JP2002226970A - Co TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - Google Patents

Co TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

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JP2002226970A
JP2002226970A JP2001117459A JP2001117459A JP2002226970A JP 2002226970 A JP2002226970 A JP 2002226970A JP 2001117459 A JP2001117459 A JP 2001117459A JP 2001117459 A JP2001117459 A JP 2001117459A JP 2002226970 A JP2002226970 A JP 2002226970A
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powder
target
sintered
alloy
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Tomonori Ueno
友典 上野
Hideo Murata
英夫 村田
Shigeru Taniguchi
繁 谷口
Suguru Ueno
英 上野
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Hitachi Metals Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Co powder sintered target in which the amount of oxygen is suppressed, and a production method therefor. SOLUTION: The Co powder sintered target has a composition containing, by atom, >10 to 25% B, and in which the amount of oxygen is controlled to <=100 ppm. Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein. The target can be obtained by adding >10 to 25% B to an alloy essentially consisting of Co and dissolving the same to cause deoxidizing treatment, thereafter subjecting the obtained alloy to rapid solidification treatment into powder, and next sintering the powder. Alternatively, the powder and metal powder, specifically, the metal powder of one or more kinds of elements selected from Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and Pt are mixed, and next, the powdery mixture is sintered.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
用などの磁気記録媒体の磁性膜を形成するために用いら
れるCo系ターゲット及びその製造方法に関するもので
ある。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a Co-based target used for forming a magnetic film of a magnetic recording medium for a magnetic disk drive or the like, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来Co系磁性膜は、高密度な磁気記録
が可能なように発展してきており、Co系磁性膜にPt
添加などが行われてきた。このようなCo系磁性膜は、
通常スパッタリングによって形成されるものであった。
そして、特許公報第2806228号等に記載されるよ
うに、このスパッタリングには通常に溶解・鋳造法によ
って作製されたターゲットが用いられていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, Co-based magnetic films have been developed to enable high-density magnetic recording.
Additions have been made. Such a Co-based magnetic film is
It was usually formed by sputtering.
As described in Japanese Patent Publication No. 2806228 and the like, a target usually manufactured by a melting and casting method is used for this sputtering.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述したCo系磁性膜
を得るために、たとえば特開平3−138365号に記
載されるように、粉末焼結ターゲットも提案されてい
る。最近の磁性膜に対する高保磁力化の要求に伴いP
t、Cr、Ta等を多くCoに含有させる必要がある。
合金元素の添加量の増大に伴い、鋳造時の成分偏析の発
生、塑性加工による組織均一化の困難化が問題となる。
一方、粉末焼結法では、添加元素が均一に分散した組織
が得られるという利点がある。また、別の技術として、
特開平5−263230号等に記載されるように、B自
体を磁気特性の改善のために添加する粉末焼結技術は知
られている。
In order to obtain the above-mentioned Co-based magnetic film, a powder sintered target has been proposed, for example, as described in JP-A-3-138365. With the recent demand for higher coercivity for magnetic films, P
Co must contain a large amount of t, Cr, Ta, and the like.
With the increase in the amount of alloying elements added, segregation of components during casting and difficulty in uniformizing the structure by plastic working become problems.
On the other hand, the powder sintering method has an advantage that a structure in which the additive elements are uniformly dispersed can be obtained. Also, as another technology,
As described in JP-A-5-263230, a powder sintering technique in which B is added for improving magnetic properties is known.

【0004】しかし、粉末法の最大の欠点は、一旦粉末
として取り扱うため、鋳造材に比べて、酸素量がどうし
ても高くなるという問題がある。酸素は、磁気記録特性
に大きな影響を与えるため、成分偏析による薄膜組成の
ばらつきよりも、酸素量はできるだけ低減すべきという
観点から、粉末焼結が大々的に使用されるに至っていな
い。本発明の目的は、均一組織が得られる粉末焼結材の
欠点である酸素量の増大を抑制した新規なCo系ターゲ
ット及びその製造方法を提供することである。
However, the biggest drawback of the powder method is that since it is once handled as a powder, the amount of oxygen is inevitably higher than that of a cast material. Since oxygen has a great effect on magnetic recording characteristics, powder sintering has not been used extensively from the viewpoint that the oxygen content should be reduced as much as possible rather than variation in thin film composition due to component segregation. An object of the present invention is to provide a novel Co-based target in which an increase in the amount of oxygen, which is a drawback of a powder sintered material capable of obtaining a uniform structure, is suppressed, and a method for producing the same.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、粉末焼結タ
ーゲットの製造過程において、B添加による脱酸素効果
を最大限に利用することで、低酸素の粉末焼結ターゲッ
トが得られること見いだし本発明に到達した。
Means for Solving the Problems The present inventor has found that a powder-sintered target with low oxygen can be obtained by maximizing the deoxidizing effect by adding B in the process of manufacturing the powder-sintered target. The present invention has been reached.

