JPH10128674A - Polishing pad - Google Patents

Polishing pad

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Publication number
JPH10128674A
JPH10128674A JP28540096A JP28540096A JPH10128674A JP H10128674 A JPH10128674 A JP H10128674A JP 28540096 A JP28540096 A JP 28540096A JP 28540096 A JP28540096 A JP 28540096A JP H10128674 A JPH10128674 A JP H10128674A
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JP
Japan
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polishing pad
polishing
felt
sheet
polyurethane
Prior art date
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Pending
Application number
JP28540096A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsushi Yasuda
辰志 安田
Mikio Uchida
幹雄 内田
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ROODER NITTA KK
Original Assignee
ROODER NITTA KK
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Publication date
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Priority to JP28540096A priority Critical patent/JPH10128674A/en
Publication of JPH10128674A publication Critical patent/JPH10128674A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing pad, in the case of polishing a semiconductor wafer, memory disk, etc., which can improve flatness of this polishing surface extend a usable time and reduce a cost required for polishing. SOLUTION: A polishing pad 1 is formed by a felt-shaped fiber sheet 3 carrying a fine porous elastomer 4 composed mainly of polyurethane. A constitutional fiber of this felt-shaped fiber sheet 3 is 6.0 to 20.0 denier and 30 to 100mm fiber length, and METSUKE weight of the sheet is 150 to 600g/cm<2> . A difference between maximum/minimum heights of a polishing surface of the felt-shaped fiber sheet 3 is within 20μm, and for providing flatness within 20μm in Ra (ten point average height), flatness may be applied by a plane of the same width or more.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ、
メモリーディスク、光学部品レンズ等をポリシングすな
わち研磨する為に用いられる研磨用パッドに関するもの
である。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a polishing pad used for polishing or polishing a memory disk, an optical component lens, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、集積回路を形成するために基材と
して用いられる半導体ウェーハの鏡面研磨の研磨用パッ
ドとしては、人工皮革として一般に知られているベロア
調およびスエード調の繊維・樹脂複合材料、および熱可
塑性ポリウレタン樹脂含浸湿式凝固処理フェルト状繊維
質シートが広く用いられてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a polishing pad for mirror polishing a semiconductor wafer used as a base material for forming an integrated circuit, a velor-like or suede-like fiber / resin composite material generally known as artificial leather is used. And felted fibrous sheets impregnated with a thermoplastic polyurethane resin by wet coagulation.

【0003】近年、特に半導体ウェーハ、メモリーディ
スクは、高平坦性等の品質向上に加えて価格低減の要求
が増々厳しくなっている状態にあり、それに伴い研磨用
パッドに関しても、従来以上の高平坦化を可能とする機
能の付与や長期の使用可能時間であることが要求されて
いる。
In recent years, in particular, in semiconductor wafers and memory disks, demands for price reductions have been increasing in addition to quality improvement such as high flatness and the like. It is required to provide a function that enables the use of the device and to have a long usable time.

【0004】このような要求に対して、従来からの半導
体ウェーハの鏡面加工工程においては、ウェーハの平坦
性の大部分を決定する一次研磨工程(ストック・リムー
バル・プロセス)に用いられる研磨用パッドの硬さによ
って仕上がりウェーハの平坦性が大きく左右されること
が明らかになってきた。硬さを数値化する指標として圧
縮率が挙げられるが、この圧縮率は研磨用パッドに使用
されるポリウレタンを主体とする微孔質エラストマの付
着量に大きく依存している。すなわち比較的硬質で圧縮
率の低い研磨用パッドは、ポリウレタンを主体とする微
孔質エラストマの繊維への付着量が多く、得られた研磨
用パッド表面に微孔質エラストマの粒子が顕著に存在し
ているため、スラリー及び研磨屑が研磨用パッドの微孔
中に早期に目詰まりし、これが原因でウェーハ表面の粗
度が大きく、また傷(スクラッチ)が発生しやすくなる
傾向にある。更に、半導体ウェーハ研磨時の研磨屑が目
詰まりし易く、またブラッシング等による矯正除去も困
難であり、研磨用パッドの使用可能時間が短かった。
In response to such a demand, in a conventional mirror polishing process of a semiconductor wafer, a polishing pad used in a primary polishing process (stock removal process) for determining most of the flatness of the wafer is used. It has become clear that the flatness of the finished wafer is greatly affected by the hardness. As an index for quantifying the hardness, a compression ratio is cited, and this compression ratio largely depends on the amount of the microporous elastomer mainly composed of polyurethane used for the polishing pad. That is, the polishing pad which is relatively hard and has a low compressibility has a large amount of the microporous elastomer mainly composed of polyurethane adhered to the fiber, and particles of the microporous elastomer are remarkably present on the obtained polishing pad surface. As a result, the slurry and polishing debris are clogged in the fine holes of the polishing pad at an early stage, and as a result, the roughness of the wafer surface is large, and scratches tend to occur easily. In addition, polishing debris during polishing of a semiconductor wafer is liable to be clogged, and it is difficult to correct and remove it by brushing or the like, so that the usable time of a polishing pad is short.

