JPH10149726A - フラットケーブル用電磁波遮蔽フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 銀粒子を含有するヒートシール性樹脂層（銀
ペースト層）の厚みを２０μｍ未満としたフラットケー
ブル用電磁波遮蔽フィルムの提供。 【解決手段】 電気絶縁性ベースフィルム２の片面に、
カーボン粒子を含有する補助導電性層３および銀粒子を
含有する膜厚２０μ未満のヒートシール性樹脂よりなる
導電性層４とを順次積層したことを特徴とするフラット
ケーブル用電磁波遮蔽フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、フラットケーブル用電磁波遮蔽
フィルムに関する。

【０００２】

【従来技術】コンピューターと周辺機器などを電気的に
接続したり、コンピューター内の種々の配線のためにフ
ラットケーブルがさかんに使用されている。しかしなが
ら、今日のように種々の電波、電磁波などが発生する環
境においては、フラットケーブルがこれらに影響を受
け、コンピューターの誤作動の原因になることが多くな
っている。そのため、フラットケーブルを金属箔で包ん
だり、フラットケーブルの全面をアルミニウム蒸着など
をすることにより、シールドを行っていた。しかしなが
ら、金属箔によるシールドは柔軟性やヒートシール性が
ないので、シールドのための作業性が極めて悪く、また
アルミニウム蒸着によるシールドは抵抗値が高く、抵抗
値の小さい銀の蒸着ではコストがかかりすぎるなどの問
題点を有している。

【０００３】そこで、今日では通常、図７に示すように
電気絶縁性基材フィルムとして、厚さ９μｍのポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム２２を用い、銀
粒子を７５ｗｔ％添加したポリエステル系樹脂（銀ペー
スト層２３）を約２０ｇ／ｍ²程度塗布成層したフラッ
トケーブル用電磁波遮蔽フィルムが一般的に利用されて
いる。

【０００４】このようなフラットケーブル用電磁波遮蔽
フィルム１は、具体的には図３で示すような態様で用い
られている。すなわち、ポリエチレンテレフタレート層
（２５〜３８μ）１１、ポリエチレンと難燃剤を主成分
とする接着層１２により、多数の帯状銅線１３、１４、
１４・・・・・・・を包みこんでなるフラットケーブル
（図１参照）の端部寄りの１つの帯状銅線１３上のポリ
エチレンテレフタレート層１１と接着剤層１２を除いて
露出部１５を形成する（図２参照）。ついでフラットケ
ーブル用電磁波遮蔽フィルム１を用いてフラットケーブ
ルを包み、フラットケーブル用電磁波遮蔽フィルム１の
重なり部をヒートシールしてシール部５を形成する（図
３参照）。この段階における露出部１５を拡大して示し
たのが図８である。ついで、この露出部１５を加熱し
て、フラットケーブル用電磁波遮蔽フィルムの銀ペース
ト層２３を溶融させ、この溶融部分が露出部１５に露出
している帯状銅線１３と電気的に接続する（図９参
照）。かくしてこの帯状銅線１３のみはアースされてい
るので、フラットケーブル全体はシールドされた状態と
なる。

【０００５】しかし、銀粒子が高価なため、この銀ペー
スト層２３を薄くしたいが、これを図１０のように薄く
すると、加熱溶融して銀ペースト層２３を、露出した帯
状銅線１３に電気的に接続させたとき、接続部の面積が
図１１に示すように小さくなってしまい（銀ペースト層
２３が厚い場合の図９に較べて）、経時的な接続安定性
に欠けたものとなる。そのため、その厚みの最小限界は
２０μｍであるのが実情である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、銀粒
子を含有するヒートシール性樹脂層（銀ペースト層）の
厚みを２０μｍ未満としたフラットケーブル用電磁波遮
蔽フィルムを提供する点にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、電気絶縁性ベ
ースフィルムの片面に、カーボン粒子を含有する補助導
電性層および銀粒子を含有する膜厚２０μ未満好ましく
は１８μ未満のヒートシール性樹脂よりなる導電性層と
を順次積層したことを特徴とするフラットケーブル用電
磁波遮蔽フィルムに関する。

【０００８】本発明においては、銀粒子を含有するヒー
トシール性樹脂層を２０μｍ以下にする代りに、銀粒子
を含有するヒートシール性樹脂層が極めて薄くなったこ
とによる電磁波の漏れを、銀粒子を含有するヒートシー
ル性樹脂層とほゞ同程度の導電性を有する層として、カ
ーボン粒子を含有する導電性層を選択したものである。

【０００９】このように中間に介在させる導電性層を形
成するための導電性粒子としては、銅、鉄などの金属粒
子が考えられるが、銀とこれらの金属粒子との間にイオ
ン化傾向の差による電流が流れ、腐食などの好ましくな
い結果を招くことが判明した。したがって、中間層に用
いる導電性粒子としてはカーボン粒子を選定することが
必要である。このようにして、銀粒子を含有するヒート
シール性樹脂層を２０μｍ以下にすることができたが、
それでもなお、最低８μｍの厚みは必要である。

