JPH10125640A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

Apparatus and method for treating substrate

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JPH10125640A
JPH10125640A JP28088596A JP28088596A JPH10125640A JP H10125640 A JPH10125640 A JP H10125640A JP 28088596 A JP28088596 A JP 28088596A JP 28088596 A JP28088596 A JP 28088596A JP H10125640 A JPH10125640 A JP H10125640A
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JP
Japan
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substrate
wafer
cleaning
double
chuck
Prior art date
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Application number
JP28088596A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadao Okamoto
伊雄 岡本
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for treating substrates, wherein almost all the areas on the front side and underside of a substrate will be cleaned well. SOLUTION: A wafer W is clamped between end face support hands 31, 32, and then the front side and underside of the wafer W are scrubbed by a double side brushing device 40. After the completion of the first scrub, the wafer W is released from the clamp by the end face support hands 31, 32 and is turned through approx. 90 deg. by a rotary chuck 50. Thereafter, the end face support hands 31, 32 clamp the wafer W again, and the front side and underside of the wafer W is subjected to the second scrub by the double side brushing device 40. Thereby a pair of boat-shaped areas, that has remained unscrubbed after the first scrub, are cleaned during the second scrub.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用ガラス基板のような各種の被処理基板に対
して処理を施すための装置および方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for processing various kinds of substrates such as semiconductor wafers and glass substrates for liquid crystal display devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程に
おいては、必要に応じて、半導体ウエハ(以下、単に
「ウエハ」という。)やガラス基板に対し、ブラシ状の
ものやスポンジ状のものなどのスクラブ部材によるスク
ラブ洗浄処理が施される。ウエハの洗浄を行うための1
つの従来技術は、図9に示されている。すなわち、この
従来技術の構成においては、ウエハWの裏面を真空吸着
することによってウエハWを保持し、その状態で回転す
ることができるスピンバキュームチャック1が用いられ
ている。ウエハWの表面は、自公転ブラシ装置によって
スクラブ洗浄される。すなわち、スピンバキュームチャ
ック1の上方には、洗浄ブラシ2が配置されている。こ
の洗浄ブラシ2は、揺動腕(図示せず)の先端に取り付
けられている。そして、洗浄ブラシ2は、自転しなが
ら、揺動腕の揺動によって公転し、回転中のウエハWを
中心から周縁部に向かって繰り返しスキャンする。これ
により、ウエハWの表面のスクラブ洗浄が達成される。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, if necessary, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a "wafer") or a glass substrate may be brushed or sponged. The scrub cleaning process is performed by the scrub member. 1 for cleaning the wafer
One prior art is shown in FIG. That is, in the configuration of the related art, the spin vacuum chuck 1 that can hold the wafer W by vacuum-sucking the back surface of the wafer W and rotate in that state is used. The surface of the wafer W is scrub-cleaned by a revolving brush device. That is, the cleaning brush 2 is disposed above the spin vacuum chuck 1. The cleaning brush 2 is attached to the tip of a swing arm (not shown). Then, while rotating, the cleaning brush 2 revolves due to the swing of the swing arm, and repeatedly scans the rotating wafer W from the center toward the peripheral edge. Thereby, scrub cleaning of the surface of wafer W is achieved.

【0003】ところが、この従来技術においては、ウエ
ハWの裏面中央部がスピンバキュームチャック1によっ
て吸着され、ウエハWの裏面中央部を洗浄することが不
可能で、かつ、スピンバキュームチャック1がウエハW
の裏面中央部と接触した状態にあるので、ウエハWの裏
面中央部の汚染が避けられないという問題があった。ウ
エハの洗浄のための他の従来技術は、図10に示されて
いる。この従来技術においては、ウエハWの端面が一対
の端面支持ハンド5,6によって挟持されることによ
り、ウエハWの支持が達成されている。そして、ウエハ
Wの表面は、図9の従来技術と同様に、洗浄ブラシ4を
有する自公転ブラシ装置によってスクラブ洗浄される。
ウエハWの裏面は、裏面ブラシ7によってスクラブ洗浄
される。
However, in this prior art, the central portion of the back surface of the wafer W is sucked by the spin vacuum chuck 1, so that it is impossible to clean the central portion of the back surface of the wafer W, and
Since the wafer W is in contact with the center of the back surface, there is a problem that contamination of the center of the back surface of the wafer W cannot be avoided. Another prior art for cleaning a wafer is shown in FIG. In this conventional technique, the support of the wafer W is achieved by the end faces of the wafer W being sandwiched by a pair of end face support hands 5 and 6. Then, the surface of the wafer W is scrub-cleaned by the self-revolving brush device having the cleaning brush 4 similarly to the conventional technique of FIG.
The back surface of the wafer W is scrub-cleaned by the back surface brush 7.

