JPH10149995A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH10149995A JPH10149995A JP32088396A JP32088396A JPH10149995A JP H10149995 A JPH10149995 A JP H10149995A JP 32088396 A JP32088396 A JP 32088396A JP 32088396 A JP32088396 A JP 32088396A JP H10149995 A JPH10149995 A JP H10149995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film forming
- inert gas
- film
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマＣＶＤ装置に於いて、長時間を要して
いるガスクリーニング時間を短縮し、稼働時間を増大さ
せ、スループットの向上を図ると共に過剰なクリーニン
グによる電極表面の劣化を防止する。 【解決手段】プラズマに臨接する処理室１０の内面に沿
って成膜防御ガスを流し、分解した成膜ガスが接するこ
とを防止し、プラズマに臨接する反応室の内面への成膜
を防止する。
いるガスクリーニング時間を短縮し、稼働時間を増大さ
せ、スループットの向上を図ると共に過剰なクリーニン
グによる電極表面の劣化を防止する。 【解決手段】プラズマに臨接する処理室１０の内面に沿
って成膜防御ガスを流し、分解した成膜ガスが接するこ
とを防止し、プラズマに臨接する反応室の内面への成膜
を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程の１
つにウェーハ、ガラス基板等の被処理基板の表面に所定
の成膜を行うＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜工程があり、該成膜工程を
行うプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
つにウェーハ、ガラス基板等の被処理基板の表面に所定
の成膜を行うＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜工程があり、該成膜工程を
行うプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５に於いてＣＶＤ成膜工程を行う従来
のプラズマＣＶＤ装置について説明する。尚、図５はプ
ラズマＣＶＤ装置の要部である処理室１の底部を省略し
て示してある。
のプラズマＣＶＤ装置について説明する。尚、図５はプ
ラズマＣＶＤ装置の要部である処理室１の底部を省略し
て示してある。
【０００３】気密な処理室１の上部は上部電極板２によ
り仕切られ成膜ガス貯留室３が画成されている。前記上
部電極板２は絶縁材９を介して前記処理室１上部に設け
られ、前記上部電極板２には高周波電源（図示せず）が
接続され、前記成膜ガス貯留室３には成膜ガス導入管４
が連通されている。前記上部電極板２には多数の小孔５
が穿設され、該上部電極板２は成膜ガス分散板としての
機能を有している。
り仕切られ成膜ガス貯留室３が画成されている。前記上
部電極板２は絶縁材９を介して前記処理室１上部に設け
られ、前記上部電極板２には高周波電源（図示せず）が
接続され、前記成膜ガス貯留室３には成膜ガス導入管４
が連通されている。前記上部電極板２には多数の小孔５
が穿設され、該上部電極板２は成膜ガス分散板としての
機能を有している。
【０００４】該上部電極板２に対峙して下部電極６が設
けられ、該下部電極６は基板載置台を兼ねている。該下
部電極６の周囲には排気溝７が形成され、該排気溝７に
は排気管（図示せず）が接続され、該排気管は図示しな
い排気装置に連通され、該排気管を介して処理室１内部
を排気する。
けられ、該下部電極６は基板載置台を兼ねている。該下
部電極６の周囲には排気溝７が形成され、該排気溝７に
は排気管（図示せず）が接続され、該排気管は図示しな
い排気装置に連通され、該排気管を介して処理室１内部
を排気する。
【０００５】前記下部電極６に被処理基板８を載置し、
前記成膜ガス導入管４より成膜ガスを導入すると成膜ガ
スは一旦前記成膜ガス貯留室３に流入し、整流されて、
前記小孔５より処理室１中央部に分散して流入する。前
記上部電極板２と前記下部電極６間に高周波電力を印加
し、成膜ガスを電離してプラズマを生成し、前記被処理
基板８表面に所定の薄膜を生成する。
前記成膜ガス導入管４より成膜ガスを導入すると成膜ガ
スは一旦前記成膜ガス貯留室３に流入し、整流されて、
前記小孔５より処理室１中央部に分散して流入する。前
記上部電極板２と前記下部電極６間に高周波電力を印加
し、成膜ガスを電離してプラズマを生成し、前記被処理
基板８表面に所定の薄膜を生成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところがプラズマＣＶ
Ｄ処理を行うと、被処理基板８の表面だけでなく、電極
