JPH10148927A - Formation to mask pattern - Google Patents
Formation to mask patternInfo
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- JPH10148927A JPH10148927A JP30774496A JP30774496A JPH10148927A JP H10148927 A JPH10148927 A JP H10148927A JP 30774496 A JP30774496 A JP 30774496A JP 30774496 A JP30774496 A JP 30774496A JP H10148927 A JPH10148927 A JP H10148927A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられるリソグラフィー技術において、エッチング
マスクとして好適なマスクパターンを形成するためのマ
スクパターン形成方法に関するものである。The present invention relates to a mask pattern forming method for forming a mask pattern suitable as an etching mask in a lithography technique used for manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】このようなマスクパターン形成方法の従
来技術としては、特開平５−１３６１０４号公報に開示
されたものがある。具体的には、ポリサイド膜等のエッ
チング対象膜上に下層膜を成膜し、この上に上層膜とな
るレジストパターンを形成する。次に基板温度を−３０
［℃］とし、Ｓ2 Ｃｌ2 ／Ｎ2 ／Ｏ2 の混合ガスを用
い、レジストパターンをマスクとして下層膜をエッチン
グし、下層膜によるマスクパターンを形成する。その
際、Ｓ2 Ｃｌ2 から供給されるＳとＮ2 との反応によ
り、ポリチアジル（ＳＮ）x が生成し、これが下層膜の
側壁保護膜を形成し、この側壁保護膜により、下層膜の
異方性エッチングを達成する。2. Description of the Related Art As a prior art of such a mask pattern forming method, there is one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-136104. Specifically, a lower layer film is formed on a film to be etched such as a polycide film, and a resist pattern to be an upper layer film is formed thereon. Next, the substrate temperature is set to -30.
[° C.], the lower layer film is etched using a mixed gas of S 2 Cl 2 / N 2 / O 2 using the resist pattern as a mask to form a mask pattern of the lower layer film. At this time, the reaction between S and N 2 supplied from S 2 Cl 2 generates polythiazyl (SN) x , which forms a sidewall protective film of the lower film. Achieve anisotropic etching.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、以下に述べる問題点があった。同一サイ
ズのパターンであっても、スリットパターンに比べてホ
ールパターンにはポリチアジル（ＳＮ）x が入り込みに
くく、充分な側壁保護膜を形成することができず、この
傾向はパターンのアスペクト比が増大するに従い顕著と
なる。このため、微細なホールパターンにおいてはエッ
チングマスク（下層膜）の断面形状は垂直形状となら
ず、図３に示すようなボーイング形状となってしまう。
図３のようなボーイング形状のエッチングマスクでは、
良好なエッチングが行えない。However, the above-mentioned conventional method has the following problems. Even with patterns of the same size, polythiazyl (SN) x is less likely to enter the hole pattern than the slit pattern, and a sufficient side wall protective film cannot be formed. This tendency increases the pattern aspect ratio. Becomes remarkable. Therefore, in a fine hole pattern, the sectional shape of the etching mask (lower film) does not become a vertical shape, but becomes a bowing shape as shown in FIG.
In a bowing-shaped etching mask as shown in FIG.
Good etching cannot be performed.
【０００４】本発明はこのような従来の問題を解決する
ものであり、パターン形状やアスペクト比にかかわら
ず、垂直断面形状のマスクパターンを形成できるマスク
パターン形成方法を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a mask pattern forming method capable of forming a mask pattern having a vertical sectional shape regardless of a pattern shape and an aspect ratio.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のマスクパターン形成方法は、マスクパター
ンを形成したい下地基板上に、有機膜からなる下層膜
と、耐酸化性金属からなる中間膜と、上層膜とを積層形
成し、前記上層膜をパターニングする工程と、前記上層
膜をマスクとしたスパッタエッチングにより前記中間膜
をパターニングする工程と、前記中間膜をマスクとした
エッチングにより前記下層膜をパターニングする工程と
を順次実施するマスクパターン形成方法であって、前記
中間膜のエッチングの際に、前記上層膜の側壁に前記耐
酸化性金属の再付着層を形成しておき、前記下層膜のエ
ッチングの際に、前記中間膜の端面および前記再付着層
の耐酸化性金属を前記下層膜の被エッチング部に輸送
し、この被エッチング部の側壁に前記耐酸化性金属の保
護膜を形成しながらエッチングすることを特徴とする。In order to achieve the above object, a mask pattern forming method according to the present invention comprises a base film on which a mask pattern is to be formed, a lower layer film made of an organic film and an oxidation resistant metal. An intermediate film and an upper layer film are stacked and formed, a step of patterning the upper layer film, a step of patterning the intermediate film by sputter etching using the upper layer film as a mask, and the step of etching using the intermediate film as a mask. And a step of sequentially patterning the lower layer film, wherein, during the etching of the intermediate film, a redeposition layer of the oxidation-resistant metal is formed on a side wall of the upper layer film, In etching the lower film, the oxidation-resistant metal of the end face of the intermediate film and the redeposition layer is transported to the etched portion of the lower film, and Characterized by etching while forming a protective film of the oxidation-resistant metal on the side walls of.