【0004】この従来技術によれば、図9の従来技術と
は異なり、ウエハWの裏面中央部の汚染の問題は生じな
い。しかし、端面支持ハンド5,6と洗浄ブラシ2との
機械的な干渉を回避する必要性から、ウエハWの周縁部
のスクラブ洗浄ができないという別の問題がある。一
方、液晶表示装置用ガラス基板の洗浄のための1つの従
来技術は、図11に示されている。この従来技術におい
ては、ガラス基板Sの裏面を支持する基板支持ピン11
と、ガラス基板Sの4角に対応する位置に一対ずつ設け
られたコーナーピン12とをチャック本体13に立設し
た構成のスピンチャック15が用いられている。そし
て、スピンチャック15を回転駆動するとともに、洗浄
ブラシ14を備えた自公転ブラシ装置によってガラス基
板Sの表面がスクラブ洗浄される。
According to this prior art, unlike the prior art shown in FIG. 9, there is no problem of contamination of the central portion of the back surface of the wafer W. However, there is another problem that scrub cleaning of the peripheral portion of the wafer W cannot be performed due to the necessity of avoiding mechanical interference between the end face supporting hands 5 and 6 and the cleaning brush 2. On the other hand, one conventional technique for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device is shown in FIG. In this conventional technique, substrate supporting pins 11 for supporting the back surface of a glass substrate S are provided.
A spin chuck 15 having a configuration in which a pair of corner pins 12 provided at positions corresponding to four corners of a glass substrate S and standing on a chuck body 13 is used. Then, the spin chuck 15 is driven to rotate, and the surface of the glass substrate S is scrub-cleaned by a rotating and revolving brush device having the cleaning brush 14.

【0005】しかし、この従来技術においては、コーナ
ーピン12と洗浄ブラシ14との機械的な干渉を回避す
る必要性から、ガラス基板Sの周縁部のスクラブ洗浄が
できないという、図10の従来技術と同様な問題があ
る。液晶表示装置用ガラス基板を洗浄するための他の従
来技術は、図12に示されている。この従来技術におい
ては、ガラス基板Sの一対の側辺付近の縁部を上下から
挟持しつつガラス基板Sを搬送するエッジ支持ローラ2
1が用いられている。そして、エッジ支持ローラ21に
よって保持されたガラス基板Sの上下には、ガラス基板
Sの搬送方向と直交するように配置された一対のロール
ブラシ22が配設されている。したがって、エッジ支持
ローラ21によってガラス基板Sを搬送しつつ、ロール
ブラシ22を各軸線22aまわりに回転駆動することに
より、ガラス基板Sの表面および裏面のスクラブ洗浄が
達成される。
However, in this prior art, it is necessary to avoid mechanical interference between the corner pins 12 and the cleaning brush 14, so that the scrubbing of the peripheral portion of the glass substrate S cannot be performed. There is a similar problem. Another conventional technique for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device is shown in FIG. In this prior art, an edge supporting roller 2 for transporting a glass substrate S while nipping the edges near a pair of side edges of the glass substrate S from above and below.
1 is used. A pair of roll brushes 22 are arranged above and below the glass substrate S held by the edge support rollers 21 so as to be orthogonal to the direction in which the glass substrate S is transported. Therefore, scrub cleaning of the front and back surfaces of the glass substrate S is achieved by driving the roll brush 22 to rotate around each axis 22a while transporting the glass substrate S by the edge support rollers 21.

