JPH10158825A - Production of ceramic/metal-compounded sputtering target material - Google Patents
Production of ceramic/metal-compounded sputtering target materialInfo
- Publication number
- JPH10158825A JPH10158825A JP8321816A JP32181696A JPH10158825A JP H10158825 A JPH10158825 A JP H10158825A JP 8321816 A JP8321816 A JP 8321816A JP 32181696 A JP32181696 A JP 32181696A JP H10158825 A JPH10158825 A JP H10158825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- metal
- powder
- target material
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 14
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 7
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主として磁気記録
媒体の下地膜用および磁気記録膜用のスパッタリングタ
ーゲット材の製造方法に関し、さらに詳しくは、セラミ
ックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材
の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a sputtering target material for a base film and a magnetic recording film of a magnetic recording medium, and more particularly to a method for producing a sputtering target material in which ceramic and metal are combined. It is about the method.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、電子機器材料の分野のなかでもコ
ンピュータのハードディスクなどの磁気記録媒体用薄膜
の需要は急激な増加の傾向にあり、使用される薄膜の記
録密度もますます高密度化しつつあり、そのため下地膜
には低ノイズ特性が要求され、一方磁気記録膜には低ノ
イズ特性に加えて高保磁力特性も要求されており、金属
相と非金属相の2相からなる薄膜が使用されつつある。
このような磁気記録媒体の下地膜および磁気記録膜の作
製には、主として一般にスパッタリング工法が用いられ
ており、スパッタリングターゲットとしてはセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が使用されている。
このスパッタリングに使用されるターゲット材は、従来
等方性熱間静水圧プレス(以下「HIP」という。)工
法により製造されている。2. Description of the Related Art In the field of electronic device materials, the demand for thin films for magnetic recording media such as computer hard disks has been increasing rapidly, and the recording density of thin films used has been increasing. Therefore, low noise characteristics are required for the underlayer, while high coercive force characteristics are required for the magnetic recording film in addition to the low noise characteristics, and a thin film composed of two phases, a metal phase and a non-metal phase, is used. It is getting.
In general, a sputtering method is generally used for producing such a base film and a magnetic recording film of a magnetic recording medium, and a target material in which ceramic and metal are combined is used as a sputtering target.
The target material used for this sputtering is conventionally manufactured by an isotropic hot isostatic pressing (hereinafter, referred to as "HIP") method.
【0003】他の方法としては、特公平2−8301号
公報に示されているように粉末を混合し、その混合粉末
を金属カプセルに充填し、高温高圧下で固化成形する方
法も考えられる。As another method, as shown in Japanese Patent Publication No. 2-8301, a method of mixing powder, filling the mixed powder in a metal capsule, and solidifying under high temperature and pressure is also conceivable.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】HIP工法は一般に工
業的には時間とコストがかかり、量産に適しているとは
いいがたい。加えてHIP工法では高密度に固化成形で
きておらず、ポアが存在し、そのポアがスパッタ時のパ
ーティクル発生の原因となり膜作製のトラブルを生じや
すい。またスパッタ中にポアの部分に熱応力が集中して
しまい割れやすい。Generally, the HIP method is industrially time-consuming and costly, and cannot be said to be suitable for mass production. In addition, in the HIP method, solidification cannot be performed at a high density, and pores are present, and the pores cause particles to be generated at the time of sputtering, which is likely to cause trouble in film production. In addition, thermal stress concentrates on the pores during sputtering, so that they are easily broken.
【0005】ターゲット材は所望形状に仕上げるために
固化成形後、機械加工を行う必要がある。しかしHIP
材の結晶粒は不揃いであり、高密度に固化成形できてい
ないことから機械加工時に割れや欠けが生じるといった
強度的な問題点もあった。[0005] In order to finish the target material into a desired shape, it is necessary to perform machining after solidification molding. But HIP
Since the crystal grains of the material are not uniform and cannot be solidified and formed at a high density, there is also a problem in strength such as cracking or chipping during machining.