【0005】一方、上記問題を解決すべくポリウレタン
を主体とする微孔質エラストマの繊維への付着量を減ら
した研磨用パッドにおいては、その圧縮率は高い値を示
す。これは研磨用パッド表面への微孔質エラストマの粒
子の付着が少なくなるので、研磨用パッド表面の空隙が
増加するからであり、その結果、半導体ウェーハ研磨時
の研磨屑の目詰まりが抑えられ、研磨用パッドの使用可
能時間を長くできるが、硬度不足で一次研磨工程(スト
ック・リムーバル・プロセス)において半導体ウェーハ
の希望する平坦度の鏡面加工を行うことが難しい。
On the other hand, in order to solve the above-mentioned problem, in a polishing pad in which the amount of microporous elastomer mainly composed of polyurethane attached to fibers is reduced, the compression ratio shows a high value. This is because the adhesion of microporous elastomer particles to the polishing pad surface is reduced, so that the voids on the polishing pad surface are increased, and as a result, clogging of polishing debris during polishing of a semiconductor wafer is suppressed. Although the usable time of the polishing pad can be lengthened, it is difficult to perform mirror finishing of a desired flatness of the semiconductor wafer in the primary polishing step (stock removal process) due to insufficient hardness.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記欠点を解
消するためになされたものであり、その目的は半導体ウ
ェーハ、メモリーディスク等の被研磨物表面の平坦性向
上を達成でき、かつ使用可能時間を延長して研磨に必要
なコストを低減できる研磨用パッドを提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and an object of the present invention is to improve the flatness of the surface of an object to be polished, such as a semiconductor wafer, a memory disk, etc., and to be usable. An object of the present invention is to provide a polishing pad that can extend the time and reduce the cost required for polishing.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の研磨用パッド
は、ポリウレタンを主体とする微孔質エラストマが担持
されたフェルト状繊維質シートからなり、該フェルト状
繊維質シートを構成する繊維が、6.0〜20.0デニ
ール、繊維長30〜100mmで、該フェルト状繊維質シート
の目付重量が150〜600g/cm2であることを特徴とし、そ
れにより上記目的が達成される。
The polishing pad of the present invention comprises a felt-like fibrous sheet carrying a microporous elastomer mainly composed of polyurethane, and the fibers constituting the felt-like fibrous sheet are: It is characterized by having a denier of 6.0 to 20.0 and a fiber length of 30 to 100 mm and a basis weight of the felt-like fibrous sheet of 150 to 600 g / cm 2 , thereby achieving the above object.

【0008】すなわち、研磨用パッドの出発原材料であ
るフェルト状繊維質シートの構成繊維が、予めある一定
の硬度を有していれば、該シートに担持させるポリウレ
タンを主体とする微孔質エラストマ量を少量とした場合
でも、研磨用パッドに所定硬度を付与できるので、研磨
用パッド表面への微孔質エラストマ粒子の付着が抑えら
れ、上記問題を解決できる。
That is, if the constituent fibers of the felt-like fibrous sheet, which is the starting raw material of the polishing pad, have a certain hardness in advance, the amount of the microporous elastomer mainly composed of polyurethane to be carried on the sheet is considered. Even when the amount is small, the polishing pad can be given a predetermined hardness, so that the adhesion of the microporous elastomer particles to the surface of the polishing pad can be suppressed, and the above problem can be solved.

【0009】研磨用パッドはその研磨面に複数の溝が形
成されていることが望ましい。
Preferably, the polishing pad has a plurality of grooves formed on the polishing surface.

【0010】また、上記研磨用パッドの研磨面の最大高
さと最小高さの差が20μm以内でかつ10点平均高さ
Raが12μm以内であることが望ましい。
It is desirable that the difference between the maximum height and the minimum height of the polishing surface of the polishing pad be within 20 μm and the 10-point average height Ra be within 12 μm.

【0011】さらに、上記研磨用パッドの研磨面の最大
高さと最小高さの差が20μm以内でかつ10点平均高
さRaが12μm以内であり、該研磨面に複数の溝が形
成されていることが望ましい。
Further, the difference between the maximum height and the minimum height of the polishing surface of the polishing pad is within 20 μm, the average height Ra at 10 points is within 12 μm, and a plurality of grooves are formed in the polishing surface. It is desirable.

【0012】本発明の他の研磨用パッドは、フェルト状
繊維質シートにポリウレタンを主体とする樹脂溶液を含
浸させ、次いで湿式凝固および乾燥させて得られ、該フ
ェルト状繊維質シートを構成する繊維が、6.0〜2
0.0デニール、繊維長30〜100mmで、該フェルト状繊
維質シートの目付重量が150〜600g/cm2であることを特
徴とし、それにより上記目的が達成される。
Another polishing pad of the present invention is obtained by impregnating a felt-like fibrous sheet with a resin solution mainly composed of polyurethane, and then wet-coagulating and drying the fibrous sheet to form the felt-like fibrous sheet. Is 6.0-2
It is characterized by 0.0 denier, a fiber length of 30 to 100 mm and a basis weight of the felt-like fibrous sheet of 150 to 600 g / cm 2 , thereby achieving the above object.

【0013】本発明の作用は次の通りである。The operation of the present invention is as follows.

【0014】従来の研磨用パッドに使用されるフェルト
状繊維質シートを構成する繊維は、デニール数が2〜4
程度で形成されていた。そのため研磨用パッドの研磨面
に繊維が緻密な状態で存在し相対的に空隙が少なくな
り、半導体ウェーハ研磨時の研磨屑が目詰まりし易いと
いう欠点があった。
The fibers constituting the felt-like fibrous sheet used for the conventional polishing pad have a denier number of 2 to 4.
Was formed in the degree. Therefore, there is a disadvantage that the fibers are present in a dense state on the polishing surface of the polishing pad and the voids are relatively reduced, so that the polishing debris during the polishing of the semiconductor wafer is easily clogged.

【0015】これに対して、本発明の研磨用パッドによ
ると、ポリウレタンを主体とする微孔質エラストマが担
持されたフェルト状繊維質シートの構成繊維が6.0〜
20.0デニール、繊維長30〜150mmで、その目付重量
が150〜600g/cm2の範囲であるため、半導体ウェーハ等
の鏡面研磨において表面空孔を確保でき、該空孔に研磨
屑や研磨液中の研磨粒子が着落し、目詰まりの発生を防
止することができる。これにより長時間安定した研磨性
能を維持でき、被研磨体の研磨面の平坦性を向上でき
る。
On the other hand, according to the polishing pad of the present invention, the constituent fibers of the felt-like fibrous sheet carrying the microporous elastomer mainly composed of polyurethane are 6.0 to 6.0.
20.0 denier, fiber length of 30 to 150 mm, and weight per unit area of 150 to 600 g / cm 2 , it is possible to secure surface pores in mirror polishing of semiconductor wafers and the like. It is possible to prevent abrasive particles in the liquid from dropping and clogging. Thereby, stable polishing performance can be maintained for a long time, and the flatness of the polished surface of the object to be polished can be improved.

