JPH10144259A - 高圧メタルハライドランプ - Google Patents
高圧メタルハライドランプInfo
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- JPH10144259A JPH10144259A JP9317616A JP31761697A JPH10144259A JP H10144259 A JPH10144259 A JP H10144259A JP 9317616 A JP9317616 A JP 9317616A JP 31761697 A JP31761697 A JP 31761697A JP H10144259 A JPH10144259 A JP H10144259A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
- H01J61/125—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having an halogenide as principal component
-
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- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/82—Lamps with high-pressure unconstricted discharge having a cold pressure > 400 Torr
- H01J61/827—Metal halide arc lamps
Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電管2、両側の電極4、5およびイオン化
可能な封入物を備え、この封入物が少なくとも一種の不
活性ガス、水銀、少なくとも一種のハロゲンおよびハロ
ゲン化物を形成するための以下の元素並びに希土類金属
のジスプロシウムおよび/又はガドリニウムの両方およ
び一方を含み、前記元素がタリウム、ハフニウムであ
り、そのハフニウムが全部あるいは一部がジルコンと換
えられるような高圧メタルハライドランプを、4000
〜7000Kの色温度、演色性Ra≧80および同時に
改善された失透挙動を有するように改良し、更に光束を
高め、特に輝度を高める。 【解決手段】 封入物が追加的にイットリウムを含み、
特に従来通常の希土類金属の量が部分的にモル等価的な
量のイットリウムと置換される。
可能な封入物を備え、この封入物が少なくとも一種の不
活性ガス、水銀、少なくとも一種のハロゲンおよびハロ
ゲン化物を形成するための以下の元素並びに希土類金属
のジスプロシウムおよび/又はガドリニウムの両方およ
び一方を含み、前記元素がタリウム、ハフニウムであ
り、そのハフニウムが全部あるいは一部がジルコンと換
えられるような高圧メタルハライドランプを、4000
〜7000Kの色温度、演色性Ra≧80および同時に
改善された失透挙動を有するように改良し、更に光束を
高め、特に輝度を高める。 【解決手段】 封入物が追加的にイットリウムを含み、
特に従来通常の希土類金属の量が部分的にモル等価的な
量のイットリウムと置換される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、放電管、2つの電
極およびイオン化可能な封入物を備え、この封入物が少
なくとも一種の不活性ガス、水銀、少なくとも一種のハ
ロゲン、およびハロゲン化物を形成するための以下の元
素並びに希土類金属であるジスプロシウム(Dy)およ
び/又はガドリニウム(Cd)の両方または一方を含
み、前記ハロゲン化物を形成するための元素がタリウム
(T1)、ハフニウム(Hf)であり、そのハフニウム
(Hf)が全部あるいは一部がジルコン(Zr)と置換
される高圧メタルハライドランプに関する。
極およびイオン化可能な封入物を備え、この封入物が少
なくとも一種の不活性ガス、水銀、少なくとも一種のハ
ロゲン、およびハロゲン化物を形成するための以下の元
素並びに希土類金属であるジスプロシウム(Dy)およ
び/又はガドリニウム(Cd)の両方または一方を含
み、前記ハロゲン化物を形成するための元素がタリウム
(T1)、ハフニウム(Hf)であり、そのハフニウム
(Hf)が全部あるいは一部がジルコン(Zr)と置換
される高圧メタルハライドランプに関する。
【0002】
【従来の技術】この種の高圧メタルハライドランプは特
にヨーロッパ特許出願公開第0702394A2号明細
書で知られている。この種のランプは就中良好な演色性
から極めて良好な演色性(Ra≧80)および約400
0〜7000Kの色温度によって特徴づけられる。この
値は例えば70lm/W以上の効率で達成される。従っ
