JPH10135772A - Surface acoustic wave device and its manufacture - Google Patents

Surface acoustic wave device and its manufacture

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Publication number
JPH10135772A
JPH10135772A JP28634896A JP28634896A JPH10135772A JP H10135772 A JPH10135772 A JP H10135772A JP 28634896 A JP28634896 A JP 28634896A JP 28634896 A JP28634896 A JP 28634896A JP H10135772 A JPH10135772 A JP H10135772A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
conductive adhesive
wave device
chip carrier
Prior art date
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Pending
Application number
JP28634896A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Matsui
敦志 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP28634896A priority Critical patent/JPH10135772A/en
Publication of JPH10135772A publication Critical patent/JPH10135772A/en
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small sized and inexpensive surface acoustic wave device. SOLUTION: After forming a surface acoustic wave devide pattern 2 consisting of IDT electrodes and bonding pads or the like is formed on a piezoelectric substrate 1, and an enclosing wail 3 is formed around a part where a surface acoustic wave is propagated except the bonding pads. After a cover 4 to cover an upper end of the enclosing wall 3 and an upper space of the part where the surface acoustic wave is propagated, a bump 5 is formed on the bonding pads to obtain the surface acoustic wave element. The bump 5 is pressed into contact with a conductive adhesives 6 on a chip carrier 7 so that the conductive adhesives 6 reaches the bonding pads and the surface acoustic wave element is connected electrically and fixed to the chip carrier 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器などに用
いられる弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する
ものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a surface acoustic wave device used for communication equipment and the like and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、弾性表面波デバイスは高価な積層
セラミックパッケージに収納した後、基板に実装してい
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, a surface acoustic wave device has been housed in an expensive multilayer ceramic package and then mounted on a substrate.

【0003】また半導体分野においてはIC等のチップ
をマウントする方法として、図2に示すように、チップ
11に複数のバンプ12を形成し、多くの密集した接続
を同時に取るためにこのバンプ12の高さをそろえ、次
にお互いが短絡しないようにバンプ12の先端部のみに
精度よく導電性接着剤13を塗布して基板15に実装す
るとともに、絶縁性接着剤14でチップを基板15に固
定する、いわゆるスタッドバンプボンドと呼ばれる方法
が用いられている。
In the field of semiconductors, as a method of mounting a chip such as an IC, as shown in FIG. 2, a plurality of bumps 12 are formed on a chip 11 and these bumps 12 are formed in order to make many dense connections simultaneously. The height is made uniform, and then the conductive adhesive 13 is applied to only the tips of the bumps 12 accurately so that they do not short-circuit each other, and mounted on the substrate 15, and the chip is fixed to the substrate 15 with the insulating adhesive 14. A so-called stud bump bond method is used.

【0004】この方法は、小型化には適しているが、多
くの工程において、精度をコントロールする必要がある
等、コストアップの要因になっていた。
Although this method is suitable for miniaturization, it has been necessary to control the accuracy in many steps, and this has caused a cost increase.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年機器の小型化にと
もない弾性表面波デバイスの面実装化への要望が高まっ
ている。従来の構成によると、高価な積層セラミックパ
ッケージを用いて弾性表面波デバイスを実装しなければ
ならない上、ボンディングエリアを必要とするため小型
化するのが難しいという問題点を有していた。
In recent years, there has been an increasing demand for surface mounting of surface acoustic wave devices along with miniaturization of equipment. According to the conventional configuration, the surface acoustic wave device must be mounted using an expensive laminated ceramic package, and furthermore, there is a problem that it is difficult to reduce the size because a bonding area is required.

【0006】そこで本発明は、安価で小型の弾性表面波
デバイスを提供することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an inexpensive and small surface acoustic wave device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、ICほどには
接続の数も多くなく、またその接続も密集していないと
いう弾性表面波デバイスの特徴に着目してなされたもの
である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made by paying attention to the feature of a surface acoustic wave device that the number of connections is not as large as that of an IC and the connections are not dense.

【0008】上記目的を達成するために本発明の弾性表
面波デバイスは、チップキャリアと、このチップキャリ
ア上に導電性接着剤を介して接続固定した弾性表面波素
子とを備え、この弾性表面波素子は、圧電基板と、この
圧電基板の一方の面上に設けたIDT電極と、このID
T電極に電気的に接続した少なくとも二つのボンディン
グパッドと、この二つのボンディングパッド上にそれぞ
れ設けた金属バンプとを有するとともに、前記導電性接
着剤を前記ボンディングパッドと前記チップキャリアと
の間に設けたものであり、導電性接着剤でボンディング
パッドとチップキャリアを電気的に接続すると共に弾性
表面波素子をチップキャリアに固定できるので、従来の
ようにセラミックパッケージを用いる必要が無く、また
ICのように、別の絶縁性接着剤で固定する必要がない
とともに導電性接着剤の塗布量もIC程精度を要求され
ないので、設備コスト、工数が少なくてすむため小型で
安価なものである。
In order to achieve the above object, a surface acoustic wave device according to the present invention comprises a chip carrier, and a surface acoustic wave element connected and fixed on the chip carrier via a conductive adhesive. The element includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on one surface of the piezoelectric substrate, and an IDT.
At least two bonding pads electrically connected to the T electrode, and metal bumps respectively provided on the two bonding pads, and the conductive adhesive is provided between the bonding pads and the chip carrier. Since the bonding pad and the chip carrier can be electrically connected with a conductive adhesive and the surface acoustic wave element can be fixed to the chip carrier, there is no need to use a ceramic package as in the conventional case, and it is not necessary to use an IC. In addition, since there is no need to fix with another insulating adhesive and the application amount of the conductive adhesive is not required to be as precise as that of an IC, the equipment cost and the number of steps are small, so that the apparatus is small and inexpensive.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、チップキャリアと、このチップキャリア上に導電性
接着剤を介して接続固定した弾性表面波素子とを備え、
この弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧電基板の一
方の面上に設けたIDT電極と、このIDT電極に電気
的に接続した少なくとも二つのボンディングパッドと、
この二つのボンディングパッド上にそれぞれ設けた金属
バンプとを有するとともに、前記導電性接着剤は前記ボ
ンディングパッドと前記チップキャリアとの間に設けた
弾性表面波デバイスであり、高価なセラミックパッケー
ジを用いる必要のない、小型で安価なものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention comprises a chip carrier, and a surface acoustic wave device fixedly connected to the chip carrier via a conductive adhesive.
The surface acoustic wave element includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on one surface of the piezoelectric substrate, and at least two bonding pads electrically connected to the IDT electrode.
It has a metal bump provided on each of these two bonding pads, and the conductive adhesive is a surface acoustic wave device provided between the bonding pad and the chip carrier. It is small and inexpensive without any.

【0010】請求項2に記載の発明は、金属バンプを金
で形成した請求項1に記載の弾性表面波デバイスであ
り、簡単に安定した電気的接続を得ることができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein the metal bump is formed of gold, and a stable electrical connection can be easily obtained.

【0011】請求項3に記載の発明は、導電性接着剤と
してエポキシ系導電性接着剤を用いた請求項1に記載の
弾性表面波デバイスであり、強固な接着を得ることがで
き、別の絶縁性接着剤で補強する必要がない。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein an epoxy-based conductive adhesive is used as the conductive adhesive. There is no need to reinforce with an insulating adhesive.

【0012】請求項4に記載の発明は、弾性表面波素子
において、圧電基板上にIDT電極と弾性表面波が伝播
する部分を囲み、かつボンディングパッド部分を除くよ
うにして設けた包囲壁と、この包囲壁及び前記弾性表面
波が伝播する部分の上方空間を覆うようにして設けた蓋
体とを有する請求項1に記載の弾性表面波デバイスであ
り、導電性接着剤がIDT電極上に達して短絡するとい
う不良の発生を防ぐことができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the surface acoustic wave element, an enclosing wall is provided on the piezoelectric substrate so as to surround an IDT electrode and a portion where the surface acoustic wave propagates and to exclude a bonding pad portion. 2. The surface acoustic wave device according to claim 1, further comprising a cover provided to cover a space above the surrounding wall and a portion where the surface acoustic wave propagates, wherein the conductive adhesive reaches the IDT electrode. 3. And the occurrence of short-circuiting can be prevented.

【0013】請求項5に記載の発明は、金属バンプの高
さを蓋体の高さと同程度とした請求項1に記載の弾性表
面波デバイスであり、弾性表面波素子とチップキャリア
との導通を十分に確保することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the surface acoustic wave device according to the first aspect of the present invention, wherein the height of the metal bump is substantially equal to the height of the lid. Can be sufficiently secured.

【0014】請求項6に記載の発明は、圧電基板の一方
の面上に、IDT電極と、このIDT電極に電気的に接
続した少なくとも二つのボンディングパッドと、この二
つのボンディングパッド上にそれぞれ金属バンプを形成
し弾性表面波素子を得る工程と、次にチップキャリアの
所定の場所に導電性接着剤を塗布する工程と、その後前
記弾性表面波素子の金属バンプを前記チップキャリアの
導電性接着剤に当接させて前記導電性接着剤が前記ボン
ディングパッドに直接接するようにする工程と、次に前
記導電性接着剤を硬化させる工程とを備えた弾性表面波
デバイスの製造方法であり、高価なセラミックパッケー
ジを用いる必要のない、小型で安価な弾性表面波デバイ
スが得られる。
According to a sixth aspect of the present invention, an IDT electrode, at least two bonding pads electrically connected to the IDT electrode, and a metal on each of the two bonding pads are provided on one surface of the piezoelectric substrate. A step of forming a bump to obtain a surface acoustic wave element; a step of applying a conductive adhesive to a predetermined location of the chip carrier; and then applying the conductive bump of the chip carrier to the metal bump of the surface acoustic wave element. A step of bringing the conductive adhesive into direct contact with the bonding pad by contacting with the bonding pad, and then a step of curing the conductive adhesive. A small and inexpensive surface acoustic wave device that does not require the use of a ceramic package can be obtained.

【0015】以下、本発明の一実施の形態について、図
1を用いて説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の一実施の形態における
弾性表面波デバイスの断面図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. (Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.

【0016】まずニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウ
ム、水晶等の圧電基板1の上に、アルミニウムあるいは
アルミニウム合金で、IDT電極及びこのIDT電極に
電気的に接続した少なくとも2つのボンディングパッド
等よりなる弾性表面波デバイスパターン2を複数形成す
る。次にこの圧電基板1上に弾性表面波が伝播する部分
を囲み、かつ電気信号を取り出すボンディングパッドの
部分を除いて、包囲壁3を所定の弾性表面波デバイスパ
ターン2毎にフィルム状レジストを用いて形成する。次
いで包囲壁3の上端及び弾性表面波が伝播する部分の上
方空間を覆う蓋体4をフィルム状レジストで形成する。
この包囲壁3及び蓋体4を合わせた高さはバンプの高さ
と同程度となるようにする。その後、通常直径25〜3
0μmの金ワイヤを用いてボンディングパッド上にバン
プ5を形成し、圧電基板1を所望の大きさのチップに切
断し、弾性表面波素子を得る。本実施の形態において
は、包囲壁3及び蓋体4を合わせた高さはおよそ50〜
70μm、バンプ5の高さは約50μmである。バンプ
5の形成は、圧電基板1を所望の大きさのチップに分割
した後に形成してもよいが、ウエハ状態でバンプ5を形
成した後に切断するほうが、従来の切断した弾性表面波
素子をセラミックパッケージにダイボンドして硬化した
後、ワイヤボンドするという工程よりも工数を削減でき
る。
First, on a piezoelectric substrate 1 made of lithium niobate, lithium tantalate, quartz or the like, an elastic surface made of aluminum or an aluminum alloy, comprising an IDT electrode and at least two bonding pads electrically connected to the IDT electrode. A plurality of wave device patterns 2 are formed. Next, the surrounding wall 3 is formed of a film-shaped resist for each predetermined surface acoustic wave device pattern 2 except for a portion where the surface acoustic wave propagates on the piezoelectric substrate 1 and a portion of a bonding pad for extracting an electric signal is excluded. Formed. Next, a lid 4 that covers the upper end of the surrounding wall 3 and the space above the portion where the surface acoustic wave propagates is formed with a film-like resist.
The combined height of the surrounding wall 3 and the lid 4 is set to be substantially equal to the height of the bump. Then, usually 25 ~ 3 diameter
The bumps 5 are formed on the bonding pads by using a gold wire of 0 μm, and the piezoelectric substrate 1 is cut into chips of a desired size to obtain a surface acoustic wave device. In the present embodiment, the combined height of the surrounding wall 3 and the lid 4 is approximately 50 to
70 μm, and the height of the bump 5 is about 50 μm. The bumps 5 may be formed after the piezoelectric substrate 1 is divided into chips of a desired size. However, it is better to cut the bumps 5 after forming them in a wafer state, and to cut the conventional cut surface acoustic wave element using a ceramic. It is possible to reduce the number of processes compared to a process of wire bonding after die bonding to a package and curing.

【0017】次にチップキャリア7上に設けた導電性接
着剤6に、弾性表面波素子のバンプ5を導電性接着剤6
がボンディングパッドに達するように当接し、弾性表面
波素子をチップキャリア7に電気的に接続するととも
に、固定する。
Next, the bumps 5 of the surface acoustic wave element are applied to the conductive adhesive 6 provided on the chip carrier 7.
Are brought into contact with the bonding pads to electrically connect and fix the surface acoustic wave element to the chip carrier 7.

【0018】この時、チップキャリア7の所定の位置に
エポキシ系の導電性接着剤6をディスペンサー等で塗布
した後、導電性接着剤6に弾性表面波素子のバンプ5を
押し付けて加熱硬化させる方法が最も簡単に、弾性表面
波素子とチップキャリア7との電気的に接続と固定を行
うことができる。
At this time, a method of applying an epoxy-based conductive adhesive 6 to a predetermined position of the chip carrier 7 with a dispenser or the like and pressing the bumps 5 of the surface acoustic wave element against the conductive adhesive 6 to heat and cure the same. The simplest is to electrically connect and fix the surface acoustic wave element and the chip carrier 7.

【0019】このようにすることにより、バンプ5の形
成は従来のワイヤボンディング装置を、弾性表面波素子
のチップキャリア7へのマウントは従来のダイボンダー
を使うことができるので、新規投資も最低限ですみ、従
来のスタッドバンプボンド方式に比べてはるかに低コス
トで、小型の弾性表面波デバイスを得ることができる。
By doing so, the conventional wire bonding apparatus can be used for forming the bumps 5 and the conventional die bonder can be used for mounting the surface acoustic wave element on the chip carrier 7, so that new investment is minimized. In addition, a small surface acoustic wave device can be obtained at a much lower cost than the conventional stud bump bond method.

【0020】なおチップキャリア7は、アルミナ、ガラ
スエポキシ樹脂等により形成されており、生産性を考慮
して通常矩形である。
The chip carrier 7 is formed of alumina, glass epoxy resin or the like, and is usually rectangular in consideration of productivity.

【0021】また本実施の形態においてはチップキャリ
ア7上に弾性表面波素子のみを実装したが、チップキャ
リア7の大きさを変えて、他の部品を一緒に実装するこ
とも可能である。
In this embodiment, only the surface acoustic wave element is mounted on the chip carrier 7, but it is also possible to change the size of the chip carrier 7 and mount other components together.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上本発明によると、セラミックパッケ
ージを使用しないので、従来と比べて小型で、安価な弾
性表面波デバイスを得ることができる。
As described above, according to the present invention, since a ceramic package is not used, a surface acoustic wave device that is small and inexpensive as compared with the prior art can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における弾性表面波デバ
イスの断面図
FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.