【0016】すなわち、フェルト状繊維質シートの表面
に形成された比較的大きい空隙により研磨液の流通性に
優れ、さらにその空隙に研磨屑が着落しやすいため、目
詰まりの発生を防止でき、研磨用パッドの使用可能時間
を長期間保持できる。
That is, the relatively large voids formed on the surface of the felt-like fibrous sheet provide excellent flowability of the polishing liquid, and the abrasive dust easily falls into the voids. The usable time of the pad can be maintained for a long time.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明で使用されるフェルト状繊
維質シートは、DMF、MEK、テトラヒドロフラン等
ポリウレタン可溶性の溶剤に対して耐性があり、かつ研
磨時に使用されるpH10〜11程度の研磨液に対する耐アル
カリ性を有するものが好ましく使用され、例えば、ナイ
ロン、ポリエステル、アラミド繊維等よりなる繊維質シ
ートが挙げられる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The felt-like fibrous sheet used in the present invention is resistant to polyurethane-soluble solvents such as DMF, MEK and tetrahydrofuran, and has a pH of about 10 to 11 used during polishing. Preferably, those having alkali resistance are used, and examples thereof include fibrous sheets made of nylon, polyester, aramid fiber and the like.

【0018】該シートは、シートを構成する繊維が6.
0〜10.0デニール、繊維長30〜100mmで、その目付
重量が150〜400g/cm2の範囲の不織布が好ましく、さら
に好ましくはバインダーを含まないニードルパンチ不織
布である。このうち目付重量は通常、ニードルパンチの
頻度、繊維長によって変更し得る。
In the sheet, the fibers constituting the sheet are 6.
A non-woven fabric having a denier of 0 to 10.0, a fiber length of 30 to 100 mm, and a weight per unit area of 150 to 400 g / cm 2 is preferable, and a needle-punched non-woven fabric containing no binder is more preferable. Of these, the basis weight can usually be changed depending on the frequency of needle punching and the fiber length.

【0019】さらに好ましくは、該シートを構成する繊
維は6〜8デニール、繊維長40〜70mmであり、その
目付重量は180〜300g/cm2である。
More preferably, the fibers constituting the sheet have a denier of 6 to 8 and a fiber length of 40 to 70 mm, and a basis weight of 180 to 300 g / cm 2 .

【0020】フェルト状繊維質シートの構成繊維が6.
0未満の場合には、上記した従来例に見られるように、
得られる研磨用パッドの研磨面に繊維が緻密な状態で存
在するため、半導体ウェーハ研磨時の研磨屑が目詰まり
し易く、20.0デニールを超える場合には、研磨用パ
ッドの硬度が高すぎるため被研磨物の表面平坦性が悪化
する傾向にある。その繊維長が30mmより短い場合には、
ポリウレタンを主体とする微孔質エラストマがフェルト
状繊維質に所定以上に担持され、研磨用パッドの硬度が
高すぎてしまう。繊維長が150mmより長い場合には、ポ
リウレタンを主体とする微孔質エラストマがフェルト状
繊維質に充分担持できなくなり、研磨用パッドの硬度が
低すぎてしまう。また、シートの目付重量が150g/cm2
満の場合にはポリウレタンを主体とする微孔質エラスト
マがフェルト状繊維質に所定以上に担持され、研磨用パ
ッドの硬度が高すぎてしまう。シートの目付重量が600g
/cm2を超える場合にはポリウレタンを主体とする微孔質
エラストマがフェルト状繊維質に充分担持できなくな
り、研磨用パッドの硬度が低すぎてしまう。本発明で使
用されるポリウレタンを主体とする微孔質エラストマと
は、多数の微孔を有するポリウレタンから主としてなる
弾性体であり、100%伸び時のモデュラスが100kg/cm2
上のものが好ましい。
The constituent fibers of the felt-like fibrous sheet are 6.
If it is less than 0, as seen in the conventional example described above,
Since the fibers are present in a dense state on the polishing surface of the obtained polishing pad, the polishing debris during polishing of the semiconductor wafer are easily clogged, and when it exceeds 20.0 denier, the hardness of the polishing pad is too high. Therefore, the surface flatness of the object to be polished tends to deteriorate. If the fiber length is shorter than 30mm,
The microporous elastomer mainly composed of polyurethane is supported on the felt-like fiber in a predetermined amount or more, and the hardness of the polishing pad is too high. When the fiber length is longer than 150 mm, the microporous elastomer mainly composed of polyurethane cannot be sufficiently supported on the felt-like fiber, and the hardness of the polishing pad is too low. Further, when the basis weight of the sheet is less than 150 g / cm 2 , the microporous elastomer mainly composed of polyurethane is supported on the felt-like fiber in a predetermined amount or more, and the hardness of the polishing pad is too high. The basis weight of the sheet is 600g
If it exceeds / cm 2 , the microporous elastomer mainly composed of polyurethane cannot be sufficiently supported on the felt-like fiber, and the hardness of the polishing pad will be too low. The microporous elastomer mainly composed of polyurethane used in the present invention is an elastic body mainly composed of polyurethane having many micropores, and preferably has a modulus at 100% elongation of 100 kg / cm 2 or more.

【0021】本発明で使用されるポリウレタンは、一般
に人工皮革用として市販されているものがいずれも使用
でき、例えば、ポリエステル、あるいはポリエーテル系
のMDI(4,4'-ジフェニルメタンジイソシアネート)
あるいはTDI(トリレンジイソシアネート)末端を持
つウレタンプレポリマー単体、あるいは研磨用パッド
(研磨クロス)の硬度や圧縮率を調整するためにメラミ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂等をブレンドしたものが
挙げられる。
As the polyurethane used in the present invention, any commercially available polyurethane for artificial leather can be used. For example, polyester or polyether-based MDI (4,4'-diphenylmethane diisocyanate)
Alternatively, a urethane prepolymer having a TDI (tolylene diisocyanate) terminal alone or a blend of a melamine resin, a polycarbonate resin, or the like for adjusting the hardness and compressibility of a polishing pad (polishing cloth) may be used.

