JPH10142618A

JPH10142618A - 液晶表示素子の製造方法

Info

Publication number: JPH10142618A
Application number: JP31261596A
Authority: JP
Inventors: Jun Ogura; 潤小倉; Satoru Shimoda; 悟下田; Tomio Tanaka; 富雄田中; Tetsushi Yoshida; 哲志吉田
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1996-11-11
Filing date: 1996-11-11
Publication date: 1998-05-29

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶の組成を変化させることなく、高品質の
画像を表示することができる液晶表示素子を製造するこ
とができる液晶表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】脱泡したスメクティック相の液晶を、加
熱しつつ液晶セルに注入する製造方法において、脱泡時
の液晶の加熱時間と注入時の液晶の加熱時間を１時間以
下とし、かつ、加熱温度をアイソトロピック相とスメク
ティック相との転移温度より１０℃から３０℃高い温度
に抑える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示素子の
製造方法に関し、特に、液晶セルに液晶を注入する方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】高速応答性および広視野角を有する液晶
表示素子として、反強誘電性液晶もしくは強誘電性液晶
を液晶材料として用いた液晶表示素子が注目されてい
る。反強誘電性液晶もしくは強誘電性液晶を液晶材料と
して用いた液晶表示素子は、所定方向にラビングなどの
配向処理が施された、一対の基板を接合して形成した液
晶セルに、真空注入法などにより液晶を注入して製造さ
れる。

【０００３】反強誘電性液晶や強誘電性液晶などの液晶
材料は、粘性が高いため、液晶材料を液晶状態のまま注
入すると、注入された液晶の流動により、液晶分子間に
揃断応力が働く。このため、液晶分子の流れに沿って液
晶分子が配列し、一軸配向がえられず、配向欠陥が生じ
る。

【０００４】配向欠陥を防止して安定した液晶分子の一
軸配向を得るために、液晶を加熱して等方性液晶相状態
にして液晶セルへ注入する工程が一般に採用されてい
る。

【０００５】液晶を液晶セルに注入する工程は、真空チ
ャンバ内で行われ、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
液晶の脱泡及びセルの脱気から液晶注入の終了まで液晶
及び液晶セルを加熱して行われる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示素子の
製造方法では、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、液晶
は、脱泡から注入までの間、連続的に長時間加熱されて
いる。このため、液晶成分が揮発して液晶の組成が変化
し、液晶の動作特性が劣化する。その結果コントラスト
が低下し、表示品質が低下する。

【０００７】この発明は、上記実状に鑑みてなされたも
ので、液晶の注入時の液晶組成物の変化を防止して、高
品質の画像を表示することができる液晶表示素子を製造
する方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点にかかる液晶表示素子の製造
方法は、互いに対向する面に電極が形成された一対の基
板と、液晶注入口を有し、前記一対の基板を接合するシ
ール材とにより構成される液晶セルに、液晶を加熱及び
減圧して脱泡した後、前記液晶注入口より該液晶を加熱
しつつ注入する液晶表示素子の製造方法において、前記
液晶の脱泡から前記液晶の注入までの間に、前記液晶を
冷却する冷却工程を備えることを特徴とする。

【０００９】この構成によれば、冷却工程を配置してい
るので、従来の製造方法よりも液晶の加熱時間が短く、
加熱による液晶の劣化と液晶組成の変質を抑えることが
でき、配向欠陥を従来の製造方法に比べ減少させること
ができる。従って、コントラストの高い、高品質の画像
を表示することができる。

【００１０】前記液晶の加熱時間が１時間以下であり、
かつ、液晶の加熱温度がアイソトロピック相とスメクテ
ィック相との転移温度より１０℃から３０℃高温である
ことが望ましい。

【００１１】この構成によれば、液晶注入時の液晶の加
熱時間が１時間以内で比較的短く且つ加熱温度も相転移
温度の１０℃〜３０℃高い温度にとどめることにより、
液晶成分の揮発を抑えることができ、しかも、加熱によ
る液晶の劣化や液晶組成の変質を抑えることができ、配
向欠陥が少なく、高い品質の画像を表示できる液晶表示
素子を提供できる。

【００１２】なお、脱泡のための加熱時間と注入のため
の加熱時間の合計が１時間以下となるように制御するこ
とが望ましい。

【００１３】液晶の注入にディスペンサ法を用いる場合
には、前記液晶注入口に前記液晶をディスペンサより滴
下し、滴下した前記液晶を加熱しつつ前記液晶注入口よ
り前記液晶セルに注入しつつ、且つ、滴下後、前記ディ
スペンサ内の液晶を冷却することが望ましい。

