JP2003057292A - Semiconductor integrated circuit tester, testing board and semiconductor integrated circuit testing method - Google Patents

Semiconductor integrated circuit tester, testing board and semiconductor integrated circuit testing method

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JP2003057292A
JP2003057292A JP2001247832A JP2001247832A JP2003057292A JP 2003057292 A JP2003057292 A JP 2003057292A JP 2001247832 A JP2001247832 A JP 2001247832A JP 2001247832 A JP2001247832 A JP 2001247832A JP 2003057292 A JP2003057292 A JP 2003057292A
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test
signal
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integrated circuit
semiconductor
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Atsushi Kawai
敦之 川合
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Ando Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a high-speed test of semiconductor devices. SOLUTION: This is a semiconductor integrated circuit tester for testing the operation of each semiconductor device, by dividing a large number of semiconductor devices into a plurality of test groups, and successively supplying a testing signal to the semiconductor devices in each test group. The tester is provided with testing boards 1, which have a large number of mounted IC sockets a11 to amn for fitting semiconductor devices, and clock selection supply means S for performing a changeover of clock signals, supplied from outside in synchronization with a group selection signal for specifying a test group and supplying it to each of the IC sockets a11 to amn.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路試
験装置及び試験用ボード並びに半導体集積回路試験方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit test device, a test board, and a semiconductor integrated circuit test method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路試験装置の一種として、
テストバーンイン装置がある。このテストバーンイン装
置は、試験対象である半導体デバイス(被測定デバイ
ス)を動作状態のまま所定温度環境下でバーンイン(エ
ージング)し、その良否判定を行う装置である。このよ
うなテストバーンイン装置によるバーンインでは、複数
の半導体デバイスがICソケットを介してテストバーン
インボード(試験用ボード)上に実装され、またこのよ
うなテストバーンインボードがテストバーンイン装置内
に複数収納されて試験される。そして、各半導体デバイ
スは、テストバーンインボード上に形成された回路パタ
ーンを介してテストバーンイン装置に電気的に接続さ
れ、テストバーンイン装置から電源や各種試験用信号の
供給を受けると共に、当該試験用信号に対する応答信号
をテストバーンイン装置に出力する。
2. Description of the Related Art As one type of semiconductor integrated circuit test equipment,
There is a test burn-in system. This test burn-in apparatus is an apparatus for performing a burn-in (aging) of a semiconductor device (device under test) to be tested in an operating state under a predetermined temperature environment, and making a pass / fail judgment. In burn-in using such a test burn-in device, a plurality of semiconductor devices are mounted on a test burn-in board (test board) via IC sockets, and a plurality of such test burn-in boards are stored in the test burn-in device. To be tested. Each semiconductor device is electrically connected to the test burn-in device via a circuit pattern formed on the test burn-in board, receives power from the test burn-in device and various test signals, and outputs the test signals. Output a response signal to the test burn-in device.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記テスト
バーンインボードは、多数実装した各半導体デバイスに
並行して試験用信号を供給することにより、複数の半導
体デバイスを並列試験する。すなわち、テストバーンイ
ンボード上に形成された各信号ラインは、複数の半導体
デバイスに並列接続されている。このため、このような
信号ラインを介して複数の半導体デバイスに試験用信号
を供給するテストバーンイン装置のドライバには、各半
導体デバイスの入力端子の入力静電容量、ICソケット
の各端子の入力静電容量及び信号ラインの付線距離等に
比例する静電容量とからなる比較的大容量の容量負荷が
接続された状態となる。
By the way, the test burn-in board performs a parallel test on a plurality of semiconductor devices by supplying a test signal to each of the mounted semiconductor devices in parallel. That is, each signal line formed on the test burn-in board is connected in parallel to a plurality of semiconductor devices. For this reason, the driver of the test burn-in device that supplies a test signal to a plurality of semiconductor devices via such a signal line has an input capacitance of the input terminal of each semiconductor device and an input capacitance of each terminal of the IC socket. A relatively large capacity load consisting of an electric capacity and an electrostatic capacity proportional to the wiring distance of the signal line and the like is connected.

