JPH10142289A - テスト中の装置の温度制御方法及び装置 - Google Patents

テスト中の装置の温度制御方法及び装置

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JPH10142289A
JPH10142289A JP9288695A JP28869597A JPH10142289A JP H10142289 A JPH10142289 A JP H10142289A JP 9288695 A JP9288695 A JP 9288695A JP 28869597 A JP28869597 A JP 28869597A JP H10142289 A JPH10142289 A JP H10142289A
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dut
temperature
test
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during
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Jean-Luc Pelissier
リュク ペリジエ ジャン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 テスト期間中にテストすべき装置の温度を制
御することを可能とする方法及び装置を提供する。 【解決手段】 テスト期間中にＤＵＴの温度を制御する
方法が提供され、それは、（ａ）テスト期間中にＤＵＴ
による電力消費に関連した例えば電流消費等のパラメー
タを測定し、（ｂ）その電力消費に関連したパラメータ
を使用して、テスト期間中にＤＵＴによる電力消費にお
ける変化に起因する温度変化を補償するために温度制御
装置を動作させることを特徴としている。その制御は閉
ループとするか、又はテストプログラム内に制御信号を
組込んだ開ループとすることが可能である。テスト期間
中にＤＵＴの温度を制御する装置が提供され、該装置
は、（ａ）テスト期間中にＤＵＴによる電力消費に関連
したパラメータを測定する装置と（ｂ）テスト期間中に
ＤＵＴの温度を制御するために動作する温度制御装置
と、（ｃ）電力消費に関連したパラメータの測定値に従
って温度制御装置の動作を制御する装置とを有すること
を特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テスト動作期間中
に、例えば半導体集積回路装置等の装置の温度を維持す
るために使用することの可能な方法及び装置に関する。
特に、本発明は、装置の動作によって発生される熱のレ
ベルが変化することに拘らずに、装置の温度を制御する
ために、テスト期間中に装置を冷却及び／又は加熱する
ことの可能な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】テスト操作においてのＤＵＴ（テスト中
の装置）の温度の制御はしばらくの間行なわれている。
たとえば、バーンイン期間中に、ＤＵＴは典型的にオー
ブン内において高温環境内に配置され、且つそうでない
場合にはかなり使用した後においてのみ発生するであろ
うような装置の欠陥を促進させるために長期間にわたり
信号を印加させる。このバーンインプロセスは、そうで
ない場合にはＤＵＴ内において非常に長い期間にわたる
プロセスであるものを加速させるために高温を使用す
る。オーブン型のバーンイン操作においては、多数の装
置をバーンインボード上に積載させ、該ボードをオーブ
ン内に配置し且つ一緒にテストを行なう。
【０００３】その他のテストにおいては、通常の使用期
間中において発生しうる周囲温度をシミュレーションす
るためにＤＵＴの温度を制御することが提案されてい
る。このような場合においては、各個別的なＤＵＴの温
度は短期間にわたり著しく変化する場合があるので、バ
ルク即ち全体的温度制御は適切なものではない。また、
テストプロセス期間中にＤＵＴの温度を信頼性をもって
又は迅速に変化させることは不可能である。テスト期間
中におけるＤＵＴ温度のより正確な制御を行なうための
多数の提案がなされている。高性能ＩＣにおいては、テ
スト期間中の温度変化の顕著な効果は、「速度ビニング
（ｓｐｅｅｄ ｂｉｎｎｉｎｇ）」として知られる通常
の使用状態における装置の評価された最大速度に影響を
与えることである。この評価における不正確性は通常の
使用において装置の障害を発生する場合がある。
