JPH10158841A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH10158841A JPH10158841A JP31638396A JP31638396A JPH10158841A JP H10158841 A JPH10158841 A JP H10158841A JP 31638396 A JP31638396 A JP 31638396A JP 31638396 A JP31638396 A JP 31638396A JP H10158841 A JPH10158841 A JP H10158841A
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- Japan
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- wafer
- vapor phase
- phase growth
- nozzle plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ガスが上蓋の計測穴で澱み、ガスをウェハへ均
一に供給できないという課題を有する。 【解決手段】内部にウェハ(22)及び該ウェハ(22)の上方
で該ウェハ(22)へガスを供給するための多数の細孔(26)
を有したガス整流ノズル板(25)が配置され、かつこのガ
ス整流ノズル板(25)より上に位置する隔壁にガス導入口
(28)を有する、上部が開口した容器(21)と、この容器(2
1)の開口部に設けられ、前記ウェハ(22)の状態を観察す
るための計測穴(29)を有した上蓋(30)と、この上蓋(30)
の計測穴(29)の少なくとも底部を塞ぐように設けられた
ガス澱み防止用覗き板(31)とを具備することを特徴とす
る気相成長装置。
一に供給できないという課題を有する。 【解決手段】内部にウェハ(22)及び該ウェハ(22)の上方
で該ウェハ(22)へガスを供給するための多数の細孔(26)
を有したガス整流ノズル板(25)が配置され、かつこのガ
ス整流ノズル板(25)より上に位置する隔壁にガス導入口
(28)を有する、上部が開口した容器(21)と、この容器(2
1)の開口部に設けられ、前記ウェハ(22)の状態を観察す
るための計測穴(29)を有した上蓋(30)と、この上蓋(30)
の計測穴(29)の少なくとも底部を塞ぐように設けられた
ガス澱み防止用覗き板(31)とを具備することを特徴とす
る気相成長装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気相成長装置に関
し、特に被処理物へのガスの流れをスムーズに行うため
にガス澱み防止用覗き板を設けた気相成長装置に関す
る。
し、特に被処理物へのガスの流れをスムーズに行うため
にガス澱み防止用覗き板を設けた気相成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェハ表面へガスを流して気相成
長を行う装置としては、図３に示すものが知られてい
る。図中の付番１は、上部が開口したＳＵＳ製の容器で
ある。この容器１の底部側には、ウェハ２を支持する回
転可能なホルダー３が配置されている。前記ホルダー３
の上方には、リング状の支持具４に支持されたガス整流
ノズル板５が配置されている。このガス整流ノズル板５
には、前記ウェハ２の表面へガスを流すための細孔６が
格子状に設けられている。前記ガス整流ノズル板５より
上に位置する容器１の隔壁には、後述する上蓋とガス整
流ノズル板５などにより構成されるガス供給室７へガス
を供給するガス導入口８が設けられている。前記容器１
の開口部には、計測穴９を有した上蓋10が設けられてい
る。ここで、前記計測穴９は、前記ウェハ２の状態やウ
ェハの温度を観察するためのものである。前記計測穴９
の上方に位置する前記上蓋10上には、透明な石英製の計
測用窓11が設けられている。図示しないが、この計測用
窓11の上方には、ウェハ２の状態を観察するためのカメ
ラや、ウェハ２の表面温度を測定するための放射温度計
が配置されている。
長を行う装置としては、図３に示すものが知られてい
る。図中の付番１は、上部が開口したＳＵＳ製の容器で
ある。この容器１の底部側には、ウェハ２を支持する回
転可能なホルダー３が配置されている。前記ホルダー３
の上方には、リング状の支持具４に支持されたガス整流
ノズル板５が配置されている。このガス整流ノズル板５
には、前記ウェハ２の表面へガスを流すための細孔６が
格子状に設けられている。前記ガス整流ノズル板５より
上に位置する容器１の隔壁には、後述する上蓋とガス整
流ノズル板５などにより構成されるガス供給室７へガス
を供給するガス導入口８が設けられている。前記容器１
の開口部には、計測穴９を有した上蓋10が設けられてい
る。ここで、前記計測穴９は、前記ウェハ２の状態やウ
ェハの温度を観察するためのものである。前記計測穴９
の上方に位置する前記上蓋10上には、透明な石英製の計
測用窓11が設けられている。図示しないが、この計測用
窓11の上方には、ウェハ２の状態を観察するためのカメ
ラや、ウェハ２の表面温度を測定するための放射温度計
が配置されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
気相成長装置においては、ガス供給室７と計測用窓11の
間にガス供給室７に直接連通する計測穴９が存在するた
め、ガス導入口８からガス供給室７に導入されたガスが
計測穴９に直ぐに入り込んで計測穴９で渦となるため、
