JPH1012826A - Semiconductor device and its testing method - Google Patents

Semiconductor device and its testing method

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JPH1012826A
JPH1012826A JP8167766A JP16776696A JPH1012826A JP H1012826 A JPH1012826 A JP H1012826A JP 8167766 A JP8167766 A JP 8167766A JP 16776696 A JP16776696 A JP 16776696A JP H1012826 A JPH1012826 A JP H1012826A
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chips
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten test period by, when a chip on a semiconductor wafer is tested, grouping a plurality of chips without moving a probe of a test device. SOLUTION: A test-dedicated circuit formed on a semiconductor wafer 1 and a chip selection circuit 5a are provided, and these components and a sample chip 2 are connected together with a wiring 3 of a bus configuration. The probe is required only to be connected to the test-dedicated circuit, and the arbitrary chip 2 and arbitrary grouping are allowed owing to selection pattern to the chip selection circuit 5a, so test period is shortened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
そのテスト方法に係わり、特に半導体ウエハー上に形成
された複数のチップの電気的特性を測定するときに、複
数のチップの中からテスト対象のチップを選択する選択
方法を改善した半導体装置およびそのテスト方法に関す
る。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor device and a test method therefor, and more particularly to a method for measuring electrical characteristics of a plurality of chips formed on a semiconductor wafer. The present invention relates to a semiconductor device with an improved method of selecting a chip and a test method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の従来のテスト手段の一例が特開
平2−16564863号公報に記載されている。同公
報記載の集積回路装置のウェハ状態を平面図で示した図
8(a)および図8(a)の太実線枠B部分を拡大した
部分平面図を示した図8(b)を参照すると、半導体ウ
エハー1上に形成されたの8個のチップ2に対して1つ
のテスト専用チップ10を有し、このテスト専用チップ
10は、チップ選択回路用集積回路素子9とこの集積回
路素子9に対して所定の制御信号を入出力させるための
パッド(以下、制御信号用パッドと称す)8が配線を介
して接続されている。
2. Description of the Related Art An example of this type of conventional test means is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 2-16564863. Referring to FIG. 8A which shows a plan view of a wafer state of the integrated circuit device described in the publication, and FIG. 8B which shows a partial plan view in which a thick solid line frame B portion of FIG. 8A is enlarged. Has one dedicated test chip 10 for each of the eight chips 2 formed on the semiconductor wafer 1. The dedicated test chip 10 includes an integrated circuit element 9 for a chip selection circuit and an integrated circuit element 9. A pad (hereinafter, referred to as a control signal pad) 8 for inputting / outputting a predetermined control signal is connected via a wiring.

【0003】テスト専用チップ10は、被測定チップ2
と等しいパッド配置で配置されたパッド(以下、測定パ
ッドと称す)も有しており、これらの測定パッド7とチ
ップ選択回路用集積回路素子9とはそれぞれ個別配線に
より共通接続されている。さらに、このチップ選択回路
用集積回路素子9とそれぞれの被測定チップ2のパッド
7aとが同様に個別配線によりそれぞれ共通接続されて
いる。
The dedicated test chip 10 is a chip 2 to be measured.
(Hereinafter, referred to as measurement pads), and these measurement pads 7 and the integrated circuit element 9 for chip selection circuit are commonly connected by individual wiring. Further, the integrated circuit element 9 for the chip selection circuit and the pad 7a of each chip 2 to be measured are similarly commonly connected by individual wiring.

【0004】次に動作について説明する。Next, the operation will be described.

【0005】まず、テスト専用チップ10の制御信号用
パッド8と測定パッド7に、外部にセットされた試験装
置に備えられる電気的特性測定用の探針を接触させる。
次に、チップ選択回路用集積回路素子9に試験装置から
制御信号を与えて、被測定チップ2を選択する。選択さ
れた被測定チップ2にテスト専用チップ10を介して電
気的特性試験用の信号を供給する。次いで、チップ選択
回路用集積回路素子9は選択した被測定チップ2から供
給される出力信号を試験装置に送出し、試験装置はその
チップの良・不良を判定する。
First, a control signal pad 8 and a measurement pad 7 of a test-dedicated chip 10 are brought into contact with a probe for measuring electrical characteristics provided in a test apparatus set outside.
Next, a control signal is supplied from the test device to the chip selection circuit integrated circuit element 9 to select the chip 2 to be measured. A signal for an electrical characteristic test is supplied to the selected chip under test 2 via the test dedicated chip 10. Next, the chip selection circuit integrated circuit element 9 sends an output signal supplied from the selected chip under test 2 to the test device, and the test device determines whether the chip is good or defective.

【0006】被測定チップ2のテスト終了後、チップ選
択回路用集積回路素子9に別の制御信号を入力し、次の
被測定チップを選択する。選択された被測定チップ2に
電気的特性試験用の信号を与え、その良・不良を判定す
る。
After the test of the chip under test 2 is completed, another control signal is input to the integrated circuit element 9 for the chip selection circuit to select the next chip under test. A signal for an electrical characteristic test is given to the selected chip under test 2 to determine whether it is good or bad.

【0007】上述した様に、チップ選択回路用集積回路
素子9に順次制御信号を入力することにより、被測定チ
ップを順次選択して電気的特性試験を行い、良・不良を
判定する。
As described above, by sequentially inputting a control signal to the integrated circuit element 9 for a chip selection circuit, chips to be measured are sequentially selected and an electrical characteristic test is performed to determine good / bad.

【0008】8個の被測定チップ2のテストが終了する
と、次のテスト専用チップ10の制御信号用パッド8と
測定パッド7に試験装置の電気的特性試験用の探針を接
触させる。そして、前記同様に8個の被測定チップ2に
対して順次チップを選択しテストを繰り返す。
When the test of the eight test chips 2 is completed, the control signal pad 8 and the measurement pad 7 of the next test chip 10 are brought into contact with the probe for the electrical characteristic test of the test apparatus. Then, in the same manner as described above, chips are sequentially selected for the eight chips to be measured 2 and the test is repeated.

【0009】上述した構成からなる集積回路装置に対し
てグルーピングテストを行う場合は、最大8個のチップ
までのグルーピングとなる。
When a grouping test is performed on the integrated circuit device having the above-described configuration, the grouping is performed for a maximum of eight chips.

【0010】従来のこの種の半導体ウェハのセスト手段
が特開平4−367243号公報に記載されている。同
公報記載の半導体ウェハ全体の平面図を示した図9を参
照すると、この従来のテスト手段は、半導体ウエハ1の
被測定チップ2の他に、被測定チップ2を切り換えるた
めのマルチプレクサ11と、被測定チップ2に信号を送
るための測定パッド7とマルチプレクサ11を切り換え
るための制御信号用パッド8と有している。さらに、被
測定チップ2およびマルチプレクサ11の間は、各々の
被測定チップ2に個別配線にて接続されている。
Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 4-366243 discloses a conventional semiconductor wafer setting means of this kind. Referring to FIG. 9 which shows a plan view of the entire semiconductor wafer described in the publication, the conventional test means includes a multiplexer 11 for switching the chip 2 to be measured, in addition to the chip 2 to be measured on the semiconductor wafer 1, It has a measurement pad 7 for sending a signal to the chip under test 2 and a control signal pad 8 for switching the multiplexer 11. Further, the chip under test 2 and the multiplexer 11 are connected to each chip 2 under test by individual wiring.