表面、処理室１側壁、内壁等、生成したプラズマに臨接
する表面（接プラズマ域）にも堆積成膜される。
Ｄ処理を行うと、被処理基板８の表面だけでなく、電極
表面、処理室１側壁、内壁等、生成したプラズマに臨接
する表面（接プラズマ域）にも堆積成膜される。
【０００７】成膜工程の繰返しに伴って、接プラズマ域
に堆積した膜はやがて剥離し、成膜処理中の基板上に付
着して基板を汚染してしまう。この汚染は、膜の機能を
著しく低下させ、生産性の低下を招く為排除すべき事象
である。そこで、この膜を効率良く取除く為に、一般に
プラズマによるガスクリーニング技術が使用されてい
る。
に堆積した膜はやがて剥離し、成膜処理中の基板上に付
着して基板を汚染してしまう。この汚染は、膜の機能を
著しく低下させ、生産性の低下を招く為排除すべき事象
である。そこで、この膜を効率良く取除く為に、一般に
プラズマによるガスクリーニング技術が使用されてい
る。
【０００８】これは、成膜に使用した処理室に於いて、
ＮＦ3やＳＦ6等のクリーニングガスを処理室内に供給し
ながら、高周波電力を印加してプラズマを発生させ、ク
リーニングガス分子を分解して膜との化学反応を発生さ
せ、処理室内の接プラズマ域に堆積した膜を除去するも
のである。然し、除去すべき膜を均一に除去できないと
いう問題が残った。特に、処理室側壁に堆積した膜は電
極に堆積した膜より除去されにくく、クリーニング時間
を大幅に延長しなければならなかった。結果として、過
剰なクリーニングによってフッ化物が生成され、該フッ
化物により電極表面を劣化させてしまうという問題を発
生し、その後の成膜に悪影響を与え、生産性を悪化させ
ている。
ＮＦ3やＳＦ6等のクリーニングガスを処理室内に供給し
ながら、高周波電力を印加してプラズマを発生させ、ク
リーニングガス分子を分解して膜との化学反応を発生さ
せ、処理室内の接プラズマ域に堆積した膜を除去するも
のである。然し、除去すべき膜を均一に除去できないと
いう問題が残った。特に、処理室側壁に堆積した膜は電
極に堆積した膜より除去されにくく、クリーニング時間
を大幅に延長しなければならなかった。結果として、過
剰なクリーニングによってフッ化物が生成され、該フッ
化物により電極表面を劣化させてしまうという問題を発
生し、その後の成膜に悪影響を与え、生産性を悪化させ
ている。
【０００９】本発明は斯かる実情に鑑み、長時間を要し
ているガスクリーニング時間を短縮し、稼働時間を増大
させ、スループットの向上を図ると共に過剰なクリーニ
ングによる電極表面の劣化を防止しようとするものであ
る。
ているガスクリーニング時間を短縮し、稼働時間を増大
させ、スループットの向上を図ると共に過剰なクリーニ
ングによる電極表面の劣化を防止しようとするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室の壁面
に沿って成膜防御ガスを流す様構成したプラズマＣＶＤ
装置に係り、又処理室天井の稜線に沿って成膜防御ガス
流出孔を形成したプラズマＣＶＤ装置に係り、又前記処
理室天井の稜線に沿って成膜防御ガス誘導溝を形成し、
該成膜防御ガス誘導溝内部に成膜防御ガス導入管を配設
し、該成膜防御ガス導入管より成膜防御ガスを分散さ
せ、前記成膜防御ガス誘導溝に流入させるプラズマＣＶ
Ｄ装置に係り、又前記成膜防御ガス誘導溝の横断面形状
が円状であり、前記成膜防御ガス導入管が該成膜防御ガ
ス誘導溝の曲面に沿って成膜防御ガスを流出するプラズ
マＣＶＤ装置に係り、更に又前記成膜防御ガス誘導溝が
上部電極板の面より後退して形成されたプラズマＣＶＤ
装置に係るものであり、プラズマに臨接する処理室の内
面に沿って成膜防御ガスを流す様にしたので分解した成
膜ガスが接することが防止され、接プラズマ域の成膜が
防止される。
に沿って成膜防御ガスを流す様構成したプラズマＣＶＤ
装置に係り、又処理室天井の稜線に沿って成膜防御ガス
流出孔を形成したプラズマＣＶＤ装置に係り、又前記処
理室天井の稜線に沿って成膜防御ガス誘導溝を形成し、
該成膜防御ガス誘導溝内部に成膜防御ガス導入管を配設
し、該成膜防御ガス導入管より成膜防御ガスを分散さ
せ、前記成膜防御ガス誘導溝に流入させるプラズマＣＶ
Ｄ装置に係り、又前記成膜防御ガス誘導溝の横断面形状
が円状であり、前記成膜防御ガス導入管が該成膜防御ガ
ス誘導溝の曲面に沿って成膜防御ガスを流出するプラズ
マＣＶＤ装置に係り、更に又前記成膜防御ガス誘導溝が
上部電極板の面より後退して形成されたプラズマＣＶＤ
装置に係るものであり、プラズマに臨接する処理室の内
面に沿って成膜防御ガスを流す様にしたので分解した成
膜ガスが接することが防止され、接プラズマ域の成膜が
防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１２】図１、図２は図５と同様プラズマＣＶＤ装
置の要部である処理室１０の底部を省略して示してあ
る。
置の要部である処理室１０の底部を省略して示してあ
る。
【００１３】気密な処理室１０の上部に絶縁材１１を介
して成膜ガス分散板を兼ねる上部電極板１２が設けら
れ、該上部電極板１２により仕切られた空間には成膜ガ