【0006】この従来技術においては、ガラス基板の全
幅に及ぶ長さのロールブラシ22を用いるとともに、ロ
ールブラシ22とエッジ支持ローラ21との配置を基板
Sの搬送方向に沿ってずらしておくことにより、ガラス
基板Sの表面および裏面の全域をスクラブ洗浄すること
ができる。しかし、ガラス基板Sの一対の側辺に沿う縁
部においては、エッジ支持ローラ21の接触による汚染
が生じるから、この部分における洗浄が不十分になると
いう問題がある。
In this prior art, a roll brush 22 having a length that covers the entire width of the glass substrate is used, and the arrangement of the roll brush 22 and the edge support roller 21 is shifted along the transport direction of the substrate S. The entire area of the front and back surfaces of the glass substrate S can be scrub-cleaned. However, at the edges along the pair of side edges of the glass substrate S, contamination occurs due to the contact of the edge support roller 21, and thus there is a problem that cleaning at these portions becomes insufficient.

【0007】図13に示すように、ガラス基板Sの表面
側および裏面側に複数の自転ブラシ25を、たとえば千
鳥配列して固定設置しておくこともできる。しかし、こ
のようにしても、エッジ支持ローラ21による汚染の問
題が解消されるわけではない。
As shown in FIG. 13, a plurality of rotating brushes 25 can be fixedly installed on the front and back sides of the glass substrate S, for example, in a staggered arrangement. However, this does not necessarily solve the problem of contamination by the edge support roller 21.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、上述の技術的課題を解決し、基板の表面および裏面
のほぼ全域を良好に洗浄することができる基板処理装置
および基板処理方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can solve the above-mentioned technical problems and can satisfactorily clean almost the entire front and back surfaces of a substrate. To provide.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板の端
面で当該基板を挟持するための基板挟持手段と、上記基
板挟持手段によって挟持された基板の一方面側に対応す
る位置に配置され、基板を保持した状態で回転すること
ができる回転チャックと、上記基板挟持手段に挟持され
た基板の表面および裏面をスクラブ洗浄する両面洗浄手
段と、上記回転チャックを、所定角度だけ回転させるた
めの回転手段と、上記基板挟持手段と上記回転チャック
とを相対的に上下移動させるための上下移動手段と、上
記基板挟持手段と上記両面洗浄手段とを相対的に水平移
動させる水平移動手段とを含むことを特徴とする基板処
理装置である。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate holding means for holding a substrate at an end face of the substrate, and the substrate holding means. A rotary chuck that is arranged at a position corresponding to one surface side of the sandwiched substrate and that can rotate while holding the substrate, and a double-side cleaning that scrubs the front and back surfaces of the substrate sandwiched by the substrate clamping unit Means, a rotating means for rotating the rotary chuck by a predetermined angle, a vertical moving means for relatively moving the substrate holding means and the rotary chuck up and down, the substrate holding means and the double-sided cleaning And a horizontal movement means for relatively horizontally moving the means.

【0010】この構成によれば、基板の保持は、基板を
端面で挟持することによって達成される。そのため、基
板の表面および裏面の汚染が生じることはない。また、
基板の表面および裏面は、基板挟持手段と両面洗浄手段
とを相対的に水平移動させることにより、両面洗浄手段
によってスクラブ洗浄される。この両面洗浄手段によっ
て基板をスクラブ洗浄する際に、両面洗浄手段と基板挟
持手段との機械的干渉を回避する必要性があれば、1回
のスクラブ洗浄の後には、未洗浄領域が生じる。そこ
で、1回のスクラブ洗浄が終了した後に、基板挟持手段
による基板の挟持を一旦解放し、回転チャックによって
基板を所定角度だけ回転させ、その後に、再度スクラブ
洗浄を行えば、基板のほぼ全域のスクラブ洗浄を達成で
きる。2回のスクラブ洗浄によっても未洗浄領域が残る
場合には、同様にして、基板の回転およびスクラブ洗浄
を繰り返し行えばよい。基板挟持手段と回転チャックと
の間の基板の受け渡しは、基板挟持手段と回転チャック
とを相対的に上下移動させることにより行える。
According to this structure, the holding of the substrate is achieved by sandwiching the substrate at the end face. Therefore, contamination of the front and back surfaces of the substrate does not occur. Also,
The front and back surfaces of the substrate are scrub-cleaned by the double-sided cleaning means by relatively horizontally moving the substrate holding means and the double-sided cleaning means. If it is necessary to avoid mechanical interference between the double-sided cleaning means and the substrate holding means when scrub-cleaning the substrate by the double-sided cleaning means, an uncleaned area is generated after one scrub cleaning. Therefore, after one scrub cleaning is completed, the holding of the substrate by the substrate holding means is once released, the substrate is rotated by a predetermined angle by the rotating chuck, and then the scrub cleaning is performed again. Scrub cleaning can be achieved. If an uncleaned area remains after two scrub cleanings, the rotation of the substrate and the scrub cleaning may be repeated in a similar manner. The transfer of the substrate between the substrate holding means and the rotary chuck can be performed by moving the substrate holding means and the rotary chuck relatively up and down.