【０００４】米国特許第５，２９７，６２１号は、テス
ト期間中に装置を浸漬させる液体浴を開示している。該
浴内の液体は不活性であり且つ所望の温度より高い及び
低い沸騰点を有する２つの液体の混合物を有している。
これら２つの液体の混合を変化させることによって、該
浴中の液体はＤＵＴの所望の動作温度において沸騰点を
有するように調整される（「設定点温度」）。ＤＵＴに
よって発生される熱は該浴内の対流によって及びＤＵＴ
上の液体の核沸騰によって散逸される。ＤＵＴから該液
体への伝熱は、ヒートシンクをＤＵＴと接触状態とさせ
ることによって容易化される。
【０００５】米国特許第４，７３４，８７２号は、温度
制御された空気の流れがＤＵＴへ指向されるシステムを
開示している。該空気は冷却器内に引込まれ、その露点
が低下される。次いで、その冷却された空気はヒーター
へ通過され、該ヒーターはその空気の温度を所望のレベ
ルへ上昇させてＤＵＴの温度を制御する。ＤＵＴ温度及
び空気の流れの温度の測定値を使用して該ヒーターを制
御し、従ってＤＵＴに衝突する空気の温度を制御する。
【０００６】米国特許第４，７８４，２１３号及び米国
特許第５，２０５，１３２号は、上述した米国特許第
４，７３４，８７２号において開示されているシステム
の変形例を開示している。これらの場合の両方におい
て、空気の流れは冷却された流れと加熱された流れとに
分割される。次いで、これら２つの流れは適宜の割合で
混合されてＤＵＴに向かって指向され且つ所望の温度を
有する単一の流れを発生する。
【０００７】米国特許第５，３０９，０９０号はＤＵＴ
におけるある構造に対して信号／電力を印加することに
よってＤＵＴを加熱し、それらの動作によって熱を発生
し、従ってＤＵＴを均一に加熱することを開示してい
る。この方法はＤＵＴを同一の態様で冷却することを可
能とするものではない。
【０００８】高性能マイクロプロセサ設計における最近
の展開は、電力消費及び散逸を約１０ワットから６０−
７０ワットへ増加させている。更に、マイクロプロセサ
チップ内の部品密度の増加及び最近のチップパッケージ
ング構成の採用は、熱的慣性が極めて低い装置、即ち非
常に迅速に加熱され且つ冷却する装置とさせている。こ
のようなチップにおいて使用されるＣＭＯＳ技術は、装
置の動作に依存して電力消費及び散逸が変化するという
特性を有している。通常の使用状態においては、チップ
は、これらの装置の動作によって発生された熱を散逸さ
せるために、チップパッケージの近傍又はその上に装着
されたファン等の冷却装置を有している。然しながら、
機能テスト期間中においては、これらの冷却装置は存在
しておらず、且つ非常に高速の機能テスト期間中におい
て散逸される電力は、装置を永久的に損傷させることの
あるレベルへ装置温度を迅速に上昇させるのに充分なも
のである。
【０００９】従来の温度制御方法は、全て、熱交換器へ
のフィードバック制御を与えるために、テスト期間中の
ＤＵＴ温度の直接的な測定に依存している。このアプロ
ーチは、多数の問題を有している。多量生産環境におい
てテストする場合には、遭遇する接触抵抗が変化する可
能性があるために、装置の表面において信頼性があり一
貫性のある温度測定を行なうことは困難である。例え温
度測定が良好なものであったとしても、高い慣性のパッ
ケージにおける装置内部温度の外延が問題である。どの
ようなフィードバックシステムであっても、測定を行な
う前に装置はその温度を変化させているはずであり且つ
チップの熱応答時間は３０ｍｓ程度の低いものとなるこ
とが可能であるが、一方熱交換器の熱応答時間は、しば
しば１００乃至２００ｍｓの範囲内であるという点にお
いて常に問題が存在している。従って、このような構成
は、単に、温度変化を滑らかなものとさせることが可能
であるに過ぎず、且つ温度アンダーシュートを発生する
ことがありそのことも望ましいことではない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、テスト期間中、特にテスト期間中の冷却時
における装置の温度制御を可能とする方法及び装置を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの側面は、
テスト動作期間中においてＤＵＴの温度を制御する方法
を提供しており、該方法は、（ａ）テスト期間中にＤＵ
Ｔによる電力消費に関連したパラメータを測定し、且つ
（ｂ）該電力消費に関連したパラメータを使用して、テ
スト期間中にＤＵＴによる電力消費における変化に起因
