、３、４の実施の形態で
は、活性領域よりも基板側のＡｌxＧａ1-x Ｎクラッド
層のＡｌ組成を０．０１≦ｘ＜０．０５の範囲と小さく
することでクラッド層からのクラック発生を抑制してい
る。このため光吸収損失が大きいＩｎＧａＮクラック防
止層を用いずに済むため、発振しきい値電流を低くでき
る。
は、活性領域よりも基板側のＡｌxＧａ1-x Ｎクラッド
層のＡｌ組成を０．０１≦ｘ＜０．０５の範囲と小さく
することでクラッド層からのクラック発生を抑制してい
る。このため光吸収損失が大きいＩｎＧａＮクラック防
止層を用いずに済むため、発振しきい値電流を低くでき
る。
【００２４】またＡｌ組成を小さくすると光閉じ込めが
不十分となるがＡｌ組成を小さくするのにしたがい、Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層の層厚を０．７μｍ（Ａｌ組
成ｘが０．０５に近い場合）から厚くすることで十分な
光閉じ込めを行うことができる。
不十分となるがＡｌ組成を小さくするのにしたがい、Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層の層厚を０．７μｍ（Ａｌ組
成ｘが０．０５に近い場合）から厚くすることで十分な
光閉じ込めを行うことができる。
【００２５】さらに本発明の第３、４の実施の形態で
は、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層がｎ電極に対するコン
タクト層を兼ねているため、コンタクト層として用いて
いたｎ型窒化ガリウム層を１．０μｍ以下にできるた
め、基板上に形成された窒化ガリウム系レーザの半導体
層部分の厚さの合計を薄くすることができ、いっそうク
ラックを発生を抑制できる。
は、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層がｎ電極に対するコン
タクト層を兼ねているため、コンタクト層として用いて
いたｎ型窒化ガリウム層を１．０μｍ以下にできるた
め、基板上に形成された窒化ガリウム系レーザの半導体
層部分の厚さの合計を薄くすることができ、いっそうク
ラックを発生を抑制できる。
【００２６】本発明の第１の実施の形態では、窒化ガリ
ウム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層として
厚さ１μｍのＡｌ0.04Ｇａ0.96Ｎ層を形成し、クラッド
層と基板の間の窒化ガリウム層の厚さを１．５μｍとし
ている。さらに本発明の第２の実施の形態では、窒化ガ
リウム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層とし
て厚さ１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を形成し、ク
ラッド層と基板の間の窒化ガリウム層の厚さを１．５μ
ｍとしている。
ウム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層として
厚さ１μｍのＡｌ0.04Ｇａ0.96Ｎ層を形成し、クラッド
層と基板の間の窒化ガリウム層の厚さを１．５μｍとし
ている。さらに本発明の第２の実施の形態では、窒化ガ
リウム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層とし
て厚さ１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を形成し、ク
ラッド層と基板の間の窒化ガリウム層の厚さを１．５μ
ｍとしている。
【００２７】第１の実施の形態あるいは第２の実施の形
態では、厚さ１μｍのＡｌ組成が比較的小さいｎ型Ａｌ
0.04Ｇａ0.96Ｎ層１０５あるいは厚さ１．５μｍのＡｌ
組成が比較的小さいｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を用いる
ことで、十分な光閉じ込めを得ながら、かつ、クラッド
層からのクラックの発生を抑制している。
態では、厚さ１μｍのＡｌ組成が比較的小さいｎ型Ａｌ
0.04Ｇａ0.96Ｎ層１０５あるいは厚さ１．５μｍのＡｌ
組成が比較的小さいｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を用いる
ことで、十分な光閉じ込めを得ながら、かつ、クラッド
層からのクラックの発生を抑制している。
【００２８】本発明の第３の実施の形態では窒化ガリウ
ム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層として厚
さ１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を用い、クラッド
層上にｎ電極を形成することでクラッド層と基板の間の
窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとしている。
ム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層として厚
さ１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を用い、クラッド
層上にｎ電極を形成することでクラッド層と基板の間の
窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとしている。
【００２９】第３の実施の形態では活性層よりも基板側
のクラッド層として、厚さ１．５μｍのＡｌ組成が比較
的小さいＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を採用することで、十分
な光閉じ込めを得ながら、かつ、クラッド層からのクラ
ックの発生を抑制している。
のクラッド層として、厚さ１．５μｍのＡｌ組成が比較
的小さいＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を採用することで、十分
な光閉じ込めを得ながら、かつ、クラッド層からのクラ
ックの発生を抑制している。
【００３０】またｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層が
ｎ電極に対するコンタクト層を兼ねているため、コンタ
クト層として用いていたｎ型窒化ガリウム層を０．５μ
ｍとすることで、基板上に形成された窒化ガリウム系レ
ーザの半導体層部分の厚さの合計を薄くすることがで
き、いっそうクラックを発生を抑制できる。
ｎ電極に対するコンタクト層を兼ねているため、コンタ
クト層として用いていたｎ型窒化ガリウム層を０．５μ
ｍとすることで、基板上に形成された窒化ガリウム系レ
ーザの半導体層部分の厚さの合計を薄くすることがで
き、いっそうクラックを発生を抑制できる。
【００３１】本発明の第４の実施の形態では、窒化ガリ
ウム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層として
厚さ１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層および厚さ０．
４μｍのｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層という組成と厚さが
それぞれ異なるクラッド層を形成し、各クラッド層と基
板の間の窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとし、ｎ電
極を基板側のクラッド層に接して形成している。
ウム系レーザの活性層よりも基板側のクラッド層として
厚さ１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層および厚さ０．
４μｍのｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層という組成と厚さが
それぞれ異なるクラッド層を形成し、各クラッド層と基
板の間の窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとし、ｎ電
極を基板側のクラッド層に接して形成している。
【００３２】基板側クラッド層として厚さ１．５μｍの
Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層および厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ
0.07Ｇａ0.93Ｎ層を形成し、両クラッド層と基板の間の
窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとることで、十分な
光閉じ込めを得ながら、かつ、クラッド層のクラックの
発生を抑制している。
Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層および厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ
0.07Ｇａ0.93Ｎ層を形成し、両クラッド層と基板の間の
窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとることで、十分な
光閉じ込めを得ながら、かつ、クラッド層のクラックの
発生を抑制している。
【００３３】さらに第３の実施の形態と同様にｎ型Ａｌ
0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層がｎ電極に対するコンタクト
層を兼ねるため、別途厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト
層を形成する必要がない。
0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層がｎ電極に対するコンタクト
層を兼ねるため、別途厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト
層を形成する必要がない。
【００３４】また第３の実施の形態および第４の実施の
形態の窒化ガリウム系レーザでは、Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ
クラッド層がｎ電極へのコンタクト層を兼ねているが、
Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎの禁制帯エネルギーは窒化ガリウム
と殆ど差がないため、ｎ電極のコンタクト抵抗の悪化は
問題とはならない。
形態の窒化ガリウム系レーザでは、Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ
クラッド層がｎ電極へのコンタクト層を兼ねているが、
Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎの禁制帯エネルギーは窒化ガリウム
と殆ど差がないため、ｎ電極のコンタクト抵抗の悪化は
問題とはならない。
【００３５】
【実施例】本発明の各実施の形態における実施例につい
て図面を参照して詳しく説明する。
て図面を参照して詳しく説明する。
【００３６】《実施例１》図１は窒化ガリウム系レーザ
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１μｍの
Ａｌ0.04Ｇａ0.96Ｎ層を形成し、クラッド層よりも基板
側の窒化ガリウム層の厚さを１．５μｍとした窒化ガリ
ウム系レーザの概略断面図である。
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１μｍの
Ａｌ0.04Ｇａ0.96Ｎ層を形成し、クラッド層よりも基板
側の窒化ガリウム層の厚さを１．５μｍとした窒化ガリ
ウム系レーザの概略断面図である。
【００３７】図１に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ１．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、珪素が添加
された厚さ１μｍのＡｌ0.04Ｇａ0.96Ｎクラッド層１０
５、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウ
ム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井
戸構造活性層８０７、マグネシウムが添加された厚さ２
００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層
１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ
型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加
された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッ
ド層８１０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μｍ
のｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル（第
１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、チタ
ン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ
電極１１３が形成されている。
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ１．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、珪素が添加
された厚さ１μｍのＡｌ0.04Ｇａ0.96Ｎクラッド層１０
５、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウ
ム光ガイド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Åのアンドープの
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井
戸構造活性層８０７、マグネシウムが添加された厚さ２
００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層
１０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ
型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加
された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッ
ド層８１０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μｍ
のｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル（第
１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、チタ
ン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ
電極１１３が形成されている。
【００３８】図１に示された実施例１の窒化ガリウム系
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
１次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図５
に示す。
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
１次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図５
に示す。
【００３９】図５から分かるように、図１に示された実
施例１のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウムコン
タクト層１０３およびｎ型Ａｌ0.04Ｇａ0.96Ｎクラッド
層１０５に大きく分布することはない。
施例１のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウムコン
タクト層１０３およびｎ型Ａｌ0.04Ｇａ0.96Ｎクラッド
層１０５に大きく分布することはない。
【００４０】《実施例２》図２は窒化ガリウム系レーザ
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を形成し、クラッド層よりも
基板側の窒化ガリウム層の厚さは１．５μｍとした窒化
ガリウム系レーザの概略断面図である。
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を形成し、クラッド層よりも
基板側の窒化ガリウム層の厚さは１．５μｍとした窒化
ガリウム系レーザの概略断面図である。
【００４１】図２に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ１．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層２０３、珪素が添加された厚さ
１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５、珪