【0011】なお、基板を回転させる際の上記の所定角
度は、回転後のスクラブ洗浄によって未洗浄領域が良好
に洗浄されるように適当に定めればよく、たとえば、ほ
ぼ90度であってもよい。請求項2記載の発明は、上記
基板挟持手段、上記回転チャック、上記両面洗浄手段、
上記回転手段、上記上下移動手段、および上記水平移動
手段がそれぞれ1つずつ備えられており、上記水平移動
手段は、上記基板挟持手段に対して上記両面洗浄手段を
水平に往復移動させるものであることを特徴とする請求
項1記載の基板処理装置である。
The above-mentioned predetermined angle when the substrate is rotated may be appropriately determined so that the uncleaned area is sufficiently cleaned by the scrub cleaning after the rotation. Good. The invention according to claim 2, wherein the substrate holding means, the rotary chuck, the double-sided cleaning means,
Each of the rotating means, the vertical moving means, and the horizontal moving means is provided one by one, and the horizontal moving means reciprocates the double-sided cleaning means horizontally with respect to the substrate holding means. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:

【0012】この構成によれば、両面洗浄手段を水平移
動させる構成であるので、1つの両面洗浄手段により基
板のスクラブ洗浄を繰り返し行える。そのため、基板挟
持手段、回転チャック、回転手段、上下移動手段および
水平移動手段が1つずつで足りるから、装置の省スペー
ス化が実現される。請求項3記載の発明は、基板を基板
の端面で挟持する第1基板挟持工程と、基板が端面で挟
持されている期間に、基板の表面および裏面をスクラブ
洗浄する第1両面洗浄工程と、上記第1両面洗浄工程の
完了後に、上記第1基板挟持工程によって挟持された基
板の挟持を解放する基板解放工程と、解放された基板を
所定角度だけ回転させる基板回転工程と、所定角度だけ
回転された基板をその端面で再度挟持する第2基板挟持
工程と、この再度挟持された基板の表面および裏面をス
クラブ洗浄する第2両面洗浄工程とを含むことを特徴と
する基板処理方法である。
According to this configuration, since the double-sided cleaning means is horizontally moved, the scrub cleaning of the substrate can be repeatedly performed by one double-sided cleaning means. Therefore, since only one substrate holding means, one rotating chuck, one rotating means, one vertical moving means and one horizontal moving means are sufficient, space saving of the apparatus is realized. The invention according to claim 3 is a first substrate clamping step of clamping the substrate by the end face of the substrate, a first double-side cleaning step of scrub-cleaning the front and back surfaces of the substrate during the period in which the substrate is clamped by the end face, After the completion of the first double-side cleaning step, a substrate releasing step of releasing the holding of the substrate held in the first substrate holding step, a substrate rotating step of rotating the released substrate by a predetermined angle, and a rotation of the predetermined angle A substrate processing method comprising: a second substrate holding step of holding the cut substrate again at an end face thereof; and a second double-side washing step of scrubbing the front and back surfaces of the held substrate again.