【0004】このような多大な容量負荷は、当該ドライ
バから出力される試験用パルス信号の立上時間や立下時
間を長くするように試験用パルス信号を歪ませるため、
高周波の試験用パルス信号を半導体デバイスに供給する
ことを制限する。試験用信号を高周波化することにより
半導体デバイスの高速試験を実現することが可能である
が、従来のテストバーンインボードでは、上記多大な容
量負荷によって試験用信号の最高周波数が制限されるた
めに、高速試験が実現できなかった。特に、メモリ等の
デジタル半導体集積回路の試験では、動作の基本となる
クロック信号が最高周波数の試験用信号であり、このク
ロック信号を高周波化することにより高速試験が可能と
なる。
Since such a large capacitive load distorts the test pulse signal so as to prolong the rise time and fall time of the test pulse signal output from the driver,
Restricting the supply of high frequency test pulse signals to semiconductor devices. Although it is possible to realize a high-speed test of a semiconductor device by increasing the frequency of the test signal, in the conventional test burn-in board, since the maximum frequency of the test signal is limited by the large capacitive load, High speed test could not be realized. In particular, in the test of a digital semiconductor integrated circuit such as a memory, the clock signal which is the basis of the operation is the test signal of the highest frequency, and the high frequency test enables the high-speed test.

【0005】一方、テストバーンインボード上の各半導
体デバイスは、複数の試験グループにグループ分けされ
ており、各試験グループには個別にスキャン信号(グル
ープ選択信号)が入力される。すなわち、このスキャン
信号に基づいて試験グループが順次指定され、各試験グ
ループ毎に半導体デバイスが順次試験される。しかしな
がら、クロック信号は、テストバーンインボード上の全
ての半導体デバイス(つまりICソケット)に共通配線
されているため、ある半導体デバイスがクロック信号の
入力端が例えば短絡するという不良デバイスであった場
合に、この不良デバイスの影響が他の正常な半導体デバ
イスにも及んでクロック信号が正常に供給されなくな
る。すなわち、ある試験グループにクロック信号の入力
端に係わる不良デバイスがあった場合、この不良デバイ
スの影響は、他の試験グループにも波及してテストバー
ンインボード上の全試験グループの試験が実行不能状態
に至る。
On the other hand, each semiconductor device on the test burn-in board is divided into a plurality of test groups, and a scan signal (group selection signal) is individually input to each test group. That is, the test groups are sequentially designated based on the scan signal, and the semiconductor devices are sequentially tested for each test group. However, since the clock signal is commonly wired to all semiconductor devices (that is, IC sockets) on the test burn-in board, when a certain semiconductor device is a defective device in which the input end of the clock signal is short-circuited, for example, The influence of this defective device extends to other normal semiconductor devices and the clock signal is not normally supplied. That is, when a certain test group has a defective device related to the input terminal of the clock signal, the influence of this defective device spreads to other test groups and the test of all the test groups on the test burn-in board cannot be executed. Leading to.

【0006】本発明は、上述する問題点に鑑みてなされ
たもので、以下の点を目標とする。 (1)半導体デバイスの高速試験を実現する。 (2)ある試験グループの半導体デバイスにおけるクロ
ック信号入力端に係わる不良を他の試験グループの試験
に影響させることなく動作試験を行う。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and aims at the following points. (1) Realize high-speed testing of semiconductor devices. (2) An operation test is performed without affecting a defect related to a clock signal input terminal in a semiconductor device of a certain test group to a test of another test group.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、半導体集積回路試験装置に係わる第1
の手段として、多数の半導体デバイスを複数の試験グル
ープにグループ分けし、各試験グループの半導体デバイ
スに試験用信号を順次供給することにより各半導体デバ
イスの動作を試験する半導体集積回路試験装置であっ
て、半導体デバイスを装着するICソケットが多数実装
されると共に、外部から供給されたクロック信号を前記
試験グループを指定するグループ選択信号に同期して切
り換えて各ICソケットに供給するクロック選択供給手
段が設けられた試験用ボードを具備するという手段を採
用する。
In order to achieve the above object, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit test apparatus according to a first aspect.
A semiconductor integrated circuit test apparatus for testing the operation of each semiconductor device by grouping a large number of semiconductor devices into a plurality of test groups and sequentially supplying a test signal to the semiconductor devices of each test group as a means of A large number of IC sockets for mounting semiconductor devices are mounted, and a clock selection supply means for switching the clock signal supplied from the outside in synchronization with a group selection signal designating the test group and supplying it to each IC socket is provided. Adopt a means of having the test board provided.