てこのランプは全般照明並びに特殊な照明目的例えば映
写技術照明、効果照明、舞台照明のため並びに写真撮
影、映画撮影およびテレビジョン撮影のために適してい
る。電力消費量は約35〜5000Wである。全般照明
に対する代表的な電力段階は150Wと400Wであ
る。特殊照明例えばビデオ映写に対しては一般により高
いワット数が必要であり、例えば575W以上が必要で
ある。
にヨーロッパ特許出願公開第0702394A2号明細
書で知られている。この種のランプは就中良好な演色性
から極めて良好な演色性(Ra≧80)および約400
0〜7000Kの色温度によって特徴づけられる。この
値は例えば70lm/W以上の効率で達成される。従っ
てこのランプは全般照明並びに特殊な照明目的例えば映
写技術照明、効果照明、舞台照明のため並びに写真撮
影、映画撮影およびテレビジョン撮影のために適してい
る。電力消費量は約35〜5000Wである。全般照明
に対する代表的な電力段階は150Wと400Wであ
る。特殊照明例えばビデオ映写に対しては一般により高
いワット数が必要であり、例えば575W以上が必要で
ある。
【0003】ヨーロッパ特許出願公開第0702394
A2号明細書において、不活性ガス、水銀、ハロゲンお
よびハロゲン化物を形成するための元素であるタリウム
(Tl)、セシウム(Cs)およびハフニウム(Hf)
並びに希土類金属であるジスプロシウム(Dy)および
/又はガドリニウム(Gd)から成り、そのハフニウム
(Hf)が全部あるいは一部がジルコン(Zr)と置換
されているようなイオン化可能な封入物を備えた高圧メ
タルハライドランプが開示されている。
A2号明細書において、不活性ガス、水銀、ハロゲンお
よびハロゲン化物を形成するための元素であるタリウム
(Tl)、セシウム(Cs)およびハフニウム(Hf)
並びに希土類金属であるジスプロシウム(Dy)および
/又はガドリニウム(Gd)から成り、そのハフニウム
(Hf)が全部あるいは一部がジルコン(Zr)と置換
されているようなイオン化可能な封入物を備えた高圧メ
タルハライドランプが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、明細
書冒頭に記載の高圧メタルハライドランプを、4000
〜7000Kの色温度、Ra≧80の演色性および同時
に改善された失透挙動を有するように改良することにあ
る。更に本発明の課題は光束を高め、特に輝度を高める
ことにある。
書冒頭に記載の高圧メタルハライドランプを、4000
〜7000Kの色温度、Ra≧80の演色性および同時
に改善された失透挙動を有するように改良することにあ
る。更に本発明の課題は光束を高め、特に輝度を高める
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、請求項1の特徴部分に記載の手段によって解決され
る。特に有利な実施態様は各従属請求項に記載されてい
る。
は、請求項1の特徴部分に記載の手段によって解決され
る。特に有利な実施態様は各従属請求項に記載されてい
る。
【0006】本発明の基本的な考えは、封入物にイット
リウム(Y)を的確に添加することにある。即ちこの処
置によって失透傾向を減少させられることが明らかにな
った。ガラス球の失透により、即ちガラス状状態から結
晶状態に変化することにより、ランプの点灯時間の増加
に伴って有効光束が減少する。更に失透の増大によっ
て、ガラス球の強度が悪くなるので、寿命が短くなる。
リウム(Y)を的確に添加することにある。即ちこの処
置によって失透傾向を減少させられることが明らかにな
った。ガラス球の失透により、即ちガラス状状態から結
晶状態に変化することにより、ランプの点灯時間の増加
に伴って有効光束が減少する。更に失透の増大によっ
て、ガラス球の強度が悪くなるので、寿命が短くなる。
【0007】更にイットリウムの添加によって、セシウ
ムの封入量を減少することができるばかりでなく、封入
物としてセシウムを全く無くすこともできる。この本発
明の有利な態様は正に映写用ランプにとって重要であ
る。封入物内のセシウムの量が減少されると、一方では
光束が高まり、他方では放電アークも増大する。しかも
その結果、映写技術にとって決定的に重要な放電アーク
の輝度が光束の増加に対して過比例的に高まる。このよ
うにして、イットリウムの添加封入量に応じてセシウム
の封入量を減少できるばかりでなく、セシウムを全く無
くすこともできるという大きな利点が明らかに得られ
る。
ムの封入量を減少することができるばかりでなく、封入
物としてセシウムを全く無くすこともできる。この本発
明の有利な態様は正に映写用ランプにとって重要であ
る。封入物内のセシウムの量が減少されると、一方では
光束が高まり、他方では放電アークも増大する。しかも
