JPH10135180A - Rinsing solution for drying treatment, method for drying treatment using the solution, and manufacture of small structure using the method - Google Patents

Rinsing solution for drying treatment, method for drying treatment using the solution, and manufacture of small structure using the method

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JPH10135180A
JPH10135180A JP8288397A JP28839796A JPH10135180A JP H10135180 A JPH10135180 A JP H10135180A JP 8288397 A JP8288397 A JP 8288397A JP 28839796 A JP28839796 A JP 28839796A JP H10135180 A JPH10135180 A JP H10135180A
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JP
Japan
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drying
drying treatment
etching
substrate
rinsing liquid
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Application number
JP8288397A
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Japanese (ja)
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Yukihiko Shirakawa
幸彦 白川
Mihoko Sato
美穂子 佐藤
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make special facilities unnecessary by preventing breakage of samples and to make drying treatment simpler by using a rinsing solution for drying treatment which does not vaporize abruptly from a solid. SOLUTION: A rinsing solution for drying treatment which does not vaporizes abruptly from a solid state is used. Materials which meets this condition includes an organic compound having a vapor pressure of 0.05-8mmHg at 20 deg.C. The other requirements are such that melting point or solidifying point of the material must not be too much higher than a room temperature, but appropriately higher than the room temperature, and the material appropriately sublimates under a reduced-pressure condition. The material which meets all these requirements must be such a material that can maintain state of solid at a room temperature and gradually sublimate under a room-temperature atmospheric-pressure condition, but can relatively easily dissolve in liquids. When the safety of heating treatment is taken into consideration, p- dichlorobenzene having a melting point of about 40 deg.C is preferable.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、乾燥処理を必要と
する物品を製造する際に用いる乾燥処理用リンス液およ
びこのリンス液を使用する物品の製造方法に関する。特
に、半導体の製造に関わる微細加工技術において用いら
れるウェットエッチングによるエッチング方法およびそ
れを応用したマイクロマシーニングによる微小構造体の
製造方法に関し、なかでも空隙を有する微小構造体を効
率的に形成するための製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rinsing liquid for a drying treatment used for producing an article requiring a drying treatment, and a method for producing an article using the rinsing liquid. In particular, the present invention relates to an etching method by wet etching used in microfabrication technology related to semiconductor manufacturing and a method of manufacturing a microstructure by micromachining using the same, particularly for efficiently forming a microstructure having voids. And a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

〔マイクロマシーニング技術〕現在、半導体の製造に用
いられている微細加工技術においては、サブミクロンと
いった大きさの非常に微細なパターンを形成することが
可能になっている。
[Micromachining Technology] In the microfabrication technology currently used in the manufacture of semiconductors, it is possible to form a very fine pattern having a size of submicron.

【0003】このような微細加工技術の進歩に伴い、そ
れを応用したいわゆるマイクロマシーニング技術が、最
近注目されてきている。ここで、マイクロマシーニング
技術とは、マイクロマシーンと呼ばれる立体構造を有す
る微小構造体を製造する微細加工技術である。そして、
このマイクロマシーニング技術は、従来の機械加工の限
界を超えた新たな高機能デバイスの製造を実現するため
の有力な基幹技術と考えられている。なお、マイクロマ
シーニング技術に関しては、マイクロマシン開発技術ノ
ートブック(藤正巖他3名著、1991年3月1日発行、秀潤
社)、マイクロマシーニングとマイクロメカトロニクス
(江刺正喜他3名著、1992年6月20日発行、培風館)など
に詳しい記述がある。
[0003] With the progress of such fine processing technology, a so-called micromachining technology using the microprocessing technology has recently attracted attention. Here, the micromachining technology is a micromachining technology for manufacturing a microstructure having a three-dimensional structure called a micromachine. And
This micromachining technology is considered to be an important core technology for realizing the manufacture of a new high-performance device that exceeds the limits of conventional machining. For micromachining technology, see Micromachine Development Technology Notebook (Masao Fuji et al., 3 authors, published on March 1, 1991, Shujunsha), Micromachining and Micro Mechatronics (Masashi Esashi et al., 3 June 1992) (Published on March 20, Baifukan) has a detailed description.

【0004】ところで、このマイクロマシーニング技術
における重要な技術のひとつに、犠牲層エッチングと呼
ばれるエッチング方法がある。
One of the important techniques in the micromachining technique is an etching method called sacrificial layer etching.

【0005】〔犠牲層エッチング〕以下、この犠牲層エ
ッチングについて説明する。
[Sacrificial layer etching] The sacrificial layer etching will be described below.

【0006】犠牲層エッチングとは、いわば、立体構造
における空隙部分をつくるためのエッチング方法であ
る。そのために、犠牲層エッチングでは、空隙部分とな
る層を基板上に予め形成し、その層の一部または全部を
改めてエッチングし除去する。この方法において、空隙
部分となる層が選択的に除去されることから、その層を
犠牲層 sacrificial layerと呼んでいる。
The sacrifice layer etching is an etching method for creating a void portion in a three-dimensional structure. Therefore, in the sacrifice layer etching, a layer to be a void portion is formed on the substrate in advance, and a part or the whole of the layer is etched and removed again. In this method, since a layer serving as a void portion is selectively removed, the layer is called a sacrificial layer.

【0007】但し、この犠牲層は、基板上に形成される
場合と、基板の一部に形成される場合とがある。また、
上記のように、犠牲層は、その層の一部を除去する場合
と、層全部を除去する場合とがある。この点を考慮し
て、以下では、選択的に除去される部分を犠牲層部分と
呼ぶ。
However, the sacrificial layer may be formed on the substrate or may be formed on a part of the substrate. Also,
As described above, the sacrificial layer may be partially removed or entirely removed. In consideration of this point, a portion selectively removed is hereinafter referred to as a sacrificial layer portion.

【0008】したがって、犠牲層エッチングでは、次の
各作業工程を経て、空隙を有する立体構造がつくられ
る。
Therefore, in the sacrificial layer etching, a three-dimensional structure having voids is formed through the following operation steps.

【0009】(工程A-1)犠牲層部分の形成 基板上あるいは基板の一部に、所望の形状の該基板とは
異なる層を形成する。この基板とは異なる層が犠牲層と
なる。但し、基板とは異なる層とは、その層を構成する
物質の結晶構造および組成のうち少なくとも1つが、基
板を構成する物質とは異なる層を意味する。特に、組成
が異なるといった場合には、ドーピングによって形成さ
れる物質も含んでいる。
(Step A-1) Formation of Sacrificial Layer Portion A layer having a desired shape different from the substrate is formed on the substrate or on a part of the substrate. A layer different from this substrate is a sacrificial layer. However, a layer different from the substrate means a layer in which at least one of the crystal structure and the composition of the substance constituting the layer is different from the substance constituting the substrate. In particular, when the composition is different, it also includes a substance formed by doping.

【0010】(工程A-2)立体構造をなす層の形成 形成された犠牲層部分の上に、所望の形状の該犠牲層部
分とは異なる層を形成する。この犠牲層部分とは異なる
層が立体構造をなす層となる。但し、犠牲層部分とは異
なる層とは、結晶構造および組成のうち少なくとも1つ
が、犠牲層部分とは異なる層を意味する。ここでも、前
記と同様に、組成が異なるといった場合には、ドーピン
グによって形成される物質も含んでいる。
(Step A-2) Formation of a layer having a three-dimensional structure On the formed sacrificial layer portion, a layer having a desired shape and different from the sacrificial layer portion is formed. A layer different from the sacrificial layer portion is a layer having a three-dimensional structure. However, a layer different from the sacrificial layer portion means a layer having at least one of a crystal structure and a composition different from the sacrificial layer portion. Here, similarly to the above, when the composition is different, a substance formed by doping is also included.

【0011】(工程A-3)犠牲層部分の除去 立体構造をなす層の下部に形成されている犠牲層部分を
エッチングによって除去する。
(Step A-3) Removal of sacrificial layer portion The sacrificial layer portion formed below the layer having the three-dimensional structure is removed by etching.

【0012】但し、上記の犠牲層部分および立体構造を
なす層の形状は、従来と同様のパターニング方法を用い
て形成する。
However, the shape of the sacrificial layer portion and the layer forming the three-dimensional structure is formed by using the same patterning method as in the prior art.

【0013】このような犠牲層エッチングを用いること
により、サスペンション、片持ち梁などの部分的に基板
から浮いた状態で支持されている構造や、歯車、モータ
ーなどの基板上に回転する部分を含む構造などをつくる
ことができる。
By using such a sacrificial layer etching, a structure such as a suspension, a cantilever, which is partially supported in a state of being floated from the substrate, and a portion which rotates on the substrate, such as a gear or a motor, are included. You can create a structure.

【0014】ところで、この犠牲層エッチングにおいて
は、多くの場合、ウェットエッチングが用いられてい
る。その理由を、次に説明する。
Incidentally, in this sacrificial layer etching, wet etching is used in many cases. The reason will be described next.

【0015】犠牲層エッチングでは、犠牲層部分が他の
部分に比べて選択的に除去される必要がある。そのた
め、用いるエッチング方法としては、エッチングの選択
性を得やすいものが適している。
In the sacrifice layer etching, the sacrifice layer portion needs to be selectively removed as compared with other portions. Therefore, a suitable etching method is one that can easily obtain etching selectivity.

【0016】〔犠牲層エッチングにおいて用いられるエ
ッチング方法〕ところで、一般的に用いられてるエッチ
ング方法としては、ウェットエッチングとドライエッチ
ングとがあるが、これら2つの中では、ウェットエッチ
ングの方がエッチングの選択性を得やすいことが知られ
ている。このため、犠牲層エッチングにおいては、ウェ
ットエッチングが多く用いられているのである。
[Etching Method Used in Sacrificial Layer Etching] Generally, there are wet etching and dry etching as etching methods. Of these two methods, the wet etching is more preferable than the etching method. It is known that the property can be easily obtained. For this reason, wet etching is often used in sacrificial layer etching.

【0017】なお、ウェットエッチングとは、エッチャ
ントと呼ばれるエッチング溶液を用い、この溶液の化学
反応性を利用して、層を浸食し除去する方法である。こ
れに対して、ドライエッチングは、放電によって帯電し
た気体原子を層に衝突させるという物理的な作用を併せ
て利用する。つまり、ウェットエッチングは、化学反応
性のみを利用するという点で、物理的な作用を併せて利
用するドライエッチングよりもエッチングの選択性が得
やすいのである。
The wet etching is a method in which an etching solution called an etchant is used and the layer is eroded and removed by utilizing the chemical reactivity of the solution. On the other hand, dry etching also utilizes the physical effect of causing gas atoms charged by discharge to collide with a layer. In other words, wet etching is easier to obtain etching selectivity than dry etching that also uses physical action in that only chemical reactivity is used.

【0018】〔一般のウェットエッチングの作業工程〕
ここで、ウェットエッチングを行う際に、一般にエッチ
ング処理として行われる一連の作業工程を説明する。な
お、下記のエッチング処理の前後にはそれぞれ、通常の
レジストパターン形成工程およびレジストパターン剥離
工程がある。
[General working process of wet etching]
Here, a series of work steps generally performed as an etching process when performing wet etching will be described. Before and after the following etching process, there are a normal resist pattern forming step and a resist pattern peeling step, respectively.

【0019】(工程B-1)エッチング工程 エッチングすべきサンプルをエッチャントに浸し、不要
部分を除去する。
(Step B-1) Etching Step A sample to be etched is immersed in an etchant to remove unnecessary portions.

【0020】(工程B-2)洗浄工程 エッチャントから取り出したサンプルを水などでリンス
することによって、付着しているエッチャントを除去す
る。この処理を洗浄処理リンスと呼ぶ。この洗浄処理リ
ンスによって、エッチングの進行が止まる。
(Step B-2) Cleaning Step The sample removed from the etchant is rinsed with water or the like to remove the attached etchant. This process is called a cleaning process rinse. The rinse stops the progress of etching.

【0021】なお、洗浄処理リンスに用いられる水など
を洗浄処理用リンス液と呼ぶ。
The water used for the rinsing for cleaning is called a rinsing liquid for cleaning.

【0022】(工程B-3)乾燥工程 続いて、洗浄工程においてサンプルに付着した洗浄処理
用リンス液を除去する。このとき、洗浄処理用リンス液
をそのまま除去することで乾燥処理を行う場合と、洗浄
処理用リンス液とは異なる別の物質を乾燥処理用リンス
液として用い、該乾燥処理用リンスを除去することで乾
燥処理を行う場合との2通りがある。
(Step B-3) Drying Step Subsequently, the rinsing liquid for cleaning treatment adhered to the sample in the cleaning step is removed. At this time, when the drying treatment is performed by removing the rinsing liquid for cleaning treatment as it is, the rinsing liquid for cleaning may be removed by using another substance different from the rinsing liquid for cleaning treatment as the rinsing liquid for drying treatment. And two types of drying treatment.

