JPH10144585A - Processing system - Google Patents

Processing system

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JPH10144585A
JPH10144585A JP29684096A JP29684096A JPH10144585A JP H10144585 A JPH10144585 A JP H10144585A JP 29684096 A JP29684096 A JP 29684096A JP 29684096 A JP29684096 A JP 29684096A JP H10144585 A JPH10144585 A JP H10144585A
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JP
Japan
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processing
fire
exhaust
unit
closing
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JP29684096A
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Masami Akumoto
正巳 飽本
Yoichi Deguchi
洋一 出口
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Tokyo Electron Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a fire on the outside of a system from spreading into the system through an exhaust path and a fire in the system from spreading entirely over a factory by providing the exhaust path for exhausting the atmosphere in a processing chamber to the outside of the system and means for closing the exhaust path in case of an emergency. SOLUTION: When a fire takes place in a resist coating/developing system and detected by fire alarms 13-15 in the system, a detection signal is delivered to a control section 104. Consequently, the control section 104 lights an alarm lamp 11 and transmits a closing signal to closing mechanisms 96, 97 which close exhaust paths 94, 95. According to the arrangement, fire in the resist coating/developing system can be prevented from spreading through the exhaust paths 94, 95, 105.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等に対してレジスト塗布処理や現像処理
等を施す処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for performing a resist coating process, a developing process, and the like on a semiconductor wafer, an LCD substrate, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ(以下、「ウエハ」という。)の表面にレジスト膜
を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエ
ハに対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現
像処理を行う現像処理とが行われるが、従来からこれら
レジスト塗布処理と現像処理とは、例えば特公平2−3
0194号公報によっても公知なように、対応する各種
処理ユニットが1つのシステム内に装備された複合処理
システム内で、所定のシーケンスに従って行われてい
る。
2. Description of the Related Art For example, in a photolithography step in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for forming a resist film on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a "wafer") and a resist coating process on a wafer after resist coating are performed. After the exposure process, a development process of performing a development process on the wafer is performed. Conventionally, the resist coating process and the development process are described in, for example,
As is well known from Japanese Patent Application Publication No. 0194, the processing is performed according to a predetermined sequence in a complex processing system in which various corresponding processing units are provided in one system.

【0003】このような複合処理システムでは、レジス
ト塗布処理や現像処理等は例えばそれぞれ独立した処理
ユニット内で処理を施すように構成されている。また、
これらの処理ユニットでは、処理後の廃液及び処理室内
の有機溶剤を含んだ溶媒雰囲気は廃液路及び排気路を通
り複合処理システム外に導出されるようになっており、
導出された廃液及び溶媒雰囲気は工場内に配設された廃
液路及び排気路を通り廃液タンクや排気タンクに回収さ
れるようになっている。
[0003] In such a complex processing system, the resist coating processing, the developing processing, and the like are configured to be performed in independent processing units, for example. Also,
In these processing units, the waste liquid after processing and the solvent atmosphere containing the organic solvent in the processing chamber are led out of the combined processing system through the waste liquid path and the exhaust path,
The derived waste liquid and solvent atmosphere pass through a waste liquid passage and an exhaust passage provided in the factory and are collected in a waste liquid tank and an exhaust tank.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されたシステムでは、例えば工場内で火災が発
生すると、火気が溶媒雰囲気が充満する排気路を通り複
合処理システム内に及ぶ恐れがあり、また複合処理シス
テム内で火災が発生すると、火気が排気路を通り工場全
体に及ぶ恐れもある。
However, in the system configured as described above, if a fire occurs in a factory, for example, the fire may pass through the exhaust path filled with the solvent atmosphere and reach the inside of the complex processing system. Also, if a fire occurs in the complex processing system, the fire may pass through the exhaust path and spread to the entire factory.

【0005】本発明は、かかる事情に鑑みなされたもの
で、装置外の火気が排気路を通り装置内に波及すること
や装置内の火気が装置内から工場全体に波及することを
防止できる処理装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a processing which can prevent the fire outside the apparatus from passing through the exhaust path into the apparatus and the fire inside the apparatus from spreading from inside the apparatus to the entire factory. It is intended to provide a device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1記載の本発明は、被処理体に対して有機溶
剤を使う処理を施す処理室と、前記処理室内の雰囲気を
装置外部に排出する排気路と、緊急時に前記排気路を塞
ぐ閉塞手段とを具備する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing chamber for performing a process using an organic solvent on an object to be processed, and an atmosphere in the processing chamber is provided outside the apparatus. Exhaust passage, and closing means for closing the exhaust passage in an emergency.

【0007】請求項2記載の本発明は、被処理体に対し
て有機溶剤を使う処理を施す処理室と、前記処理室内の
雰囲気を装置外部に排出する排気路と、装置外部より火
災検知信号を入力する入力手段と、前記火災検知信号を
入力したとき、前記排気路を塞ぐ閉塞手段とを具備す
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing chamber for performing processing using an organic solvent on an object to be processed, an exhaust path for exhausting the atmosphere in the processing chamber to the outside of the apparatus, and a fire detection signal from the outside of the apparatus. And an closing means for closing the exhaust path when the fire detection signal is input.

【0008】請求項3記載の本発明は、被処理体に対し
て有機溶剤を使う処理を施す処理室と、前記処理室内の
雰囲気を装置外部に排出する排気路と、装置内の火災を
検知する火災検知手段と、前記火災検知手段が火災を検
知したとき、前記排気路を塞ぐ閉塞手段とを具備する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a processing chamber for performing processing using an organic solvent on an object to be processed, an exhaust path for exhausting an atmosphere in the processing chamber to the outside of the apparatus, and detecting a fire in the apparatus. And a closing means for closing the exhaust path when the fire detecting means detects a fire.

【0009】請求項4記載の本発明は、被処理体に対し
て有機溶剤を使う処理を施す処理室と、前記処理室内の
雰囲気を装置外部に排出する排気路と、非常釦と、前記
非常釦が押されたとき、前記排気路を塞ぐ閉塞手段とを
具備する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a processing chamber for performing processing using an organic solvent on an object to be processed, an exhaust path for exhausting an atmosphere in the processing chamber to the outside of the apparatus, an emergency button, and the emergency button. Closing means for closing the exhaust path when the button is pressed.

【0010】請求項5記載の本発明は、請求項1〜4の
いずれかに記載の処理装置であって、前記閉塞手段によ
って前記排気路が塞がれたことを報知する報知手段をさ
らに具備する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, further comprising a notifying means for notifying that the exhaust passage is closed by the closing means. I do.