素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガ
イド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05
Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活
性層８０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åの
ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、
マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガ
リウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚
さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１
０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μｍのｐ型窒
化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル（第１層）お
よび金（第２層）からなるｐ電極１１２、チタン（第１
層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電極１１
３が形成されている。
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ１．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層２０３、珪素が添加された厚さ
１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５、珪
素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガ
イド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05
Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活
性層８０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åの
ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、
マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガ
リウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚
さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１
０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μｍのｐ型窒
化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル（第１層）お
よび金（第２層）からなるｐ電極１１２、チタン（第１
層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電極１１
３が形成されている。
【００４２】また、図２に示された実施例２の窒化ガリ
ウム系レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのう
ち各量子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなる
ような１次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフ
を図６に示す。
ウム系レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのう
ち各量子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなる
ような１次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフ
を図６に示す。
【００４３】図６から分かるように、図２に示された実
施例２のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウムコン
タクト層１０３およびｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド
層２０５に大きく分布することはない。
施例２のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウムコン
タクト層１０３およびｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド
層２０５に大きく分布することはない。
【００４４】図１ないし図２に示された本発明の実施例
１ないし実施例２の窒化ガリウム系レーザに於いては、
活性領域よりも基板側のクラッド層として、厚さ１μｍ
のＡｌ組成が比較的小さいｎ型Ａｌ0.04Ｇａ0.96Ｎ層１
０５あるいは厚さ１．５μｍのＡｌ組成が比較的小さい
ｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層２０５を採用しているため、
クラックは生じにくい。
１ないし実施例２の窒化ガリウム系レーザに於いては、
活性領域よりも基板側のクラッド層として、厚さ１μｍ
のＡｌ組成が比較的小さいｎ型Ａｌ0.04Ｇａ0.96Ｎ層１
０５あるいは厚さ１．５μｍのＡｌ組成が比較的小さい
ｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層２０５を採用しているため、
クラックは生じにくい。
【００４５】《実施例３》図３は窒化ガリウム系レーザ
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を形成し、前記クラッド層よ
りも基板側の窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとし、
ｎ電極を前記クラッド層に接して形成している窒化ガリ
ウム系レーザの概略断面図である。
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を形成し、前記クラッド層よ
りも基板側の窒化ガリウム層の厚さを０．５μｍとし、
ｎ電極を前記クラッド層に接して形成している窒化ガリ
ウム系レーザの概略断面図である。
【００４６】図３に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ０．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層２０３、珪素が添加された厚さ
１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５、珪
素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガ
イド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05
Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活
性層８０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åの
ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、
マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガ
リウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚
さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１
０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μｍのｐ型窒
化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル（第１層）お
よび金（第２層）からなるｐ電極１１２、チタン（第１
層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電極１１
３が形成されている。Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２
０５はｎ電極１１３へのコンタクト層を兼ねている。