【0023】ここで、乾燥処理用リンス液を用いる場
合、サンプルに付着している洗浄処理用リンス液を乾燥
処理用リンス液に置換する必要がある。そのために、洗
浄工程を終えたサンプルを乾燥処理用リンス液を用いて
リンスする作業が行われる。なお、ここでは、この処理
を乾燥処理リンスと呼ぶ。
Here, when the rinsing liquid for drying treatment is used, it is necessary to replace the rinsing liquid for cleaning treatment adhering to the sample with the rinsing liquid for drying treatment. For this purpose, an operation of rinsing the sample after the cleaning step using a rinsing liquid for drying treatment is performed. Here, this processing is referred to as drying processing rinsing.

【0024】なお、用いる洗浄処理用リンス液と乾燥処
理用リンス液との物性的な相性によっては、洗浄処理用
リンス液を直接乾燥処理用リンス液に置換できない場合
がある。そのような場合には、次のような中間置換処理
を乾燥工程の最初の段階において行う必要がある。
Depending on the physical compatibility between the rinsing liquid for cleaning and the rinsing liquid for drying, the rinsing liquid for cleaning may not be directly replaced with the rinsing liquid for drying. In such a case, the following intermediate replacement processing needs to be performed at the first stage of the drying process.

【0025】つまり、洗浄工程を終えたサンプルに乾燥
処理リンスを施す前に、洗浄処理用リンス液と乾燥処理
用リンス液との双方に置換し得る他の物質を用いてリン
スする。このような処理を行うことによって、乾燥処理
用リンス液に置換できるようにする。
That is, before performing the drying rinsing on the sample after the cleaning step, the sample is rinsed with another substance that can be replaced with both the cleaning rinsing liquid and the drying rinsing liquid. By performing such a process, it is possible to replace the rinse solution for the drying process.

【0026】例えば、洗浄処理用リンス液として水を用
い、乾燥処理用リンス液として水溶性がないかあるいは
良好でない有機化合物を用いる場合には、乾燥処理用リ
ンス液として用いる有機化合物を用いてリンスする前
に、水溶性の有機化合物であるエタノールなどを用いて
中間置換処理を施しておけばよい。
For example, when water is used as the rinsing liquid for the cleaning treatment and an organic compound that is insoluble or not water-soluble is used as the rinsing liquid for the drying treatment, the rinsing is performed using the organic compound used as the rinsing liquid for the drying treatment. Before the treatment, an intermediate substitution treatment may be performed using a water-soluble organic compound such as ethanol.

【0027】上記のウェットエッチングのエッチング処
理として行われる一連の作業工程は、犠牲層エッチング
の場合においても同様に行われる。
A series of working steps performed as the above-described wet etching are similarly performed in the case of sacrificial layer etching.

【0028】〔ウェットエッチングを用いた犠牲層エッ
チングの問題点〕しかしながら、ウェットエッチングを
用いた犠牲層エッチングにおいては、次のような現象が
多発し、問題となっていた。その現象とは、上記の乾燥
工程において、洗浄処理用リンス液を乾燥させた際に、
立体構造をなす層が基板に張り付いてしまい、しかもそ
れを簡単には剥がすことができなくなるというものであ
る。
[Problems of Sacrificial Layer Etching Using Wet Etching] However, in the sacrifice layer etching using wet etching, the following phenomena occur frequently and have been problematic. The phenomenon is that in the above-mentioned drying step, when the rinsing liquid for cleaning treatment is dried,
The three-dimensional layer is stuck to the substrate and cannot be easily peeled off.

【0029】このような場合に用いられていた乾燥処理
方法は、スピンドライヤーや蒸気洗浄あるいは蒸発など
の従来と同様の方法であった。ところで、このような現
象が多発した原因のひとつとして考えられるのは、該洗
浄処理用リンス液の表面張力の影響である。
The drying method used in such a case was the same as the conventional method such as a spin drier, steam cleaning or evaporation. By the way, one of the causes of the occurrence of such a phenomenon is considered to be the influence of the surface tension of the rinsing liquid for cleaning treatment.

【0030】以上のような問題があっため、従来の乾燥
処理方法を用いた製造方法では、現実的に微小構造体を
作製することが非常に困難であった。
Due to the above problems, it has been extremely difficult to actually produce a microstructure by a conventional manufacturing method using a drying treatment method.

【0031】〔凍結乾燥法〕上記の問題を回避するため
に、洗浄処理用リンス液を乾燥する方法として、凍結乾
燥法と呼ばれる乾燥処理方法が用いられた。
[Freeze-drying method] In order to avoid the above-mentioned problem, as a method of drying the rinse solution for washing treatment, a drying treatment method called freeze-drying method was used.

【0032】この凍結乾燥法とは、物体を乾燥させるた
めに、該物体に付着した物質を凝固させ、該物質を固体
から気体へ状態変化させることによって、付着していた
物質を除去するという方法である。
The freeze-drying method is a method in which, in order to dry an object, a substance attached to the object is solidified, and the substance is changed from a solid to a gas to remove the attached substance. It is.

【0033】なお、固体から気体への状態変化を、以
下、固体からの気化と呼ぶ。
The change of state from a solid to a gas is hereinafter referred to as vaporization from a solid.

【0034】〔水の凍結乾燥による乾燥処理〕従来用い
られていた凍結乾燥法において、乾燥処理によって除去
される物質は、洗浄処理用リンス液として用いられる水
であった。
[Drying treatment by freeze-drying of water] In the freeze-drying method conventionally used, the substance removed by the drying treatment was water used as a rinse liquid for washing treatment.

【0035】しかしながら、水を凍結乾燥法によって乾
燥処理する場合には、主に次にあげる2つの問題があっ
た。
However, when water is subjected to a drying treatment by a freeze-drying method, there are mainly the following two problems.

【0036】(1-1)凝固時の水の体積変化が大きい。(1-1) The volume change of water during coagulation is large.

【0037】水は、固体への状態変化すなわち凝固の際
に体積が膨張する。そのため、この体積変化に起因する
微小構造体の破壊が起こる危険性があり、実際の製造
上、安定した歩留りを得ることが期待できない。
Water expands in volume upon change of state to a solid, ie, solidification. Therefore, there is a risk that the microstructure is destroyed due to the volume change, and it is not expected that a stable yield is obtained in actual production.

【0038】(1-2)乾燥するサンプルを0 ℃未満に保
持した状態で減圧する必要がある。
(1-2) It is necessary to reduce the pressure while keeping the sample to be dried below 0 ° C.

【0039】凍結乾燥法は、固体からの気化を利用する
ため、水を固体の状態に維持しておかなければならな
い。そのためには、サンプルを0 ℃未満に保持したまま
減圧作業を行えるような特殊な装置を用いる必要があ
る。その結果として、製造コストが高くなる。
Since the freeze-drying method utilizes vaporization from a solid, water must be kept in a solid state. For that purpose, it is necessary to use a special device capable of performing the decompression work while keeping the sample below 0 ° C. As a result, manufacturing costs increase.

【0040】以上の理由から、水を凍結乾燥法によって
乾燥処理するという方法は、実際の製造に際しては実用
化し得なかった。
For the above reasons, the method of drying water by freeze-drying cannot be put to practical use in actual production.

【0041】〔t-ブチルアルコールの凍結乾燥による乾
燥処理〕このような問題を解決するためのひとつの手段
として、次のような方法が、平成3年電気学会全国大会
講演集4-1 No.397に報告されている。その方法とは、洗
浄処理用リンス液である水とは別に、乾燥処理用リンス
液としてt-ブチルアルコールを用いるというものであ
る。
[Drying treatment of t-butyl alcohol by freeze-drying] As one means for solving such a problem, the following method has been proposed. Reported in 397. The method is to use t-butyl alcohol as a rinsing liquid for drying treatment separately from water which is a rinsing liquid for cleaning treatment.

【0042】前記の水を用いる場合には、洗浄処理後に
そのまま凍結乾燥を行っていた。それに対して、t-ブチ
ルアルコールを用いる場合には、乾燥工程として、ま
ず、t-ブチルアルコールを用いた乾燥処理リンスを行う
という作業が加わる。すなわち、水による洗浄処理後
に、t-ブチルアルコールでリンスし、サンプルに付着し
ていた水をt-ブチルアルコールに置換するのである。そ
の後、t-ブチルアルコールを凝固させ、固体から気体へ
状態変化させることによって乾燥する。
When the above-mentioned water is used, freeze-drying has been carried out as it is after the washing treatment. On the other hand, when t-butyl alcohol is used, an operation of first performing a drying treatment rinsing using t-butyl alcohol is added as a drying step. That is, after the washing treatment with water, the sample is rinsed with t-butyl alcohol, and the water adhering to the sample is replaced with t-butyl alcohol. Thereafter, t-butyl alcohol is coagulated and dried by changing its state from a solid to a gas.

【0043】t-ブチルアルコールを用いたこの方法は、
水を用いた前記の方法に比べて、固体の状態での取り扱
いが若干容易になった。その理由は、t-ブチルアルコー
ルの凝固点が25.6 ℃と室温に近い値であるため、固体
の状態を維持することが水の場合ほど困難でなくなった
からである。そのため、一見すると、t-ブチルアルコー
ルが乾燥処理用リンス液として、適しているように考え
られる。
This method using t-butyl alcohol,
Handling in a solid state was slightly easier than in the above method using water. The reason is that the freezing point of t-butyl alcohol is 25.6 ° C., which is close to room temperature, so that it is no longer as difficult to maintain a solid state as in water. Therefore, at first glance, it is considered that t-butyl alcohol is suitable as the rinsing liquid for drying treatment.

【0044】しかしながら、t-ブチルアルコールを用い
たこの方法には、以下に挙げる主に5つの問題点があっ
た。
However, this method using t-butyl alcohol has the following five main problems.

【0045】(2-1)固体からの気化に伴う微小構造体
の破壊が起こる。
(2-1) Destruction of the microstructure is caused by vaporization from the solid.

【0046】一般に、物質の状態変化は、温度、圧力、
あるいは物質の量などに依存するために、その速度を制
御することは簡単ではない。
In general, changes in the state of a substance include temperature, pressure,
Or, it is not easy to control the speed because it depends on the amount of the substance.

【0047】t-ブチルアルコールの場合、温度や圧力を
厳密に管理しておいたとしても、液量によっては、凍結
乾燥時に真空中での急激な固体からの気化が起こること
がある。ここで、急激な固体からの気化とは、サンプル
のまわりに付着したt-ブチルアルコールの層のある部分
のみが、局所的に気化に状態変化してしまうことを意味
する。そのために、固体から気化していない部分の固体
のt-ブチルアルコールが分離し、それがサンプル上を激
しく動き回るという現象が発生する。そのために、微小
構造体が破壊されることがあり、その結果として、製造
上の歩留まりの低下が起こる。
In the case of t-butyl alcohol, even if the temperature and pressure are strictly controlled, rapid solidification in a vacuum may occur during freeze-drying depending on the amount of liquid. Here, rapid vaporization from a solid means that only a certain portion of the t-butyl alcohol layer attached around the sample locally changes to vaporization. For this reason, a phenomenon occurs in which solid t-butyl alcohol in a non-vaporized portion is separated from the solid, and moves violently on the sample. For this reason, the microstructure may be destroyed, and as a result, the production yield may be reduced.

【0048】実際の製造の観点から考えると、歩留りの
低下を招くというこの問題(2-1)が最も深刻な問題で
あるといえる。
From the viewpoint of actual production, this problem (2-1), which causes a decrease in yield, can be said to be the most serious problem.

【0049】これに加えて、作業あるいは設備等の問題
として、さらに好ましい解決方法について次に述べる。
In addition, a more preferable solution will be described below as a problem of work or equipment.

【0050】まず、t-ブチルアルコールの凝固点が室温
近傍であるために、次のような問題点がある。
First, since the freezing point of t-butyl alcohol is around room temperature, there are the following problems.

【0051】(2-2)作業環境および保管場所の温度お
よび湿度を厳密に管理する必要がある。
(2-2) It is necessary to strictly control the temperature and humidity of the working environment and the storage place.