【０００６】ここで、上層膜としては、例えばＥＢレジ
ストまたはフォトレジストを用い、その側壁角が６０〜
７０度となるようにパターニングすることが好ましい。
この側壁角は、下層膜のエッチングの際に耐酸化性金属
が最も効率よく被エッチング部に輸送される角度であ
る。また、中間膜となる耐酸化性金属としては、例えば
金またはプラチナを用いる。また、下層膜となる有機膜
としては、例えばノボラック樹脂またはこれをベースと
した有機膜（フォトレジスト等）を用い、この下層膜の
エッチングには、例えばＥＣＲエッチング法を用いる。Here, as the upper layer film, for example, an EB resist or a photoresist is used, and its side wall angle is 60 to
Preferably, patterning is performed so as to be 70 degrees.
The side wall angle is an angle at which the oxidation-resistant metal is most efficiently transported to the portion to be etched in etching the lower layer film. In addition, as the oxidation-resistant metal serving as the intermediate film, for example, gold or platinum is used. Further, as the organic film to be the lower layer film, for example, a novolak resin or an organic film (photoresist or the like) based on the same is used, and for example, an ECR etching method is used for etching the lower layer film.
【０００７】上記本発明のマスクパターン形成方法によ
れば、下層膜と、耐酸化性金属の中間膜と、上層膜との
多層膜を用い、中間膜のエッチングの際に、上層膜の側
壁に耐酸化性金属の再付着層を形成しておき、下層膜の
エッチングの際に、中間膜の端面および前記再付着層の
耐酸化性金属を下層膜の被エッチング部に輸送し、この
被エッチング部の側壁に耐酸化性金属の側壁保護膜を形
成しながらエッチングすることにより、耐酸化性金属は
微細ホールパターンの被エッチング部に対しても効果的
に輸送されるので、パターン形状やアスペクト比にかか
わらず断面形状が垂直なマスクパターンを形成すること
ができる。According to the mask pattern forming method of the present invention, a multilayer film including a lower film, an oxidation-resistant metal intermediate film, and an upper film is used, and when etching the intermediate film, the side wall of the upper film is formed. A redeposition layer of an oxidation-resistant metal is previously formed, and during etching of the lower layer film, the end surface of the intermediate film and the oxidation-resistant metal of the redeposition layer are transported to a portion to be etched of the lower layer film. By etching while forming the oxidation-resistant metal sidewall protective film on the side wall of the portion, the oxidation-resistant metal is effectively transported to the portion to be etched of the fine hole pattern. Irrespective of this, a mask pattern having a vertical cross-sectional shape can be formed.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態のマス
クパターン形成工程を示す断面図である。まず図１
（ａ）に示すように、半導体基板（半導体ウェハ、図示
せず）にポリサイド膜等のエッチング対象膜１００を形
成した下地基板上に、ノボラック樹脂の下層膜１０１
と、金（Ａｕ）の中間膜１０２と、ＥＢレジストの上層
膜１０３との多層膜を形成する。ここでは、下層膜１０
１の膜厚を１．０［μｍ］、中間膜１０２の膜厚を０．
４［μｍ］、上層膜１０３の膜厚を０．１５［μｍ］と
する。次に、上層膜１０３を公知のリソグラフィ技術に
よりパターニングし、ホール１０４ａを形成する。この
とき上層膜１０３（ＥＢレジスト）の側壁角は約７０度
となる。FIG. 1 is a sectional view showing a mask pattern forming process according to an embodiment of the present invention. First, Figure 1
As shown in FIG. 1A, a lower layer film 101 of a novolak resin is formed on a base substrate in which an etching target film 100 such as a polycide film is formed on a semiconductor substrate (semiconductor wafer, not shown).
