JPH10163208A - 半導体基板上に極小スケールのＣｕ相互接続金属を形成する方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエット工程からドライ工程への変更回数を
少なくする。 【解決手段】 超クリーン環境で基板１０の上面に誘電
体層を設け、マスクを介して該誘電体層に窪み１２ａ、
１２ｂを形成し、その上にバリア層１４を形成する。次
いで厳格性が緩いクリーン環境において、Ｃｕ層１６を
形成し、窪みの部分を残してＣｕ層を機械的研磨してバ
リア層の表面を露出させ、露出されたバリア層を選択的
に除去し、残留するＣｕの表面上にバリア層１８を選択
的に形成して、基板表面を平坦化する。さらに超クリー
ン環境において誘電体層を形成し、上記のステップを繰
り返し、上位層にＣｕ層を形成する。窪み１２ａには誘
電体層を貫通するバイア・ホールが形成され、多層相互
間の電気的接続がなされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微細化集積回路半
導体デバイス(microminiatureized integrated circuit
semiconductor devices)に関し、更に特定すれば、半
導体素子用高密度相互接続金属（メタルルジ： metallu
rgy)を生成するための製造装置および方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】年とともに、集積回路の複雑度は劇的な
上昇を続けている。メモリ、マイクロプロセッサ、およ
びミニコンピュータに対する応用が進むに連れて、より
高度な微小微細化、より高速なスイッチング速度、およ
び小型化されしかも低コストの集積回路半導体素子に対
する要求が更に増大している。素子の微小微細化を高め
ることによって、性能および密集密度(packing densit
y)の改善および単位当たりのコスト低減が図られる。し
かしながら、微小微細化によって、歩留まりや信頼性の
低下を招き、相互接続部の性能およびノイズ・マージン
が悪化する。

【０００３】半導体素子の微小微細化を進めるために
は、設計者は、剥がれのないＡｌ（アルミ）線のための
金属層、多レベル相互接続、および全体的な平面化に更
に頼らなければならないと思われる。他の代替案は、金
属部をＣｕに変更すること、および誘電率が低い絶縁材
料を用いることである。相互接続金属系にＣｕを使用す
ることは、Ｃｕが低い抵抗率および高い密度の電流を流
せることから、ＡｌおよびＡｌ合金に対する代替金属材
料として、長い間検討されている。しかしながら、その
使用は多くの問題を提起しており、該問題として、半導
体基板への拡散の可能性、様々な絶縁層に対するＣｕの
低接着力、およびブランケットＣｕ層にマスキングおよ
びエッチングを行い複雑な回路構造に組み入れることの
本来的な困難性、等があげられる。

【０００４】"Dual Damascene Copper Metallization P
rocess Using Chemical-MechanicalPolishing"と題する
S. Lakshminarayanan et al.の論文は、Ｃｕスパッタ堆
積技法(sputter deposition technics)を用いて、酸化
物層内の溝にＣｕを形成することにより、Ｃｕ金属相互
接続系を製造するプロセスについて記載している。過剰
なＣｕは、化学／機械的研磨を用いた研磨によって除去
し、溝の中にＣｕを残すものである。この記載されたプ
ロセスは、ドライな超クリーン環境において実施される
多数のプロセス工程、および研磨のようにウエットな、
即ち、本来「汚い」環境で実施されるプロセス工程を含
んでいる。ウエット環境からドライ環境にウエハを転送
する毎に、時間も費用も必要とする清浄および乾燥処理
を行わなければならない。ダマシーン・プロセス(Damas
cene process)と呼ばれる、記載されたプロセスは、こ
のようなドライ環境／ウエット環境間の移動を多く伴う
ため、コスト上昇および潜在的な歩留まりの低下を招
く。

【０００５】Ｃｕの半導体物質への拡散は、種々のバリ
ア層を用いることによって防止することができるが、こ
れらの層は、Ｃｕの他の様々な誘電体物質への接着性を
高めるように作用する可能性もある。無電解メッキ技法
による金属パターンの規定も、"Selective and Blanket
Electroless Cu Plating Initiated By Contact Filli
ng"（著者−Dubin et al.、１９９５年６月２７−２９
日、ＶＭＩＣ会議、１９９５ ＩＳＭＩＣ、第３１５−
３２４頁）のような出版物に示唆されている。半導体に
おける無電解Ｃｕ堆積について記載した他の出版物
に、"Electroless Copper Deposition On Metals and M
etal Silicides"（著者−Cecilia Y. Mak,ＭＲＳ小冊
子、１９９４年８月、第５−６２頁）がある。