【0052】t-ブチルアルコールを用いる場合、作業環
境の温度を凝固点よりも十分低温に保持する必要がある
が、その理由は、作業環境温度が凝固点より十分低い温
度でなければ、融解し液体になってしまう危険性がある
からである。この問題について、具体的に述べる。
When t-butyl alcohol is used, it is necessary to maintain the temperature of the working environment sufficiently lower than the freezing point, because if the working environment temperature is not sufficiently lower than the freezing point, it melts and becomes liquid. This is because there is a risk of becoming. This problem will be specifically described.

【0053】i)安定した固体の状態を維持することが
困難である。
I) It is difficult to maintain a stable solid state.

【0054】特に夏期などは、安定した固体の状態を維
持するために、冷却装置を用いて作業環境の温度を低温
に維持する必要がある。そのためには、空調等の設備が
必要となり、製造コストが高くなる。
In particular, in the summer, for example, in order to maintain a stable solid state, it is necessary to maintain the temperature of the working environment at a low temperature using a cooling device. For that purpose, facilities such as air conditioning are required, and the manufacturing cost is increased.

【0055】ii)凝固点降下による影響を受けやすい。Ii) It is easily affected by freezing point depression.

【0056】ここで、凝固点降下について説明する。凝
固点降下とは、溶質が溶媒に溶け込むことによって、溶
媒の凝固点が降下する現象をいう。なお、凝固点降下と
いう名称は、モル凝固点降下の一般的な略称である。
Here, the freezing point drop will be described. The freezing point drop refers to a phenomenon in which the freezing point of the solvent drops as the solute dissolves in the solvent. The term freezing point depression is a general abbreviation of molar freezing point depression.

【0057】t-ブチルアルコールの場合、凝固点降下が
起こると、融解し液体になってしまう可能性が非常に高
い。その理由は、前記のように凝固点が室温に近い値で
あるためである。
In the case of t-butyl alcohol, when the freezing point drops, the possibility of melting and becoming liquid is very high. The reason is that the freezing point is a value close to room temperature as described above.

【0058】例えば、水などが微量に混入すると、凝固
点が容易に室温以下に低下してしまう。この場合、水が
溶け込む溶質に、t-ブチルアルコールが凝固点降下を起
こす溶媒にそれぞれ相当する。特に、水は温度変化によ
る凝結によって、容易に混入される危険性があるため、
作業環境の湿度などを厳密に管理する必要がある。
For example, when a small amount of water or the like is mixed, the freezing point easily drops to room temperature or lower. In this case, t-butyl alcohol corresponds to a solvent that causes a freezing point drop in a solute in which water dissolves. In particular, water has the risk of being easily mixed in by condensation due to temperature changes,
It is necessary to strictly control the humidity of the working environment.

【0059】同様の理由から、溶液を保存する際にも、
温度や湿度などが厳密に管理された環境が必要とされ
る。
For the same reason, when storing the solution,
An environment in which temperature and humidity are strictly controlled is required.

【0060】さらに、作業の簡略化を考慮すると、次の
問題がある。
Further, when simplification of the operation is considered, there is the following problem.

【0061】(2-3)乾燥処理を行う際に真空装置が必
要となる。
(2-3) A vacuum device is required when performing the drying process.

【0062】t-ブチルアルコールを用いる場合には、乾
燥処理は減圧状態のもとで行う必要がある。そのための
真空装置が必要になる。それに加えて、上記(2-2)で
述べた通り、作業環境の温度はt-ブチルアルコールの凝
固点以下に保持しなくてはならないため、真空装置を設
置する場所の温度を十分に低温にしておくか、あるい
は、真空装置のサンプル保持部に冷却機構を備えること
が必要となる。
When t-butyl alcohol is used, the drying treatment must be performed under reduced pressure. Therefore, a vacuum device is required. In addition, as mentioned in (2-2) above, the temperature of the working environment must be kept below the freezing point of t-butyl alcohol. Otherwise, it is necessary to provide a cooling mechanism in the sample holding section of the vacuum apparatus.

【0063】上記の2点(2-2)、(2-3)からわかるよ
うに、作業あるいは設備等の問題についても、コストの
大幅な軽減や、作業の簡略化等にはつながらなかった。
As can be seen from the above two points (2-2) and (2-3), the problem of work or equipment did not lead to drastic reduction in cost or simplification of work.

【0064】以上から、このt-ブチルアルコールを用い
た凍結乾燥法は、従来の水を用いたそれと比べて、特に
優れているとはいえない。このような理由から、t-ブチ
ルアルコールを用いた乾燥処理も、実用性のある有効な
方法とはならなかった。
As described above, the freeze-drying method using t-butyl alcohol is not particularly superior to that using conventional water. For these reasons, the drying treatment using t-butyl alcohol has not been a practical and effective method.

【0065】[0065]

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の技
術の問題から、求められる乾燥処理方法は、まず、サン
プルを破壊するようなことがない歩留まりのよい乾燥処
理方法である必要がある。それに加えて、製造上の実用
性から考えて、作業が簡単で特殊な設備を必要としない
簡便な乾燥処理方法であることが好ましい。そして、そ
のような乾燥処理方法を利用することで、微細加工の歩
留りが上がることが好ましい。
In view of the above-mentioned problems of the prior art, the required drying treatment method must first be a drying treatment method with a high yield without destroying the sample. In addition, from the viewpoint of practicality in manufacturing, it is preferable that the drying method is simple and does not require special equipment. It is preferable that the yield of microfabrication be improved by using such a drying treatment method.

【0066】したがって、本発明が解決しようとする課
題は、次の6点である。
Therefore, the problems to be solved by the present invention are the following six points.

【0067】(課題1)急激な固体からの気化を起こさ
ない乾燥処理用リンス液を提供すること。
(Problem 1) An object of the present invention is to provide a rinsing liquid for drying treatment that does not cause rapid evaporation of solids.

【0068】(課題2)前記の乾燥処理用リンス液を用
いて、サンプルの破壊を起こさないような歩留りのよい
乾燥処理方法を提供すること。
(Problem 2) An object of the present invention is to provide a drying treatment method which uses the above-mentioned rinsing liquid for drying treatment and has a good yield so as not to destroy the sample.

【0069】(課題3)前記の乾燥処理方法であって、
かつ、煩雑な温度や湿度の管理を必要とせず、冷却装置
などの装置および設備を特に必要としない、簡便で低コ
ストな乾燥処理方法を提供すること。
(Problem 3) The drying treatment method described above,
Also, to provide a simple and low-cost drying method that does not require complicated temperature and humidity management and does not particularly require devices and equipment such as a cooling device.

【0070】(課題4)前記の乾燥処理方法であって、
かつ、乾燥処理に際して真空装置などの装置および設備
を特に必要としない、簡便で低コストな乾燥処理方法を
提供すること。
(Problem 4) The drying method described above,
Further, it is an object of the present invention to provide a simple and low-cost drying treatment method which does not particularly require a vacuum device or the like for the drying treatment.

【0071】(課題5)前記の乾燥処理方法を利用する
ことによって、歩留りのよい微細加工が可能なエッチン
グ方法を提供すること。
(Problem 5) To provide an etching method capable of performing fine processing with good yield by utilizing the above-mentioned drying treatment method.

【0072】(課題6)前記のエッチング方法を用い
て、安価で歩留まりのよい微小構造体の製造方法を提供
すること。
(Problem 6) To provide a method for manufacturing a microstructure which is inexpensive and has a good yield by using the above-mentioned etching method.

【0073】[0073]

【課題を解決するための手段】本発明は、以上のような
従来の技術の問題点を解決するためになされたものであ
り、急激な固体からの気化を起こさない乾燥処理用リン
ス液を用いて、歩留りがよく簡便で低コストな乾燥処理
方法を提供し、この乾燥処理方法を利用したエッチング
方法、さらには、このエッチング方法を用いた微小構造
体の製造方法を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and uses a rinsing liquid for drying treatment which does not cause rapid evaporation of solids. Accordingly, the present invention provides a simple and low-cost drying method with a good yield, an etching method using the drying method, and a method for manufacturing a microstructure using the etching method.

【0074】すなわち、本発明は、乾燥処理を行うため
に用いられる乾燥処理用リンス液であって、20 ℃にお
いて固体であり、かつ、該温度における蒸気圧が0.05 m
mHg以上8 mmHg以下の有機化合物であることを特徴とす
る乾燥処理用リンス液である。
That is, the present invention provides a rinsing liquid for drying treatment used for performing a drying treatment, which is solid at 20 ° C. and has a vapor pressure of 0.05 m at that temperature.
A rinsing liquid for drying treatment, which is an organic compound having a mHg of 8 mmHg or more.

【0075】前記有機化合物の融点が、40 ℃以上100
℃以下であることを特徴とする乾燥処理用リンス液であ
る。
When the melting point of the organic compound is 40.degree.
It is a rinsing liquid for drying treatment, wherein the rinsing liquid has a temperature of not more than ℃.

【0076】前記有機化合物が、常温常圧下において昇
華性を有することを特徴とする乾燥処理用リンス液であ
る。
A rinsing liquid for drying treatment, wherein the organic compound has sublimability under normal temperature and normal pressure.

【0077】前記有機化合物が、p-トルイジンであるこ
とを特徴とする乾燥処理用リンス液である。
The rinsing solution for drying treatment, wherein the organic compound is p-toluidine.

【0078】前記有機化合物が、テトラヒドロフルフリ
ルアルコールであることを特徴とする乾燥処理用リンス
液である。
The rinsing solution for drying treatment, wherein the organic compound is tetrahydrofurfuryl alcohol.

【0079】前記有機化合物が、p-ジクロロベンゼンで
あることを特徴とする乾燥処理用リンス液である。
A rinsing solution for drying treatment, wherein the organic compound is p-dichlorobenzene.

【0080】ウェットエッチング工程後あるいは該ウェ
ットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の乾
燥工程において用いることを特徴とする乾燥処理用リン
ス液である。
A rinsing liquid for drying treatment, which is used in the drying step after the wet etching step or after the cleaning step performed continuously to the wet etching step.

【0081】物体の乾燥処理方法であって、該物体を前
記の乾燥処理用リンス液を用い、該乾燥処理用リンス液
を凝固させた後に、固体の状態で気化させることによっ
て該物体を乾燥することを特徴とする乾燥処理方法であ
る。
In a method for drying an object, the object is dried by using the above-described rinsing liquid for drying treatment, coagulating the rinsing liquid for drying treatment, and then evaporating the object in a solid state. It is a drying treatment method characterized by the above-mentioned.

【0082】ウェットエッチング工程後あるいは該ウェ
ットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の乾
燥工程における乾燥処理方法であって、前記の乾燥処理
方法を用いて乾燥することを特徴とする乾燥処理方法で
ある。
A drying method in a drying step after a wet etching step or after a cleaning step performed continuously to the wet etching step, characterized by drying using the above-mentioned drying method. It is.

【0083】ウェットエッチングによるエッチング方法
であって、ウェットエッチング工程後あるいは該ウェッ
トエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後に前記
の乾燥処理方法を用いた乾燥工程を有することを特徴と
するエッチング方法である。
An etching method by wet etching, comprising a drying step using the above-mentioned drying method after a wet etching step or after a cleaning step performed continuously to the wet etching step. is there.

【0084】前記エッチング方法が、選択的に除去され
る犠牲層部分をエッチングする犠牲層エッチングである
ことを特徴とするエッチング方法である。
The etching method is characterized in that the etching method is a sacrifice layer etching for etching a sacrifice layer portion to be selectively removed.

【0085】前記犠牲層部分が、空隙を有する微小構造
体を形成するために用いられる層であること特徴とする
エッチング方法である。
[0085] In the etching method, the sacrificial layer portion may be a layer used for forming a microstructure having voids.

【0086】前記犠牲層部分が、基板上に形成された該
基板とは異なる層の一部または全部、あるいは該基板の
一部に形成された該基板とは異なる層であることを特徴
とするエッチング方法である。
The sacrifice layer portion may be a part or all of a layer formed on a substrate different from the substrate, or a layer different from the substrate formed on a part of the substrate. This is an etching method.

【0087】前記基板とは異なる層が、前記基板を形成
する物質とは異なる結晶構造を有する物質からなること
を特徴とするエッチング方法である。
[0087] In the etching method, a layer different from the substrate may be formed of a material having a different crystal structure from a material forming the substrate.

【0088】前記基板とは異なる層が、前記基板を形成
する物質とは異なる組成の物質からなることを特徴とす
るエッチング方法である。
[0088] In the etching method, a layer different from the substrate may be formed of a material having a different composition from a material forming the substrate.

【0089】空隙を有する微小構造体の製造方法であっ
て、前記のエッチング方法を用いることを特徴とする微
小構造体の製造方法である。
A method for producing a microstructure having voids, the method comprising using the etching method described above.