【0011】請求項1記載の発明では、緊急時に溶媒雰
囲気が充満する排気路を塞ぐように構成したので、緊急
時に排気路と外部とが遮断され、例えば火気が排気路を
通り装置内に波及することや火気が装置内から工場全体
に波及することを防止できる。 請求項2記載の発明で
は、装置外部より火災検知信号を入力したとき、上記の
排気路を塞ぐように構成したので、装置外部、例えば工
場内で火災が発生した場合に火気が排気路を通り装置内
に波及することがなくなる。
According to the first aspect of the present invention, since the exhaust passage filled with the solvent atmosphere is closed in an emergency, the exhaust passage and the outside are shut off in an emergency, and, for example, fire spreads through the exhaust passage into the apparatus. And the spread of fire from inside the apparatus to the entire factory can be prevented. According to the second aspect of the present invention, when a fire detection signal is input from the outside of the apparatus, the exhaust path is closed, so that when a fire occurs outside the apparatus, for example, in a factory, the fire passes through the exhaust path. No spillover into the device.

【0012】請求項3記載の発明では、装置内で火災を
検知したとき、上記の前記排気路を塞ぐように構成した
ので、装置内の火気が装置内から工場全体に波及するこ
とを防止できる。
According to the third aspect of the present invention, when the fire is detected in the apparatus, the exhaust path is closed, so that the fire in the apparatus can be prevented from spreading from inside the apparatus to the entire factory. .

【0013】請求項4記載の発明では、非常釦が押され
たときに、上記の排気路を塞ぐように構成したので、例
えば火災報知器が作動しないような場合等に特に有効で
ある。 請求項5記載の発明では、排気路が塞がれたこ
とを報知するように構成したので、作業者等は装置が緊
急状態にあること知ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, when the emergency button is pressed, the above-mentioned exhaust passage is closed, which is particularly effective when, for example, a fire alarm does not operate. According to the fifth aspect of the present invention, since it is configured to notify that the exhaust path is blocked, an operator or the like can know that the apparatus is in an emergency state.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の処理装置を半導体
ウエハへのレジスト塗布・現像処理システムに適用した
実施形態を添付図面に基いて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the processing apparatus of the present invention is applied to a system for applying and developing a resist on a semiconductor wafer will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1は本実施の形態に係るレジスト塗布・
現像処理システムを示す概略平面図、図2は図1の正面
図、図3は図1の背面図である。
FIG. 1 shows a resist coating and coating method according to this embodiment.
FIG. 2 is a front view of FIG. 1, and FIG. 3 is a rear view of FIG.

【0016】この処理システムは、カセットステーショ
ン10と、複数の処理ユニットを有する処理ステーショ
ン20と、処理ステーション20と隣接して設けられる
露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡すため
のインター・フェース部30とを具備している。
This processing system transfers a wafer W between a cassette station 10, a processing station 20 having a plurality of processing units, and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 20. And an interface unit 30.

【0017】上記カセットステーション10は、被処理
体としての半導体ウエハWを複数枚例えば25枚単位で
ウエハカセット1に搭載された状態で他のシステムから
このシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステ
ムへ搬出したり、ウエハカセット1と処理ステーション
20との間でウエハWの搬送を行うためのものである。
このカセットステーション10においては、図1に示
すように、カセット載置台2上に図中X方向に沿って複
数(図では4個)の突起3が形成されており、この突起
3の位置にウエハカセット1がそれぞれのウエハ出入口
を処理ステーション20側に向けて一列に載置可能とな
っている。ウエハカセット1においてはウエハWが垂直
方向(Z方向)に配列されている。また、カセットステ
ーション10は、ウエハカセット載置台2と処理ステー
ション20との間に位置するウエハ搬送機構4を有して
いる。このウエハ搬送機構4は、カセット配列方向(X
方向)およびその中のウエハWのウエハ配列方向(Z方
向)に移動可能なウエハ搬送用アーム4aを有してお
り、このアーム4aによりいずれかのウエハカセット1
に対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウ
エハ搬送用アーム4aは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション20側のグループG
3に属する搬送ユニット(TR)46との間でウエハW
を搬送することができる。
The cassette station 10 loads a plurality of semiconductor wafers W as objects to be processed, for example, in units of 25 wafers, into the wafer cassette 1 from another system, or loads the semiconductor wafers W from this system into another system. This is for unloading and carrying the wafer W between the wafer cassette 1 and the processing station 20.
In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of (four in the figure) projections 3 are formed on the cassette mounting table 2 along the X direction in the figure. The cassettes 1 can be placed in a line with the respective wafer entrances facing the processing station 20. In the wafer cassette 1, the wafers W are arranged in a vertical direction (Z direction). The cassette station 10 has a wafer transfer mechanism 4 located between the wafer cassette mounting table 2 and the processing station 20. The wafer transfer mechanism 4 is arranged in the cassette arrangement direction (X
Direction) and a wafer transfer arm 4a movable in the wafer arrangement direction (Z direction) of the wafers W therein.
Can be selectively accessed. The wafer transfer arm 4a is configured to be rotatable in the θ direction, and a group G on the side of the processing station 20 described later is provided.
3 and the transfer unit (TR) 46 belonging to
Can be transported.

【0018】上記処理ステーション20は、半導体ウエ
ハWへ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション20は、
図1に示すように、中心部に垂直方向に移動可能な主ウ
エハ搬送機構21が設けられ、この主ウエハ搬送機構2
1のウエハ搬送路22の周りに全ての処理ユニットが配
置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処
理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが
鉛直方向に沿って多段に配置されている。この態様にお
いては、5個の処理部G1、G2、G3、G4およびG
5がウエハ搬送路22の周囲に配置されており、ウエハ
搬送路22が略閉鎖された空間となっている。
The processing station 20 includes a plurality of processing units for performing a series of steps for coating and developing the semiconductor wafer W. These processing units are arranged at predetermined positions in multiple stages. The semiconductor wafer W
Are processed one by one. This processing station 20
As shown in FIG. 1, a main wafer transfer mechanism 21 which is movable in a vertical direction is provided at a central portion.
All the processing units are arranged around one wafer transfer path 22. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and each processing unit includes a plurality of processing units arranged in multiple stages along a vertical direction. In this embodiment, the five processing units G1, G2, G3, G4 and G
5 are arranged around the wafer transfer path 22, and the wafer transfer path 22 is a substantially closed space.

【0019】これら処理部G1、G2、G3、G4およ
びG5のうち、処理部G1、G2はシステム正面(図1
において手前)側に並列に配置され、処理部G3はカセ
ットステーション10に隣接して配置され、処理部G4
はインター・フェース部30に隣接して配置され、処理
部G5は背部側に配置されている。
Of these processing units G1, G2, G3, G4 and G5, the processing units G1 and G2 are located at the front of the system (FIG. 1).
, The processing unit G3 is disposed adjacent to the cassette station 10, and the processing unit G4 is disposed adjacent to the cassette station 10.
Is disposed adjacent to the interface unit 30, and the processing unit G5 is disposed on the back side.