【0022】該ポリウレタンは、3,3'ジクロロ-4,4'ジ
アミノジフェニルメタン等の2官能性有機アミン硬化
剤、さらに必要であれば、アジピン酸等のジカルボン酸
を主体とした促進剤を含有し得る。これらはDMF、M
EK、テトラヒドロフラン等の有機溶剤に溶解させて用
いられ得る。乾燥の熱効率を考慮する場合には有機溶剤
として、MEK等の低沸点のものを用いることが望まし
い。
The polyurethane contains a bifunctional organic amine curing agent such as 3,3'-dichloro-4,4'-diaminodiphenylmethane and, if necessary, an accelerator mainly composed of a dicarboxylic acid such as adipic acid. obtain. These are DMF, M
It can be used by dissolving it in an organic solvent such as EK and tetrahydrofuran. When considering the thermal efficiency of drying, it is desirable to use a low boiling point solvent such as MEK as the organic solvent.

【0023】また、本発明の研磨用パッドの厚みは、0.
5〜2.0mmが好ましい。また、研磨用パッドの圧縮率は2.
0〜14.0%の範囲が好ましく、特に好ましい研磨用パッ
ドの圧縮率は2.5〜9.0%の範囲である。研磨用パッドの
厚みが0.5mm未満または2.0mmを超えると、研磨機のキャ
リアプレートへの装着時の作業性が低下する。また、圧
縮率が2%未満であるとウェーハ平坦度が低下し、14.0
%を超えると研磨効率が悪くなり易い。
Further, the thickness of the polishing pad of the present invention is set at 0.3.
5 to 2.0 mm is preferred. The compression ratio of the polishing pad is 2.
The compression ratio of the polishing pad is preferably in the range of 0 to 14.0%, and particularly preferably 2.5 to 9.0%. If the thickness of the polishing pad is less than 0.5 mm or more than 2.0 mm, the workability when the polishing machine is mounted on the carrier plate is reduced. On the other hand, when the compression ratio is less than 2%, the wafer flatness is reduced, and
%, The polishing efficiency tends to deteriorate.

【0024】本発明の研磨用パッドにおいて、研磨用パ
ッドの研磨面の最大高さと最小高さの差が20μm以内
で、かつ10点平均高さRaが12μm以内である。さ
らに好ましい研磨用パッドの研磨面の最大高さと最小高
さの差は10μm以内で、かつ10点平均高さRaが5
μm以内である。
In the polishing pad of the present invention, the difference between the maximum height and the minimum height of the polishing surface of the polishing pad is within 20 μm, and the 10-point average height Ra is within 12 μm. More preferably, the difference between the maximum height and the minimum height of the polishing surface of the polishing pad is within 10 μm, and the 10-point average height Ra is 5 μm.
It is within μm.

【0025】本発明の研磨用パッドを製造するための方
法としては、例えば、以下の方法がある。
As a method for producing the polishing pad of the present invention, for example, there is the following method.

【0026】(1)フェルト状繊維質シート(シート状
繊維基材)に、上記ポリウレタンのDMF溶液を含浸さ
せ、湿式凝固、洗浄、乾燥の各工程を経て中間的な複合
基材を作成する。
(1) A felt-like fibrous sheet (sheet-like fibrous base material) is impregnated with the above-mentioned polyurethane DMF solution, and an intermediate composite base material is prepared through wet coagulation, washing and drying steps.

【0027】ここで、複合基材中における樹脂相と繊維
相の重量比率は、樹脂相対繊維相が1対1〜1対5であ
ることが好ましい。本発明の研磨用パッドは、フェルト
状繊維質シートの構成繊維が6.0〜20.0デニー
ル、繊維長30〜150mmで、その目付重量150〜600g/cm2
あることを特徴としており、作用面(シート表面)に対
する圧縮弾性が低くなりやすく、それを補完する意味か
ら樹脂を担持させて硬度を向上させ研磨時の圧縮変形を
防止する。
Here, the weight ratio of the resin phase to the fiber phase in the composite base material is preferably such that the resin relative fiber phase is 1: 1 to 1: 5. The polishing pad of the present invention is characterized in that the constituent fibers of the felt-like fibrous sheet have a denier of 6.0 to 20.0, a fiber length of 30 to 150 mm, and a basis weight of 150 to 600 g / cm 2 , The compression elasticity of the working surface (sheet surface) is likely to be low, and in order to complement the compression elasticity, a resin is supported to increase hardness and prevent compression deformation during polishing.

【0028】たとえば、従来の技術では樹脂相対繊維相
の重量比率が1対1を越えるような複合基材の樹脂相に
存在する湿式凝固による多孔質構造が緻密になりすぎ、
シート状繊維基材表面に存在するかなりの空隙が樹脂相
で充填されてしまうため、研磨に使用した場合には研磨
液、および研磨屑の流通が阻害され、目詰まりが短期に
起こってしまった。逆に樹脂相対繊維相の重量比率が1
対5を下回る状態では、樹脂相は繊維の交絡点、および
外周部をとり囲むだけになり、含浸したポリウレタンが
乾燥時にシートの下側となっていた側に局在化してしま
う傾向にあり、繊維に対する補強効果が得られず、目標
とする硬度に達しなかった。
For example, in the prior art, the porous structure by wet coagulation existing in the resin phase of the composite base material in which the weight ratio of the resin to the fiber phase exceeds 1: 1 becomes too dense.
Since a considerable amount of voids existing on the surface of the sheet-like fiber base material were filled with the resin phase, when used for polishing, the flow of the polishing liquid and polishing waste was hindered, and clogging occurred in a short time. . Conversely, the weight ratio of resin to fiber phase is 1
In a state below the ratio of 5, the resin phase only surrounds the entanglement point of the fiber and the outer peripheral portion, and the impregnated polyurethane tends to be localized on the side that was on the lower side of the sheet during drying, The reinforcing effect on the fiber was not obtained, and the target hardness was not reached.

【0029】従って、上記工程(1)では、使用するシ
ート状繊維基材の嵩密度によって、含浸させるポリウレ
タンのDMF溶液中の固形分量を調整し、得られる複合
基材中における樹脂相対繊維相の比率を1対1〜1対5
にすることが好ましい。
Therefore, in the above step (1), the solid content of the impregnated polyurethane in the DMF solution is adjusted according to the bulk density of the sheet-like fiber substrate to be used, and the resin relative fiber phase in the obtained composite substrate is adjusted. The ratio is 1: 1 to 1: 5
Is preferable.