Then, a multilayer film of the intermediate film 102 of gold (Au) and the upper layer film 103 of the EB resist is formed. Here, the lower film 10
1 is 1.0 [μm], and the thickness of the intermediate film 102 is 0.1 μm.
4 [μm], and the thickness of the upper layer film 103 is set to 0.15 [μm]. Next, the upper film 103 is patterned by a known lithography technique to form a hole 104a. At this time, the side wall angle of the upper layer film 103 (EB resist) is about 70 degrees.
【０００９】次に図１（ｂ）に示すように、上層膜１０
３をマスクとして中間膜１０２をパターニングし、上層
膜１０３の側壁に金の再付着層１０５を形成する。ここ
では、平行平板ＲＩＥ装置を用いた、Ａｒガス雰囲気
中、圧力１０［ｍｔｏｒｒ］、ＲＦパワー２００［Ｗ］
という条件のスパッタエッチング法により形成する。こ
れによりホール１０４ｂの側壁は、中間膜１０２の端面
１０６と金の再付着層１０５とにより形成され、ホール
１０４ｂの底面には下層膜１０１が露出する。[0009] Next, as shown in FIG.
The intermediate film 102 is patterned by using the mask 3 as a mask, and a redeposition layer 105 of gold is formed on the side wall of the upper film 103. Here, using a parallel plate RIE apparatus, in an Ar gas atmosphere, at a pressure of 10 [mtorr], and at an RF power of 200 [W].
It is formed by a sputter etching method under the following conditions. Thereby, the side wall of the hole 104b is formed by the end face 106 of the intermediate film 102 and the redeposition layer 105 of gold, and the lower film 101 is exposed at the bottom of the hole 104b.
【００１０】次に図１（ｃ）に示すように、中間膜１０
２をマスクとして下層膜１０１をパターニングし、マス
クパターン１０９を形成する。ここでは、ＥＣＲエッチ
ング法により下層膜１０１をパターニングし、下層膜１
０１と中間膜１０２からなり、ホール１０４ｃを有する
マスクパターン１０９を形成する。ホール１０４ｃの直
径は、例えば０．３〜０．５［μｍ］である。以下にこ
の工程の詳細な手順を示す。Next, as shown in FIG.
2 is used as a mask to pattern the lower film 101 to form a mask pattern 109. Here, the lower film 101 is patterned by the ECR etching method, and the lower film 1 is patterned.
01 and the intermediate film 102, a mask pattern 109 having a hole 104c is formed. The diameter of the hole 104c is, for example, 0.3 to 0.5 [μm]. The detailed procedure of this step will be described below.
【００１１】図２は図１（ｃ）の工程に用いるＥＣＲエ
ッチング装置の概略構成を示す図ある。まず、ＲＦ電極
２０７上に上記の多層膜パターンを形成した半導体ウェ
ハ（エッチングサンプル）２１０を設置する。この半導
体ウェハ２１０は、１０％程度の開口率（全面積に対す
る被エッチング面積の割合）を持つものとする。次に、
ガス導入部２０５よりエッチングガスを導入し、マイク
ロ波発生部２０２で発生させた２．４５［ＧＨｚ］のマ
イクロ波を導波管２０３からチェンバー２０４内に投入
し、同時にＲＦ電極２０７にパワー供給を開始する。こ
こでは、エッチングガス組成を酸素８０％、エタノール
２０％とし、ガス総流量を１００［ｃｃｍ］、チェンバ
−２０４内の圧力を１［Ｐａ］とする。ただし、酸素と
エタノールの混合比は、半導体ウェハ２１０の被エッチ
ング面積とガス総流量に応じて調整する。また、マイク
ロ波の投入パワーは１［ｋＷ］、ＲＦパワーは５０
［Ｗ］とする。チェンバ２０４外部に設けられた磁石２
０９により、チェンバ２０４内には、８７５［Ｇａｕｓ
ｓ］の磁束密度を持つ平面２１１が形成されており、上
記のマイクロ波は８７５［Ｇａｕｓｓ］の平面２１１で
ＥＣＲ共鳴を起こして吸収され、高密度プラズマを生成
する。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an ECR etching apparatus used in the step of FIG. First, a semiconductor wafer (etching sample) 210 having the above-described multilayer film pattern formed on the RF electrode 207 is installed. The semiconductor wafer 210 has an aperture ratio of about 10% (the ratio of the area to be etched to the entire area). next,
An etching gas is introduced from a gas introduction unit 205, and a microwave of 2.45 [GHz] generated by a microwave generation unit 202 is introduced into the chamber 204 from the waveguide 203, and power is simultaneously supplied to the RF electrode 207. Start. Here, the etching gas composition is 80% oxygen and 20% ethanol, the total gas flow rate is 100 [ccm], and the pressure in the chamber 204 is 1 [Pa]. However, the mixing ratio of oxygen and ethanol is adjusted according to the area to be etched of the semiconductor wafer 210 and the total gas flow rate. The input power of the microwave is 1 [kW] and the RF power is 50 [kW].