【００１４】ディスペンサ内の液晶は、複数の液晶セル
に注入されるために繰り返して加熱される。この構成に
よれば、液晶滴下後のディスペンサ内の液晶を冷却する
ので、液晶の総加熱時間が従来よりも大幅に短くなり、
液晶組成の劣化や変化が少ない。これにより、液晶の配
向欠陥が抑えられ、コントラストの高い、高品質の画像
を表示する液晶表示素子が得られる。

【００１５】スメクティック相の液晶は、層構造を有
し、一部のスメクティック層での配向欠陥が、他のスメ
クティック層の配向にも影響を与えてしまい、配向欠陥
による影響が大きい。この発明によれば、配向欠陥を低
減できるので、スメクティック相の液晶等の層構造を有
する液晶を用いた液晶表示素子に特に適している。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態にか
かる液晶表示素子の製造方法を図面を参照して説明す
る。まず、図１を参照して、この実施の形態により製造
される液晶表示素子の構造について説明し、続いて、こ
の構造を参照しつつその製造方法を説明する。

【００１７】この液晶表示素子は、アクティブマトリク
ス方式のものであり、図１に示すように、一対の透明基
板（例えば、ガラス基板）１１、１２と、透明基板１
１、１２の間に配置された液晶２１と、透明基板１１、
１２を挟んで配置された一対の偏光板２３、２４と、か
ら構成されている。

【００１８】図１において下側の透明基板（以下、下基
板）１１には、ＩＴＯ（酸化インジウム）等の透明導電
材料から構成された画素電極１３と画素電極１３にソー
スが接続された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）１４
とがマトリクス状に形成されている。

【００１９】図１において、上側の透明基板（以下、上
基板）１２には、下基板１１の各画素電極１３と対向
し、共通電圧Ｖcomが印加されている対向（共通）電極
１７が形成されている。共通電極１７は、例えば、ＩＴ
Ｏ等から形成された透明電極である。

【００２０】下基板１１と上基板１２の電極形成面に
は、それぞれ配向膜１８、１９が設けられている。配向
膜１８、１９は有機高分子化合物からなる水平配向膜で
あり、その対向する面の少なくとも一方には、例えば、
互いに平行で且つ逆方向に１回ずつラビングする配向処
理が施されている。配向膜１８、１９は、ポリイミド、
例えば、炭素数が大きい直鎖アルキル基を含むポリイミ
ド等から構成される。

【００２１】下基板１１と上基板１２はシール材２０を
介して接着され、液晶セル２５を構成している。シール
材２０は下基板１１と上基板１２の外周縁部に枠状に形
成されている。シール材２０には液晶注入用の開口（液
晶注入口）２０Ａが形成され、この開口２０Ａは封止材
２０Ｂにより封止されている。液晶２１は、基板１１、
１２とシール材２０で囲まれた領域に封入されている。

【００２２】また、液晶２１は、常温且つバルクの状態
では、分子の一重螺旋構造（強誘電性液晶の場合）又は
二重螺旋構造（反強誘電性液晶の場合）を有し、液晶セ
ル２５のギャップ長が螺旋ピッチよりも短いため、螺旋
が解けた状態で液晶セル２５に封入されている。また、
液晶２１は、各分子が自発分極Ｐｓを有し、望ましく
は、分子が描くコーンの軸とコーンの成す角（チルト
角）θの２倍（コーンアングル）の２θが４５゜より大
きい（望ましくは、６０゜以上）カイラルスメクティッ
クＣ相又はＣA相（ＳｍＣ^*又はＳｍＣA^*）の液晶組成物
（強誘電性液晶又は反強誘電性液晶）からなり、アイソ
トロピック相とスメクティック相との相転移温度が例え
ば、７０℃〜９０℃である。

【００２３】この液晶２１は、そのダイレクタ（液晶分
子の平均的な配向方向）の水平方向成分（基板１１、１
２の主面に平行な面上に投影した方向）が印加電圧に応
じて連続的に変化する。

【００２４】このような特性を有する液晶としては、例
えば、化学式１に示す骨格構造を有する液晶物質Ｉ〜II
Iをそれぞれ２０重量％、４０重量％、４０重量％の割
合で混合することにより得られる反強誘電性液晶があ
る。