【0008】また半導体集積回路試験装置に係わる第2
の手段として、上記第1の手段において、クロック選択
供給手段は、各試験グループ毎にクロック信号の供給配
線の途中に設けられると共にグループ選択信号を切換信
号とする複数の開閉スイッチであるという手段を採用す
る。
A second aspect of the semiconductor integrated circuit test apparatus
In the first means, the clock selection supply means is a plurality of open / close switches provided in the middle of the clock signal supply wiring for each test group and using the group selection signal as a switching signal. adopt.

【0009】半導体集積回路試験装置に係わる第3の手
段として、上記第第1または第2の手段において、テス
トバーンイン装置に適用するという手段を採用する。
As the third means relating to the semiconductor integrated circuit test apparatus, the means applied to the test burn-in apparatus in the first or second means is adopted.

【0010】一方、本発明では、試験用ボードに係わる
第1の手段として、多数の半導体デバイスを複数の試験
グループにグループ分けし、各試験グループの半導体デ
バイスに試験用信号を順次供給することにより各半導体
デバイスの動作を試験する半導体集積回路試験装置に収
納されるものであり、前記半導体デバイスを装着するI
Cソケットが多数実装されると共に、各ICソケットに
それぞれ装着された半導体デバイスに試験用信号を並列
的に供給する試験用ボードであって、外部から供給され
たクロック信号を前記試験グループを指定するグループ
選択信号に同期して切り換えて各ICソケットに供給す
るクロック選択供給手段を備えるという手段を採用す
る。
On the other hand, in the present invention, as a first means relating to the test board, a large number of semiconductor devices are divided into a plurality of test groups, and a test signal is sequentially supplied to the semiconductor devices of each test group. It is housed in a semiconductor integrated circuit tester that tests the operation of each semiconductor device, and the semiconductor device I is mounted on the semiconductor integrated circuit tester.
A test board in which a large number of C sockets are mounted and test signals are supplied in parallel to semiconductor devices mounted in respective IC sockets, and a clock signal supplied from the outside specifies the test group. A means for providing a clock selection supply means for switching to and synchronizing with the group selection signal and supplying it to each IC socket is adopted.

【0011】また、試験用ボードに係わる第2の手段と
して、上記第1の手段において、クロック選択供給手段
は、各試験グループ毎にクロック信号の供給配線の途中
に設けられると共にグループ選択信号を切換信号とする
複数の開閉スイッチであるという手段を採用する。
As the second means relating to the test board, in the first means, the clock selection supply means is provided in the middle of the clock signal supply wiring for each test group and switches the group selection signal. A means of being a plurality of open / close switches for signals is adopted.

【0012】試験用ボードに係わる第3の手段として、
上記第1または第2の手段において、半導体集積回路試
験装置は、テストバーンイン装置であるという手段を採
用する。
As a third means relating to the test board,
In the first or second means, the semiconductor integrated circuit test device is a test burn-in device.

【0013】さらに、本発明では、半導体集積回路試験
方法に係わる第1の手段として、多数の半導体デバイス
を複数の試験グループにグループ分けし、各試験グルー
プの半導体デバイスに試験用信号を順次供給することに
より各半導体デバイスの動作を試験する方法であって、
試験用信号の1つとして半導体デバイスに供給されるク
ロック信号を前記試験グループ毎に切り換えて供給する
ことにより各半導体デバイスの動作試験を行うという手
段を採用する。
Further, according to the present invention, as a first means relating to the semiconductor integrated circuit test method, a large number of semiconductor devices are divided into a plurality of test groups and a test signal is sequentially supplied to the semiconductor devices of each test group. A method of testing the operation of each semiconductor device by
A means for performing an operation test of each semiconductor device by switching and supplying a clock signal supplied to the semiconductor device as one of the test signals for each test group is adopted.

【0014】半導体集積回路試験方法に係わる第2の手
段として、上記第1の手段において、各試験グループ毎
にクロック信号の供給配線の途中に開閉スイッチを設
け、当該開閉スイッチを試験グループを指定するグルー
プ選択信号にに基づいて開閉させることによりクロック
信号を各試験グループに切り換えて供給するという手段
を採用する。
As a second means relating to the semiconductor integrated circuit testing method, in the first means, an open / close switch is provided in the middle of the clock signal supply wiring for each test group, and the open / close switch is designated to the test group. The means for switching and supplying the clock signal to each test group by opening and closing based on the group selection signal is adopted.