【0006】すなわち、本発明の新規なターゲットは、
粉末焼結ターゲットであって、Bを10at%を超えて
25at%以下含有し、酸素量が100ppm以下であ
るCo系ターゲットである。
That is, the novel target of the present invention is:
This is a powder sintered target, which is a Co-based target containing B in an amount of more than 10 at% and 25 at% or less and an oxygen content of 100 ppm or less.

【0007】好ましくは、30≧Pt≧5at%、30
≧Cr≧10at%、10≧Ta>0at%、30≧N
i>0at%を含有させることができる。さらに好まし
くは、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Mo、W、Cu、
Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、Irおよび希土
類元素から選ばれる1種もしくは2種以上の元素を総量
で0at%を越えて15at%以下を含有させることも
可能である。
Preferably, 30 ≧ Pt ≧ 5 at%, 30
≧ Cr ≧ 10at%, 10 ≧ Ta> 0at%, 30 ≧ N
i> 0 at% can be contained. More preferably, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Mo, W, Cu,
One, two or more elements selected from Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and rare earth elements can be contained in a total amount of more than 0 at% and 15 at% or less.

【0008】上述した本発明のターゲットは、Co系を
主体とする合金にBを10at%を超えて25at%以
下添加して溶解することにより脱酸素処理した後、得ら
れた合金を急冷凝固処理して粉末とし、次いで該粉末を
焼結して粉末焼結ターゲットとすることを特徴とするC
o系ターゲットの製造方法により得ることができる。
[0008] The above-mentioned target of the present invention is deoxidized by adding B in an amount of more than 10 at% to 25 at% or less and dissolving it in a Co-based alloy, and then rapidly cooling and solidifying the obtained alloy. C, and then sintering the powder to form a powder sintered target.
It can be obtained by a method for producing an o-based target.

【0009】または、上述した本発明のターゲットは、
Co系を主体とする合金にBを10at%を超えて25
at%以下添加して溶解することにより脱酸素処理した
後、得られた合金を急冷凝固処理して粉末とし、該粉末
と金属粉末、具体的にはCu、Ag、Au、Ru、R
h、Pd、Os、IrおよびPtから選ばれる1種もし
くは2種以上の元素の金属粉末を混合し、次いで該混合
粉末を焼結して粉末焼結ターゲットとすることを特徴と
するCo系ターゲットの製造方法、好ましくは、焼結後
に熱処理を施すことを特徴とするCo系ターゲットの製
造方法により得ることもできる。
Alternatively, the above-mentioned target of the present invention
B exceeds 25% in Co-based alloys.
After deoxidation by adding and dissolving at% or less, the obtained alloy is rapidly solidified to obtain a powder, and the powder and a metal powder, specifically, Cu, Ag, Au, Ru, R, R
a Co-based target characterized by mixing metal powders of one or more elements selected from h, Pd, Os, Ir and Pt, and then sintering the mixed powder to obtain a powder sintered target , Preferably, a method of manufacturing a Co-based target, which is characterized by performing a heat treatment after sintering.