【0020】この場合、図2に示すように、処理部G1
では、カップ23内でウエハWをスピンチャック(図示
せず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ型処理
ユニットが上下に配置されており、この態様において
は、ウエハWにレジストを塗布するレジスト塗布ユニッ
ト(COT)およびレジストのパターンを現像する現像
ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられてい
る。処理部G2も同様に、2台のスピナ型処理ユニット
としてレジスト塗布ユニット(COT)及び現像ユニッ
ト(DEV)が下から順に2段に重ねられている。この
ようにレジスト塗布ユニット(COT)を下段側に配置
する理由は、レジスト液の廃液が機構的にもメンテナン
スの上でも現像液の廃液よりも本質的に複雑であり、こ
のように塗布ユニット(COT)を下段に配置すること
によりその複雑さが緩和されるからである。また、後述
するようにシステム内において垂直層流を供給すること
によって各部の清浄度を高めているが、より洗浄度が要
求される現像ユニット(DEV)を上段に配置すること
によってレジスト塗布ユニット(COT)より排出され
る溶媒雰囲気の悪影響を抑えることができる。しかし、
必要に応じてレジスト塗布ユニット(COT)を上段に
配置することも可能である。
In this case, as shown in FIG.
In this embodiment, two spinner-type processing units for performing a predetermined process by placing the wafer W on a spin chuck (not shown) in the cup 23 are vertically arranged. And a developing unit (DEV) for developing a resist pattern are stacked in two stages from the bottom. Similarly, in the processing section G2, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom as two spinner type processing units. The reason for disposing the resist coating unit (COT) on the lower side in this way is that the waste liquid of the resist liquid is inherently more complicated than the waste liquid of the developer both mechanically and in terms of maintenance. This is because by arranging (COT) in the lower stage, its complexity is reduced. Further, as will be described later, the cleanliness of each part is increased by supplying a vertical laminar flow in the system. However, by disposing a developing unit (DEV) requiring a higher degree of cleanliness in the upper stage, a resist coating unit (DEV) is provided. The adverse effect of the solvent atmosphere discharged from COT) can be suppressed. But,
If necessary, a resist coating unit (COT) can be arranged in the upper stage.

【0021】処理部G3においては、図3に示すよう
に、ウエハWを載置台24(図1参照)に載置して所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニットが7段配置され
ている。具体的には、下から順にアドヒージョン処理ユ
ニット(AD)47、搬送ユニット(TR)46、2つ
のチルプレートユニット(CP)44、45、および3
つのホットプレートユニット(HP))41、42、4
3が配置されている。
In the processing section G3, as shown in FIG. 3, there are provided seven stages of oven-type processing units for performing a predetermined processing by mounting the wafer W on the mounting table 24 (see FIG. 1). Specifically, an adhesion processing unit (AD) 47, a transport unit (TR) 46, two chill plate units (CP) 44, 45, and 3
Hot plate units (HP)) 41, 42, 4
3 are arranged.

【0022】これらのうち、ホットプレートユニット
(HP)41、42、43は、半導体ウエハWに対して
プリベーク処理またはポストベーク処理のような加熱処
理を施すものであり、チルプレートユニット(CP)4
4、45は、半導体ウエハWを冷却するものであり、搬
送ユニット(TR)46は半導体ウエハWを搬送するた
めのものである。また、アドヒージョン処理ユニット
(AD)47は、半導体ウエハWに対して疎水化処理を
施すものである。
Among these, the hot plate units (HP) 41, 42, and 43 are for subjecting the semiconductor wafer W to a heating process such as a pre-bake process or a post-bake process, and the chill plate unit (CP) 4
Reference numerals 4 and 45 are for cooling the semiconductor wafer W, and a transfer unit (TR) 46 is for transferring the semiconductor wafer W. The adhesion processing unit (AD) 47 performs a hydrophobic treatment on the semiconductor wafer W.

【0023】処理部G4も同様に、図3に示すように、
オーブン型の処理ユニットが7段配置されている。具体
的には、下から順に、搬送・チルプレートユニット(T
R・CP)54、チルプレートユニット(CP)53、
および5つのホットプレートユニット(HP)52、5
1、50、49、48が配置されている。
Similarly, the processing unit G4, as shown in FIG.
7 stages of oven type processing units are arranged. Specifically, the transport / chill plate unit (T
R / CP) 54, chill plate unit (CP) 53,
And five hot plate units (HP) 52, 5
1, 50, 49 and 48 are arranged.

【0024】主ウエハ搬送機構21の背部側に位置する
処理部G5も基本的には処理部G3、G4と同様、オー
ブン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有して
いる。この処理部G5は、案内レール67に沿って主ウ
エハ搬送機構21から見て側方へ移動できるようになっ
ている。したがって、処理部G5をスライドすることに
より空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構21に
対して背後からメンテナンス作業が容易に行うことがで
きる。
The processing section G5 located on the back side of the main wafer transfer mechanism 21 basically has a structure in which oven-type processing units are stacked in multiple stages, similarly to the processing sections G3 and G4. The processing section G5 can be moved laterally along the guide rail 67 when viewed from the main wafer transfer mechanism 21. Therefore, since a space is secured by sliding the processing unit G5, maintenance work can be easily performed from behind the main wafer transfer mechanism 21.

【0025】上記インター・フェース部30は、X方向
の長さは処理ステーション20と同じ長さを有してい
る。図1、図2に示すように、このインター・フェース
部30の正面部には、可搬性のピックアップカセット3
1と定置型のバッファカセット32が2段に配置され、
背面部には周辺露光装置33が配設され、中央部には、
ウエハ搬送アーム34が配設されている。このウエハ搬
送アーム34は、X、Z方向に移動して両カセット3
1、32および周辺露光装置33にウエハを搬送可能と
なっている。また、このウエハ搬送アーム34は、θ方
向に回転可能であり、処理ステーション20側の処理部
G4に属する搬送・チルプレートユニット(TR・C
P)54および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台
(図示せず)にもウエハWを搬送可能となっている。
The interface section 30 has the same length in the X direction as the processing station 20. As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette 3 is provided at the front of the interface section 30.
1 and stationary buffer cassettes 32 are arranged in two stages,
A peripheral exposure device 33 is provided on the back, and a central
A wafer transfer arm 34 is provided. The wafer transfer arm 34 moves in the X and Z directions to move both cassettes 3.
The wafers can be transported to the peripheral exposure devices 1 and 32 and the peripheral exposure device 33. The wafer transfer arm 34 is rotatable in the θ direction, and is a transfer / chill plate unit (TR / C) belonging to the processing section G4 on the processing station 20 side.
P) 54 and the wafer W can be transferred to a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side.