その結果、映写技術にとって決定的に重要な放電アーク
の輝度が光束の増加に対して過比例的に高まる。このよ
うにして、イットリウムの添加封入量に応じてセシウム
の封入量を減少できるばかりでなく、セシウムを全く無
くすこともできるという大きな利点が明らかに得られ
る。
【0008】封入物成分のセシウムにより光束が減少す
るので、セシウムの封入量を減少することは望ましいこ
とである。しかしこの処置は従来技術では無条件に放電
管の急速で明白な失透を生じてしまい、その結果これは
従来においては実行できなかった。本発明に基づくイッ
トリウムの添加によってはじめて、高電力のメタルハラ
イドランプの場合にも、失透を許容できない程高めるこ
となしにセシウム分量を減少することができる。
るので、セシウムの封入量を減少することは望ましいこ
とである。しかしこの処置は従来技術では無条件に放電
管の急速で明白な失透を生じてしまい、その結果これは
従来においては実行できなかった。本発明に基づくイッ
トリウムの添加によってはじめて、高電力のメタルハラ
イドランプの場合にも、失透を許容できない程高めるこ
となしにセシウム分量を減少することができる。
【0009】もっとも本発明に基づくイットリウム添加
形ランプの場合にも、封入物内のセシウムを完全に無く
した場合、失透傾向の増大は余儀なくされる。従って光
束および輝度の最大値が最も優先されるときにしか、セ
シウムを用いない封入物を選定することはできない。
形ランプの場合にも、封入物内のセシウムを完全に無く
した場合、失透傾向の増大は余儀なくされる。従って光
束および輝度の最大値が最も優先されるときにしか、セ
シウムを用いない封入物を選定することはできない。
【0010】既に上述したイットリウム並びに選択的な
セシウムの他に、放電管のイオン化可能な封入物は、な
お適当なハロゲン化物を形成するための以下の他の元素
並びに希土類金属であるジスプロシウム(Dy)および
/又はガドリニウム(Gd)の両方または一方を含み、
前記ハロゲン化物を形成するための元素がタリウム(T
l)、ハフニウム(Hf)であり、そのハフニウム(H
f)が全部あるいは一部がジルコン(Zr)と置換され
ている。更に封入物は少なくとも一種の不活性ガス、水
銀(Hg)および少なくとも一種のハロゲンを含んでい
る。ハロゲン化物を形成するためのハロゲンとして特に
ヨウ素(I)および/又は臭素(Br)が利用される。
代表的封入圧が約40kPaまでの不活性ガス例えばア
ルゴン(Ar)は放電を点弧するために使用される。所
望のランプ電圧は水銀(Hg)によって調整される。水
銀(Hg)の代表的な量は50〜100Vのランプ電圧
に対して放電管容積1cm3 当たり約10〜30mgで
ある。
セシウムの他に、放電管のイオン化可能な封入物は、な
お適当なハロゲン化物を形成するための以下の他の元素
並びに希土類金属であるジスプロシウム(Dy)および
/又はガドリニウム(Gd)の両方または一方を含み、
前記ハロゲン化物を形成するための元素がタリウム(T
l)、ハフニウム(Hf)であり、そのハフニウム(H
f)が全部あるいは一部がジルコン(Zr)と置換され
ている。更に封入物は少なくとも一種の不活性ガス、水
銀(Hg)および少なくとも一種のハロゲンを含んでい
る。ハロゲン化物を形成するためのハロゲンとして特に
ヨウ素(I)および/又は臭素(Br)が利用される。
代表的封入圧が約40kPaまでの不活性ガス例えばア
ルゴン(Ar)は放電を点弧するために使用される。所
望のランプ電圧は水銀(Hg)によって調整される。水
銀(Hg)の代表的な量は50〜100Vのランプ電圧
に対して放電管容積1cm3 当たり約10〜30mgで
ある。
【0011】タリウム(Tl)、ジスプロシウム(D
y)および場合によってはガドリニウム(Gd)のモル
封入量は、それぞれ代表的には放電管容積1cm3 当た
り15μmol以下、30μmol以下、および0.6
μmol以下である。ハフニウム(Hf)および/又は
ジルコン(Zr)のモル封入量は放電管容積1cm3 当
たり0.005〜35μmol、特に0.05〜5μm
olである。選択的なセシウムの封入量は場合によって
は放電管容積1cm3 当たり30μmol以下である。
y)および場合によってはガドリニウム(Gd)のモル
封入量は、それぞれ代表的には放電管容積1cm3 当た
り15μmol以下、30μmol以下、および0.6
μmol以下である。ハフニウム(Hf)および/又は
ジルコン(Zr)のモル封入量は放電管容積1cm3 当
たり0.005〜35μmol、特に0.05〜5μm
olである。選択的なセシウムの封入量は場合によって
は放電管容積1cm3 当たり30μmol以下である。
【0012】この封入物系によれば、アーク長1mm当
たり(代表的には)>約60W、特に約140Wの高い
