JPH10152559A - Aromatic diamine compound, and polyamic acid and polyimide using the same - Google Patents

Aromatic diamine compound, and polyamic acid and polyimide using the same

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JPH10152559A
JPH10152559A JP32484496A JP32484496A JPH10152559A JP H10152559 A JPH10152559 A JP H10152559A JP 32484496 A JP32484496 A JP 32484496A JP 32484496 A JP32484496 A JP 32484496A JP H10152559 A JPH10152559 A JP H10152559A
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polyimide
polyamic acid
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bis
fluorene
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Minoru Matsubara
稔 松原
Yasutake Inoue
靖健 井上
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject compound capable of giving polyimide excellent both in resistance to heat and low dielectric constant, and useful as an electrical insulator. SOLUTION: This aromatic diamine compound is shown by the formula (R<1> and R<2> are each independently a 1-6C alkyl, 1-6C alkyl halide, or 6-14C monovalent monocyclic or condensed polycyclic aromatic group; and (a) and (b) are each independently an integer of 0 to 4). This aromatic diamine compound can be subjected to polycondensation with a tetracarboxylic acid dianhydride in an organic solvent, to produce the 2nd objective polyamic acid. Furthermore, the polyamic acid can be subjected to dehydrocyclization into the 3rd objective polyimide. The polyimide thus produced is very suitable for, especially, interlayer insulating films for LSI's.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な芳香族ジア
ミン化合物、並びに該芳香族ジアミン化合物から得られ
るポリアミック酸およびポリイミドに関する。
[0001] The present invention relates to a novel aromatic diamine compound, and to a polyamic acid and a polyimide obtained from the aromatic diamine compound.

【0002】[0002]

【従来の技術】大規模集積回路(LSI)は、微細加工
技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化
の一途をたどっている。その結果、回路抵抗や配線間の
コンデンサー容量(以下、それぞれ「寄生抵抗」、「寄
生容量」という.)か増大して、消費電力が増加するだ
けでなく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピー
ドが低下する大きな要因となっている。そのため、寄生
抵抗や寄生容量を下げることが求められており、その解
決策の一つとして、配線の周辺を低誘電率の層間絶縁膜
で被うことにより、寄生容量を下げて、デバイスの高速
化に対応しようとしている。具体的には、従来の層間絶
縁膜に用いられている酸化ケイ素膜を、より誘電率の低
い有機膜に替える試みがなされている。しかし、層間絶
縁膜には、低誘電性とともに、実装基板製造時の薄膜形
成工程や、チップ接続、ピン付け等の後工程に耐えられ
る優れた耐熱性を有することが必要である。そして、代
表的な低誘電性有機材料としてはポリテトラフルオロエ
チレン等のふっ素樹脂が知られているが、この樹脂の場
合耐熱性が不十分である。また、高耐熱性の有機材料と
してはポリイミドが知られているが、従来のポリイミド
の比誘電率は2.95〜3.5程度であり、低誘電性の
面で満足できない。 即ち、十分な高耐熱性と低誘電性
とを同時に兼ね備えた絶縁材料は、未だ見い出されてい
ないのが現状である。
2. Description of the Related Art Large-scale integrated circuits (LSIs) are steadily becoming more highly integrated, multifunctional, and more sophisticated, reflecting advances in microfabrication technology. As a result, the circuit resistance and the capacitance between the wirings (hereinafter referred to as “parasitic resistance” and “parasitic capacitance”, respectively) increase, which not only increases the power consumption, but also increases the delay time, and This is a major factor in reducing the signal speed. Therefore, it is required to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance. One of the solutions is to reduce the parasitic capacitance by covering the periphery of the wiring with an interlayer insulating film having a low dielectric constant, thereby increasing the speed of the device. Is trying to respond to the change. Specifically, attempts have been made to replace a silicon oxide film used as a conventional interlayer insulating film with an organic film having a lower dielectric constant. However, the interlayer insulating film needs to have not only low dielectric properties but also excellent heat resistance that can withstand a thin film forming step in manufacturing a mounting substrate and post-processes such as chip connection and pinning. As a typical low dielectric organic material, a fluorine resin such as polytetrafluoroethylene is known, but in the case of this resin, heat resistance is insufficient. Polyimide is known as an organic material having high heat resistance, but the relative permittivity of conventional polyimide is about 2.95 to 3.5, which is not satisfactory in terms of low dielectric property. That is, an insulating material having both high heat resistance and low dielectric properties at the same time has not been found yet.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、優れ
た耐熱性と低誘電性とを同時に兼ね備えた絶縁材料とし
て有用なポリイミド、並びに該ポリイミドを生成しうる
芳香族ジアミンおよびポリアミック酸を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a polyimide useful as an insulating material having both excellent heat resistance and low dielectric properties, and an aromatic diamine and a polyamic acid capable of producing the polyimide. Is to do.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するため鋭意検討を行った結果、特定の芳香族ジ
アミン化合物を用いて合成したポリイミドが、高耐熱性
と低誘電性との両面で優れていることを見い出し、本発
明を完成するに至った。即ち、本発明の要旨は、第一
に、一般式(1)
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, a polyimide synthesized using a specific aromatic diamine compound has high heat resistance and low dielectric properties. The present inventors have found that the present invention is excellent in both aspects, and have completed the present invention. That is, the gist of the present invention is as follows: first, the general formula (1)

【0005】[0005]

【化1】Embedded image

【0006】〔一般式(1)において、R1 およびR2
はそれぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1
〜6のハロゲン化アルキル基または炭素数6〜14の1
価の単環式もしくは縮合多環式芳香族基を示し、aおよ
びbはそれぞれ独立に0〜4の整数である。〕で表わさ
れる芳香族ジアミン化合物(以下、「第1発明」とい
う。)、からなる。
[In the general formula (1), R 1 and R 2
Are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
To 6 halogenated alkyl groups or 1 to 6 carbon atoms
A represents a monovalent or condensed polycyclic aromatic group; a and b each independently represent an integer of 0 to 4; (Hereinafter referred to as "first invention").

【0007】本発明の要旨は、第二に、一般式(2)The gist of the present invention is that, secondly, the general formula (2)

【0008】[0008]

【化2】Embedded image

【0009】〔一般式(2)において、R1 およびR2
はそれぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1
〜6のハロゲン化アルキル基または炭素数6〜14の単
環式もしくは縮合多環式の芳香族基を示し、Arは単環
式もしくは縮合多環式芳香族基、またはこれらの芳香族
基が直接もしくは連結基により相互に連結された非縮合
多環式芳香族基から選ばれる炭素数6〜50の4価の芳
香族基を示し、aおよびbはそれぞれ独立に0〜4の整
数である。〕で表わされる繰返し単位を含有して成り、
対数粘度〔ηinh 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶
媒、30℃、濃度0.5g/dl )が0.1〜4dl/g
であるポリアミック酸(以下、「第2発明」とい
う。)、からなる。
[In the general formula (2), R 1 and R 2
Are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
Represents a halogenated alkyl group of 6 to 6 or a monocyclic or condensed polycyclic aromatic group having 6 to 14 carbon atoms, and Ar represents a monocyclic or condensed polycyclic aromatic group, or A tetravalent aromatic group having 6 to 50 carbon atoms selected from non-fused polycyclic aromatic groups directly or mutually connected by a linking group, and a and b are each independently an integer of 0 to 4 . And a repeating unit represented by the formula:
Logarithmic viscosity [ηinh] (N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl) is 0.1 to 4 dl / g.
(Hereinafter, referred to as “second invention”).