【0011】次にこの半導体ウェハのテスト動作につい
て説明する。
Next, the test operation of the semiconductor wafer will be described.

【0012】まず、被測定チップ2に信号を送るための
測定パッド7とマルチプレクサ11を切り換えるための
制御信号用パッド8に探針を接触させる。制御信号用パ
ッド8に試験装置からの制御信号が送出され、その信号
に応答してマルチプレクサ11は被測定チップ2を選択
する。
First, a probe is brought into contact with a measurement pad 7 for sending a signal to the chip 2 to be measured and a control signal pad 8 for switching the multiplexer 11. A control signal from the test apparatus is sent to the control signal pad 8, and the multiplexer 11 selects the chip under test 2 in response to the signal.

【0013】次に、試験装置から測定パッド7にテスト
信号が送られ、マルチプレクサ11を介してチップに供
給されて被測定チップ2がテストされる。
Next, a test signal is sent from the test apparatus to the measurement pad 7 and supplied to the chip via the multiplexer 11 to test the chip 2 to be measured.

【0014】被測定チップのテストが終了すると、試験
装置から制御信号用パッド8に切り換え信号が送られ、
次の被測定チップを選択しこれをテストし、以下同様
に、別の被測定チップのテストを繰り返す。
When the test of the chip under test is completed, a switching signal is sent from the test equipment to the control signal pad 8,
The next chip to be measured is selected and tested, and the test of another chip to be measured is repeated in the same manner.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の半導体装置のテスト手段のうち、図8に示した例で
は、被測定チップおよびテスト専用チップのそれぞれ対
応するパッド間を接続する配線は、被測定チップ毎に別
々に必要となるためテスト用の配線が膨大な本数とな
り、また8個のチップに対してテスト専用チップが1個
必要となるため、1枚の半導体ウエハには複数個のテス
ト専用チップが必要となり、したがって1枚の半導体ウ
エハから採取できるチップの数がその分少なくなり、チ
ップのコストが高くなるという問題があった。
As described above, among the test means of the conventional semiconductor device, in the example shown in FIG. 8, the wiring connecting the corresponding pads of the chip under test and the dedicated chip for test is not provided. In addition, a large number of test wirings are required for each chip to be measured, and one dedicated test chip is required for every eight chips. However, there is a problem that the number of chips that can be collected from one semiconductor wafer is reduced correspondingly and the cost of the chips is increased.

【0016】また、グルーピングテストの場合でも最大
8個のチップしかまとめることが出来ないため、次のグ
ループへの探針の移動が必要となり、任意のチップ・任
意のグループでのテストを行いたい場合、テスト時間の
短縮効果が少なくなるという問題があった。
Also, even in the case of a grouping test, since only a maximum of eight chips can be combined, it is necessary to move the probe to the next group, and a test with an arbitrary chip and an arbitrary group is desired. However, there is a problem that the effect of reducing the test time is reduced.

【0017】図9に示した従来例の場合も同様に、テス
ト用の配線が膨大な本数となり、チップのコストが高く
なるという問題があった。また、全測定チップに配線す
るためにはマルチプレクサがX軸方向に横長にする必要
がある。したがって、マルチプレクサによって採取出来
るチップの数がより少なくなるという問題があった。
Similarly, in the case of the conventional example shown in FIG. 9, there is a problem that the number of test wirings becomes enormous and the cost of the chip increases. Further, in order to wire all the measurement chips, the multiplexer needs to be horizontally long in the X-axis direction. Therefore, there is a problem that the number of chips that can be collected by the multiplexer is reduced.

【0018】さらに、マルチプレクサの他に別の回路を
設けてグルーピングテストを行っても、回路の複雑さに
より、任意のグループ・任意の測定チップを選ぶパター
ンも複雑になるという問題があった。
Furthermore, even if a grouping test is performed by providing another circuit in addition to the multiplexer, there is a problem that a pattern for selecting an arbitrary group and an arbitrary measurement chip becomes complicated due to the complexity of the circuit.

【0019】本発明の目的は、上述した欠点に鑑みなさ
れたものであり、半導体ウエハ上に形成されたチップを
テストする場合に、試験装置に備えられた測定用の探針
を1枚のウエハ測定中は一度設定すると移動することな
く、また同一チップ内の複数のチップをグルーピングす
ることによって、テスト時間の短縮を図ることが出来る
半導体装置およびそのテスト方法を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks. When testing chips formed on a semiconductor wafer, a probe for measurement provided in a test apparatus is mounted on one wafer. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device and a test method thereof, in which a test time can be reduced by setting a plurality of chips in the same chip without moving once set during measurement and by grouping a plurality of chips in the same chip.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の特
徴は、半導体ウエハー上に被測定チップ群とこれらのチ
ップを選択する機能をもつ1つのテスト専用チップとが
それぞれ形成され、これら複数のチップと前記テスト専
用チップとの入出力パッドは互に等しいパッド配置状態
で配置され、双方の対応するパッドがそれぞれ個別配線
で共通接続されるとともに、前記テスト専用チップは前
記被測定チップ群を個別に選択する第1のチップ選択手
段を有し、テスト時には前記テスト専用チップの前記パ
ッドに測定用探針を接触させて前記チップ選択手段で選
択された前記被測定チップを順次測定するテスト手段を
備えた半導体装置において、前記被測定チップおよび前
記テスト専用チップの対応するパッド間を、前記個別配
線に代えて、バス構成の共通配線で接続することにあ
る。
The semiconductor device according to the present invention is characterized in that a group of chips to be measured and one test chip having a function of selecting these chips are formed on a semiconductor wafer. The input / output pads of the chip and the dedicated test chip are arranged in the same pad arrangement state, and both corresponding pads are commonly connected by individual wiring, and the dedicated test chip separates the chip group to be measured. A test means for sequentially measuring the chip to be measured selected by the chip selecting means by bringing a measuring probe into contact with the pad of the test dedicated chip during a test. In the semiconductor device provided, a bus between the corresponding pads of the chip under test and the dedicated chip for test is replaced with the individual wiring. It is to connect the common wiring formed.

【0021】また、前記テスト手段は、前記テスト専用
チップを1個と、前記第1のチップ選択手段に代えて第
2のスイッチ選択手段とを備え、前記被測定チップの各
パッドとそれぞれ対応する前記バスを接続するスイッチ
群とこれらのスイッチ群をオンオフ制御する少なくとも
1つの前記第2のチップ選択手段とが前記被測定チップ
の周囲に前記チップを囲むように配置され、前記被測定
チップごとに配置された前記第2のチップ選択手段を、
外部の試験装置から前記テスト専用チップを介して制御
することによって任意の前記被測定チップを選択して前
記テスト専用チップのパッド群に接続するように構成さ
れる。
Further, the test means includes one test-dedicated chip and second switch selection means in place of the first chip selection means, and corresponds to each pad of the chip to be measured. A switch group for connecting the bus and at least one second chip selection unit for controlling on / off of these switch groups are arranged around the chip to be measured so as to surround the chip, and for each of the chips to be measured. The second chip selecting means disposed,
By controlling from an external test apparatus via the dedicated test chip, any desired chip under test is selected and connected to a pad group of the dedicated test chip.