【００２５】

【化１】

【００２６】また、図２は、液晶表示素子内部におけ
る、配向膜に施された配向処理の方向と、偏光板２３、
２４の光学軸（この実施の形態では透過軸）と、液晶２
１の液晶分子の配向方向との関係を示したものである。

【００２７】図２において、符号２１Ｃは配向膜に施さ
れた配向処理の方向を示す。液晶２１は、スメクティッ
ク相の層構造の層の法線２１Ｈが、０°〜±１０°程度
の交角φで、配向処理の方向２１Ｃに交差するように配
向している。

【００２８】負極性の所定の電圧−ＶＳより低い電圧を
液晶２１に印加した時、液晶２１は、第１の配向状態と
なり、液晶分子の配向方向はほぼ第１の方向２１Ａとな
る。正極性の所定の電圧＋ＶＳより高い電圧を液晶２１
に印加したとき、液晶２１は第２の配向状態となり、液
晶分子の配向方向はほぼ第２の方向２１Ｂとなる。一
方、印加電圧が０のとき、液晶分子の平均的な配向方向
（ダイレクタ）は液晶２１のスメクティック相の層構造
の層のほぼ法線方向（２１Ｈ）となる。

【００２９】偏光板２３の光学軸（この実施の形態では
透過軸）２３Ａは、スメクティック相の層構造の層の法
線２１Ｈに対し平行に設定されている。偏光板２４の透
過軸２４Ａは、偏光板２３の透過軸２３Ａとほぼ直交す
る方向に設定されている。

【００３０】図２に示すように偏光板２３、２４の透過
軸２３Ａ、２４Ａを設定した表示素子は、液晶分子の平
均的な配向方向（ダイレクタ）を偏光板２３の透過軸２
３Ａに平行に設定した時に透過率が最も低く（表示が最
も暗く）なり、液晶分子の平均的な配向方向を偏光板２
３の透過軸２３Ａに対し４５°の方向２１Ｄ又は２１Ｅ
に設定した時に透過率が最も高く（最も明るく）なり、
その中間の配向方向では、中間の透過率が得られる。従
って、印加電圧を調整することにより、任意の階調を表
示することができる。

【００３１】階調表示を再現性良く及び高品質で行うた
めには、二値表示の場合よりも、液晶の品質自体が高い
ことが要求される。また、スメクティック相の液晶は層
構造を有し、一部の層の配向欠陥が他の層にも波及し易
く、高品質の画像を表示するためには、配向欠陥の少な
いことが望まれる。このような要求を充足する液晶表示
素子を提供するため、この実施の形態においては、以下
に説明する製造方法を採用する。

【００３２】まず、下基板１１に画素電極１３、ＴＦＴ
１４等を形成し、さらに、これらの上にポリイミド配向
膜１８を形成する。さらに、配向膜１８の表面を所定方
向にラビングする。

【００３３】また、上基板１２上に共通電極１７を形成
し、さらに、共通電極１７の上にポリイミド配向膜１９
を形成する。さらに、配向膜１９の表面を所定方向にラ
ビングする。ラビングの方向は、配向膜１８に施したラ
ビングの方向と実質的に同一の方向である。

【００３４】次に、例えば、下基板１１上に、液晶注入
口２０Ａを有する未硬化のシール材２０を塗布する。さ
らに、スペーサ２２を散布する。

【００３５】続いて、両基板１１、１２を接合し液晶セ
ル２５を製造する。この際、配向膜１８と１９に施され
たラビングの方向は、後工程で注入される液晶の両基板
により規制されるスメクティック層が互いに一致するよ
うに、調整され、ほぼ平行に配置される。

【００３６】続いて、図３（Ａ）に示すように、液晶セ
ル２５の外部の圧力を制御し、液晶２１と液晶セル２５
の温度を図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように制御しなが
ら、図３（Ｄ）に示す処理により、液晶セル２５に液晶
２１を注入する。

【００３７】より具体的に説明すると、まず、図４
（Ａ）に示すように、液晶２１が未充填の液晶セル２５
を、注入用の液晶２１を保持するディスペンサ５２とラ
ンプヒータ５３が設置されたを真空チャンバ５１内に配
置する。ディスペンサ５２は、保持している液晶２１を
加熱するためのヒータ５２Ａを備える。