【００１０】本発明における前記カーボン粒子は、フレ
ーク状、針状、繊維状または粒状など任意の形状をとる
ことができるが、とくにフレーク状、針状または繊維状
のものであることが好ましい。フレーク状、針状または
繊維状の粒子は、球状や粒状の粒子に較べて、層を薄く
することができる上、粒子と粒子の接触状態も、球と球
の接触状態に較べて電気的にはるかに優れている。前記
フレーク状、針状または繊維状の粒子は、厚さ（または
直径）０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜３μｍ、
とくに好ましくは０．８〜１．５μｍ、長さ１〜２０μ
ｍ、好ましくは２〜１５μｍである。

【００１１】前記カーボン粒子を含有する導電性層を形
成するためのバインダー材料としては、電気絶縁性ベー
スフィルムと、前記ヒートシール性樹脂層との両方に親
和性を有するヒートシール性の高分子材料であればよ
い。

【００１２】銀粒子を含有するヒートシール性樹脂層に
おける銀粒子の割合は、特に制限するものではないが、
合成樹脂成分１００重量部当り１０００〜１５００重量
部、とくに好ましくは１２００〜１４００重量部であ
る。

【００１３】前記銀粒子を含有するヒートシール性樹脂
層を形成するためには前記ヒートシール性樹脂と溶剤よ
りなる組成物に銀粒子を分散させて得られた銀ペースト
を塗布することにより形成する。通常、溶剤はヒートシ
ール性樹脂１００重量部当り４００〜１０００重量部、
好ましくは５００〜７００重量部の割合で使用する。

【００１４】ヒートシール性樹脂としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレンなどのオレフィン系樹脂、ポリエス
テル系樹脂、ポリアミド系樹脂などを挙げることができ
る。銀粒子含有層がヒートシール性を有することによ
り、電磁波の発生アンテナとしてのケーブル表面に直接
ヒートシールし、ケーブルの屈曲に追従できるようにす
ることができた。また、ヒートシールは作業性が良いの
で作業時間を短くすることができた。

【００１５】電気絶縁性ベースフィルムとしては、可撓
性と電気絶縁性のあるもの、例えば各種の合成樹脂フィ
ルムなどが使用できるが、とくに耐熱性、難燃性のもの
が一層好ましい。このような材料としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレートなどのポリエステル系フィルム、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミドな
どのイミド系フィルム、ポリエーテル・エーテルケト
ン、ポリエーテルサルファイト、ポリフェニレンサルフ
ァイドなどを挙げることができるが、とくにポリフェニ
レンサルファイドを使用することが好ましい。電気絶縁
性ベースフィルムの厚みは通常４〜２５μｍ、好ましく
は６〜１２μｍである。

【００１６】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれにより限定されるものではない。

【００１７】実施例１ 図４に示すように、厚さ９μｍのポリフェニレンサルフ
ァイドフィルム２上に、下記組成のカーボン粒子を含有
する組成物よりなる導電性ペーストを用いた補助導電性
層（乾燥後の厚さ１０μｍ）３を形成した。導電性カー
ボンペーストの組成は、エステル系樹脂〔東亜合成
（株）製ＰＥＳ−３２０ＳＢＨ〕４０重量％、フレーク
状カーボン（厚さ０．１〜１．０μｍ、長さ１〜１５μ
ｍ）５重量％、トルエン／メチルエチルケトン１：１混
合溶剤５５重量％である。その上に下記組成の銀ペース
トを用いた補助導電性層（厚さ１５μｍ）４を形成し
た。導電性銀ペーストの組成は、エステル系樹脂〔東亜
合成（株）製ＰＥＳ１１０〕５重量％、銀フレーク（平
均厚さ１μｍ、寸法分布２〜１５μｍで、１００メッシ
ュパスのもの）６０重量％、トルエン／メチルエチルケ
トン１：１混合溶剤３５重量％である。このようにして
製造されたフラットケーブル用電磁波遮蔽フィルムはロ
ール状に巻きとり、移送することができる。

【００１８】比較例１ 図７に示すように、厚さ９μｍのポリフェニレンサルフ
ァイドフィルム２２上に、実施例１の導電性銀ペースト
を厚さが２０μｍになるように形成して、従来タイプの
フラットケーブル用電磁波遮蔽フィルムを形成した。