比アーク電力ないし高い壁負荷にもかかわらず、僅かな
失透傾向が得られる。
たり(代表的には)>約60W、特に約140Wの高い
比アーク電力ないし高い壁負荷にもかかわらず、僅かな
失透傾向が得られる。
【0013】本発明の他の利点は、ランプにおける要件
に応じてイットリウムの作用を一方では光学的特性が変
わらない状態で失透傾向を純粋に減少するために利用で
きることにある。しかし他方では、さもなければ失透傾
向を変えないまま光束ないし輝度を高めることもでき
る。更にそれらの中間の道を取ることもできる。
に応じてイットリウムの作用を一方では光学的特性が変
わらない状態で失透傾向を純粋に減少するために利用で
きることにある。しかし他方では、さもなければ失透傾
向を変えないまま光束ないし輝度を高めることもでき
る。更にそれらの中間の道を取ることもできる。
【0014】第1の変形例において、希土類金属例えば
ジスプロシウム(Dy)のイットリウムを含まない通常
の量の一部がイットリウムによってモル等価的に置換さ
れている。その場合、イットリウム(Y)と希土類金属
との代表的なモル比は0.5<Y/希土類金属<2であ
る。特に一つあるいは複数の希土類金属の量の50%が
イットリウムによってモル等価的に置換される。即ちイ
ットリウム(Y)と希土類金属例えばジスプロシウム
(Dy)とのモル比は有利には1である。
ジスプロシウム(Dy)のイットリウムを含まない通常
の量の一部がイットリウムによってモル等価的に置換さ
れている。その場合、イットリウム(Y)と希土類金属
との代表的なモル比は0.5<Y/希土類金属<2であ
る。特に一つあるいは複数の希土類金属の量の50%が
イットリウムによってモル等価的に置換される。即ちイ
ットリウム(Y)と希土類金属例えばジスプロシウム
(Dy)とのモル比は有利には1である。
【0015】第2の変形例において、セシウムのイット
リウムを含まない通常の量は追加的に、失透傾向がイッ
トリウム無しの封入物と変わらない程度に減少されてい
る。そのセシウムの量は添加されたイットリウムの量に
対してモル比において過比例的に減少させられる。
リウムを含まない通常の量は追加的に、失透傾向がイッ
トリウム無しの封入物と変わらない程度に減少されてい
る。そのセシウムの量は添加されたイットリウムの量に
対してモル比において過比例的に減少させられる。
【0016】希土類金属に対して従来通常の量の例えば
50%をモル等価的にイットリウムと置換することおよ
び従来通常の量のセシウムを半分にすることが有利であ
ることが実証されている。
50%をモル等価的にイットリウムと置換することおよ
び従来通常の量のセシウムを半分にすることが有利であ
ることが実証されている。
【0017】放電管は特に良好な演色性のために排気さ
れている外管の内部で点灯される。寿命を高めるために
外管はガス封入物例えば70kPaまでの窒素(N2 )
あるいは40kPaまでの炭酸ガス(CO2 )を含んで
いるが、演色性は幾分減少される。
れている外管の内部で点灯される。寿命を高めるために
外管はガス封入物例えば70kPaまでの窒素(N2 )
あるいは40kPaまでの炭酸ガス(CO2 )を含んで
いるが、演色性は幾分減少される。
【0018】
【実施例】以下図面に示した実施例を参照して本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0019】図1には映写用の575Wランプ1が概略
的に示されている。このランブは両側が密封された石英
ガラス製の放電管2から成り、この放電管2は排気され
た片口金形の筒形外管3によって包囲されている。外管
3は一端に円蓋17を有し、その反対側端にピンチを有
し、ソケット19(形式G22)の中にパテ接合されて
いる。互いに4mmの間隔を隔てて対向して配置された
電極4、5はモリブデン製の薄膜6、7によって放電管
2の中に気密に封入されている。リード8、9はそれぞ
れ堅固なリード線20、21の一端に接続されている。
これらのリード線20、21の他端は外管3の脚部の中
に圧入され、これによって放電管2は外管3の内部にお
いて軸方向に固定されている。リード線20、21は外
管3の脚部のシール薄膜22、23および他の短いリー
ドを介してソケット19の電気接続端子24、25に接
続されている。ソケット19内において両接続端子2
4、25間に配置された雲母板26は電気絶縁の作用を
している。
的に示されている。このランブは両側が密封された石英
ガラス製の放電管2から成り、この放電管2は排気され
た片口金形の筒形外管3によって包囲されている。外管
3は一端に円蓋17を有し、その反対側端にピンチを有
し、ソケット19(形式G22)の中にパテ接合されて
いる。互いに4mmの間隔を隔てて対向して配置された
電極4、5はモリブデン製の薄膜6、7によって放電管