【0026】なお、図2に示すように、カセットステー
ション10の上部には、後述するように火災等の緊急時
に点灯する警報ランプ11が設けられている。また、カ
セットステーション10の正面には、後述するように火
災等の緊急時に作業者等がシステム停止等の措置を行う
ための非常釦12が設けられている。警報ランプ11や
非常釦12は、処理ステーション20やインター・フェ
ース部30に設けてもよい。
As shown in FIG. 2, an alarm lamp 11 which is turned on in the event of an emergency such as a fire is provided above the cassette station 10 as described later. In addition, an emergency button 12 is provided on the front of the cassette station 10 for an operator or the like to take measures such as stopping the system in an emergency such as a fire as described later. The alarm lamp 11 and the emergency button 12 may be provided in the processing station 20 and the interface unit 30.

【0027】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム内に設置され、これによって清浄度を高
めているが、さらにシステム内でも効率的に垂直層流を
供給することによって各部の清浄度を一層高めている。
図4および図5にシステム内におけ清浄空気の流れを示
す。
The processing system configured as described above includes:
Although it is installed in a clean room and thereby increases the cleanliness, the cleanliness of each part is further enhanced by efficiently supplying a vertical laminar flow in the system.
4 and 5 show the flow of clean air in the system.

【0028】図4に示すように、カセットステーション
10、処理ステーション20およびインター・フェース
部30の上方には空気供給室10a、20a、30aが
設けられており、各空気供給室10a、20a、30a
の下面に防塵機能付きフィルタ例えばULPAフィルタ
55が取り付けられている。このうち空気供給室10
a、30a内には配管を介して空気が導入され、ULP
Aフィルタ55により清浄な空気がダウンフローでカセ
ットステーション10およびインター・フェース部30
に供給される。
As shown in FIG. 4, air supply chambers 10a, 20a, and 30a are provided above the cassette station 10, the processing station 20, and the interface section 30, and each of the air supply chambers 10a, 20a, and 30a is provided.
A filter with a dust-proof function, for example, an ULPA filter 55 is attached to the lower surface of the device. Of these, the air supply chamber 10
a, air is introduced into the 30a through a pipe,
The A filter 55 allows the clean air to flow down through the cassette station 10 and the interface 30.
Supplied to

【0029】また、図5に示すように、主ウエハ搬送機
構21のウエハ搬送路22の上方には、そこに空気を供
給するための給気口25が設けられ、その下方にはウエ
ハ搬送路22に供給された空気を排気するための排気口
26が設けられている。
As shown in FIG. 5, an air supply port 25 for supplying air thereto is provided above the wafer transfer path 22 of the main wafer transfer mechanism 21, and below the wafer transfer path 22. An exhaust port 26 for exhausting the air supplied to 22 is provided.

【0030】前述の空気供給室20は、給気口25と給
気用配管との接続部に設けられており、その下面に上記
ULPAフィルタ55が取り付けられ、その上方位置に
例えばアミン等の有機汚染物を除去する機能を有するケ
ミカルフィルタ56が取り付けられている。
The above-mentioned air supply chamber 20 is provided at a connection portion between the air supply port 25 and the air supply pipe. The ULPA filter 55 is attached to the lower surface thereof. A chemical filter 56 having a function of removing contaminants is attached.

【0031】排気口26と排気用配管との接続部には排
気室20bが設けられており、この排気室20bの上面
に排気口26が形成された多孔板57が取り付けられ、
排気室20b内には排気ファン55が配設されている。
また、排気室20bと排気配管との接続部には圧力調整
手段例えばスリットダンパ59が配設されている。そし
て、図示しない給気装置により搬送路22内を給気口2
5から排気口26に向けて清浄空気のダウンフローが形
成される。
An exhaust chamber 20b is provided at the connection between the exhaust port 26 and the exhaust pipe, and a perforated plate 57 having the exhaust port 26 is attached to the upper surface of the exhaust chamber 20b.
An exhaust fan 55 is provided in the exhaust chamber 20b.
Further, a pressure adjusting means, for example, a slit damper 59 is provided at a connection portion between the exhaust chamber 20b and the exhaust pipe. Then, the inside of the conveyance path 22 is supplied with an air supply port
5, a downflow of clean air is formed toward the exhaust port 26.

【0032】上記カセットステーション10において
は、図4に示すように、カセット載置台2の上方空間と
ウエハ搬送用ピンセット4の移動空間とは垂壁式の仕切
板5によって互いに仕切られており、ダウンフローの空
間は両空間で別個に流れるようになっている。
In the cassette station 10, as shown in FIG. 4, the space above the cassette mounting table 2 and the space for moving the wafer transfer tweezers 4 are separated from each other by a vertical partition plate 5, and the space is lowered. The flow space flows separately in both spaces.

【0033】また、上記処理ステーション20では、図
4および図5に示すように、処理部G1、G2の中で下
段に配置されているレジスト塗布ユニット(COT)の
天井面にULPAフィルタ55aが設けられており、上
記循環管路52から搬送路22内に供給される空気がこ
のULPAフィルタ55aを通ってレジスト塗布ユニッ
ト(COT)内に流れる。
In the processing station 20, as shown in FIGS. 4 and 5, an ULPA filter 55a is provided on a ceiling surface of a resist coating unit (COT) disposed at a lower stage in the processing sections G1 and G2. The air supplied from the circulation pipeline 52 into the transport path 22 flows through the ULPA filter 55a into the resist coating unit (COT).

【0034】また、図4に示すように、各スピナ型処理
ユニット(COT)、(DEV)の主ウエハ搬送機構2
1に面する側壁には、ウエハWおよび搬送アームが出入
りするための開口部64が設けられている。各開口部6
4には、各ユニットからバーティクルまたは有機汚染物
等が主ウエハ搬送機構21側に入り込まないようにする
ためのシャッタ(図示せず)が取り付けられている。
As shown in FIG. 4, the main wafer transfer mechanism 2 of each spinner type processing unit (COT), (DEV)
The side wall facing 1 is provided with an opening 64 for the wafer W and the transfer arm to enter and exit. Each opening 6
A shutter (not shown) is attached to 4 to prevent verticles or organic contaminants from each unit from entering the main wafer transfer mechanism 21 side.

【0035】なお、図4に示すように、カセットステー
ション10、処理ステーション20、インター・フェー
ス部30には、それぞれ、または少なくとも1つには、
火災を検知するための火災検知器13、14、15が取
り付けられている。
As shown in FIG. 4, each of the cassette station 10, the processing station 20, and the interface unit 30, or at least one of the
Fire detectors 13, 14, 15 for detecting a fire are attached.

