JPH10135524A - 高温超伝導素子およびその製造方法 - Google Patents
高温超伝導素子およびその製造方法Info
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- JPH10135524A JPH10135524A JP8287018A JP28701896A JPH10135524A JP H10135524 A JPH10135524 A JP H10135524A JP 8287018 A JP8287018 A JP 8287018A JP 28701896 A JP28701896 A JP 28701896A JP H10135524 A JPH10135524 A JP H10135524A
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温超伝導膜を用いたフィルタ素子におい
て、給電部での金属電極のはがれを防止するとともに接
触抵抗を低減する。 【解決手段】 ＬａＡｌＯ3 基板１上には、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２がパターン形成されて
おり、分布定数型のフィルタを構成している。ここで、
素子本体部の高温超伝導膜２ａはＬａＡｌＯ3 基板１上
に形成されて緻密な膜となっており、給電部の高温超伝
導膜２ｂはＭｇＯ膜５上に形成されて空隙を多く有する
ポーラスな膜となっている。従って、給電部の高温超伝
導膜２ｂ上にＡｕ電極３を形成した場合、空隙内にＡｕ
電極３が入り込んで接触面積が多くなり、Ａｕ電極３が
はがれにくくなるとともに接触抵抗が小さくなる。
て、給電部での金属電極のはがれを防止するとともに接
触抵抗を低減する。 【解決手段】 ＬａＡｌＯ3 基板１上には、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２がパターン形成されて
おり、分布定数型のフィルタを構成している。ここで、
素子本体部の高温超伝導膜２ａはＬａＡｌＯ3 基板１上
に形成されて緻密な膜となっており、給電部の高温超伝
導膜２ｂはＭｇＯ膜５上に形成されて空隙を多く有する
ポーラスな膜となっている。従って、給電部の高温超伝
導膜２ｂ上にＡｕ電極３を形成した場合、空隙内にＡｕ
電極３が入り込んで接触面積が多くなり、Ａｕ電極３が
はがれにくくなるとともに接触抵抗が小さくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタ素子等の
高周波受動素子に用いることができる高温超伝導素子お
よびその製造方法に関する。
高周波受動素子に用いることができる高温超伝導素子お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高温超伝導膜を用いたフィルタ素
子においては、ＬａＡｌＯ3 基板上にＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏy 組成の高温超伝導膜がパターン形成され、給電部の
高温超伝導膜上にＡｕ等の金属電極が形成されている。
子においては、ＬａＡｌＯ3 基板上にＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏy 組成の高温超伝導膜がパターン形成され、給電部の
高温超伝導膜上にＡｕ等の金属電極が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＬａＡｌＯ3 基板上に
Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜を成膜する場
合、高温超伝導膜での表面抵抗を下げるため高温超伝導
膜を緻密な膜としているが、このため給電部の高温超伝
導膜も緻密な膜となり、金属電極が高温超伝導膜からは
がれ易く、また給電部での接触抵抗が大きくなるという
問題がある。
Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜を成膜する場
合、高温超伝導膜での表面抵抗を下げるため高温超伝導
膜を緻密な膜としているが、このため給電部の高温超伝
導膜も緻密な膜となり、金属電極が高温超伝導膜からは
がれ易く、また給電部での接触抵抗が大きくなるという
問題がある。