【0030】(2)次に、上記工程(1)で得られた複
合基材は、表裏面近傍にスキン層と呼ばれる緻密な発泡
層を持つため、表裏両面の発泡層をそれぞれ除去し、平
坦度を向上させ、研磨用パッドとして用いる。
(2) Next, since the composite base material obtained in the above step (1) has a dense foam layer called a skin layer near the front and back surfaces, the foam layers on both front and back surfaces are removed, and the composite base material is flattened. It is used as a polishing pad by improving the degree.

【0031】必要に応じて、上記工程(2)で得られた
研磨用パッドの表面(作用面)に複数本の溝を形成する
こともできる。例えば、断面V字形の溝(深さ0.1〜1.5
mm)を網目状に形成することができる。このような溝を
研磨用パッド表面に形成することにより、研磨スラリー
がウェーハ全面に充足されウェーハの高平坦化を促進さ
せることができる。
If necessary, a plurality of grooves can be formed on the surface (working surface) of the polishing pad obtained in the above step (2). For example, a V-shaped cross section (depth 0.1 to 1.5
mm) can be formed in a mesh shape. By forming such grooves on the surface of the polishing pad, the polishing slurry is filled over the entire surface of the wafer, and the flattening of the wafer can be promoted.

【0032】また必要に応じて、上記工程(2)で得ら
れた研磨用パッドの表面(作用面)をその表面(作用
面)の外径以上の幅を持つ鉋で削り、研磨用パッドの表
面(作用面)の平坦化を得ることでウェーハの高平坦化を
促進させることができる。
If necessary, the surface (working surface) of the polishing pad obtained in the above step (2) is cut with a plane having a width equal to or larger than the outer diameter of the surface (working surface). By obtaining a flat surface (working surface), high flatness of the wafer can be promoted.

【0033】なお、上記工程(2)で得られた研磨用パ
ッドを、さらに熱硬化性ポリウレタン溶液等の未反応の
熱硬化性樹脂溶液に含浸後、乾燥してもよい。
The polishing pad obtained in the above step (2) may be further impregnated with an unreacted thermosetting resin solution such as a thermosetting polyurethane solution and then dried.

【0034】本発明の研磨用パッドとその研磨性能につ
いて、下記の実施例によりさらに詳細に説明するが、こ
れらの実施例は本発明を限定するものではない。
The polishing pad of the present invention and the polishing performance thereof will be described in more detail with reference to the following Examples, but these Examples do not limit the present invention.

【0035】[0035]

【実施例】【Example】

(A)以下の実施例で得られた研磨用パッド(もしくは
シート物)の圧縮率の測定法は次の通りである。
(A) The method for measuring the compressibility of the polishing pad (or sheet) obtained in the following examples is as follows.

【0036】圧縮率={(D1−D2)/D1}×10
0(%)で計算される。
Compression ratio = {(D1-D2) / D1} × 10
Calculated as 0 (%).

【0037】但し、D1は、作用面に300gf/cm2×60秒
間の荷重をかけた時の研磨用パッドの厚みであり、D2
は、作用面に1800gf/cm2×60秒間の荷重をかけた時の研
磨用パッドの厚みである。
Here, D1 is the thickness of the polishing pad when a load of 300 gf / cm 2 × 60 seconds is applied to the working surface.
Is the thickness of the polishing pad when a load of 1800 gf / cm 2 × 60 seconds is applied to the working surface.

【0038】(B)以下の実施例で得られた研磨用パッ
ドを用いたウェーハの研磨試験は次の通りである。
(B) A polishing test of a wafer using the polishing pad obtained in the following example is as follows.

【0039】スピードファム59SPAW2型を用いて
ウェーハを研磨し、ウェーハはシリコン単結晶P(10
0)ウェーハ8インチ径を使用した。研磨条件は表1に
まとめて記載した。
The wafer was polished using a speed fam 59 SPAW2 type, and the wafer was polished with a silicon single crystal P (10
0) 8 inch diameter wafer was used. The polishing conditions are summarized in Table 1.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】研磨後のウェーハの形状精度を静電容量式
ウェーハ平坦度検査機;ADE9500ウェーハ平坦度
検査計を用いて評価した。
The dimensional accuracy of the polished wafer was evaluated using a capacitance type wafer flatness inspection machine; ADE9500 wafer flatness inspection meter.

【0042】(C)以下の実施例で使用した配合物1お
よび2の組成は次の通りであった。
(C) The compositions of Formulations 1 and 2 used in the following examples were as follows:

【0043】配合物1 クリスボン8867(大日本インキ化学工業(株)) 100.0phr ジメチルホルムアミド(日東化学(株)) 200.0phr 上記クリスボン8867は、平均分子量200,000、硬化
物の100%モジュラスが120kg/cm2のポリエステル系ポリ
ウレタンを主成分とする。
Formulation 1 Crisbon 8867 (Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 100.0 phr Dimethylformamide (Nitto Chemical Co., Ltd.) 200.0 phr The above crisbon 8867 has an average molecular weight of 200,000 and a cured product having a 100% modulus of 120 kg / cm. The main component is a polyester-based polyurethane.

【0044】配合物2 ハイプレンL−315(三井東圧化学(株)) 100.0phr イハラキュアミン(イハラケミカル(株)) 26.9phr MEK 576.0phr (実施例1)6.0デニール、繊維長60mmのポリエステ
ル繊維で構成された厚さ2.0mm、嵩密度0.11g/cm3、目付
重量350g/cm2のニードルパンチ不織布を基材として用い
た。
Formulation 2 Hyprene L-315 (Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd.) 100.0 phr Iharacuamine (Ihara Chemical Co., Ltd.) 26.9 phr MEK 576.0 phr (Example 1) 6.0 denier, fiber length 60 mm A needle-punched nonwoven fabric made of polyester fiber and having a thickness of 2.0 mm, a bulk density of 0.11 g / cm 3 , and a basis weight of 350 g / cm 2 was used as a substrate.