【００３８】次に、真空チャンバ５１内を真空ポンプ５
４により、図３（Ａ）に示すように減圧する。さらに、
ディスペンサ５２のヒータ５２Ａにより、内部の液晶２
１を図３（Ｂ）に示すように加熱する。ただし、液晶セ
ル２５の温度は図３（Ｃ）に示すように２５℃程度の常
温に維持する（図３（Ｄ）プロセスＰ１）。８分程度
で、真空チャンバ５１内の気圧を１．０×１０^-2Ｔｏｒ
ｒまで減圧し、ディスペンサ５２内の液晶２１をスメク
ティック相の転移温度より１０℃から３０℃高温の１０
０℃程度まで加熱する。真空チャンバ５１内の気圧とデ
ィスペンサ５２内の液晶２１の温度を２分程維持し、デ
ィスペンサ５２内の液晶２１内の気泡を除去（脱泡）す
る（プロセスＰ２）。

【００３９】続いて、真空チャンバ５１のバルブ５５を
開いて大気（又は窒素ガス等の不活性ガス）を導入し、
真空チャンバ５１内を常圧（約１．６×１０²Ｔａｒ
ｒ）に戻す。さらに、真空チャンバ５１内を自然冷却
し、液晶２１の温度を常温に戻す（プロセスＰ３）。

【００４０】続いて、常温のまま、真空チャンバ５１内
の気圧を１．０×１０^-2Ｔｏｒｒまで減圧し（プロセス
Ｐ４）、その状態を１５分程度維持し、液晶セル２５の
表面等に分子レベルで付着している気体分子を除去（脱
気）する（プロセスＰ５）。

【００４１】続いて、ディスペンサ５２内のヒータ５２
Ａに通電し、液晶２１を１００℃程度まで加熱する（プ
ロセスＰ６）。さらに、ランプヒータ５３を点灯して、
液晶セル２５を加熱する（プロセスＰ７）。

【００４２】液晶２１の温度と液晶セル２５の温度が共
に１００℃程度になると、図４（Ｂ）に示すように、デ
ィスペンサ５２より、液晶セル２５の液晶注入口２０Ａ
に液晶２１を滴下し、液晶注入口２０Ａを液晶２１で塞
ぐ（プロセスＰ８）。滴下後、ディスペンサ５２内の液
晶２１の劣化を防止するため、ヒータ５２Ａをオフす
る。このため、ディスペンサ５２内の液晶２１の温度は
漸次低下する。

【００４３】続いて、バルブ５５を開いて真空チャンバ
５１内に大気（又は不活性ガス）等を導入し、真空チャ
ンバ５１内の気圧を徐々に上昇させる。液晶セル２５内
の圧力（ほぼ真空）と真空チャンバ５１内の圧力との差
により、液晶注入口２０Ａを塞いでいる液晶２１に徐々
に増大する圧力が加わり、この液晶２１が液晶セル２５
内に注入される。この間、液晶セル２５および滴下され
た液晶２１を加熱し、液晶分子間に揃断応力が働かない
ようにする（プロセスＰ９）。ただし、液晶２１の揮
発、劣化、変質等が起こらないように、その温度を１０
０℃、すなわち、スメクティック相とアイソトロピック
相の相転移温度よりも１０℃〜３０℃高い程度に抑え、
また、プロセスＰ２での加熱時間と加算しても１時間以
下となるように、加熱時間を調整する。

【００４４】注入完了後、ランプヒータ５３をオフし
て、注入された液晶２１および液晶セル２５を冷却する
（プロセスＰ１０）。続いて、液晶セル２５を真空チャ
ンバ５１内から取り出し、液晶注入口２０Ａを熱硬化性
又は光硬化性の封止材で封止し、これが硬化して２０Ｂ
になる。

【００４５】続いて、偏光板２３と２４を液晶セル２５
の両側に配置して、液晶表示素子を完成する。なお、デ
ィスペンサ５２内の液晶は次の液晶セルの製造時に使用
される。

【００４６】以上説明したように、この液晶表示素子の
製造方法によれば、図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、
液晶セル２５に液晶２１を加熱しつつ注入する工程にお
いて、液晶の脱泡から液晶の注入までの間に、液晶２１
の冷却過程を設けているので従来の製造方法に比べ液晶
２１の加熱時間が短縮され、製造時の液晶２１の加熱時
間を１時間以下とすることができる。さらに、液晶注入
口２０Ａに液晶２１を滴下した後、ディスペンサ５２内
の液晶を冷却することにより、繰り返し加熱されるディ
スペンサ５２内の液晶の液晶組成の変化や変質を低減で
きる。