2の中に気密に封入されている。リード8、9はそれぞ
れ堅固なリード線20、21の一端に接続されている。
これらのリード線20、21の他端は外管3の脚部の中
に圧入され、これによって放電管2は外管3の内部にお
いて軸方向に固定されている。リード線20、21は外
管3の脚部のシール薄膜22、23および他の短いリー
ドを介してソケット19の電気接続端子24、25に接
続されている。ソケット19内において両接続端子2
4、25間に配置された雲母板26は電気絶縁の作用を
している。
【0020】封入物は60mgの水銀(Hg)および2
2kPaのアルゴン(Ar)を基礎ガスとして含んでい
る。更に放電管2は以下の表1に記載されている封入物
成分をその表に記載されている単位量で含んでいる。表
2にはそこから計算されるモル量並びにそれに応じた放
電管の容積当たりの値が記されている。
2kPaのアルゴン(Ar)を基礎ガスとして含んでい
る。更に放電管2は以下の表1に記載されている封入物
成分をその表に記載されている単位量で含んでいる。表
2にはそこから計算されるモル量並びにそれに応じた放
電管の容積当たりの値が記されている。
【0021】
【表1】 図1におけるランプの金属ハロゲン化物の組成成分 量(mg) CsI 0.4 TlI 0.25 Dy 0.21 Y 0.11 Hf 0.14 HgI2 2.6 HgBr2 3.4
【0022】
【表2】 表1における主要な封入物成分のモル量 成分 量(μmol) 量(μmol/cm3 ) Cs 1.54 0.440 Tl 0.75 0.216 Dy 1.29 0.369 Y 1.24 0.354 Hf 0.78 0.224
【0023】電極間隔は4mm、放電管容積は約3.5
cm3 である。比アーク電力およびランプ電圧はそれぞ
れアーク長1mm当たり約144Wおよび62Vであ
る。表3は得られた光学的値を示している。
cm3 である。比アーク電力およびランプ電圧はそれぞ
れアーク長1mm当たり約144Wおよび62Vであ
る。表3は得られた光学的値を示している。
【0024】
【表3】 表1における封入物で得られた光学的値 光束(1m) 48000 効率(lm/W) 84 色温度(K) 6000 Ra 85 R9 >50 寿命 >1000
【0025】電極距離が4mmと短く且つセシウム分量
が僅かであるので、約48klmの光束が得られ、これ
に応じて高い輝度が生ずる。これによってランプは特に
ビデオ映写機に使用するのに好適である。失透傾向が僅
かであるので、1000h以上の平均寿命が得られる。
が僅かであるので、約48klmの光束が得られ、これ
に応じて高い輝度が生ずる。これによってランプは特に
ビデオ映写機に使用するのに好適である。失透傾向が僅
かであるので、1000h以上の平均寿命が得られる。
【0026】図1におけるランプの従来の封入物と本発
明の封入物との比較により本発明の有利な効果を更に明
らかにする(表4参照)。この場合それぞれの封入物
は、両者の失透傾向が同じであるように選択した。封入
物Iは従来技術におけるイットリウムを含まない封入物
であり、封入物IIは本発明に基づく封入物である。こ
こでは元来のジスプロシウム量の半分がモル等価量のイ
ットリウムと置換されている。更にセシウムの封入量は
封入物Iに比べて半分に減少されている。表4に示され
ているように、本発明に基づく封入物IIによれば、約
4%ほど高い光束(φ)およびそれでも約17%ほど高
い輝度(L)が得られる。
明の封入物との比較により本発明の有利な効果を更に明
らかにする(表4参照)。この場合それぞれの封入物
は、両者の失透傾向が同じであるように選択した。封入
物Iは従来技術におけるイットリウムを含まない封入物
であり、封入物IIは本発明に基づく封入物である。こ
こでは元来のジスプロシウム量の半分がモル等価量のイ
ットリウムと置換されている。更にセシウムの封入量は
封入物Iに比べて半分に減少されている。表4に示され
ているように、本発明に基づく封入物IIによれば、約
4%ほど高い光束(φ)およびそれでも約17%ほど高
い輝度(L)が得られる。
【0027】
【表4】 図1のランプにおける従来の封入物と本発明の封入物と
で得られた光学的値の比較
で得られた光学的値の比較
【図1】電力消費量575Wの両側が密封された放電管
を備えた映写用の片口金形高圧放電ランプの概略構成
図。
を備えた映写用の片口金形高圧放電ランプの概略構成
図。
1 高圧放電ランプ 2 放電管 3 外管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドレアス ゲンツ ドイツ連邦共和国 12159 ベルリン フ レーゲシユトラーセ 11
Claims (12)
- 【請求項1】 放電管(2)、2つの電極(4、5)お
