JPH10154139A - フェイルカウント方法及びその装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
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- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
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- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
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-
- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
理時間を短縮したフェイルカウント方法及びその装置を
提供する。 【解決手段】 ロウアドレス、およびカラムアドレスに
よって設定される複数のメモリセルを備えた半導体メモ
リに関して、メモリセルの不良判定結果であるフェイル
データからメモリセルのフェイル数を求めるフェイルカ
ウント方法において、ロウアドレス、およびカラムアド
レスによって特定される位置にメモリセルの不良判定結
果を要素として書き込んだ任意の次数の正方行列からな
るフェイルビット行列を作成し、フェイルビット行列を
その次数倍にして、次数倍されたフェイルビット行列か
ら離散的コサイン変換することで得られる行列の原点の
値を算出し、原点の値をフェイル数として出力する。
Description
解析時に利用されるメモリセルのフェイル数(不良数)
を算出するためのフェイルカウント方法及びその装置に
関するものである。
試験装置には、測定した半導体メモリの不良情報(フェ
イルデータ)を格納する不良解析メモリを備えている。
不良解析メモリに格納されたフェイルデータはフェイル
カウント装置によって処理され、フェイル数が算出され
て、良品/不良品の判定、あるいは半導体メモリ試験装
置が有する所定のアプリケーションで利用されている。
求める従来のフェイルカウント方法では、フェイルカウ
ント装置に不良解析メモリのアドレスを順番に発生する
パターンジェネレータを備え、パターンジェネレータの
出力を不良解析メモリに印加して全アドレスをスキャン
し、不良解析メモリの内容をそれぞれ読み出し、読み出
したフェイルデータから「不良」を表す”1”(ハイレ
ベル信号)のデータの数をカウントしていた。
み書き可能な多ビット構成の場合、各複数ビット単位毎
に同時にアドレスが印加されるので、一回のスキャンで
全ビットの内容が読み出され、フェイル数が算出されて
いた。
ような従来のフェイルカウント方法では、被試験素子で
ある半導体メモリのメモリ容量の増大に伴い、SRAM
等の高価なメモリを使用している不良解析メモリのメモ
リ容量も増大し、半導体メモリ試験装置の部品コストが
増大するとともに、処理時間が長くなるという問題があ
った。
解析メモリの全アドレスを複数の範囲に分割して、それ
らを同時にスキャンし、読み出したフェイルデータを並
列に処理することが考えられるが、パターンジェネレー
タによって全アドレスをスキャンする従来の方法では、
各範囲毎のアドレスを同時にスキャンして、その内容を
読み出すことができないため、並列処理ができず、処理
時間を短縮することが困難であるという問題があった。
る問題点を解決するためになされたものであり、フェイ
ル数を並列処理によって求めることができるようにし
て、処理時間を短縮したフェイルカウント方法及びその
装置を提供することを目的とする。
本発明のフェイルカウント方法は、ロウアドレス、およ
びカラムアドレスによって設定される複数のメモリセル
を備えた半導体メモリの、前記メモリセルの不良判定結
果であるフェイルデータから前記メモリセルのフェイル
数を求めるフェイルカウント方法において、前記ロウア
ドレス、および前記カラムアドレスによって特定される
位置に前記メモリセルの不良判定結果を要素として書き
込んだ、任意の次数の正方行列からなるフェイルビット
行列を作成し、前記フェイルビット行列を該次数倍し、
該次数倍されたフェイルビット行列から離散的コサイン
変換することで得られる行列の原点の値を算出し、前記
原点の値を前記フェイル数として出力することを特徴と
する。
スによって設定される複数のメモリセルを備えた半導体
メモリの、前記メモリセルの不良判定結果であるフェイ
ルデータから前記メモリセルの不良数を算出するフェイ
ルカウント方法において、前記ロウアドレス、および前
記カラムアドレスによって特定される位置に前記メモリ
セルの不良判定結果を要素として書き込んだ、任意の次
数の正方行列からなる複数のフェイルビット行列を作成
し、複数の前記フェイルビット行列を、それぞれの次数
倍にし、該次数倍されたフェイルビット行列から離散的
コサイン変換することで得られる行列の原点の値を、複
数の前記フェイルビット行列毎にそれぞれ算出し、複数
の前記フェイルビット行列毎に算出された前記原点の値
をそれぞれ加算してフェイル数として出力することを特
徴とする。
ロウアドレス、およびカラムアドレスによって設定され
る複数のメモリセルを備えた半導体メモリの、前記メモ