ス貯留室１３が画成される。前記上部電極板１２には高
周波電源（図示せず）が接続され、前記成膜ガス貯留室
１３には成膜ガス導入管１４が連通されている。前記上
部電極板１２には多数の小孔１５が穿設されている。
して成膜ガス分散板を兼ねる上部電極板１２が設けら
れ、該上部電極板１２により仕切られた空間には成膜ガ
ス貯留室１３が画成される。前記上部電極板１２には高
周波電源（図示せず）が接続され、前記成膜ガス貯留室
１３には成膜ガス導入管１４が連通されている。前記上
部電極板１２には多数の小孔１５が穿設されている。
【００１４】前記上部電極板１２に対峙して下部電極１
６が設けられ、該下部電極１６は基板載置台を兼ねてい
る。該下部電極１６の周囲には排気溝１７が形成され、
該排気溝１７には排気管（図示せず）が接続され、該排
気管は図示しない排気装置に連通され、該排気管を介し
て処理室１０内部を排気する。
６が設けられ、該下部電極１６は基板載置台を兼ねてい
る。該下部電極１６の周囲には排気溝１７が形成され、
該排気溝１７には排気管（図示せず）が接続され、該排
気管は図示しない排気装置に連通され、該排気管を介し
て処理室１０内部を排気する。
【００１５】前記処理室１０の天上の全周囲、即ち前記
上部電極板１２の全周囲に不活性ガス誘導溝１８を形成
する。該不活性ガス誘導溝１８の一部は前記絶縁材１１
で形成され、前記不活性ガス誘導溝１８の残部は前記処
理室１０の天井の隅部で形成されており、前記不活性ガ
ス誘導溝１８の横断面は下方が一部欠切された円形とな
っている。
上部電極板１２の全周囲に不活性ガス誘導溝１８を形成
する。該不活性ガス誘導溝１８の一部は前記絶縁材１１
で形成され、前記不活性ガス誘導溝１８の残部は前記処
理室１０の天井の隅部で形成されており、前記不活性ガ
ス誘導溝１８の横断面は下方が一部欠切された円形とな
っている。
【００１６】図３、図４にも示される様に該不活性ガス
誘導溝１８の内部の頂上近傍に位置する様に不活性ガス
導入管１９を配設し、該不活性ガス導入管１９の前記不
活性ガス誘導溝１８の頂上近傍に対峙する位置に不活性
ガスシャワー孔２０を軸心方向に所要ピッチで穿設す
る。前記不活性ガス導入管１９には前記処理室１０を気
密に貫通した不活性ガス供給管２１が接続され、該不活
性ガス供給管２１を介して前記不活性ガス導入管１９は
不活性ガス供給源（図示せず）に連通している。
誘導溝１８の内部の頂上近傍に位置する様に不活性ガス
導入管１９を配設し、該不活性ガス導入管１９の前記不
活性ガス誘導溝１８の頂上近傍に対峙する位置に不活性
ガスシャワー孔２０を軸心方向に所要ピッチで穿設す
る。前記不活性ガス導入管１９には前記処理室１０を気
密に貫通した不活性ガス供給管２１が接続され、該不活
性ガス供給管２１を介して前記不活性ガス導入管１９は
不活性ガス供給源（図示せず）に連通している。
【００１７】前記下部電極１６に被処理基板８を載置
し、前記成膜ガス導入管１４より成膜ガスを導入すると
成膜ガスは一旦成膜ガス貯留室１３に流入し、整流され
て、前記小孔１５より処理室１０中央部に分散して流入
する。前記上部電極板１２と前記下部電極１６間に高周
波電力を印加し、成膜ガスを電離してプラズマ２２を生
成し、前記被処理基板８表面に所定の薄膜を成膜する。
し、前記成膜ガス導入管１４より成膜ガスを導入すると
成膜ガスは一旦成膜ガス貯留室１３に流入し、整流され
て、前記小孔１５より処理室１０中央部に分散して流入
する。前記上部電極板１２と前記下部電極１６間に高周
波電力を印加し、成膜ガスを電離してプラズマ２２を生
成し、前記被処理基板８表面に所定の薄膜を成膜する。
【００１８】前記成膜ガスの導入と同時に前記不活性ガ
ス供給管２１から電極周辺に成膜を妨げる効果のあるガ
ス（成膜防御ガス）２３を不活性ガス誘導溝１８に供給
する。尚、該成膜防御ガスは望ましくは不活性ガスがよ
く、以下成膜防御ガスを不活性ガス２３として説明す
る。
ス供給管２１から電極周辺に成膜を妨げる効果のあるガ
ス（成膜防御ガス）２３を不活性ガス誘導溝１８に供給
する。尚、該成膜防御ガスは望ましくは不活性ガスがよ
く、以下成膜防御ガスを不活性ガス２３として説明す
る。
【００１９】前記不活性ガス導入管１９より供給された
前記不活性ガス２３は、前記不活性ガスシャワー孔２０
を経て前記不活性ガス誘導溝１８内に分散して流入し、
該不活性ガス誘導溝１８の円筒曲面に沿って流れ、カー
テン流に整流される。前記不活性ガス２３は前記プラズ
マ２２の周囲を囲繞し、前記処理室１０の側壁面に沿っ
て下降し、更に前記排気溝１７を経て図示しない排気管
より排気される。
前記不活性ガス２３は、前記不活性ガスシャワー孔２０
を経て前記不活性ガス誘導溝１８内に分散して流入し、
該不活性ガス誘導溝１８の円筒曲面に沿って流れ、カー
テン流に整流される。前記不活性ガス２３は前記プラズ
マ２２の周囲を囲繞し、前記処理室１０の側壁面に沿っ
て下降し、更に前記排気溝１７を経て図示しない排気管
より排気される。
【００２０】上述した様に、前記処理室１０の天井の隅
には不活性ガス２３で満たされる不活性ガス誘導溝１８
があり、又処理室１０の側壁面に沿って不活性ガス２３