する温度変化を補償するために温度制御装置を動作させ
る、ことを特徴としている。
【００１２】本発明の別の側面によれば、テスト期間中
のＤＵＴの温度を制御する装置が提供され、該装置は、
（ａ）テスト期間中にＤＵＴによる電力消費に関連した
パラメータを測定する手段、（ｂ）テスト期間中にＤＵ
Ｔの温度を制御すべく動作する温度制御装置、（ｃ）電
力消費に関連した測定パラメータに従って前記温度制御
装置の動作を制御する手段、を有することを特徴として
いる。
【００１３】電源（装置電源即ち「ＤＰＳ」）がＤＵＴ
へ電流を供給し、且つこの電流及び、オプションとし
て、電圧の測定が、ＤＵＴの電力消費のほぼ瞬間的な表
示を与えることを可能とする。装置によって消費される
電力の実質的に全てが熱として表われ、且つこのような
装置の熱的慣性は比較的低いので、このような測定値
は、更に、その装置による熱散逸、従ってその温度変化
の傾向を表わしている。このアプローチは、直接的な温
度測定を使用して可能である場合よりも充分に前に温度
制御信号を発生させることを可能としている。何故なら
ば、測定されるパラメータは、ＤＵＴがその温度を変化
させる前であっても存在するものだからである。高性能
ＩＣテスターにおいては、ＤＵＴの電力消費（ＩDD）は
日常的に測定される。ＤＵＴの電力消費／散逸に関連し
たパラメータを提供するためにこの測定値を使用するこ
とが可能である。与えられた電流消費に対する温度上昇
の量は、例えばＩＣパッケージタイプ、形状係数、設定
点温度等の多数の要因に依存する。多くの場合におい
て、その効果は非線形であるが、与えられた装置タイプ
に対してキャリブレイション即ち較正によって決定する
ことが可能である。装置が比較的高い熱的慣性を有する
場合には、装置内部温度とＩDDとの相関を可能とするた
めに、テスト装置内に温度センサーを設けることによっ
て性能をキャリブレイションすることが望ましい。ＩDD
測定を使用することは、特に、効果的である。何故なら
ば、これは、大量のテストを行なう適用場面であって
も、正確に且つ迅速に測定することの可能なパラメータ
だからである。
【００１４】温度制御装置の特定の形態は選択的事項で
ある。装置がＤＵＴを冷却することが可能であることが
必要である。温度のアンダーシュートを防止するため
に、適宜の時間において冷却効果を相殺させるために何
等かの形態の加熱を設けることも必要である。温度制御
装置の選択は、制御信号を使用する態様に影響を与える
が、温度制御装置の動作を制御するために電力消費測定
値を使用するという原理に影響を与えるものではない。
適宜の装置としては、温度制御を与えるために混合させ
た伝熱流体（高温及び低温）を使用するか、又は冷却流
体と電気的加熱要素との組合わせを使用することが可能
である。
【００１５】主要な温度制御は電力消費測定によって与
えられるものであるが、システム内において実際の温度
測定を行なうことも望ましい。重要な温度はＤＵＴの温
度であり、それは温度制御装置の効果性に依存する。例
えば、温度制御装置がＤＵＴと接触状態とさせねばなら
ない熱交換要素を有する場合には、接触面及び接触圧力
の滑らかさが伝熱の効果性に影響を与える場合がある。
従って、温度制御装置の効果性をモニタするために使用
することの可能なＤＵＴ温度センサーを設け且つＤＵＴ
温度の正確な制御を確保するために必要とされる場合の
あるオフセットを提供することが望ましい場合がある。
このような態様でテストする前に接続部の熱抵抗を測定
することは、オフセットを決定することを可能とする。
その他の可能性のある温度測定としては、周囲温度、設
定点温度、冷却流体の温度、熱交換器の温度の測定等が
ある。
【００１６】閉ループ制御システムにおいて使用される
場合には、電力消費の測定は直接的温度測定を置換し、
従ってより迅速に制御信号を発生させる。然しながら、
このアプローチはいまだに反応的なものであり、且つ温
度制御装置の熱応答時間が遅いものである場合には、Ｄ
ＵＴ熱応答時間が温度制御装置の熱応答時間よりも早い
場合には、ＤＵＴ温度においてある程度の変動を発生さ
せることを許容することとなる。本発明の別の側面は開
ループ制御システムを使用することである。ＤＵＴの動
作は、テストプログラムによって印加されるテストパタ
ーンからある程度前に知られているので、このことが可
能である。従って、温度制御装置の動作はテストプログ
ラムと同期させることが可能である。テストプログラム
の展開期間中に、ＩDDの測定が行なわれ、且つこの電力
消費から、ＤＵＴの温度上昇を決定することが可能であ