【０００４】本発明は上記問題に鑑みたもので、給電部
において金属電極をはがれにくくするとともに接触抵抗
を低減することを目的とする。
において金属電極をはがれにくくするとともに接触抵抗
を低減することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、給電部の高温超
伝導膜（２ｂ）を、素子本体部の高温超伝導膜（２ａ）
より空隙が多い膜としたことを特徴としている。給電部
の高温超伝導膜を空隙が多い膜とすることによって、そ
の上に形成される金属電極との接触面積が多くなり、接
合強度が大きくなって金属電極がはがれにくくなり、ま
た接触抵抗が小さくなる。
め、請求項１に記載の発明においては、給電部の高温超
伝導膜（２ｂ）を、素子本体部の高温超伝導膜（２ａ）
より空隙が多い膜としたことを特徴としている。給電部
の高温超伝導膜を空隙が多い膜とすることによって、そ
の上に形成される金属電極との接触面積が多くなり、接
合強度が大きくなって金属電極がはがれにくくなり、ま
た接触抵抗が小さくなる。
【０００６】この場合、請求項２に記載の発明のよう
に、素子本体部の高温超伝導膜を基板上に成膜し、給電
部の高温超伝導膜を基板に比べ格子整合の悪い下層膜上
に成膜したものとすれば、下地と高温超伝導膜との格子
整合の関係により、素子本体部の高温超伝導膜と給電部
の高温超伝導膜とで結晶性が異なり、素子本体部の高温
超伝導膜を緻密な膜とし給電部の高温超伝導膜を空隙が
多い膜とすることができる。
に、素子本体部の高温超伝導膜を基板上に成膜し、給電
部の高温超伝導膜を基板に比べ格子整合の悪い下層膜上
に成膜したものとすれば、下地と高温超伝導膜との格子
整合の関係により、素子本体部の高温超伝導膜と給電部
の高温超伝導膜とで結晶性が異なり、素子本体部の高温
超伝導膜を緻密な膜とし給電部の高温超伝導膜を空隙が
多い膜とすることができる。
【０００７】また、上記した特徴は、具体的には、基板
をＬａＡｌＯ3 基板もしくはＬａＡｌＯ3 上にＣｅＯ2
が積層された基板とし、高温超伝導膜をＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ
3 Ｏ y 組成の高温超伝導膜とし、下層膜をＭｇＯ膜とす
ることによって得ることができる。請求項４乃至６に記
載の発明によれば、上記した特徴を有する高温超伝導素
子を製造することができる。
をＬａＡｌＯ3 基板もしくはＬａＡｌＯ3 上にＣｅＯ2
が積層された基板とし、高温超伝導膜をＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ
3 Ｏ y 組成の高温超伝導膜とし、下層膜をＭｇＯ膜とす
ることによって得ることができる。請求項４乃至６に記
載の発明によれば、上記した特徴を有する高温超伝導素
子を製造することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の一実施形態にか
かるフィルタ素子の構成を示す。（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、この図１
に示すものは、フィルタ素子を模式的に示したものであ
る。誘電体基板としてのＬａＡｌＯ3 基板１上には、Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２がパターン形
成されており、分布定数型のフィルタを構成している。
かるフィルタ素子の構成を示す。（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、この図１
に示すものは、フィルタ素子を模式的に示したものであ
る。誘電体基板としてのＬａＡｌＯ3 基板１上には、Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２がパターン形
成されており、分布定数型のフィルタを構成している。
【０００９】高温超伝導膜２は素子本体部２ａと給電部
２ｂを構成しており、素子本体部の高温超伝導膜２ａは
フィルタを構成する複数の共振素子を有している。ま
た、給電部の高温超伝導膜２ｂ上にはＡｕ電極３が形成
されている。ＬａＡｌＯ3 基板１の裏面には、グランド
プレーンをなす高温超伝導膜４とＡｕのグランド電極７
が形成されており、Ａｕ電極３が図示しないコネクタに