ガスをガス整流ノズル板５の細孔６を通してウェハ２へ
均等に供給できないという課題があった。
気相成長装置においては、ガス供給室７と計測用窓11の
間にガス供給室７に直接連通する計測穴９が存在するた
め、ガス導入口８からガス供給室７に導入されたガスが
計測穴９に直ぐに入り込んで計測穴９で渦となるため、
ガスをガス整流ノズル板５の細孔６を通してウェハ２へ
均等に供給できないという課題があった。
【０００４】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、上蓋の計測穴の少なくとも底部にガス澱み防止
用覗き部材を設けることにより、ガスが計測穴で澱むの
を回避して、ウェハへガスを均一に供給しえる気相成長
装置を提供することを目的とする。
もので、上蓋の計測穴の少なくとも底部にガス澱み防止
用覗き部材を設けることにより、ガスが計測穴で澱むの
を回避して、ウェハへガスを均一に供給しえる気相成長
装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部に被処理
物及びこの被処理物の上方で該被処理物へガスを供給す
るための多数の細孔を有したガス整流ノズル板が配置さ
れ、かつこのガス整流ノズル板より上に位置する隔壁に
ガス導入口を有する、上部が開口した容器と、この容器
の開口部に設けられ、前記被処理物の状態を観察するた
めの計測穴を有した上蓋と、この上蓋の計測穴の少なく
とも底部を塞ぐように設けられたガス澱み防止用覗き部
材とを具備することを特徴とする気相成長装置である。
物及びこの被処理物の上方で該被処理物へガスを供給す
るための多数の細孔を有したガス整流ノズル板が配置さ
れ、かつこのガス整流ノズル板より上に位置する隔壁に
ガス導入口を有する、上部が開口した容器と、この容器
の開口部に設けられ、前記被処理物の状態を観察するた
めの計測穴を有した上蓋と、この上蓋の計測穴の少なく
とも底部を塞ぐように設けられたガス澱み防止用覗き部
材とを具備することを特徴とする気相成長装置である。
【０００６】本発明において、前記ガス澱み防止用覗き
部材としては、透明性、耐熱性を有するとともに被処理
物に対する汚染物の影響が被処理物の特性上無視し得る
材料からなることが好ましい。また、前記覗き部材は計
測機器に支障のない波長のものを使用する。具体的に
は、例えば石英板が挙げられる。前記覗き部材は上蓋の
計測穴の底部にのみ設けられていてもよいし、あるいは
計測穴全部を埋めるように設けられていてもよい。
部材としては、透明性、耐熱性を有するとともに被処理
物に対する汚染物の影響が被処理物の特性上無視し得る
材料からなることが好ましい。また、前記覗き部材は計
測機器に支障のない波長のものを使用する。具体的に
は、例えば石英板が挙げられる。前記覗き部材は上蓋の
計測穴の底部にのみ設けられていてもよいし、あるいは
計測穴全部を埋めるように設けられていてもよい。
【０００７】本発明において、「被処理物の状態を観察
する」とは、被処理物に反りがあるか否か、あるいは被
処理物がホルダーに正しく乗っているか等を調べること
をいう。
する」とは、被処理物に反りがあるか否か、あるいは被
処理物がホルダーに正しく乗っているか等を調べること
をいう。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。 （実施例１）図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。
ここで、図１（Ａ）は実施例１に係る気相成長装置の全
体を示す断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の装置の一構
成であるガス整流ノズル板の平面図、図１（Ｃ）は図１
（Ａ）の装置の一構成であるガス澱み防止用覗き板の斜
視図である。
照して説明する。 （実施例１）図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。
ここで、図１（Ａ）は実施例１に係る気相成長装置の全
体を示す断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の装置の一構
成であるガス整流ノズル板の平面図、図１（Ｃ）は図１
（Ａ）の装置の一構成であるガス澱み防止用覗き板の斜
視図である。
【０００９】図中の付番21は、上部が開口したＳＵＳ製
の容器である。この容器21の底部側には、ウェハ22を支
持する回転可能なホルダー23が配置されている。このホ
ルダー23には、ウェハ22を加熱するための加熱体（図示
せず）が内蔵されている。前記ホルダー23の上方には、
リング状の石英製の支持具24に支持されたガス整流ノズ
ル板25が配置されている。このガス整流ノズル板25に
は、前記ウェハ22の表面へＳｉＨ4 （シラン），ＰＨ3
（ホスフィン），ＡｓＨ3 （アルシン）等のガスを流す
ための細孔26が格子状に設けられている。
の容器である。この容器21の底部側には、ウェハ22を支
持する回転可能なホルダー23が配置されている。このホ
ルダー23には、ウェハ22を加熱するための加熱体（図示
せず）が内蔵されている。前記ホルダー23の上方には、
リング状の石英製の支持具24に支持されたガス整流ノズ
ル板25が配置されている。このガス整流ノズル板25に
は、前記ウェハ22の表面へＳｉＨ4 （シラン），ＰＨ3
（ホスフィン），ＡｓＨ3 （アルシン）等のガスを流す
ための細孔26が格子状に設けられている。
【００１０】前記ガス整流ノズル板25より上に位置する
容器21の隔壁には、後述する上蓋とガス整流ノズル板25