る。別のアプローチは、各テストセグメントが展開され
る毎にその期間中に装置の温度を測定し、この測定した
温度分布を使用してテスト期間中に装置の温度を制御す
ることである。テストセグメント期間中に温度分布を決
定することによって、そのセグメントに対して温度制御
分布を派生させ、ＤＵＴを設定点又はその近くに維持す
ることが可能であり、且つこれをテストプログラム内に
組込むことが可能である。この場合には、温度制御装置
の動作はＤＵＴへ印加される機能テストと同一の態様で
テスターの制御下にある。このアプローチを使用して、
ＤＵＴ温度における変化を予測することが可能であり、
且つ制御信号を温度制御装置へ印加させて熱応答時間に
起因する遅延を回避することが可能であり、即ちＤＵＴ
によって実際に経験される熱的変化における変化の前に
制御信号を温度制御装置へ印加させることが可能であ
る。
【００１７】上述した温度制御装置の能動的制御は、テ
スト期間中のＤＵＴ温度又は電力消費の測定に依存する
ものではないが、テスト毎の温度制御の効果性における
変動を考慮するためにこのような測定を行なうことは望
ましいものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】ＶＬＩＳ集積回路において一般的
に使用されているＣＭＯＳ技術において、ＩＣの電流消
費、従って電力消費は、装置の動作に従って変化する。
典型的に、この電力の約９９％は熱として存在し、その
正確な百分率は例えば特定の装置、幾何学的形状及びパ
ッケージングの要因に依存する。通常の使用状態におい
ては、この熱の散逸はファン及びチップに取付けたヒー
トシンク等を使用することによって達成され、従ってそ
の温度は良好に定義された境界内に維持される。然しな
がら、テストにおいては、これらの熱散逸装置は存在し
ていない。装置の電力消費が増加すると、例えば、１０
０Ｗ程度まで増加し、且つパッケージの熱応答時間が低
く、典型的に３０ｍｓの程度である場合には、テスト期
間中に装置温度が劇的に上昇する可能性が増加する。装
置は、しばしば、１つ又はそれ以上の設定点温度、例え
ば０℃、２５℃、１００℃等においてテストされること
が多い。これらの温度、特に高温度においての装置の性
能は、その部分が割当てられている速度ビン（ｓｐｅｅ
ｄ ｂｉｎ）を決定するために使用される。テスト期間
中における温度上昇はこの観点においての装置を変化さ
せることが可能であり、従って与えられた速度において
の装置の歩留まりを変化させることが可能である。歩留
まりに与える影響はテスト期間中に遭遇する設定点より
も０．２％／℃の程度であると推定される。
【００１９】典型的なテスト環境を図１に示してある。
環境室１０は、テストのための所望の設定点温度（Ｔｓ
ｐ）に維持されるべく制御された内部温度を有してい
る。テストされるべき幾つかのＩＣ装置を収容するトレ
イ又はその他のキャリア１２を室１０内へローディング
させる。個々の装置１３はピック・アンド・プレースロ
ボット１４によってトレイから取出され且つカリフォル
ニア州サンノゼのシュルンベルジェテクノロジーズ、イ
ンコポレイテッドから入手可能な例えばＩＴＳ９０００
ＧＸテスタ等の高速テスタの一部を形成するテストヘッ
ド２０とインターフェースするロードボード１８と接触
する接触体１６上に積載される。ロボット１４は、図４
及び５を参照して以下に更に詳細に説明する温度制御装
置を有しており、且つテストが完了するまでＤＵＴ１３
と接触状態を維持する。次いで、ＤＵＴがトレイ１２へ
回収され且つ別のＤＵＴが選択され且つテストされる。
【００２０】図２は図１の構成と共に使用する閉ループ
温度制御システムのブロック図を示している。テスタ２
０はＤＵＴへ所定の電圧ＶＩDDの電気的電源を与える装
置電源ＤＰＳを有しており、それから引出される電流Ｉ
DDはＤＵＴの動作によって決定される。ＤＰＳはテスト
期間中にＩDDの測定値を出力するセンサーを有してい
る。該温度制御装置は、ＤＵＴと接触状態に配置されて
いる熱交換器ＨＸを有しており、熱交換器ＨＸは、熱交
換器とＤＵＴとの間の接続部Ｔｊの温度を測定する温度
センサーを有している。温度Ｔｊは、実効的には、ＤＵ
Ｔの温度である。該熱交換器は、更に、それ自身の温度
Ｔｈｘを表わす温度センサーを有している。温度測定値
Ｔｊ及びＴｈｘ及び電流測定値ＩDDは、センサーから派
生することが可能であるか又はオペレータによって入力
することの可能な設定点温度Ｔｓｐと共に、温度制御ユ
ニットＴＣＵへ供給される。ＴＣＵは制御信号△Ｔｈｘ