【0006】他の方法としては、特公平2−8301号
公報に示されているように、粉末を混合し、その混合粉
末を金属カプセルに充填し、高温高圧下で固化成形する
方法もある。この方法において、金属粉末同士であれば
固化成形時に一部合金化したり、後熱処理により合金化
することが可能である。しかし金属粉末と非金属である
セラミック粉末の場合、金属粉末同士の場合のように合
金化することもなく、また固化成形後の熱処理により合
金化させることもできなかった。その結果、セラミック
粉末が単体で存在し、セラミック粉末が凝集したまま固
化成形を行うと、固化成形後ターゲットを所定形状に仕
上げる機械加工を行うときにセラミックの凝集部分から
欠けや割れを生じるといった問題があった。As another method, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 2-8301, there is a method in which powders are mixed, the mixed powder is filled in a metal capsule, and solidified under high temperature and pressure. In this method, metal powders can be partially alloyed during solidification molding or alloyed by post heat treatment. However, in the case of a metal powder and a ceramic powder which is a non-metal, they were not alloyed as in the case of metal powders, and could not be alloyed by heat treatment after solidification molding. As a result, if the ceramic powder exists alone and solidification is performed while the ceramic powder is agglomerated, chipping or cracking may occur from the agglomerated portion of the ceramic when performing machining to finish the target into a predetermined shape after solidification and molding. was there.
【0007】本発明はこのような状況の下でなされたも
のであって、その目的とするところは、従来技術に見ら
れる種々の問題点を発生させることのない、セラミック
と金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製
造方法を提供することである。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a composite of ceramic and metal which does not cause various problems found in the prior art. And a method for manufacturing a sputtering target material.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決した本
発明の方法の要旨とするところは、特許請求の範囲のと
おりである。The gist of the method of the present invention which has solved the above problems is as set forth in the appended claims.
【0009】まず本願請求項1記載の発明は、金属製カ
プセルに、セラミック粉末と金属粉末の混合粉末を適量
収容して脱気密封し、このカプセルを加熱して加圧圧縮
用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取出して冷却
し、カプセルに由来する金属部分を除去して、高密度の
セラミックと金属が複合化されたターゲット材を製造す
る方法において、混合粉末に金属粉末の表面に多数のセ
ラミック微粉末が付着された形態の混合粉末を用いるこ
とを特徴とするセラミックと金属が複合化されたスパッ
タリングターゲット材の製造方法である。First, according to the first aspect of the present invention, an appropriate amount of a mixed powder of a ceramic powder and a metal powder is contained in a metal capsule and sealed by degassing and sealing, and the capsule is heated and placed in a pressure compression mold. In a method of producing a target material in which high-density ceramic and metal are composited by removing the capsule from the capsule and cooling it, removing the metal part derived from the capsule, the mixed powder is added to the surface of the metal powder. A method for manufacturing a sputtering target material in which ceramic and metal are combined, wherein a mixed powder having a form in which a large number of ceramic fine powders are adhered is used.
【0010】次に本願請求項2に記載の発明は、セラミ
ック微粉末が、SiO2 、Al2 O3 およびZrO2 か
ら選ばれた1種類以上のセラミック微粉末であることを
特徴とする請求項1記載のセラミックと金属が複合化さ
れたスパッタリングターゲット材の製造方法である。こ
こに限定したセラミック微粉末であるSiO2 、Al2
O3 あるいはZrO2 は、スパッタにより膜作製時、金
属相を分離する非金属相として極めて効果的である。Next, the invention described in claim 2 of the present application is characterized in that the ceramic fine powder is at least one kind of ceramic fine powder selected from SiO 2 , Al 2 O 3 and ZrO 2. 2. A method for producing a sputtering target material comprising a composite of ceramic and metal according to item 1. SiO 2 and Al 2 which are ceramic fine powders limited here
O 3 or ZrO 2 is extremely effective as a non-metal phase for separating a metal phase when a film is formed by sputtering.
【0011】さらに本願請求項3に記載の発明は、セラ
ミック微粉末の平均粒径が、金属粉末の平均粒径の1/
10以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の
セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲ
ット材の製造方法である。Further, according to the present invention, the average particle diameter of the ceramic fine powder is 1/1 / the average particle diameter of the metal powder.
The method for producing a sputtering target material in which a ceramic and a metal are combined according to claim 1 or 2, wherein the number is 10 or less.
【0012】この本願請求項3の発明においては、セラ
ミック粉末の平均粒径が、金属粉末の平均粒径の1/1
0以下のセラミック微粉末を用いるが、これをV型混合
機で混合することにより、該セラミック微粉末を金属粉
末表面に極めて効果的に付着させることができる。ま
た、セラミック微粉末の平均粒径としては、20μm以
下であればより好ましい。According to the third aspect of the present invention, the average particle size of the ceramic powder is set to 1/1 of the average particle size of the metal powder.