[W]. Magnet 2 provided outside chamber 204
09, 875 [Gauss] is set in the chamber 204.
s], and the microwaves are absorbed by causing ECR resonance in the 875 [Gauss] plane 211 to generate high-density plasma.
【００１２】以上の手順により、下層膜１０１の被エッ
チング部（ホール１０４ｃが形成される領域）のエッチ
ングが開始される。このエッチング過程において、上層
膜１０３は速やかに除去されてしまうが、金の中間膜１
０２と金の再付着層１０５は残留し、その表面部分は徐
々にスパッタエッチングされる。中間膜１０２の端面１
０６と金の再付着層１０５からスパッタエッチングされ
た金は、下層膜１０１の被エッチング部に輸送され、下
層膜１０１の被エッチング部の側壁１０７に付着し、側
壁保護膜１０８を形成する。この側壁保護膜１０８は下
層膜１０１の側壁１０７のボーイングを防止し、これに
よりマスクパターン１０９（主に下層膜１０１からな
る）の断面は垂直形状となる。そしてこのマスクパター
ン１０９をエッチングマスクとして対象膜１００のエッ
チング工程を実施すれば、良好なエッチングが可能とな
る。By the above procedure, the etching of the portion to be etched of the lower film 101 (the region where the hole 104c is formed) is started. In this etching process, the upper layer film 103 is promptly removed.
02 and the redeposited layer 105 remain, and the surface portion thereof is gradually sputter-etched. End face 1 of intermediate film 102
The gold sputter-etched from the 06 and the gold re-adhesion layer 105 is transported to the etched portion of the lower film 101 and adheres to the side wall 107 of the etched portion of the lower film 101 to form a sidewall protection film 108. The side wall protective film 108 prevents bowing of the side wall 107 of the lower layer film 101, so that the cross section of the mask pattern 109 (mainly composed of the lower layer film 101) has a vertical shape. When the etching process of the target film 100 is performed using the mask pattern 109 as an etching mask, good etching can be performed.
【００１３】ここで、金の再付着層１０５から下層膜の
側壁１０７への金の輸送効率は、金の再付着層１０５の
傾斜角、すなわち上層膜１０３の側壁角に依存し、側壁
角が６０〜７０度のときに最も輸送効率が高くなる。上
層膜１０３として用いたＥＢレジストは側壁角が７０度
となるので、容易に金を輸送できる。さらに金は良好な
導電体であり、また酸化されないので、金の側壁保護膜
１０８は局所チャージアップを解消させる機能を併せ持
ち、イオンの方向性を改善するので、良好な異方性エッ
チングができる。The transport efficiency of gold from the redeposition layer 105 to the side wall 107 of the lower film depends on the inclination angle of the redeposition layer 105, that is, the side wall angle of the upper film 103. The transport efficiency is highest when the angle is 60 to 70 degrees. Since the EB resist used as the upper layer film 103 has a side wall angle of 70 degrees, gold can be easily transported. Further, since gold is a good conductor and is not oxidized, the gold side wall protective film 108 also has a function of eliminating local charge-up and improves the directionality of ions, so that good anisotropic etching can be performed.