【0090】前記微小構造体が、部分的に基板から浮い
た状態で支持されている構造を有することを特徴とする
微小構造体の製造方法である。
The method for manufacturing a microstructure according to the present invention is characterized in that the microstructure has a structure in which the microstructure is supported partially in a state of floating from the substrate.

【0091】前記微小構造体が、基板上に回転する部分
を含む構造を有することを特徴とする製造方法である。
The manufacturing method is characterized in that the microstructure has a structure including a portion rotating on a substrate.

【0092】[0092]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を示
す。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0093】〔乾燥処理用リンス液に用いることができ
る物質〕従来の乾燥処理方法、すなわち、水やt-ブチル
アルコールを用いた従来の凍結乾燥法において発生した
種々の問題を詳細に検討した結果、乾燥処理用リンス液
として用いることができる物質が満足すべき条件は、以
下のようになった。
[Substances Usable in Rinsing Solution for Drying Process] Results of detailed examination of various problems that occurred in the conventional drying process, that is, the conventional freeze-drying process using water or t-butyl alcohol. The conditions that should be satisfied by the substance that can be used as the rinsing liquid for drying treatment were as follows.

【0094】(条件A)固体からの気化が穏やかである
こと ここで、穏やかとは、t-ブチルアルコールを用いた場合
のように、急激な固体からの気化が起こり、それによっ
て分離した固体の一部がサンプル上を激しく動き回ると
いうようなことがない状態を意味する。
(Condition A) Moderate vaporization from solids Here, “moderate” refers to rapid vaporization of solids as in the case of using t-butyl alcohol, and It means that a part does not move around the sample violently.

【0095】この条件を満足すれば、乾燥処理に際し
て、微小構造体の基板への貼り付きあるいは微小構造体
の破壊の危険性を除外することができる。
If this condition is satisfied, the risk of sticking the microstructure to the substrate or destroying the microstructure during the drying process can be excluded.

【0096】この条件を満足する物質としては、20 ℃
において固体であり、かつ、20 ℃における蒸気圧が0.0
5 mmHg以上8 mmHg以下の有機化合物がある。そのうち主
なものを、次の表1にまとめておく。但し、表1において
用いられている蒸気圧の単位の表記 mmHg/20℃ は、20
℃における蒸気圧を mmHg で表していることを意味す
る。また、昇華性の有無の昇華性とは常温常圧下におけ
る昇華性を意味し、○は昇華性有りを、×は昇華性なし
をそれぞれ表している。
A substance satisfying this condition is 20 ° C.
At 20 ° C and a vapor pressure of 0.0
There are organic compounds of 5 mmHg to 8 mmHg. The main ones are summarized in Table 1 below. However, the notation of the unit of vapor pressure used in Table 1 mmHg / 20 ℃ is 20
It means that the vapor pressure at ° C is expressed in mmHg. The sublimability with or without sublimability means sublimability under normal temperature and normal pressure, ○ indicates sublimability, and X indicates no sublimability.

【0097】[0097]

【表1】 [Table 1]

【0098】上記表1の物質を乾燥処理用リンス液とし
て用いた凍結乾燥法による乾燥処理を行うことによっ
て、少なくとも、乾燥処理時の微小構造体の破壊という
課題は解決される。すなわち、微小構造体を破壊するこ
となく乾燥処理を行うことができる。
By subjecting the substance shown in Table 1 to a freeze-drying process using a rinse solution for the drying process, at least the problem of destruction of the microstructure during the drying process can be solved. That is, the drying treatment can be performed without destroying the microstructure.

【0099】なお、上記表1に示したような、20 ℃にお
いて固体であり、かつ、20 ℃における蒸気圧が0.05 mm
Hg以上8 mmHg以下の有機化合物については、それらのう
ちの少なくとも1種を含む共融混合物を乾燥処理用リン
ス液として用いることもできる。ここで、共融混合物と
は、2種類以上の結晶の混合物のうち、各成分が溶液か
ら同時に析出する言い換えれば各成分が同時融解するも
のを意味する。
As shown in Table 1, it is solid at 20 ° C. and has a vapor pressure of 0.05 mm at 20 ° C.
For organic compounds having an Hg of 8 mmHg or more, a eutectic mixture containing at least one of them can be used as a rinsing liquid for drying treatment. Here, the eutectic mixture refers to a mixture of two or more types of crystals in which each component is simultaneously precipitated from a solution, in other words, each component is simultaneously melted.

【0100】さらに、実際の作業上の困難から考えて、
満足することが好ましい条件は、次の(条件B)であ
る。
Further, considering the practical difficulties,
The condition that is preferably satisfied is the following (Condition B).

【0101】(条件B)融点(あるいは、凝固点)が室
温より適度に高く、かつ、高すぎないこと まず、凝固点が室温より適度に高い物質であれば、冷却
装置を用いずに、室温において固体の状態を維持するこ
とができる。また、凝固点降下による影響も無視でき
る。特に、凝固点が40 ℃以上であれば、通常の作業環
境温度において問題なく用いられる。
(Condition B) The melting point (or freezing point) should be moderately higher than room temperature and not too high. First, if the substance has a moderately higher freezing point than room temperature, it can be solidified at room temperature without using a cooling device. Can be maintained. Also, the effect of freezing point depression can be neglected. In particular, if the freezing point is 40 ° C. or higher, it can be used without problems at normal working environment temperatures.

【0102】また、融点が高すぎない物質であれば、室
温において固体であっても、簡単な加熱作業によって融
解させ、リンス液として用いることができる。特に、融
点が100 ℃以下であれば、加熱作業も特別な装置なしに
容易に行える。
Further, as long as the substance has a melting point not too high, even if it is solid at room temperature, it can be melted by a simple heating operation and used as a rinsing liquid. In particular, if the melting point is 100 ° C. or less, the heating operation can be easily performed without special equipment.

【0103】前記(条件B)を満足する物質であれば、
作業環境あるいは保管場所の温度および湿度の特別な制
御や凝固のための冷却装置あるいは融解のための加熱装
置も必要とされない。
If the substance satisfies the above (condition B),
No special control of the temperature and humidity of the working environment or storage area, no cooling device for coagulation or no heating device for melting is required.

【0104】ところで、融点が40 ℃以上100 ℃以下の
物質であれば、上記(条件B)を満足することは明らか
であり、上記表1の中では、ナフタレン、p-トルイジ
ン、p-ジクロロベンゼン、テトラヒドロフルフリルアル
コールがそれに該当する。これらは全て融点が40 ℃以
上であるため、例えば、放置による自然冷却によって凝
固させることができ、凝固点降下が起こっても室温に以
下に下がることはまずない。また、これらは全て融点が
90 ℃以下であるため、加熱の際に水浴を用いることが
でき、危険性も少ない。特に、p-トルイジンおよびp-ジ
クロロベンゼンは、融点が60 ℃以下であるため、容易
に融解する。
By the way, if the substance has a melting point of 40 ° C. or more and 100 ° C. or less, it is clear that the above (condition B) is satisfied. In Table 1, naphthalene, p-toluidine, p-dichlorobenzene are shown. , Tetrahydrofurfuryl alcohol. Since all of these have a melting point of 40 ° C. or higher, they can be solidified by, for example, spontaneous cooling by standing, and even if the freezing point drops, it hardly drops below room temperature. All of these have melting points
Since the temperature is 90 ° C or less, a water bath can be used for heating, and there is little danger. In particular, p-toluidine and p-dichlorobenzene melt easily because their melting points are 60 ° C. or less.

【0105】以上2点に加えて、さらに望ましくは、次
の(条件C)を満足することである。
In addition to the above two points, more desirably, the following (condition C) is satisfied.

【0106】(条件C)非減圧状態において適度に昇華
すること つまり、この条件を満足すれば、真空装置を用いること
なしに、適度に換気した場所に数時間放置することによ
って乾燥処理を行うことができる。
(Condition C) Moderate sublimation in a non-reduced pressure state In other words, if this condition is satisfied, the drying process should be performed by leaving the device in an appropriately ventilated place for several hours without using a vacuum device. Can be.

【0107】とこで、常温常圧下において昇華性を有す
る物質であれば、上記の(条件C)を満足することは明
らかであり、上記表1の中では、ナフタレン、樟脳、p-
ジクロロベンゼンがそれに該当する。
Here, it is clear that a substance having sublimability under normal temperature and normal pressure satisfies the above (condition C). In Table 1, naphthalene, camphor, p-
Dichlorobenzene corresponds to this.

【0108】また、乾燥工程における中間置換処理の簡
略化を考えると、 (条件D-1)水に可溶であること あるいは (条件D-2)エタノールなどの水溶性有機化合物に可溶
であること が、望ましい付加的条件として挙げられる。
Considering the simplification of the intermediate substitution treatment in the drying step, (condition D-1) is soluble in water or (condition D-2) is soluble in a water-soluble organic compound such as ethanol. This is a desirable additional condition.

【0109】上記表1の物質は全て、エタノールに対し
て可溶であり、(条件D-2)を満足する。また、テトラ
ヒドロフルフリルアルコールおよび1-メトキシ-2-プロ
パノールは水に対して可溶であり、(条件D-1)も併せ
て満足する。なお、p-トルイジンは、水に対して僅かに
溶ける。
All the substances shown in Table 1 are soluble in ethanol and satisfy (condition D-2). Further, tetrahydrofurfuryl alcohol and 1-methoxy-2-propanol are soluble in water, and also satisfy (condition D-1). Note that p-toluidine is slightly soluble in water.

【0110】〔乾燥処理用リンス液として用いることが
特に好ましい物質〕乾燥処理用リンス液として用いるこ
とが特に好ましい物質は、上記の条件(条件A)〜(条
件C)を全て満足する物質である。そのような物質を乾
燥処理用リンス液として用いることによって、上記の課
題全てが解決される。
[Substances preferably used as rinsing liquid for drying] Substances particularly preferable to be used as rinsing liquid for drying are substances satisfying all of the above-mentioned conditions (conditions A) to (conditions C). . By using such a substance as a rinsing liquid for drying treatment, all of the above problems are solved.

【0111】ところで、上記の条件(条件A)〜(条件
C)を全て満足する物質とは、常温常圧下において穏や
かに昇華し、常温においては固体であるが、比較的容易
に融解し液体となるような物質であり、上記表1に示し
た例の中では、ナフタリンおよびp-ジクロロベンゼンが
それに該当する。
By the way, the above conditions (condition A) to (condition
The substance satisfying all of C) is a substance that gently sublimates under normal temperature and normal pressure and is a solid at normal temperature, but relatively easily melts and becomes a liquid. Among these are naphthalene and p-dichlorobenzene.

【0112】但し、加熱処理時の安全性を考えると、融
点が40 ℃により近いp-ジクロロベンゼンの方がより好
ましい。
However, considering the safety during the heat treatment, p-dichlorobenzene having a melting point closer to 40 ° C. is more preferable.

【0113】〔p-ジクロロベンゼンに類似する他の物
質〕上記のp-ジクロロベンゼンと類似の性質を示す他の
物質とは、ナフタレンの他に、樟脳がある。樟脳は、融
点がp-ジクロロベンゼンほど低くないため、水浴を用い
た加熱はできないが、融解させるための加熱はさほど困
難ではなく、比較的容易に液体にできる。しかも、常温
常圧下での昇華性を有しているため、乾燥処理は容易で
あるという利点がある。
[Other Substances Similar to p-Dichlorobenzene] Other substances having properties similar to those of p-dichlorobenzene include camphor besides naphthalene. Camphor cannot be heated using a water bath because its melting point is not as low as p-dichlorobenzene, but heating for melting is not so difficult and it can be relatively easily made into a liquid. Moreover, since it has sublimability under normal temperature and normal pressure, there is an advantage that drying treatment is easy.

【0114】したがって、樟脳を乾燥処理用リンス液と
して用いた凍結乾燥法による乾燥処理を行うことによっ
ても、上記の課題全てが解決される。
Therefore, all of the above-mentioned problems can also be solved by performing a freeze-drying process using camphor as a rinse rinse solution.

【0115】〔p-ジクロロベンゼンを用いた場合の犠牲
層エッチングによる微小構造体の製造方法1〕以下に、
乾燥処理用リンス液として特に好ましいp-ジクロロベン
ゼンを用いた場合の犠牲層エッチングによる微小構造体
の製造方法に関する作業手順を示す。
[Method 1 of Manufacturing Microstructure by Sacrificial Layer Etching When Using p-Dichlorobenzene]
An operation procedure relating to a method for manufacturing a microstructure by sacrificial layer etching when p-dichlorobenzene, which is particularly preferable as a rinsing liquid for drying treatment, is used will be described.