【0022】さらに、前記第2のチップ選択手段と前記
スイッチ群とを接続する制御線は直列接続で配線され
る。
Further, a control line connecting the second chip selecting means and the switch group is wired in series.

【0023】さらにまた、前記第2のチップ選択手段と
前記スイッチ群とが前記被測定チップ内の周辺領域に前
記パッド群を囲むように配置される。
Further, the second chip selecting means and the switch group are arranged in a peripheral region in the chip to be measured so as to surround the pad group.

【0024】また、前記第2のチップ選択手段を2組並
列接続で配置する。
Further, two sets of the second chip selecting means are arranged in parallel connection.

【0025】さらに、前記第2のチップ選択手段が、前
記試験装置または前段の前記第2の選択手段から与えら
れる制御信号の入力端子とリセット信号入力端子と前記
被測定チップを1つ選択するセレクト信号入力端子と前
記被測定チップを2つ選択するセレクト信号入力端子と
前記被測定チップの入力端子のみに対応する前記スイッ
チのみを制御する信号出力端子と前記被測定チップの出
力端子のみに対応する前記スイッチのみを制御する信号
出力端子と次段の選択手段への制御信号出力端子とをそ
れぞれ備える。
Further, the second chip selecting means selects one of the chip to be measured and an input terminal of a control signal provided from the test apparatus or the second selecting means at the preceding stage, a reset signal input terminal, and one of the chips to be measured. Only a signal input terminal, a select signal input terminal for selecting two of the chips under test, a signal output terminal for controlling only the switch corresponding to only the input terminal of the chip under test, and an output terminal of the chip under test It has a signal output terminal for controlling only the switch and a control signal output terminal for the next stage selection means.

【0026】本発明の半導体装置のテスト方法の特徴
は、半導体ウエハ上に被測定チップ群とこれらのチップ
を選択する機能をもつ複数のテスト専用チップとがそれ
ぞれ形成され、これら複数のチップと前記テスト専用チ
ップとの入出力パッドは互に等しいパッド配置で配置さ
れ、双方の対応するパッドがそれぞれ個別配線で共通接
続されるとともに、前記テスト専用チップは前記被測定
チップ群を個別に選択する第1のチップ選択手段を用い
て、テスト時には前記テスト専用チップの前記パッドに
測定用探針を接触させて前記チップ選択手段で選択され
た前記被測定チップを順次測定する半導体装置のテスト
方法において、前記テスト専用チップは1個のみ用い、
さらに前記被測定チップおよび前記テスト専用チップの
パッド間が、前記個別配線および前記第1のチップ選択
手段に代えて、バス構成の共通配線および前記被測定チ
ップ群を個別または複数個同時に選択する第2のチップ
選択手段が用いられ、前記被測定チップの周囲に配置さ
れかつ前記被測定チップの各パッドとそれぞれ対応する
前記バスとを接続するスイッチ群を、前記テスト専用チ
ップおよび少なくとも1つの前記第2のチップ選択制御
手段を介して外部の試験装置から制御することによっ
て、任意の前記被測定チップを選択して前記テスト専用
チップのパッド群に電気的に順次接続し、これらの接続
された前記テスト専用チップのパッド群に前記測定探針
を接触させ、かつこの接触状態を1枚の前記半導体ウェ
ハの測定終了まで維持して前記被測定チップを順次測定
することにある。
The test method of the semiconductor device according to the present invention is characterized in that a group of chips to be measured and a plurality of test-dedicated chips each having a function of selecting these chips are formed on a semiconductor wafer. The input / output pads to / from the dedicated test chip are arranged in the same pad arrangement, both corresponding pads are commonly connected by individual wiring, and the dedicated test chip individually selects the chip group to be measured. In a test method for a semiconductor device, a test probe is brought into contact with the pad of the test-only chip at the time of testing by using the first chip selecting means, and the chip under test selected by the chip selecting means is sequentially measured. Use only one test chip,
Further, between the pads of the chip under test and the dedicated chip for test, a common wiring having a bus configuration and the group of chips under test are individually or simultaneously selected in place of the individual wiring and the first chip selecting means. And a switch group that is arranged around the chip under test and connects each pad of the chip under test with the corresponding bus. By controlling from an external test device via the chip selection control means 2 of the above, any of the chips to be measured are selected and electrically connected to the pads of the test-dedicated chip in order, and these connected chips are connected. The measurement probe is brought into contact with a pad group of a dedicated test chip, and this contact state is maintained until measurement of one semiconductor wafer is completed. It is to sequentially measure the measured chip and.

【0027】また、前記第2のチップ選択手段が前記試
験装置から供給されるクロック信号の少なくとも1クロ
ック期間はハイレベルを持続する前記制御信号が供給さ
れ、前記クロック信号に同期化された前記制御信号がア
クティブとなる期間に対応して前記スイッチを制御し、
前記制御信号を複数クロック期間アクティブにして前記
複数個の前記スイッチを1つのグループとして選択し、
これら選択されたグループ内チップの全てを同時に測定
する。
Further, the control signal, which is maintained at a high level for at least one clock period of a clock signal supplied from the test apparatus by the second chip selecting means, is supplied, and the control signal synchronized with the clock signal is supplied. Controlling the switch corresponding to a period during which the signal is active;
Activating the control signal for a plurality of clock periods to select the plurality of switches as one group;
All of the chips in the selected group are measured simultaneously.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明の半導体装置は、半導体ウ
エハ上に形成されたチップの電気的特性を測定するため
の試験装置の探針が、テスト専用回路4の測定パッド7
および制御信号用パッド8に接触され、試験装置から測
定チップ選択用のパターンがチップ選択回路5aに送ら
れる。この時、試験装置からのパターンによりチップ選
択回路5aを通して、各チップのパッド7aへの信号を
通すスイッチ6がオン,オフし、被測定チップのテスト
が可能となるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a semiconductor device according to the present invention, a probe of a test apparatus for measuring electrical characteristics of a chip formed on a semiconductor wafer is used as a measuring pad 7 of a dedicated test circuit 4.
Then, the pattern is brought into contact with the control signal pad 8 and a pattern for selecting a measurement chip is sent from the test apparatus to the chip selection circuit 5a. At this time, the switch 6 that passes a signal to the pad 7a of each chip is turned on and off through the chip selection circuit 5a according to a pattern from the test apparatus, and the chip to be measured can be tested.