【００１４】このように上記実施の形態によれば、ノボ
ラック樹脂の下層膜１０１と、金の中間膜１０２と、Ｅ
Ｂレジストの上層膜１０３との多層膜を用い、上層膜１
０３を側壁角約７０度にパターニングし、中間膜１０２
のスパッタエッチングの際に、上層膜１０３の側壁に金
の再付着層１０５を形成しておき、下層膜のＥＣＲエッ
チングの際に、中間膜１０２の端面１０６および金の再
付着層１０５の金を下層膜１０１の被エッチング部に輸
送し、この被エッチング部の側壁１０７に金の側壁保護
膜１０８を形成しながら下層膜１０１をエッチングする
ことにより、金のような耐酸化性金属は微細ホールパタ
ーンの被エッチング部に対しても効果的に輸送されるの
で、パターン形状やアスペクト比にかかわらず断面形状
が垂直なマスクパターン１０９を形成することができ
る。As described above, according to the embodiment, the lower layer film 101 of the novolak resin, the intermediate film 102 of gold,
Using a multilayer film with the B resist upper film 103, the upper film 1
03 is patterned to a side wall angle of about 70 degrees, and the intermediate film 102 is formed.
A gold re-adhesion layer 105 is formed on the side wall of the upper film 103 at the time of the sputter etching, and the gold of the end face 106 of the intermediate film 102 and the gold re-adhesion layer 105 are formed at the ECR etching of the lower film. By transporting the lower layer film 101 to the portion to be etched of the lower layer film 101 and etching the lower layer film 101 while forming a side wall protection film 108 of gold on the side wall 107 of the portion to be etched, an oxidation-resistant metal such as gold can be formed into a fine hole pattern Is effectively transported to the portion to be etched, so that the mask pattern 109 having a vertical cross-sectional shape can be formed regardless of the pattern shape and the aspect ratio.
【００１５】尚、上層膜としてＥＢレジスト以外のパタ
ーニング可能な膜を用いても良く、このとき上層膜の側
壁角は６０〜７０度であることが好ましい。また、中間
膜として金以外の耐酸化性金属、例えばプラチナ（Ｐ
ｔ）等を用いても良い。また、下層膜としてノボラック
樹脂以外の有機膜、例えばノボラック樹脂をベースとし
たフォトレジスト等を用いても良い。また、下層膜のエ
ッチングはＥＣＲエッチング法に限定されず、中間膜の
端面および再付着層の耐酸化性金属のスパッタエッチン
グを伴うエッチング法であれば良い。Incidentally, a patternable film other than the EB resist may be used as the upper layer film. At this time, it is preferable that the side wall angle of the upper layer film is 60 to 70 degrees. Further, an oxidation-resistant metal other than gold, for example, platinum (P
t) and the like may be used. Further, as the lower layer film, an organic film other than the novolak resin, for example, a photoresist based on the novolak resin may be used. The etching of the lower layer film is not limited to the ECR etching method, but may be any etching method involving sputter etching of the oxidation-resistant metal on the end face of the intermediate film and the redeposition layer.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上説明したように本発明のマスクパタ
ーン形成方法によれば、中間膜として耐酸化性金属を用
い、中間膜のエッチングの際に上層膜の側壁に耐酸化性
金属の再付着層を形成し、この耐酸化性金属によって下
層膜のエッチングの際の側壁保護膜を形成することによ
り、耐酸化性金属は微細ホールパターンの被エッチング
部に対しても効果的に輸送されるので、パターン形状や
アスペクト比にかかわらず断面形状が垂直なマスクパタ
ーンを形成することができ、このマスクパターンをエッ
チングマスクとして下地基板のエッチング工程を実施す
れば、良好なエッチングが可能となるという効果があ
る。As described above, according to the mask pattern forming method of the present invention, an oxidation-resistant metal is used as an intermediate film, and the oxidation-resistant metal is re-adhered to the side wall of the upper film when the intermediate film is etched. By forming a layer and using this oxidation-resistant metal to form a sidewall protective film during etching of the underlying film, the oxidation-resistant metal is effectively transported to the etched portion of the fine hole pattern. It is possible to form a mask pattern having a vertical cross-sectional shape regardless of the pattern shape and aspect ratio. If this mask pattern is used as an etching mask to perform an etching process on the underlying substrate, the effect of enabling good etching can be obtained. is there.