【0010】本発明の要旨は、第三に、一般式(3)The gist of the present invention is that, thirdly, the general formula (3)

【0011】[0011]

【化3】Embedded image

【0012】〔一般式(3)において、R1 およびR2
はそれぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1
〜6のハロゲン化アルキル基または炭素数6〜14の単
環式もしくは縮合多環式の芳香族基を示し、Arは単環
式もしくは縮合多環式芳香族基、またはこれらの芳香族
基が直接もしくは連結基により相互に連結された非縮合
多環式芳香族基から選ばれる炭素数6〜50の4価の芳
香族基を示し、aおよびbはそれぞれ独立に0〜4の整
数である。〕で表わされる繰返し単位を含有して成り、
対数粘度〔ηinh 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶
媒、30℃、濃度0.5g/dl )が0.1〜4dl/gで
あるポリイミド(以下、「第3発明」という。)、から
なる。
[In the general formula (3), R 1 and R 2
Are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
Represents a halogenated alkyl group of 6 to 6 or a monocyclic or condensed polycyclic aromatic group having 6 to 14 carbon atoms, and Ar represents a monocyclic or condensed polycyclic aromatic group, or A tetravalent aromatic group having 6 to 50 carbon atoms selected from non-fused polycyclic aromatic groups directly or mutually connected by a linking group, and a and b are each independently an integer of 0 to 4 . And a repeating unit represented by the formula:
Polyimide having a logarithmic viscosity [ηinh] (N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl) of 0.1 to 4 dl / g (hereinafter referred to as “third invention”).

【0013】以下、本発明を詳細に説明する。芳香族ジアミン化合物 第1発明の芳香族ジアミン化合物を表す前記一般式
(1)において、R1 およびR2 の炭素数1〜6のアル
キル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基等を挙げることができ、炭素数1〜
6のハロゲン化アルキル基としては、例えば、フルオロ
メチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフ
ルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、3,3,3
−トリフルオロプロピル基、2,2,3,3,3−ペン
タフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、ク
ロロメチル基、ブロモメチル基等を挙げることができ、
炭素数6〜14の1価の単環式もしくは縮合多環式芳香
族基としては、例えば、フェニル基、o−トルイル基、
m−トルイル基、p−トルイル基、1−ナフチル基、2
−ナフチル基、1−アントラニル基、2−アントラニル
基、9−アントラニル基等を挙げることができる。これ
らの基のうち、メチル基、エチル基、i−プロピル基、
t−ブチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基等が
好ましい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. Aromatic diamine compound In the general formula (1) representing the aromatic diamine compound of the first invention, examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms for R 1 and R 2 include a methyl group, an ethyl group, and n-propyl. Group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group and the like.
Examples of the halogenated alkyl group 6 include a fluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a pentafluoroethyl group, a 3,3,3
-Trifluoropropyl group, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, heptafluoropropyl group, chloromethyl group, bromomethyl group and the like,
Examples of the monovalent monocyclic or condensed polycyclic aromatic group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group, an o-toluyl group,
m-toluyl group, p-toluyl group, 1-naphthyl group, 2
-Naphthyl group, 1-anthranyl group, 2-anthranyl group, 9-anthranyl group and the like. Among these groups, a methyl group, an ethyl group, an i-propyl group,
A t-butyl group, a trifluoromethyl group, a phenyl group and the like are preferable.

【0014】第1発明の芳香族ジアミン化合物の好まし
い具体例としては、9,9−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,
9−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)−3−フェニ
ルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(2−ア
ミノフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレ
ン、9,9−ビス〔4−(4−アミノ−3−メチルフェ
ノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9
−ビス〔4−(4−アミノ−2−メチルフェノキシ)−
3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4
−(4−アミノ−3−エチルフェノキシ)−3−フェニ
ルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(4−ア
ミノ−2−エチルフェノキシ)−3−フェニルフェニ
ル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(4−アミノ−3
−i−プロピルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕
フルオレン、9,9−ビス〔4−(4−アミノ−2−i
−プロピルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フル
オレン、9,9−ビス〔4−(4−アミノ−3−t−ブ
チルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレ
ン、9,9−ビス〔4−(4−アミノ−2−t−ブチル
フェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、
9,9−ビス〔4−(4−アミノ−3−トリフロオロメ
チルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレ
ン、9,9−ビス〔4−(4−アミノ−2−トリフロオ
ロメチルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオ
レン、9,9−ビス〔4−(3−アミノ−2−メチルフ
ェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,
9−ビス〔4−(3−アミノ−4−メチルフェノキシ)
−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス
〔4−(3−アミノ−5−メチルフェノキシ)−3−フ
ェニルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(3
−アミノ−6−メチルフェノキシ)−3−フェニルフェ
ニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(3−アミノ−
2−トリフロオロメチルフェノキシ)−3−フェニルフ
ェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(3−アミノ
−4−トリフロオロメチルフェノキシ)−3−フェニル
フェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(3−アミ
ノ−5−トリフロオロメチルフェノキシ)−3−フェニ
ルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(3−ア
ミノ−6−トリフロオロメチルフェノキシ)−3−フェ
ニルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(2−
アミノ−3−メチルフェノキシ)−3−フェニルフェニ
ル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(2−アミノ−4
−メチルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオ
レン、9,9−ビス〔4−(2−アミノ−5−メチルフ
ェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,
9−ビス〔4−(2−アミノ−6−メチルフェノキシ)
−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス
〔4−(2−アミノ−3−トリフロオロメチルフェノキ
シ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9−ビ
ス〔4−(2−アミノ−4−トリフロオロメチルフェノ
キシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9−
ビス〔4−(2−アミノ−5−トリフロオロメチルフェ
ノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9
−ビス〔4−(2−アミノ−6−トリフロオロメチルフ
ェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン等を挙
げることができる。これらの芳香族ジアミン化合物のう
ち、9,9−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3
−フェニルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−
(4−アミノ−2−メチルフェノキシ)−3−フェニル
フェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(4−アミ
ノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)−3−フェニ
ルフェニル〕フルオレン、9,9−ビス〔4−(2−ア
ミノ−4−トリフロオロメチルフェノキシ)−3−フェ
ニルフェニル〕フルオレン等が好ましい。
Preferred specific examples of the aromatic diamine compound of the first invention include 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene,
9-bis [4- (3-aminophenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-aminophenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino-3-methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9
-Bis [4- (4-amino-2-methylphenoxy)-
3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4
-(4-amino-3-ethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino-2-ethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino-3
-I-propylphenoxy) -3-phenylphenyl]
Fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino-2-i
-Propylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino-3-t-butylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4 -Amino-2-t-butylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene,
9,9-bis [4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-amino-2-methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,
9-bis [4- (3-amino-4-methylphenoxy)
-3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-amino-5-methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3
-Amino-6-methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-amino-
2-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-amino-4-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-amino-6-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl ] Fluorene, 9,9-bis [4- (2-
Amino-3-methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-amino-4
-Methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-amino-5-methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,
9-bis [4- (2-amino-6-methylphenoxy)
-3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-amino-3-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-amino- 4-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-
Bis [4- (2-amino-5-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9
-Bis [4- (2-amino-6-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene. Of these aromatic diamine compounds, 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) -3
-Phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4-
(4-amino-2-methylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9- Bis [4- (2-amino-4-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene and the like are preferred.

【0015】第1発明の芳香族ジアミン化合物は、例え
ば、式(4)で表されるビスフェノール化合物と、一般
式(5)で表されるニトロハロベンゼン化合物または一
般式(6)で表されるジニトロベンゼン化合物とを縮合
させたのち、得られる芳香族ジニトロ化合物を還元する
ことにより得ることができる。
The aromatic diamine compound of the first invention is, for example, a bisphenol compound represented by the formula (4) and a nitrohalobenzene compound represented by the formula (5) or a formula (6). After condensation with a dinitrobenzene compound, it can be obtained by reducing the resulting aromatic dinitro compound.

【0016】[0016]

【化4】 Embedded image

【0017】[0017]

【化5】 Embedded image

【0018】〔一般式(5)および(6)において、R
は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロゲン
化アルキル基または炭素数6〜14の1価の単環式もし
くは縮合多環式芳香族基を表し、nは0〜4の整数であ
る。〕 式(4)で表されるビスフェノール化合物は、例えば、
特開平6−228035号公報やResearch Disclosure,
378, P647-P650(1995)に記載された方法方法によって
得ることができる。
[In the general formulas (5) and (6), R
Represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a monovalent or condensed polycyclic aromatic group having 6 to 14 carbon atoms, and n represents 0 to 4 It is an integer. The bisphenol compound represented by the formula (4) is, for example,
JP-A-6-228035 and Research Disclosure,
378 , P647-P650 (1995).