【0036】図6はレジスト塗布ユニット(COT)な
いし現像ユニット(DEV)の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a sectional view showing the structure of the resist coating unit (COT) to the developing unit (DEV).

【0037】このレジスト塗布ユニット(COT)ない
し現像ユニット(DEV)では、ユニット底の中央部に
環状のカップCPが配設され、その内側にスピンチャッ
ク71が配置されている。スピンチャック71は真空吸
着によって半導体ウエハWを固定保持した状態で、駆動
モータ72の回転駆動力で回転するように構成されてい
る。駆動モータ72は、ユニット底板73に設けられた
開口74に昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニ
ウムからなるキャップ状のフランジ部材75を介してた
とえばエアシリンダからなる昇降駆動手段76および昇
降ガイド手段77に結合されている。駆動モータ72の
側面にはたとえばSUSからなる筒状の冷却ジャケット
78が取り付けられ、フランジ部材75はこの冷却ジャ
ケット78の上半部を覆うように取り付けられている。
In the resist coating unit (COT) or the developing unit (DEV), an annular cup CP is disposed at the center of the bottom of the unit, and a spin chuck 71 is disposed inside the cup CP. The spin chuck 71 is configured to rotate with the rotational driving force of the driving motor 72 in a state where the semiconductor wafer W is fixedly held by vacuum suction. The drive motor 72 is arranged so as to be able to move up and down in an opening 74 provided in the unit bottom plate 73, and is connected to a lifting drive unit 76 and an up-and-down guide unit 77 made of, for example, an air cylinder via a cap-shaped flange member 75 made of aluminum, for example. Are combined. A cylindrical cooling jacket 78 made of, for example, SUS is attached to a side surface of the drive motor 72, and a flange member 75 is attached so as to cover an upper half of the cooling jacket 78.

【0038】レジスト塗布時や現像時には、フランジ部
材75の下端75aが開口74の外周付近でユニット底
板73に密着し、ユニット内部が密閉されるようになっ
ている。スピンチャック71と主ウエハ搬送機構21と
の間で半導体ウエハWの受け渡しが行われる時は、昇降
駆動手段76が駆動モータ72ないしスピンチャック7
1を上方へ持ち上げるため、フランジ部材75の下端が
ユニット底板73から浮くようになっている。
At the time of resist application or development, the lower end 75a of the flange member 75 is in close contact with the unit bottom plate 73 near the outer periphery of the opening 74, so that the inside of the unit is sealed. When the transfer of the semiconductor wafer W is performed between the spin chuck 71 and the main wafer transfer mechanism 21, the lifting drive unit 76 is driven by the drive motor 72 or the spin chuck 7.
The lower end of the flange member 75 is lifted from the unit bottom plate 73 in order to lift the upper part 1 upward.

【0039】冷却ジャケット78の内部には冷却水を流
すための水路が設けられており、図示しない冷却水供給
部より一定の温度に温調された冷却水CWがジャケット
内に循環供給されるようになっている。
A water passage for flowing cooling water is provided in the cooling jacket 78 so that cooling water CW whose temperature has been adjusted to a constant temperature from a cooling water supply unit (not shown) is circulated and supplied into the jacket. It has become.

【0040】カップCPの下面とユニット底板73との
間には隙間79が設けられている。ユニット内には、上
記したように天井のULPAフィルタ55より温度およ
び湿度を一定に制御された清浄空気がダウンフローで供
給される。カップCPの周囲でユニット底板73に当た
った清浄空気は、カップCPの下の隙間79を通ってカ
ップCPの内側に回る。レジスト塗布時は、上記したよ
うにフランジ部材75の下端75aが開口74の外周付
近でユニット底板73に密着してユニット内を密閉して
いるため、隙間79を通ってカップCPの内側に回って
来た清浄空気は点線Aで示すようにフランジ部材58の
側面に沿って上昇し、ウエハWの周縁部とカップCPと
の隙間80を通ってカップCPの中へ入る。このように
隙間80を気流が内側から外側へ抜けることで、レジス
ト液のウエハ裏面への回り込みが防止される。
A gap 79 is provided between the lower surface of the cup CP and the unit bottom plate 73. The clean air whose temperature and humidity are controlled to be constant from the ULPA filter 55 on the ceiling as described above is supplied into the unit in a downflow manner. The clean air that has hit the unit bottom plate 73 around the cup CP passes through the gap 79 below the cup CP and turns inside the cup CP. At the time of resist application, as described above, the lower end 75a of the flange member 75 is in close contact with the unit bottom plate 73 near the outer periphery of the opening 74 to seal the inside of the unit. The incoming clean air rises along the side surface of the flange member 58 as shown by the dotted line A, and enters the cup CP through the gap 80 between the peripheral portion of the wafer W and the cup CP. As described above, the airflow passes through the gap 80 from the inside to the outside, thereby preventing the resist liquid from flowing to the back surface of the wafer.

【0041】駆動モータ72より発せられる熱は冷却ジ
ャケット78に速やかに吸収されるうえ、フランジ部材
75が冷却ジャケット78の回りを覆っているため、隙
間79を通ってカップCPの内側に回って来た清浄空気
は駆動モータ72付近を通る際に温められるようなこと
がない。このように、天井のULPAフィルタ55から
の清浄空気が温度および湿度をほぼ一定に維持したまま
カップCPの下を迂回して隙間80に供給されるため、
半導体ウエハWの周縁部が裏面側の気流で温められるよ
うなことはなく、レジスト膜の均一性が保証されてい
る。
The heat generated by the drive motor 72 is quickly absorbed by the cooling jacket 78 and, since the flange member 75 covers the periphery of the cooling jacket 78, the heat flows through the gap 79 to the inside of the cup CP. The clean air is not heated when passing near the drive motor 72. As described above, since the clean air from the ULPA filter 55 on the ceiling is supplied to the gap 80 by bypassing under the cup CP while keeping the temperature and the humidity substantially constant.
The peripheral portion of the semiconductor wafer W is not heated by the airflow on the back surface side, and the uniformity of the resist film is guaranteed.

【0042】カップCPの中は、外周壁面、内周壁面お
よび底面によって1つの室が形成されており、底面に1
つまたは複数のドレイン口81が設けられている。この
ドレイン口81はドレイン管82を介してタンク83に
接続されている。タンク83は密閉容器であり、その底
面に排液口83aが設けられ、上面に排気口83bが設
けられており、それぞれ配管84、85を介して後述す
るようにシステム外部に排出されるようになっている。
タンク83の外にはタンク内の液面を検出するための液
面センサ86、87がそれぞれ所定の高さ位置に設けら
れている。
In the cup CP, one chamber is formed by the outer peripheral wall surface, the inner peripheral wall surface, and the bottom surface.
One or a plurality of drain ports 81 are provided. The drain port 81 is connected to a tank 83 via a drain pipe 82. The tank 83 is a closed container, and has a drain port 83a provided on the bottom surface thereof and an exhaust port 83b provided on the top surface thereof, so that the tank 83 is discharged to the outside of the system via pipes 84 and 85 as described later. Has become.
Outside the tank 83, liquid level sensors 86 and 87 for detecting the liquid level in the tank are respectively provided at predetermined height positions.