【0010】なお、本発明のCo系ターゲットの製造方
法の場合、その急冷凝固処理方法としてアトマイズ法を
用いることができ、または、その焼結方法として熱間静
水圧プレス法を用いることができる。
In the case of the method for producing a Co-based target of the present invention, an atomizing method can be used as the rapid solidification treatment method, or a hot isostatic pressing method can be used as the sintering method.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の最大の特徴は、Co系の
粉末焼結ターゲットの酸素量を従来では考えられなかっ
た100ppm以下を実現としたことにある。本発明
で、低酸素の粉末焼結ターゲットを実現できたのは、B
の適正添加にある。Bは、酸素との親和力が大きく、B
の酸化物は昇華性が高いことより、急冷凝固粉作製時の
溶湯もしくはマスターインゴット(母合金)の形成時の
溶湯にB添加してあらかじめBによる脱酸素処理するこ
とにより、得られる急冷凝固粉の酸素量を著しく低減す
ることが可能となった。
The greatest feature of the present invention is that the oxygen content of a Co-based powder sintering target is reduced to 100 ppm or less, which has not been considered conventionally. In the present invention, a low-oxygen powder sintered target was realized by B
In the proper addition of B has a high affinity for oxygen,
Because of the high sublimability of the oxide, the rapidly solidified powder obtained by adding B to the molten metal at the time of preparing the rapidly solidified powder or the molten metal at the time of forming the master ingot (master alloy) and subjecting it to deoxidation treatment with B in advance. It became possible to remarkably reduce the amount of oxygen of.

【0012】本発明においては狙いのターゲット組成に
調整された急冷凝固粉をそのまま焼結することが好まし
いが、Cu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、I
rおよびPtのように高価である添加元素の場合には、
Bを添加したCo系合金の急冷凝固粉とCu、Ag、A
u、Ru、Rh、Pd、Os、IrおよびPtから選ば
れる1種もしくは2種以上の金属粉末とを混合し、得ら
れた混合粉を焼結しても構わない。Bを添加したCo系
合金の急冷凝固とCu、Ag、Au、Ru、Rh、P
d、Os、IrおよびPtから選ばれる1種もしくは2
種以上の金属粉末とを混合し、得られた混合粉を焼結し
た場合は、さらに、必要に応じて焼結後の熱処理や熱間
加工等の処理を施し、組織の均一化を行なうことも可能
である。
In the present invention, it is preferable to sinter the rapidly solidified powder adjusted to the target composition as it is, but Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, I
In the case of expensive additional elements such as r and Pt,
Rapidly solidified powder of Co-based alloy to which B has been added and Cu, Ag, A
One, two or more metal powders selected from u, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and Pt may be mixed and the resulting mixed powder may be sintered. Rapid solidification of Co-based alloys containing B and Cu, Ag, Au, Ru, Rh, P
one or two selected from d, Os, Ir and Pt
If more than one kind of metal powder is mixed and the obtained mixed powder is sintered, it should be subjected to heat treatment or hot working after sintering, if necessary, to make the structure uniform. Is also possible.

【0013】急冷凝固粉の作製方法としては、アトマイ
ズ法、スピンメルト法等々の方法があるが、ガスアトマ
イズ法を用いた粉末作製が、粉末の充填密度や歩留まり
を考えると好ましい。また、焼結方法は、ホットプレス
法、熱間静水圧プレス法(以下HIP)等々があるが、
焼結体の密度等を考えると、高圧が適用できるHIPが
好ましい。
As a method for producing the rapidly solidified powder, there are methods such as an atomizing method and a spin melt method. However, powder production using a gas atomizing method is preferable in view of the packing density and yield of the powder. As a sintering method, there are a hot press method, a hot isostatic press method (hereinafter, HIP), and the like.
Considering the density and the like of the sintered body, HIP to which high pressure can be applied is preferable.

【0014】本発明のターゲットの好ましい組成として
は、磁気記録膜として特性向上の可能な元素を添加す
る。より具体的には、25≧B>10at%、30≧P
t≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta>
0at%、30≧Ni>0at%の添加が可能である。
さらにTi、Zr、Hf、V、Nb、Mo、W、Cu、
Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、Irおよび希土
類元素から選ばれる1種もしくは2種以上の元素を総量
で0at%を越えて15at%以下の添加も可能であ
る。もちろん本発明は、この範囲には限定されるもので
はない。以下添加元素の効果を説明する。
As a preferable composition of the target of the present invention, an element capable of improving the characteristics as a magnetic recording film is added. More specifically, 25 ≧ B> 10 at%, 30 ≧ P
t ≧ 5 at%, 30 ≧ Cr ≧ 10 at%, 10 ≧ Ta>
0 at% and 30 ≧ Ni> 0 at% can be added.
Further, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Mo, W, Cu,
It is also possible to add one or more elements selected from Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and rare earth elements in a total amount of more than 0 at% and 15 at% or less. Of course, the invention is not limited to this range. Hereinafter, the effects of the added elements will be described.