Although a ceramic fine powder of 0 or less is used, by mixing this with a V-type mixer, the ceramic fine powder can be extremely effectively attached to the surface of the metal powder. The average particle size of the ceramic fine powder is more preferably 20 μm or less.
【0013】本願請求項4に記載の発明は、セラミック
微粉末の混合比率が混合粉末全体に対して40vol.
%以下であることを特徴とする請求項1、2又は3のい
ずれかに記載のセラミックと金属が複合化されたスパッ
タリングターゲット材の製造方法である。According to the invention of claim 4 of the present application, the mixing ratio of the ceramic fine powder is 40 vol.
%. The method for producing a sputtering target material in which a ceramic and a metal are combined according to any one of claims 1, 2 and 3.
【0014】この本願請求項4の発明においては、ター
ゲットの特性に鑑みると、セラミック微粉末の混合粉末
全体に対する混合比率が3〜35vol.%がより好ま
しい。また、セラミック微粉末の混合比率を40vo
l.%以下で混合することにより、強度的に弱いセラミ
ック微粉末が凝集することなく、微細に分散されたセラ
ミックが複合化されたスパッタリングターゲット材が得
ることが可能となる。In the invention of claim 4 of the present application, considering the characteristics of the target, the mixing ratio of the ceramic fine powder to the whole mixed powder is 3 to 35 vol. % Is more preferred. Also, the mixing ratio of the ceramic fine powder is set to 40 vo.
l. %, It is possible to obtain a sputtering target material in which finely dispersed ceramics are compounded without agglomeration of ceramic fine powder having low strength.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】本発明において金属粉末表面にセ
ラミック微粉末を付着させた混合粉末を製造するには、
例えば金属粉末とセラミック微粉末をV型混合機を用い
て30分間以上混合することにより容易に得ることがで
きるが、セラミック微粉末粒径を金属粉末の粒径の1/
10以下にすることで、より好ましいセラミック微粉末
の金属粉末表面への付着状態を得ることができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, in order to produce a mixed powder having a ceramic fine powder adhered to a metal powder surface,
For example, the metal powder and the ceramic fine powder can be easily obtained by mixing them for 30 minutes or more using a V-type mixer.
By setting it to 10 or less, a more preferable state of adhesion of the ceramic fine powder to the surface of the metal powder can be obtained.
【0016】セラミック微粉末の混合比率を混合粉末の
全体に対して40vol.%以下で混合することによ
り、強度的に弱いセラミック粉末の凝集をより効果的に
防止でき、微細に分散されたセラミックが複合化された
スパッタリングターゲット材を得ることができる。The mixing ratio of the ceramic fine powder is set to 40 vol. % Or less, it is possible to more effectively prevent agglomeration of ceramic powder having low strength, and to obtain a sputtering target material in which finely dispersed ceramics are combined.
【0017】[0017]
【実施例】金属粉末とセラミック粉末(微粉末)を表1
に示す粒径ならびに配合比率でそれぞれV型混合機に投
入し、同混合機を50分間運転して各混合粉末を得た。
該各混合粉末をそれぞれ外径148mm、肉厚4mm、
長さ50mmの炭素鋼製のカプセルに充填し、このカプ
セルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこの
カプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属部
分を除去して、セラミック複合化されたターゲット材の
作製を試みた。表1に示す実施例及び比較例に基づい
て、以下に詳細に説明する。EXAMPLES Table 1 shows metal powder and ceramic powder (fine powder).
Each of the powders was charged into a V-type mixer at the particle size and the mixing ratio shown in Table 2 and the mixer was operated for 50 minutes to obtain each mixed powder.
Each of the mixed powders has an outer diameter of 148 mm, a thickness of 4 mm,
Filled into a carbon steel capsule 50 mm in length, heated and strongly pressed in a pressure compression mold, then taken out and cooled to remove the metal part derived from the capsule, An attempt was made to produce a ceramic composite target material. The details will be described below based on Examples and Comparative Examples shown in Table 1.