【0116】(工程B-1)エッチング工程 i)犠牲層エッチングを行う。すなわち、サンプルを酸
あるいはアルカリなどのエッチャントに浸し、微小構造
体の空隙部分となる層を除去する。
(Step B-1) Etching Step i) Sacrificial layer etching is performed. That is, the sample is immersed in an etchant such as an acid or an alkali to remove a layer that becomes a void portion of the microstructure.

【0117】(工程B-2)洗浄工程 ii)エッチング終了後、連続して、水を用いた洗浄処理
リンスを行う。すなわち、サンプルに付着したエッチャ
ントを洗浄処理用リンス液である水に置換する。
(Step B-2) Cleaning Step ii) After the completion of the etching, a cleaning treatment rinse using water is continuously performed. That is, the etchant adhering to the sample is replaced with water which is a rinsing liquid for cleaning treatment.

【0118】(工程B-3)乾燥工程 iii)洗浄後、まず中間置換処理を行う。すなわち、水
による洗浄処理後、エタノール中でリンスし、サンプル
に残った水をエタノールに置換する。つまり、エタノー
ルへの中間置換処理を行うことで、p-ジクロロベンゼン
への置換を可能にする。
(Step B-3) Drying step iii) After washing, first, an intermediate replacement treatment is performed. That is, after the washing treatment with water, the sample is rinsed in ethanol, and the water remaining in the sample is replaced with ethanol. That is, by performing an intermediate substitution treatment with ethanol, substitution with p-dichlorobenzene becomes possible.

【0119】iv)その後、連続して乾燥処理用リンス液
である液体のp-ジクロロベンゼン中でリンスする。この
とき、p-ジクロロベンゼンは予め70 ℃程度に加熱し、
液体にしておく。
Iv) Thereafter, rinsing is continuously performed in liquid p-dichlorobenzene which is a rinsing liquid for drying treatment. At this time, p-dichlorobenzene was previously heated to about 70 ° C.
Keep liquid.

【0120】v)続いて、サンプルの表面に付着してい
る液体のp-ジクロロベンゼンを冷却し、凝固させる。そ
のためには、液体のp-ジクロロベンゼンの中からサンプ
ルを取り出し、放置すればよい。放置することによっ
て、サンプルが室温程度になり、サンプルに付着した液
体のp-ジクロロベンゼンは凝固する。
V) Subsequently, the liquid p-dichlorobenzene adhering to the surface of the sample is cooled and solidified. To do so, a sample may be taken out of liquid p-dichlorobenzene and left to stand. By leaving the sample, the temperature of the sample becomes about room temperature, and the liquid p-dichlorobenzene attached to the sample solidifies.

【0121】vi)最後に、固体のp-ジクロロベンゼンを
昇華させることで、サンプルから除去し、乾燥処理が終
了する。この昇華も、上記の凝固の場合と同様に、適度
に換気された場所に放置すればよい。
Vi) Finally, solid p-dichlorobenzene is removed from the sample by sublimation, and the drying process is completed. This sublimation may be left in an appropriately ventilated place, as in the case of coagulation described above.

【0122】以上i)〜 vi)の各工程を連続して行うこ
とで、エッチング処理が完了する。
By performing the above steps i) to vi) successively, the etching process is completed.

【0123】但し、以上の工程のうち、i)〜 iv)ま
で、すなわち、サンプルを液体のp-ジクロロベンゼンの
中に移すまでは連続して行う必要がある。その理由は、
サンプルを非乾燥状態に保持する必要があるからであ
る。
However, of the above steps, steps i) to iv), that is, steps until the sample is transferred into liquid p-dichlorobenzene, must be performed continuously. The reason is,
This is because the sample needs to be kept in a non-dried state.

【0124】上記のように、乾燥処理用リンス液として
p-ジクロロベンゼンを用いた乾燥工程が簡単な理由は、
上記において挙げた条件(条件A)〜(条件C)を全て満
足し、それに加えて付加的条件である(条件D-2)をも
満足しているからである。
As described above, the rinsing liquid for drying treatment
The reason why the drying process using p-dichlorobenzene is simple is that
This is because all the conditions (conditions A) to (condition C) described above are satisfied, and in addition, an additional condition (condition D-2) is also satisfied.

【0125】上記のエッチング方法を用いることによっ
て、空隙を有する微小構造体を製造することができる。
By using the above etching method, a microstructure having voids can be manufactured.

【0126】〔p-ジクロロベンゼンを用いた場合の犠牲
層エッチングによる微小構造体の製造方法2〕上記の乾
燥処理用リンス液としてp-ジクロロベンゼンを用いた乾
燥工程において、特に乾燥に要する時間すなわち昇華に
要する時間を短縮したい場合には、真空装置を用いて減
圧作業を行いながら乾燥処理を行えばよい。
[Method of Manufacturing Microstructure by Sacrificial Layer Etching Using p-Dichlorobenzene 2] In the above-mentioned drying step using p-dichlorobenzene as the rinse for drying treatment, the time required for drying, in particular, When it is desired to reduce the time required for sublimation, the drying process may be performed while performing a pressure reducing operation using a vacuum device.

【0127】この場合には、簡単な油回転真空ポンプを
真空装置として用い、適度に減圧すればよい。このよう
な簡単な減圧作業を行うことで、完全に乾燥処理を終え
ることができる。なお、この乾燥処理に要する時間は、
サンプルの大きさやサンプルに付着しているp-ジクロロ
ベンゼンの量に依存するが、いずれにしても数分程度で
ある。
In this case, a simple oil rotary vacuum pump may be used as a vacuum device to reduce the pressure appropriately. By performing such a simple decompression operation, the drying process can be completely completed. The time required for this drying process is
It depends on the size of the sample and the amount of p-dichlorobenzene adhering to the sample, but in any case, it is about several minutes.

【0128】〔p-ジクロロベンゼン以外の物質を用いた
場合の犠牲層エッチングによる微小構造体の製造方法〕
上記p-ジクロロベンゼン以外の物質を用いた場合にも、
同様の方法で微小構造体の製造することができる。
[Method of Manufacturing Microstructure by Sacrificial Layer Etching When Using Substance Other Than p-Dichlorobenzene]
Even when a substance other than p-dichlorobenzene is used,
A microstructure can be manufactured in a similar manner.

【0129】特に、常温常圧下において昇華性を示すナ
フタリンあるいは樟脳については、p-ジクロロベンゼン
の場合と同様の手順で同様の効果が得られる。但し、こ
れらを用いる場合には、液体にするために、上記表1に
示したそれぞれの融点にまで加熱する必要がある。勿
論、乾燥に要する時間を短縮したい場合には、上記p-ジ
クロロベンゼンの場合と同様に、簡単な真空装置を用い
ればよい。
In particular, for naphthalene or camphor, which exhibits sublimability at normal temperature and pressure, the same effect can be obtained by the same procedure as for p-dichlorobenzene. However, when these are used, it is necessary to heat them to the respective melting points shown in Table 1 above in order to make them liquid. Of course, if it is desired to reduce the time required for drying, a simple vacuum device may be used as in the case of p-dichlorobenzene.

【0130】また、p-トルイジン、テトラヒドロフルフ
リルアルコール、シクロヘクサノール、1-メトキシ-2-
プロパノールなど上記表1に示した物質のうち常温常圧
下において昇華性を示さない物質については、真空装置
を用いて減圧作業を行いながら乾燥処理を行えばよい。
この場合にも、上記p-ジクロロベンゼンの場合と同様
に、簡単な真空装置を用いればよい。
Further, p-toluidine, tetrahydrofurfuryl alcohol, cyclohexanol, 1-methoxy-2-
Among the substances shown in Table 1 above, such as propanol, which do not exhibit sublimation at normal temperature and normal pressure, the drying treatment may be performed while performing a pressure reducing operation using a vacuum device.
In this case, a simple vacuum apparatus may be used as in the case of p-dichlorobenzene.

【0131】さらに、上記表1に示した物質を少なくと
も1種含むような共融混合物を用いても、同様に乾燥処
理を行うことができる。
Further, even when a eutectic mixture containing at least one of the substances shown in Table 1 above is used, the drying treatment can be similarly performed.

【0132】以上のような物質を乾燥処理用リンス液と
して用いることによって、歩留りよく、微小構造体を製
造することができる。
By using the above substances as a rinsing liquid for drying treatment, a microstructure can be manufactured with good yield.

【0133】〔本発明の乾燥処理方法の適用例1〕な
お、上記の本発明の乾燥処理方法は、ウェットエッチン
グに用いるエッチャントの種類などに特に関係しないた
め、上記の犠牲層エッチングの他にも様々なエッチング
に用いることができる。
[Application Example 1 of Drying Method of the Present Invention] The dry processing method of the present invention is not particularly related to the kind of the etchant used for wet etching, and therefore, in addition to the above-described sacrificial layer etching. It can be used for various etchings.

【0134】但し、多くの場合、洗浄処理用リンス液と
して水を用いるため、用いる乾燥処理用リンス液の水溶
性がないかあるいは良好でない場合には、乾燥処理用リ
ンスを行う前に、エタノールなどの水溶性有機化合物に
よる中間置換処理を行えばよい。
However, in many cases, water is used as the rinsing liquid for the washing treatment. If the rinsing liquid for the drying treatment to be used is not water-soluble or not good, ethanol or the like is required before the rinsing for the drying treatment is performed. May be performed by a water-soluble organic compound.

【0135】また、エッチャントとして有機溶剤を用い
た場合には、洗浄処理用リンスを乾燥処理用リンスとし
て代用することができる場合もある。あるいは、洗浄処
理用リンス液として、乾燥処理用リンス液と置換し得る
有機化合物を用いる場合もある。したがって、このよう
な場合には、上記のような中間置換処理は不必要とな
る。
When an organic solvent is used as an etchant, a rinse for cleaning may be used in place of a rinse for drying. Alternatively, in some cases, an organic compound that can be substituted for the rinsing liquid for drying treatment is used as the rinsing liquid for cleaning treatment. Therefore, in such a case, the above-described intermediate replacement processing becomes unnecessary.

【0136】さらに、上記の本発明の乾燥処理方法は、
乾燥させたいサンプルの形状や大きさについても特に限
定はなく、上記のようなマイクロマシーンよりも大きな
ものであれば、様々な形状の物体に用いることができ
る。特に、乾燥粒状物の製造などに適している。
Furthermore, the above-mentioned drying treatment method of the present invention
There is no particular limitation on the shape and size of the sample to be dried, and the sample can be used for objects of various shapes as long as it is larger than the above-described micromachine. In particular, it is suitable for producing dry granules.

【0137】〔本発明の乾燥処理方法の適用例2〕ここ
で、本発明の乾燥処理方法のひとつの適応例を示す。
[Application Example 2 of Drying Method of the Present Invention] Here, one application example of the drying method of the present invention will be described.

【0138】本発明の乾燥処理方法は、例えば、セラミ
ック成型体などの多孔質の物体を凍結乾燥する際には、
特に有効である。その理由は、凍結乾燥法を用いること
により、次のような利点があるからである。
The freeze-drying method of the present invention can be used, for example, when freeze-drying a porous body such as a ceramic molded body.
Especially effective. The reason is that the use of the freeze-drying method has the following advantages.

【0139】(3-1)汚染の少ない微粉体が得られる。(3-1) Fine powder with less contamination can be obtained.

【0140】(3-2)微粉体が容易に形成できる。(3-2) Fine powder can be easily formed.

【0141】(3-3)粉体組成が均一にできる。(3-3) The powder composition can be made uniform.

【0142】(3-4)粉体の活性が大きくなる。(3-4) The activity of the powder is increased.

【0143】(3-5)多孔質粉体が得られる。(3-5) A porous powder is obtained.

【0144】以上のような利点から、凍結乾燥法を用い
ることによって、高純度な多孔質セラミックが得られ
る。
From the above advantages, a high-purity porous ceramic can be obtained by using the freeze-drying method.

【0145】しかしながら、従来の技術では、セラミッ
ク原料粉体を溶かす溶媒である水やベンゼンをなどを凍
結乾燥していたが、上記の課題に示した内容と同様な問
題があり、特殊な装置が必要とされた。そのため、製造
コストから考えて、特に有効な方法ではなく、一般的に
用いられることはあまりなかった。
However, in the prior art, water or benzene, which is a solvent for dissolving the ceramic raw material powder, is freeze-dried. However, there is a problem similar to the above-mentioned problem, and a special device is required. Needed. Therefore, considering the manufacturing cost, it is not a particularly effective method and has not been generally used.