等により構成されるガス供給室27へガスを供給するガス
導入口28が設けられている。前記容器21の開口部には、
２つの計測穴29を有した上蓋30が設けられている。ここ
で、前記計測穴29は、前記ウェハ22の状態やウェハ２２
の温度を観察するためのものである。前記ガス導入口２
８からガス供給室27を通ってガス整流ノズル板25の細孔
へ送られるガスの流れを観察するためのものである。前
記計測穴29の底部には、ガス抜き穴31ａを有した石英製
のガス澱み防止用覗き板31が設けられている。ここで、
ガス抜き穴31ａはガス澱み防止の観点からできるだけ小
さい方が好ましく、例えば前記覗き板31の径５０ｍｍに
対し、ガス抜き穴31ａの径は２ｍｍ〜３ｍｍ位がよい。
容器21の隔壁には、後述する上蓋とガス整流ノズル板25
等により構成されるガス供給室27へガスを供給するガス
導入口28が設けられている。前記容器21の開口部には、
２つの計測穴29を有した上蓋30が設けられている。ここ
で、前記計測穴29は、前記ウェハ22の状態やウェハ２２
の温度を観察するためのものである。前記ガス導入口２
８からガス供給室27を通ってガス整流ノズル板25の細孔
へ送られるガスの流れを観察するためのものである。前
記計測穴29の底部には、ガス抜き穴31ａを有した石英製
のガス澱み防止用覗き板31が設けられている。ここで、
ガス抜き穴31ａはガス澱み防止の観点からできるだけ小
さい方が好ましく、例えば前記覗き板31の径５０ｍｍに
対し、ガス抜き穴31ａの径は２ｍｍ〜３ｍｍ位がよい。
【００１１】前記計測穴29の上方に位置する前記上蓋30
上には、石英製の計測用窓32が設けられている。また、
この計測用窓32の上方には、ウェハ22の状態を観察する
ためのカメラや、ウェハ22の表面温度を測定するための
放射温度計が配置されている（夫々図示せず）。ここ
で、前記カメラはウェハ22の反りやウェハ22がホルダー
に正しく載置されているかをみるものである。なお、こ
うした構成の気相成長装置において、ウェハ処理の前に
は容器全体を真空にすることにより、上蓋30の計測穴29
のガス抜きが行なわれる。
上には、石英製の計測用窓32が設けられている。また、
この計測用窓32の上方には、ウェハ22の状態を観察する
ためのカメラや、ウェハ22の表面温度を測定するための
放射温度計が配置されている（夫々図示せず）。ここ
で、前記カメラはウェハ22の反りやウェハ22がホルダー
に正しく載置されているかをみるものである。なお、こ
うした構成の気相成長装置において、ウェハ処理の前に
は容器全体を真空にすることにより、上蓋30の計測穴29
のガス抜きが行なわれる。
【００１２】このように、図１の気相成長装置は、上蓋
30の計測穴29の底部にガス澱み防止用覗き板31を設けた
構成となっているため、石英製の計測板32及びガス澱み
防止用覗き板31を通してウェハ22の状態を観察したり、
ウェハ22の表面温度を測定することができる。また、ガ
ス澱み防止用覗き板31により計測穴29とガス供給室27と
が小さな径のガス抜き穴31ａのみにより連通するため、
ガス導入口28から送られてきたガスがガス供給室27を通
って計測穴29へ流れるのを極力押さえ、従来のようにガ
ス導入口28から送られてきたガスが上蓋30の計測穴29で
澱むのを低減できる。従って、ホルダー23上のウェハ22
表面にガスを均一に送ることができる。
30の計測穴29の底部にガス澱み防止用覗き板31を設けた
構成となっているため、石英製の計測板32及びガス澱み
防止用覗き板31を通してウェハ22の状態を観察したり、
ウェハ22の表面温度を測定することができる。また、ガ
ス澱み防止用覗き板31により計測穴29とガス供給室27と
が小さな径のガス抜き穴31ａのみにより連通するため、
ガス導入口28から送られてきたガスがガス供給室27を通
って計測穴29へ流れるのを極力押さえ、従来のようにガ
ス導入口28から送られてきたガスが上蓋30の計測穴29で
澱むのを低減できる。従って、ホルダー23上のウェハ22
表面にガスを均一に送ることができる。
【００１３】（実施例２）図２を参照して説明する。但
し、図１と同部材は同部材を付して説明を省略する。図
２の気相成長装置は、上蓋30の計測穴29に石英製のガス
澱み防止用覗き板41を埋め込んだ構成となっている。実
施例２の装置の場合、実施例１と同様な効果が得られる
他、実施例１のように上蓋30上に石英製の計測用窓32を
設ける必要がない。
し、図１と同部材は同部材を付して説明を省略する。図
２の気相成長装置は、上蓋30の計測穴29に石英製のガス
澱み防止用覗き板41を埋め込んだ構成となっている。実
施例２の装置の場合、実施例１と同様な効果が得られる
他、実施例１のように上蓋30上に石英製の計測用窓32を
設ける必要がない。
【００１４】なお、上記実施例では、上蓋に２つの計測
穴が設けられている場合について述べたが、これに限定
されず、例えば３つあるいは４つでもよい。また、上記
実施例では、石英製のガス澱み防止用覗き板を用いた場
合について述べたが、これに限らず、前記覗き板として
は、透明性、耐熱性を有するとともに被処理物に対する
汚染物の影響が被処理物の特性上無視し得る材料であれ
ばよい。
穴が設けられている場合について述べたが、これに限定
されず、例えば３つあるいは４つでもよい。また、上記
実施例では、石英製のガス澱み防止用覗き板を用いた場
合について述べたが、これに限らず、前記覗き板として
は、透明性、耐熱性を有するとともに被処理物に対する
汚染物の影響が被処理物の特性上無視し得る材料であれ
ばよい。