接続され、グランド電極７が図示しないケースに接続さ
れて、フィルタ素子に給電が行われる。
２ｂを構成しており、素子本体部の高温超伝導膜２ａは
フィルタを構成する複数の共振素子を有している。ま
た、給電部の高温超伝導膜２ｂ上にはＡｕ電極３が形成
されている。ＬａＡｌＯ3 基板１の裏面には、グランド
プレーンをなす高温超伝導膜４とＡｕのグランド電極７
が形成されており、Ａｕ電極３が図示しないコネクタに
接続され、グランド電極７が図示しないケースに接続さ
れて、フィルタ素子に給電が行われる。
【００１０】また、ＬａＡｌＯ3 基板１上には部分的に
ＭｇＯ膜５が形成されており、給電部の高温超伝導膜２
ｂはＭｇＯ膜５上に形成され、素子本体部の高温超伝導
膜２ａはＬａＡｌＯ3 基板１上に形成される。ここで、
ＬａＡｌＯ3 基板１上に形成された高温超伝導膜２ａは
緻密な膜となっており、ＭｇＯ膜５上に形成された高温
超伝導膜２ｂは空隙を有する膜、すなわちポーラスな膜
となっている。
ＭｇＯ膜５が形成されており、給電部の高温超伝導膜２
ｂはＭｇＯ膜５上に形成され、素子本体部の高温超伝導
膜２ａはＬａＡｌＯ3 基板１上に形成される。ここで、
ＬａＡｌＯ3 基板１上に形成された高温超伝導膜２ａは
緻密な膜となっており、ＭｇＯ膜５上に形成された高温
超伝導膜２ｂは空隙を有する膜、すなわちポーラスな膜
となっている。
【００１１】図２に、ＭｇＯ膜５上に形成された高温超
伝導膜２ｂを平面的に拡大した図を示す。この図２にお
いて、２０は結晶粒子であり、図中の斜線で示す符号２
１の部分は空隙を示している。また、図３に、高温超伝
導膜２ａ、２ｂの模式的な断面構成を示す。図２、図３
から分かるように、ＭｇＯ膜５上に形成された高温超伝
導膜２ｂは、結晶粒子２０の間に空隙２１を有して２次
元的に連なった構造を有しているのに対し、ＬａＡｌＯ
3 基板１上に形成された高温超伝導膜２ａは、結晶粒子
の間に空隙が全くないか、あってもＭｇＯ膜５上に形成
された高温超伝導膜２ｂよりも空隙が非常に少ない緻密
な膜となっている。
伝導膜２ｂを平面的に拡大した図を示す。この図２にお
いて、２０は結晶粒子であり、図中の斜線で示す符号２
１の部分は空隙を示している。また、図３に、高温超伝
導膜２ａ、２ｂの模式的な断面構成を示す。図２、図３
から分かるように、ＭｇＯ膜５上に形成された高温超伝
導膜２ｂは、結晶粒子２０の間に空隙２１を有して２次
元的に連なった構造を有しているのに対し、ＬａＡｌＯ
3 基板１上に形成された高温超伝導膜２ａは、結晶粒子
の間に空隙が全くないか、あってもＭｇＯ膜５上に形成
された高温超伝導膜２ｂよりも空隙が非常に少ない緻密
な膜となっている。
【００１２】これは、ＬａＡｌＯ3 基板１とＹ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２とは格子整合が良く、
ＭｇＯ膜５とＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜
２とは格子整合が悪いためである。そして、格子整合が
良好である場合には、高温超伝導膜は緻密な膜になり、
格子整合が悪い場合には、高温超伝導膜は空隙を多く有
する膜となる。
Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２とは格子整合が良く、
ＭｇＯ膜５とＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜
２とは格子整合が悪いためである。そして、格子整合が
良好である場合には、高温超伝導膜は緻密な膜になり、
格子整合が悪い場合には、高温超伝導膜は空隙を多く有
する膜となる。
【００１３】従って、高温超伝導膜２ｂ上にＡｕ電極３
を形成した場合、空隙２１内にＡｕ電極３が入り込んで
接触面積が多くなる。このため、接合強度が大きくなっ
てＡｕ電極３がはがれにくくなるとともに接触抵抗が小
さくなる。その結果、給電部からの投入電力を大きくす
ることができる。また、ＬａＡｌＯ3 基板１上に形成さ
れた高温超伝導膜２ａは緻密な膜となっているため、表
面抵抗を小さくすることができる。なお、グランドプレ
ーンをなす高温超伝導膜４とグランド電極７の間につい
ては、グランド電極７の面積が大きいのでＭｇＯ膜を介
在させる必要はない。
を形成した場合、空隙２１内にＡｕ電極３が入り込んで