【００４７】また、加熱温度もスメクティック相とアイ
ソトロピック相との相転移温度よりも１０℃〜３０℃高
い程度に抑えられている。従って、液晶２１の揮発、劣
化、変質等が抑えられ、完成した液晶表示素子の電気―
光学特性が低下しないので、高品質の画像、特に階調画
像を表示することができる。

【００４８】また、液晶セル２５は、脱気から液晶注入
工程の直前まで雰囲気温度に維持されている。従って、
配向膜１８、１９が加熱される時間が短く、炭素数が大
きい直鎖アルキル基等の比較的熱に弱い材質を使用する
場合でも、劣化・変質が少ない。従って、配向膜１８、
１９の劣化等に起因する液晶２１の配向欠陥等の少ない
液晶表示素子を形成できる。

【００４９】本願発明の効果を確認するため、従来の製
造方法及び本実施の形態の製造方法により製造された液
晶表示素子の電極間に周期的な電圧を印加した場合の透
過率の変化の関係を測定した。その結果を図５（Ａ），
（Ｂ）に示す。

【００５０】図５（Ａ）は従来の液晶表示素子の電気―
光学特性であり、（Ｂ）は本願発明による液晶表示素子
の電気―光学特性を示している。これらの図５（Ａ）お
よび（Ｂ）によると、従来の製造方法による液晶表示素
子に、＋ＶＳより高い（−ＶＳより低い）電圧を印加し
た場合に見られるヒステリシス（磁気履歴）が、本実施
の形態の製造方法による液晶表示素子では減少してい
る。ヒステリシスが抑えられることによって、従来の液
晶表示素子より再現性のよい安定した配向状態を持つ液
晶表示素子が得られる。

【００５１】また、透過率については、印加電圧が０の
場合、つまり、スメクティック相の層構造の層の法線方
向が配向膜に施したラビングの方向２１Ｃとほぼ等しい
とき、従来の製造方法により製造された液晶表示素子よ
り透過率が低い（表示が暗い）ことが確認され、表示コ
ントラスト（Ｔmax／Ｔmin）は、従来の製造方法により
製造された液晶表示素子の場合、６．０であるのに対
し、本実施の形態の製造方法による液晶表示素子の場合
は７．２と大幅に改善されることが確認された。

【００５２】なお、この発明は、上記実施の形態に限定
されず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、図
３（Ｂ）に示す温度プロファイルでは、加熱温度を１０
０℃としたが、これは、液晶２１のスメクティック相と
アイソトロピック相との相転移温度が７０℃〜９０℃だ
からであり、使用する液晶２１の相転移温度に対して１
０℃〜３０℃高い任意の温度に設定すればよい。

【００５３】また、図３（Ｂ）に示す温度プロファイル
では、加熱時間を約３５分程度としたが、加熱時間は１
時間以下ならば、脱泡及び液晶注入に要する任意の時間
に設定できる。

【００５４】また、この発明の効果を得るためには、加
熱温度を相転移温度の１０℃〜３０℃高い温度とし、且
つ、加熱時間を１時間以下とすることが望ましいが、加
熱温度は相転移温度より１０℃〜３０℃高い温度である
が加熱時間が１時間を若干超えたり、加熱時間は１時間
以下であるが、加熱温度が相転移温度より３０℃以上高
くなってもよい。

【００５５】また、図２に示す偏光板２３、２４の透過
軸の配置などは、一例であり、任意に変更可能である。
例えば、偏光板２４の透過軸２４Ａと偏光板２３の透過
軸２３Ａとを平行に設定してもよい。その他、一方の偏
光板の透過軸を２１Ａまたは２１Ｂに平行にし、他方を
一方の偏光板の透過軸に平行または垂直にしてもよい。
さらに、透過軸の代わりに吸収軸を使用してもよい。

【００５６】また、本発明はＴＦＴをアクティブ素子と
する表示素子に限らず、ＭＩＭをアクティブ素子とする
表示素子にも適用可能である。

【００５７】さらに、この発明は、いわゆるディップ注
入法を用いた液晶表示素子の製造方法にも適用できる。
この方法では、プロセスＰ１からＰ７までの工程は、実
質的に上述と同一であるが、プロセスＰ８で、液晶を液
晶注入口に滴下する代わりに、図６に示すように、液晶
皿５６内の液晶２１に液晶セル２５の液晶注入口２０Ａ
を浸す。続いて、バルブ５５を開いて真空チャンバ５１
内を常圧に戻し、液晶セル２５の内外の圧力差により、
液晶２１を液晶セル２５内に注入する。この間、液晶皿
５６内の液晶をヒータ５７により、液晶セル２５をパネ
ルヒータ５８により加熱することにより揃断が起こらな
いようにする。