のカーテン流が流れるので、天井の隅、処理室１０側壁
面に分解した成膜ガスが接触することがなく、天井の
隅、処理室１０側壁面への成膜が抑制される。
には不活性ガス２３で満たされる不活性ガス誘導溝１８
があり、又処理室１０の側壁面に沿って不活性ガス２３
のカーテン流が流れるので、天井の隅、処理室１０側壁
面に分解した成膜ガスが接触することがなく、天井の
隅、処理室１０側壁面への成膜が抑制される。
【００２１】又、上記構成では不活性ガス導入管１９の
不活性ガスシャワー孔２０の位置を上部電極板１２下面
との上下方向の位置を異ならせているが、これは不活性
ガス２３の流入によるプラズマ２２への影響を軽減する
為のものである。
不活性ガスシャワー孔２０の位置を上部電極板１２下面
との上下方向の位置を異ならせているが、これは不活性
ガス２３の流入によるプラズマ２２への影響を軽減する
為のものである。
【００２２】尚、上記実施の形態ではカーテン流を不活
性ガス誘導溝１８、不活性ガス導入管１９の組合わせで
形成したが処理室１０の天井の稜線に沿ってスリット孔
を形成し、該スリット孔より直接成膜防御ガスを流下さ
せる様にしてもよい。又、前記不活性ガス誘導溝１８の
形状は円筒状でなくとも成膜防御ガスを下方に案内する
曲面であればよい。
性ガス誘導溝１８、不活性ガス導入管１９の組合わせで
形成したが処理室１０の天井の稜線に沿ってスリット孔
を形成し、該スリット孔より直接成膜防御ガスを流下さ
せる様にしてもよい。又、前記不活性ガス誘導溝１８の
形状は円筒状でなくとも成膜防御ガスを下方に案内する
曲面であればよい。
【００２３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、下記の
優れた効果を発揮する。 処理室の側壁及び天井の四隅に堆積した膜を除去す
る為、過剰に行わなければならなかったガスクリーニン
グ時間を短縮できる。 過剰なガスクリーニングによる電極表面上のフッ化
物の生成（成膜疎外物質の発生）を防ぎ、高品質な膜の
生成を可能とする。 ガスクリーニング時間の短縮により、電極の連続使
用寿命を改善し、ＣＶＤ装置の連続稼働時間を延長す
る。 ＣＶＤ装置の連続稼働能力の向上により、メンテナ
ンス時間を短縮し、生産性と品質を大幅に向上できる。
優れた効果を発揮する。 処理室の側壁及び天井の四隅に堆積した膜を除去す
る為、過剰に行わなければならなかったガスクリーニン
グ時間を短縮できる。 過剰なガスクリーニングによる電極表面上のフッ化
物の生成（成膜疎外物質の発生）を防ぎ、高品質な膜の
生成を可能とする。 ガスクリーニング時間の短縮により、電極の連続使
用寿命を改善し、ＣＶＤ装置の連続稼働時間を延長す
る。 ＣＶＤ装置の連続稼働能力の向上により、メンテナ
ンス時間を短縮し、生産性と品質を大幅に向上できる。
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置
の処理室要部断面図である。
の処理室要部断面図である。
【図２】同前本発明の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ
装置の処理室要部平面図である。
装置の処理室要部平面図である。
【図３】同前本発明の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ
装置の処理室天井稜線部の拡大図である。
装置の処理室天井稜線部の拡大図である。
【図４】同前上記実施の形態に用いられる不活性ガス導
入管の部分図である。
入管の部分図である。
【図５】従来例の要部断面図である。
８ 被処理基板 １０ 処理室 １１ 絶縁材 １２ 上部電極板 １８ 不活性ガス誘導溝 １９ 不活性ガス導入管 ２０ 不活性ガスシャワー孔 ２１ 不活性ガス供給管 ２３ 不活性ガス
Claims (5)
- 【請求項１】 処理室の壁面に沿って成膜防御ガスを流
す様構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 処理室天井の稜線に沿ってスリット状の
成膜防御ガス流出口を形成したことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記処理室天井の稜線に沿って成膜防御
ガス誘導溝を形成し、該成膜防御ガス誘導溝内部に成膜
防御ガス導入管を配設し、該成膜防御ガス導入管より成
膜防御ガスを分散させ、前記成膜防御ガス誘導溝に流入
させる請求項２のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記成膜防御ガス誘導溝の横断面形状が
円状であり、前記成膜防御ガス導入管が該成膜防御ガス
誘導溝の曲面に沿って成膜防御ガスを流出する請求項３
のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記成膜防御ガス誘導溝が上部電極板の