【０００６】無電解金属メッキを使用して半導体（Ｓ
Ｃ）金属相互接続構造を形成する際、従来のドライＳＣ
製造技術を、無電解および電気金属メッキにおいて必要
なウエット技術と組み合わせる必要がある。２つの技術
には異なる様々な要件があるので、半導体製造ラインに
おいてこれらを組み合わせることは非常に難しく、しか
も費用がかかるものとなる。電気メッキ、機械的研磨等
のように、ドライ技術のプロセスからウエット技術のプ
ロセスに変更するとき、ウエット・プロセスの後に、非
常に注意深く清浄処理および乾燥工程を実施しなければ
ならない。このプロセスは、時間も費用もかかるため、
できるだけ少なく抑えるべきである。

【０００７】

【発明の概要】本発明の目的は、ＳＣ基板上に微小微細
加工されたＣｕ金属を形成する際に、ウエットからドラ
イへプロセスを変更する回数をできるだけ制限する方法
を提供することである。本発明の目的は、無電解および
電気メッキ技法を、機械／化学的研磨および関連プロセ
スと組み合わせることにより、Ｃｕ金属を製造するため
に必要な製造要素を収容する、新規な自己完結型の閉鎖
機構(self-contained enclosure)を提供することであ
る。本発明の他の目的は、従来の製造ラインに組み込み
可能な無電解および電気メッキによってＣｕ金属を製造
し、素子の残りの部分はドライな超クリーン環境を使用
して製造するための閉鎖機構および製造要素を提供する
ことである。本発明の更に他の目的は、Ｃｕメッキおよ
びデポジット層の平面化を利用し、環境を変える必要性
を少なくする方法および製造装置を提供することであ
る。

【０００８】上述の目的にしたがって、Ｃｕ相互接続金
属（メタルルジ）を形成する改良された方法を提示す
る。従来の技法によって基板の内部素子構造を形成した
後、基板表面に第１の誘電体層を形成する。レジスト・
マスクを形成し、露光し、現像することによって、レベ
ル１の相互接続金属を規定する。第１の層内に溝をエッ
チングによって形成し、マスクを除去する。これらの工
程は、全て、非常に小さい金属サイズに必要とされる、
非常にクリーンなドライ環境において実施される。表面
上および溝内にバリア層を堆積した後、Ｃｕ層を表面に
メッキし、このＣｕ層を研磨してバリア層を露出させ
る。次に、露出させたバリア層をエッチングによって除
去し、Ｃｕを研磨してこれを基板表面と同一面とする。
無電解メッキ技法を用いて、Ｃｕ上に第２のバリア層を
選択的に形成する。次に、基板を清浄化し乾燥させ、第
２の誘電体層を被着する。上述の工程を繰り返して、追
加のメタルルジ層を形成する。

【０００９】また、ＳＣ製造ラインに組み込むための、
Ｃｕ金属相互接続構造を形成する自己完結型の装置(sel
f-contained unit)も提示する。本発明の装置は、密閉
チャンバ、このチャンバに対してＳＣウエハの導入およ
び抽出を行う入出力ステーション、Ｃｕメッキ装置、お
よびチャンバ内の無電解メッキ槽、チャンバ内の主およ
び補助研磨装置、チャンバ内の装置間でウエハを移動さ
せる自動化割送り装置(automated indexer apparatu
s)、およびチャンバ内の装置を自動的に動作させる手段
を有する。