【0013】この方法により、請求項1に関連して説明
したとおり、基板の表裏面のほぼ全域をスクラブ洗浄す
ることができる。なお、請求項4に記載のとおり、基板
のスクラブ洗浄が行われている期間に、当該基板の表面
および裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程がさらに
含まれていることが好ましい。
According to this method, almost all areas of the front and back surfaces of the substrate can be scrub-cleaned as described in relation to the first aspect. It is preferable that a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to the front surface and the back surface of the substrate is further included during a period in which the scrub cleaning of the substrate is performed.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1および図
2は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置として
のウエハ洗浄装置の基本的な構成を示す概念図である。
このウエハ洗浄装置は、ウエハWを水平に保持した状態
で、このウエハWの表面および裏面をスクラブ洗浄する
ためのものであり、図1には上方から見た構成の概要を
示し、図2には、正面(図1の矢印IIの方向)から見た
構成の概要を示す。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are conceptual diagrams showing a basic configuration of a wafer cleaning apparatus as a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
This wafer cleaning apparatus is for scrub cleaning the front and back surfaces of the wafer W while holding the wafer W horizontally. FIG. 1 shows an outline of a configuration viewed from above, and FIG. Shows an outline of the configuration viewed from the front (the direction of arrow II in FIG. 1).

【0015】この装置は、ウエハWを、その端面に接触
して挟持するための一対の端面支持ハンド31,32
(基板挟持手段)と、端面支持ハンド31,32によっ
て支持された状態のウエハWの表面および裏面をスクラ
ブ洗浄する両面ブラシ装置40(両面洗浄手段)と、ウ
エハWを水平に保持することができ、この水平に保持さ
れたウエハWを、その中心を通る鉛直軸まわりにほぼ9
0度回転するための回転チャック50とを備えている。
This apparatus comprises a pair of end face support hands 31, 32 for holding the wafer W in contact with the end faces thereof.
(Substrate holding means), a double-sided brush device 40 (double-sided cleaning means) for scrubbing the front and back surfaces of the wafer W supported by the end surface support hands 31 and 32, and the wafer W can be held horizontally. The wafer W held horizontally is moved about 9 mm around a vertical axis passing through the center thereof.
And a rotary chuck 50 for rotating by 0 degrees.

【0016】一対の端面支持ハンド31,32は、ウエ
ハWの端面形状に対応して円弧状に湾曲した支持面31
a,32aを有している。そして、各支持面31a,3
2aが相対向するように端面支持ハンド31,32が配
設されている。この端面支持ハンド31,32は、それ
ぞれ、ウエハWの中心に近接する方向およびウエハWの
中心から離反する方向に変位することができるように構
成されている。これにより、ウエハWを一対の端面支持
ハンド31,32で挟持したり、ウエハWの挟持を解放
したりすることができる。このような端面支持ハンド3
1,32の近接/離反変位を実現するために、端面支持
ハンド31,32を駆動するためのハンド駆動機構33
が設けられている。
The pair of end surface support hands 31 and 32 are formed on a support surface 31 curved in an arc shape corresponding to the end surface shape of the wafer W.
a, 32a. And each support surface 31a, 3
End face support hands 31, 32 are arranged so that 2a faces each other. The end face support hands 31 and 32 are configured to be displaceable in a direction approaching the center of the wafer W and in a direction away from the center of the wafer W, respectively. Accordingly, the wafer W can be held between the pair of end surface support hands 31 and 32, and the holding of the wafer W can be released. Such an end surface support hand 3
Hand driving mechanism 33 for driving the end face supporting hands 31 and 32 in order to realize the approach / separation displacement of the end faces 1 and 32
Is provided.