【0018】表1に示すように金属粉末とセラミック粉
末の粒径ならびに混合比率を変化させてそれぞれ成形材
を作製した。その各成形材の割れ欠けならびに機械的強
度を抗折力試験により評価した結果を表1に併せて示
す。また、各実施例及び比較例で得られた混合粉末を顕
微鏡観察により付着の状態を観察し、金属粉末表面にセ
ラミック粉末が十分に付着しているかどうかを判断し
た。さらに、成形材の割れ欠けについても目視により判
断を行った。その結果も表1に併せて示す。As shown in Table 1, molding materials were prepared by changing the particle size and the mixing ratio of the metal powder and the ceramic powder. Table 1 also shows the results of evaluation of cracking and mechanical strength of each molded material by a bending strength test. In addition, the state of adhesion of the mixed powder obtained in each of the examples and comparative examples was observed under a microscope, and it was determined whether the ceramic powder had sufficiently adhered to the surface of the metal powder. In addition, cracking of the molded material was visually judged. The results are also shown in Table 1.
【0019】セラミック粉末の付着状態の判断結果は、
良好…○、不良…×とした。成形体の割れ欠けの状態の
判断結果は、割れ欠け無し…○、割れ欠けあり…×とし
た。The judgment result of the adhesion state of the ceramic powder is as follows.
Good: good, poor: bad. The judgment result of the cracked state of the molded body was as follows: No cracking:…, cracking: X.
【0020】[0020]
【表1】 [Table 1]
【0021】実施例1 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックSi
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.1の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。Example 1 Metal Cr powder (average particle size: 195 μm) and ceramic Si
O 2 powder (average particle size: 15 μm) As a result of mixing under the conditions of No. 1 and preparing the target material as described above, a target material in which desired ceramic and metal were compounded without cracking by machining was obtained.
【0022】実施例2 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックSi
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.2の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。Example 2 Metal Cr powder (average particle size: 195 μm) and ceramic Si
O 2 powder (average particle size: 15 μm) As a result of mixing under the conditions of No. 2 and producing the target material as described above, a target material in which a desired ceramic and metal compounded without cracking by machining was obtained.
【0023】セラミックの体積率が同一でセラミックの
平均粒径が金属粉末の平均粒径に対して1/1である比
較例No.11においての条件下で作製したターゲット
材には割れ欠けが見られた。また抗折力強度は約60%
向上させることができた。Comparative Example No. 1 in which the volume ratio of the ceramic was the same and the average particle size of the ceramic was 1/1 with respect to the average particle size of the metal powder. In the target material prepared under the conditions of No. 11, cracks and chips were observed. The bending strength is about 60%
Could be improved.
【0024】実施例3 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックSi
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.3の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。またセ
ラミックの粒径が同一でさらにセラミックの体積率を5
0%に増やした比較例No.12の条件下で作製したタ
ーゲット材には割れ欠けが見られた。また抗折力強度も
セラミックの体積率の増加に伴い著しく低下した。Example 3 Metal Cr powder (average particle size: 195 μm) and ceramic Si
O 2 powder (average particle size: 15 μm) As a result of mixing under the conditions of No. 3 and producing the target material as described above, a target material in which a desired ceramic and metal compounded without cracking by machining was obtained. Further, when the particle diameter of the ceramic is the same and the volume ratio of the ceramic is 5
Comparative Example No. 0 increased to 0%. Cracks were found in the target material prepared under the conditions of No. 12. Also, the transverse rupture strength was remarkably reduced with an increase in the volume ratio of the ceramic.
【0025】実施例4 金属Cr粉末(平均粒径200μm)とセラミックA1
2 03 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.4の条
件下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行っ
た結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミッ
クと金属が複合化されたターゲット材が得られた。また
セラミックの体積率が同一でセラミックの粒径が金属粉
末に対して1/5である比較例No.13の条件下で作
製したターゲット材には割れ欠けが見られた。Example 4 Metal Cr powder (average particle size 200 μm) and ceramic A1
2 0 3 powder (average particle size 15 [mu] m) of Table 1 No. As a result of mixing under the conditions of No. 4 and producing the target material as described above, a target material in which the desired ceramic and metal were combined without cracking by machining was obtained. In Comparative Example No. in which the volume ratio of the ceramic was the same and the particle size of the ceramic was 1/5 of the metal powder. Cracks were found in the target material manufactured under the conditions of No. 13.
【0026】実施例5,6,7 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックZr
O2 粉末(平均粒径10μm)とを表1のNo.5,
6,7の条件下で混合し、上記のとおりターゲット材の
作製を行った結果、機械加工により割れ欠けのない所望
のセラミックと金属が複合化されたターゲット材が得ら
れた。Examples 5, 6, 7 Metal Cr powder (average particle size 195 μm) and ceramic Zr
O 2 powder (average particle size: 10 μm) 5,
As a result of mixing under the conditions of Nos. 6 and 7, and producing the target material as described above, a target material in which a desired ceramic and metal compounded without cracking by machining was obtained.