【0015】B添加は、本発明のもっとも重要な元素で
ある。本発明のCo系ターゲットを用いて作製したスパ
ッタ膜は、磁気記録媒体の磁性層として用いられること
が多い。従来、前述の磁気記録媒体における磁性層は1
層で形成していたこともあり、高保磁力や高角形比とい
った特性を全て併せ持っていなければならなかった。そ
のため、本発明のように、Bが10%を超えて含有して
いるようなCo系の膜では、保磁力の増加が望めないた
めに検討されていなかった。しかし、現在、前述の磁性
層は複数の層により形成されている。そのため、各相で
それぞれ異なった特性を要求されるように変化してき
た。
[0015] B addition is the most important element of the present invention. A sputtered film produced using the Co-based target of the present invention is often used as a magnetic layer of a magnetic recording medium. Conventionally, the magnetic layer in the above-described magnetic recording medium has 1
Since they were formed of layers, they had to have all the characteristics such as high coercive force and high squareness ratio. Therefore, a Co-based film containing B in excess of 10% as in the present invention has not been studied because an increase in coercive force cannot be expected. However, at present, the above-mentioned magnetic layer is formed of a plurality of layers. Therefore, each phase has been changed to require different characteristics.

【0016】本発明のBを10at%を超えて添加した
ようなCo系ターゲットで作製したスパッタ膜では、上
記したように保磁力の増加は望めないが、スパッタ膜の
低ノイズ化という効果が大きいものである。そして、B
を10at%を超えて25at%以下添加することによ
り、酸素量の低減に優れた効果を有するものとなる。し
かし、B添加の上限を25at%以下としたのは、25
%を超えて添加すると、スパッタ膜が非晶質化するなど
の悪影響が顕著に現れるためである。また、本発明の特
徴とする酸素量の低減効果は、10at%を超えるB添
加にて達成され、酸素量100ppm以下のターゲット
を得るためにも好ましい。
In the case of the present invention, a sputtered film made of a Co-based target to which B is added in excess of 10 at% cannot increase the coercive force as described above, but has a great effect of reducing the noise of the sputtered film. Things. And B
By adding more than 10 at% to 25 at% or less, an effect of reducing the amount of oxygen is obtained. However, the reason why the upper limit of B addition is 25 at% or less is that 25
This is because, if added in excess of%, adverse effects such as the sputtered film becoming amorphous appear significantly. Further, the effect of reducing the amount of oxygen, which is a feature of the present invention, is achieved by adding B exceeding 10 at%, and is also preferable for obtaining a target having an oxygen amount of 100 ppm or less.

【0017】Pt添加は、Coに固溶することにより磁
気異方性を高め、膜の保磁力を上げる効果があり、添加
することが可能である。保磁力の明確な増大には5at
%以上の添加が好ましい。また、30at%を越える添
加は、Coの持つ本来の磁気特性を著しく低下させるた
め、添加する場合は、30≧Pt≧5at%が好ましい
範囲である。
The addition of Pt has the effect of increasing the magnetic anisotropy by dissolving in Co and increasing the coercive force of the film, and can be added. 5at for a clear increase in coercive force
% Or more is preferable. Further, the addition exceeding 30 at% remarkably lowers the original magnetic properties of Co. Therefore, when adding, the preferred range is 30 ≧ Pt ≧ 5 at%.

【0018】Cr添加は、膜中で粒界へ偏析し、粒界を
非磁性にすることにより、強磁性Co粒を磁気的に分断
する効果があり、10at%未満の添加では、磁気的な
分断が十分では無く、また、30at%を越える添加は
膜そのものの磁化を低下させ過ぎるため、30≧Cr≧
10at%とすることが好ましい。Ta添加は、膜結晶
粒径の微細化の効果、さらにCr等の非磁性元素も粒界
へ偏析させる効果があり、少量の添加でも効果が認めら
れる、逆に10at%を越える添加は、膜の磁化を低下
させるため好ましくないため、10≧Ta>0at%と
することが好ましい。
The addition of Cr has the effect of segregating to the grain boundaries in the film and making the grain boundaries non-magnetic, thereby magnetically separating the ferromagnetic Co grains. The division is not sufficient, and the addition exceeding 30 at% lowers the magnetization of the film itself, so that 30 ≧ Cr ≧
It is preferably set to 10 at%. Addition of Ta has the effect of reducing the crystal grain size of the film, and also has the effect of segregating non-magnetic elements such as Cr at the grain boundaries. The effect is recognized even if a small amount is added. Therefore, it is preferable that 10 ≧ Ta> 0 at%.