【0019】一般式(5)で表されるニトロハロベンゼ
ン化合物の好ましい具体例としては、4−クロロニトロ
ベンゼン、3−クロロニトロベンゼン、2−クロロニト
ロベンゼン、2−クロロ−3−ニトロトルエン、2−ク
ロロ−4−ニトロトルエン、2−クロロ−5−ニトロト
ルエン、2−クロロ−6−ニトロトルエン、3−クロロ
−2−ニトロトルエン、3−クロロ−4−ニトロトルエ
ン、3−クロロ−5−ニトロトルエン、3−クロロ−6
−ニトロトルエン、4−クロロ−2−ニトロトルエン、
4−クロロ−3−ニトロトルエン、5−クロロ−2−ニ
トロトルエン、2−クロロ−3−ニトロベンゾトリフル
オリド、2−クロロ−4−ニトロベンゾトリフルオリ
ド、2−クロロ−5−ニトロベンゾトリフルオリド、2
−クロロ−6−ニトロベンゾトリフルオリド、3−クロ
ロ−2−ニトロベンゾトリフルオリド、3−クロロ−4
−ニトロベンゾトリフルオリド、3−クロロ−5−ニト
ロベンゾトリフルオリド、3−クロロ−6−ニトロベン
ゾトリフルオリド、4−クロロ−2−ニトロベンゾトリ
フルオリド、4−クロロ−3−ニトロベンゾトリフルオ
リド、5−クロロ−2−ニトロベンゾトリフルオリド等
を挙げることができる。
Preferred specific examples of the nitrohalobenzene compound represented by the general formula (5) include 4-chloronitrobenzene, 3-chloronitrobenzene, 2-chloronitrobenzene, 2-chloro-3-nitrotoluene, and 2-chloro-nitrotoluene. 4-nitrotoluene, 2-chloro-5-nitrotoluene, 2-chloro-6-nitrotoluene, 3-chloro-2-nitrotoluene, 3-chloro-4-nitrotoluene, 3-chloro-5-nitrotoluene, 3-chloro-6
-Nitrotoluene, 4-chloro-2-nitrotoluene,
4-chloro-3-nitrotoluene, 5-chloro-2-nitrotoluene, 2-chloro-3-nitrobenzotrifluoride, 2-chloro-4-nitrobenzotrifluoride, 2-chloro-5-nitrobenzotrifluoride, 2
-Chloro-6-nitrobenzotrifluoride, 3-chloro-2-nitrobenzotrifluoride, 3-chloro-4
-Nitrobenzotrifluoride, 3-chloro-5-nitrobenzotrifluoride, 3-chloro-6-nitrobenzotrifluoride, 4-chloro-2-nitrobenzotrifluoride, 4-chloro-3-nitrobenzotrifluoride, 5-chloro-2-nitrobenzotrifluoride and the like can be mentioned.

【0020】また、一般式(6)で表されるジニトロベ
ンゼン化合物の好ましい具体例としては、1,2−ジニ
トロベンゼン、1,3−ジニトロベンゼン、1,4−ジ
ニトロベンゼン、4−メチル−1,2−ジニトロベンゼ
ン、4−メチル−1,3−ジニトロベンゼン、5−メチ
ル−1,3−ジニトロベンゼン、6−メチル−1,3−
ジニトロベンゼン、2−メチル−1,4−ジニトロベン
ゼン、4−トリフルオロメチル−1,2−ジニトロベン
ゼン、4−トリフルオロメチル−1,3−ジニトロベン
ゼン、5−トリフルオロメチル−1,3−ジニトロベン
ゼン、6−トリフルオロメチル−1,3−ジニトロベン
ゼン、2−トリフルオロメチル−1,4−ジニトロベン
ゼン等を挙げることができる。
Preferred specific examples of the dinitrobenzene compound represented by the general formula (6) include 1,2-dinitrobenzene, 1,3-dinitrobenzene, 1,4-dinitrobenzene, and 4-methyl-1. , 2-Dinitrobenzene, 4-methyl-1,3-dinitrobenzene, 5-methyl-1,3-dinitrobenzene, 6-methyl-1,3-
Dinitrobenzene, 2-methyl-1,4-dinitrobenzene, 4-trifluoromethyl-1,2-dinitrobenzene, 4-trifluoromethyl-1,3-dinitrobenzene, 5-trifluoromethyl-1,3- Examples thereof include dinitrobenzene, 6-trifluoromethyl-1,3-dinitrobenzene, and 2-trifluoromethyl-1,4-dinitrobenzene.

【0021】式(4)で表されるビスフェノール化合物
と、一般式(5)で表されるニトロハロベンゼン化合物
または一般式(6)で表されるジニトロベンゼン化合物
との縮合反応は、該ビスフェノール化合物に対して、該
ニトロハロベンゼン化合物または該ジニトロベンゼン化
合物の2倍モル以上、好ましくは2〜3倍モルを、有機
溶媒中、反応原料の濃度を、通常、1〜80重量%、好
ましくは30〜60重量%とし、塩基性化合物の存在下
で、温度50〜250℃、好ましくは50〜180℃に
て0.5〜24時間反応させることにより実施される。
前記有機溶媒の好ましい具体例としては、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類;1,2−ジクロロエタ
ン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;1,2
−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、1,3−ジオキサン、1,4−ジオキサン等の
エーテル類,N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メ
チル−2−ピロリドン、スルホラン等の非プロトン性極
性溶媒等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ
る。前記塩基性化合物としては、例えば、アルカリ金属
の水酸化物、アルカリ金属の炭酸水素塩、アルカリ金属
の炭酸塩、アルカリ金属のアルコキシド化合物等を挙げ
ることができる。これら塩基性化合物は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。塩基性化合
物の使用量は、前記ビスフェノール化合物に対して、通
常、2倍モル以上、好ましくは2〜3倍モルの範囲であ
る。前記縮合反応に続いて、副生した塩類をろ過により
除去したのち、反応溶液を貧溶媒中に添加して、生成化
合物を凝固させる。その後、ろ過あるいは有機溶媒を留
去することにより、所定の芳香族ジニトロ化合物を得る
ことができる。得られた芳香族ジニトロ化合物は、その
まま、あるいは再結晶によりさらに精製を行ったのち、
還元反応に用いる。
The condensation reaction between the bisphenol compound represented by the formula (4) and the nitrohalobenzene compound represented by the general formula (5) or the dinitrobenzene compound represented by the general formula (6) is carried out by the reaction of the bisphenol compound. Of the nitrohalobenzene compound or the dinitrobenzene compound is twice or more, preferably 2 to 3 times, the molar amount of the reaction raw material in the organic solvent, usually 1 to 80% by weight, preferably 30 to 30% by weight. The reaction is carried out at a temperature of 50 to 250 ° C, preferably 50 to 180 ° C, for 0.5 to 24 hours in the presence of a basic compound.
Preferred specific examples of the organic solvent include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; halogenated hydrocarbons such as 1,2-dichloroethane and chlorobenzene;
-Dimethoxyethane, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether,
Ethers such as diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran, 1,3-dioxane, 1,4-dioxane, N, N-dimethylformamide, N, N-
Aprotic polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, and sulfolane can be exemplified. These organic solvents are
They can be used alone or in combination of two or more. Examples of the basic compound include an alkali metal hydroxide, an alkali metal bicarbonate, an alkali metal carbonate, and an alkali metal alkoxide compound. These basic compounds can be used alone or in combination of two or more. The amount of the basic compound used is usually at least 2 moles, preferably 2 to 3 moles, per mole of the bisphenol compound. After the condensation reaction, by-product salts are removed by filtration, and then the reaction solution is added to a poor solvent to coagulate the resulting compound. Thereafter, by filtering or distilling off the organic solvent, a predetermined aromatic dinitro compound can be obtained. The obtained aromatic dinitro compound is used as it is or after further purification by recrystallization,
Used for reduction reaction.