【0045】上記配合物1で基材を十分浸漬含浸した
後、純水で且つ温度30℃の凝固液に20分間浸漬後、60分
間純水中で水洗いし、熱可塑性ポリウレタン樹脂を湿式
凝固させ、ポーラス状にフェルト基材を形成した後、D
MFを完全に純水と置換し、さらに120℃熱風で乾燥
し、厚さ1.7mm、嵩密度0.23g/cm3、目付重量520g/cm2
ウレタン対繊維の重量比0.5対1の複合基材を得た。該
複合基材の表裏面を60メッシュのバフロールで研削し、
密度の高いスキン層を除去した。このシート物の圧縮率
は10%であった。
After the substrate was sufficiently immersed and impregnated with the above Formulation 1, it was immersed in a coagulating solution at 30 ° C. for 20 minutes in pure water, and then washed in pure water for 60 minutes to wet coagulate the thermoplastic polyurethane resin. After forming the felt base material in a porous shape, D
The MF was completely replaced with pure water, and further dried at 120 ° C. with hot air. The thickness was 1.7 mm, the bulk density was 0.23 g / cm 3 , the basis weight was 520 g / cm 2 ,
A composite substrate having a urethane to fiber weight ratio of 0.5 to 1 was obtained. Grind the front and back of the composite base material with a 60 mesh baffle,
The dense skin layer was removed. The compression ratio of this sheet was 10%.

【0046】さらに該シート物を上記配合物2の含浸液
に含浸後、120℃熱風で20分間乾燥して溶剤を除去し、
該配合物2の硬化性ポリウレタンを上記シート物中のポ
リウレタン多孔質相のセル壁を被覆しながら硬化させる
ことにより、研磨用パッドを得た。
Further, after impregnating the sheet material with the impregnating solution of the above-mentioned formulation 2, the sheet material was dried with 120 ° C. hot air for 20 minutes to remove the solvent.
A polishing pad was obtained by curing the curable polyurethane of Formulation 2 while covering the cell walls of the polyurethane porous phase in the sheet material.

【0047】この研磨用パッドの表裏面をさらにバフ処
理して平坦な作用面を有する図1に示すような研磨用パ
ッド1を得た。図中、2は研磨用パッド1の作用面、3
はフェルト状繊維質シート、4はエラストマである。こ
の研磨用パッドは、厚さ1.30mm、嵩密度0.38g/cm3、圧
縮率3.0%であった。
The front and back surfaces of the polishing pad were further buffed to obtain a polishing pad 1 having a flat working surface as shown in FIG. In the figure, reference numeral 2 denotes the working surface of the polishing pad 1;
Is a felt-like fibrous sheet, and 4 is an elastomer. This polishing pad had a thickness of 1.30 mm, a bulk density of 0.38 g / cm 3 , and a compressibility of 3.0%.

【0048】本研磨用パッドを用いて研磨したウェーハ
の加工精度はTTV:0.5ミクロン、LTV:0.3ミクロ
ンで、研磨用パッドのライフは1951時間であった。
The processing accuracy of the wafer polished using the polishing pad was TTV: 0.5 μm, LTV: 0.3 μm, and the life of the polishing pad was 1951 hours.

【0049】(実施例2)15.0デニール、繊維長60mmの
ポリエステル繊維で構成された厚さ2.0mm、嵩密度0.11g
/cm3、目付重量360g/cm2のニードルパンチ不織布を基材
として用いた。
(Example 2) 15.0 denier, polyester fiber having a fiber length of 60 mm, thickness 2.0 mm, bulk density 0.11 g
/ cm 3, with a weight per unit area 360 g / cm 2 of needle punched nonwoven as a substrate.

【0050】上記配合物1で基材を十分浸漬含浸した
後、純水で且つ温度30℃の凝固液に20分間浸漬後、6
0分間純水中で水洗いし、熱可塑性ポリウレタン樹脂を
湿式凝固させ、ポーラス状にフェルト基材を形成した
後、DMFを完全に純水と置換し、さらに120℃熱風で
乾燥し、厚さ1.7mm、嵩密度0.23g/cm3、目付重量520g/c
m2、ウレタン対繊維の重量比0.5対1の複合基材を得
た。
After sufficiently immersing and impregnating the base material with the above-mentioned composition 1, after immersing in a coagulating liquid at 30 ° C. for 20 minutes with pure water, 6
Rinse in pure water for 0 minutes, wet-solidify the thermoplastic polyurethane resin, form a felt base material in a porous form, completely replace DMF with pure water, and further dry with hot air at 120 ° C to a thickness of 1.7 mm, a bulk density of 0.23 g / cm 3, a weight per unit area 520 g / c
A composite substrate with m 2 and a urethane to fiber weight ratio of 0.5 to 1 was obtained.

【0051】該複合基材の表裏面を60メッシュのバフロ
ールで研削し、密度の高いスキン層を除去した。このシ
ート物の圧縮率は10%であった。
The front and back surfaces of the composite substrate were ground with a 60-mesh baffle to remove a high-density skin layer. The compression ratio of this sheet was 10%.

【0052】さらに該シート物を上記配合物2の含浸液
に含浸後、120℃熱風で20分間乾燥して溶剤を除去し、
該配合物2の熱硬化性ポリウレタンを上記シート物中の
ポリウレタン多孔質相のセル壁を被覆しながら硬化させ
ることにより、研磨用パッドを得た。
Further, after impregnating the sheet material with the impregnating solution of the above-mentioned formulation 2, the sheet material was dried with hot air at 120 ° C for 20 minutes to remove the solvent.
The polishing pad was obtained by curing the thermosetting polyurethane of Formulation 2 while covering the cell walls of the polyurethane porous phase in the sheet material.

【0053】この研磨用パッドの表裏面をさらにバフ処
理して、平坦な作用面を有する図2および3に示すよう
な研磨用パッド1を得た。この研磨用パッド1の表面に
50mmピッチで幅2mm、深さ3mmのV字溝5を網目状に形
成した。
The front and back surfaces of the polishing pad were further buffed to obtain a polishing pad 1 having a flat working surface as shown in FIGS. On the surface of this polishing pad 1
A V-shaped groove 5 having a width of 2 mm and a depth of 3 mm was formed in a mesh at a pitch of 50 mm.

【0054】この研磨用パッドは、厚さ1.30mm、嵩密度
0.38g/cm3、圧縮率3.0%であった。
This polishing pad has a thickness of 1.30 mm and a bulk density of 1.30 mm.
The compression ratio was 0.38 g / cm 3 and the compression ratio was 3.0%.