【0015】半導体集積回路試験方法に係わる第3の手
段として、上記第1または第2の手段において、テスト
バーンイン装置を用いた半導体デバイスの試験に適用す
るという手段を採用する。
As the third means relating to the semiconductor integrated circuit testing method, the means applied to the test of the semiconductor device using the test burn-in device in the first or second means is adopted.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係わる半導体集積回路試験装置及び試験用ボード並びに
半導体集積回路試験方法の一実施形態について説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a semiconductor integrated circuit test device, a test board and a semiconductor integrated circuit test method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は、本実施形態におけるテストバーン
イン装置(半導体集積回路試験装置)のシステム構成図
である。この図に示すように、本テストバーンイン装置
は、複数のテストバーンインボード1(試験用ボー
ド)、恒温槽2、基本制御回路3、パターン発生回路
4,バイアス電源回路5、ドライバー/コンパレータ回
路6及びコントローラ7等から構成されている。
FIG. 1 is a system configuration diagram of a test burn-in device (semiconductor integrated circuit test device) in this embodiment. As shown in this figure, this test burn-in device includes a plurality of test burn-in boards 1 (test boards), a constant temperature bath 2, a basic control circuit 3, a pattern generation circuit 4, a bias power supply circuit 5, a driver / comparator circuit 6 and It is composed of a controller 7 and the like.

【0018】恒温槽2は、複数のテストバーンインボー
ド1をラックに収容された状態で収容し、各テストバー
ンインボード1上に搭載された半導体デバイス(例えば
メモリIC等のデジタル半導体デバイス)に温度負荷を
与える。そして、このような温度負荷状態の各半導体デ
バイスにはテストバーンインボード1を介してドライバ
ー/コンパレータ回路6から試験用信号が入力されると
共に、この試験用信号に対して各半導体デバイスから出
力された応答信号は、テストバーンインボード1を介し
てドライバー/コンパレータ回路6に入力される。
The constant temperature bath 2 accommodates a plurality of test burn-in boards 1 in a rack, and a semiconductor device (for example, a digital semiconductor device such as a memory IC) mounted on each test burn-in board 1 is subjected to a temperature load. give. A test signal is input from the driver / comparator circuit 6 to each semiconductor device in such a temperature load state via the test burn-in board 1 and is output from each semiconductor device in response to the test signal. The response signal is input to the driver / comparator circuit 6 via the test burn-in board 1.

【0019】上記試験用信号は、基本制御回路3による
制御の下にパターン発生回路4及びバイアス電源回路5
によって生成されてドライバー/コンパレータ回路6に
供給される。また、応答信号は、ドライバー/コンパレ
ータ回路6によって期待値信号を比較されることにより
評価され、その評価結果がコントローラ7に入力され
る。
The test signal is controlled by the basic control circuit 3, and the pattern generation circuit 4 and the bias power supply circuit 5 are supplied.
And is supplied to the driver / comparator circuit 6. The response signal is evaluated by comparing the expected value signal with the driver / comparator circuit 6, and the evaluation result is input to the controller 7.

【0020】次に、図2は、上記テストバーンインボー
ド1の回路図である。この回路図において、符号a11〜
amnはICソケット、b1〜bmは開閉スイッチ、d1〜
dm,e1〜en及びfは入出力端子、またSはクロック
選択供給回路(クロック選択供給手段)である。
Next, FIG. 2 is a circuit diagram of the test burn-in board 1. In this circuit diagram, reference symbols a11 to
amn is an IC socket, b1 to bm are open / close switches, and d1 to
dm, e1 to en and f are input / output terminals, and S is a clock selection supply circuit (clock selection supply means).