【0017】両面ブラシ装置40は、ウエハWの表面を
スクラブ洗浄するための上ロールブラシ41と、ウエハ
Wの裏面をスクラブ洗浄するための下ロールブラシ42
とを備えている。上ロールブラシ41および下ロールブ
ラシ42(以下、総称する場合は、「ロールブラシ4
1,42」という。)の長さLは、端面支持ハンド3
1,32との干渉を避けることができるように、ウエハ
Wを挟持した状態のハンド31,32間の距離Dよりも
短くされている。上ロールブラシ41の軸41aは、一
対の端面支持ハンド31,32の配列方向に沿って水平
に配置されている。下ロールブラシ42の軸42aは、
上ロールブラシ41の軸41aの直下において当該軸4
1aに平行に配置されている。軸41a,42aには、
ブラシ回転機構43が結合されており、これにより、ロ
ールブラシ41,42は、それぞれ、正逆回転駆動され
る。スクラブ洗浄時には、後述するように、上ロールブ
ラシ41と下ロールブラシ42とは、互いに反対の方向
に回転する。
The double-sided brush device 40 includes an upper roll brush 41 for scrubbing the front surface of the wafer W and a lower roll brush 42 for scrubbing the back surface of the wafer W.
And Upper roll brush 41 and lower roll brush 42 (hereinafter collectively referred to as “roll brush 4
1, 42 ". ) The length L is the end face support hand 3
In order to avoid interference with the hands 1 and 32, the distance D between the hands 31 and 32 holding the wafer W is shorter than the distance D. The shaft 41a of the upper roll brush 41 is horizontally arranged along the direction in which the pair of end face support hands 31, 32 are arranged. The shaft 42a of the lower roll brush 42
The shaft 4 immediately below the shaft 41a of the upper roll brush 41
1a are arranged in parallel. On the shafts 41a and 42a,
The brush rotating mechanism 43 is connected, and thereby the roll brushes 41 and 42 are respectively driven to rotate forward and backward. At the time of scrub cleaning, as described later, the upper roll brush 41 and the lower roll brush 42 rotate in directions opposite to each other.

【0018】ロールブラシ41,42に関連して、これ
らの一対のロールブラシ41,42を軸41a,42a
に交差する水平方向に同時に搬送するためのブラシ搬送
機構44(水平移動手段)が備えられている。したがっ
て、一対のロールブラシ41,42を各軸41a,42
aまわりに回転させつつ、これらを搬送することによ
り、端面支持ハンド31,32に支持された状態のウエ
ハWの表面および裏面をスキャンしつつ、スクラブ洗浄
していくことができる。
In relation to the roll brushes 41, 42, these pair of roll brushes 41, 42 are connected to shafts 41a, 42a.
And a brush transport mechanism 44 (horizontal moving means) for simultaneously transporting in the horizontal direction intersecting with. Therefore, the pair of roll brushes 41, 42 are attached to each shaft 41a, 42.
By transporting these while rotating around a, scrub cleaning can be performed while scanning the front and back surfaces of the wafer W supported by the end surface support hands 31 and 32.

【0019】スクラブ洗浄時においてウエハWの表面お
よび裏面に洗浄液を供給するために、端面支持ハンド3
1,32に支持された状態のウエハWの上方および下方
に対応する位置には、それぞれ、洗浄液供給ノズル6
1,62(洗浄液供給手段)が配置されている。これら
の洗浄液供給ノズル61,62には、バルブ63を介し
てそれぞれ洗浄液が供給されるようになっている。
In order to supply a cleaning liquid to the front and back surfaces of the wafer W during scrub cleaning, the end face supporting hand 3 is used.
The cleaning liquid supply nozzles 6 are located at positions above and below the wafer W supported by the cleaning liquid supply nozzles 1 and 32, respectively.
1, 62 (cleaning liquid supply means) are arranged. A cleaning liquid is supplied to these cleaning liquid supply nozzles 61 and 62 via a valve 63, respectively.

【0020】一方、回転チャック50は、端面支持ハン
ド31,32に支持されたウエハWの下方に対応する位
置に配置されている。この回転チャック50は、円盤状
のチャック本体51と、このチャック本体51の周縁付
近において鉛直上方に向けて立設された4本のガイドピ
ン52と、ガイドピン52よりも内側において鉛直上方
に向けて立設された3本の支持ピン53とを有してい
る。チャック本体51の下面には回転軸54が固定され
ている。この回転軸54は、チャック駆動機構55(回
転手段および上下移動手段)によって正逆回転駆動さ
れ、また、上下方向に移動される。
On the other hand, the rotary chuck 50 is arranged at a position corresponding to a position below the wafer W supported by the end face supporting hands 31 and 32. The rotary chuck 50 has a disk-shaped chuck body 51, four guide pins 52 erected vertically upward near the periphery of the chuck body 51, and vertically vertically inside the guide pins 52. And three support pins 53 erected. A rotating shaft 54 is fixed to the lower surface of the chuck body 51. The rotating shaft 54 is driven to rotate forward and backward by a chuck driving mechanism 55 (a rotating unit and a vertical moving unit), and is moved in a vertical direction.