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ０．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層２０３、珪素が添加された厚さ
１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５、珪
素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガ
イド層１０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05
Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活
性層８０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åの
ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層１０８、
マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガ
リウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚
さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１
０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μｍのｐ型窒
化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル（第１層）お
よび金（第２層）からなるｐ電極１１２、チタン（第１
層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電極１１
３が形成されている。Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２
０５はｎ電極１１３へのコンタクト層を兼ねている。
【００４７】図３に示された本発明の実施例３の窒化ガ
リウム系レーザに於いても、活性領域よりも基板側のク
ラッド層として、厚さ１．５μｍのＡｌ組成が比較的小
さいＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層２０５を採用しているため、
クラックは生じにくなっている。
リウム系レーザに於いても、活性領域よりも基板側のク
ラッド層として、厚さ１．５μｍのＡｌ組成が比較的小
さいＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層２０５を採用しているため、
クラックは生じにくなっている。
【００４８】さらに、ｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド
層２０５がｎ電極１１３に対するコンタクト層を兼ねて
いるため、別途厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト層を形
成する必要がない。
層２０５がｎ電極１１３に対するコンタクト層を兼ねて
いるため、別途厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト層を形
成する必要がない。
【００４９】図３に示された実施例３の窒化ガリウム系
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
０次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図７
に示す。
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
０次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図７
に示す。
【００５０】図７から分かるように、図３に示された実
施例３のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウムコン
タクト層１０３およびおよびｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎク
ラッド層２０５に大きく分布することはない。
施例３のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウムコン
タクト層１０３およびおよびｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎク
ラッド層２０５に大きく分布することはない。
【００５１】《実施例４》図４は窒化ガリウム系レーザ
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層および厚さ０．４μｍのｎ型
Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層を形成し、前記両クラッド層より
も基板側の窒化ガリウム層の厚さは０．５μｍとし、ｎ
電極を前記クラッド層に接して形成した窒化ガリウム系
レーザの概略断面図である。
の活性層よりも基板側のクラッド層として厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層および厚さ０．４μｍのｎ型
Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層を形成し、前記両クラッド層より
も基板側の窒化ガリウム層の厚さは０．５μｍとし、ｎ
電極を前記クラッド層に接して形成した窒化ガリウム系
レーザの概略断面図である。
【００５２】図４に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ０．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層２０３、珪素が添加された厚さ
１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５およ
び珪素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層５０５、珪素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、厚さ２５Å
のアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５
０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる
７周期の多重量子井戸構造活性層８０７、マグネシウム
が添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎイ
ンジウム解離防止層１０８、マグネシウムが添加された
厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、
マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ
0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１０、マグネシウムが添加
された厚さ０．２μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層
１１１、ニッケル（第１層）および金（第２層）からな
るｐ電極１１２、チタン（第１層）およびアルミニウム
（第２層）からなるｎ電極１１３が形成されている。Ａ
ｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５はｎ電極１１３への
コンタクト層を兼ねている。
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板５０
１上に、厚さ５００Åのアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ０．５μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層２０３、珪素が添加された厚さ
１．５μｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５およ
び珪素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層５０５、珪素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、厚さ２５Å
のアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５