【0021】ICソケットa11〜amnは、テストバーン
インボード1状にn行×m列のマトリクス状に配置され
ており、各々に半導体デバイスが実装される。これらI
Cソケットa11〜amnのうち、各列は各々に試験グルー
プを構成しており、各列のn個のICソケットa11〜a
1n,a21〜a2n,……am1〜amnに実装される各半導体
デバイスには、同時に試験用信号が供給されて試験が行
われる。すなわち、本テストバーンインボード1は、各
列からなるm個の試験グループが構成されており、これ
ら各試験グループには、所定の順番で試験用信号が順次
供給されて試験が行われる。
The IC sockets a11 to amn are arranged in a matrix of n rows × m columns on the test burn-in board 1, and a semiconductor device is mounted on each of them. These I
Of the C sockets a11 to amn, each column constitutes a test group, and the n IC sockets a11 to an in each column.
A test signal is simultaneously supplied to each of the semiconductor devices mounted on 1n, a21 to a2n, ... Am1 to amn to perform a test. That is, the test burn-in board 1 is configured of m test groups each including columns, and a test signal is sequentially supplied to each of these test groups in a predetermined order to perform a test.

【0022】複数の入出力端子d1〜dm,e1〜en及び
fのうち、入出力端子d1〜dmには、ドライバー/コン
パレータ回路6からスキャン信号SCAN 1〜SCAN mがそれ
ぞれ入力され、入出力端子e1〜enには、各ICソケッ
トa11〜amnから入出力信号I/O 1〜I/O nがそれぞれ入
力され、入出力端子fには、ドライバー/コンパレータ
回路6からクロック信号CLKが入力される。
Of the plurality of input / output terminals d1 to dm, e1 to en and f, the scan signals SCAN1 to SCANm from the driver / comparator circuit 6 are input to the input / output terminals d1 to dm, respectively. Input / output signals I / O 1 to I / O n are input from the IC sockets a11 to amn to e1 to en, respectively, and a clock signal CLK is input from the driver / comparator circuit 6 to the input / output terminal f. .

【0023】さらに詳細には、入出力端子d1〜dmは、
上記試験グループ毎に設けられており、各試験グループ
に個別のスキャン信号SCAN 1〜SCAN mを供給する。入出
力端子d1に入力されたスキャン信号SCAN 1は、第1列
(最右列)の試験グループ(第1試験グループ)を構成
するICソケットa11〜a1nに供給され、入出力端子d
2に入力されたスキャン信号SCAN 2は、第2列の試験グ
ループ(第2試験グループ)を構成するICソケットa
21〜a2nに供給され、……、また入出力端子dmに入力
されたスキャン信号SCAN mは、第m列の試験グループ
(第m試験グループ)を構成するICソケットam1〜a
mnに供給される。
More specifically, the input / output terminals d1 to dm are
It is provided for each test group and supplies individual scan signals SCAN 1 to SCAN m to each test group. The scan signal SCAN 1 input to the input / output terminal d1 is supplied to the IC sockets a11 to a1n forming the test group (first test group) in the first column (the rightmost column), and the input / output terminal d1
The scan signal SCAN 2 input to 2 is the IC socket a that constitutes the second row test group (second test group).
The scan signals SCAN m supplied to the input terminals 21 to a2n, ... And the input to the input / output terminal dm are the IC sockets am1 to aa constituting the m-th column test group (m-th test group).
supplied to mn.

【0024】一方、入出力端子e1〜enは各行毎に個別
に設けられており、入出力端子e1は、第1行(最上
行)のICソケットa11,a21……am1に実装された各
半導体デバイスとの間で入出力信号I/O 1の授受を行
い、入出力端子e2は、第2行のICソケットa12,a2
2……am2に実装された各半導体デバイスとの間で入出
力信号I/O 2の授受を行い、……、また入出力端子en
は、第n行のICソケットa1n,a2n……amnに実装さ
れた各半導体デバイスとの間で入出力信号I/O nの授受
を行う。
On the other hand, the input / output terminals e1 to en are individually provided for each row, and the input / output terminals e1 are the semiconductors mounted on the IC sockets a11, a21 ... Am1 of the first row (top row). Input / output signal I / O 1 is transmitted / received to / from the device, and the input / output terminal e 2 is connected to the IC sockets a 12 and a 2 of the second row.
2 …… I / O signal I / O 2 is sent / received to / from each semiconductor device mounted on am2, and also I / O terminal en
Transmits / receives an input / output signal I / O n to / from each semiconductor device mounted in the IC sockets a1n, a2n ... Amn on the n-th row.