【００１０】

【発明の実施の形態】ここで図面を参照すると、半導体
基板上で特定のプロセス工程を実施する、本発明の製造
装置の特定実施例が図示されている。図５は、このプロ
セスの工程を示している。ブロック１０１は、内部デバ
イス構造を含む半導体基板の上面上に誘電体層を形成す
ることを示している。この層は、当技術では公知の技法
によって、典型的にクラス１０００という非常にクリー
ンな雰囲気で形成する。基板は、種々の不純物領域、埋
込酸化物分離部、トランジスタ、抵抗等を含む内部構造
を有する。これらは当技術では公知であり、本発明の一
部をなすものではない。ブロック１０２は、基板上にレ
ジスト層をデポジットし、露光し、現像することによっ
て、所望の金属パターンを規定することを示している。
ブロック１０３は、プラズマ・エッチング等のような、
公知のドライ・エッチング技法を使用して、基板の露出
領域にエッチングを行うことを示している。ブロック１
０２、１０３によって示される工程を繰り返し、基板に
至るバイア・ホールまたは金属レベル間のバイア・ホー
ルを形成することができる。ブロック１０４は、レジス
ト・マスクを除去したことを示す。ブロック１０５は、
約１００ｎｍの薄いバリア層を、表面上および窪み即ち
溝に堆積することを示している。バリア層は典型的には
ＴｉＷであるが、公知のバリア層のいずれでもよく、こ
れも超クリーン環境において形成する。ブロック１０６
は、約２ｕｍの比較的厚いＣｕ層を、基板の表面上およ
び溝即ち窪みの中にデポジットすることを示している。
この厚さは、溝を基板の表面よりも高いレベルに削るの
に十分な大きさである。あるいは、公知の無電解メッキ
技法によって、Ｃｕ層を形成することも可能である。無
電解メッキを使用する場合、バリア層は、公知のよう
に、Ｐｄ、Ｐｔまたはその他の活性剤によって活性化さ
れなければならない。ブロック１０７は、バリア層まで
の機械的研磨によってＣｕ層を平面化することを示して
いる。ブロック１０８は、第１のバリア層の露出部分を
ウエット・エッチングを用いて除去することを示してい
る。ブロック１０９は、無電解メッキを用いて、Ｃｕ線
の上面に第２のバリア層を選択的に形成することを示し
ている。ブロック１０６〜１０９は全て、ウエット・プ
ロセス工程であり、通常クラス１０００の厳格さが緩い
環境で行われる。ブロック１１０は、超クリーン環境に
再導入するための準備として、基板を清浄化し乾燥させ
ることを示している。ブロック１１１は、基板上に第２
の誘電体層を形成し、前述のプロセスの一連の工程を繰
り返し、他の金属層を形成することを示している。

【００１１】図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の方法および製
造装置によって実施されるプロセスの様々な段階におけ
る半導体基板を示している。該製造装置は自己完結型で
あり、半導体デバイス上にＣｕ相互接続金属をデポジッ
トし整形するためのいくつかのプロセス・ステップを実
施するように、設計されたものである。通常、デバイス
は、種々の誘電体分離部、及び領域を形成し、相互接続
金属系を受け入れる準備が整ったデバイス基板を生産す
るために必要なイオン注入工程を備えた、従来からのプ
ロセス・ラインにおいて製造される。従来の製造ライン
では、この処理は、典型的にクラス１のクリーン・ルー
ムの、非常にクリーンなドライ環境において実施され
る。この環境は、設置および維持が困難であるが、最新
の超微小微細加工デバイス構造を製造するためには、必
要なものである。本出願人の製造装置では、相互接続金
属を製造可能な一連の製造工程を集合化し、典型的にク
ラス１０００のクリーン・ルームの、環境がそれほど厳
格でない自己完結閉鎖機構内で実施する。相互接続金属
の製造の間に環境を変える回数は大幅に減少する。これ
により、製造コスト低減、デバイスを生産するために必
要な時間の短縮、および製品歩留まりの向上を図る。本
出願人のプロセスでは、ブロック１０５において第１の
バリア層の後に基板を除去し、ブロック１０６〜１０９
までの処理は、厳格さが緩いウエット環境において行わ
れる。従来技術では、これと同じ処理は数回の環境変更
を必要としている。

【００１２】ここで図４Ａ〜図４Ｅを参照すると、種々
の段階における相互接続構造を示す一連の連続的な断面
図によって、好適なプロセスが図示されている。図４Ａ
では、基板１０に相互接続構造の形状を規定する窪み１
２が設けられている様子が示されている。基板１０は、
分離構造、Ｐ／Ｎ接合、およびメモリ・セルやスイッチ
ング回路等を形成するドープ領域のような、従来の集積
回路構造が内部に埋め込まれている。レベルが低い方の
窪み１２ａは、誘電体層を貫通するバイア・ホールを規
定することができ、種々の素子領域およびバイア相互接
続回路構造の少なくとも一方に対する接点領域として機
能する。基板上の誘電体層内に形成された窪み１２ｂ
は、相互接続金属の形状を規定する。窪み１２ａ、１２
ｂは、従来の製造技法によって、本装置を超クリーン環
境に入れる前に、基板内に形成される。図４Ｂには、好
ましくはＴｉＷで作られＣＶＤまたはプラズマ・デポジ
ットによって形成された、バリア層または接着層１４が
示されている。