【0055】本研磨用パッドを用いて研磨したウェーハ
の加工精度はTTV:0.4ミクロン、LTV:0.2ミクロ
ンで、研磨用パッドのライフは2125時間であった。
The processing accuracy of the wafer polished using the polishing pad was TTV: 0.4 μm, LTV: 0.2 μm, and the life of the polishing pad was 2125 hours.

【0056】(実施例3)10.0デニール、繊維長60
mmのポリエステル繊維で構成された厚さ2.2mm、嵩密度
0.11g/cm3、目付重量300g/cm2のニードルパンチ不織布
を基材として用いた。
(Example 3) 10.0 denier, fiber length 60
2.2mm thick, bulk density made of mm polyester fiber
A needle-punched nonwoven fabric having a weight of 0.11 g / cm 3 and a basis weight of 300 g / cm 2 was used as a substrate.

【0057】上記配合物1で基材を十分浸漬含浸した
後、純水で且つ温度30℃の凝固液に20分間浸漬後、60分
間純水中で水洗いし、熱可塑性ポリウレタン樹脂を湿式
凝固させ、ポーラス状にフェルト基材を形成した後、D
MFを完全に純水と置換し、さらに120℃熱風で乾燥
し、厚さ1.6mm、嵩密度0.23g/cm3、目付重量520g/cm2
ウレタン対繊維の重量比0.5対1の複合基材を得た。
After sufficiently immersing and impregnating the base material with the above Formulation 1, immersing in a coagulating liquid at 30 ° C. for 20 minutes with pure water, washing with pure water for 60 minutes to wet coagulate the thermoplastic polyurethane resin. After forming the felt base material in a porous shape, D
The MF was completely replaced with pure water, further dried with hot air at 120 ° C., thickness 1.6 mm, bulk density 0.23 g / cm 3 , basis weight 520 g / cm 2 ,
A composite substrate having a urethane to fiber weight ratio of 0.5 to 1 was obtained.

【0058】該複合基材の表面(作用面)をせん断角度
26度のステンレス鋼刃で上すくい角度6度、削り速度1.
5m/分で切れ込み深さ30ミクロン研削した。一方、裏
面を60メッシュのバフロールで研削した。これらにより
密度の高いスキン層を除去した。このシート物の圧縮率
は10%であった。
The surface (working surface) of the composite substrate is defined by a shear angle.
26 ° stainless steel blade, 6 ° rake angle, 1.
Grinding was performed at a cutting depth of 30 microns at 5 m / min. On the other hand, the back surface was ground with a 60-mesh baffle. These removed the dense skin layer. The compression ratio of this sheet was 10%.

【0059】さらに該シート物を上記配合物2の含浸液
に含浸後、120℃熱風で20分間乾燥、溶剤を乾燥除去
し、該配合物2の熱硬化性ポリウレタンを上記複合基材
中のポリウレタン多孔質相のセル壁を被覆しながら硬化
させることにより、研磨用パッドを得た。
Further, after impregnating the sheet material with the impregnating solution of the above-mentioned composition 2, drying with hot air at 120 ° C. for 20 minutes, and removing the solvent by drying, the thermosetting polyurethane of the above-mentioned composition 2 was mixed with the polyurethane in the composite base material. By curing while covering the cell walls of the porous phase, a polishing pad was obtained.

【0060】この研磨用パッドの裏面をさらにバフ処理
して平坦な作用面を有する図1に示すような研磨用パッ
ド1を得た。図中、2は研磨用パッド1の作用面、3は
フェルト状繊維質シート、4はエラストマである。この
研磨用パッドは、厚さ1.27mm、嵩密度0.39g/cm3、圧縮
率2.8%であった。
The back surface of the polishing pad was further buffed to obtain a polishing pad 1 having a flat working surface as shown in FIG. In the figure, reference numeral 2 denotes a working surface of the polishing pad 1, 3 denotes a felt-like fibrous sheet, and 4 denotes an elastomer. This polishing pad had a thickness of 1.27 mm, a bulk density of 0.39 g / cm 3 , and a compressibility of 2.8%.

【0061】本研磨用パッドを用いて研磨したウェーハ
の加工精度はTTV:0.5ミクロン、LTV:0.3ミクロ
ンで、研磨用パッドのライフは2016時間であった。
The processing accuracy of the wafer polished using the polishing pad was TTV: 0.5 μm, LTV: 0.3 μm, and the life of the polishing pad was 2016 hours.

【0062】(比較例)3.0デニール、繊維長50mmのポ
リエステル繊維で構成される厚さ2.5mm、嵩密度0.175g/
cm3、目付重量360g/cm2のニードルパンチ不織布を基材
として用いた。
(Comparative Example) 3.0 denier, polyester fiber having a fiber length of 50 mm, a thickness of 2.5 mm, and a bulk density of 0.175 g /
A needle-punched nonwoven fabric having a cm 3 and a basis weight of 360 g / cm 2 was used as a substrate.

【0063】上記配合物1で基材を十分浸漬含浸した
後、純水で且つ温度30℃の凝固液に20分間浸漬後、60分
間純水中で水洗いし、ポリウレタン樹脂を湿式凝固さ
せ、ポーラス状にフェルト基材を形成した後、DMFを
完全に純水と置換し、さらに120℃熱風で乾燥し、厚
さ1.8mm、嵩密度0.3g/cm3、目付重量620g/cm2、ウ
レタン対繊維の重量比0.9対1の複合基材を得た。
After sufficiently immersing and impregnating the base material with the above-mentioned formulation 1, immersion in a coagulating solution of pure water at a temperature of 30 ° C. for 20 minutes, washing with pure water for 60 minutes, wet coagulation of the polyurethane resin, After the felt base material is formed, the DMF is completely replaced with pure water, and further dried with hot air at 120 ° C., thickness 1.8 mm, bulk density 0.3 g / cm 3 , basis weight 620 g / cm 2 , urethane A composite substrate having a weight ratio of fiber to fiber of 0.9 to 1 was obtained.

【0064】該複合基材の表裏面を60メッシュのバフロ
ールで研削し、密度の高いスキン層を除去した。このシ
ート物の圧縮率は12%であった。
The front and back surfaces of the composite substrate were ground with a 60-mesh baffle to remove a high-density skin layer. The compression ratio of this sheet was 12%.