【0027】実施例8 金属Co−13Cr−4Ta粉末(平均粒径165μ
m)とセラミックSiO2 粉末(平均粒径15μm)を
表1のNo.8の条件下で混合し、上記のとおりターゲ
ット材の作製を行った結果、機械加工により割れ欠けの
ない所望のセラミックと金属が複合化されたターゲット
材が得られた。Example 8 Metal Co-13Cr-4Ta powder (average particle size 165 μm)
m) and ceramic SiO 2 powder (average particle size: 15 μm) in Table 1 As a result of mixing under the conditions of No. 8 and producing the target material as described above, a target material in which a desired ceramic and metal compounded without cracking by machining was obtained.
【0028】実施例9 金属Co−13Cr−4Ta粉末(平均粒径165μ
m)とセラミックSiO2 粉末(平均粒径15μm)を
表1のNo.9の条件下で混合し、上記のとおりターゲ
ット材の作製を行った結果、機械加工により割れ欠けの
ない所望のセラミックと金属が複合化されたターゲット
材が得られた。またセラミックの体積率が同一でセラミ
ックの粒径が金属粉末に対して1.5/1である比較例
No.14の条件下で作製したターゲット材には割れ欠
けが見られた。また抗折力強度も著しく低下した。Example 9 Metal Co-13Cr-4Ta powder (average particle size 165 μm)
m) and ceramic SiO 2 powder (average particle size: 15 μm) in Table 1 As a result of mixing under the conditions of No. 9 and producing the target material as described above, a target material in which a desired ceramic and metal compounded without cracking by machining was obtained. In Comparative Example No. in which the volume ratio of the ceramic was the same and the particle size of the ceramic was 1.5 / 1 with respect to the metal powder. Cracks were found in the target material manufactured under the conditions of No. 14. Also, the bending strength decreased remarkably.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上述べたように、本発明により従来高
密度に固化成形できていないことやセラミックが凝集す
るといったことから機械加工時に割れや欠けが生じると
いった従来技術に見られる種々の問題点を発生させるこ
とのない、セラミックが複合化されたスパッタリングタ
ーゲット材の製造方法を提供することができるようにな
ったことは工業上極めて有用である。また、セラミック
粉末を用いた場合よりも抗折力における機械的強度を向
上させることができるようになったことも工業上極めて
有利である。As described above, according to the present invention, there are various problems in the prior art, such as cracking and chipping during machining due to the fact that conventional high-density solidification molding has not been possible and ceramic agglomeration. Is extremely industrially useful because it has become possible to provide a method for producing a sputtering target material in which ceramics are composited, without causing generation of cracks. It is also extremely industrially advantageous that the mechanical strength in the transverse rupture can be improved as compared with the case where the ceramic powder is used.
【図1】本発明実施例1(表1に示すNo.1)のター
ゲット材のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。FIG. 1 is an optical micrograph showing a microstructure of a target material of Example 1 of the present invention (No. 1 shown in Table 1).
【図2】本発明実施例3(表1に示すNo.3)のター
ゲット材のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。FIG. 2 is an optical micrograph showing a microstructure of a target material of Example 3 of the present invention (No. 3 shown in Table 1).
Claims (4)
属粉末の混合粉末を適量収容して脱気密封し、このカプ
セルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこの
カプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属部
分を除去して、高密度のセラミックと金属が複合化され
たターゲット材を製造する方法において、混合粉末に、
金属粉末の表面に多数のセラミック微粉末が付着された
形態の混合粉末を用いることを特徴とするセラミックと
金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造
方法。1. A suitable amount of mixed powder of ceramic powder and metal powder is placed in a metal capsule and sealed by degassing and sealing, and the capsule is heated and strongly pressed in a press and compression mold, and then the capsule is taken out. In the method of manufacturing a target material in which a high-density ceramic and metal are combined, by removing the metal portion derived from the capsule,
A method for manufacturing a sputtering target material in which ceramic and metal are combined, wherein a mixed powder in which a large number of ceramic fine powders are adhered to a surface of a metal powder is used.