【００１３】図４Ｃに示すように、電気メッキまたは無
電解メッキ技法を用いて、Ｃｕの厚い膜を層１４上に形
成する。層１６の厚さを調節して、溝を完全に埋めるよ
うにする。このプロセスは、ウエット環境において実施
する。図４Ｄに示すように、層１６の物質を層１４の表
面まで除去し、部分１６ａを窪み内に残すことによっ
て、基板表面を平面化する。図４Ｅに示すように、ウエ
ット・エッチングによって、バリア層１４の露出部分を
選択的に除去する。突出したＣｕ部分を研磨によって除
去し、第２の薄いバリア層１８をＣｕパターン表面上に
選択的に形成することによって、基板の表面を平面化す
る。このプロセスを繰り返すことによって、上に位置す
る他の金属層を形成することができる。

【００１４】層１６の平面化は、図３に示す装置２０内
で達成される。研磨装置２０は、上面上に研磨パッド２
４が取り付けられた、回転可能なテーブル２２を有す
る。テーブル２２上に回転可能なウエハ・キャリア２６
を取り付け、パッド２４と接触するように基板１０を下
面上に配置する。適宜の構造２８が回転パッド上にスラ
リを分配する。ここで図１を参照すると、本発明の製造
装置の全体的な構造が、概略的に示されている。装置３
０は、関連する装置を密閉するためのチャンバ３２を有
する。装置内の空気環境は、従来の製造ライン程厳格で
はない。典型的に、クラス１０００のクリーン・ルーム
が適当である。

【００１５】チャンバ３２に対して半導体ウエハの導入
および抽出を行うために、入力および出力ステーション
(input and output station)３４が設けられている。無
電解ＴｉＷデポジット・ステーション、および電気メッ
キまたは無電解メッキＣｕ・デポジット・ステーション
３８が設けられている。これらのステーションは、典型
的に、メッキ溶液で充填されたメッキ・タンク、および
ウエハを支持する運搬ステーションである。好ましく
は、予備／金属洗浄タンク４０および洗浄ステーション
も、チャンバ３２内に設けられている。主研磨装置４２
が設けられており、該装置は図３により詳しく示されて
いる。この装置は、Ｃｕ層の大部分を除去するために使
用され、従来のパッドおよびスラリを使用する。基板１
０の表面からスラリを除去するために、補助研磨装置も
備えることが好ましい。この装置は、通常、ＤＩ水(DI
water)および非常に滑らかなペーストのみを用いる。ス
ラリ／電解質供給装置４６が、チャンバ３２内に設けら
れている。基板を装置に向かって進ませたり、装置から
離れるように移動させることができる適当な自動インデ
クサ装置４６が、チャンバ３２内に設けられている。研
磨装置４２、４４、およびウオータ・ジェット洗浄装置
に隣接して、追加の転送装置４８を設けることが好まし
い。

【００１６】装置３０の好適実施例が図２に示されてい
る。装置３０は、チャンバ３２、主研磨機４２、補助研
磨機４４、および電気メッキ・タンク３６、３８を備え
る電気メッキ・ステーション６０を有する。無負荷／負
荷ステーション(unload/loadstation)３４、ウオータ・
ジェット洗浄ステーション５０、タンク４０を収容した
洗浄ステーション６２、および自動インデクサ装置４６
も含まれている。また、この装置は、無電解バリア層メ
ッキ装置、およびバリア・エッチング槽も含んでいる。
図６に、基板上にＣｕをメッキする電気メッキ装置６０
を示している。装置６０は、ポンプ７４によって溶液を
循環させる溶液タンク７２、一定温度を保持する熱交換
機７６、およびフィルタ７８を含んでいる。内部バッフ
ル(internal baffle)８０が、バッフル８０上の電極８
２に取り付けられているウエハ１０に向けて溶液を送出
する。電極はモータ８４によって回転する。第２の電極
８６がタンク７２内に取り付けられ、電源８８から給電
される。