【0021】ガイドピン52の先端は、チャック本体5
1の中心に向かって下降するように傾斜しており、ウエ
ハWを所定位置に案内するための案内面をなしている。
支持ピン53は、ウエハWの周縁部に対応する位置に設
けられており、ウエハWの裏面を点接触で支持するよう
に構成されている。上述のハンド駆動機構33、ブラシ
回転機構43、ブラシ搬送機構44、チャック駆動機構
55、洗浄液の供給を制御するバルブ63は、制御部7
0によって統括的に制御される。制御部70は、CP
U、ROMおよびRAMを有するものであって、ROM
に格納された制御プログラムまたはRAMにロードされ
た処理プログラムに基づいて上記の各部を制御し、次に
説明するスクラブ洗浄動作を実現する。
The tip of the guide pin 52 is
1, and forms a guide surface for guiding the wafer W to a predetermined position.
The support pins 53 are provided at positions corresponding to the peripheral edge of the wafer W, and are configured to support the back surface of the wafer W by point contact. The above-described hand drive mechanism 33, brush rotation mechanism 43, brush transport mechanism 44, chuck drive mechanism 55, and valve 63 for controlling the supply of the cleaning liquid
0 is totally controlled. The control unit 70 controls the CP
U, ROM and RAM, wherein the ROM
The above-described units are controlled based on a control program stored in the CPU or a processing program loaded in the RAM, and a scrub cleaning operation described below is realized.

【0022】図3(a) ないし(c) 、図4(d) ないし(f)
、ならびに図5(g) および(h) を参照して、ウエハW
のスクラブ洗浄処理について説明する。なお、これらの
図において、上段に装置の平面視の構成の概要を示し、
下段に装置の正面視の構成の概要を示す。また、ウエハ
Wの表面の未洗浄の領域には斜線を付して示す。nは、
ウエハWの端面に形成されたノッチを表す。
FIGS. 3 (a) to 3 (c), FIGS. 4 (d) to 4 (f)
, And FIGS. 5 (g) and 5 (h), the wafer W
The scrub cleaning process will be described. In these figures, the upper part shows the outline of the configuration of the apparatus in plan view,
The lower part shows an outline of the configuration of the apparatus as viewed from the front. An uncleaned area on the surface of the wafer W is indicated by hatching. n is
This represents a notch formed on the end face of the wafer W.

【0023】まず、このウエハ洗浄装置に、図示しない
搬送ロボットによってウエハWが搬入されると、このウ
エハWは、一端、上昇位置(図3(c) に示す位置)にあ
る回転チャック50に保持される。その後、制御部70
がハンド駆動機構33を駆動制御することにより、ウエ
ハWは、端面支持ハンド31,32によって挟持され
る。その後、回転チャック50が下降して下降位置に導
かれることにより、図3(a) に示す状態となり、スクラ
ブ洗浄のための準備が完了する。このとき、両面ブラシ
装置40は、端面支持ハンド31,32に挟持されたウ
エハWを避けた位置にある。
First, when a wafer W is carried into the wafer cleaning apparatus by a transfer robot (not shown), the wafer W is held at one end by a rotary chuck 50 at a raised position (a position shown in FIG. 3C). Is done. After that, the control unit 70
Controls the drive of the hand drive mechanism 33, so that the wafer W is held between the end face support hands 31 and 32. Thereafter, the rotary chuck 50 is lowered and guided to the lowered position, and the state shown in FIG. 3A is obtained, and the preparation for scrub cleaning is completed. At this time, the double-sided brush device 40 is at a position avoiding the wafer W sandwiched between the end surface support hands 31 and 32.