【0019】Ni添加は、Coに固溶することにより磁
気異方性を高め、膜の保磁力を上げる効果があり、30
at%以下添加することができる。保磁力増大には5a
t%以上の添加を行うことにより顕著な効果が見られ、
また、30at%を越える添加は、Coの持つ本来の性
質を低下させるため、30≧Ni>0at%、さらには
30≧Ni≧5at%とすることが好ましい。
The addition of Ni has the effect of increasing the magnetic anisotropy by forming a solid solution with Co and increasing the coercive force of the film.
at% or less can be added. 5a to increase coercive force
A remarkable effect is seen by adding t% or more,
In addition, since addition exceeding 30 at% lowers the original properties of Co, it is preferable that 30 ≧ Ni> 0 at%, more preferably 30 ≧ Ni ≧ 5 at%.

【0020】さらにTi、Zr、Hf、V、Nb、M
o、W、Cu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、
Irおよび希土類元素の添加は、磁気特性を改善すると
いう共通の効果を有する元素群である。Ti、Zr、H
fおよび希土類元素は膜の結晶粒微細化の効果、Vおよ
びNbは上述したTaと同様な効果、MoおよびWは上
述したCrと同等な効果、Cu、AgおよびAuは粒界
偏析によるCo粒分断の効果、Ru、Rh、Pd、Os
およびIrは上述したPtと同等な効果があり、これら
の元素は少量の添加で効果が認められるが、総量で15
at%を越えると膜の磁気特性および結晶性を損なうた
め総量で0at%を越えて15at%以下とすることが
好ましい。
Further, Ti, Zr, Hf, V, Nb, M
o, W, Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os,
The addition of Ir and rare earth elements is a group of elements having a common effect of improving magnetic properties. Ti, Zr, H
f and the rare earth element are the effects of refining the crystal grains of the film, V and Nb are the same effects as the above-mentioned Ta, Mo and W are the same effects as the above-mentioned Cr, and Cu, Ag and Au are the Co grains due to the grain boundary segregation. Splitting effect, Ru, Rh, Pd, Os
And Ir have an effect equivalent to that of Pt described above, and these elements are effective when added in a small amount.
If it exceeds at%, the magnetic properties and crystallinity of the film are impaired, so that the total amount is preferably more than 0 at% and 15 at% or less.

【0021】[0021]

【実施例】(実施例1)真空溶解・鋳造にてBを添加し
て脱酸素処理を行い、Co系を主体とする母合金を作製
し、作製した母合金を用いてガスアトマイズを行った。
製造した粉末組成を表1に示す。なお、ガスアトマイズ
時の雰囲気はAr雰囲気で行った。作製したアトマイズ
粉末の平均粒径および酸素量を表1に示す。なお、表1
中の比較例である試料5および10については、Bを添
加して脱酸素処理を行うことを除いて、上記と同様の方
法にて製造した。
EXAMPLES (Example 1) B was added by vacuum melting and casting to perform deoxidation treatment, a master alloy mainly composed of Co was produced, and gas atomization was performed using the produced master alloy.
Table 1 shows the composition of the produced powder. The gas atomization was performed in an Ar atmosphere. Table 1 shows the average particle size and oxygen content of the produced atomized powder. Table 1
Samples 5 and 10, which are comparative examples in the middle, were manufactured in the same manner as described above, except that deoxidation treatment was performed by adding B.

【0022】作製したアトマイズ粉を1000℃(温
度)、100MPa(圧力)、3h(時間)の条件でH
IPにより焼結し、その後機械加工によりφ101×5
t(mm)のターゲットを作製した。作製したターゲッ
トの酸素分析値について表2に示す。表2に示すよう
に、B添加して脱酸素処理して得たアトマイズ粉を焼結
して作製したターゲットは、酸素量が低く抑えられてお
り、特には100ppm以下とできたことがわかる。
The produced atomized powder is subjected to H under the conditions of 1000 ° C. (temperature), 100 MPa (pressure), and 3 hours (hour).
Sintered by IP, then φ101 × 5 by machining
A target of t (mm) was produced. Table 2 shows the oxygen analysis values of the manufactured targets. As shown in Table 2, it can be seen that the target produced by sintering the atomized powder obtained by adding B and deoxidizing to oxygen has a low oxygen content, and in particular, has a target of 100 ppm or less.