【0025】入出力端子fは、各試験部ループ毎に設け
られたm個の開閉スイッチb1〜bmの一端にそれぞれ共
通接続されている。各開閉スイッチb1〜bmの他端は、
図示するように各々に対応する試験部ループのICソケ
ットa11〜a1n,a21〜a2n,……am1〜amnに個別接
続されている。また各開閉スイッチb1〜bmには、自ら
の試験グループに対応するスキャン信号SCAN 1〜SCAN m
が切換信号として供給されている。
The input / output terminal f is commonly connected to one ends of m open / close switches b1 to bm provided for each test section loop. The other end of each open / close switch b1 to bm is
As shown, they are individually connected to the IC sockets a11 to a1n, a21 to a2n, ... Am1 to amn of the corresponding test loops. The open / close switches b1 to bm have scan signals SCAN1 to SCAN m corresponding to their test group.
Is supplied as a switching signal.

【0026】すなわち、開閉スイッチb1には切換信号
として第1試験グループに対応するスキャン信号SCAN 1
が供給され、開閉スイッチb2には第2試験グループに
対応するスキャン信号SCAN 2が供給され、……、また開
閉スイッチbmには第m試験グループに対応するスキャ
ン信号SCAN mが供給される。なお、各開閉スイッチb1
〜bmは、例えば入出力容量(静電容量)が比較的小さ
なメカニカルスイッチである。
That is, the open / close switch b1 has a scan signal SCAN 1 corresponding to the first test group as a switching signal.
, The scan signal SCAN 2 corresponding to the second test group is supplied to the open / close switch b2, ... And the scan signal SCAN m corresponding to the m-th test group is supplied to the open / close switch bm. Each open / close switch b1
.About.bm are mechanical switches having a relatively small input / output capacitance (electrostatic capacitance), for example.

【0027】次に、このように構成されたテストバーン
イン装置の動作について説明する。
Next, the operation of the test burn-in system thus constructed will be described.

【0028】本テストバーンイン装置では、スキャン信
号SCAN 1〜SCAN mに基づいて試験グループが順次選択さ
れると、この選択動作(つまりスキャン信号SCAN 1〜SC
AN mの変化)に同期して各開閉スイッチb1〜bmの開閉
動作が制御されて試験対象の試験グループのみにクロッ
ク信号CLKが供給される。
In this test burn-in device, when the test groups are sequentially selected based on the scan signals SCAN 1 to SCAN m, this selection operation (that is, the scan signals SCAN 1 to SC
The opening / closing operation of each of the opening / closing switches b1 to bm is controlled in synchronization with (change of AN m) and the clock signal CLK is supplied only to the test group to be tested.

【0029】例えば、スキャン信号SCAN 1によって第1
試験グループが試験対象に設定されると、これに同期し
て開閉スイッチb1が閉状態に設定されると共に、他の
開閉スイッチb2〜bmは開状態に設定される。この結
果、第1試験グループのみにクロック信号CLKが供給さ
れる。そして、スキャン信号SCAN 1〜SCAN mに基づいて
試験グループが順次切り換えられる度に、この切換に同
期して試験対象に選定された単一の試験グループのみに
クロック信号CLKが順次切り換えて供給される。
For example, if the scan signal SCAN 1
When the test group is set as the test target, the open / close switch b1 is set to the closed state in synchronization with this, and the other open / close switches b2 to bm are set to the open state. As a result, the clock signal CLK is supplied only to the first test group. Then, each time the test groups are sequentially switched based on the scan signals SCAN 1 to SCAN m, the clock signal CLK is sequentially switched and supplied only to the single test group selected as the test target in synchronization with this switching. .

【0030】本実施形態によれば、試験対象の試験グル
ープのみにクロック信号CLKが切り換えられて供給され
るので、従来のように全ての試験グループに平行してク
ロック信号CLKを供給する場合に比較して、クロック信
号CLKの信号ラインの付加容量が低減するので、クロッ
ク信号CLKを高周波数化して高速試験を実現することが
できる。また、ある試験グループの半導体デバイスにク
ロック信号CLKに関する不良デバイスが含まれている場
合があっても、当該試験グループ以外の他の試験グルー
プには正常にクロック信号CLKが供給されるので、他の
試験グループについて支障無く試験を行うことができ
る。
According to the present embodiment, since the clock signal CLK is switched and supplied only to the test group to be tested, comparison is made when the clock signal CLK is supplied in parallel to all the test groups as in the conventional case. Then, since the additional capacitance of the signal line of the clock signal CLK is reduced, the frequency of the clock signal CLK can be increased and a high speed test can be realized. Even if a semiconductor device in a certain test group includes a defective device related to the clock signal CLK, the clock signal CLK is normally supplied to the other test groups other than the test group. Tests can be conducted on the test group without any problems.