【0043】レジスト塗布時や現像時に、半導体ウエハ
Wから四方へ飛散したレジスト液は、実線Bで示すよう
にカップCPの中に回収され、廃液としてカップCPの
底のドレイン口81からドレイン管82を通ってタンク
83へ送られる。この際、カップCP内のガスも排気ガ
スとして、廃液と一緒にドレイン口81から排出され
る。 タンク83にはシンナー等の溶媒が図示しない配
管を介して供給されており、レジストは固化することな
く液状のままタンク内に一時的に貯留される。タンク8
3内の液面が上限位置まで上昇すると液面センサ86か
らの出力信号SHに応動して制御回路(図示せず)が配
管84の開閉弁88を開け、タンク83内の液面が下限
位置まで下降すると液面センサ87からの出力信号SL
に応動して該制御回路が開閉弁88を閉めるようになっ
ている。このようにして、カップCPからの廃液は、タ
ンク83に一時的に貯留された後、配管84を通ってシ
ステム外へ送られる。一方、タンク83に送られて来た
排気ガスは、排気口83bから配管85を通ってシステ
ム外へ送られる。
The resist liquid scattered in all directions from the semiconductor wafer W during resist coating and development is collected in the cup CP as shown by a solid line B, and is drained from the drain port 81 at the bottom of the cup CP to the drain pipe 82 as waste liquid. Through the tank 83. At this time, the gas in the cup CP is also exhausted from the drain port 81 together with the waste liquid as exhaust gas. A solvent such as thinner is supplied to the tank 83 via a pipe (not shown), and the resist is temporarily stored in the tank in a liquid state without solidification. Tank 8
When the liquid level in the tank 3 rises to the upper limit position, a control circuit (not shown) opens the on-off valve 88 of the pipe 84 in response to the output signal SH from the liquid level sensor 86, and the liquid level in the tank 83 becomes lower limit position. When the output signal SL from the liquid level sensor 87 falls.
The control circuit closes the on-off valve 88 in response to the control signal. In this manner, the waste liquid from the cup CP is temporarily stored in the tank 83, and then sent out of the system through the pipe 84. On the other hand, the exhaust gas sent to the tank 83 is sent from the exhaust port 83b to the outside of the system through the pipe 85.

【0044】半導体ウエハWのウエハ表面にレジスト液
や現像液を供給するためのノズル89は、供給管90を
介してレジスト液や現像液の供給部(図示せず)に接続
されている。ノズル89は、カップCPの外側に配設さ
れたノズル待機部(図示せず)でノズルスキャンアーム
91の先端部に着脱可能に取り付けられ、スピンチャッ
ク71の上方に設定された所定の液吐出位置まで移送さ
れるようになっている。ノズルスキャンアーム91は、
ユニット底板73の上に一方向(Y方向)に敷設された
ガイドレール92上で水平移動可能な垂直支持部材93
の上端部に取り付けられており、図示しないY方向駆動
機構によって垂直支持部材93と一体にY方向で移動す
るようになっている。
A nozzle 89 for supplying a resist solution or a developing solution to the wafer surface of the semiconductor wafer W is connected via a supply pipe 90 to a resist liquid or developing solution supply section (not shown). The nozzle 89 is detachably attached to the tip of the nozzle scan arm 91 at a nozzle standby portion (not shown) disposed outside the cup CP, and has a predetermined liquid discharge position set above the spin chuck 71. To be transported. The nozzle scan arm 91 is
A vertical support member 93 that can move horizontally on a guide rail 92 laid in one direction (Y direction) on the unit bottom plate 73.
And is integrally moved with the vertical support member 93 in the Y-direction by a Y-direction drive mechanism (not shown).

【0045】図7はレジスト塗布ユニット(COT)お
よび現像ユニット(DEV)の排気路及び廃液路を示す
概略正面図である。
FIG. 7 is a schematic front view showing an exhaust path and a waste liquid path of the resist coating unit (COT) and the developing unit (DEV).

【0046】このレジスト塗布・現像処理システムで
は、レジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニッ
ト(DEV)から排出された排気ガス及び廃液は、排気
路及び廃液路を通りシステム外部に排出されるようにな
っている。
In this resist coating / developing system, the exhaust gas and the waste liquid discharged from the resist coating unit (COT) and the developing unit (DEV) are discharged to the outside of the system through the exhaust path and the waste liquid path. ing.

【0047】各現像ユニット(DEV)のタンク83の
排気用の配管85は、共通の排気路94に接続され、各
レジスト塗布ユニット(COT)のタンク83の排気用
の配管85は、共通の排気路95に接続され、これらの
排気路94、95は外部に導出されている。排気路9
4、95上には、それぞれ火災等の緊急時に排気路9
4、95を塞ぐ閉塞手段としての例えば閉塞機構96、
97が設けられている。
The exhaust pipe 85 of the tank 83 of each developing unit (DEV) is connected to a common exhaust path 94, and the exhaust pipe 85 of the tank 83 of each resist coating unit (COT) is connected to a common exhaust pipe. The exhaust passages 94 and 95 are connected to a passage 95 and are led to the outside. Exhaust passage 9
Exhaust passages 9 at the time of emergency such as fire, respectively
For example, a closing mechanism 96 as closing means for closing the
97 are provided.

【0048】また、各現像ユニット(DEV)のタンク
83の廃液用の配管84は、共通の廃液路98に接続さ
れ、各レジスト塗布ユニット(COT)のタンク83の
廃液用の配管84は、共通の廃液路99に接続され、こ
れらの廃液路98、99は外部に導出されている。
The waste liquid piping 84 of the tank 83 of each developing unit (DEV) is connected to a common waste liquid passage 98, and the waste liquid piping 84 of the tank 83 of each resist coating unit (COT) is shared. Are connected to a waste liquid path 99, and these waste liquid paths 98 and 99 are led out.

【0049】なお、上記の排気路96、97はそれぞれ
現像ユニット(DEV)及びレジスト塗布ユニット(C
OT)に対して別個に設けているが、1本の排気路に共
通化することも可能である。廃液路98、99について
も同様で、1本の廃液路に共通化することが可能であ
る。
The exhaust passages 96 and 97 are connected to the developing unit (DEV) and the resist coating unit (C
OT) is provided separately, but can be shared by one exhaust path. The same applies to the waste liquid passages 98 and 99, and it is possible to use one waste liquid passage in common.

【0050】図8は上述した閉塞手段としての閉塞機構
96、97の一例を示す図である。排気路94、95内
には、排気路94、95の内径とほぼ同一の円形の閉塞
板100が配置され、閉塞板100下部に設けられた軸
101は排気路94、95によってθ方向に回転可能に
支持され、閉塞板100上部に設けられた軸102は排
気路94、95によってθ方向に回転可能に支持されか
つ排気路94、95外に導出されている。
FIG. 8 is a diagram showing an example of the closing mechanisms 96 and 97 as the above-mentioned closing means. A circular closing plate 100 having substantially the same inner diameter as the exhaust passages 94 and 95 is disposed in the exhaust passages 94 and 95, and a shaft 101 provided below the closing plate 100 is rotated in the θ direction by the exhaust passages 94 and 95. The shaft 102 is supported so as to be rotatable, and is rotatably supported in the θ direction by the exhaust paths 94 and 95, and is led out of the exhaust paths 94 and 95.

【0051】上部軸102は回転モータ103に接続さ
れ、閉塞板100は回転モータ103によってθ方向に
回転駆動される。図8は緊急時の状態、つまり閉塞板1
00が排気路94、95を閉塞して排気ガスが通過でき
ない状態を示しており、通常時は閉塞板100はこの状
態からθ方向に90゜回転した状態にある。
The upper shaft 102 is connected to a rotary motor 103, and the closing plate 100 is driven to rotate in the θ direction by the rotary motor 103. FIG. 8 shows an emergency state, that is, the closing plate 1.
Reference numeral 00 denotes a state in which the exhaust passages 94 and 95 are closed so that the exhaust gas cannot pass therethrough. Normally, the closing plate 100 is in a state of being rotated 90 ° in the θ direction from this state.

【0052】図9はこのレジスト塗布・現像処理システ
ムの制御系の構成を示す図である。制御部104は、シ
ステム全体を統括的に制御するもので、例えば上述した
非常釦12、装置内の火災報知器13、14、15、そ
の他の各部より信号を入力し、警報ランプ11の点灯、
閉塞機構96、97の開閉、その他の各部を制御する。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a control system of the resist coating / developing processing system. The control unit 104 controls the entire system as a whole, and receives signals from, for example, the emergency button 12 described above, the fire alarms 13, 14, 15 and other units in the device, and turns on the alarm lamp 11,
The opening / closing of the closing mechanisms 96 and 97 and other components are controlled.

【0053】また、このレジスト塗布・現像処理システ
ムが例えば工場内に配置された場合、図9に示すよう
に、システム外に導出された排気路94、95は、工場
内に配設された排気路105に接続され、排気ガスはこ
の排気路105を介して例えば排気タンク(図示を省
略)に回収されるようになっている。また、このレジス
ト塗布・現像処理システムは、工場内に設置されたホス
トコンピュータ106に接続され、集中管理が行われる
ようになっている。例えばホストコンピュータ106に
は、工場内に設置された火災報知器107から火災が発
生したことを表す信号を受信すると、そのことをこのレ
ジスト塗布・現像処理システムへ通知する。
When the resist coating / developing processing system is arranged in a factory, for example, as shown in FIG. 9, exhaust paths 94 and 95 led out of the system are exhausted in the factory. The exhaust gas is connected to the passage 105, and is collected through, for example, an exhaust tank (not shown) through the exhaust passage 105. The resist coating / developing processing system is connected to a host computer 106 installed in a factory, so that centralized management is performed. For example, upon receiving a signal indicating that a fire has occurred from the fire alarm 107 installed in the factory, the host computer 106 notifies the resist coating / developing processing system of the signal.

【0054】ここで、制御部104による制御動作を説
明する。
Here, the control operation by the control unit 104 will be described.

【0055】例えばこのレジスト塗布・現像処理システ
ム内で火災が発生し、そのことがシステム内の火災報知
器13、14、15のいずれかによって検知されると、
その検知信号が制御部104に通知される。この通知を
受けた制御部104は警報ランプ11を点灯させると共
に、閉塞機構96、97の閉塞させるための閉塞信号を
送る。閉塞機構96、97では、モータ103が上記の
閉塞信号に応じて閉塞板100をθ方向に90゜回転し
て図8に示す状態とし、排気路94、95を閉塞する。
これにより、レジスト塗布・現像処理システム内の火気
が排気路94、95、105を介して外部に波及するこ
とはなくなる。すなわちレジスト液や現像液には通常シ
ンナー等の有機溶剤が含まれており、火気が溶媒雰囲気
が充満する排気路94、95、105を通り外部に及ぶ
恐れがあるが、上記の如く排気路94、95を閉塞する
ことによって排気路94、95と排気路105とが遮断
され、その様な事態が防止される。
For example, if a fire occurs in the resist coating / developing processing system and the fire is detected by any of the fire alarms 13, 14, 15 in the system,
The control unit 104 is notified of the detection signal. Upon receiving this notification, the control unit 104 turns on the alarm lamp 11 and sends a closing signal for closing the closing mechanisms 96 and 97. In the closing mechanisms 96 and 97, the motor 103 rotates the closing plate 100 by 90 ° in the θ direction according to the above-described closing signal to bring the state shown in FIG. 8 and close the exhaust passages 94 and 95.
Thus, the fire in the resist coating / developing processing system does not spread to the outside via the exhaust paths 94, 95, and 105. That is, the resist solution and the developing solution usually contain an organic solvent such as thinner, and the fire may reach the outside through the exhaust paths 94, 95, and 105 filled with the solvent atmosphere. , 95, the exhaust paths 94, 95 and the exhaust path 105 are shut off, thereby preventing such a situation.

【0056】一方、例えば工場内で火災が発生し、その
ことが火災報知器107によって検知されると、その検
知信号がホストコンピュータ106を介してシステム内
の制御部104に通知される。この通知を受けた制御部
104は上記と同様に警報ランプ11を点灯させると共
に、閉塞機構96、97を閉塞させるための閉塞信号を
送り、排気路94、95を閉塞する。これにより、工場
内の火気が排気路94、95、105を介してレジスト
塗布・現像処理システム内に波及することはなくなる。
On the other hand, when a fire occurs in a factory, for example, and the fire alarm 107 detects the fire, a detection signal is sent to the control unit 104 in the system via the host computer 106. The control unit 104 that has received the notification turns on the alarm lamp 11 in the same manner as described above, sends a closing signal for closing the closing mechanisms 96 and 97, and closes the exhaust paths 94 and 95. As a result, the fire in the factory does not spread through the exhaust passages 94, 95, and 105 into the resist coating and developing system.