よびイオン化可能な封入物を備え、この封入物が少なく
とも一種の不活性ガス、水銀、少なくとも一種のハロゲ
ン、およびハロゲン化物を形成するための以下の元素並
びに希土類金属であるジスプロシウム(Dy)および/
又はガドリニウム(Gd)の両方または一方を含み、前
記ハロゲン化物を形成するための元素がタリウム(T
l)、ハフニウム(Hf)であり、そのハフニウム(H
f)が全部あるいは一部がジルコン(Zr)と置換され
る高圧メタルハライドランプにおいて、封入物が追加的
にイットリウム(Y)を含んでいることを特徴とする高
圧メタルハライドランプ。 - 【請求項2】 イットリウム(Y)と希土類金属とのモ
ル比が0.5<Y/希土類元素<2の範囲にあることを
特徴とする請求項1記載のランプ。 - 【請求項3】 イットリウム(Y)と希土類金属とのモ
ル比が特に1であることを特徴とする請求項2記載のラ
ンプ。 - 【請求項4】 ジスプロシウム(Dy)の封入量が放電
管容積1cm3 当たり30μmol以下であることを特
徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のラン
プ。 - 【請求項5】 ガドリニウム(Gd)の封入量が放電管
容積1cm3 当たり0〜0.6μmolであることを特
徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のラン
プ。 - 【請求項6】 高い光束および/又は高い輝度が最も優
先される用途に対して、封入物がセシウムを含んでいな
いことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに
記載のランプ。 - 【請求項7】 特に僅かな失透傾向を得るために、封入
物が放電管容積1cm3 当たり30μmol以下のセシ
ウムを選択的に補助的に含んでいることを特徴とする請
求項1ないし5のいずれか1つに記載のランプ。 - 【請求項8】 タリウム(Tl)の封入量が放電管容積
1cm3 当たり15μmol以下であることを特徴とす
る請求項1ないし7のいずれか1つに記載のランプ。 - 【請求項9】 ハフニウム(Hf)および/又はジルコ
ン(Zr)の封入量が放電管容積1cm3 当たり0.0
05〜35μmolであり、特に放電管容積1cm3 当
たり0.05〜5μmolであることを特徴とする請求
項1ないし8のいずれか1つに記載のランプ。 - 【請求項10】 比アーク電力がアーク長1mm当たり
80W以上であり、特にアーク長1mm当たり120W
以上であることを特徴とする請求項1ないし9のいずれ
か1つに記載のランプ。 - 【請求項11】 ハロゲン化物を形成するためのハロゲ
ンとしてヨウ素および/又は臭素が利用されることを特
徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載のラ
ンプ。 - 【請求項12】 放電管(2)が片口金形あるいは両口
金形の外管(3)の内部に配置されていることを特徴と
する請求項1ないし11のいずれか1つに記載のラン
プ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19645959A DE19645959A1 (de) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | Metallhalogenid-Hochdruckentladungslampe |
DE19645959.1 | 1996-11-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10144259A true JPH10144259A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=7810953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9317616A Pending JPH10144259A (ja) | 1996-11-07 | 1997-11-04 | 高圧メタルハライドランプ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5929563A (ja) |
EP (1) | EP0841686B1 (ja) |
JP (1) | JPH10144259A (ja) |
CA (1) | CA2218631C (ja) |
DE (2) | DE19645959A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6265827B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mercury-free metal halide lamp |