【0029】本発明の実施の形態について図面を参照し
ながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0030】図1は、本発明の一実施の形態である半導
体ウエハ上に形成したチップおよびチップ選択手段の間
を接続する配線群を示す平面図であり、図2は図1の点
線枠部Aを拡大した平面図である。図3(a)はチップ
選択回路5aのブロック図であり、図3(b)は各チッ
プのテスト方法を説明するためのタイミングチャートで
ある。
FIG. 1 is a plan view showing a wiring group for connecting between a chip formed on a semiconductor wafer and chip selecting means according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a dotted frame portion of FIG. It is the top view which expanded A. FIG. 3A is a block diagram of the chip selection circuit 5a, and FIG. 3B is a timing chart for explaining a test method of each chip.

【0031】図1を参照すると、半導体ウエハ1上には
複数のチップ2と、これらのチップ2をバス構成にして
共通接続した配線3と、ウエハ1上の略中央部に複数の
チップ2を制御するために形成されたテスト専用回路4
とを備えてなり、配線3は2層配線以上の多層構造で構
成されている。
Referring to FIG. 1, a plurality of chips 2 on a semiconductor wafer 1, a wiring 3 connecting these chips 2 in a bus configuration and a common connection, and a plurality of chips 2 Test dedicated circuit 4 formed for control
The wiring 3 has a multilayer structure of two or more wiring layers.

【0032】このバス構成にして共通接続した配線3
は、複数のチップ2の内部周辺部領域に配置されたパッ
ド7aと、複数のチップ2を制御するためのテスト専用
回路4の内部周辺部領域に配置された測定パッド7を接
続している。
Wiring 3 commonly connected in this bus configuration
Connects the pads 7a arranged in the internal peripheral region of the plurality of chips 2 to the measurement pads 7 arranged in the internal peripheral region of the test dedicated circuit 4 for controlling the plurality of chips 2.

【0033】配線3はバス構成であるから、半導体ウエ
ハ中央部に位置するテスト専用回路4の4辺のパッド7
群から直角方向にそれぞれ配設され、かつこれらの配線
3に接続されかつこれらの配線3に平行して配設される
配線3が、各チップ2間の配線領域上に配設されて全体
のバスが構成されている。
Since the wiring 3 has a bus structure, the pads 7 on the four sides of the dedicated test circuit 4 located at the center of the semiconductor wafer
Wirings 3 arranged at right angles from the group and connected to these wirings 3 and arranged in parallel with these wirings 3 are arranged on a wiring area between the chips 2 and A bus is configured.

【0034】図2を参照すると、複数のチップ2を選択
するためのチップ選択回路5aと、このチップ選択回路
5aの出力信号によりオンオフが制御されるスイッチ6
群とを備え、スイッチ6群は半導体チップ2を囲むよう
にその周辺部に沿って配置され、チップ選択回路5aは
例えばチップ2のコーナー部周辺に配置される。
Referring to FIG. 2, a chip selection circuit 5a for selecting a plurality of chips 2 and a switch 6 whose on / off is controlled by an output signal of the chip selection circuit 5a
The group of switches 6 is arranged along the periphery of the semiconductor chip 2 so as to surround the semiconductor chip 2, and the chip selection circuit 5 a is arranged, for example, around the corner of the chip 2.

【0035】制御信号用配線3aの一方は、試験装置か
らテスト専用回路4を介して供給されるクロック信号用
配線であり、全てのチップ選択回路5aのクロック信号
入力端子に接続されている。他方の制御信号用配線3b
は、どのチップを被測定チップとするかを選択するため
に試験装置からテスト専用回路4を介して供給されるデ
ータ用配線である。
One of the control signal lines 3a is a clock signal line supplied from the test apparatus via the test dedicated circuit 4, and is connected to the clock signal input terminals of all the chip selection circuits 5a. Wiring 3b for the other control signal
Is a data wiring supplied from the test apparatus via the dedicated test circuit 4 to select which chip is to be measured.

【0036】チップ選択回路5aの一方の出力配線3d
は、次段に接続されるチップ選択回路5aのデータ用配
線として接続される。つまり、全チップ選択回路5aは
シフトレジスタの構成となっている。
One output wiring 3d of the chip selection circuit 5a
Are connected as data lines of the chip selection circuit 5a connected to the next stage. That is, the all-chip selection circuit 5a has a shift register configuration.

【0037】チップ選択回路5aの他方の出力のスイッ
チ用配線3cは、テスト専用回路4の測定パッド7と各
チップ2のパッド7a間に接続されているスイッチ6の
制御端子に接続され、これらのスイッチ6群の入出力端
の一方は被測定チップ2のパッド7aにそれぞれ接続さ
れ、他方の入出力端子はそれぞれ対応するバスに接続さ
れている。このスイッチ6のオン,オフにより被測定チ
ップ2のテストが出来る構成となっている。
The switch wiring 3c of the other output of the chip selection circuit 5a is connected to the control terminal of the switch 6 connected between the measurement pad 7 of the test dedicated circuit 4 and the pad 7a of each chip 2. One of the input / output terminals of the switch group 6 is connected to a pad 7a of the chip under test 2, and the other input / output terminal is connected to a corresponding bus. The test of the chip under test 2 can be performed by turning on and off the switch 6.

【0038】図1、図2および図3を併せて参照する
と、図3(b)のタイミングチャートはテスト専用回路
4から送られてきたパターンにより、チップ選択回路5
aが動作して、各チップの測定が可能となることを示し
ている。
Referring to FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3 together, the timing chart of FIG.
a indicates that the measurement of each chip is enabled.

【0039】まず、半導体ウエハ1上に形成された被測
定チップ2を1チップずつ測定する場合、テスト専用回
路4から1クロック分のデータを1番目のチップ選択回
路5aに入力する。その時、チップ選択回路5aは1番
目のクロックの立ち下りのタイミングでパターンを読み
込み、次のクロックの立ち下りのタイミングで出力Q,
QBが変化し、この出力Qに制御されて1番目のチップ
のスイッチ6がオン状態となり、1番目のチップが選択
された状態となる。
First, when measuring the chips 2 to be measured formed on the semiconductor wafer 1 one chip at a time, data for one clock is input from the test dedicated circuit 4 to the first chip selection circuit 5a. At that time, the chip selection circuit 5a reads the pattern at the falling timing of the first clock, and outputs Q and Q at the falling timing of the next clock.
QB changes, and the switch Q of the first chip is turned on under the control of the output Q, so that the first chip is selected.

【0040】つまり、図3(b)のA区間が1番目のチ
ップが選択されテスト可能となった状態のパターンであ
り、このA区間の間に、1番目のチップのテストを行
う。
That is, the section A in FIG. 3B is a pattern in a state where the first chip is selected and the test is possible, and the test of the first chip is performed during the section A.