接触面積が多くなる。このため、接合強度が大きくなっ
てＡｕ電極３がはがれにくくなるとともに接触抵抗が小
さくなる。その結果、給電部からの投入電力を大きくす
ることができる。また、ＬａＡｌＯ3 基板１上に形成さ
れた高温超伝導膜２ａは緻密な膜となっているため、表
面抵抗を小さくすることができる。なお、グランドプレ
ーンをなす高温超伝導膜４とグランド電極７の間につい
ては、グランド電極７の面積が大きいのでＭｇＯ膜を介
在させる必要はない。
【００１４】次に、上記したフィルタ素子の製造方法に
ついて説明する。まず、図４（ａ）に示すように、Ｌａ
ＡｌＯ3 基板１上にＭｇＯ膜５を部分的に形成する。こ
の場合、マスクを用いてＭｇＯ膜５を部分的に形成す
る、あるいは全面にＭｇＯ膜を形成した後、パターニン
グしてＭｇＯ膜５を部分的に形成する。
ついて説明する。まず、図４（ａ）に示すように、Ｌａ
ＡｌＯ3 基板１上にＭｇＯ膜５を部分的に形成する。こ
の場合、マスクを用いてＭｇＯ膜５を部分的に形成す
る、あるいは全面にＭｇＯ膜を形成した後、パターニン
グしてＭｇＯ膜５を部分的に形成する。
【００１５】次に、図４（ｂ）に示すように、ＬａＡｌ
Ｏ3 基板１の表面および裏面にＹ1Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組
成の高温超伝導膜２、４をスパッタ法により成膜する。
この場合の具体的なスパッタ成膜条件を示す。 ターゲット（Ｔ）：Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成、径４イ
ンチ、厚さ２ｍｍ 基板（Ｓ）：ＬａＡｌＯ3 ［１００］基板 Ｔ−Ｓ間距離：５０ｍｍ Ａｒ流量：１０sccm Ｏ2 流量：３０sccm 全ガス圧：０．１５ Torr 基板温度：７３０℃ 印加電力：ＤＣ１５０Ｗ ここで、ＬａＡｌＯ3 基板１上の高温超伝導膜を緻密な
膜とし、ＭｇＯ膜５上の高温超伝導膜をポーラスな膜と
するためには、上記したスパッタ成膜条件のうち全ガス
圧が最も大きな要因となる。その全ガス圧としては、
０．１５ Torr 以上０．４ Torr 以下が望ましい。これ
は、全ガス圧を０．１５ Torr より低くすると、ＬａＡ
ｌＯ3 基板１上の高温超伝導膜中に空隙ができてポーラ
スな膜となり、全ガス圧を０．４ Torr より高くする
と、ＭｇＯ膜５上の高温超伝導膜が緻密な膜となるから
である。
Ｏ3 基板１の表面および裏面にＹ1Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組
成の高温超伝導膜２、４をスパッタ法により成膜する。
この場合の具体的なスパッタ成膜条件を示す。 ターゲット（Ｔ）：Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成、径４イ
ンチ、厚さ２ｍｍ 基板（Ｓ）：ＬａＡｌＯ3 ［１００］基板 Ｔ−Ｓ間距離：５０ｍｍ Ａｒ流量：１０sccm Ｏ2 流量：３０sccm 全ガス圧：０．１５ Torr 基板温度：７３０℃ 印加電力：ＤＣ１５０Ｗ ここで、ＬａＡｌＯ3 基板１上の高温超伝導膜を緻密な
膜とし、ＭｇＯ膜５上の高温超伝導膜をポーラスな膜と
するためには、上記したスパッタ成膜条件のうち全ガス
圧が最も大きな要因となる。その全ガス圧としては、
０．１５ Torr 以上０．４ Torr 以下が望ましい。これ
は、全ガス圧を０．１５ Torr より低くすると、ＬａＡ
ｌＯ3 基板１上の高温超伝導膜中に空隙ができてポーラ
スな膜となり、全ガス圧を０．４ Torr より高くする
と、ＭｇＯ膜５上の高温超伝導膜が緻密な膜となるから
である。
【００１６】そして、高温超伝導膜４の上にＡｕのグラ
ンド電極７を真空蒸着法で形成し、この後、リフトオフ
法を用いて給電部上にＡｕ電極３を形成する。この場
合、図４（ｃ）に示すように、表面側にレジスト６を形
成した後、給電部を開口し、その後、全面にＡｕ膜３を
真空蒸着法により形成する。そして、レジスト６を除去
することにより、図４（ｄ）に示すように、給電部上に
のみＡｕ電極３が形成される。
ンド電極７を真空蒸着法で形成し、この後、リフトオフ
法を用いて給電部上にＡｕ電極３を形成する。この場
合、図４（ｃ）に示すように、表面側にレジスト６を形
成した後、給電部を開口し、その後、全面にＡｕ膜３を
真空蒸着法により形成する。そして、レジスト６を除去