を熱交換器ＨＸへ出力し、それをして温度を変化させ、
従ってＤＵＴ温度を△Ｔの量だけ影響を与えさせる。Ｉ
DDの測定値はＤＵＴによる電力消費の瞬間的な測定値を
与え、それは例えば３０ｍｓの短い時間の後に（熱応答
時間）ＤＵＴにおいて存在する温度上昇△Ｔｊとして解
釈することが可能である。ＩDDが上昇すると、ＤＵＴの
温度は上昇する傾向となる。従って、ＴＣＵは熱交換器
ＨＸに対して信号△Ｔｈｘを出力し、それをしてその温
度△Ｔを低下させ、従ってＤＵＴから熱を取去る。熱交
換器ＨＸにおける温度変化の大きさは現在の熱交換器温
度Ｔｈｘ、現在のＤＵＴの温度Ｔｊ、予測された温度上
昇△Ｔｊに依存する。電流消費が非常に低く降下し、従
って基本的にＤＵＴ温度の上昇が存在しない場合には、
熱交換器温度Ｔｈｘが設定点温度Ｔｓｐと比較され、且
つそれがより低い場合には、信号△Ｔｈｘが熱交換器Ｔ
Ｘをしてその温度を増加させアンダーシュートが発生す
ることを防止する。ＤＵＴの温度Ｔｊが熱交換器温度Ｔ
ｈｘとは異なる量を使用して、熱交換器とＤＵＴとの間
の接続部の熱抵抗を表わし、従ってこれを補償するため
のオフセットを提供することが可能である。
【００２１】図３は、上述したようなシステムにおける
典型的なテスト期間中においてのＩDD，Ｔｊ，Ｔｈｘの
変化を示している。ＴｊにおけるスパイクはＤＵＴの応
答時間と比較して温度制御装置の応答時間がより低いた
めに発生している。これらのスパイクは単純な温度測定
フィーバック閉ループシステムの場合に得られるもの
（点線で示してある）よりも著しく小さい。
【００２２】本発明において使用することの可能な温度
制御装置の１つの形態を図４に示してある。これは流体
チャンバ３２と接触している熱交換パッド３０を具備す
るツインループ流体システムを有している。パッド３０
は、ピック・アンド・プレースロボット１４によって取
上げられた場合にＤＵＴと接触し、且つキャリア１２内
において置換されるまで接触状態を維持する。流体チャ
ンバ３２は低温流体３４及び高温流体３６用のインレッ
トを有すると共に共通のアウトレット３８を有してい
る。流体供給源（不図示）はヒーター及びクーラーが設
けられており、該ループ内の流体の温度を所定のレベル
へ駆動させ、且つ所望の温度を得るためにこれら２つの
流体の混合を制御するためにポンプ及び弁からなるシス
テムが使用されている。このような態様で温度制御した
流体を混合するシステムは公知であり、例えば、米国特
許第４，７８４，２１３号を参照すると良い。別の形態
の温度制御装置を図５に示してある。この場合には、チ
ャンバ４０は流体インレット４２と流体アウトレット４
４とを有している。冷却した流体がこのチャンバを介し
てポンプ動作される。ヒートシンクパッド４６がチャン
バ４０へ接続されている。ヒートシンク４６はＤＵＴと
接触する抵抗性ヒーターを有するヒーターパッド４８を
具備している。この場合においては、冷却流体はパッド
４６から熱を取去るように機能し、且つ該ヒーターはＤ
ＵＴが高い電流を引出すことを終了する場合にアンダー
シュートが発生ことを防止するために設けられている。
このようなシステムについては米国特許第５，４２０，
５２１号に記載されている。理解されるように、温度制
御装置をどのようにして実現するかの正確な説明は本発
明にとって特に重要なものではなく、その他の形態の装
置も同様に使用することが可能である。重要なことは、
温度制御装置自身がＤＵＴの電力消費に応答して制御さ
れるという態様である。
【００２３】上述したシステムは全て閉ループシステム
であり、従って不可避的に動作においてある程度の温度
オーバーシュート又はアンダーシュートを有するもので
あり、この点については図３を参照するとよい。本発明
の別の側面は開ループアプローチを使用することによっ
てこの問題を解消することである。図６は本発明に基づ
く開ループシステムのブロック図を示している。生産テ
スト期間中にＤＵＴへ印加されるテストプログラムはセ
グメント毎に開発される。各セグメントに対して、テス
ト期間中に装置の直接的な測定によるか又は装置の電力
消費特性を知ることによって計算することによりＩDDを
決定することが可能である。従って、各テストセグメン
トに対して、電流消費分布を決定することが可能であ
る。電流消費に起因する温度上昇を補償するのに必要な
温度制御信号の分布も、同様に、閉ループシステムにお
いて使用したのと基本的に同一のアプローチを使用して
決定することが可能である。次いで、この温度制御分布
はテストプログラムのセグメントと共に組込み、且つ温