【0041】次に、チップ選択回路5aに次のクロック
を入力すると、今まで選択されていた1番目のチップの
スイッチ6はオフとなり、1番目のチップ選択回路5a
から転送された出力Q(3d)を2番目のチップ選択回
路5aは2番目のクロックの立ち下りのタイミングでパ
ターンを読み込み、次のクロックの立ち下りのタイミン
グで出力Q,QBが変化し、この出力Qに制御されて2
番目のチップのスイッチ6がオン状態となり、2番目の
チップが選択された状態となる。この時に、2番目のチ
ップのテストを行う。
Next, when the next clock is input to the chip selection circuit 5a, the switch 6 of the first chip selected so far is turned off, and the first chip selection circuit 5a is turned off.
The second chip selection circuit 5a reads the pattern at the falling timing of the second clock from the output Q (3d) transferred from the second clock, and the outputs Q and QB change at the falling timing of the next clock. 2 controlled by output Q
The switch 6 of the second chip is turned on, and the second chip is selected. At this time, a test of the second chip is performed.

【0042】この様に、1クロック分のデータを入力す
ることにより、1番目のチップから最後のチップまで順
番に選択され、このとき試験装置の探針はテスト専用回
路4のパッドに接触されたままであり、この探針を移動
させることなく、各チップのテストが出来るので、テス
ト時間の短縮も出来る。
As described above, by inputting data for one clock, selection is made in order from the first chip to the last chip. At this time, the probe of the test apparatus is kept in contact with the pad of the test circuit 4. Since each chip can be tested without moving the probe, the test time can be reduced.

【0043】また、任意のチップのみを測定する場合、
クロックを任意のチップ番号分動かせば、つまり出力Q
をその分だけシフトさせてゆけば、任意のチップのみの
測定が出来る。
When measuring only an arbitrary chip,
If the clock is moved by an arbitrary chip number, that is, the output Q
Is shifted by that amount, it is possible to measure only an arbitrary chip.

【0044】次に、2個ずつチップを測定の場合、テス
ト専用回路4から2クロック分の期間ハイレベルになっ
たデータを1番目のチップ選択回路5aに供給する。そ
の時、チップ選択回路5aは1番目のクロックの立ち下
りのタイミングでパターンを読み込み、3クロック目の
立ち下りのタイミングで出力Q,QBが変化し、2番目
のチップ選択回路5aは2クロック目の立ち下りのタイ
ミングで前段の出力Qを読み込み、4クロック目の立ち
下りのタイミングで出力Q,QBが変化する。
Next, in the case of measuring two chips at a time, data that has been high level for a period of two clocks from the test dedicated circuit 4 is supplied to the first chip selection circuit 5a. At that time, the chip selection circuit 5a reads the pattern at the falling timing of the first clock, the outputs Q and QB change at the falling timing of the third clock, and the second chip selection circuit 5a reads the second clock. The output Q of the preceding stage is read at the fall timing, and the outputs Q and QB change at the fall timing of the fourth clock.

【0045】この出力Qに制御されて1番目および2番
目のチップのスイッチ6がそれぞれオン状態となり、1
番目および2番目の2個のチップが選択された状態とな
る。
Under the control of the output Q, the switches 6 of the first and second chips are turned on, and 1
The second and the second two chips are selected.

【0046】つまり、図3(b)のB区間が1番目と2
番目のチップが選択され、同時テストが可能となった状
態のパターンである。
That is, the section B in FIG.
This is a pattern in a state where the second chip is selected and simultaneous testing is possible.

【0047】同様にチップ選択回路5aにもう一度次の
2クロックを入力すると、今まで選択されていた1番目
および2番目のチップのスイッチ6はそれぞれオフとな
り、2番目のチップ選択回路5aから転送された出力Q
(3d)を3番目のチップ選択回路5aは3番目のクロ
ックの立ち下りのタイミングでパターンを読み込み、5
番目のクロックの立ち下りのタイミングで出力Q,QB
が変化し、4番目のチップ選択回路5aは3クロック目
の立ち下りのタイミングで前段の出力Qを読み込み、6
クロック目の立ち下りのタイミングで出力Q,QBが変
化する。この出力Qに制御されて3番目および4番目の
チップのスイッチ6がそれぞれオン状態となり、3番目
および4番目の2個のチップが選択された状態となる。
この時に、3番目および4番目の番目のチップのテスト
を行う。
Similarly, when the next two clocks are again input to the chip selection circuit 5a, the switches 6 of the first and second chips that have been selected are turned off, and the switches 6 are transferred from the second chip selection circuit 5a. Output Q
(3d) The third chip selection circuit 5a reads the pattern at the falling timing of the third clock, and
Output Q and QB at the falling timing of the second clock
And the fourth chip selection circuit 5a reads the output Q of the preceding stage at the falling timing of the third clock, and
The outputs Q and QB change at the falling edge of the clock. Controlled by the output Q, the switches 6 of the third and fourth chips are turned on, respectively, and the third and fourth two chips are selected.
At this time, the third and fourth chips are tested.

【0048】上述した動作により、2つのチップをグル
ーピングして同時に測定することができ、よりテスト時
間の短縮が可能となる。
With the above-described operation, two chips can be grouped and measured simultaneously, and the test time can be further reduced.

【0049】3個のチップ測定も2個のチップの測定と
同様に、テスト専用回路4から3クロック分のデータを
入力して、3クロック入力すれば、3つのチップをグル
ーピングして同時に測定することができる。
Similarly to the measurement of two chips, the measurement of three chips is performed by inputting data for three clocks from the dedicated test circuit 4 and inputting three clocks. be able to.

【0050】例えば、次の様な測定方法を行った場合、
大幅なテスト時間の短縮が可能となる。半導体ウエハー
上の全チップを最初は2グループとしテストを行う。テ
スト結果が不良となったグループのみを再度2グループ
に分けテストを行う。そのテスト結果が不良となったグ
ループのみを再度2グループに分けテストを行う。これ
らを繰り返すことにより、テスト時間の大幅な短縮が可
能となる。
For example, when the following measuring method is performed,
The test time can be greatly reduced. At first, all the chips on the semiconductor wafer are divided into two groups and the test is performed. Only the group with a bad test result is again divided into two groups and the test is performed. Only the group whose test result is bad is divided into two groups again and the test is performed. By repeating these, the test time can be significantly reduced.

【0051】次に、一実施の形態の変形例を平面図で示
した図4を参照すると、一実施の形態との相違点は、チ
ップ選択回路5aをチップ内のコーナー部に、スイッチ
6を各チップ内の周辺領域にパッド群を囲むように、そ
れぞれ配置したものである。
Next, referring to FIG. 4 which shows a modification of the embodiment in a plan view, the difference from the embodiment is that the chip selection circuit 5a is provided at the corner of the chip, and the switch 6 is provided. The pads are arranged in a peripheral region in each chip so as to surround the pad group.

【0052】それ以外の構成は一実施の形態と同様であ
り、同一の構成要素には同じ符号を付して構成の説明は
省略する。
The other configuration is the same as that of the embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals, and the description of the configuration is omitted.

【0053】このようにチップ選択回路5aとスイッチ
6を各チップ内に搭載しても、一実施の形態と同様の効
果が得られる。
As described above, even if the chip selection circuit 5a and the switch 6 are mounted in each chip, the same effect as in the embodiment can be obtained.