【0022】前記還元方法としては、特に限定されるも
のではなく、例えば、ニトロ基をアミノ基に還元する公
知の方法を用いることができる。第1発明における芳香
族ジニトロ化合物の還元反応は、例えば、ニツケル、パ
ラジウム、白金等の金属触媒や、これら金属を適宜の担
体に担持させた担持触媒、あるいはニッケル、銅等のラ
ネー触媒等の水素化触媒の存在下で、反応に不活性な反
応溶媒中、温度20〜200℃、圧力を常圧〜50kgf
/cm2 とし、水素を用いて、芳香族ジニトロ化合物を芳
香族ジアミノ化合物に還元することにより実施される。
前記反応溶媒としては、例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等の脂肪族アルコール類;メチル
セロソルプ、エチルセロソルブ等のエチレングリコール
モノアルキルエーテル類;トルエン、ベンゼン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のエー
テル類等を挙げることができる。これらの反応溶媒は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ
る。前記還元反応に続いて、反応混合物から水素化触媒
をろ過等によつて除去したのち、反応溶液を貧溶媒中に
添加して、生成化合物を凝固させる。その後、ろ過ある
いは反応溶媒を留去することによって、芳香族ジアミン
化合物を得ることができる。得られた芳香族ジアミン化
合物は、そのまま、あるいは再結晶等によって精製し
て、第2発明におけるポリアミック酸の製造に用いる。
The reduction method is not particularly limited, and for example, a known method for reducing a nitro group to an amino group can be used. In the reduction reaction of the aromatic dinitro compound in the first invention, for example, a hydrogen catalyst such as a metal catalyst such as nickel, palladium, and platinum, a supported catalyst in which these metals are supported on an appropriate carrier, and a Raney catalyst such as nickel and copper are used. In a reaction solvent inert to the reaction in the presence of an oxidation catalyst, at a temperature of 20 to 200 ° C and a pressure of normal pressure to 50 kgf
/ Cm 2 and reducing the aromatic dinitro compound to an aromatic diamino compound using hydrogen.
Examples of the reaction solvent include aliphatic alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol; ethylene glycol monoalkyl ethers such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve; aromatic hydrocarbons such as toluene, benzene, and xylene; tetrahydrofuran, dioxane; Examples thereof include ethers such as dipropyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, and diethylene glycol diethyl ether. These reaction solvents are
They can be used alone or in combination of two or more. After the reduction reaction, the hydrogenation catalyst is removed from the reaction mixture by filtration or the like, and then the reaction solution is added to a poor solvent to coagulate the resulting compound. Then, an aromatic diamine compound can be obtained by filtration or distilling off the reaction solvent. The obtained aromatic diamine compound is used as it is or after being purified by recrystallization or the like to produce the polyamic acid in the second invention.

【0023】ポリアミック酸 第2発明のポリアミック酸は、第1発明の芳香族ジアミ
ン化合物と、下記一般式(7)で表されるテトラカルボ
ン酸二無水物とを、有機溶媒中で重縮合させることによ
り製造することができる。
The polyamic acid of the second invention polyamic acid, an aromatic diamine compound of the first invention, a tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (7), to polycondensation in an organic solvent Can be manufactured.

【0024】[0024]

【化7】 Embedded image

【0025】(但し、Arは、一般式(2)におけるA
rと同義である。) 第2発明のポリアミック酸を製造するに当たり、第1発
明の芳香族ジアミン化合物は、単独でまたは2種以上を
混合して使用することができる。また、前記テトラカル
ボン酸二無水物の好ましい具体例としては、ピロメリッ
ト酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボ
ン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,
4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシ
フェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3−ジカ
ルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−
ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(2,
3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、2,2
−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、
2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水
物、9,9−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノ
キシ)フェニル〕フルオレン二無水物、9,9−ビス
〔4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕
フルオレン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテト
ラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレン
テトラカルボン酸二無水物等を挙げることができる。こ
れらのテトラカルボン酸二無水物は、単独でまたは2種
以上を混合して使用することができる。また、第2発明
のポリアミック酸を製造する際には、第3発明のポリイ
ミドの特性を実質的に損なわない範囲内で、第1発明の
芳香族ジアミン化合物以外のジアミン化合物を使用する
ことができる。この場合、第1発明の芳香族ジアミン化
合物以外のジアミン化合物の使用量は、第2発明のポリ
アミック酸の製造に用いられる全芳香族ジアミン化合物
の、好ましくは50モル%以下、さらに好ましくは30
モル%以下である。
(Where Ar is A in the general formula (2))
Synonymous with r. In producing the polyamic acid of the second invention, the aromatic diamine compound of the first invention can be used alone or in combination of two or more. Preferred specific examples of the tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone. Tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4
4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,
2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane Dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-
Dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (2,
3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 2,2
-Bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,
1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride,
2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 9,9-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride, 9,9-bis [4- ( 2,3-dicarboxyphenoxy) phenyl]
Fluorene dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride An anhydride and the like can be mentioned. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more. When producing the polyamic acid of the second invention, a diamine compound other than the aromatic diamine compound of the first invention can be used within a range that does not substantially impair the properties of the polyimide of the third invention. . In this case, the amount of the diamine compound used other than the aromatic diamine compound of the first invention is preferably 50 mol% or less, more preferably 30 mol%, of the wholly aromatic diamine compound used for producing the polyamic acid of the second invention.
Mol% or less.

【0026】第1発明の芳香族ジアミン化合物と一般式
(7)で表されるテトラカルボン酸二無水物との重縮合
反応は、通常、有機溶媒中で実施される。前記有機溶媒
としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルメトキシアセトアミド、N,N−ジエ
チルメトキシアセトアミド、N−メチル−2−ピロリド
ン、N−メチルカプロラクタム、1,2−ジメトキシエ
タン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,3
−ジオキサン、1,4−ジオキサン、ピリジン、ピコリ
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラ
メチル尿素等を挙げることができる。これらの有機溶媒
は、単独でまたは2種以上を混合して使用することがで
きる。前記重縮合反応における反応原料の濃度は、通
常、2〜50重量%、好ましくは5〜30重量%であ
り、反応温度は、通常、60℃以下、好ましくは50℃
以下である。反応圧力は特に限定されず、通常、常圧で
実施することができる。また、反応時間は、通常、0.
5〜24時間である。このような重縮合反応により、前
記一般式(2)で表される繰返し単位を含有するポリア
ミック酸を得ることができる。第2発明のポリアミック
酸は、前記一般式(2)で表される繰返し単位を含有す
るが、該ポリアミック酸においては、前記一般式(2)
のR1 、R2 、a、bあるいはArの何れか一つ以上が
異なる2種以上の繰返し単位が含有されていてもよく、
この場合、2種以上の繰返し単位は、ポリアミック酸の
分子鎖中にランダム状にもブロック状にも結合すること
ができる。第2発明のポリアミック酸の対数粘度〔ηin
h 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、30℃、濃
度0.5g/dl )は、0.1〜4dl/gであり、好ま
しくは0.3〜2dl/gである。第2発明のポリアミ
ック酸は、イミド化率が50%を超えない範囲内で、部
分的にイミド化されていてもよい。
The polycondensation reaction between the aromatic diamine compound of the first invention and the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (7) is usually carried out in an organic solvent. Examples of the organic solvent include N, N-dimethylformamide,
N, N-dimethylmethoxyacetamide, N, N-diethylmethoxyacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 1,2-dimethoxyethane, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran, 1,3
-Dioxane, 1,4-dioxane, pyridine, picoline, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, tetramethyl urea and the like. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more. The concentration of the reaction raw material in the polycondensation reaction is usually 2 to 50% by weight, preferably 5 to 30% by weight, and the reaction temperature is usually 60 ° C or lower, preferably 50 ° C.
It is as follows. The reaction pressure is not particularly limited, and the reaction can be usually carried out at normal pressure. In addition, the reaction time is usually 0.1.
5 to 24 hours. By such a polycondensation reaction, a polyamic acid containing a repeating unit represented by the general formula (2) can be obtained. The polyamic acid of the second invention contains the repeating unit represented by the general formula (2). In the polyamic acid, the polyamic acid has the general formula (2)
And at least one of R 1 , R 2 , a, b or Ar may contain two or more kinds of repeating units,
In this case, two or more kinds of repeating units can be bonded to the molecular chain of the polyamic acid in a random or block manner. Logarithmic viscosity of the polyamic acid of the second invention [ηin
h] (N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl) is 0.1 to 4 dl / g, preferably 0.3 to 2 dl / g. The polyamic acid of the second invention may be partially imidized as long as the imidation ratio does not exceed 50%.