【００５８】さらに、この発明は、図７に示すように、
対向する基板１１と１２の対向面に走査電極７１と、走
査電極７１に直交する信号電極７２を配置した単純マト
リクス型（パッシブマトリクス型）の表示素子にも適用
可能である。また、カラーフィルタを配置して、カラー
液晶表示素子としても使用できる。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
素子の製造方法によれば、液晶の揮発・劣化・変質等が
少なく、液晶表示素子の電気―光学特性が低下しないの
で、再現性がよく高コントラストの画像を表示する液晶
表示素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態にかかる液晶表示素子の
構造を示す断面図である。

【図２】偏光板の透過軸、液晶分子の配向方向の関係を
示す図である。

【図３】（Ａ）は、液晶表示素子の製造方法における真
空チャンバ内の圧力の変化を示す図であり、（Ｂ）は、
液晶表示素子の製造方法における液晶の温度変化を示す
図であり、（Ｃ）は、液晶表示素子の製造方法における
液晶セルの温度変化を示す図であり、（Ｄ）は、液晶表
示素子の製造方法における工程を示す図である。

【図４】液晶表示素子の製造方法を説明するための図で
ある。

【図５】液晶表示素子の印加電圧と透過率との関係を示
す図である。（Ａ）は、従来の液晶表示素子の印加電圧
と透過率の関係を示し、（Ｂ）は、本発明による液晶表
示素子の印加電圧と透過率の関係を示す。

【図６】図１に示す液晶表示素子の製造方法を説明する
ための図である。

【図７】この発明の実施の形態にかかる液晶表示素子の
構造の他の例を示す断面図である。

【図８】液晶表示素子の従来の製造方法を説明するため
の図である。（Ａ）は、液晶表示素子の従来の製造方法
における液晶の温度変化を示す図であり、（Ｂ）は、液
晶表示素子の従来の製造方法における工程を示す図であ
る。

【符号の説明】

１１・・・透明基板（下基板）、１２・・・透明基板
（上基板）、１３・・・画素電極、１４・・・アクティ
ブ素子（ＴＦＴ）、１７・・・共通電極、１８・・・配
向膜、１９・・・配向膜、２０・・・シール材、２０Ａ
・・・液晶注入口、２０Ｂ・・・封止材、２１・・・液
晶、２２・・・スペーサ、２３・・・偏光板（下偏光
板）、２４・・・偏光板（上偏光板）、２５・・・液晶
セル、５１・・・真空チャンバ、５２・・・ディスペン
サ、５２Ａ・・・ヒータ、５３・・・ランプヒータ、５
４・・・真空ポンプ、５５・・・バルブ、５６・・・液
晶皿、５７・・・ヒータ、５８・・・パネルヒータ、７
１・・・走査電極、７２・・・信号電極

フロントページの続き (72)発明者吉田哲志東京都八王子市石川町2951番地の５カシオ計算機株式会社八王子研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに対向する面に電極が形成された一対
の基板と、液晶注入口を有し、前記一対の基板を接合す
るシール材とにより構成される液晶セルに、液晶を加熱
及び減圧して脱泡した後、前記液晶注入口より該液晶を
加熱しつつ注入する液晶表示素子の製造方法において、
前記液晶の脱泡から前記液晶の注入までの間に、前記液
晶を冷却する工程を備えることを特徴とする液晶表示素
子の製造方法。
【請求項２】前記液晶の加熱時間が１時間以下であり、
かつ、前記液晶の加熱温度がアイソトロピック相とスメ
クティック相との転移温度より１０℃から３０℃高温で
あることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の
製造方法。
【請求項３】前記液晶注入口に前記液晶を滴下するディ
スペンサを備え、滴下した前記液晶を加熱しつつ前記液
晶注入口より前記液晶セルに注入しつつ、且つ、滴下
後、前記ディスペンサ内の液晶を冷却することを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項４】前記液晶は、スメクティック相を持つ液晶
から構成される、ことを特徴とする請求項１、２又は３
に記載の液晶表示素子の製造方法。