０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる
７周期の多重量子井戸構造活性層８０７、マグネシウム
が添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎイ
ンジウム解離防止層１０８、マグネシウムが添加された
厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、
マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ
0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層８１０、マグネシウムが添加
された厚さ０．２μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層
１１１、ニッケル（第１層）および金（第２層）からな
るｐ電極１１２、チタン（第１層）およびアルミニウム
（第２層）からなるｎ電極１１３が形成されている。Ａ
ｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５はｎ電極１１３への
コンタクト層を兼ねている。
【００５３】図４に示された実施例４の窒化ガリウム系
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
０次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図８
に示す。
レーザの半導体各層の屈折率と、ＴＥモードのうち各量
子井戸層への光閉込係数の合計が最も大きくなるような
０次のモードの光の分布の計算結果を表すグラフを図８
に示す。
【００５４】図８から分かるように、図４に示された実
施例４のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウム層１
０３およびｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５お
よびＡｌ0.04Ｇａ0.96Ｎクラッド層５０５に大きく分布
することはない。
施例４のレーザに於いては、光がｎ型窒化ガリウム層１
０３およびｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５お
よびＡｌ0.04Ｇａ0.96Ｎクラッド層５０５に大きく分布
することはない。
【００５５】また活性領域よりも基板側のクラッド層と
して、Ａｌ組成が比較的小さい厚さ１．５μｍのＡｌ
0.02Ｇａ0.98Ｎ層２０５および厚さ０．４μｍのＡｌ
0.04Ｇａ0.96Ｎ層５０５を採用しているため、クラック
は生じにくくなっている。
して、Ａｌ組成が比較的小さい厚さ１．５μｍのＡｌ
0.02Ｇａ0.98Ｎ層２０５および厚さ０．４μｍのＡｌ
0.04Ｇａ0.96Ｎ層５０５を採用しているため、クラック
は生じにくくなっている。
【００５６】さらに、ｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド
層２０５がｎ電極１１３に対するコンタクト層を兼ねて
いるため、別途厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト層を形
成する必要がない。基板上に形成された窒化ガリウム系
レーザの半導体層部分の厚さの合計を薄くすることが出
来るため、クラックが生じにくくなる。
層２０５がｎ電極１１３に対するコンタクト層を兼ねて
いるため、別途厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト層を形
成する必要がない。基板上に形成された窒化ガリウム系
レーザの半導体層部分の厚さの合計を薄くすることが出
来るため、クラックが生じにくくなる。
【００５７】図３および図４に示された実施例３および
実施例４の窒化ガリウム系レーザに於いては、Ａｌ0.02
Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５がｎ電極１１３へのコンタ
クト層を兼ねているが、Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎの禁制帯エ
ネルギーは窒化ガリウムと殆ど差がないため、ｎ電極１
１３のコンタクト抵抗の悪化は問題とはならない。
実施例４の窒化ガリウム系レーザに於いては、Ａｌ0.02
Ｇａ0.98Ｎクラッド層２０５がｎ電極１１３へのコンタ
クト層を兼ねているが、Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎの禁制帯エ
ネルギーは窒化ガリウムと殆ど差がないため、ｎ電極１
１３のコンタクト抵抗の悪化は問題とはならない。
【００５８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の窒化ガリウ
ム系レーザに於いては、基板側クラッド層による光の閉
じ込めを十分に行うことができるので、活性層への光閉
込係数を大きくでき、発振しきい値電流を低くできる。
またクラックが生じにくいため、製造の際の歩留まりの
良い。さらにＩｎＧａＮクラック防止層を用いることが
ないため、発振しきい値電流の不必要な上昇もない。
ム系レーザに於いては、基板側クラッド層による光の閉
じ込めを十分に行うことができるので、活性層への光閉
込係数を大きくでき、発振しきい値電流を低くできる。
またクラックが生じにくいため、製造の際の歩留まりの
良い。さらにＩｎＧａＮクラック防止層を用いることが
ないため、発振しきい値電流の不必要な上昇もない。
【図１】本発明の実施例１の窒化ガリウム系レーザの概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】本発明の実施例２の窒化ガリウム系レーザの概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】本発明の実施例３の窒化ガリウム系レーザの概
略断面図である。
略断面図である。
【図４】本発明の実施例３の窒化ガリウム系レーザの概
略断面図である。
略断面図である。
【図５】本発明の実施例１に示された窒化ガリウム系レ
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
【図６】本発明の実施例２に示された窒化ガリウム系レ
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
【図７】本発明の実施例３に示された窒化ガリウム系レ
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
【図８】本発明の実施例４に示された窒化ガリウム系レ
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
ーザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表
す図である。
【図９】従来の窒化ガリウム系レーザの、第１の報告例
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図１０】従来の窒化ガリウム系レーザの、第２の報告
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図１１】従来の窒化ガリウム系レーザの、第３の報告
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図１２】従来の窒化ガリウム系レーザの、第４の報告
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図１３】従来の窒化ガリウム系レーザの、第５の報告
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図１４】従来の窒化ガリウム系レーザの、第６の報告
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図１５】図１２に示された従来の窒化ガリウム系レー
ザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表す
図である。
ザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表す
図である。
【図１６】図１３に示された従来の窒化ガリウム系レー
ザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表す
図である。
ザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表す