【図2】スタッドバンプボンド方式を用いたICなどの
一般的なチップの断面図
FIG. 2 is a cross-sectional view of a general chip such as an IC using a stud bump bond method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 圧電基板 2 弾性表面波デバイスパターン 3 包囲壁 4 蓋体 5 バンプ 6 導電性接着剤 7 チップキャリア DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Piezoelectric substrate 2 Surface acoustic wave device pattern 3 Surrounding wall 4 Lid 5 Bump 6 Conductive adhesive 7 Chip carrier

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チップキャリアと、このチップキャリア
上に導電性接着剤を介して接続固定した弾性表面波素子
とを備え、この弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧
電基板の一方の面上に設けたIDT電極と、このIDT
電極に電気的に接続した少なくとも二つのボンディング
パッドと、この二つのボンディングパッド上にそれぞれ
設けた金属バンプとを有するとともに、前記導電性接着
剤は前記ボンディングパッドと前記チップキャリアとの
間に設けた弾性表面波デバイス。
1. A chip carrier, comprising: a chip carrier; and a surface acoustic wave element connected and fixed to the chip carrier via a conductive adhesive. The surface acoustic wave element includes a piezoelectric substrate and one surface of the piezoelectric substrate. The IDT electrode provided above and the IDT
At least two bonding pads electrically connected to the electrodes and metal bumps respectively provided on the two bonding pads, and the conductive adhesive is provided between the bonding pads and the chip carrier. Surface acoustic wave device.
【請求項2】 金属バンプは、金で形成した請求項1に
記載の弾性表面波デバイス。
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the metal bump is formed of gold.
【請求項3】 導電性接着剤は、エポキシ系導電性接着
剤である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the conductive adhesive is an epoxy-based conductive adhesive.
【請求項4】 弾性表面波素子において、圧電基板上に
IDT電極と弾性表面波が伝播する部分を囲み、かつボ
ンディングパッド部分を除くようにして設けた包囲壁
と、この包囲壁及び前記弾性表面波が伝播する部分の上
方空間を覆うようにして設けた蓋体とを有する請求項1
に記載の弾性表面波デバイス。
4. In a surface acoustic wave element, an enclosing wall provided on a piezoelectric substrate so as to surround an IDT electrode and a surface acoustic wave propagating portion and excluding a bonding pad portion, and the enclosing wall and the elastic surface A cover provided so as to cover a space above a portion where the wave propagates.
A surface acoustic wave device according to claim 1.
【請求項5】 金属バンプの高さは、蓋体の高さと同程
度とした請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
5. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the height of the metal bump is substantially equal to the height of the lid.
【請求項6】 圧電基板の一方の面上に、IDT電極
と、このIDT電極に電気的に接続した少なくとも二つ
のボンディングパッドと、この二つのボンディングパッ
ド上にそれぞれ金属バンプを形成し弾性表面波素子を得
る工程と、次にチップキャリアの所定の場所に導電性接
着剤を塗布する工程と、その後前記弾性表面波素子の金
属バンプを前記チップキャリアの導電性接着剤に当接さ
せて前記導電性接着剤が前記ボンディングパッドに直接
接するようにする工程と、次に前記導電性接着剤を硬化
させる工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法。
6. An IDT electrode, at least two bonding pads electrically connected to the IDT electrode on one surface of the piezoelectric substrate, and a metal bump formed on each of the two bonding pads to form a surface acoustic wave. Obtaining a device, and then applying a conductive adhesive to a predetermined location of the chip carrier, and then contacting the metal bump of the surface acoustic wave device with the conductive adhesive of the chip carrier to form the conductive adhesive. A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: a step of bringing a conductive adhesive into direct contact with the bonding pad; and a step of curing the conductive adhesive.
JP28634896A 1996-10-29 1996-10-29 Surface acoustic wave device and its manufacture Pending JPH10135772A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6467139B1 (en) 1998-08-03 2002-10-22 Nec Corporation Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element

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