【0146】それに対して、本発明の乾燥処理用リンス
液のひとつであるp-ジクロロベンゼンなどの常温常圧下
における昇華性を有する物質を用いれば、上記の特殊な
装置を必要とせず、簡単に凍結乾燥を行うことができ
る。
On the other hand, if a substance having sublimability under normal temperature and normal pressure, such as p-dichlorobenzene, which is one of the rinsing liquids for drying treatment of the present invention, is used, the above-described special apparatus is not required and the above-described apparatus can be easily prepared. Freeze-drying can be performed.

【0147】[0147]

【実施例】【Example】

〔実施例1〕以下に、本発明の乾燥処理用リンス液に用
いることができる物質の蒸気圧範囲に関する実施例を示
す。
[Example 1] An example relating to the vapor pressure range of a substance that can be used in the rinsing liquid for drying treatment of the present invention will be described below.

【0148】本実施例では、単結晶Siからなる基板上に
多結晶Si膜からなるマイクロブリッジを作製した。ここ
で、マイクロブリッジをなす多結晶Si膜の膜厚は0.3μm
とした。また、乾燥処理の条件を統一するために、下記
表2の全ての物質について、20 ℃の減圧状態において乾
燥処理を行った。なお、減圧作業は、油回転真空ポンプ
を用いて行った。
In this example, a microbridge made of a polycrystalline Si film was formed on a substrate made of single-crystal Si. Here, the thickness of the polycrystalline Si film forming the microbridge is 0.3 μm.
And Further, in order to unify the conditions of the drying treatment, all the substances in Table 2 below were subjected to the drying treatment at 20 ° C. under reduced pressure. The decompression work was performed using an oil rotary vacuum pump.

【0149】乾燥処理後、それぞれの乾燥処理用リンス
液を用いた場合のマイクロブリッジを、顕微鏡を用いて
観察し、マイクロブリッジの基板への貼り付きや破壊な
どの不良の有無を調べた。
After the drying treatment, the microbridges using the respective rinsing liquids for drying treatment were observed using a microscope, and the presence or absence of defects such as sticking or destruction of the microbridges on the substrate was examined.

【0150】次の表2に、本実施例に際して、乾燥処理
用リンス液として用いた物質とその蒸気圧および観察の
結果すなわちサンプルの不良の有無などをまとめてお
く。
Table 2 below summarizes the substances used as the rinsing liquid for the drying treatment in this example, their vapor pressures, and the results of observation, that is, the presence or absence of defective samples.

【0151】[0151]

【表2】 [Table 2]

【0152】表2に示した通り、比較例に示したジフェ
ニルエーテル、t-ブチルアルコールを用いて乾燥処理を
行ったサンプルには不良が発見された。不良の内容は、
マイクロブリッジの一部または全部の破壊であった。そ
れに対して、本実施例のナフタレン、p-ジクロロベンゼ
ン、1-メトキシ-2-プロパノールを用いて乾燥処理を行
ったサンプルには、不良は発見されず、マイクロブリッ
ジは破壊されることなく形成されていた。
As shown in Table 2, defects were found in the samples which were dried using diphenyl ether and t-butyl alcohol shown in Comparative Examples. The content of the defect is
Some or all of the microbridge was destroyed. On the other hand, in the sample subjected to the drying treatment using the naphthalene, p-dichlorobenzene, and 1-methoxy-2-propanol of this example, no defect was found, and the microbridge was formed without breaking. I was

【0153】〔実施例2〕次に、本発明に係る微小構造
体の製造方法、特に、部分的に基板から浮いた状態で支
持されている構造を有する微小構造体の製造方法に関す
る実施例を示す。なお、本実施例では、乾燥処理用リン
ス液として特に好ましいp-ジクロロベンゼンを用いて、
マイクロブリッジを製造した例を示す。
[Embodiment 2] Next, an embodiment relating to a method for manufacturing a microstructure according to the present invention, and particularly to a method for manufacturing a microstructure having a structure supported in a partially floating state from a substrate, will be described. Show. In this example, p-dichlorobenzene, which is particularly preferable as a rinsing liquid for drying treatment, was used.
The example which manufactured the microbridge is shown.

【0154】図1は、本発明の微小構造体の製造方法を
用いて作成したマイクロブリッジの斜視図である。図1
において、1は基板を、3はマイクロブリッジをそれぞれ
表す。また、図2は、本発明の微小構造体の製造方法を
用いて作成したマイクロブリッジの製造工程を示す工程
図である。図2において、1は基板を、2は犠牲層部分
を、3はマイクロブリッジをそれぞれ表す。特に、図2の
(c)は、図1のA-A断面図になっている。
FIG. 1 is a perspective view of a microbridge formed by using the method for manufacturing a microstructure according to the present invention. Figure 1
, 1 represents a substrate, and 3 represents a microbridge. FIG. 2 is a process diagram showing a process for manufacturing a microbridge manufactured using the method for manufacturing a microstructure of the present invention. In FIG. 2, 1 indicates a substrate, 2 indicates a sacrificial layer portion, and 3 indicates a microbridge. In particular, FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【0155】まず、図2の(a)に示した工程について説
明する。
First, the step shown in FIG. 2A will be described.

【0156】単結晶Siからなる基板1上に、犠牲層部分2
となるSiO2膜を成膜した。この犠牲層部分2となるSiO2
膜の膜厚は3μmであり、プラズマCVD装置を用いて成膜
した。
On a substrate 1 made of single crystal Si, a sacrificial layer 2
It was formed a SiO 2 film serving as. SiO 2 to be the sacrificial layer portion 2
The film had a thickness of 3 μm and was formed using a plasma CVD apparatus.

【0157】続いて、このSiO2膜をフォトエッチングに
よって所定の形状にパターニングし、犠牲層部分2を形
成した。なお、フォトエッチングとは、フォトリソグラ
フィーを用いたエッチング方法である。
Subsequently, the SiO 2 film was patterned into a predetermined shape by photoetching to form a sacrificial layer portion 2. Note that photoetching is an etching method using photolithography.

【0158】次に、図2の(b)に示した工程について説
明する。
Next, the step shown in FIG. 2B will be described.

【0159】犠牲層部分2上に、マイクロブリッジ3とな
る多結晶Si膜を形成した。このマイクロブリッジ3とな
る多結晶Si膜の膜厚は0.3μmであり、LPCVD装置を用い
て成膜した。
On the sacrificial layer portion 2, a polycrystalline Si film serving as the microbridge 3 was formed. The thickness of the polycrystalline Si film serving as the microbridge 3 was 0.3 μm, and was formed using an LPCVD apparatus.

【0160】続いて、この多結晶Si膜フォトエッチング
法によって所定の形状にパターニングし、マイクロブリ
ッジ3を形成した。但し、このマイクロブリッジ3は、幅
10μm、長さ200μmの架橋構造をしている。なお、エッ
チングには、CF4を用いたRIEで行った。但し、RIEと
は、反応性イオンエッチング Reactive Ion Etching の
ことである。
Subsequently, a microbridge 3 was formed by patterning into a predetermined shape by this polycrystalline Si film photoetching method. However, this micro bridge 3 has a width
It has a crosslinked structure of 10 μm and length of 200 μm. The etching was performed by RIE using CF4. However, RIE is Reactive Ion Etching.

【0161】以上の工程により、犠牲層部分2およびマ
イクロブリッジ3が、基板1上に形成された。
Through the above steps, the sacrificial layer portion 2 and the microbridge 3 were formed on the substrate 1.

【0162】ここで、次のように犠牲層エッチングを行
う。なお、以下の各工程のうち i)〜iv)は連続して行
い、サンプルが乾燥しないように注意する必要がある。
Here, sacrifice layer etching is performed as follows. In addition, among the following steps, i) to iv) are performed continuously, and care must be taken so that the sample does not dry.

【0163】(工程B-1)エッチング工程 i)犠牲層部分2およびマイクロブリッジ3が形成されて
いるサンプルを、犠牲層エッチング用エッチャントに浸
し、エッチングを行う。このとき、犠牲層エッチング用
エッチャントとしては、犠牲層部分2を形成しているSiO
2膜のみを選択的にエッチングするようなエッチャント
を選ぶ。本実施例では、そのようなエッチャントとし
て、BHFを用いた。但し、BHFとはバッファードフッ酸 B
uffered Hydrofluoric acid のことである。
(Step B-1) Etching Step i) The sample on which the sacrificial layer portion 2 and the microbridge 3 are formed is immersed in a sacrificial layer etching etchant to perform etching. At this time, as the etchant for etching the sacrificial layer, the SiO 2 forming the sacrificial layer portion 2 is used.
Select an etchant that selectively etches only two films. In this example, BHF was used as such an etchant. However, BHF means buffered hydrofluoric acid B
uffered Hydrofluoric acid.

【0164】(工程B-2)洗浄工程 ii)BHFによるエッチング終了後、流水中で5分程度リン
スを行い、サンプルに付着したBHFを除去した。
(Step B-2) Cleaning step ii) After the completion of etching with BHF, rinsing was performed in running water for about 5 minutes to remove BHF attached to the sample.

【0165】(工程B-3)乾燥工程 iii)続いて中間置換処理を行った。本実施例では、水
による洗浄を終えたサンプルをエタノール中に移動し、
リンスした。この中間置換処理によって、サンプルに付
着していた水がエタノールに置換された。
(Step B-3) Drying step iii) Subsequently, an intermediate substitution treatment was performed. In this example, the sample that had been washed with water was moved into ethanol,
I rinsed. By this intermediate replacement process, water adhering to the sample was replaced with ethanol.

【0166】iv)中間中間処理を終えたサンプルを、液
体のp-ジクロルベンゼン中に移動し、リンスした。この
とき、p-ジクロロベンゼンは、75 ℃に加熱し、融解さ
せておいた。なお、このとき、水浴を用いて温度を一定
に保っておいた。
Iv) Intermediate The sample after the intermediate treatment was transferred into liquid p-dichlorobenzene and rinsed. At this time, p-dichlorobenzene was heated to 75 ° C. and melted. At this time, the temperature was kept constant using a water bath.

【0167】v)その後、液体のp-ジクロロベンゼンを
用いてリンスしたサンプルを取り出し、放置し、室温に
冷却する。この際には、サンプルに付着したp-ジクロロ
ベンゼンが比較的短時間に凝固するように、冷却する必
要がある。なお、比較的短時間とは、融解したp-ジクロ
ロベンゼンが液体の状態で蒸発しない程度の時間を意味
する。
V) Thereafter, the sample rinsed with liquid p-dichlorobenzene is taken out, left to stand, and cooled to room temperature. At this time, it is necessary to cool the sample so that the p-dichlorobenzene attached to the sample solidifies in a relatively short time. In addition, a relatively short period of time means a period in which molten p-dichlorobenzene does not evaporate in a liquid state.

【0168】冷却の具体的な方法としては、そのまま室
温中に保持するという方法が最も簡単である。さらに、
より速やかに凝固させる必要がある場合には、例えば、
熱容量の大きな物質からなる板状の物体を下敷きに用い
てその上で冷却すれば良い。そのような下敷きとして
は、室温に水冷された銅板などがある。
As a specific cooling method, the simplest method is to keep it at room temperature as it is. further,
If you need to solidify more quickly, for example,
What is necessary is just to use a plate-shaped object made of a substance having a large heat capacity as an underlay, and then cool it. Such underlays include copper plates that are water cooled to room temperature.

【0169】vi)p-ジクロロベンゼンを凝固させた後、
サンプルを適度に換気された場所に2時間程度放置し
た。
Vi) After coagulating p-dichlorobenzene,
The sample was left in a moderately ventilated place for about 2 hours.

【0170】以上の i)〜 vi)の工程を行った結果、p
-ジクロロベンゼンは完全に昇華し、乾燥処理が完了し
た。
As a result of performing the above steps i) to vi), p
-Dichlorobenzene was completely sublimated and the drying process was completed.

【0171】乾燥処理後に、顕微鏡を用いてサンプルを
観察し、マイクロブリッジの破壊の有無などを調べた。
その結果、図1の(c)に示したようなマイクロブリッジ
が形成されていた。なお、本実施例において作製したサ
ンプルには、マイクロブリッジの基板への貼り付きや破
壊などの不良は発生しなかった。
After the drying treatment, the sample was observed using a microscope, and the presence or absence of breakage of the microbridge was examined.
As a result, a microbridge as shown in FIG. 1 (c) was formed. In addition, in the sample manufactured in this example, defects such as sticking of the microbridge to the substrate and destruction did not occur.

【0172】したがって、本発明の乾燥処理用リンス液
であるp-ジクロロベンゼンを用いた乾燥処理方法を用い
ることによって、常圧常温の室内で凍結乾燥工程を簡単
に行うことができる。しかも、この乾燥処理方法を利用
した微小構造体の製造方法を用いることによって、歩留
まりよく部分的に基板から浮いた状態で支持されている
構造を有する微小構造体を作製することができる。
Therefore, the freeze-drying step can be easily performed in a room at normal pressure and normal temperature by using the drying treatment method using p-dichlorobenzene which is the rinse solution for drying treatment of the present invention. In addition, by using a method for manufacturing a microstructure using this drying treatment method, a microstructure having a structure supported in a state of being partially lifted from a substrate with high yield can be manufactured.

【0173】なお、上記実施例では、基板上にマイクロ
ブリッジを形成する場合を例にとって説明したが、本発
明はこれに限るものではなく、この他の部分的に基板か
ら浮いた状態で支持されている構造を有する微小構造
体、例えば、片持ち梁やダイアフラム、アクチュエータ
ーなどを、同様の微小構造体の製造方法によって作製す
ることができる。
In the above embodiment, the case where the microbridge is formed on the substrate has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and other portions are supported in a state of being floated from the substrate. A microstructure having such a structure, for example, a cantilever, a diaphragm, an actuator, or the like can be manufactured by a similar method for manufacturing a microstructure.

【0174】〔実施例3〕上記実施例2に示したマイクロ
ブリッジの例に関して、乾燥処理に際して真空装置を用
いた例を以下に示す。
[Embodiment 3] With respect to the example of the microbridge shown in Embodiment 2 above, an example in which a vacuum apparatus is used in the drying process will be described below.

【0175】本実施例では、上記の工程 iv)すなわちp
-ジクロロベンゼンを用いた乾燥処理リンスまでは、実
施例2と全く同様に行った。その後、真空装置を用い
て、p-ジクロロベンゼンの凝固、昇華を行った。
In this example, the above step iv), ie, p
-The same procedure as in Example 2 was performed up to the drying treatment rinsing using dichlorobenzene. Thereafter, using a vacuum apparatus, p-dichlorobenzene was coagulated and sublimated.

【0176】つまり、p-ジクロロベンゼンを用いてリン
スしたサンプルを、真空装置に入れ、油回転真空ポンプ
を用いて104 Pa以下程度に減圧した。この状態を5分程
度続けた結果、p-ジクロロベンゼンは完全に昇華し、乾
燥処理が完了した。
That is, the sample rinsed with p-dichlorobenzene was put into a vacuum device, and the pressure was reduced to about 104 Pa or less using an oil rotary vacuum pump. As a result of continuing this state for about 5 minutes, p-dichlorobenzene was completely sublimated, and the drying treatment was completed.

【0177】この場合、p-ジクロロベンゼンは徐々にス
ポンジ状になって昇華した。
In this case, p-dichlorobenzene gradually became a sponge and sublimated.

【0178】なお、本実施例についても、乾燥処理後、
上記実施例2と同様に、サンプルを顕微鏡で観察した
が、不良は全く発見されなかった。
[0178] Also in this example, after the drying treatment,
The sample was observed with a microscope in the same manner as in Example 2 above, but no defect was found.

【0179】上記のように、特に、p-ジクロロベンゼン
の昇華に要する時間を短縮したい場合に、単純な排気装
置の真空装置を用いて、凍結乾燥を行えばよい。
As described above, in particular, when it is desired to reduce the time required for sublimation of p-dichlorobenzene, lyophilization may be performed using a vacuum device of a simple exhaust device.

【0180】なお、本発明はこの例に限るものではな
く、実施例2と同様にこの他の部分的に基板から浮いた
状態で支持されている構造を有する微小構造体の製造に
用いることができる。
It should be noted that the present invention is not limited to this example, and it may be used in the manufacture of a microstructure having a structure supported in a state of being partially floated from the substrate similarly to the second embodiment. it can.

【0181】〔実施例4〕本発明に係る微小構造体の製
造方法、特に、基板上に回転する部分を含む構造を有す
る微小構造体の例として、微小歯車の製造方法に関する
実施例を示す。なお、本実施例では、乾燥処理用リンス
液として特に好ましいp-ジクロロベンゼンを用いて、微
小歯車を製造した例を示す。
[Embodiment 4] An embodiment of a method for manufacturing a micro gear according to the present invention, particularly, a method for manufacturing a micro gear as an example of a micro structure having a structure including a rotating portion on a substrate will be described. In this embodiment, an example is shown in which a microgear is manufactured using p-dichlorobenzene, which is particularly preferable as a rinsing liquid for drying treatment.

【0182】図3は、本発明の微小構造体の製造方法を
用いて作成した微小歯車の斜視図である。図3におい
て、1は基板を、4は回転軸を、5は歯車をそれぞれ表
す。また、図4は、本発明の微小構造体の製造方法を用
いて作成した微小歯車の製造工程を示す工程図である。
図4において、1は基板を、2は犠牲層部分を、4は回転軸
を、5は歯車をそれぞれ表す。また、図4の(d)は、図3
のB-B断面図になっている。
FIG. 3 is a perspective view of a minute gear made by using the method for manufacturing a minute structure of the present invention. In FIG. 3, 1 indicates a substrate, 4 indicates a rotating shaft, and 5 indicates a gear. FIG. 4 is a process chart showing a manufacturing process of a minute gear manufactured using the method for manufacturing a micro structure of the present invention.
In FIG. 4, 1 denotes a substrate, 2 denotes a sacrifice layer portion, 4 denotes a rotating shaft, and 5 denotes a gear. Also, (d) of FIG.
It is a BB sectional view of.

【0183】まず、図4の(a)に示した工程について説
明する。
First, the step shown in FIG. 4A will be described.

【0184】単結晶Siからなる基板1上に、回転軸4とな
る多結晶Si膜を成膜した。但し、この回転軸4は、下部
に歯車の支持部分を備えている。この回転軸4となる多
結晶Si膜の膜厚は、下部の支持部分が0.2μmであり、そ
れを除いた軸部分が3μmである。なお、この多結晶Si膜
は、LPCVD装置を用いて成膜した。
On a substrate 1 made of single-crystal Si, a polycrystalline Si film serving as a rotation axis 4 was formed. However, the rotating shaft 4 has a gear supporting portion at a lower portion. The thickness of the polycrystalline Si film serving as the rotation axis 4 is 0.2 μm at the lower supporting portion, and 3 μm at the other axis portion. Note that this polycrystalline Si film was formed using an LPCVD apparatus.

【0185】続いて、この多結晶Si膜を上記実施例2と
同様に、フォトエッチングによって所定の形状にパター
ニングし、歯車の支持部分を含む回転軸4を形成した。
Subsequently, this polycrystalline Si film was patterned into a predetermined shape by photoetching in the same manner as in Example 2 to form a rotating shaft 4 including a gear supporting portion.

【0186】次に、図4の(b)に示した工程について説
明する。
Next, the step shown in FIG. 4B will be described.

【0187】犠牲層部分2となるPSG膜を成膜した。この
犠牲層部分2となるPSG膜の膜厚は0.4μmであり、プラズ
マCVD装置を用いて成膜した。但し、PSGとは、リンガラ
ス Phosphosilicate Glassのことである。
A PSG film to be the sacrifice layer portion 2 was formed. The PSG film serving as the sacrificial layer portion 2 had a thickness of 0.4 μm, and was formed using a plasma CVD apparatus. However, PSG is phosphorus glass Phosphosilicate Glass.

【0188】次に、図4の(c)に示した工程について説
明する。
Next, the step shown in FIG. 4C will be described.

【0189】犠牲層部分2上に、歯車5となる多結晶Si膜
を形成した。この歯車5となる多結晶Si膜の膜厚は3μm
であり、LPCVD装置を用いて成膜した。なお、この多結
晶Si膜も上記実施例2と同様のフォトエッチング法によ
って所定の形状にパターニングし、歯車5を形成した。
但し、この歯車5は、最大の長径が100μm程度である。
On the sacrifice layer portion 2, a polycrystalline Si film serving as the gear 5 was formed. The thickness of the polycrystalline Si film to be the gear 5 is 3 μm
And a film was formed using an LPCVD apparatus. Note that this polycrystalline Si film was also patterned into a predetermined shape by the same photoetching method as in Example 2 to form the gear 5.
However, this gear 5 has a maximum major axis of about 100 μm.

【0190】以上の工程により、犠牲層部分2および回
転軸4、歯車5が、基板1上に形成された。
By the above steps, the sacrificial layer portion 2, the rotating shaft 4, and the gear 5 were formed on the substrate 1.

【0191】以下、上記実施例2と同様に犠牲層エッチ
ングを行い、微小構造体を作製した。
Thereafter, the sacrifice layer was etched in the same manner as in Example 2 to produce a microstructure.

【0192】なお、本実施例についても、上記実施例2
と同様、サンプルを顕微鏡で観察した結果、歯車の基板
への貼り付きや破壊あるいは回転軸からのはずれなどの
不良が全く発見されなかった。
This embodiment is also similar to the embodiment 2 described above.
As in the above, as a result of observing the sample with a microscope, no defect such as sticking of the gear to the substrate, breakage, or detachment from the rotating shaft was found at all.

【0193】さらに、実施例3と同様の真空装置を用い
た乾燥処理に対しても、不良は発見されなかった。
Further, no defect was found in the drying treatment using the same vacuum apparatus as in Example 3.

【0194】なお、上記実施例では、基板上に微小歯車
を形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれ
に限るものではなく、この他の基板上に回転する部分を
含む構造を有する微小構造体、例えば、モーター、回転
駆動体などを、同様の微小構造体の製造方法によって作
製することができる。
In the above embodiment, the case where the minute gear is formed on the substrate has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and has a structure including a rotating part on another substrate. A microstructure, for example, a motor, a rotary driver, or the like can be manufactured by a similar method for manufacturing a microstructure.

【0195】〔実施例5〕次に、本発明に係る微小構造
体の製造方法に関する他の実施例を示す。なお、本実施
例では、乾燥処理用リンス液として昇華性を有しないp-
トルイジンおよびテトラヒドロフルフリルアルコールを
用いて、マイクロブリッジおよび微小歯車を作製した例
を示す。
[Embodiment 5] Next, another embodiment of the method for manufacturing a microstructure according to the present invention will be described. In this example, p-type not having sublimability as a rinsing liquid for drying treatment was used.
An example is shown in which microbridges and microgears were produced using toluidine and tetrahydrofurfuryl alcohol.

【0196】まず、マイクロブリッジは上記実施例2と
同様のパターニング方法で、また、微小歯車は上記実施
例4と同様のパターニング方法でそれぞれ作製した。
First, the microbridge was manufactured by the same patterning method as in the second embodiment, and the micro gears were manufactured by the same patterning method as in the fourth embodiment.

【0197】但し、乾燥処理に際しては、実施例3と同
様に、油回転真空ポンプなど用いて、104 Pa以下程度に
減圧して行った。
However, during the drying treatment, as in Example 3, the pressure was reduced to about 104 Pa or less using an oil rotary vacuum pump or the like.

【0198】その結果、いずれについても不良は発見さ
れなかった。
As a result, no defect was found for any of them.

【0199】さらに、テトラヒドロフルフリルアルコー
ルについては水溶性があるため、上記実施例2の iii)
の工程、すなわち、エタノールへの中間置換処理を省略
してに乾燥処理を行った。その結果も、不良はなかっ
た。
Further, since tetrahydrofurfuryl alcohol is water-soluble, iii) of Example 2 above
, Ie, the drying treatment was performed without the intermediate replacement treatment with ethanol. As a result, there was no defect.

【0200】なお、上記実施例では、基板上にマイクロ
ブリッジあるいは微小歯車を形成する場合を例にとって
説明したが、本発明はこれに限るものではなく、この他
の微小構造体の製造方法に用いることができる。
In the above embodiment, the case where the microbridge or the minute gear is formed on the substrate has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is used for another method of manufacturing a minute structure. be able to.

【0201】〔実施例6〕さらに、本発明の乾燥処理方
法の微小構造体以外の物品への応用を示す実施例につい
て説明する。特に、本発明の乾燥処理用リンス液である
p-ジクロロベンゼンをセラミック成型体の製造に用いた
例を示す。但し、この場合には、本発明の乾燥処理用リ
ンス液であるp-ジクロロベンゼンを、セラミック原料粉
と混合する溶媒として用いた。
[Embodiment 6] An embodiment showing the application of the drying treatment method of the present invention to articles other than microstructures will be described. In particular, the rinsing liquid for drying treatment of the present invention.
An example in which p-dichlorobenzene is used for the production of a molded ceramic article will be described. However, in this case, p-dichlorobenzene, which is the rinse solution for drying treatment of the present invention, was used as a solvent to be mixed with the ceramic raw material powder.

【0202】セラミック成型体は、基本的に従来の方法
に準じた次の手順にしたがって製造した。
The ceramic molded body was manufactured according to the following procedure basically according to a conventional method.

【0203】(工程C-1)混合工程 セラミック原料粉と溶媒であるp-ジクロロベンゼンを混
合した。但し、ここでは、原料粉として、La2O3、SrC
O3、MnO2を所望の組成となるように混合したものを用い
た。
(Step C-1) Mixing Step Ceramic raw material powder and p-dichlorobenzene as a solvent were mixed. However, here, La 2 O 3 , SrC
A mixture of O 3 and MnO 2 so as to have a desired composition was used.

【0204】(工程C-2)成型工程 前記セラミック原料粉と溶媒の混合物を所望の形状に成
型し、グリーンシートとした。
(Step C-2) Molding Step The mixture of the ceramic raw material powder and the solvent was molded into a desired shape to obtain a green sheet.

【0205】(工程C-3)乾燥工程 前記グリーンシートを冷却した。これによって、液体の
p-ジクロロベンゼンを凝固させた。
(Step C-3) Drying Step The green sheet was cooled. This allows the liquid
p-Dichlorobenzene was coagulated.

【0206】その後、適度に換気された場所に放置し、
p-ジクロロベンゼンを昇華させた。
After that, leave it in a moderately ventilated place,
p-Dichlorobenzene was sublimated.

【0207】以上によって、乾燥処理が終了した。Thus, the drying process has been completed.

【0208】(工程C-4)焼成工程 乾燥処理を終えたグリーンシートを焼成した。その結
果、多孔質のセラミック成型体が得られた。
(Step C-4) Firing Step The green sheet after the drying treatment was fired. As a result, a porous ceramic molded body was obtained.

【0209】以上のように、本発明の乾燥処理用リンス
液のひとつであるp-ジクロロベンゼンを用いた乾燥処理
を行うことによって、簡単に乾燥処理を行うことができ
た。なお、使用するセラミック材料には、上記のものに
限定する必要はなく、一般に用いられている種々のセラ
ミック材料を用いることができる。
As described above, by performing the drying treatment using p-dichlorobenzene which is one of the rinsing liquids for the drying treatment of the present invention, the drying treatment was easily performed. The ceramic material to be used does not need to be limited to the above, and various generally used ceramic materials can be used.

【0210】したがって、本発明の乾燥処理用リンス液
を用いた乾燥処理方法は、セラミック成型体の製造に関
しても非常に簡単で、極めて有効であることは明らかで
ある。
Therefore, it is clear that the drying treatment method using the rinsing liquid for drying treatment of the present invention is very simple and extremely effective also in the production of a ceramic molded body.

【0211】[0211]

【発明の効果】本発明の効果は次の通りである。The effects of the present invention are as follows.

【0212】(効果1)20 ℃において固体であり、かつ
該温度における蒸気圧が0.05 mmHg以上8 mmHg以下の有
機化合物を乾燥処理用リンス液として用いることによっ
て、微小構造体に破壊などの不良を発生させずに、乾燥
処理を行うことができた。
(Effect 1) By using an organic compound which is solid at 20 ° C. and has a vapor pressure of 0.05 mmHg or more and 8 mmHg or less at that temperature as a rinsing liquid for drying treatment, defects such as breakage of the microstructure can be prevented. The drying process could be performed without causing any generation.

【0213】(効果2)特に、上記の乾燥処理用リンス
液であって、融点が40 ℃以上100 ℃以下のものを用い
ることによって、煩雑な温度管理および湿度管理を必要
とせず、冷却装置などの特殊な装置および設備を特に必
要としない、簡便で低コストな乾燥処理を行うことがで
きた。
(Effect 2) In particular, by using the above-mentioned rinsing liquid for drying treatment having a melting point of 40 ° C. or more and 100 ° C. or less, complicated temperature control and humidity control are not required, and a cooling device or the like is required. A simple and low-cost drying process that did not particularly require the special equipment and equipment described above could be performed.

【0214】(効果3)さらに、p-ジクロロベンゼンな
どの常温常圧下において昇華性を示す乾燥処理用リンス
液を用いることによって、真空装置などの特殊な装置お
よび設備を特に必要としない、簡便で低コストな乾燥処
理を行うことができた。
(Effect 3) Further, by using a rinsing solution for drying treatment which exhibits sublimability under normal temperature and normal pressure, such as p-dichlorobenzene, a special device and equipment such as a vacuum device are not particularly required, and it is simple and convenient. A low-cost drying process could be performed.

【0215】(効果4)前記の乾燥処理方法を利用する
ことによって、エッチングする物体の形状やエッチング
液の種類などに関係せずに歩留りのよい犠牲層エッチン
グによるエッチングを行うことができた。
(Effect 4) By using the above-mentioned drying treatment method, etching by the sacrificial layer etching with a good yield can be performed irrespective of the shape of the object to be etched and the type of the etching solution.

【0216】(効果5)前記のエッチング法を利用する
ことによって、安価で歩留まりのよい微小構造体を製造
方法を提供することが可能になった。
(Effect 5) By using the above-mentioned etching method, it has become possible to provide an inexpensive and high-yield microstructure manufacturing method.

【0217】(効果6)また、前記p-ジクロロベンゼン
などの常温常圧下において昇華性を示す乾燥処理用リン
ス液を用いることによって、上記のセラミックをはじめ
とする乾燥粒状物の簡便で低コストな製造方法を提供す
ることができた。
(Effect 6) In addition, by using a rinse liquid for drying treatment which exhibits sublimability at normal temperature and normal pressure, such as the above-mentioned p-dichlorobenzene, the above-mentioned ceramics and other dried granular materials can be produced simply and at low cost. A manufacturing method could be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
たマイクロブリッジの斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a microbridge created by using the method for manufacturing a microstructure of the present invention.

【図2】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
たマイクロブリッジの製造工程を示す工程図であり、特
に(c)は、図1のA-A断面図になっている。
FIG. 2 is a process diagram showing a manufacturing process of a microbridge manufactured by using the method for manufacturing a microstructure of the present invention, and in particular, (c) is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
た微小歯車の斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a minute gear manufactured by using the method for manufacturing a minute structure of the present invention.

【図4】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
た微小歯車の製造工程を示す工程図であり、特に(d)
は、図3のB-B断面図になっている。
FIG. 4 is a process diagram showing a manufacturing process of a minute gear manufactured using the method for manufacturing a micro structure of the present invention, and in particular, FIG.
Is a sectional view taken along the line BB in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 犠牲層部分 3 マイクロブリッジ 4 回転軸 5 歯車 1 Substrate 2 Sacrificial layer 3 Micro bridge 4 Rotation axis 5 Gear

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 乾燥処理を行うために用いられる乾燥処
理用リンス液であって、20 ℃において固体であり、か
つ、該温度における蒸気圧が0.05 mmHg以上8 mmHg以下
の有機化合物であることを特徴とする乾燥処理用リンス
液。
1. A rinsing liquid for drying treatment used for performing a drying treatment, which is an organic compound which is solid at 20 ° C. and has a vapor pressure at the temperature of 0.05 mmHg to 8 mmHg. Characteristic rinsing liquid for drying treatment.
【請求項2】 前記有機化合物の融点が、40 ℃以上100
℃以下であることを特徴とする請求項1記載の乾燥処理
用リンス液。
2. The organic compound having a melting point of 40 ° C. or more and 100 ° C.
2. The rinsing solution for drying treatment according to claim 1, wherein the rinsing solution is at or below a temperature.
【請求項3】 前記有機化合物が、常温常圧下において
昇華性を有することを特徴とする請求項1または2記載の
乾燥処理用リンス液。
3. The rinsing liquid for drying treatment according to claim 1, wherein the organic compound has sublimability at normal temperature and normal pressure.
【請求項4】 前記有機化合物が、p-トルイジンである
ことを特徴とする請求項1または2記載の乾燥処理用リン
ス液。
4. The rinsing solution for drying treatment according to claim 1, wherein the organic compound is p-toluidine.
【請求項5】 前記有機化合物が、テトラヒドロフルフ
リルアルコールであることを特徴とする請求項1または2
記載の乾燥処理用リンス液。
5. The method according to claim 1, wherein the organic compound is tetrahydrofurfuryl alcohol.
The rinse solution for drying treatment according to the above.
【請求項6】 前記有機化合物が、p-ジクロロベンゼン
であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載
の乾燥処理用リンス液。
6. The rinsing liquid for drying treatment according to claim 1, wherein the organic compound is p-dichlorobenzene.
【請求項7】 ウェットエッチング工程後あるいは該ウ
ェットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の
乾燥工程において用いることを特徴とする請求項1〜6の
いずれか1項記載の乾燥処理用リンス液。
7. The rinsing liquid for drying treatment according to claim 1, wherein the rinsing liquid is used in a drying step after a wet etching step or after a cleaning step performed continuously to the wet etching step. .
【請求項8】 物体の乾燥処理方法であって、該物体を
請求項1〜6のいずれか1項記載の乾燥処理用リンス液を
用い、該乾燥処理用リンス液を凝固させた後に、固体の
状態で気化させることによって該物体を乾燥することを
特徴とする乾燥処理方法。
8. A method for drying an object, comprising: using the rinsing liquid for drying according to any one of claims 1 to 6 to solidify the rinsing liquid for drying; Drying the object by vaporizing it in the state described above.
【請求項9】 ウェットエッチング工程後あるいは該ウ
ェットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の
乾燥工程における乾燥処理方法であって、請求項8記載
の乾燥処理方法を用いて乾燥することを特徴とする乾燥
処理方法。
9. A drying method in a drying step after a wet etching step or after a cleaning step performed continuously to the wet etching step, wherein the drying step is performed using the drying method according to claim 8. Drying treatment method.
【請求項10】 ウェットエッチングによるエッチング
方法であって、ウェットエッチング工程後あるいは該ウ
ェットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後に
請求項8または9記載の乾燥処理方法を用いた乾燥工程を
有することを特徴とするエッチング方法。
10. An etching method by wet etching, comprising a drying step using the drying method according to claim 8 after a wet etching step or after a cleaning step performed continuously to the wet etching step. An etching method characterized by the above-mentioned.
【請求項11】 前記エッチング方法が、選択的に除去
される犠牲層部分をエッチングする犠牲層エッチングで
あることを特徴とする請求項10記載のエッチング方法。
11. The etching method according to claim 10, wherein said etching method is a sacrifice layer etching for etching a sacrifice layer portion to be selectively removed.
【請求項12】 前記犠牲層部分が、空隙を有する微小
構造体を形成するために用いられる層であること特徴と
する請求項11記載のエッチング方法。
12. The etching method according to claim 11, wherein the sacrificial layer portion is a layer used for forming a microstructure having voids.
【請求項13】 前記犠牲層部分が、基板上に形成され
た該基板とは異なる層の一部または全部、あるいは該基
板の一部に形成された該基板とは異なる層であることを
特徴とする請求項11または12記載のエッチング方法。
13. The sacrifice layer portion may be a part or all of a layer formed on a substrate different from the substrate, or a layer different from the substrate formed on a part of the substrate. 13. The etching method according to claim 11, wherein
【請求項14】 前記基板とは異なる層が、前記基板を
形成する物質とは異なる結晶構造を有する物質からなる
ことを特徴とする請求項13記載のエッチング方法。
14. The etching method according to claim 13, wherein the layer different from the substrate is made of a material having a different crystal structure from a material forming the substrate.
【請求項15】 前記基板とは異なる層が、前記基板を
形成する物質とは異なる組成の物質からなることを特徴
とする請求項13または14記載のエッチング方法。
15. The etching method according to claim 13, wherein the layer different from the substrate is made of a material having a composition different from a material forming the substrate.
【請求項16】 空隙を有する微小構造体の製造方法で
あって、請求項10〜15のいずれか1項記載のエッチング
方法を用いることを特徴とする微小構造体の製造方法。
16. A method for manufacturing a microstructure having voids, wherein the etching method according to claim 10 is used.
【請求項17】 前記微小構造体が、部分的に基板から
浮いた状態で支持されている構造を有することを特徴と
する請求項16記載の微小構造体の製造方法。
17. The method for manufacturing a microstructure according to claim 16, wherein the microstructure has a structure in which the microstructure is supported in a state of being partially floated from a substrate.
【請求項18】 前記微小構造体が、基板上に回転する
部分を含む構造を有することを特徴とする請求項16また
は17記載の微小構造体の製造方法。
18. The method for manufacturing a microstructure according to claim 16, wherein the microstructure has a structure including a portion rotating on a substrate.
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