【0065】さらに該シート物を上記配合物2に含浸
後、120℃熱風で20分間乾燥、溶剤を乾燥除去し、該配
合物2の熱硬化性ポリウレタンを上記シート物中のポリ
ウレタン多孔質相のセル壁を被覆しながら硬化させるこ
とにより、高硬度複合基材を得た。
Further, after impregnating the above-mentioned sheet material into the above-mentioned composition 2, it was dried with hot air at 120 ° C. for 20 minutes, and the solvent was removed by drying. By curing while covering the cell wall, a high hardness composite substrate was obtained.

【0066】この複合基材の表裏面をさらにバフ処理し
て得られた平坦な研磨用パッドは、厚さ1.27mm、嵩密度
0.45g/cm3、圧縮率は4.2%であった。
A flat polishing pad obtained by further buffing the front and back surfaces of the composite base material has a thickness of 1.27 mm and a bulk density of
The compression ratio was 0.45 g / cm 3 and the compression ratio was 4.2%.

【0067】本研磨用パッドを用いて研磨したウェーハ
の加工精度はTTV:1.0ミクロン、LTV:0.8ミクロ
ンで、また研磨パッドのライフは1300時間であった。目
標の加工精度は達成できなかった。
The processing accuracy of the wafer polished using the polishing pad was 1.0 μm for TTV and 0.8 μm for LTV, and the life of the polishing pad was 1300 hours. The target machining accuracy could not be achieved.

【0068】以上の結果から、本実施例の研磨用パッド
は、4MDRAM、あるいは将来の64Mや256MD
RAM用ウェーハ製造に適した物性を保有し、LTV値
が0.3μ以下で、PUA値95%以上の高平坦性ウェーハ
の供給が可能となり、かつ研磨屑等による目詰まりのた
めに研磨能力が短期に低下する欠点がないことで寿命を
長くできる研磨用パッドを提供することができた。
From the above results, it is clear that the polishing pad of this embodiment is a 4MDRAM, or a 64M or 256MD in the future.
Possesses physical properties suitable for manufacturing wafers for RAM, enables supply of highly flat wafers with LTV value of 0.3μ or less and PUA value of 95% or more, and short-term polishing ability due to clogging by polishing debris etc. Thus, there was provided a polishing pad that could have a longer life because it had no drawbacks.

【0069】[0069]

【発明の効果】本発明の研磨用パッドは、ポリウレタン
を主体とする微孔質エラストマを担持させたフェルト状
繊維質シートの構成繊維が6.0〜20.0デニール、
繊維長30〜100mmで目付重量150〜600g/cm2であり、剛性
が高いため、フェルト状繊維質シートを所定圧縮率に達
成するための微孔質エラストマ担持量を少なくできるこ
とにより、研磨屑による目詰まりが発生しにくくなり研
磨用クロスの使用可能時間が延び、さらにウェーハ表面
の高平坦性を達成することができる。
According to the polishing pad of the present invention, the felt-like fibrous sheet carrying a microporous elastomer mainly composed of polyurethane has 6.0 to 20.0 denier constituent fibers.
A basis weight of 150~600g / cm 2 in fiber length 30 to 100 mm, since the rigidity is high, the ability to reduce the microporous elastomer supported amount to achieve the felt-like fibrous sheet in a predetermined compression rate, by the polishing debris Clogging is less likely to occur, the usable time of the polishing cloth is extended, and high flatness of the wafer surface can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の研磨用パッドの一実施例の断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of a polishing pad of the present invention.

【図2】本発明の研磨用パッドの他の実施例の平面図で
ある。
FIG. 2 is a plan view of another embodiment of the polishing pad of the present invention.

【図3】図2で示した研磨用パッドの要部拡大断面図で
ある。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of the polishing pad shown in FIG. 2;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 研磨用パッド 2 研磨用パッドの作用面 3 フェルト状繊維質シート 4 エラストマ 5 溝 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing pad 2 Working surface of polishing pad 3 Felt-like fibrous sheet 4 Elastomer 5 Groove

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ポリウレタンを主体とする微孔質エラス
トマが担持されたフェルト状繊維質シートからなる研磨
用パッドであって、 該フェルト状繊維質シートを構成する繊維が、6.0〜
20.0デニール、繊維長30〜100mmで、該フェルト状
繊維質シートの目付重量が150〜600g/cm2であることを
特徴とする研磨用パッド。
1. A polishing pad comprising a felt-like fibrous sheet carrying a microporous elastomer mainly composed of polyurethane, wherein the fibers constituting the felt-like fibrous sheet are 6.0 to 6.0.
A polishing pad characterized by having a denier of 20.0, a fiber length of 30 to 100 mm, and a basis weight of the felt-like fibrous sheet of 150 to 600 g / cm 2 .
【請求項2】 フェルト状繊維質シートにポリウレタン
を主体とする樹脂溶液を含浸させ、次いで湿式凝固およ
び乾燥させて得られる研磨用パッドであって、 該フェルト状繊維質シートを構成する繊維が、6.0〜
20.0デニール、繊維長30〜100mmで、該フェルト状
繊維質シートの目付重量が150〜600g/cm2であることを
特徴とする研磨用パッド。
2. A polishing pad obtained by impregnating a resin solution mainly composed of polyurethane into a felt-like fibrous sheet, and then wet-solidifying and drying the fiber-like sheet, wherein the fibers constituting the felt-like fibrous sheet are: 6.0-
A polishing pad characterized by having a denier of 20.0, a fiber length of 30 to 100 mm, and a basis weight of the felt-like fibrous sheet of 150 to 600 g / cm 2 .
【請求項3】 前記研磨用パッドの研磨面の最大高さと
最小高さの差が20μm以内で、かつ10点平均高さR
aが12μm以内であることを特徴とする請求項1又は
2に記載の研磨用パッド。
3. The difference between the maximum height and the minimum height of the polishing surface of the polishing pad is within 20 μm, and a 10-point average height R
3. The polishing pad according to claim 1, wherein a is within 12 μm.
【請求項4】 前記研磨用パッドの研磨面に複数の溝が
形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の研磨用
パッド。
4. The polishing pad according to claim 1, wherein a plurality of grooves are formed on a polishing surface of the polishing pad.
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