【0031】なお、本実施形態では、クロック選択供給
手段を複数の開閉スイッチb1〜bmからなるクロック選
択供給回路Sとして構成したが、クロック選択供給手段
の構成方法はこれに限定されるものではあい。
In the present embodiment, the clock selection supply means is configured as the clock selection supply circuit S consisting of a plurality of open / close switches b1 to bm, but the configuration method of the clock selection supply means is not limited to this. .

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
クロック信号を試験グループ毎に切り換えて供給するの
で、クロック信号の信号ラインの付加容量が低減するこ
とが可能であり、よってクロック信号を高周波数化して
高速試験を実現することができる。また、ある試験グル
ープの半導体デバイスにクロック信号に関する不良デバ
イスが含まれている場合があっても、当該試験グループ
以外の他の試験グループには正常にクロック信号が供給
されるので、他の試験グループに不良デバイスの影響を
及ぼすことなく試験を行うことができる。
As described above, according to the present invention,
Since the clock signal is switched for each test group and supplied, the additional capacitance of the signal line of the clock signal can be reduced, and thus the clock signal can be increased in frequency to realize a high-speed test. Even if a semiconductor device in a certain test group includes a defective device related to the clock signal, the clock signal is normally supplied to the other test groups other than the test group. The test can be performed without the influence of the defective device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施形態におけるテストバーンイ
ン装置のシステム構成図である。
FIG. 1 is a system configuration diagram of a test burn-in device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の一実施形態におけるテストバーンイ
ンボードの回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a test burn-in board according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……テストバーンインボード(試験用ボード) 2……恒温槽 3……基本制御回路 4……パターン発生回路 5……バイアス電源回路 6……ドライバー/コンパレータ回路 7……コントローラ a11〜amn……ICソケット b1〜bm……開閉スイッチ d1〜dm,e1〜en,f……入出力端子 S……クロック選択供給回路(クロック選択供給手段) 1-Test burn-in board (test board) 2 ... Constant temperature bath 3 ... Basic control circuit 4 ... Pattern generation circuit 5 ... Bias power supply circuit 6 ... Driver / comparator circuit 7 ... Controller a11 ~ amn …… IC socket b1-bm …… Open / close switch d1 to dm, e1 to en, f ... I / O terminals S: Clock selection supply circuit (clock selection supply means)