リセルの不良判定結果であるフェイルデータから前記メ
モリセルの不良数を算出するフェイルカウント装置にお
いて、前記ロウアドレス、および前記カラムアドレスに
よって特定される位置に前記メモリセルの不良判定結果
が要素として書き込んだ、任意の次数の正方行列からな
るフェイルビット行列を作成するフェイルビット行列作
成手段と、前記フェイルビット行列を該次数倍にし、該
次数倍されたフェイルビット行列から離散的コサイン変
換することで得られる行列の原点の値を算出するDCT
演算手段と、前記原点の値をフェイル数として出力する
フェイル数抽出手段と、を有することを特徴とする。
スによって設定される複数のメモリセルを備えた半導体
メモリの、前記メモリセルの不良判定結果であるフェイ
ルデータから前記メモリセルの不良数を算出するフェイ
ルカウント装置において、前記ロウアドレス、および前
記カラムアドレスによって特定される位置にメモリセル
の不良判定結果を要素として書き込んだ、任意の次数の
正方行列からなる複数のフェイルビット行列を作成する
フェイルビット行列作成手段と、複数の前記フェイルビ
ット行列を、それぞれの次数倍にし、該次数倍されたフ
ェイルビット行列から離散的コサイン変換することで得
られる行列の原点の値を、複数の前記フェイルビット行
列毎にそれぞれ算出するDCT演算手段と、複数の前記
フェイルビット行列毎に算出された前記原点の値をそれ
ぞれ加算してフェイル数として出力するるフェイル数抽
出手段と、を有することを特徴とする。
の装置は、DCT演算手段によってフェイルビット行列
を次数倍し、次数倍されたフェイルビット行列から離散
的コサイン変換することで得られる行列の原点の値を算
出する。このとき、この原点の値がフェイル数となる。
したがって、フェイルビット行列を複数の正方行列に分
割しても、同様の処理をそれぞれの正方行列について行
えば半導体メモリを構成するメモリセルの総フェイル数
を求めることができる。したがって、フェイル数をDC
T変換の並列処理で求めることができる。
て説明する。
法で用いる離散的コサイン変換(以下、DCT(Dis
crete Cosine Transform)変換
と称す)について説明する。
変換(FFT:Fast Fourier Trans
form)と同じ種類の直交変換に属している。したが
って、入力された信号を複数の周波数成分で表す手法の
ひとつである。
らなる2次元の信号を直交変換するのに対して、DCT
変換はX軸、Y軸、およびZ軸の要素からなる3次元の
信号の直交変換を行う手法である。また、DCT変換は
可逆変換であるので、DCT逆変換を行うことで損失も
なく元の入力信号に再生することができる。
によるカラー画像信号の圧縮技術等に見られる。
す。なお、以下の式は、複数のピクセル(x、y)から
構成されるN次の正方行列として表現される画像信号を
DCT変換する場合の式である。
って得られるDCT行列の各要素の位置を示す正数であ
る。
=0、j=0:以下、原点と称す)は、DCT変換前の
信号の平均値(直流成分)を示している。
数成分のエネルギー量を示し、原点から離れた位置にあ
る要素の値ほど、より高い周波数成分のエネルギー量を
示している。
を求める本発明のフェイルカウント方法について説明す
る。
可能な多ビット構成の場合、フェイルデータは、ロウア
ドレス、カラムアドレスによって特定される2次元の平
面上に、それぞれ「良」を表す”0”、または「不良」
を表す”1”が書き込まれた3次元のデータとして表す
ことができる。これをフェイルビット行列と呼ぶ。
成を示すブロック図である。また、図2はフェイルビッ
ト行列の例を示す行列式である。
は、入力されたフェイルデータからフェイルビット行列
を作成するフェイルビット行列作成手段11と、フェイ
ルビット行列をDCT変換して得られるDCT行列の原
点の値を算出するDCT演算手段12と、DCT演算手
段で算出したDCT行列の原点の値を基にフェイル数を
出力するフェイル数抽出手段13とによって構成されて
いる。
必要なメモリを備えたコンピュータ等の処理装置によっ
て構成することもできる。
ビット行列作成手段11は、フェイルデータから図2に
示すようなN次の正方行列からなるフェイルビット行列
を作成する。
ように、フェイルビット行列作成手段11で作成された
フェイルビット行列にその次数Nを乗算する(次数倍す
る)。このとき、フェイルビット行列の”1”の要素は
それぞれ”N”になる。そして、N倍されたフェイルビ
ット行列を上記DCT変換式を用いてDCT変換し、D
CT行列の原点の値を算出する(フェイルビット行列の
各要素(x、y)を式中のpixel(x、y)に置き
換えて計算する)。
ルビット行列の”0”以外の要素の個数、すなわちフェ
イル数と等しくなる。フェイル数抽出手段13はこのD
CT行列の原点の値をフェイル数として出力する。
は、被試験メモリの全アドレスをスキャンして得られる
フェイルビット行列を、任意の次数の正方行列からなる
複数のフェイルビット行列に分割してもよい。このと
き、DCT演算手段12は分割された各フェイルビット
行列毎にその次数Nを乗算し、分割されたフェイルビッ
ト行列毎にDCT変換を行ってDCT行列の原点の値を
それぞれ算出する。そして、算出された各DCT行列の