【0054】次に、一実施の形態の他の変形例として、
チップ選択回路5bのブロック図を示した図5(a)お
よびその真理値表を示した図5(b)を参照すると、こ
のチップ選択回路5bはチップ選択回路5aの変形例で
あり、クロック信号入力端子Cと、テスト専用回路4ま
たは前段のチップ選択回路から与えられる制御信号の入
力端子Dと、リセット信号入力端子Rと、被測定チップ
2を1つ選択するセレクト信号入力端子S1と、被測定
チップ2を2つ選択するセレクト信号入力端子S2と、
被測定チップ2の入力端子のみに対応するスイッチ6の
みを制御する信号出力端子QIと、被測定チップ2の出
力端子のみに対応するスイッチ6のみを制御する信号出
力端子QOと、次段のチップ選択回路5aへの制御信号
出力端子Qとをそれぞれ備えたことである。
Next, as another modified example of the embodiment,
Referring to FIG. 5A showing a block diagram of the chip selection circuit 5b and FIG. 5B showing a truth table thereof, the chip selection circuit 5b is a modified example of the chip selection circuit 5a and includes a clock signal. An input terminal C, an input terminal D for a control signal provided from the test dedicated circuit 4 or the chip selection circuit in the preceding stage, a reset signal input terminal R, a select signal input terminal S1 for selecting one chip under test 2, A select signal input terminal S2 for selecting two measurement chips 2;
A signal output terminal QI for controlling only the switch 6 corresponding to only the input terminal of the chip under test 2; a signal output terminal QO for controlling only the switch 6 corresponding to only the output terminal of the chip 2 to be measured; And a control signal output terminal Q to the selection circuit 5a.

【0055】このようなチップ選択回路5bの構成にす
ることより、チップ選択回路5bの初期設定や入力端子
用スイッチ,出力端子用スイッチの設定が独立して行え
るため、入力端子のみのグルーピングテストや出力端子
のみのグルーピングテストが可能になる。
With such a configuration of the chip selection circuit 5b, the initial setting of the chip selection circuit 5b and the setting of the input terminal switch and the output terminal switch can be performed independently. A grouping test of only the output terminals becomes possible.

【0056】チップ選択回路5bを、前述した一実施の
形態およびその変形例におけるチップ選択回路5aに代
えて用いた場合の動作を図1、図2、図5および図6を
参照しながら説明する。2チップの入力端子のみグルー
ピング測定を行う場合、テスト専用回路4から2クロッ
ク分のデータを1番目のチップ選択回路5bに入力す
る。
The operation when the chip selection circuit 5b is used instead of the chip selection circuit 5a in the above-described embodiment and its modification will be described with reference to FIGS. 1, 2, 5 and 6. . When grouping measurement is performed only on the input terminals of two chips, data for two clocks is input from the test dedicated circuit 4 to the first chip selection circuit 5b.

【0057】その時、チップ選択回路5bの出力Q,Q
Bは1クロック目の立ち下りのタイミングででデータD
を読み込みハイレベルを出力し、3クロック目の立ち下
りのタイミングでロウレベルへ変化し、この出力Qに応
答して1番目のチップのスイッチ6がオン状態となり1
番目のチップが選択された状態となる。
At this time, the outputs Q and Q of the chip selection circuit 5b
B is the data D at the falling timing of the first clock.
And outputs a high level, and changes to a low level at the falling timing of the third clock. In response to the output Q, the switch 6 of the first chip is turned on, and
The th chip is in the selected state.

【0058】もう一度クロックを入力すると、1番目の
チップと2番目のチップのスイッチ6がオン状態とな
り、1番目と2番目のチップが選択された状態となる。
When the clock is input again, the switches 6 of the first and second chips are turned on, and the first and second chips are selected.

【0059】この時、セレクタS1、S2にそれぞれ1
レベルと0レベルを入力すると、入力端子用のスイッチ
6のみがオン状態となる。
At this time, the selectors S1 and S2 each have 1
When the level and the 0 level are input, only the switch 6 for the input terminal is turned on.

【0060】つまり、図6のD区間が1番目と2番目の
チップの入力端子のみを選択したことになり、2チップ
の入力端子の同時テストが可能となった状態のパターン
である。
That is, the section D in FIG. 6 is a pattern in which only the input terminals of the first and second chips are selected, and the simultaneous test of the input terminals of the two chips is possible.

【0061】次に、前述した一実施の形態における図1
の点線枠部Aに対する他の変形例を平面図で示した図7
を参照すると、一実施の形態との相違点は、チップ選択
回路5aを2つ並列に接続したものである。この構成の
回路動作としては、チップ選択回路5aが1つのものと
同じであるが、チップ選択回路5aが故障した場合、任
意のチップの選択が不可能となるので、チップ選択回路
5aを2つ並列にしてチップ選択回路5aの故障による
任意のチップの選択不可能を防止したものである。
Next, in FIG.
FIG. 7 is a plan view showing another modified example of the dotted frame portion A of FIG.
Is different from the embodiment in that two chip selection circuits 5a are connected in parallel. The circuit operation of this configuration is the same as that of the single chip selection circuit 5a. However, if the chip selection circuit 5a fails, it becomes impossible to select an arbitrary chip. In parallel, it is possible to prevent an arbitrary chip from being unselectable due to a failure of the chip selection circuit 5a.

【0062】また、バス構成の配線3やテスト専用回路
4の故障をなくすために、バス構成の配線は極力太く
し、またテスト専用回路4にも余分な回路は、搭載しな
いようにする。最悪のでも、バス構成の配線やテスト専
用回路の故障を起こした場合は、テスト専用回路4およ
び各被測定チップ2は同一のパッド位置としておくこと
より、従来の方法でのテストに切り換えが可能となる。
Further, in order to eliminate the failure of the bus configuration wiring 3 and the test dedicated circuit 4, the bus configuration wiring is made as thick as possible, and no extra circuit is mounted on the test dedicated circuit 4. In the worst case, when a failure occurs in the wiring of the bus configuration or the test-dedicated circuit, the test-dedicated circuit 4 and each chip under test 2 can be switched to the test by the conventional method by setting the same pad position to the same pad position. Becomes

【0063】なお、上述した一実施の形態およびその変
形例ではパッドに接触させて信号の入出力に探針を用い
たものであるが、探針の代わりにパッドに接触させるタ
イプのプローブボード、例えば、バンプタイプのプロー
ブボードでも全て同様に適用出来る。
In the above-described embodiment and its modified example, a probe is used for inputting and outputting a signal by contacting with a pad. For example, the same applies to all bump-type probe boards.

【0064】[0064]

【発明の効果】上述した本発明の半導体装置およびその
テスト方法は、被測定チップおよびテスト専用チップの
対応するパッド間を、個別配線に代えて、バス構成の共
通配線で接続することと、スイッチ選択手段として、被
測定チップの各パッドとそれぞれ対応するバスを接続す
るスイッチ群とこれらのスイッチ群をオンオフ制御する
少なくとも1つのチップ選択手段とが被測定チップの周
囲にチップを囲むように配置され、被測定チップごとに
配置されたチップ選択手段を、外部の試験装置から制御
することによって任意の被測定チップを選択してテスト
専用チップのパッド群に接続するように構成するので、
第1の効果は、被測定チップの選択を任意に選択するこ
とができ、また任意なグルーピングでテストが可能にな
るということである。これにより、テスト時間の短縮が
出来る。
According to the semiconductor device and the test method of the present invention described above, the corresponding pads of the chip under test and the dedicated chip for test are connected by a common wiring having a bus configuration instead of the individual wiring, and As selection means, a switch group for connecting each pad of the chip to be measured and a bus corresponding thereto and at least one chip selection means for controlling on / off of these switch groups are arranged around the chip to be measured so as to surround the chip. Since the chip selecting means arranged for each chip to be measured is controlled from an external test device, an arbitrary chip to be measured is selected and connected to a pad group of a chip dedicated for testing.
The first effect is that the chip to be measured can be arbitrarily selected, and the test can be performed with an arbitrary grouping. As a result, the test time can be reduced.

【0065】その理由は、今まで1つのチップ毎に良・
不良の判定を行っていたが、グルーピングしてテストす
ることにより、そのグルーピング分テスト時間が短縮さ
れるからである。例えば、1枚の半導体ウエハー上に測
定対象チップが1000個あり、この全てのチップに対
してIDDテストを行った場合、最高1/1000時間
となる。
The reason for this is that each chip has been good.
This is because, although the failure is determined, by performing the grouping test, the test time is shortened by the grouping. For example, if there are 1000 chips to be measured on one semiconductor wafer and all the chips are subjected to the IDD test, the time will be 1/1000 hours at the maximum.

【0066】第2の効果は、テスト用配線が少なくなっ
たことである。1枚の半導体ウエハーから採取できるチ
ップの個数が増えるので、チップのコストが安く出来る
ようになる。
The second effect is that the number of test wirings is reduced. Since the number of chips that can be collected from one semiconductor wafer increases, the cost of the chips can be reduced.

【0067】その理由は、テスト用配線がバス構成とな
っているため1枚の半導体ウエハーに占めるテスト用配
線が小さくなるからである。
The reason for this is that the test wiring occupying one semiconductor wafer is reduced because the test wiring has a bus configuration.

【0068】第3の効果は、試験装置が安くできるとい
うことである。このことはチップのコストにも反映され
るようになる。
A third effect is that the test equipment can be made cheaper. This will be reflected in the cost of the chip.

【0069】その理由は、各チップのパッドに正確に接
触させるためのの高精度な試験装置が不要になるからで
ある。
The reason is that a high-precision test apparatus for accurately contacting the pads of each chip is not required.

【0070】第4の効果は、探針の寿命が延びるという
ことである。したがって、チップのコストも安くできる
ようになる。
The fourth effect is that the life of the probe is extended. Therefore, the cost of the chip can be reduced.

【0071】その理由は、各チップのパッドに被測定チ
ップ分毎回接触させていた探針が、1回の接触で済むよ
うになるからである。
The reason is that the probe, which has been in contact with the pad of each chip for each chip to be measured every time, can now be contacted only once.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態を示す半導体ウエハー全
体の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an entire semiconductor wafer showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1の点線枠部Aを拡大した平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a dotted frame portion A in FIG.

【図3】一実施の形態の動作説明用のタイミングチャー
トである。
FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the embodiment.

【図4】図1の点線枠部Aに対する変形例を示す平面図
である。
FIG. 4 is a plan view showing a modification of the dotted frame portion A in FIG.

【図5】(a)図4におけるチップ選択回路5aを変形
例したチップ選択回路5bのブロック図である。 (b)チップ選択回路5bの真理値表を示す図である。
FIG. 5A is a block diagram of a chip selection circuit 5b in which the chip selection circuit 5a in FIG. 4 is modified. FIG. 13B is a diagram illustrating a truth table of the chip selection circuit 5b.

【図6】チップ選択回路5bを用いた時の動作説明用の
タイミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart for explaining operation when the chip selection circuit 5b is used.

【図7】図1の点線枠部Aに対する他の変形例を示す平
面図である。
FIG. 7 is a plan view showing another modified example of the dotted frame portion A in FIG. 1;

【図8】(a)従来の集積回路装置を説明するための半
導体ウエハ全体の平面図である (b)図8(a)のB部を拡大した従来の集積回路装置
を示す部分平面図である。
8A is a plan view of an entire semiconductor wafer for explaining a conventional integrated circuit device. FIG. 8B is a partial plan view showing a conventional integrated circuit device in which a portion B in FIG. 8A is enlarged. is there.

【図9】従来の他の例を示す半導体ウエハー全体の平面
図である。
FIG. 9 is a plan view of an entire semiconductor wafer showing another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウエハー 2 被測定チップ 3 配線 3a チップ選択回路クロック用配線 3b チップ選択回路データ用配線 3c スイッチ用配線 3d 次段のチップ選択回路データ用配線 4 テスト専用回路 5a,5b チップ選択回路 6 スイッチ 7 測定パッド 7a パッド 8 制御信号用パッド 9 チップ選択回路用集積回路素子 10 テスト専用チップ 11 マルチプレクサ REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor wafer 2 chip under test 3 wiring 3a chip selection circuit clock wiring 3b chip selection circuit data wiring 3c switch wiring 3d next-stage chip selection circuit data wiring 4 test-dedicated circuits 5a, 5b chip selection circuit 6 switch 7 Measurement pad 7a Pad 8 Control signal pad 9 Integrated circuit element for chip selection circuit 10 Test dedicated chip 11 Multiplexer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 H01L 21/82 D 21/82 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location H01L 21/66 H01L 21/82 D 21/82