【0023】[0023]

【表1】 [Table 1]

【0024】[0024]

【表2】 [Table 2]

【0025】(実施例2)実施例1と同様に表3に示す
組成のガスアトマイズ粉末を作製した。ただし、ガスア
トマイズ時の雰囲気はAr雰囲気で行った。作製したア
トマイズ粉の平均粒径および酸素量を表3に示す。また
使用したPt粉の平均粒径と酸素量も表3中に付記す
る。
Example 2 A gas atomized powder having the composition shown in Table 3 was produced in the same manner as in Example 1. However, the atmosphere at the time of gas atomization was Ar atmosphere. Table 3 shows the average particle size and oxygen content of the produced atomized powder. The average particle size and oxygen content of the used Pt powder are also shown in Table 3.

【0026】作製したアトマイズ粉に表3に示すPt粉
末を加えて混合し1000℃(温度)、100MPa
(圧力)、3h(時間)の条件でHIPにより焼結し、
φ101×5t(mm)の表6に示す組成のターゲット
を作製した。作製したターゲットの酸素分析値について
表4に示す。表4に示すように、B添加して脱酸素処理
したCo系アトマイズ粉にPt粉を混合後焼結して作製
したターゲットは、酸素量が低く抑えられており、特に
は100ppm以下にできたことがわかる。
The Pt powder shown in Table 3 was added to the produced atomized powder and mixed, and then 1000 ° C. (temperature) and 100 MPa
(Pressure), sintering by HIP under the condition of 3h (time),
A target of φ101 × 5t (mm) having the composition shown in Table 6 was produced. Table 4 shows the oxygen analysis values of the manufactured targets. As shown in Table 4, the target produced by mixing and sintering the Pt powder with the Co-based atomized powder to which B was added and deoxidized was reduced in oxygen amount, and in particular, could be reduced to 100 ppm or less. You can see that.

【0027】[0027]

【表3】 [Table 3]

【0028】[0028]

【表4】 [Table 4]

【0029】(実施例3)実施例1と同様に表5に示す
組成のガスアトマイズ粉末を作製した。ただし、ガスア
トマイズ時の雰囲気はAr雰囲気で行った。作製したア
トマイズ粉の平均粒径および酸素量を表5に示す。
Example 3 A gas atomized powder having the composition shown in Table 5 was produced in the same manner as in Example 1. However, the atmosphere at the time of gas atomization was Ar atmosphere. Table 5 shows the average particle size and oxygen content of the produced atomized powder.

【0030】作製したアトマイズ粉を1000℃(温
度)、100MPa(圧力)、3h(時間)の条件でH
IPにより焼結し、φ101×5t(mm)のターゲッ
トを作製した。作製したターゲットの酸素分析値につい
て表6に示す。表6に示すように、B添加して脱酸素処
理をしたアトマイズ粉を焼結して作製した本発明のター
ゲットは、酸素量が低く抑えられており、特には100
ppm以下となっていることがわかる。
The produced atomized powder is subjected to H under the conditions of 1000 ° C. (temperature), 100 MPa (pressure), and 3 hours (hour).
It was sintered by IP to produce a target of φ101 × 5t (mm). Table 6 shows the oxygen analysis values of the manufactured targets. As shown in Table 6, the target of the present invention produced by sintering the atomized powder that has been deoxidized by adding B has a low oxygen amount, and
It turns out that it is below ppm.