【００１５】更に、上記実施例では、ガス澱み防止用覗
き部材が上蓋の計測穴の底部、あるいは計測穴の全てを
埋め込むような場合について述べたが、覗き部材を上蓋
の計測穴の例えば（高さ方向に対し）中間位置に設けて
もある程度の本発明効果を期待できる。
き部材が上蓋の計測穴の底部、あるいは計測穴の全てを
埋め込むような場合について述べたが、覗き部材を上蓋
の計測穴の例えば（高さ方向に対し）中間位置に設けて
もある程度の本発明効果を期待できる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、上蓋
の計測穴の少なくとも底部にガス澱み防止用覗き部材を
設けることにより、ガスが計測穴で澱むのを回避して、
ウェハへガスを均一に供給しえる気相成長装置を提供で
きる。
の計測穴の少なくとも底部にガス澱み防止用覗き部材を
設けることにより、ガスが計測穴で澱むのを回避して、
ウェハへガスを均一に供給しえる気相成長装置を提供で
きる。
【図１】本発明の実施例１に係る気相成長装置の説明図
で、図１（Ａ）は同装置の全体を示す断面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）の装置の一構成であるガス整流ノズ
ル板の平面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の装置の一構成
であるガス澱み防止用覗き板の斜視図。
で、図１（Ａ）は同装置の全体を示す断面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）の装置の一構成であるガス整流ノズ
ル板の平面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の装置の一構成
であるガス澱み防止用覗き板の斜視図。
【図２】本発明の実施例２に係る気相成長装置の全体を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】従来の気相成長装置の全体を示す断面図。
21…容器、 22…ウェハ、 23…ホルダー、 25…ガス整流ノズル板、 26…細孔、 27…ガス供給室、 28…ガス導入口、 29…計測穴、 30…上蓋、 31…ガス澱み防止用覗き板、 32…計測用窓。
Claims (3)
- 【請求項１】 内部に被処理物及びこの被処理物の上方
で該被処理物へガスを供給するための多数の細孔を有し
たガス整流ノズル板が配置され、かつこのガス整流ノズ
ル板より上に位置する隔壁にガス導入口を有する、上部
が開口した容器と、この容器の開口部に設けられ、前記
被処理物の状態を観察するための計測穴を有した上蓋
と、この上蓋の計測穴の少なくとも底部を塞ぐように設
けられたガス澱み防止用覗き部材とを具備することを特
徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記ガス澱み防止用覗き部材は、透明
性、耐熱性を有するとともに被処理物に対する汚染物の
影響が被処理物の特性上無視し得る材料からなることを
特徴とする請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記ガス澱み防止用覗き部材は石英板で
あることを特徴とする請求項２記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31638396A JPH10158841A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31638396A JPH10158841A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10158841A true JPH10158841A (ja) | 1998-06-16 |
Family
ID=18076483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31638396A Pending JPH10158841A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10158841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140145564A (ko) * | 2013-06-13 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치 |
-
1996
- 1996-11-27 JP JP31638396A patent/JPH10158841A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140145564A (ko) * | 2013-06-13 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치 |
| TWI574306B (zh) * | 2013-06-13 | 2017-03-11 | Nuflare Technology Inc | Gas growth device |
| US9803282B2 (en) | 2013-06-13 | 2017-10-31 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor phase growth apparatus |
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