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US6555972B1 (en) | 2000-06-13 | 2003-04-29 | Lighttech, Group, Inc. | High frequency, high efficiency electronic lighting system with metal halide lamp |
US6555971B1 (en) | 2000-06-13 | 2003-04-29 | Lighttech Group, Inc. | High frequency, high efficiency quick restart lighting system |
US6608450B2 (en) | 2000-06-13 | 2003-08-19 | Lighttech Group, Inc. | High frequency, high efficiency electronic lighting system with sodium lamp |
DE10044563A1 (de) * | 2000-09-08 | 2002-03-21 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe mit kupferhaltiger Gasfüllung |
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US8368303B1 (en) | 2004-06-21 | 2013-02-05 | Imaging Systems Technology, Inc. | Gas discharge device with electrical conductive bonding material |
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US8410695B1 (en) | 2006-02-16 | 2013-04-02 | Imaging Systems Technology | Gas discharge device incorporating gas-filled plasma-shell and method of manufacturing thereof |
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DE2362923C3 (de) * | 1973-12-18 | 1981-04-30 | Dr. Jacob, Chemische Fabrik Kg, 6550 Bad Kreuznach | Verfahren zur Herstellung von Ammoniumrhodanid |
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-
1996
- 1996-11-07 DE DE19645959A patent/DE19645959A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-09-08 EP EP97115535A patent/EP0841686B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-08 DE DE59705467T patent/DE59705467D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-14 US US08/949,546 patent/US5929563A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-20 CA CA002218631A patent/CA2218631C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-04 JP JP9317616A patent/JPH10144259A/ja active Pending
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CA2218631C (en) | 2005-05-17 |
EP0841686B1 (de) | 2001-11-21 |
US5929563A (en) | 1999-07-27 |
EP0841686A2 (de) | 1998-05-13 |
CA2218631A1 (en) | 1998-05-07 |
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