【００１７】代替案として、活性化されている第１のバ
リア層１４上に、無電解デポジットによって、Ｃｕを形
成することも可能である。活性化は、超クリーン環境に
おいて行うことができる。無電解デポジット方法とは、
外部から電圧を印加することなく、電解質溶液から基板
上に物質薄膜層を形成することを意味する。デポジット
は、溶液内の金属イオン、還元剤、錯化剤と、触媒面上
のｐＨ調節剤との間の電気化学的反応によって生じる。
無電解金属デポジット・プロセスは、次の２工程に分割
することができる。即ち、触媒面上の還元剤の陽極酸化
と、金属イオンの陰極還元である。無電解デポジット・
プロセスにおける触媒物質の役割は、還元剤の触媒酸化
を与え、陽極反応が生じる表面上の部位から金属イオン
の陰極還元のための表面部位まで電子を搬送する導電性
物質として作用することである。ＴｉＷの無電解デポジ
ットは公知であり、ここでは具体的には論じない。

【００１８】本発明の精神および範囲から逸脱すること
なく、装置３０には様々な修正が可能である。概して言
えば、装置３０内の処理装置は、ウエット・デポジット
および平面化装置、ならびに清浄化およびエッチング要
素のように、このような装置を支援する要素に関連す
る。装置の置き換えも可能である。例えば、従来の電気
メッキ装置は、無電解メッキ装置に置き換えることがで
きる。以上、好適実施例を参照しながら本発明を特定し
て図示しかつ説明したが、特許請求の範囲に規定された
一般的な発明概念の精神または範囲から逸脱することな
く、様々な変更や修正が可能であることは、当業者には
理解されよう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造装置の概略図である。