【００１９】実施例１のフラットケーブル用電磁波遮蔽
フィルムと比較例１のフラットケーブル用電磁波遮蔽フ
ィルムのそれぞれを用いたシールドされたフラットケー
ブルについて、製品評価試験を行った。評価試験は、フ
ラットケーブルに実施例１あるいは比較例１のフラット
ケーブル用電磁波遮蔽フィルムを用いて実施した。ま
ず、実施例１のフラットケーブル用電磁波遮蔽フィルム
を用いてフラットケーブルをシールドするには、ポリエ
チレンテレフタレート層（２５〜３８μ）１１、ポリエ
チレンと難燃剤を主成分とする接着層１２により、多数
の帯状銅線１３、１４、１４・・・・・・・を包みこん
でなるフラットケーブル（図１参照）の端部寄りの１つ
の帯状銅線１３上のポリエチレンテレフタレート層１１
と接着剤層１２を除いて露出部１５を形成する（図２参
照）。ついでフラットケーブル用電磁波遮蔽フィルム１
を用いてフラットケーブルを包み、フラットケーブル用
電磁波遮蔽フィルム１の重なり部をヒートシールしてヒ
ートシール部５を形成する（図３参照）、この段階にお
ける露出部１５の部分Ｑを拡大して示したのが図５であ
る。ついで、この露出部１５を加熱してフラットケーブ
ル用電磁波遮蔽フィルムのカーボン粒子含有補助導電性
層３と銀ペーストを用いて形成された導電性層４を溶融
させ、これらの溶融部分が露出部１５に露出している帯
状銅線１３に電気的に接続する（図６参照）ことにより
実施した。比較例１のフラットケーブル用電磁波遮蔽フ
ィルムは図３、図８、図９の説明個所記載の要領で実施
した。加熱溶融部分の抵抗値、静電シールド効果は下記
の条件で行った。 抵抗値、静電シールド効果 耐熱試験：１１３℃×７日 耐湿試験：６０℃、９５％ＲＨ×７日 摺動試験：５ｍｍＲ、１０万回、５０万回 摺動寿命 ５ｍｍＲ

【００２０】

【表１】

【００２１】

【表２】 ＊は異常値として処置

【００２２】（評価）以上の各データを総合すると、本
発明品は導電性銀ペースト層が従来例である比較例１よ
り薄いにもかかわらず、従来品とほゞ同程度の性能を有
している。

【００２３】

【効果】本発明は、資源としても乏しい銀の使用量を節
減したにもかかわらず、その性能に何ら遜色のないフラ
ットケーブル用電磁波遮蔽フィルムを提供することがで
きた。

【図面の簡単な説明】

【図１】フラットケーブルの断面構造の概略図である。

【図２】フラットケーブルをシールドするために露出部
を形成したときの断面構造の概略図である。

【図３】図２の状態のフラットケーブルを従来のフラッ
トケーブル用電磁波遮蔽フィルムで包み込んだときの断
面構造の概略図である。

【図４】本発明のフラットケーブル用電磁波遮蔽フィル
ムの断面構造の概略図である。

【図５】本発明のフラットケーブル用電磁波遮蔽フィル
ムを用いて図２の状態のフラットケーブルを包み込んだ
ときにおける図３のＱの部分の拡大図である。

【図６】図５の露出部相当個所を加熱して、補助導電性
層と導電性層を溶融させ、帯状銅線に接続させた状態を
示す図である。

【図７】従来タイプのフラットケーブル用電磁波遮蔽フ
ィルム（比較例１のフィルム）の断面構造の概略図であ
る。

【図８】比較例１のフラットケーブル用電磁波遮蔽フィ
ルムを用いて図２の状態のフラットケーブルを包み込ん
だときにおける図３のＱの部分の拡大図である。

【図９】図８の露出部相当個所を加熱して、導電性層を
溶融させ、帯状銅線に接続させた状態を示す図である。

【図１０】従来タイプのフラットケーブル用電磁波遮蔽
フィルムにおいて、導電性層を２０μｍよりも薄くした
場合の図８の場面に対応する図である。

【図１１】図１０の露出部相当個所を加熱して、導電性
層を溶融させ、帯状銅線に接続させた状態を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ フラットケーブル用電磁波遮蔽フィルム ２ 電気絶縁性ベースフィルム（ポリフェニレンサルフ
ァイドフィルム） ３ 補助導電性層（カーボン粒子含有導電性層） ４ 導電性層（銀粒子含有導電性層） ５ ヒートシール部 １１ ポリエチレンテレフタレート層 １２ 接着層 １３ 帯状銅線 １４ 帯状銅線 １５ 露出部 ２２ ポリフェニレンサルファイドフィルム ２３ 導電性層（銀粒子含有導電性層）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気絶縁性ベースフィルムの片面に、カ
   ーボン粒子を含有する補助導電性層および銀粒子を含有
   する膜厚２０μ未満のヒートシール性樹脂よりなる導電
   性層とを順次積層したことを特徴とするフラットケーブ
   ル用電磁波遮蔽フィルム。