原点の値をフェイル数抽出手段13で加算すれば、被試
験メモリを構成するメモリセルの総フェイル数を求める
ことができる。
かつ同時に行うことでフェイル数を求めることができる
ため、フェイルカウントの処理時間が短縮される。
モリから出力されるフェイルデータから直接フェイル数
を求めることができる。この場合、不良解析メモリが不
要になるため、半導体メモリ試験装置の部品コストを低
減することができる。
DCT演算手段12、およびフェイル数抽出手段13の
代りにCPU、演算に必要なメモリ、およびディスプレ
イ等のI/O装置を備えたコンピュータを用い、ソフト
ウェアによる処理でフェイル数を求めてもよい。このよ
うな場合でも、被試験メモリから出力されるフェイルデ
ータから直接フェイル数を求めることが可能になり、デ
ィスプレイ上に表示されたフェイルカウント結果をすぐ
に確認することができる。
いるので、以下に記載する効果を奏する。
って特定される位置にメモリセルの不良判定結果を要素
として書き込んだ、任意の次数の正方行列からなるフェ
イルビット行列を作成し、フェイルビット行列をその次
数倍にし、次数倍されたフェイルビット行列から離散的
コサイン変換することで得られる行列の原点の値を算出
し、原点の値をフェイル数として出力することで、フェ
イル数を並列処理によって求めることができるため、フ
ェイルカウントの処理時間が短縮される。
ルデータから直接フェイル数を求めることができる。こ
の場合、不良解析メモリが不要になるため、半導体メモ
リ試験装置の部品コストを低減することができる。
ロック図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 ロウアドレス、およびカラムアドレスに
よって設定される複数のメモリセルを備えた半導体メモ
リの、前記メモリセルの不良判定結果であるフェイルデ
ータから前記メモリセルのフェイル数を求めるフェイル
カウント方法において、 前記ロウアドレス、および前記カラムアドレスによって
特定される位置に前記メモリセルの不良判定結果を要素
として書き込んだ、任意の次数の正方行列からなるフェ
イルビット行列を作成し、 前記フェイルビット行列を該次数倍し、 該次数倍されたフェイルビット行列から離散的コサイン
変換することで得られる行列の原点の値を算出し、 前記原点の値を前記フェイル数として出力することを特
徴とするフェイルカウント方法。 - 【請求項2】 ロウアドレス、およびカラムアドレスに
よって設定される複数のメモリセルを備えた半導体メモ
リの、前記メモリセルの不良判定結果であるフェイルデ
ータから前記メモリセルの不良数を算出するフェイルカ
ウント方法において、 前記ロウアドレス、および前記カラムアドレスによって
特定される位置に前記メモリセルの不良判定結果を要素
として書き込んだ、任意の次数の正方行列からなる複数
のフェイルビット行列を作成し、 複数の前記フェイルビット行列を、それぞれの次数倍に
し、 該次数倍されたフェイルビット行列から離散的コサイン
変換することで得られる行列の原点の値を、複数の前記
フェイルビット行列毎にそれぞれ算出し、 複数の前記フェイルビット行列毎に算出された前記原点
の値をそれぞれ加算してフェイル数として出力すること
を特徴とするフェイルカウント方法。 - 【請求項3】 ロウアドレス、およびカラムアドレスに
よって設定される複数のメモリセルを備えた半導体メモ
リの、前記メモリセルの不良判定結果であるフェイルデ
ータから前記メモリセルの不良数を算出するフェイルカ
ウント装置において、 前記ロウアドレス、および前記カラムアドレスによって
特定される位置に前記メモリセルの不良判定結果が要素
として書き込んだ、任意の次数の正方行列からなるフェ
イルビット行列を作成するフェイルビット行列作成手段
と、 前記フェイルビット行列を該次数倍にし、該次数倍され
たフェイルビット行列から離散的コサイン変換すること
で得られる行列の原点の値を算出するDCT演算手段
と、 前記原点の値をフェイル数として出力するフェイル数抽
出手段と、を有することを特徴とするフェイルカウント
装置。 - 【請求項4】 ロウアドレス、およびカラムアドレスに
よって設定される複数のメモリセルを備えた半導体メモ
リの、前記メモリセルの不良判定結果であるフェイルデ
ータから前記メモリセルの不良数を算出するフェイルカ
ウント装置において、 前記ロウアドレス、および前記カラムアドレスによって
特定される位置にメモリセルの不良判定結果を要素とし
て書き込んだ、任意の次数の正方行列からなる複数のフ
ェイルビット行列を作成するフェイルビット行列作成手
段と、 複数の前記フェイルビット行列を、それぞれの次数倍に
し、該次数倍されたフェイルビット行列から離散的コサ
イン変換することで得られる行列の原点の値を、複数の
前記フェイルビット行列毎にそれぞれ算出するDCT演
算手段と、 複数の前記フェイルビット行列毎に算出された前記原点
の値をそれぞれ加算してフェイル数として出力するるフ
ェイル数抽出手段と、を有することを特徴とするフェイ
ルカウント装置。
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1997
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