【図２】本発明の製造装置に用いて好適なクラスタ・ツ
ール装置の平面図である。

【図３】本発明の製造装置に用いて好適な機械的研磨装
置の側面図である。

【図４】Ａ〜Ｅは、本発明の製造装置において実施され
る処理の性質を示すための一連の断面図である。

【図５】本発明の一連のプロセス工程を示すブロック図
である。

【図６】Ｃｕをデポジットするための電気メッキ装置を
示すブロック図である。

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体デバイス上にＣｕ相互接続金属を
   形成するための自己完結型の製造装置において、 密閉チャンバと、 処理対象の半導体ウエハを前記チャンバに導入する入力
   ステーションと、 前記チャンバ内で処理した半導体ウエハを抽出する出力
   ステーションと、 前記チャンバ内のＣｕメッキ装置ステーションと、 バリア金属無電解メッキ装置ステーションと、 主研磨装置ステーションと、 補助研磨装置ステーションと、 前記チャンバ内にあり、処理対象の半導体ウエハを、前
   記入力ステーションから前記Ｃｕメッキステーション、
   前記主研磨ステーション、前記補助研磨ステーション、
   前記バリア金属エッチング・ステーションを介して前記
   出力ステーションまで移動させ、関連する半導体製造装
   置において高クリーン・ルーム環境を必要とする処理を
   更に行うために、前記チャンバから抽出する自動インデ
   クサ（指標）装置とからなることを特徴とする自己完結
   型の製造装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の自己完結型の装置におい
   て、該装置は更に、前記チャンバ内にウエハ洗浄ステー
   ションを含み、 前記自動インデクサ装置は、処理対象ウエハを前記ウエ
   ハ洗浄ステーションにも送り出し可能であることを特徴
   とする自己完結型の装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の自己完結型の装置におい
   て、前記主研磨装置ステーションは、 回転可能なプラテンと、 前記プラテン上の研磨円盤と、 前記プラテン上へスラリを分配するスラリ分配手段と、 前記プラテンの上にあり、研磨対象のウエハを前記研磨
   円盤に接触状態に支持する、回転可能なキャリアとを含
   み、 前記補助研磨装置ステーションは、回転可能なプラテン
   と、前記プラテン上の研磨円盤と、前記プラテンの上に
   あり洗浄化対象のウエハを支持する回転可能なキャリア
   と、前記プラテン上に水を分配する手段とを含んでいる
   ことを特徴とする自己完結型の装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の自己完結型の装置におい
   て、前記バリア金属層メッキ装置ステーションは、前記
   層を無電解メッキするように構成され、前記Ｃｕメッキ
   装置ステーションは、Ｃｕを無電解メッキするように構
   成されていることを特徴とする自己完結型の装置。
5. 【請求項５】 請求項５記載の自己完結型の装置におい
   て、前記バリア金属層メッキ装置は、ＴｉＷを無電解的
   に堆積するように構成されていることを特徴とする自己
   完結型の装置。
6. 【請求項６】 半導体基板上に極小スケールのＣｕ相互
   接続金属を形成する方法において、 超クリーン環境において、前記基板の上面に、第１の誘
   電体層を形成するステップと、 超クリーン環境において、前記基板上に、所望の相互接
   続金属を規定するマスクを堆積し、露光し、現像するス
   テップと、 前記マスクを介して、前記第１の誘電体層に溝をエッチ
   ングするステップと、 前記マスクを除去するステップと、 バリア金属の薄い第１の層を形成するステップと、 厳格性が緩いクリーン環境において、電気または無電解
   メッキ技法により、前記誘電体層上に厚いＣｕ層を形成
   するステップと、 厳格性が緩いクリーン環境において、前記誘電体層の表
   面の厚いＣｕ層を機械的に研磨して、前記バリア層の表
   面を露出させるステップと、 厳格性が緩いクリーン環境において、前記露出されたバ
   リア層を選択的に除去するステップと、 厳格性が緩いクリーン環境において、前記溝に残留する
   Ｃｕの表面上に第２の薄いバリア層を選択的に形成する
   ステップと、 超クリーン環境において、前記第１の誘電体層上に第２
   の誘電体層を形成するステップと、 上述のステップを繰り返し、相互接続金属の上位層を形
   成するステップとからなることを特徴とする方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の方法において、前記厚い
   Ｃｕ層は、前記バリア層を導体ベースとして用い、電気
   メッキ技法によって形成されることを特徴とする方法。
8. 【請求項８】 請求項６記載の方法において、前記バリ
   ア層を活性化させ、無電解メッキ技法により前記厚いＣ
   ｕ層を形成することを特徴とする方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載のプロセスにおいて、前記
   バリア層の活性化は、Ｐｄによって得ることを特徴とす
   る方法。
10. 【請求項１０】 請求項６記載の方法において、前記第
    ２バリア層は、厳格性が緩いクリーン環境において、無
    電解メッキ技法によって形成されることを特徴とする方
    法。
11. 【請求項１１】 請求項６記載のプロセスにおいて、前
    記溝は、超クリーン環境において、プラズマ・エッチン
    グ技法を用いて前記基板内にエッチングされることを特
    徴とする方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の方法において、前記
    薄い第１バリア層は、超クリーン環境において、化学蒸
    着技法によりＴｉＷを堆積することを特徴とする方法。
13. 【請求項１３】 請求項１１記載の方法において、前記
    薄い第１バリア層は、スパッタ堆積技法によって形成す
    ることを特徴とする方法。
14. 【請求項１４】 請求項７記載のプロセスにおいて、前
    記マスキング処理は２工程処理であり、バイア・ホール
    を規定する第１のマスクと、前記相互接続金属パターン
    を規定する第２のマスクとを用いる工程であることを特
    徴とする方法。
15. 【請求項１５】 請求項６記載の方法において、前記機
    械的研磨は、機械的および化学的研磨の組み合わせであ
    ることを特徴とする方法。
16. 【請求項１６】 請求項６記載の方法において、前記バ
    リア層はＴｉＷであることを特徴とする方法。
17. 【請求項１７】 請求項６記載の方法において、前記超
    クリーン環境はクラス１であり、前記厳格性が緩いクリ
    ーン環境はクラス１０００であることを特徴とする方
    法。
18. 【請求項１８】 請求項６記載の方法において、前記厚
    いＣｕ層は機械的に研磨されて前記下層のバリア層を露
    出させ、前記バリア層は選択的にエッチングされて前記
    基板の上面を露出させることを特徴とする方法。
19. 【請求項１９】 請求項６記載の方法において、前記マ
    スク処理は、２工程処理であり、接点ホールを規定する
    第１マスクと、前記相互接続メタルルジ・パターンを規
    定する第２マスクとを用いる工程であることを特徴とす
    る方法。