【0031】[0031]

【表5】 [Table 5]

【0032】[0032]

【表6】 [Table 6]

【0033】(実施例4)Co−20Cr−10Pt−
15B(at%)のターゲットを表7に示す製法で作製
した。作製したターゲットの不純物酸素分析値について
表8に示す。アトマイズ粉作製は実施例1および2と同
様の方法で作製し、焼結した素材の焼結条件は1000
℃×100MPa×3hの条件で、拡散処理を施した素
材の拡散処理条件は1100℃×10hの条件で、溶解
・鋳造材は、真空中の誘導加熱炉で溶解し鉄鋳型へ鋳込
み、それぞれφ101×5t(mm)のターゲットを作
製した。
Example 4 Co-20Cr-10Pt-
A target of 15B (at%) was produced by the production method shown in Table 7. Table 8 shows the impurity oxygen analysis values of the manufactured target. The atomized powder was prepared in the same manner as in Examples 1 and 2, and the sintering condition of the sintered material was 1000.
The melting and casting materials were melted in an induction heating furnace in a vacuum and cast into iron molds under the conditions of 1 ° C. × 100 MPa × 3 h and the diffusion treatment conditions of the material subjected to the diffusion treatment were 1100 ° C. × 10 h. A target of × 5t (mm) was produced.

【0034】NiPメッキを施したAl基板上にCr下
地膜をスパッタ成膜した基板を用い、基板上に、基板温
度150℃、Ar圧0.66Pa、DC電力500Wの
条件で表7に示す製法の異なるCo−20Cr−10P
t−15B(at%)ターゲットで成膜を行った。磁性
膜の特性バラツキを調査するため総成膜時間が1時間か
ら1時間間隔で5時間までの成膜基板を作製し、VSM
(振動試料型磁力計)で測定した保磁力Hcの計測結果
を表9に示す。ただし、表9は、試料1の1時間時の保
磁力を100とした相対値で表した。表9より、本発明
のターゲットは成膜時のバラツキが小さく、酸素量の高
いターゲットは保磁力が低く、また、溶解・鋳造材は本
発明のターゲットと比較し経時変動がやや大きいことが
わかる。
Using a substrate in which a Cr underlayer was sputter-deposited on a NiP-plated Al substrate, a method shown in Table 7 was applied on the substrate under the conditions of a substrate temperature of 150 ° C., an Ar pressure of 0.66 Pa, and a DC power of 500 W. Different Co-20Cr-10P
Film formation was performed using a t-15B (at%) target. In order to investigate the variation in the characteristics of the magnetic film, a film-forming substrate having a total film-forming time of 1 hour to 5 hours at 1-hour intervals was prepared, and a VSM was prepared.
Table 9 shows the measurement results of the coercive force Hc measured with a (vibrating sample magnetometer). However, Table 9 is shown as a relative value with the coercive force at 1 hour of Sample 1 being 100. From Table 9, it can be seen that the target of the present invention has a small variation at the time of film formation, the target having a high oxygen content has a low coercive force, and the molten / cast material has a slightly larger variation over time than the target of the present invention. .

【0035】[0035]

【表7】 [Table 7]

【0036】[0036]

【表8】 [Table 8]

【0037】[0037]

【表9】 [Table 9]

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明により、磁気ディスク装置用など
に用いられる磁気記録媒体用Co系磁性膜を作製するた
めの均一かつ低酸素のCo系ターゲットを安定して供給
することが可能となり、磁気記録媒体の製造に欠かせな
い技術となった。
According to the present invention, it is possible to stably supply a uniform and low-oxygen Co-based target for producing a Co-based magnetic film for a magnetic recording medium used for a magnetic disk drive or the like. This technology has become indispensable for the production of recording media.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C22C 19/07 C22C 19/07 G G11B 5/851 G11B 5/851 (72)発明者 上野 英 島根県安来市安来町2107番地2 日立金属 株式会社安来工場内 Fターム(参考) 4K017 AA04 DA03 EK01 4K018 AA10 BA04 EA11 KA29 4K029 BA24 BC06 BD11 DC04 DC09 5D112 AA05 BB05 FB02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C22C 19/07 C22C 19/07 G G11B 5/851 G11B 5/851 (72) Inventor Hideshi Ueno Yasugi Shimane 2107 No. 2 Yasugi-cho, Hitachi Metals F-term (reference) at Yasugi Plant 4K017 AA04 DA03 EK01 4K018 AA10 BA04 EA11 KA29 4K029 BA24 BC06 BD11 DC04 DC09 5D112 AA05 BB05 FB02