O3 およびZrO2から選ばれた1種類以上のセラミッ
ク微粉末であることを特徴とする請求項1記載のセラミ
ックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材
の製造方法。2. The ceramic fine powder is composed of SiO 2 , Al 2
O 3 and the manufacturing method of claim 1 sputtering target material ceramic and the metal is complexed in wherein the from ZrO 2 is 1 or more ceramic fine powder selected.
末の平均粒径の1/10以下であることを特徴とする請
求項1又は2記載のセラミックと金属が複合化されたス
パッタリングターゲット材の製造方法。3. The sputtering target material according to claim 1, wherein the average particle size of the ceramic fine powder is 1/10 or less of the average particle size of the metal powder. Manufacturing method.
の全体に対して40vol.%以下であることを特徴と
する請求項1、2又は3のいずれか記載のセラミックと
金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造
方法。4. The mixing ratio of the ceramic fine powder is 40 vol. %. The method for producing a sputtering target material comprising a composite of a ceramic and a metal according to claim 1, wherein the content is not more than%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8321816A JPH10158825A (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Production of ceramic/metal-compounded sputtering target material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8321816A JPH10158825A (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Production of ceramic/metal-compounded sputtering target material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10158825A true JPH10158825A (en) | 1998-06-16 |
Family
ID=18136745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8321816A Pending JPH10158825A (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Production of ceramic/metal-compounded sputtering target material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10158825A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134278A (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Kojima Press Co Ltd | Touch switch having designed face with metallic work |
JP2007154248A (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sanyo Special Steel Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL CONTAINING OXIDE |
JP4975647B2 (en) * | 2006-01-13 | 2012-07-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Non-magnetic particle dispersed ferromagnetic sputtering target |
-
1996
- 1996-12-02 JP JP8321816A patent/JPH10158825A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134278A (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Kojima Press Co Ltd | Touch switch having designed face with metallic work |
JP4668771B2 (en) * | 2005-11-14 | 2011-04-13 | 小島プレス工業株式会社 | Touch switch with a metal-finished design surface |
JP2007154248A (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sanyo Special Steel Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL CONTAINING OXIDE |
JP4975647B2 (en) * | 2006-01-13 | 2012-07-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Non-magnetic particle dispersed ferromagnetic sputtering target |
US9034153B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Nonmagnetic material particle dispersed ferromagnetic material sputtering target |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI431140B (en) | Method for manufacturing sputtering standard materials for aluminum - based alloys | |
EP1772213A1 (en) | Magnesium-base composite powder, magnesium-base alloy material and method for production thereof | |
JPH0768612B2 (en) | Alloy powder for rare earth metal-iron group metal target, rare earth metal-iron group metal target, and methods for producing the same | |
JP3442692B2 (en) | Manufacturing method of metal matrix composite | |
JP4748915B2 (en) | Method for manufacturing aluminum object and aluminum alloy object | |
JP2639609B2 (en) | Alloy ingot for permanent magnet and method for producing the same | |
US4920009A (en) | Method for producing laminated bodies comprising an RE-FE-B type magnetic layer and a metal backing layer | |
JP2587872B2 (en) | Method for producing soft magnetic sintered body of Fe-Si alloy | |
JPH10158825A (en) | Production of ceramic/metal-compounded sputtering target material | |
US4947924A (en) | Metal-ceramic composite and method of producing the same | |
US5154984A (en) | Metal-ceramic composite | |
JP2007521389A (en) | Method for sintering aluminum material and aluminum alloy material | |
JPS58130203A (en) | Production of composite material dispersed with aluminum particles | |
JPH0625386B2 (en) | Method for producing aluminum alloy powder and sintered body thereof | |
JP2001123266A (en) | METHOD OF MANUFACTURING Ge-Sb-Te SPUTTERING TARGET MATERIAL | |
JPH07292463A (en) | Sputtering target member for forming non-magnetic primary film of metal thin film type magnetic recording medium | |
JPH05247642A (en) | Target member and manufacture therefor | |
JP2995661B2 (en) | Manufacturing method of porous cemented carbide | |
JP2528373B2 (en) | Method for manufacturing plate material | |
JP2654982B2 (en) | Fe-Al-Si alloy and method for producing the same | |
KR100241407B1 (en) | Target for magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof | |
JPH01283330A (en) | Manufacture of aluminum-based composite member | |
JP2002226970A (en) | Co TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR | |
JP2007154248A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL CONTAINING OXIDE | |
JP3527939B2 (en) | Sputtering target assembly |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |