JPH10134759A - イオン注入対象基板支持装置 - Google Patents

イオン注入対象基板支持装置

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JPH10134759A
JPH10134759A JP28550296A JP28550296A JPH10134759A JP H10134759 A JPH10134759 A JP H10134759A JP 28550296 A JP28550296 A JP 28550296A JP 28550296 A JP28550296 A JP 28550296A JP H10134759 A JPH10134759 A JP H10134759A
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JP
Japan
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substrate
refrigerant
ion implantation
tank
supporting
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JP28550296A
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Satoshi Yuasa
智 湯浅
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 イオン注入対象基板の冷却の点で信頼性、安
全性が高く、管理の手間が少なく済むイオン注入対象基
板支持装置を提供する。 【解決手段】 イオン注入対象基板Sを支持するための
基板台6と、その近傍に配置された冷媒収容タンク7
と、基板台6からタンク7内まで延びるヒートパイプH
Pと、タンク7内の冷媒71を冷却するための冷凍機4
とを備え、冷媒収容タンク7内冷媒を冷凍機4の低温発
生部421からタンク7へ延設した熱伝導性屈曲可能部
材8を介して冷却するイオン注入対象基板支持装置B。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はイオン注入装置にお
いて、イオン注入対象である基板にイオン注入を行うタ
ーゲット室で該基板を支持するイオン注入対象基板支持
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】イオン注入装置においては、イオン注入
対象基板を支持するための基板台(一般にプラテンと呼
ばれている基板台)を設けたターゲット室にイオン注入
対象基板を搬入して該基板台に支持させ、イオン注入を
行う。イオン注入される基板は通常イオンエネルギーで
加熱されるので、基板台を冷却する手段が設けられてい
るのが普通である。例えば半導体デバイス基板にイオン
注入を行う場合、イオン注入に伴って基板が加熱され、
この加熱を放置してイオン注入を続けると基板がダメー
ジを受ける。例えばレジストを塗布した基板ではそのレ
ジストが損傷しやすい。そのため基板の冷却手段が設け
られている。
【0003】また、イオン注入にあたり、イオン注入す
べき基板上の領域にできるだけ均一にイオン注入するた
めに、基板台を回転駆動する手段、イオンビームに対し
基板面を傾斜させる手段、イオンビームに対し基板を移
動(スキャン)させる手段のうち一つ又は二つ以上が設
けられていることが多い。従来のイオン注入装置におけ
るイオン注入対象基板支持装置の1例を図4を参照して
説明する。図4に示す支持装置は、プラテンと称される
基板台91を備えており、基板台91はベース部材91
1、ベース部材背面中心部に突設された回転軸912及
びベース部材表面に設置され、静電吸着力により基板S
を保持するための静電チャックプート913からなって
いる。
【0004】回転軸912はモータ支持部材92に支持
されたモータ93により回転駆動される。回転軸912
はモータ支持部材92中に設けたチャンバ94の中まで
延びている。チャンバ94中には3段にオイルシール9
51、952、953が嵌装されており、各オイルシー
ルは回転軸912の外周面に液密に接触しているととも
にチャンバ94中を三つの区画室に仕切っている。モー
タから一番遠い区画室941は冷却水供給用の区画室で
あり、ここには給水管961が接続されている。真ん中
の区画室942は冷却水排出用の区画室であり、ここに
は排水管962が接続されている。また、残りの区画室
943はドレン排出用の区画室であり、ここにはドレン
排出管963が接続されている。
【0005】基板台91のベース部材911中には冷却
水通路911aが設けられており、その入口に回転軸9
12の中央部の水通路912aが連通しており、該水通
路912aは前記の冷却水供給区画室941に連通して
いる。また、水通路911aの出口には回転軸912中
を通る水通路912bが連通しており、該通路は前記の
冷却水排出用の区画室942に連通している。
【0006】この装置では、イオン注入にあたり、基板
台91がモータ93により回転駆動され、それにより基
板Sも回転する。また、給水管961→区画室941→
水通路912a→基板台ベース部材中の冷却水通路91
1a→水通路912b→区画室942→排水管962の
順に冷却水が流れることで基板台91が、従って基板S
が冷却され、熱的損傷を免れる。
【0007】なお、基板台へ冷却水或いは他の冷却用冷
媒を流通させる手段は前記の他にも種々提案されてい
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】いずれにしても、従来
のイオン注入対象基板支持装置では、基板の冷却のため
の手段が採用されており、それは基板台における冷媒の
流通によるものである。そのため、冷媒流通管、基板台
内の冷媒流通路、それら相互のジョイント等が必要とな
る。また、基板台を回転させる手段、傾斜させる手段、
スキャン動作させる手段の一つ以上が採用されていると
きには、図4に例示する装置においてもみられるよう
に、冷却手段の構造が複雑となる。
【0009】そして、かかる冷却手段は、これから冷媒
がターゲット室内に漏洩すると、イオン注入処理に重大
な影響を与えるので、頻繁に点検したり、部品交換等す
る必要があり、管理に手間を要する。そこで本発明は、
イオン注入対象基板の冷却の点で信頼性、安全性が高
く、管理の手間が少なく済むイオン注入対象基板支持装
置を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明は、次の三つのタイプのイオン注入対象基板支持
装置を提供する。 (1)第1タイプの装置 イオン注入対象基板を支持するための基板台であって断
熱部材を介して基板台支持手段に支持されたものと、前
記基板台を冷却するための冷凍機とを備えており、前記
基板台と前記冷凍機の低温発生部とが熱伝導性屈曲可能
部材で相互に接続されていることを特徴とするイオン注
入対象基板支持装置。
【0011】このイオン注入対象基板支持装置による
と、イオン注入対象基板は基板台に取り付けられ、イオ
ン注入処理される。そのとき、基板台はこれに接続され
た熱伝導性屈曲可能部材を介して冷凍機における低温発
生部から冷却される。そして基板台が冷却されることで
それに支持された基板も冷却される。また、基板台支持
手段は基板台をイオンビームに対して移動(スキャン動
作)させる手段、傾斜させる手段等の1又は2以上に連
結することができ、また、基板台に接続された前記の熱
伝導性屈曲可能部材が屈曲できることにより、基板台、
ひいてはそれに支持される基板をイオンビームに対して
移動(スキャン動作)させたり、傾斜させたりしてイオ
ン注入すべき基板上の領域に略均一にイオン注入でき
る。
【0012】基板台はその材質を適当に選択することに
より、ある程度の熱容量を持たせることができ、そうす
ることで、基板の入替え、イオンビーム調整等による非
イオン注入時にも基板台に蓄冷しておけるので、次のイ
オン注入処理に直ちに対応することができる利点もあ
る。また、基板台はある程度の熱容量を持たせることが
でき、そうすることで冷凍機の温度設定を精密に制御す
ることなく、基板を所定の温度に冷却することができる
ほか、基板台の全体に対し冷凍機の負荷を均等化させる
ことができ、従って必ずしもイオンビームパワーに合わ
せて冷凍機能力を大きくする必要がない。 (2)第2タイプの装置 イオン注入対象基板を支持するための基板台と、その近
傍に配置された冷媒収容タンクと、前記基板台から前記
冷媒収容タンク内まで延びるヒートパイプであって該基
板台に熱媒蒸発側が配置されるとともに該冷媒収容タン
クに熱媒凝縮側が配置されたものと、前記冷媒収容タン
ク内の冷媒を冷却するための冷凍機とを備え、前記冷媒
収容タンク内冷媒を前記冷凍機の低温発生部から該冷媒
収容タンクへ延設した熱伝導性屈曲可能部材を介して冷
却することを特徴とするイオン注入対象基板支持装置。
【0013】このイオン注入対象基板支持装置において
も、イオン注入対象基板は基板台に取り付けられ、イオ
ン注入処理される。そのとき、冷媒収容タンク内の冷媒
が冷凍機における低温発生部から該タンクへ延設された
熱伝導性屈曲可能部材を介して冷却されるとともに、基
板台から該タンク内へ延びて熱媒凝縮側が該冷媒にて冷
却されるヒートパイプの作用で基板台、ひいてはそれに
支持された基板が冷却される。
【0014】また、基板台は直接又は他の部材等を介し
て間接的に該基板台を回転駆動する手段に連結すること
ができ、また、該基板台や冷媒収容タンクは直接又は他
の部材等を介して間接的に、イオンビームに対して移動
(スキャン動作)させる手段、傾斜させる手段等の1又
は2以上に連結することができ、そして冷媒収容タンク
に接続された前記の熱伝導性屈曲可能部材は屈曲できる
から、基板台、ひいてはそれに支持される基板を必要に
応じ回転駆動したり、イオンビームに対して移動(スキ
ャン動作)させたり、傾斜させたりでき、このような基
板動作でイオン注入すべき基板上の領域に略均一にイオ
ン注入できる。
【0015】この装置においても、基板台や冷媒収容タ
ンクはある程度の熱容量を持たせることができ、そうす
ることで、基板の入替え、イオンビーム調整等による非
イオン注入時にも基板台や冷媒収容タンクに蓄冷してお
けるので、次のイオン注入処理に直ちに対応することが
できる。また、基板台や冷媒収容タンクはある程度の熱
容量を持たせることができ、そうすることで冷凍機の温
度設定を精密に制御することなく、基板を所定の温度に
冷却することができるほか、基板台や冷媒収容タンクの
全体に対し冷凍機の負荷を均等化させることができ、従
って必ずしもイオンビームパワーに合わせて冷凍機能力
を大きくする必要がない。 (3)第3タイプの装置 イオン注入対象基板を支持するための基板台と、その近
傍に配置された冷媒タンクと、前記基板台から前記冷媒
タンク内まで延びるヒートパイプであって該基板台に熱
媒蒸発側が配置されるとともに該冷媒タンクに熱媒凝縮
側が配置されたものと、前記冷媒タンクに冷媒を循環さ
せる手段とを備えたことを特徴とするイオン注入対象基
板支持装置。
【0016】この装置によると、イオン注入対象基板は
基板台に取り付けられ、イオン注入処理される。そのと
き、冷媒タンクには故障や劣化の少ない簡素な構造で済
む冷媒循環手段を用いて冷媒を循環させることができ、
一方、基板台から該タンク内へ延びて熱媒凝縮側が該冷
媒にて冷却されるヒートパイプが設けられているから、
基板台、ひいてはそれに支持された基板が冷却される。
【0017】また、基板台は直接又は他の部材等を介し
て間接的に該基板台を回転駆動する手段に連結すること
ができ、また、該基板台や冷媒タンクは直接又は他の部
材等を介して間接的に、イオンビームに対して移動(ス
キャン動作)させる手段、傾斜させる手段等の1又は2
以上に連結することができるから、基板台、ひいてはそ
れに支持される基板を必要に応じ回転駆動したり、イオ
ンビームに対して移動(スキャン動作)させたり、傾斜
させたりでき、このような基板動作でイオン注入すべき
基板上の領域に略均一にイオン注入できる。
【0018】また、冷媒タンクへ冷媒を循環させる手段
は、前記冷媒タンクの動作について回転させずにせいぜ
いスキャン動作させたり、傾けたりするだけの単純な動
作に限定することが可能であるから、冷媒循環手段本体
部を基板台や冷媒タンクを設置するイオン注入装置ター
ゲット室の外に配置して可撓性のある冷媒流通管で故障
の少ない簡素な構造で該冷媒タンクに接続でき、それに
より従来の基板台に直接冷媒を流通させる冷却手段を採
用する場合に比べて冷媒の漏洩の恐れは少なくなり、ま
た、冷媒循環手段を含め全体の管理の手間も低減する。
【0019】この装置においても、基板台にある程度の
熱容量を持たせることができ、そうすることで、基板の
入替え、イオンビーム調整等による非イオン注入時にも
基板台に蓄冷しておけるので、次のイオン注入処理に直
ちに対応することができる。また、基板台にある程度の
熱容量を持たせることができ、そうすることで冷媒循環
手段の温度設定を精密に制御することなく、基板を所定
の温度に冷却することができるほか、冷媒タンク内に循
環させる冷媒の全体に対し冷媒循環装置の負荷を均等化
させることができ、従って必ずしもイオンビームパワー
に合わせて冷媒循環手段による冷却能力を大きくする必
要がない。
【0020】前記(1)及び(2)のいずれのタイプの
イオン注入対象基板支持装置においても、熱伝導性屈曲
可能部材としては熱伝導性良好な可撓性のある連続した
帯状部材、線状部材、これらを複数本束ねてなる或いは
編んでなる部材等や、熱伝導性良好な材料からなる棒
状、ブロック状等の部材を順次相互に回動可能に連結し
て全体を屈曲可能としたもの、熱伝導性良好な材料から
なる鎖状の部材、さらにはこれらの組み合わせからなる
ものを例示できる。
【0021】また、かかる熱伝導性屈曲可能部材を構成
するための熱伝導性良好な材料としては、前記の可撓性
のある連続した帯状部材、線状部材については、アルミ
ニゥム合金、銅合金等の金属材料を例示することがで
き、前記の棒状、ブロック状等の部材を順次連結して全
体として屈曲可能としたものや、鎖状のものについては
銅、銅合金、アルミニゥム、アルミニゥム合金等の金属
材料を例示することができる。
【0022】また、棒状部材等を順次連結して全体とし
て屈曲可能とした熱伝導性屈曲可能部材については隣り
合う棒状部材の相互連結部位に伝熱補助剤を付与しても
よい。その例として、隣り合う棒状部材等の相互連結部
位をオイルパンで囲み、該パン内を蒸気圧の低いオイル
(例えば蒸気圧が10-12 Torr程度のフッ素系オイ
ル)で浸してもよい。また、該相互連結部位にイオン注
入処理時の真空下でも蒸発し難い蒸気圧の低いグリース
(例えば蒸気圧が10-12 Torr程度のグリース(例
えば弗素系の真空用グリース))を伝熱補助用に塗布し
てもよい。
【0023】第1タイプのイオン注入対象基板支持装置
においては、熱伝導性屈曲可能部材と基板台との相互接
続部位についても上記と同様のオイルパンを設けたり、
伝熱用グリースを塗布してもよい。また、いずれのタイ
プの装置においても、熱伝導性屈曲可能部材と冷凍機の
低温発生部との相互接続部位にも上記と同様のオイルパ
ンを設けたり、伝熱用グリースを塗布してもよい。
【0024】また、熱伝導性屈曲可能部材を全体的に、
又は部分的にでも、屈曲可能の断熱材(例えば管状の断
熱材)で被覆してもよい。前記冷凍機としては−20℃
程度、より好ましくは−200℃程度までの低温を発生
できる極低温冷凍機が好ましく、例えばダイキン工業
(株)社製(CRYO KELVIN)〔30°K(−
243℃)〜300°K(27℃)程度までの温度を発
生する能力のある冷凍機〕を挙げることができる。例え
ば保守等でターゲット室をベントして大気開放した場
合、基板台や熱伝導のための部品が低温であると結露
し、次の作業で再び真空にするとき悪影響を与えるが、
このように常温域まで温度を上げることができる極低温
冷凍機はかかる結露を防止でき、作業性の面から都合が
よい。但し、前記第2及び第3タイプの支持装置では、
伝熱冷媒の関係で−10℃〜−20℃程度の低温を発生
させるものでよい。第1及び第2のタイプの支持装置に
おける冷凍機はその冷媒循環部分を本発明装置を設置す
るイオン注入装置のターゲット室の外に配置する。
【0025】前記(1)、(2)、(3)のいずれのタ
イプの装置においても、基板台はこれに支持される基板
を効率的に冷却できるように基板が基板台表面にできる
だけ密着支持されるものが望ましく、そのような基板台
として静電吸着力を利用して基板を吸着保持できるいわ
ゆる静電チャック型のものが望ましい。この種の基板台
を採用する場合、基板台は基板を静電吸着力により保持
するための静電チャックプレートを備えたものとすれば
よい。
【0026】前記第1タイプのイオン注入対象基板支持
装置において、基板台と基板台支持手段との間に介在さ
せる断熱部材の材質としては耐真空特性が優れたセラミ
ックやプラスチック材料等を例示できる。前記第2タイ
プのイオン注入対象基板支持装置のより具体的な例とし
て、イオン注入対象基板を支持するための基板台であっ
て回転可能に支持されたものと、前記基板台にその回転
を許すように接続された冷媒収容タンクと、前記基板台
から前記冷媒収容タンク内まで延びるヒートパイプであ
って該基板台に熱媒蒸発側が配置されるとともに該冷媒
収容タンクに熱媒凝縮側が配置されたものと、前記冷媒
収容タンク内の冷媒を冷却するための冷凍機とを備え、
前記冷媒収容タンク内冷媒を前記冷凍機の低温発生部か
ら該冷媒収容タンクへ延設した熱伝導性屈曲可能部材を
介して冷却することを特徴とするイオン注入対象基板支
持装置を挙げることができる。
【0027】いずれにしても、第2タイプのイオン注入
対象基板支持装置において、冷媒収容タンクに収容する
冷媒としては伝熱冷媒(エチレングリコール、ジクロル
ベンゼン等)を例示できる。前記第3タイプのイオン注
入対象基板支持装置のより具体的な例として、イオン注
入対象基板を支持するための基板台であって回転可能に
支持されたものと、前記基板台にその回転を許すように
接続された冷媒タンクと、前記基板台から前記冷媒タン
ク内まで延びるヒートパイプであって該基板台に熱媒蒸
発側が配置されるとともに該冷媒タンクに熱媒凝縮側が
配置されたものと、前記冷媒タンクに冷媒を循環させる
手段とを備えたことを特徴とするイオン注入対象基板支
持装置を挙げることができる。
【0028】いずれにしても、第3タイプの装置におけ
る冷媒タンクに循環させる冷媒としては、前記の伝熱冷
媒、例えばエチレングリコール等を例示できる。また、
前記(2)、(3)のいずれのタイプの装置において
も、前記ヒートパイプとしては、熱媒(作動流体)とし
てフロン等を封入したものを例示できる。また、冷媒タ
ンクへ冷媒を循環させる手段としては、冷媒タンクに接
続された可撓性のある冷媒流通管を含み、該冷媒流通管
が本発明装置を設置するイオン注入装置のターゲット室
内に配置されていて、冷媒循環手段本体部が該ターゲッ
ト室外に配置されているものを挙げることができる。
【0029】なお、本発明にいうイオン注入装置はイオ
ンドーピング装置も含む広い概念のイオン注入装置を指
している。
【0030】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1は本発明の1実施形態である
イオン注入対象基板支持装置Aをイオン注入装置におけ
るターゲット室C1とともに示す概略側面図である。こ
の装置Aは、ターゲット室C1内に配置される基板台
1、該基板台を断熱部材2を介して支持する基板台支持
部材3、殆どの部分がターゲット室C1外に設けられた
極低温冷凍機4、ターゲット室C1内に位置して基板台
1のベース部材11と冷凍機4の低温発生部421とを
相互に接続する熱伝導性屈曲可能部材5とを備えてい
る。
【0031】基板台1はアルミニュウム製のベース部材
11及びそれに密着固定された静電チャックプレート1
2からなっている。なお、ベース部材11とプレート1
2との間には必要に応じ、熱伝導性良好な、例えば常温
硬化型シリコンラバー等からなる伝熱シートを介在させ
てもよい。断熱部材2はここではアルミナ(Al
2 3 )からなるものである。
【0032】基板台支持部材3は図示しないフレームに
搭載されており、既に知られた機構の組み合わせにより
製作された、ここでは図示を省略したスキャン駆動装置
及び傾斜駆動装置に連結されている。冷凍機4は30°
K(−243℃)の低温を発生させる能力のあるもので
ここでは前記のダイキン工業(株)製のCRYO KE
LVINを採用している。この冷凍機4は圧縮機ユニッ
ト41とこれに配管接続された冷凍部ユニット42とを
備えており、冷凍部ユニット42の低温発生部421が
ターゲット室C1内へ突入している。
【0033】熱伝導性屈曲可能部材5は熱伝導性良好な
銅製のブロック状部材51、棒状部材52・・・、棒状
部材53を順次銅製のピン54で連結して全体として屈
曲性を持たせたものであり、上端部材51を基板台1の
ベース部材11に密着させて固定してあり、下端部材5
3をピン54で低温発生部421に回動可能に連結して
ある。図面には示していないが、上端部材51とベース
部材11との相互接続部位、隣り合う棒状部材相互のピ
ン連結部位、及び下端部材53と低温発生部421との
相互接続部位のそれぞれには、イオン注入処理における
真空度でも蒸発し難い蒸気圧の低い弗素系真空グリース
を伝熱補助剤として塗布してある。
【0034】このイオン注入対象基板支持装置Aによる
と、イオン注入対象基板Sは基板台1の静電チャックプ
レート12上に静電吸着保持され、イオン注入処理され
る。そのとき、基板台1はこれに接続された熱伝導性屈
曲可能部材5を介して冷凍機4における低温発生部42
1から冷却される。そして基板台1が冷却されることで
それに支持された基板Sも冷却される。
【0035】また、基板台1及びそれに支持された基板
Sは、基板台支持部材3を介して前記スキャン駆動装置
及び傾斜駆動装置に連結されているとともに熱伝導性屈
曲可能部材5は屈曲できるので、基板台1、ひいてはそ
れに支持される基板Sをイオンビームに対して移動(ス
キャン動作)させたり、傾斜させたりしてイオン注入す
べき基板S上の領域に略均一にイオン注入できる。
【0036】このように基板台1、ひいてはそれに支持
された基板Sは、単純な構造の熱伝導性屈曲可能部材5
を介して冷凍機4の低温発生部421から冷却できるの
で、従来のように流体冷媒を直接基板台に流通させる冷
却手段を採用する場合のように冷媒漏洩の恐れがなく、
従って信頼性、安全性が高く、また、管理の手間が大幅
に低減される。
【0037】また、基板台1のベース部材11はこれに
ある程度の熱容量を持たせることができ、そうすること
で、基板Sの入替え、イオンビーム調整等による非イオ
ン注入時にも基板台1に蓄冷しておけるので、次のイオ
ン注入処理に直ちに対応することができる利点もある。
また、基板台1はある程度の熱容量を持たせることがで
き、そうすることで冷凍機4の温度設定を精密に制御す
ることなく、基板Sを所定の温度に冷却することができ
るほか、基板台1の全体に対し冷凍機の負荷を均等化さ
せることができ、従って必ずしもイオンビームパワーに
合わせて大きい冷凍機能力を選択することは要しない。
【0038】図2は本発明の他の実施形態であるイオン
注入対象基板支持装置Bをイオン注入装置におけるター
ゲット室C2とともに一部を断面で示す概略側面図であ
る。この装置Bは、ターゲット室C2内に配置される基
板台6、該基板台を回転可能に支持し、且つ、該基板台
を回転駆動するモータM、基板台6にモータMを介して
基板台回転を許すように接続された冷媒収容タンク7、
殆どの部分がターゲット室C2外に配置された冷凍機4
及び冷凍機4からタンク7へ延設された熱伝導性屈曲可
能部材8を備えている。
【0039】基板台6はアルミニウム製のベース部材6
1、その表面に密着固定された静電チャックプレート6
2からなっている。なお、ベース部材61とプレート6
2との間には必要に応じ、熱伝導性良好な、例えば常温
硬化型シリコンラバー等からなる伝熱シートを介在させ
てもよい。基板台1はその背面中央部がモータMの中空
ロータ部分Mrに連結支持されている。モータMのステ
ータ部分Msの後端面には冷媒収容タンク7がオーリン
グ7aを介して気密に接続固定されており、タンク内に
は伝熱冷媒71としてエチレングリコール(又はジクロ
ルベンゼン)が収容されている。なお、図2中Mgはモ
ータMの磁気シール部である。
【0040】また、モータMとタンク7との間にはこれ
ら両者に対して回転可能に円板形のヒートパイプ支持兼
シール部材72を装着してある。該部材72の外周面は
タンク7に設けたオーリング7bに回転可能に気密に当
接している。モータMは図示を省略したフレームに支持
され、同じく図示を省略したスキャン駆動装置及び傾斜
駆動装置に連結されている。
【0041】基板台6のベース部材61中からモータM
のロータ部分Mr内を通り、ヒートパイプ支持部材72
を気密に貫通し、冷媒収容タンク7中まで延びる複数本
のヒートパイプHPが設けられている。なお、各ヒート
パイプHPは支持部材72に設けたオーリング7cに気
密に当接貫通している。各ヒートパイプHPは熱媒蒸発
側p1がベース部材61中において静電チャックプレー
ト62に近接する状態で配置され、熱媒凝縮側p2が冷
媒収容タンク7内に配置されている。さらに説明する
と、ヒートパイプHPは、ベース部材61に形成した、
螺旋状且つ放射状の複数の溝のそれぞれに埋め込まれて
いる。
【0042】冷凍機4は図1に示す冷凍機4と同じもの
である。熱伝導性屈曲可能部材8は熱伝導性良好な銅製
の棒状部材81、82、82及び83を順次銅製のピン
84で連結して全体に屈曲性を持たせたものである。一
端の棒状部材81は冷媒収容タンク7に固定され、一部
がタンク7内に入り込んでいて、その部分が複数の伝熱
用フィン811を備えている。また、他端の棒状部材8
3は低温冷凍機4のターゲット室C2内へ入り込んだ低
温発生部421に接続固定されている。隣り合う棒状部
材相互のピン連結部位には、図示を省略しているが、イ
オン注入処理における真空度でも蒸発し難い蒸気圧の低
い弗素系グリースを伝熱補助剤として塗布してある。
【0043】このイオン注入対象基板支持装置Bにおい
ても、イオン注入対象基板Sは基板台6上の静電チャッ
クプレート62に静電吸着保持され、イオン注入処理さ
れる。そのとき、冷媒収容タンク7内の冷媒71が冷凍
機4における低温発生部421から該タンクへ延設され
た熱伝導性屈曲可能部材8を介して冷却されるととも
に、基板台6から該タンク7内へ延びて熱媒凝縮側が該
冷媒にて冷却されるヒートパイプHPの作用で基板台
6、ひいてはそれに支持された基板Sが冷却される。
【0044】また、基板台6はモータMで回転駆動でき
るだけでなく、冷媒収容タンク7に接続された前記の熱
伝導性屈曲可能部材8が屈曲できるので、前記のスキャ
ン駆動装置及び傾斜駆動装置により基板台6、従ってそ
れに支持された基板Sをイオンビームに対して移動(ス
キャン動作)させたり、傾斜させたりでき、これらの2
以上の動作の組み合わせにより基板S上のイオン注入す
べき領域に略均一にイオン注入できる。
【0045】このように基板台1、ひいてはそれに支持
された基板Sは、単純な構造の熱伝導性屈曲可能部材
8、冷媒収容タンク7及びヒートパイプHPを介して冷
凍機4の低温発生部421から冷却できるので、従来の
ように流体冷媒を直接基板台に流通させる冷却手段を採
用する場合のように冷媒漏洩の恐れがなく、従って信頼
性、安全性が高く、また、管理の手間が大幅に低減され
る。
【0046】また、基板台6のベース部材61や冷媒収
容タンク7はこれにある程度の熱容量を持たせることが
でき、そうすることで、基板Sの入替え、イオンビーム
調整等による非イオン注入時にも基板台6や冷媒収容タ
ンク7に蓄冷しておけるので、次のイオン注入処理に直
ちに対応することができる利点もある。また、基板台6
や冷媒収容タンク7はある程度の熱容量を持たせること
ができ、そうすることで冷凍機4の温度設定を精密に制
御することなく、基板Sを所定の温度に冷却することが
できるほか、基板台6や冷媒収容タンク7の全体に対し
冷凍機の負荷を均等化させることができ、従って必ずし
もイオンビームパワーに合わせて大きい冷凍機能力を選
択することを要しない。
【0047】図3は本発明の他の実施形態であるイオン
注入対象基板支持装置Cをイオン注入装置におけるター
ゲット室C3とともに一部を断面で示す概略側面図であ
る。この装置Cは、図2に示す装置Bに示されるものと
同じ基板台6及び該基板台を回転可能に支持し、且つ、
該基板台を回転駆動するモータMを備えており、さらに
基板台6にモータMを介してその回転を許すように接続
された冷媒タンク70及び該タンクに接続された冷媒循
環装置700を備えている。
【0048】冷媒循環装置700は、その本体部701
がターゲット室C3の外に配置されており、該室壁を気
密に貫通する可撓性冷媒流通管702、703を介して
タンク70に接続されている。冷媒タンク70は図2に
おける熱伝導性屈曲可能部材8が接続されておらず、代
わりに前記の管702、703が接続されている点を除
いて図2に示す装置Bの冷媒収容タンク7と同構造のも
のである。また、図3の装置においても、図2における
と同じヒートパイプHP及びヒートパイプ支持兼シール
部材72等が設けられている。
【0049】この装置Cによると、イオン注入対象基板
Sは基板台6の静電チャックプレート62に静電吸着保
持され、イオン注入処理される。そのとき、冷媒タンク
70には故障や劣化の少ない簡素な構造で済む冷媒循環
装置700を用いて冷媒7Lを循環させることができ、
一方、基板台6からタンク70内へ延びて熱媒凝縮側が
該冷媒7Lにて冷却されるヒートパイプHPが設けられ
ているから、基板台6、ひいてはそれに支持された基板
Sが冷却される。
【0050】また、基板台6はモータMにより回転駆動
できるだけでなく、冷媒タンク70に接続された前記の
可撓性冷媒流通管702、703が撓むことができるの
で、スキャン駆動装置及び傾斜駆動装置により基板台
6、従ってそれに支持された基板Sをイオンビームに対
して移動(スキャン動作)させたり、傾斜させたりで
き、これらの2以上の動作の組み合わせにより基板S上
のイオン注入すべき領域に均一にイオン注入できる。
【0051】また、冷媒循環装置700の本体部701
はターゲット室C3の外に配置してあり、故障の少ない
簡素な構造の冷媒流通管702、703で冷媒タンク7
0に接続されているだけであるから、従来の基板台に直
接冷媒を流通させる冷却手段を採用する場合に比べて冷
媒の漏洩の恐れは極めて少なくなり、また、管理の手間
も低減する。
【0052】この装置においても、基板台6に蓄冷して
おけるので、次のイオン注入処理に直ちに対応すること
ができる利点がある。また、基板台6にある程度の熱容
量を持たせることで、冷媒循環装置700の温度設定を
精密に制御することなく、基板Sを所定の温度に冷却す
ることができるほか、冷媒タンク70内に循環させる冷
媒の全体に対し冷媒循環装置700の冷却負荷を均等化
させることができ、従って必ずしもイオンビームパワー
に合わせて冷媒循環装置による冷却能力を大きくする必
要がない。
【0053】
【発明の効果】本発明によると、イオン注入対象基板の
冷却の点で信頼性、安全性が高く、管理の手間が少なく
済むイオン注入対象基板支持装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施形態であるイオン注入対象基板
支持装置の概略側面図である。
【図2】本発明の他の実施形態であるイオン注入対象基
板支持装置の、一部を断面で示す概略側面図である。
【図3】本発明のさらに他の実施形態であるイオン注入
対象基板支持装置の、一部を断面で示す概略側面図であ
る。
【図4】従来例の、一部を断面で示す側面図である。
【符号の説明】
1、6 基板台 11、61 ベース部材 12、62 静電チャックプレート 2 断熱部材 3 基板台支持部材 4 冷凍機 41 圧縮機ユニット 42 冷凍部ユニット 421 低温発生部 5、8 熱伝導性屈曲可能部材 7 冷媒収容タンク 70 冷媒タンク 700 冷媒循環装置 701 装置700の本体部 702、703 可撓性のある冷媒流通管

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】イオン注入対象基板を支持するための基板
    台であって断熱部材を介して基板台支持手段に支持され
    たものと、前記基板台を冷却するための冷凍機とを備え
    ており、前記基板台と前記冷凍機の低温発生部とが熱伝
    導性屈曲可能部材で相互に接続されていることを特徴と
    するイオン注入対象基板支持装置。
  2. 【請求項2】イオン注入対象基板を支持するための基板
    台と、その近傍に配置された冷媒収容タンクと、前記基
    板台から前記冷媒収容タンク内まで延びるヒートパイプ
    であって該基板台に熱媒蒸発側が配置されるとともに該
    冷媒収容タンクに熱媒凝縮側が配置されたものと、前記
    冷媒収容タンク内の冷媒を冷却するための冷凍機とを備
    え、前記冷媒収容タンク内冷媒を前記冷凍機の低温発生
    部から該冷媒収容タンクへ延設した熱伝導性屈曲可能部
    材を介して冷却することを特徴とするイオン注入対象基
    板支持装置。
  3. 【請求項3】イオン注入対象基板を支持するための基板
    台と、その近傍に配置された冷媒タンクと、前記基板台
    から前記冷媒タンク内まで延びるヒートパイプであって
    該基板台に熱媒蒸発側が配置されるとともに該冷媒タン
    クに熱媒凝縮側が配置されたものと、前記冷媒タンクに
    冷媒を循環させる手段とを備えたことを特徴とするイオ
    ン注入対象基板支持装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010501106A (ja) * 2006-08-17 2010-01-14 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド イオン注入システムに用いられる基材取り扱いスキャンアーム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010501106A (ja) * 2006-08-17 2010-01-14 アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド イオン注入システムに用いられる基材取り扱いスキャンアーム
KR101407686B1 (ko) * 2006-08-17 2014-07-02 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 이온 주입 시스템을 위한 워크피스 핸들링 스캔 아암

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