面より後退して形成された請求項３のプラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32088396A JPH10149995A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32088396A JPH10149995A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149995A true JPH10149995A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18126334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32088396A Pending JPH10149995A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10149995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7513214B2 (en) * | 1999-02-23 | 2009-04-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP32088396A patent/JPH10149995A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7513214B2 (en) * | 1999-02-23 | 2009-04-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210166910A1 (en) | Substrate support plate, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method | |
| JP5274229B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びその方法 | |
| JP6679591B2 (ja) | プロセス均一性を高めるための方法およびシステム | |
| US7392759B2 (en) | Remote plasma apparatus for processing substrate with two types of gases | |
| US5744049A (en) | Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same | |
| JP3002448B1 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20210044906A (ko) | 내장형 rf 차폐부를 갖는 반도체 기판 지지부들 | |
| WO2018042756A1 (ja) | 原子層成長装置および原子層成長方法 | |
| US11859284B2 (en) | Shower head structure and plasma processing apparatus using the same | |
| KR20210057669A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| TW202403859A (zh) | 均勻的原位清洗及沉積 | |
| KR100791677B1 (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치 | |
| US20210233748A1 (en) | Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus | |
| JP2000223429A (ja) | 成膜装置、成膜方法及びクリ―ニング方法 | |
| KR20020010465A (ko) | 개선된 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치 | |
| JP2990551B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JP5394403B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20200021404A (ko) | 처리 챔버들을 위한 코팅 재료 | |
| JPH10149995A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2002064064A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2020510307A (ja) | 流動性ｃｖｄのためのディフューザー設計 | |
| TW201724165A (zh) | 電漿蝕刻光阻裝置 | |
| JP2669168B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3164188B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6234834B2 (ja) |