【0027】ポリイミド 第3発明のポリイミドは、前記一般式(2)で表される
繰返し単位を含有するポリアミック酸を、脱水閉環して
イミド化することにより製造することができる。前記イ
ミド化に際しては、加熱イミド化法または化学イミド化
法を採用することができる。前記加熱イミド化法として
は、例えば、 ポリアミック酸溶液をガラス、金属等の表面平滑な基
板上に流延して加熱する方法、あるいは ポリアミック酸溶液をそのまま加熱する方法が適用さ
れる。これらの方法におけるポリアミック酸溶液の溶媒
としては、例えば、ポリアミック酸の製造に使用される
ものと同様の有機溶媒を挙げることができる。前記の
加熱イミド化法では、ポリアミック酸溶液を基板上に流
延して形成された薄膜を、常圧下または減圧下で加熱す
ることにより、フィルム状のポリイミドを得ることがで
きる。この場合の加熱温度は、通常、100〜400
℃、好ましくは150〜350℃であり、反応中徐々に
温度を上げることが好ましい。また、前記の加熱イミ
ド化法では、ポリアミック酸溶液を加熱することによ
り、ポリイミドが粉末ないし溶液として得られる。この
場合の加熱温度は、通常、80〜300℃、好ましくは
100〜250℃である。また、の加熱イミド化法に
際しては、副生する水の除去を容易とするため、水と共
沸し、特に反応系外で水と容易に分離しうる成分、例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
を脱水剤として存在させることもできる。さらに、の
加熱イミド化法に際しては、脱水閉環を促進するため、
第三級アミン、例えば、トリメチルアミン、トリエチル
アミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−i−プロピ
ルアミン、トリ−n−ブチルアミン等の脂肪族第三級ア
ミン類;N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチル
アニリン等の芳香族第三級アミン類;ピリジン、キノリ
ン、イソキノリン等の複素環式第三級アミン類等の触媒
を、ポリアミック酸100重量部当たり、例えば10〜
400重量部用いることもできる。
Polyimide The polyimide of the third invention can be produced by dehydrating and cyclizing a polyamic acid containing a repeating unit represented by the above general formula (2). At the time of the imidization, a heat imidation method or a chemical imidization method can be employed. As the thermal imidization method, for example, a method in which a polyamic acid solution is cast on a substrate having a smooth surface such as glass or metal and heated, or a method in which the polyamic acid solution is directly heated is applied. As the solvent for the polyamic acid solution in these methods, for example, the same organic solvents as those used for producing polyamic acid can be mentioned. In the above-mentioned heat imidization method, a film-like polyimide can be obtained by heating a thin film formed by casting a polyamic acid solution on a substrate under normal pressure or reduced pressure. The heating temperature in this case is usually 100 to 400.
° C, preferably 150 to 350 ° C, and it is preferable to gradually increase the temperature during the reaction. In the above-mentioned heat imidization method, the polyimide is obtained as a powder or a solution by heating the polyamic acid solution. The heating temperature in this case is usually 80 to 300 ° C, preferably 100 to 250 ° C. In the heat imidization method, a component which azeotropes with water and which can be easily separated from water especially outside the reaction system, for example, benzene, toluene, xylene, etc. May be present as a dehydrating agent. Further, in the heating imidization method, in order to promote dehydration ring closure,
Tertiary amines, for example, aliphatic tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-i-propylamine, tri-n-butylamine; N, N-dimethylaniline, N, N A catalyst such as aromatic tertiary amines such as diethylaniline; heterocyclic tertiary amines such as pyridine, quinoline and isoquinoline, for example, 10 to 10 parts by weight of polyamic acid;
400 parts by weight can also be used.

【0028】次に、前記化学イミド化法としては、例え
ば、 ポリアミック酸を脱水環化させる閉環剤を用い、溶液
状態でポリイミド化する方法が採用され、ポリイミドが
粉末あるいは溶液として得られる。この方法で使用され
る溶媒としても、例えば、ポリアミック酸の製造に使用
されるものと同様の有機溶媒を挙げることができる。
の化学イミド化法に使用される閉環剤としては、例え
ば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸の如き酸無
水物等を挙げることができる。これらの閉環剤は、単独
でまたは2種以上を混合して使用することができ、その
使用量は、前記一般式(2)で表される繰返し単位1モ
ル当たり、通常、2〜100モル、好ましくは2〜50
モルである。の化学イミド化法における反応温度は、
通常、0〜200℃である。なお化学イミド化法におい
ても、前記加熱イミド化法の場合と同様に第三級アミン
を触媒として使用することができる。前記加熱イミド化
法または化学イミド化法によりポリイミドが粉末として
得られた場合は、ろ過、噴霧乾燥、水蒸気蒸留等の適宜
の方法により、ポリイミド粉末を媒体から分離回収する
ことができる。第3発明のポリイミドのイミド化率は、
50%以上、好ましくは90%以上である。
Next, as the chemical imidization method, for example, a method in which a ring closing agent for dehydrating and cyclizing a polyamic acid is used to form a polyimide in a solution state is employed, and the polyimide is obtained as a powder or a solution. Examples of the solvent used in this method include, for example, the same organic solvents as those used in the production of polyamic acid.
Examples of the ring closing agent used in the chemical imidization method include acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, and butyric anhydride. These ring-closing agents can be used alone or as a mixture of two or more kinds. The amount of the ring-closing agent is usually 2 to 100 mol per mol of the repeating unit represented by the general formula (2), Preferably 2 to 50
Is a mole. The reaction temperature in the chemical imidation method of
Usually, it is 0 to 200 ° C. In the chemical imidization method, a tertiary amine can be used as a catalyst as in the case of the thermal imidization method. When the polyimide is obtained as a powder by the heat imidization method or the chemical imidization method, the polyimide powder can be separated and recovered from the medium by an appropriate method such as filtration, spray drying, or steam distillation. The imidation ratio of the polyimide of the third invention is
It is 50% or more, preferably 90% or more.