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多数の半導体デバイスを複数の試験グ
ループにグループ分けし、各試験グループの半導体デバ
イスに試験用信号を順次供給することにより各半導体デ
バイスの動作を試験する半導体集積回路試験装置であっ
て、 前記半導体デバイスを装着するICソケット(a11〜a
mn)が多数実装されると共に、外部から供給されたクロ
ック信号を前記試験グループを指定するグループ選択信
号に同期して切り換えて各ICソケット(a11〜amn)
に供給するクロック選択供給手段(S)が設けられた試
験用ボード(1)を具備することを特徴とする半導体集
積回路試験装置。
1. A semiconductor integrated circuit test apparatus for testing the operation of each semiconductor device by grouping a large number of semiconductor devices into a plurality of test groups and sequentially supplying a test signal to the semiconductor devices of each test group. IC sockets (a11 to a11) for mounting the semiconductor device.
mn) are mounted and the clock signals supplied from the outside are switched in synchronization with the group selection signal designating the test group, and each IC socket (a11 to amn) is switched.
1. A semiconductor integrated circuit test apparatus, comprising: a test board (1) provided with a clock selecting and supplying means (S) for supplying to.
【請求項2】 クロック選択供給手段(S)は、各試
験グループ毎にクロック信号の供給配線の途中に設けら
れると共にグループ選択信号を切換信号とする複数の開
閉スイッチ(b1〜bm)であることを特徴とする請求項
1記載の半導体集積回路試験装置。
2. The clock selection supply means (S) is a plurality of open / close switches (b1 to bm) provided in the middle of a clock signal supply wiring for each test group and using the group selection signal as a switching signal. The semiconductor integrated circuit testing device according to claim 1, wherein
【請求項3】 テストバーンイン装置に適用すること
を特徴とする請求項1または2記載の半導体集積回路試
験装置。
3. The semiconductor integrated circuit test device according to claim 1, which is applied to a test burn-in device.
【請求項4】 多数の半導体デバイスを複数の試験グ
ループにグループ分けし、各試験グループの半導体デバ
イスに試験用信号を順次供給することにより各半導体デ
バイスの動作を試験する半導体集積回路試験装置に収納
されるものであり、前記半導体デバイスを装着するIC
ソケット(a11〜amn)が多数実装されると共に、各I
Cソケット(a11〜amn)にそれぞれ装着された半導体
デバイスに試験用信号を並列的に供給する試験用ボード
(1)であって、 外部から供給されたクロック信号を前記試験グループを
指定するグループ選択信号に同期して切り換えて各IC
ソケット(a11〜amn)に供給するクロック選択供給手
段(S)を備えることを特徴とする試験用ボード。
4. A semiconductor integrated circuit test apparatus for testing the operation of each semiconductor device by grouping a large number of semiconductor devices into a plurality of test groups and sequentially supplying a test signal to the semiconductor devices of each test group. And an IC for mounting the semiconductor device
A large number of sockets (a11 to amn) are mounted and each I
A test board (1) for supplying test signals in parallel to semiconductor devices mounted in C sockets (a11 to amn), and a group selection for specifying an externally supplied clock signal to the test group. Each IC can be switched in synchronization with the signal
A test board comprising a clock selection supply means (S) for supplying to the sockets (a11 to amn).
【請求項5】 クロック選択供給手段(S)は、各試
験グループ毎にクロック信号の供給配線の途中に設けら
れると共にグループ選択信号を切換信号とする複数の開
閉スイッチ(b1〜bm)であることを特徴とする請求項
4記載の試験用ボード。
5. The clock selection supply means (S) is a plurality of open / close switches (b1 to bm) provided in the middle of the clock signal supply wiring for each test group and using the group selection signal as a switching signal. The test board according to claim 4, wherein:
【請求項6】 半導体集積回路試験装置はテストバー
ンイン装置である、ことを特徴とする請求項4または5
記載の試験用ボード。
6. The semiconductor integrated circuit testing device is a test burn-in device.
Test board as described.
【請求項7】 多数の半導体デバイスを複数の試験グ
ループにグループ分けし、各試験グループの半導体デバ
イスに試験用信号を順次供給することにより各半導体デ
バイスの動作を試験する方法であって、 試験用信号の1つとして半導体デバイスに供給されるク
ロック信号を前記試験グループ毎に切り換えて供給する
ことにより各半導体デバイスの動作試験を行うことを特
徴とする半導体集積回路試験方法。
7. A method for testing the operation of each semiconductor device by grouping a large number of semiconductor devices into a plurality of test groups, and sequentially supplying a test signal to the semiconductor devices of each test group. A semiconductor integrated circuit test method for performing an operation test of each semiconductor device by switching a clock signal supplied to a semiconductor device as one of the signals for each test group and supplying the clock signal.
【請求項8】 各試験グループ毎にクロック信号の供
給配線の途中に開閉スイッチ(b1〜bm)を設け、当該
開閉スイッチ(b1〜bm)を試験グループを指定するグ
ループ選択信号に基づいて開閉させることによりクロッ
ク信号を各試験グループに切り換えて供給することを特
徴とする請求項7記載の半導体集積回路試験方法。
8. An open / close switch (b1 to bm) is provided in the middle of a clock signal supply wiring for each test group, and the open / close switch (b1 to bm) is opened / closed based on a group selection signal designating a test group. 8. The semiconductor integrated circuit test method according to claim 7, wherein the clock signal is switched and supplied to each test group.
【請求項9】 テストバーンイン装置を用いた半導体
デバイスの試験に適用することを特徴とする請求項7ま
たは8記載の半導体集積回路試験方法。
9. The semiconductor integrated circuit test method according to claim 7, which is applied to a test of a semiconductor device using a test burn-in apparatus.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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