図である。
【図１７】図１４に示された従来の窒化ガリウム系レー
ザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表す
図である。
ザの、半導体各層の屈折率と光の分布の計算結果を表す
図である。
１０１ （０００１）面を表面とするサファイア基板 １０２ 窒化ガリウム低温成長バッファ層 １０３ ｎ型窒化ガリウム層 １０４ ｎ型Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラック防止層 １０５ ｎ型Ａｌ0.04Ｇａ0.96Ｎクラッド層 １０６ ｎ型窒化ガリウム光ガイド層 １０７ ２６周期Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ多重量子井戸活性層 １０８ ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層 １０９ ｐ型窒化ガリウム光ガイド層 １１０ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 １１１ ｐ型Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎコンタクト層 １１２ ニッケルおよび金からなるｐ電極 １１３ チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極 ２０３ ｎ型窒化ガリウム層 ２０５ ｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層 ４０５ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ５０１ （１１−２０）面を表面とするサファイア基板 ５０５ ｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層 ５０７ ２０周期Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ多重量子井戸活性層 ５１０ ｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層 ６０１ （１１１）面を表面とするＭｇＡｌ2 Ｏ4 基板 ６０７ ２０周期Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ多重量子井戸活性層 ７０２ 窒化アルミニウム低温成長バッファ層 ７０７ Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ単一量子井戸層 ７１２ ニッケルからなるｐ電極 ７１４ 酸化珪素膜 ８０４ ｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層 ８０５ ｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 ８０７ ７周期Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95
Ｎ多重量子井戸活性層８ １０ ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 ９０５ ｎ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層 ９１０ ｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層
0.95Ｎ多重量子井戸活性層 １０８ ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎインジウム解離防止層 １０９ ｐ型窒化ガリウム光ガイド層 １１０ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 １１１ ｐ型Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎコンタクト層 １１２ ニッケルおよび金からなるｐ電極 １１３ チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極 ２０３ ｎ型窒化ガリウム層 ２０５ ｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎクラッド層 ４０５ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ５０１ （１１−２０）面を表面とするサファイア基板 ５０５ ｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層 ５０７ ２０周期Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ多重量子井戸活性層 ５１０ ｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎクラッド層 ６０１ （１１１）面を表面とするＭｇＡｌ2 Ｏ4 基板 ６０７ ２０周期Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ多重量子井戸活性層 ７０２ 窒化アルミニウム低温成長バッファ層 ７０７ Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ単一量子井戸層 ７１２ ニッケルからなるｐ電極 ７１４ 酸化珪素膜 ８０４ ｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層 ８０５ ｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 ８０７ ７周期Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95
Ｎ多重量子井戸活性層８ １０ ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 ９０５ ｎ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層 ９１０ ｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層
Claims (5)
- 【請求項１】サファイア基板上にＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０
＜ｘ＜１）量子井戸層と前記量子井戸層よりも禁制帯エ
ネルギーの大きいＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）障壁
層とからなる単一または多重の量子井戸構造の活性層
と、前記量子井戸層よりも禁制帯エネルギーの大きいＩ
ｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）光ガイド層とを含む活性
領域を有する窒化ガリウム系半導体レーザであって、前
記活性領域よりも基板側に、前記量子井戸層および障壁
層および光ガイド層のいずれよりも屈折率の小さなクラ
ッド層として、厚さ０．７μｍ以上のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ
（０．０１≦ｘ＜０．０５）層が形成されていることを
特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ。 - 【請求項２】前記活性領域にＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ
≦１）インジウム解離防止層を含むことを特徴とする請
求項１記載の窒化ガリウム系半導体レーザ - 【請求項３】前記クラッド層の組成がＡｌx Ｇａ1-x Ｎ
（０．０１≦ｘ＜０．０３）であり、かつ前記クラッド
層の厚さが１．０μｍ以上であることを特徴とする請求
項１又は２記載の窒化ガリウム系半導体レーザ。 - 【請求項４】電極が前記クラッド層に接していることを
特徴とする請求項３に記載の窒化ガリウム系半導体レー
ザ。 - 【請求項５】前記クラッド層よりも基板側に形成された
窒化ガリウム層の厚さが１．０μｍ以下であることを特
徴とする請求項４記載の窒化ガリウム系半導体レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8333172A JP2820140B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 窒化ガリウム系半導体レーザ |