【0029】第3発明のポリイミドの対数粘度〔ηinh
〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、30℃、濃
度0.5g/dl )は、0.1〜4dl/g、好ましくは
0.3〜2dl/gである。第3発明のポリイミドは、低
誘電率でかつ耐熱性に優れ、その比誘電率(1MHz)
は、通常、3.0以下、好ましくは2.9以下であり、
5%重量減少温度(窒素雰囲気中)は、通常、400℃
以上、好ましくは500℃以上である。しかも、第3発
明のポリイミドは、各種溶剤に対する溶解性にも優れて
いる。したがって、第3発明のポリイミドは、特にLS
Iにおける層間絶縁膜として極めて好適に使用すること
ができるほか、一般の絶縁材料、耐熱性材料等としても
有用である。第3発明のポリイミドから層間絶縁膜を形
成する際には、その前駆物質である前記ポリアミック酸
のワニスあるいはペースト、該ポリイミドのフィルム等
が使用される。前記層間絶縁膜の形成法を例示すると、
下記のとおりである。 (イ)ポリアミック酸のワニスをデバイスの層間に流延
し、ワニス中の過剰の溶媒を加熱下および/または減圧
下で除去して、該ポリアミック酸の薄膜を形成したの
ち、例えば、100〜400℃、常圧下または加圧下
で、該ポリアミック酸を脱水閉環してイミド化する方
法、(ロ)フィルム状のポリイミドをデバイスの層間に
配置し、例えば、100〜400℃、常圧下または加圧
下で、圧着する方法。また、ポリイミドをフィルム状で
取得する方法としては、例えば、(ハ)予め離型処理し
た基板、例えば、ガラス、テフロン、ポリエステル等の
基板上に、ポリアミック酸のワニスを流延し、徐々に加
熱して溶媒を除去しつつ脱水閉環し、イミド化する方
法、(ニ)ポリイミドの粉末を、プレス成形、射出成形
等の適宜の方法によりフィルム状に成形する方法等を採
用することができる。第3発明のポリイミドを層間絶縁
膜として使用する場合の具体例としては、半導体の多層
配線の層間絶縁膜、多層プリント基板のリジット板やフ
レキソ印刷版等の層間絶縁膜、パッケージやMCM基板
等の層間絶縁膜等を挙げることができる。また、第2発
明のポリアミック酸あるいは第3発明のポリイミドのワ
ニスを基板上に流延したのち、加熱し、乾燥することに
よって、厚さ数十〜数百μmのポリイミドのドライフィ
ルムを得ることもできる。このようなドライフィルム
は、他の用途、例えば、半導体のパッシベーション膜
(ストレスバッファー膜)、α線遮断膜、フレキソ印刷
版のカバーレイフィルム、フレキソ印刷版のオーバーコ
ート等として使用することもできる。さらに、第3発明
のポリイミドの前記以外の用途としては、ダイボンディ
ング用接着剤、リード−オンチップ(LOC)用接着テ
ープ、リードフレーム固定用テープ、多層リードフレー
ム用接着フィルム等を挙げることができる。
The logarithmic viscosity of the polyimide of the third invention [ηinh
] (N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C, concentration 0.5 g / dl) is 0.1 to 4 dl / g, preferably 0.3 to 2 dl / g. The polyimide of the third invention has a low dielectric constant and excellent heat resistance, and its relative dielectric constant (1 MHz)
Is usually 3.0 or less, preferably 2.9 or less,
The 5% weight loss temperature (in a nitrogen atmosphere) is usually 400 ° C.
The temperature is preferably at least 500 ° C. Moreover, the polyimide of the third invention has excellent solubility in various solvents. Therefore, the polyimide of the third invention is particularly LS
It can be used very suitably as an interlayer insulating film in I, and is also useful as a general insulating material, a heat-resistant material, and the like. When forming the interlayer insulating film from the polyimide of the third invention, a varnish or paste of the polyamic acid, which is a precursor thereof, a film of the polyimide, and the like are used. To illustrate the method of forming the interlayer insulating film,
It is as follows. (A) A varnish of a polyamic acid is cast between layers of the device, and an excess solvent in the varnish is removed under heating and / or reduced pressure to form a thin film of the polyamic acid. A method in which the polyamic acid is dehydrated and ring-closed under a normal pressure or under pressure to imidize the polyamic acid. (B) A film-like polyimide is disposed between layers of the device, for example, at 100 to 400 ° C under normal pressure or under pressure. How to crimp. As a method for obtaining polyimide in the form of a film, for example, (c) casting a varnish of polyamic acid on a substrate that has been subjected to a release treatment in advance, for example, a substrate of glass, Teflon, polyester, etc., and gradually heating (D) polyimide powder is formed into a film by an appropriate method such as press molding, injection molding, or the like. Specific examples when the polyimide of the third invention is used as an interlayer insulating film include interlayer insulating films for semiconductor multilayer wiring, interlayer insulating films for rigid boards and flexographic printing plates of multilayer printed boards, packages and MCM boards, and the like. An interlayer insulating film or the like can be given. Further, a varnish of the polyamic acid of the second invention or the varnish of the polyimide of the third invention is cast on a substrate, and then heated and dried to obtain a polyimide dry film having a thickness of several tens to several hundreds of μm. it can. Such a dry film can be used for other purposes, for example, as a passivation film (stress buffer film) for semiconductors, an α-ray blocking film, a coverlay film for a flexographic printing plate, an overcoat for a flexographic printing plate, and the like. Other applications of the polyimide of the third invention other than those described above include an adhesive for die bonding, an adhesive tape for lead-on-chip (LOC), a tape for fixing a lead frame, an adhesive film for a multilayer lead frame, and the like. .

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて、本発明の実
施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、
これらの実施例に限定されるものではない。 実施例1芳香族ジアミン化合物の製造 攪拌機、還流冷却器を備えた容器に、9,9−ビス(4
−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル〕フルオレン3
0.16g(0.06モル)、p−クロロニトロベンゼ
ン22.06g(0.14モル)、無水炭酸カリウム2
3.22g(0.168モル)およびN,N−ジメチル
ホルムアミド120ミリリットルを仕込み、160℃で
6時間環流させた。その後冷却し、得られた反応溶液を
水とエタノール1:1(容積比)混合溶液240ミリリ
ットル中に添加して、結晶を析出させたのち、ろ別し
た。得られた粗結晶を、N,N−ジメチルホルムアミド
を用いて再結晶させたのち、ろ過、乾燥して、精製され
た9,9−ビス〔4−(4−ニトロフェノキシ)−3−
フェニルフェニル〕フルオレン27.75gを得た。次
いで、攪拌機を備えた容器に、精製した9,9−ビス
〔4−(4−ニトロフェノキシ)−3−フェニルフェニ
ル〕フルオレン22.34g(0.03モル)、カーボ
ンブラックに担持させたパラジウム触媒(パラジウム含
量5重量%)(日本エンゲルハルト社製)0.2g、ジ
エチレングリコールエチルメチルエーテル180ミリリ
ットルを仕込み、激しく攪拌しながら70℃で16時間
反応させた。その後冷却し、反応溶液をろ過して触媒を
除去したのち、水とエタノールとの1:1(容積比)混
合溶液200ミリリットル中に添加し、析出した結晶を
ろ別し、乾燥して、9,9−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン17.
2gを得た。この芳香族ジアミン化合物の赤外吸収スペ
クトル(IR)は、図1に示すように、N−H結合に対
応する波数3448cm-1および波数3365cm-1
吸収と、C−O−C結合に対応する波数1230cm-1
の吸収とを示した。
The embodiments of the present invention will be described below more specifically with reference to examples of the present invention. However, the present invention
It is not limited to these examples. Example 1 Production of Aromatic Diamine Compound In a vessel equipped with a stirrer and a reflux condenser, 9,9-bis (4
-Hydroxy-3-phenylphenyl] fluorene 3
0.16 g (0.06 mol), 22.06 g (0.14 mol) of p-chloronitrobenzene, anhydrous potassium carbonate 2
3.22 g (0.168 mol) and 120 ml of N, N-dimethylformamide were charged and refluxed at 160 ° C. for 6 hours. Thereafter, the reaction solution was cooled, and the obtained reaction solution was added to 240 ml of a mixed solution of water and ethanol 1: 1 (volume ratio) to precipitate crystals, followed by filtration. The obtained crude crystals were recrystallized using N, N-dimethylformamide, filtered, dried and purified 9,9-bis [4- (4-nitrophenoxy) -3-.
27.75 g of [phenylphenyl] fluorene were obtained. Next, in a vessel equipped with a stirrer, 22.34 g (0.03 mol) of purified 9,9-bis [4- (4-nitrophenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, a palladium catalyst supported on carbon black (Palladium content 5% by weight) 0.2 g of Nippon Engelhardt Co., Ltd. and 180 ml of diethylene glycol ethyl methyl ether were charged and reacted at 70 ° C. for 16 hours with vigorous stirring. After cooling, the reaction solution was filtered to remove the catalyst, added to 200 ml of a 1: 1 (volume ratio) mixed solution of water and ethanol, and the precipitated crystals were separated by filtration, dried, and dried. , 9-Bis [4- (4-aminophenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene 17.
2 g were obtained. Infrared absorption spectrum of the aromatic diamine compound (IR), as shown in FIG. 1, and absorption at a wavenumber of 3448cm -1 and a wavenumber of 3,365 cm -1 corresponding to the N-H bond, corresponding to the C-O-C bond Wave number 1230 cm -1
And showed absorption.