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 粉末焼結ターゲットであって、Bを10
at%を超えて25at%以下含有し、酸素量が100
ppm以下であることを特徴とするCo系ターゲット。
1. A powder sintered target, wherein B is 10
At least 25 at% or more and at least 100 at%
A Co-based target characterized by being at most ppm.
【請求項2】 30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧1
0at%、残部Coを主体とすることを特徴とする請求
項1に記載のCo系ターゲット。
2. 30 ≧ Pt ≧ 5 at%, 30 ≧ Cr ≧ 1
The Co-based target according to claim 1, wherein the Co-based target is mainly composed of 0 at% and the balance Co.
【請求項3】 10≧Ta>0at%を含んでいること
を特徴とする請求項1もしくは2のいずれかに記載のC
o系ターゲット。
3. The carbon according to claim 1, wherein 10 ≧ Ta> 0 at% is contained.
o system target.
【請求項4】 30≧Ni>0at%を含んでいること
を特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のCo
系ターゲット。
4. The Co according to claim 1, wherein 30% Ni> 0 at% is contained.
System target.
【請求項5】 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Mo、
W、Cu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、Ir
および希土類元素から選ばれる1種もしくは2種以上の
元素を総量で0at%を越えて15at%以下含んでい
ることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載
のCo系ターゲット。
5. Ti, Zr, Hf, V, Nb, Mo,
W, Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir
The Co-based target according to any one of claims 1 to 4, wherein a total amount of one or more elements selected from rare earth elements is more than 0 at% and 15 at% or less.
【請求項6】 Co系を主体とする合金にBを10at
%を超えて25at%以下添加して溶解することにより
脱酸素処理した後、得られた合金を急冷凝固処理して粉
末とし、次いで該粉末を焼結して粉末焼結ターゲットと
することを特徴とするCo系ターゲットの製造方法。
6. B at 10 at is added to a Co-based alloy.
%, Added and melted in an amount of 25 at% or less and then deoxidized, and then the obtained alloy is rapidly solidified to obtain a powder, and then the powder is sintered to obtain a powder sintered target. A method for producing a Co-based target.
【請求項7】 Co系を主体とする合金にBを10at
%を超えて25at%以下添加して溶解することにより
脱酸素処理した後、得られた合金を急冷凝固処理して粉
末とし、該粉末と金属粉末を混合し、次いで該混合粉末
を焼結して粉末焼結ターゲットとすることを特徴とする
Co系ターゲットの製造方法。
7. An alloy mainly composed of Co-based alloy containing B at 10 at.
% And added at not more than 25 at% and melted, followed by deoxidation by quenching and solidifying the obtained alloy into powder, mixing the powder and metal powder, and then sintering the mixed powder. And producing a powdered sintered target.
【請求項8】 Co系を主体とする合金にBを10at
%を超えて25at%以下添加して溶解することにより
脱酸素処理した後、得られた合金を急冷凝固処理して粉
末とし、該粉末とCu、Ag、Au、Ru、Rh、P
d、Os、IrおよびPtから選ばれる1種もしくは2
種以上の元素の金属粉末を混合し、次いで該混合粉末を
焼結して粉末焼結ターゲットとすることを特徴とする請
求項7に記載のCo系ターゲットの製造方法。
8. An alloy mainly composed of Co-based alloy containing B at 10 at.
% And added at 25 at% or less and melted, followed by deoxidation treatment, and then quenching and solidifying the obtained alloy to form a powder. The powder and Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Rh, P
one or two selected from d, Os, Ir and Pt
The method for producing a Co-based target according to claim 7, wherein a metal powder of at least one kind of element is mixed, and then the mixed powder is sintered to obtain a powder sintered target.
【請求項9】 焼結後に熱処理を施すことを特徴とする
請求項7もしくは8のいずれかに記載のCo系ターゲッ
トの製造方法。
9. The method according to claim 7, wherein heat treatment is performed after sintering.
【請求項10】 急冷凝固処理方法としてアトマイズ法
を用いることを特徴とする請求項6ないし9のいずれか
に記載のCo系ターゲットの製造方法。
10. The method for producing a Co-based target according to claim 6, wherein an atomizing method is used as the rapid solidification treatment method.
【請求項11】 焼結方法として熱間静水圧プレス法を
用いることを特徴とする請求項6ないし10のいずれか
に記載のCo系ターゲットの製造方法。
11. The method for producing a Co-based target according to claim 6, wherein a hot isostatic pressing method is used as a sintering method.
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