度制御ユニットは、単に、テスト期間中に行なわれる測
定に応答するだけでなく、テストプログラムの制御下に
おいて稼動される。該分布は、温度制御装置の熱応答時
間がより遅いものである場合には、それを補償するため
に時間的に前進させることが可能でありこのことは温度
のオーバーシュート又はアンダーシュートの発生する可
能性を低下させる。テスト毎に変化する可能性のあるオ
フセットを決定するために、及びシステムの正確な動作
を確認するために、テスト期間中においてＩDD，Ｔｊ，
Ｔｈｘの測定を行なう。
【００２４】このアプローチの別の変形例は、テストセ
グメントを展開する場合に装置温度を実際に測定し、次
いで測定した温度分布を使用して、温度制御ユニットの
動作を制御することである。このような測定値は装置パ
ッケージタイプによって影響を受ける。従って、各特定
のパッケージタイプに対して測定を行なうことが必要な
場合がある。熱交換器、ＩDD測定値、及び温度測定値の
関係は、各セグメントに対して適宜のソフトウエア制御
を使用することによって最適化されている。
【００２５】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を組込んだＩＣテスタを示した概略
図。
【図２】 本発明に基づく閉ループ温度制御システムを
示した概略ブロック図。
【図３】 テスト期間中における時間に関しての温度制
御装置の動作ＤＵＴの温度変化、電流消費（ＩDD）を示
したグラフ図。
【図４】 温度制御装置の１実施例を示した概略図。
【図５】 温度制御装置の別の実施例を示した概略図。
【図６】 本発明に基づく開ループ制御システムを示し
た概略ブロック図。
【符号の説明】
１０ 環境室 １２ トレイ／キャリア １３ テストすべきＩＣ装置 １４ ピック・アンド・プレースロボット １６ 接触体 １８ ロードボード ２０ テストヘッド ３０ 熱交換パッド ３２ 流体室 ３４ 低温流体用インレット ３６ 高温流体用インレット ３８ 共通のアウトレット ４０ チャンバ ４２ 流体インレット ４４ 流体アウトレット ４６ ヒートシンク ４８ ヒーターパッド

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 テスト期間中におけるＤＵＴの温度を制
    御する方法において、 （ａ）テスト期間中のＤＵＴによる電力消費に関連した
    パラメータを測定し、 （ｂ）前記電力消費に関連するパラメータを使用して温
    度制御装置を動作させ、テスト期間中の前記ＤＵＴによ
    る電力消費における変化に起因するＤＵＴにおける温度
    変化を補償する、ことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、ステップ（ａ）がテ
    スト期間中のＤＵＴの電流消費を測定することを特徴と
    する方法。
  3. 【請求項３】 請求項１において、ステップ（ｂ）が前
    記温度制御装置を動作させてＤＵＴの温度をテスト期間
    中の所定の設定点近くに維持させることを特徴とする方
    法。
  4. 【請求項４】 請求項３において、前記温度制御装置
    が、ＤＵＴによる電力消費が増加する場合にその温度を
    減少させるように動作され且つＤＵＴの電力消費が降下
    する場合にその温度を所定の設定点へ復帰させるべく動
    作されることを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】 請求項１において、更に、ＤＵＴ温度及
    び温度制御装置温度を測定し且つこれらの測定値を使用
    して前記温度制御装置を動作させることを特徴とする方
    法。
  6. 【請求項６】 請求項１において、ステップ（ｂ）がテ
    スト期間中のＤＵＴの温度を制御するために前記温度制
    御装置に対する温度変化を表わす制御信号を発生するこ
    とを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 請求項１において、テストプログラムを
    形成する期間中にステップ（ａ）を実行し且つ前記テス
    トプログラム内に前記温度制御装置を動作させる命令を
    包含させ、且つ前記テストプログラムを使用してＤＵＴ
    をテストする場合に、テスト期間中にＤＵＴによる電力
    消費における変化に起因するＤＵＴにおける温度変化を
    補償させるべく前記温度制御装置を動作させることを特