【図１】本発明の実施の形態のマスクパターン形成工程
を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a mask pattern forming step according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態のマスクパターン形成工程
に用いるＥＣＲエッチング装置の概略構成を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an ECR etching apparatus used in a mask pattern forming step according to the embodiment of the present invention.
【図３】ボーイング形状のマスクパターンを示す断面図
である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a bow-shaped mask pattern.
１００ エッチング対象膜、１０１ 下層膜（ノボラッ
ク樹脂）、１０２ 中間膜（金）、１０３ 上層膜（Ｅ
Ｂレジスト）、１０４ ホール、１０５ 金の再付着
層、１０６ 中間膜の端面、１０７ 下層膜の側壁、１
０８ 側壁保護膜、１０９ マスクパターン100 film to be etched, 101 lower film (novolak resin), 102 intermediate film (gold), 103 upper film (E
B resist), 104 holes, 105 redeposited layer of gold, 106 end face of intermediate film, 107 sidewall of lower film, 1
08 Side wall protective film, 109 mask pattern
Claims (6)
に、有機膜からなる下層膜と、耐酸化性金属からなる中
間膜と、上層膜とを積層形成し、前記上層膜をパターニ
ングする工程と、 前記上層膜をマスクとしたスパッタエッチングにより前
記中間膜をパターニングする工程と、 前記中間膜をマスクとしたエッチングにより前記下層膜
をパターニングする工程とを順次実施するマスクパター
ン形成方法であって、 前記中間膜のエッチングの際に、前記上層膜の側壁に前
記耐酸化性金属の再付着層を形成しておき、 前記下層膜のエッチングの際に、前記中間膜の端面およ
び前記再付着層の耐酸化性金属を前記下層膜の被エッチ
ング部に輸送し、この被エッチング部の側壁に前記耐酸
化性金属の保護膜を形成しながらエッチングすることを
特徴とするマスクパターン形成方法。A step of laminating a lower film made of an organic film, an intermediate film made of an oxidation-resistant metal, and an upper film on a base substrate on which a mask pattern is to be formed, and patterning the upper film; A mask pattern forming method for sequentially performing a step of patterning the intermediate film by sputter etching using the upper film as a mask, and a step of patterning the lower film by etching using the intermediate film as a mask, At the time of etching the film, a redeposition layer of the oxidation-resistant metal is formed on the side wall of the upper film, and at the time of etching the lower film, the oxidation resistance of the end face of the intermediate film and the redeposition layer is prevented. Transporting the non-conductive metal to the portion to be etched of the lower layer film, and etching while forming the oxidation-resistant metal protective film on the side wall of the portion to be etched. Mask pattern forming method of.
度となるようにパターニングすることを特徴とする請求
項１記載のマスクパターン形成方法。2. The method according to claim 1, wherein the upper film has a sidewall angle of 60 to 70.
2. The method according to claim 1, wherein patterning is performed so as to obtain a desired pattern.
トレジストであることを特徴とする請求項１または２に
記載のマスクパターン形成方法。3. The method according to claim 1, wherein the upper layer film is an EB resist or a photoresist.
ことを特徴とする請求項１記載のマスクパターン形成方
法。4. The method according to claim 1, wherein the intermediate film is made of gold or platinum.
をエッチングすることを特徴とする請求項１記載のマス
クパターン形成方法。5. The method according to claim 1, wherein said lower layer film is etched by an ECR etching method.
ボラック樹脂をベースとした有機膜であることを特徴と
する請求項１または５に記載のマスクパターン形成方
法。6. The method according to claim 1, wherein the lower layer film is a novolak resin or an organic film based on the novolak resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30774496A JPH10148927A (en) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | Formation to mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30774496A JPH10148927A (en) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | Formation to mask pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10148927A true JPH10148927A (en) | 1998-06-02 |
Family
ID=17972751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30774496A Withdrawn JPH10148927A (en) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | Formation to mask pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10148927A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1510863A3 (en) * | 2003-08-29 | 2007-04-18 | FUJIFILM Corporation | Mask and method of fabricating the same, and method of machining material |
| US7727412B2 (en) | 2003-06-30 | 2010-06-01 | Tdk Corporation | Dry etching method |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP30774496A patent/JPH10148927A/en not_active Withdrawn
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