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハー上に被測定チップ群とこ
れらのチップを選択する機能をもつ1つのテスト専用チ
ップとがそれぞれ形成され、これら複数のチップと前記
テスト専用チップとの入出力パッドは互に等しいパッド
配置状態で配置され、双方の対応するパッドがそれぞれ
個別配線で共通接続されるとともに、前記テスト専用チ
ップは前記被測定チップ群を個別に選択する第1のチッ
プ選択手段を有し、テスト時には前記テスト専用チップ
の前記パッドに測定用探針を接触させて前記チップ選択
手段で選択された前記被測定チップを順次測定するテス
ト手段を備えた半導体装置において、前記被測定チップ
および前記テスト専用チップの対応するパッド間を、前
記個別配線に代えて、バス構成の共通配線で接続するこ
とを特徴とする半導体装置。
1. A group of chips to be measured and one dedicated test chip having a function of selecting these chips are formed on a semiconductor wafer, and input / output pads of the plurality of chips and the dedicated test chip are mutually connected. Are arranged in the same pad arrangement state, both corresponding pads are commonly connected by individual wiring, and the test-specific chip has first chip selecting means for individually selecting the chip group to be measured. In a semiconductor device having test means for sequentially measuring the chip to be measured selected by the chip selecting means by bringing a measurement probe into contact with the pad of the chip for test only during the test, the chip to be measured and the test The semiconductor device according to claim 1, wherein the corresponding pads of the dedicated chip are connected by a common wiring having a bus configuration instead of the individual wiring. Body device.
【請求項2】 前記テスト手段は、前記テスト専用チッ
プを1個と、前記第1のチップ選択手段に代えて第2の
チップ選択手段とを備え、前記被測定チップの各パッド
とそれぞれ対応する前記バスを接続するスイッチ群とこ
れらのスイッチ群をオンオフ制御する少なくとも1つの
前記第2のチップ選択手段とが前記被測定チップの周囲
に前記チップを囲むように配置され、前記被測定チップ
ごとに配置された前記第2のチップ選択手段を、外部の
試験装置から前記テスト専用チップを介して制御するこ
とによって任意の前記被測定チップを選択して前記テス
ト専用チップのパッド群に接続するように構成される請
求項1記載の半導体装置。
2. The test means includes one test-dedicated chip and second chip select means in place of the first chip select means, and corresponds to each pad of the chip under test. A switch group for connecting the bus and at least one second chip selection unit for controlling on / off of these switch groups are arranged around the chip to be measured so as to surround the chip, and for each of the chips to be measured. By controlling the arranged second chip selecting means from an external test apparatus via the dedicated test chip, any desired chip to be measured is selected and connected to a pad group of the dedicated test chip. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is configured.
【請求項3】 前記第2のチップ選択手段と前記スイッ
チ群とを接続する制御線は直列接続で配線される請求項
2記載の半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 2, wherein a control line connecting said second chip selection means and said switch group is wired in series.
【請求項4】 前記第2のチップ選択手段と前記スイッ
チ群とが前記被測定チップ内の周辺領域に前記パッド群
を囲むように配置される請求項2記載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 2, wherein said second chip selecting means and said switch group are arranged in a peripheral region in said chip under test so as to surround said pad group.
【請求項5】 前記第2のチップ選択手段を2組並列接
続で配置する請求項2または4記載の半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 2, wherein two sets of said second chip selection means are arranged in parallel connection.
【請求項6】 前記第2のチップ選択手段が、前記試験
装置または前段の前記第2の選択手段から与えられる制
御信号の入力端子とリセット信号入力端子と前記被測定
チップを1つ選択するセレクト信号入力端子と前記被測
定チップを2つ選択するセレクト信号入力端子と前記被
測定チップの入力端子のみに対応する前記スイッチのみ
を制御する信号出力端子と前記被測定チップの出力端子
のみに対応する前記スイッチのみを制御する信号出力端
子と次段の選択手段への制御信号出力端子とをそれぞれ
備える請求項2記載の半導体装置。
6. A select for selecting one of the chip to be measured and an input terminal of a control signal, a reset signal input terminal, and a control signal supplied from the test apparatus or the second selector of a preceding stage. Only a signal input terminal, a select signal input terminal for selecting two of the chips under test, a signal output terminal for controlling only the switch corresponding to only the input terminal of the chip under test, and an output terminal of the chip under test 3. The semiconductor device according to claim 2, further comprising: a signal output terminal for controlling only the switch; and a control signal output terminal to a next-stage selection unit.
【請求項7】 半導体ウエハ上に被測定チップ群とこれ
らのチップを選択する機能をもつ複数のテスト専用チッ
プとがそれぞれ形成され、これら複数のチップと前記テ
スト専用チップとの入出力パッドは互に等しいパッド配
置で配置され、双方の対応するパッドがそれぞれ個別配
線で共通接続されるとともに、前記テスト専用チップは
前記被測定チップ群を個別に選択する第1のチップ選択
手段を用いて、テスト時には前記テスト専用チップの前
記パッドに測定用探針を接触させて前記チップ選択手段
で選択された前記被測定チップを順次測定する半導体装
置のテスト方法において、前記テスト専用チップは1個
のみ用い、さらに前記被測定チップおよび前記テスト専
用チップのパッド間が、前記個別配線および前記第1の
チップ選択手段に代えて、バス構成の共通配線および前
記被測定チップ群を個別または複数個同時に選択する第
2のチップ選択手段が用いられ、前記被測定チップの周
囲に配置されかつ前記被測定チップの各パッドとそれぞ
れ対応する前記バスとを接続するスイッチ群を、前記テ
スト専用チップおよび少なくとも1つの前記第2のチッ
プ選択制御手段を介して外部の試験装置から制御するこ
とによって、任意の前記被測定チップを選択して前記テ
スト専用チップのパッド群に電気的に順次接続し、これ
らの接続された前記テスト専用チップのパッド群に前記
測定探針を接触させ、かつこの接触状態を1枚の前記半
導体ウェハの測定終了まで維持して前記被測定チップを
順次測定することを特徴とする半導体装置のテスト方
法。
7. A chip group to be measured and a plurality of dedicated test chips having a function of selecting these chips are formed on a semiconductor wafer, and input / output pads of the plurality of chips and the test dedicated chip are mutually connected. And the corresponding pads are connected in common by individual wiring, and the dedicated test chip performs test by using first chip selecting means for individually selecting the chip group to be measured. Sometimes, in a test method of a semiconductor device in which a measurement probe is brought into contact with the pad of the test dedicated chip to sequentially measure the chip to be measured selected by the chip selecting means, only one test dedicated chip is used, Further, the space between the pads of the chip under test and the chip dedicated for test is replaced by the individual wiring and the first chip selecting means. In addition, a common wiring having a bus configuration and second chip selecting means for individually or simultaneously selecting a plurality of the chips to be measured are used, and are arranged around the chip to be measured and each of the pads of the chip to be measured. A switch group for connecting to the corresponding bus is controlled from an external test apparatus via the test dedicated chip and at least one of the second chip selection control means, thereby selecting an arbitrary chip to be measured. Electrically connected to the test-dedicated chip pads in sequence, bringing the measurement probe into contact with the connected test-dedicated pads, and measuring this contact state with one semiconductor wafer. A test method for a semiconductor device, wherein the chips to be measured are sequentially measured while maintaining the measurement until the end.
【請求項8】 前記第2のチップ選択手段が前記試験装
置から供給されるクロック信号の少なくとも1クロック
期間はハイレベルを持続する前記制御信号が供給され、
前記クロック信号に同期化された前記制御信号がアクテ
ィブとなる期間に対応して前記スイッチを制御し、前記
制御信号を複数クロック期間アクティブにして前記複数
個の前記スイッチを1つのグループとして選択し、これ
ら選択されたグループ内チップの全てを同時に測定する
請求項7記載の半導体装置のテスト方法。
8. The control signal, wherein the control signal is maintained at a high level for at least one clock period of the clock signal supplied from the test device by the second chip selecting means,
Controlling the switch corresponding to a period in which the control signal synchronized with the clock signal is active, selecting the plurality of switches as one group by activating the control signal for a plurality of clock periods, 8. The method according to claim 7, wherein all of the selected chips in the group are measured simultaneously.
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