することにより、図４（ｄ）に示すように、給電部上に
のみＡｕ電極３が形成される。
【００１７】そして、高温超伝導膜２をエッチングによ
りパターニングし、図１に示すように素子本体部２ａと
給電部２ｂを形成する。なお、基板１としては、上記し
たＬａＡｌＯ3 基板以外に、ＬａＡｌＯ3 上にＣｅＯ2
を積層した基板を用いることができる。また、金属電極
としては、Ａｕ以外にＡｇ等を用いることができ、その
他、高温超伝導膜とオーミックコンタクトが取れるもの
であれば他の金属を用いることもできる。
りパターニングし、図１に示すように素子本体部２ａと
給電部２ｂを形成する。なお、基板１としては、上記し
たＬａＡｌＯ3 基板以外に、ＬａＡｌＯ3 上にＣｅＯ2
を積層した基板を用いることができる。また、金属電極
としては、Ａｕ以外にＡｇ等を用いることができ、その
他、高温超伝導膜とオーミックコンタクトが取れるもの
であれば他の金属を用いることもできる。
【００１８】また、給電部の高温超伝導膜２ｂの下層膜
としては、ＭｇＯ膜以外にＹ2 Ｏ3膜、ＮｄＡｌＯ
3 膜、ＹＡｌＯ3 膜、ＹＳＺ（イットリウム スタビラ
イズドジルコニア：ＺｒＯ2 の中に７％程度のＹ2 Ｏ3
が入っているもの）膜を用いることができるが、Ｙ1 Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２と格子整合が悪く
空隙を多くするという点からすれば、ＭｇＯ膜が最も好
ましい。
としては、ＭｇＯ膜以外にＹ2 Ｏ3膜、ＮｄＡｌＯ
3 膜、ＹＡｌＯ3 膜、ＹＳＺ（イットリウム スタビラ
イズドジルコニア：ＺｒＯ2 の中に７％程度のＹ2 Ｏ3
が入っているもの）膜を用いることができるが、Ｙ1 Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導膜２と格子整合が悪く
空隙を多くするという点からすれば、ＭｇＯ膜が最も好
ましい。
【００１９】また、高温超伝導膜としては、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏy 組成のＹ系高温超伝導膜以外に、他の組成の
高温超伝導膜を用いてもよい。さらに、フィルタとして
は、分布定数型のフィルタのみならず、集中定数型のフ
ィルタとしてもよい。また、高温超伝導素子としては、
フィルタ素子等の高周波受動素子以外に、アンテナ、遅
延線等の素子であってもよい。
Ｃｕ3 Ｏy 組成のＹ系高温超伝導膜以外に、他の組成の
高温超伝導膜を用いてもよい。さらに、フィルタとして
は、分布定数型のフィルタのみならず、集中定数型のフ
ィルタとしてもよい。また、高温超伝導素子としては、
フィルタ素子等の高周波受動素子以外に、アンテナ、遅
延線等の素子であってもよい。
【図１】本発明の一実施形態にかかるフィルタ素子の構
成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ断面図である。
成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ断面図である。
【図２】ＭｇＯ膜５上に形成された高温超伝導膜２ｂを
平面的に拡大した図である。
平面的に拡大した図である。
【図３】高温超伝導膜２ａ、２ｂの模式的な断面構成を
示す図である。
示す図である。
【図４】図１に示すフィルタ素子を製造する工程を示す
工程図である。
工程図である。
１…ＬａＡｌＯ3 基板、２…Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成
の高温超伝導膜、２ａ…素子本体部の高温超伝導膜、２
ｂ…給電部の高温超伝導膜、３…Ａｕ電極、４…グラン
ドプレーンをなす高温超伝導膜、５…ＭｇＯ膜。
の高温超伝導膜、２ａ…素子本体部の高温超伝導膜、２
ｂ…給電部の高温超伝導膜、３…Ａｕ電極、４…グラン
ドプレーンをなす高温超伝導膜、５…ＭｇＯ膜。
Claims (6)
- 【請求項１】 基板（１）上に素子本体部と給電部を有
するように高温超伝導膜（２）が形成され、前記給電部
の高温超伝導膜（２ｂ）上に金属電極（３）が形成され
てなる高温超伝導素子において、 前記給電部の高温超伝導膜（２ｂ）は、前記素子本体部
の高温超伝導膜（２ａ）より空隙が多い膜となっている
ことを特徴とする高温超伝導素子。 - 【請求項２】 前記素子本体部の高温超伝導膜は、前記
基板上に成膜されており、前記給電部の高温超伝導膜
は、前記高温超伝導膜に対し前記基板よりも格子整合の
悪い下層膜（５）上に成膜されていることを特徴とする
請求項１に記載の高温超伝導素子。 - 【請求項３】 前記基板はＬａＡｌＯ3 基板もしくはＬ
ａＡｌＯ3 上にＣｅＯ2 が積層された基板であり、前記
高温超伝導膜はＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy 組成の高温超伝導
膜であり、前記下層膜はＭｇＯ膜であることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の高温超伝導素子。 - 【請求項４】 基板（１）上に素子本体部と給電部を有
するように高温超伝導膜（２）を形成し、前記給電部の
高温超伝導膜（２ｂ）上に金属電極（３）を形成してな
る高温超伝導素子の製造方法において、 前記高温超伝導膜に対し前記基板よりも格子整合の悪い
下層膜（５）を前記基板上の一部に形成した後、全面に
前記高温超伝導膜を成膜し、 この後、前記下層膜上の前記高温超伝導膜を前記給電部
とし前記基板上の前記高温超伝導膜を前記素子本体部と
するように前記高温超伝導膜をパターニングすることを
特徴とする高温超伝導素子の製造方法。 - 【請求項５】 ＬａＡｌＯ3 基板もしくはＬａＡｌＯ3
上にＣｅＯ2 が積層された基板（１）上に素子本体部と
給電部を有するようにＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy組成の高温
超伝導膜（２）を形成し、前記給電部の高温超伝導膜
（２ｂ）上に金属電極（３）を形成してなる高温超伝導
素子の製造方法であって、 前記基板（１）上の一部にＭｇＯ膜（５）を形成した
後、全面に前記超伝導膜を成膜し、 この後、前記ＭｇＯ膜上の前記高温超伝導膜を給電部と
し前記基板上の前記高温超伝導膜を素子本体部とするよ
うに前記高温超伝導膜をパターニングすることを特徴と
する高温超伝導素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記高温超伝導膜を成膜した後、前記給
電部となる高温超伝導膜上に前記金属電極を形成し、こ
の後、前記パターニングを行うことを特徴とする請求項
４又は５に記載の高温超伝導素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287018A JP2930036B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 高温超伝導素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287018A JP2930036B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 高温超伝導素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135524A true JPH10135524A (ja) | 1998-05-22 |
| JP2930036B2 JP2930036B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=17711978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8287018A Expired - Lifetime JP2930036B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 高温超伝導素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2930036B2 (ja) |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP8287018A patent/JP2930036B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2930036B2 (ja) | 1999-08-03 |
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