| US08/989,858 US6028877A (en) | 1996-12-13 | 1997-12-12 | Gallium nitride based semiconductor laser with an improved aluminum gallium nitride cladding layer disposed between an active region and a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8333172A JP2820140B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 窒化ガリウム系半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173292A true JPH10173292A (ja) | 1998-06-26 |
| JP2820140B2 JP2820140B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=18263111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8333172A Expired - Lifetime JP2820140B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 窒化ガリウム系半導体レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6028877A (ja) |
| JP (1) | JP2820140B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270028A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子 |
| JP2021184502A (ja) * | 2014-12-08 | 2021-12-02 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | ｎ−クラッド層に工学的不均一合金組成を有する窒化物レーザーダイオード |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6426512B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-07-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device |
| US6535536B2 (en) * | 2000-04-10 | 2003-03-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser element |
| US6534797B1 (en) | 2000-11-03 | 2003-03-18 | Cree, Inc. | Group III nitride light emitting devices with gallium-free layers |
| US6800876B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-10-05 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137) |
| US6906352B2 (en) | 2001-01-16 | 2005-06-14 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well |
| USRE46589E1 (en) | 2001-01-16 | 2017-10-24 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well |
| JP2003229645A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Nec Corp | 量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法 |
| US6815241B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-11-09 | Cao Group, Inc. | GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture |
| KR101034055B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2011-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| GB2406968B (en) * | 2003-10-11 | 2006-12-06 | Intense Photonics Ltd | Control of output beam divergence in a semiconductor waveguide device |
| KR101045202B1 (ko) * | 2003-10-17 | 2011-06-30 | 삼성전자주식회사 | ＩＩＩ-Ｖ 족 ＧａＮ 계 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| KR101216622B1 (ko) | 2004-11-01 | 2012-12-31 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 매우 낮은 직렬-저항 및 개선된 히트 싱킹을 가진 발광소자 제조용의 상호 맞물린 멀티-픽셀 어레이 |
| KR20070080696A (ko) * | 2006-02-08 | 2007-08-13 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 레이저 다이오드 |
| US20080197378A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Hua-Shuang Kong | Group III Nitride Diodes on Low Index Carrier Substrates |
| US7615389B2 (en) * | 2007-05-31 | 2009-11-10 | Corning Incorporated | GaN lasers on ALN substrates and methods of fabrication |
| EP2741381B1 (en) * | 2012-12-06 | 2020-05-06 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5617438A (en) * | 1994-12-19 | 1997-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| JP3728332B2 (ja) * | 1995-04-24 | 2005-12-21 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP8333172A patent/JP2820140B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-12-12 US US08/989,858 patent/US6028877A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270028A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子 |
| US7756177B2 (en) | 2005-02-25 | 2010-07-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| JP2021184502A (ja) * | 2014-12-08 | 2021-12-02 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | ｎ−クラッド層に工学的不均一合金組成を有する窒化物レーザーダイオード |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6028877A (en) | 2000-02-22 |
| JP2820140B2 (ja) | 1998-11-05 |
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