【0031】実施例2芳香族ジアミン化合物の製造 攪拌機、還流冷却器を備えた容器に、9,9−ビス(4
−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル〕フルオレン10
0.52g(0.2モル)、2−クロロ−5−ニトロベ
ンゾトリフルオリド99.24g(0.44モル)、無
水炭酸カリウム72.97g(0.528モル)および
N,N−ジメチルホルムアミド400ミリリットルを仕
込み、160℃で2時間環流させた。その後、反応溶液
をろ過して塩を除去したのち、水とエタノールとの1:
1(容積比)混合溶液100ミリリットル中に添加し、
析出した結晶をろ別し、乾燥して、精製された9,9−
ビス〔4−(4−ニトロ−2−トリフロオロメチルフェ
ノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン146.
8gを得た。次いで、攪拌機を備えた容器に、精製した
9,9−ビス〔4−(4−ニトロ−2−トリフロオロメ
チルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン
60.0g(0.068モル)、カーボンブラックに担
持させたパラジウム触媒(パラジウム含量5重量%)
(日本エンゲルハルト社製)1.0g、ジエチレングリ
コールエチルメチルエーテル400ミリリットルを仕込
み、激しく攪拌しながら70℃で16時間反応させた。
その後冷却し、反応溶液をろ過して触媒を除去したの
ち、水とエタノールとの1:1(容積比)混合溶液20
00ミリリットル中に添加し、析出した結晶をろ別し、
乾燥して、9,9−ビス〔4−(4−アミノ−2−トリ
フロオロメチルフェノキシ)−3−フェニルフェニル〕
フルオレン53.2gを得た。この芳香族ジアミン化合
物の赤外吸収スペクトル(IR)は、図2に示すよう
に、N−H結合に対応する波数3464cm-1、波数3
406cm-1、および波数3383cm-1の吸収と、C
−O−C結合に対応する波数1228cm-1の吸収とを
示した。
Example 2 Production of Aromatic Diamine Compound In a vessel equipped with a stirrer and a reflux condenser, 9,9-bis (4
-Hydroxy-3-phenylphenyl] fluorene 10
0.52 g (0.2 mol), 99.24 g (0.44 mol) of 2-chloro-5-nitrobenzotrifluoride, 72.97 g (0.528 mol) of anhydrous potassium carbonate and N, N-dimethylformamide 400 Milliliter was charged and refluxed at 160 ° C. for 2 hours. Thereafter, the reaction solution was filtered to remove salts, and then the mixture of water and ethanol was used.
1 (volume ratio) is added to 100 ml of the mixed solution,
The precipitated crystals were separated by filtration, dried and purified 9,9-
Bis [4- (4-nitro-2-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene 146.
8 g were obtained. Next, 60.0 g (0.068 mol) of purified 9,9-bis [4- (4-nitro-2-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene and carbon dioxide were placed in a vessel equipped with a stirrer. Palladium catalyst supported on black (palladium content 5% by weight)
1.0 g (manufactured by Nippon Engelhardt Co., Ltd.) and 400 ml of diethylene glycol ethyl methyl ether were charged and reacted at 70 ° C. for 16 hours with vigorous stirring.
After cooling and filtering the reaction solution to remove the catalyst, a 1: 1 (volume ratio) mixed solution of water and ethanol 20
Added in 00 ml, and the precipitated crystals were filtered off.
After drying, 9,9-bis [4- (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) -3-phenylphenyl]
53.2 g of fluorene were obtained. As shown in FIG. 2, the infrared absorption spectrum (IR) of this aromatic diamine compound has a wave number of 3364 cm -1 and a wave number of 3 corresponding to the NH bond.
Absorption at 406 cm -1 and a wave number of 3383 cm -1 and C
And absorption at a wavenumber of 1228 cm -1 corresponding to the -OC bond.

【0032】実施例3ポリアミック酸の製造 攪拌機、還流冷却器、窒素導入管を備えた容器内に窒素
ガスを流し、N,N−ジメチルホルムアミド25.58
gを仕込んだのち、9,9−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−フェニルフェニル〕フルオレン3.4
24g(5ミリモル)を添加して十分溶解した。その
後、ピロメリット酸二無水物1.091g(5ミリモ
ル)を添加したのち、室温で5時間攪拌して、ポリアミ
ック酸の溶液を得た。このポリアミック酸の対数粘度
〔ηinh 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、30
℃、濃度0.5g/dl )は、0.92dl/gであっ
た。このポリアミック酸の赤外吸収スペクトル(IR)
を、図3に示す。ポリイミドの製造 (i) 前記ポリアミック酸の溶液をSUS304基板
上に、スピンコートにより塗布したのち、80℃、14
0℃、200℃、250℃、300℃に順次昇温させつ
つ、各温度で20分間加熱して、ポリイミドフィルムを
形成させた。その後、このポリイミドフィルム上に、マ
スク蒸着により金電極を形成して、比誘電率測定用試料
とした。この試料を用い、比誘電率(ε)を下記のよう
にして測定した。その結果、ε=2.82であり、十分
低い値であった。 〈比誘電率(ε)の測定〉ポリイミドフィルムの1MH
zにおける静電容量を、(株)横川ヒユーレットパッカ
ード製のLCRメーター4284Aを用いて測定し、下記式
により比誘電率(ε)を求めた。 但し、Cは静電容量、dは試料膜厚、ε0 は真空中の誘
電率、Sは上部電極面積である。 (ii) また、前記ポリアミック酸の溶液をガラス板上
に流延したのち、80℃、140℃、200℃、250
℃、300℃に順次昇温させつつ、各温度で20分間加
熱して、ポリイミドフィルムを形成し、ガラス転移温度
(Tg)と5%重量減少温度(Td5) を測定した。その
結果、Tg=293℃、Td5=544℃であり、高い耐
熱性を有することが確認された。このポリイミドの赤外
吸収スペクトル(IR)を、図4に示す。 〈ガラス転移温度(Tg)の測定〉示差走査熱量計(DS
C)により、窒素雰囲気中、昇温温度20℃/分で測定
した。 〈5%重量減少温度(Td5)の測定〉熱天秤を用い、窒
素中、昇温速度10℃/分で加熱して、5%の重量減少
を示した温度を測定した。
Example 3 Production of Polyamic Acid Nitrogen gas was flowed into a vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube, and N, N-dimethylformamide was 25.58.
g, and 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene 3.4
24 g (5 mmol) were added and dissolved sufficiently. Thereafter, 1.091 g (5 mmol) of pyromellitic dianhydride was added, and the mixture was stirred at room temperature for 5 hours to obtain a polyamic acid solution. Logarithmic viscosity [ηinh] of this polyamic acid (N, N-dimethylformamide solvent, 30
° C, concentration 0.5 g / dl) was 0.92 dl / g. Infrared absorption spectrum (IR) of this polyamic acid
Is shown in FIG. Production of Polyimide (i) The solution of the polyamic acid was applied on a SUS304 substrate by spin coating,
While sequentially heating to 0 ° C., 200 ° C., 250 ° C., and 300 ° C., heating was performed at each temperature for 20 minutes to form a polyimide film. Thereafter, a gold electrode was formed on the polyimide film by mask evaporation to obtain a sample for relative dielectric constant measurement. Using this sample, the relative dielectric constant (ε) was measured as follows. As a result, ε = 2.82, which was a sufficiently low value. <Measurement of relative dielectric constant (ε)> 1 MH of polyimide film
The capacitance at z was measured using an LCR meter 4284A manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Co., Ltd., and the relative dielectric constant (ε) was determined by the following equation. Here, C is the capacitance, d is the thickness of the sample, ε 0 is the dielectric constant in vacuum, and S is the area of the upper electrode. (Ii) After the solution of the polyamic acid is cast on a glass plate, the temperature is 80 ° C., 140 ° C., 200 ° C., 250 ° C.
While the temperature was sequentially raised to 300 ° C. and 300 ° C., heating was performed at each temperature for 20 minutes to form a polyimide film, and the glass transition temperature (Tg) and the 5% weight loss temperature (Td5) were measured. As a result, Tg was 293 ° C and Td5 was 544 ° C, and it was confirmed that the composition had high heat resistance. FIG. 4 shows the infrared absorption spectrum (IR) of this polyimide. <Measurement of glass transition temperature (Tg)> Differential scanning calorimeter (DS
According to C), the measurement was performed at a heating temperature of 20 ° C./min in a nitrogen atmosphere. <Measurement of 5% Weight Loss Temperature (Td5)> Using a thermobalance, heating was performed in nitrogen at a heating rate of 10 ° C./min, and the temperature at which 5% weight loss was observed was measured.