【0057】また、作業者が非常釦12を押すと、この
通知を受けた制御部104は上記と同様に警報ランプ1
1を点灯させると共に、閉塞機構96、97の閉塞させ
るための閉塞信号を送り、排気路94、95を閉塞す
る。この非常釦12による閉塞動作は、例えば火災報知
器が作動しないような場合等に特に有効である。
When the operator presses the emergency button 12, the control unit 104 receiving the notification presses the alarm lamp 1 in the same manner as described above.
1 is turned on, and a closing signal for closing the closing mechanisms 96 and 97 is sent to close the exhaust paths 94 and 95. The closing operation by the emergency button 12 is particularly effective, for example, when the fire alarm does not operate.

【0058】なお、上述した実施の形態においては、火
災等の緊急時に警報ランプの点灯と閉塞機構の閉塞を行
うものであったが、さらに供給部から図6に示したノズ
ル89へのレジスト液や現像液の供給を停止するように
してもよい。これにより、火気の及ぶ範囲をより狭くで
きる。さらに、上記の閉塞動作後はレジスト塗布・現像
処理システム全体をシステムダウンさせてもよい。
In the above-described embodiment, the alarm lamp is turned on and the closing mechanism is closed in the event of an emergency such as a fire. However, the resist solution is supplied from the supply unit to the nozzle 89 shown in FIG. Alternatively, the supply of the developer may be stopped. Thereby, the range over which the fire reaches can be narrowed. Further, after the closing operation, the entire resist coating / developing processing system may be shut down.

【0059】また、上述した実施形態では、被処理体と
して半導体ウエハを例に取り説明したが、これにに限る
ものでなく、本発明はLCD基板、ガラス基板、CD基
板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等に
も適用可能である。
In the above-described embodiment, the semiconductor wafer is described as an example of the object to be processed. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is applicable to an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, a printed substrate, and the like. It is also applicable to ceramic substrates and the like.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
装置内外の火災等の緊急時に処理室内の雰囲気を装置外
部に排出する排気路を塞ぐように構成したので、装置外
の火気が排気路を通り装置内に波及することや装置内の
火気が装置内から工場全体に波及することを防止でき
る。
As described in detail above, according to the present invention,
The exhaust path that discharges the atmosphere inside the processing chamber to the outside of the equipment in the event of an emergency such as a fire inside or outside the equipment is closed, so that the fire outside the equipment can spread through the exhaust path into the equipment and the fire inside the equipment can It can be prevented from spreading from inside to the whole factory.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の処理装置の一実施形態に係るレジスト
塗布・現像処理システムを示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / developing processing system according to an embodiment of a processing apparatus of the present invention.

【図2】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
の正面図である。
FIG. 2 is a front view of the resist coating and developing system shown in FIG.

【図3】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
の背面図である。
FIG. 3 is a rear view of the resist coating / developing processing system shown in FIG. 1;

【図4】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
における清浄空気の流れを示す概略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a flow of clean air in the resist coating / developing system shown in FIG.

【図5】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
における清浄空気の流れを示す概略図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a flow of clean air in the resist coating / developing processing system shown in FIG.

【図6】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
におけるレジスト塗布ユニット(COT)ないし現像ユ
ニット(DEV)の構成を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of a resist coating unit (COT) to a developing unit (DEV) in the resist coating / developing processing system shown in FIG.

【図7】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
におけるレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユ
ニット(DEV)の排気路及び廃液路を示す概略正面図
である。
7 is a schematic front view showing an exhaust path and a waste liquid path of a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) in the resist coating / developing processing system shown in FIG.

【図8】図7に示した閉塞機構の構成例を示す図であ
る。
8 is a diagram illustrating a configuration example of a closing mechanism illustrated in FIG. 7;

【図9】図1に示したレジスト塗布・現像処理システム
の制御系の構成を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a control system of the resist coating / developing processing system shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 警報ランプ 12 異常釦 13、14、15 火災報知器 94、95 排気路 96、97 閉塞機構 104 制御部 106 ホストコンピュータ W ウエハ COT レジスト塗布ユニット DEV 現像ユニット Reference Signs List 11 alarm lamp 12 abnormal button 13, 14, 15 fire alarm 94, 95 exhaust path 96, 97 closing mechanism 104 control unit 106 host computer W wafer COT resist coating unit DEV developing unit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体に対して有機溶剤を使う処理を
施す処理室と、 前記処理室内の雰囲気を装置外部に排出する排気路と、 緊急時に前記排気路を塞ぐ閉塞手段とを具備することを
特徴とする処理装置。
1. A processing chamber for performing a process using an organic solvent on an object to be processed, an exhaust path for exhausting an atmosphere in the processing chamber to the outside of the apparatus, and a closing means for closing the exhaust path in an emergency. A processing device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 被処理体に対して有機溶剤を使う処理を
施す処理室と、 前記処理室内の雰囲気を装置外部に排出する排気路と、 装置外部より火災検知信号を入力する入力手段と、 前記火災検知信号を入力したとき、前記排気路を塞ぐ閉
塞手段とを具備することを特徴とする処理装置。
2. A processing chamber for performing processing using an organic solvent on an object to be processed, an exhaust path for exhausting the atmosphere in the processing chamber to the outside of the apparatus, and input means for inputting a fire detection signal from outside the apparatus. A processing device, comprising: a closing unit that closes the exhaust path when the fire detection signal is input.
【請求項3】 被処理体に対して有機溶剤を使う処理を
施す処理室と、 前記処理室内の雰囲気を装置外部に排出する排気路と、 装置内の火災を検知する火災検知手段と、 前記火災検知手段が火災を検知したとき、前記排気路を
塞ぐ閉塞手段とを具備することを特徴とする処理装置。
3. A processing chamber for performing processing using an organic solvent on an object to be processed, an exhaust path for exhausting an atmosphere in the processing chamber to the outside of the apparatus, fire detection means for detecting a fire in the apparatus, A processing apparatus comprising: a closing unit that closes the exhaust path when the fire detecting unit detects a fire.
【請求項4】 被処理体に対して有機溶剤を使う処理を
施す処理室と、 前記処理室内の雰囲気を装置外部に排出する排気路と、 非常釦と、 前記非常釦が押されたとき、前記排気路を塞ぐ閉塞手段
とを具備することを特徴とする処理装置。
4. A processing chamber for performing processing using an organic solvent on an object to be processed, an exhaust path for exhausting an atmosphere in the processing chamber to the outside of the apparatus, an emergency button, and when the emergency button is pressed, And a closing means for closing the exhaust passage.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の処理装
置であって、 前記閉塞手段によって前記排気路が塞がれたことを報知
する報知手段をさらに具備することを特徴とする処理装
置。
5. The processing apparatus according to claim 1, further comprising a notifying unit for notifying that the exhaust path has been closed by the closing unit. apparatus.
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