    徴とする方法。
  8. 【請求項８】 ＤＵＴをテストする方法において、 （ａ）ＤＵＴへ印加されるべき一連の励起及びＤＵＴ温
    度を制御するために温度制御装置用の一連の制御信号を
    有するテストプログラムを形成し、 （ｂ）前記励起をＤＵＴへ印加し且つその応答を測定
    し、 （ｃ）前記励起に起因するＤＵＴによる電力消費におけ
    る変化に起因するＤＵＴ温度における変化を補償するた
    めに、前記励起をＤＵＴへ印加するのと同時に前記制御
    信号を温度制御装置へ印加させる、ことを特徴とする方
    法。
  9. 【請求項９】 請求項８において、ステップ（ａ）が、
    前記励起に応答するＤＵＴによる電力消費を決定し且つ
    前記電力消費を使用して前記一連の制御信号を形成する
    ことを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】 請求項８において、ステップ（ａ）
    が、多数のセグメントの形態で前記テストプログラムを
    形成し、前記セグメントを後に連結させてＤＵＴへ印加
    すべきプログラムを形成することを特徴とする方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、各セグメントに
    対するＤＵＴによる電力消費を決定し且つ前記電力消費
    を使用してそのセグメントに関係した制御信号を形成す
    ることを特徴とする方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１において、前記セグメント
    に対する電力消費の決定が、そのセグメントの励起をＤ
    ＵＴへ印加させ且つそれによって発生する電流消費を測
    定することを特徴とする方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１０において、各セグメントに
    対して装置温度分布を測定し且つ前記装置温度分布を使
    用してそのセグメントに関連した制御信号を形成するこ
    とを特徴とする方法。
  14. 【請求項１４】 請求項８において、更に、前記励起の
    印加期間中にＤＵＴ温度を測定し、且つ前記ＤＵＴ温度
    の測定値を使用して前記温度制御装置を制御することを
    特徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 ＤＵＴをテストする装置において、 （ａ）一連のテスト信号をＤＵＴへ供給するためのテス
    ター、 （ｂ）テスト期間中にＤＵＴ温度を制御すべく動作する
    温度制御装置、 （ｃ）前記テスト信号がＤＵＴへ印加されている間に、
    ＤＵＴによる電力消費に関連した決定されたパラメータ
    に従って前記温度制御装置の動作を制御する手段、を有
    することを特徴とする装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５において、更に、テスト期
    間中にＤＵＴの電力消費に関連したパラメータを測定す
    る手段を有することを特徴とする装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１６において、前記電力消費に
    関連したパラメータを測定する手段が、テスト期間中に
    ＤＵＴによる電流消費を測定する手段を有することを特
    徴とする装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１５において、前記温度制御装
    置の動作を制御する手段が、ＤＵＴ温度及び温度制御装
    置温度を決定するためのセンサーを有していることを特
    徴とする装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１５において、前記テスターが
    ＤＵＴへ印加されるべきテスト信号及び前記温度制御装
    置へ印加されるべき制御信号を格納するメモリを有して
    いることを特徴とする装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１９において、前記テスターが
    前記制御信号の印加と前記テスト信号の印加とを同期さ
    せることを特徴とする装置。
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