【0033】実施例4〜9 芳香族ジアミン化合物およびテトラカルボン酸二無水物
を表1に示すとおりとした以外は実施例3と同様にし
て、ポリアミック酸の合成とポリイミドフィルムの作製
を行なったのち、実施例3と同様にして、各ポリアミッ
ク酸の対数粘度〔ηinh 〕、各ポリイミドフィルムの比
誘電率(ε)、ガラス転移温度(Tg)および5%重量
減少温度(Td5) を測定した。これらの結果を表1に示
し、また実施例6〜9のポリアミック酸およびポリイミ
ドの赤外吸収スペクトル(IR)を、図5〜12に示
す。
Examples 4 to 9 The procedure of Example 3 was repeated except that the aromatic diamine compound and the tetracarboxylic dianhydride were changed as shown in Table 1, and then the synthesis of a polyamic acid and the production of a polyimide film were performed. The logarithmic viscosity [ηinh] of each polyamic acid, the relative dielectric constant (ε), the glass transition temperature (Tg), and the 5% weight loss temperature (Td5) of each polyimide film were measured in the same manner as in Example 3. The results are shown in Table 1, and the infrared absorption spectra (IR) of the polyamic acids and polyimides of Examples 6 to 9 are shown in FIGS.

【0034】比較例1 9,9−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3−フ
ェニルフェニル〕フルオレン3.424g(5ミリモ
ル)の代わりに、9,9−ビス〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕フルオレン2.663g(5ミリモ
ル)を用いた以外は、実施例4と同様にして、ポリイミ
ドフィルムを形成して、比誘電率(ε)、ガラス転移温
度(Tg)および5%重量減少温度(Td5)を測定した。
その結果、ε=2.95、Tg =302℃、Td5=56
7℃であり、耐熱性は良好であったが、比誘電率が高
く、LSIの層間絶縁膜としては満足できないものであ
った。
Comparative Example 1 Instead of 3.424 g (5 mmol) of 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-phenylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (4-amino) A polyimide film was formed in the same manner as in Example 4 except that 2.663 g (5 mmol) of phenoxy) phenyl] fluorene was used, and the relative dielectric constant (ε), glass transition temperature (Tg), and 5% weight were obtained. The decrease temperature (Td5) was measured.
As a result, ε = 2.95, Tg = 302 ° C., Td5 = 56
The temperature was 7 ° C. and the heat resistance was good, but the relative dielectric constant was high and it was not satisfactory as an interlayer insulating film of LSI.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明のポリイミドは、低誘電率でかつ
耐熱性に優れ、しかも各種溶剤に対する溶解性にも優れ
ており、特にLSI用の層間絶縁膜として極めて好適に
使用することができる。また、本発明の芳香族ジアミン
化合物およびポリアミック酸は、当該ポリイミドの出発
原料および中間体として有用である。
Industrial Applicability The polyimide of the present invention has a low dielectric constant, excellent heat resistance, and excellent solubility in various solvents, and can be extremely suitably used as an interlayer insulating film especially for LSI. Further, the aromatic diamine compound and the polyamic acid of the present invention are useful as starting materials and intermediates for the polyimide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1により得られた芳香族ジアミン化合物
のIRを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an IR of an aromatic diamine compound obtained in Example 1.

【図2】実施例2により得られた芳香族ジアミン化合物
のIRを示す図である。
FIG. 2 is a graph showing IR of an aromatic diamine compound obtained in Example 2.

【図3】実施例3により得られたポリアミック酸のIR
を示す図である。
FIG. 3 IR of polyamic acid obtained according to Example 3
FIG.

【図4】実施例3により得られたポリイミドのIRを示
す図である。
FIG. 4 is a view showing an IR of the polyimide obtained in Example 3.

【図5】実施例6により得られたポリアミック酸のIR
を示す図である。
FIG. 5 shows IR of polyamic acid obtained in Example 6.
FIG.

【図6】実施例6により得られたポリイミドのIRを示
す図である。
FIG. 6 is a view showing an IR of the polyimide obtained in Example 6.

【図7】実施例7により得られたポリアミック酸のIR
を示す図である。
FIG. 7: IR of polyamic acid obtained in Example 7
FIG.

【図8】実施例7により得られたポリイミドのIRを示
す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an IR of the polyimide obtained in Example 7.

【図9】実施例8により得られたポリアミック酸のIR
を示す図である。
FIG. 9 shows IR of polyamic acid obtained in Example 8.
FIG.

【図10】実施例8により得られたポリイミドのIRを
示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an IR of a polyimide obtained in Example 8.

【図11】実施例9により得られたポリアミック酸のI
Rを示す図である。
FIG. 11 shows I of the polyamic acid obtained in Example 9.
It is a figure showing R.

【図12】実施例9により得られたポリイミドのIRを
示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing an IR of the polyimide obtained in Example 9.

【化6】 Embedded image

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 〔一般式(1)において、R1 およびR2 はそれぞれ独
立に炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロゲ
ン化アルキル基または炭素数6〜14の1価の単環式も
しくは縮合多環式芳香族基を示し、aおよびbはそれぞ
れ独立に0〜4の整数である。〕で表わされる芳香族ジ
アミン化合物。
1. A compound of the general formula (1) [In the general formula (1), R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a monovalent monocyclic having 6 to 14 carbon atoms or It represents a condensed polycyclic aromatic group, and a and b are each independently an integer of 0 to 4. ] The aromatic diamine compound represented by these.
【請求項2】 一般式(2) 【化2】 〔一般式(2)において、R1 およびR2 はそれぞれ独
立に炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロゲ
ン化アルキル基または炭素数6〜14の単環式もしくは
縮合多環式の芳香族基を示し、Arは単環式もしくは縮
合多環式芳香族基およびこれらの芳香族基が直接もしく
は連結基により相互に連結された非縮合多環式芳香族基
から選ばれる炭素数6〜50の4価の芳香族基を示し、
aおよびbはそれぞれ独立に0〜4の整数である。〕で
表わされる繰返し単位を含有して成り、対数粘度〔ηin
h 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、30℃、濃
度0.5g/dl )が0.1〜4dl/gであるポリアミ
ック酸。
2. A compound of the general formula (2) [In the general formula (2), R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a monocyclic or condensed polycyclic ring having 6 to 14 carbon atoms. Represents an aromatic group represented by the formula: Ar is a carbon selected from a monocyclic or condensed polycyclic aromatic group and a non-condensed polycyclic aromatic group in which these aromatic groups are directly or mutually connected by a linking group; Represents a tetravalent aromatic group of the number 6 to 50,
a and b are each independently an integer of 0 to 4; ] And a logarithmic viscosity [ηin
h] A polyamic acid having a concentration of 0.1 to 4 dl / g (N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl).
【請求項3】一般式(3) 【化3】 〔一般式(3)において、R1 およびR2 はそれぞれ独
立に炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロゲ
ン化アルキル基または炭素数6〜14の単環式もしくは
縮合多環式の芳香族基を示し、Arは単環式もしくは縮
合多環式芳香族基およびこれらの芳香族基が直接もしく
は連結基により相互に連結された非縮合多環式芳香族基
から選ばれる炭素数6〜50の4価の芳香族基を示し、
aおよびbはそれぞれ独立に0〜4の整数である。〕で
表わされる繰返し単位を含有して成り、対数粘度〔ηin
h 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、30℃、濃
度0.5g/dl )が0.1〜4であるポリイミド。
3. A compound of the general formula (3) [In the general formula (3), R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a monocyclic or condensed polycyclic ring having 6 to 14 carbon atoms. Represents an aromatic group represented by the formula: Ar is a carbon selected from a monocyclic or condensed polycyclic aromatic group and a non-condensed polycyclic aromatic group in which these aromatic groups are directly or mutually connected by a linking group; Represents a tetravalent aromatic group of the number 6 to 50,
a and b are each independently an integer of 0 to 4; ] And a logarithmic viscosity [ηin
h] Polyimide having a (N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl) of 0.1 to 4.
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