【0024】次に、制御部70がブラシ搬送機構44お
よびブラシ回転機構43を制御することにより、両面ブ
ラシ装置40がウエハWに向かって矢印R1方向に向か
って搬送され、かつ、ロールブラシ41,42が回転駆
動される。このとき、ロールブラシ41,42は、洗浄
後の汚染物質がロールブラシ41,42の搬送方向に向
かって掃き出される方向にそれぞれ回転駆動され、結果
として、これらの一対のロールブラシ41,42は互い
に逆方向に回転駆動されることになる。
Next, the control unit 70 controls the brush transport mechanism 44 and the brush rotating mechanism 43 so that the double-sided brush device 40 is transported toward the wafer W in the direction of the arrow R1. 42 is driven to rotate. At this time, the roll brushes 41 and 42 are respectively driven to rotate in a direction in which the contaminated material after cleaning is swept out in the transport direction of the roll brushes 41 and 42. As a result, the pair of roll brushes 41 and 42 They are driven to rotate in opposite directions.

【0025】こうして、端面支持ハンド31,32によ
って挟持された状態のウエハWの表面および裏面は、ロ
ールブラシ41,42によってそれぞれスクラブされつ
つスキャンされていく。両面ブラシ装置40がウエハW
をスキャンし終わった状態が図3(b) に示されている。
この状態では、ウエハWの表面および裏面において、端
面支持ハンド31,32の近傍の一対の舟形の領域は、
未洗浄のまま残されている。この一対の舟形の領域の長
さL1は、ロールブラシ41,42の長さLよりも短
い。すなわち、ロールブラシ41,42の長さLと、端
面支持ハンド31の形状とは、上記一対の舟形の領域の
長さL1がロールブラシ41,42の長さLよりも短く
なるように形成されている。
Thus, the front and back surfaces of the wafer W sandwiched by the end surface support hands 31 and 32 are scanned while being scrubbed by the roll brushes 41 and 42, respectively. Double-sided brush device 40
FIG. 3 (b) shows a state where scanning has been completed.
In this state, a pair of boat-shaped areas near the end face support hands 31 and 32 on the front and back surfaces of the wafer W
Left unwashed. The length L1 of the pair of boat-shaped regions is shorter than the length L of the roll brushes 41 and 42. That is, the length L of the roll brushes 41 and 42 and the shape of the end face support hand 31 are formed such that the length L1 of the pair of boat-shaped regions is shorter than the length L of the roll brushes 41 and 42. ing.

【0026】なお、両面ブラシ装置40によるウエハW
の表裏面のスクラブ洗浄中には、制御部70は、バルブ
63を開成する。これにより、洗浄液供給ノズル61お
よび62から洗浄液がウエハWの表裏面に供給されてい
る状態で、スクラブ洗浄が行われることになる。次に、
制御部70は、チャック駆動機構55を制御し、回転チ
ャック50を上昇位置に導く。これにより、図3(c) に
示すように、支持ピン53がウエハWの裏面に当接した
状態で回転チャック50の上昇が停止する。
The wafer W by the double-sided brush device 40
The control unit 70 opens the valve 63 during the scrub cleaning of the front and back surfaces. Thus, scrub cleaning is performed in a state where the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzles 61 and 62 to the front and back surfaces of the wafer W. next,
The control unit 70 controls the chuck driving mechanism 55 to guide the rotary chuck 50 to the raised position. As a result, as shown in FIG. 3C, the lifting of the rotary chuck 50 is stopped while the support pins 53 are in contact with the back surface of the wafer W.

【0027】次いで、制御部70がハンド駆動機構33
を制御することにより、図4(d) に示すように、端面支
持ハンド31,32がウエハWの端面から後退し、ウエ
ハWの挟持が解放される。このとき、ウエハWは、専
ら、回転チャック50の支持ピン53によって支持され
た状態となる。この状態から、制御部70は、チャック
駆動機構55を制御し、図4(e) に示すように、チャッ
ク本体51をほぼ90度回転させる。図4(e) には、時
計まわり方向にチャック本体51が回転される例が示さ
れているが、反時計まわりに回転しても差し支えない。
こうして、チャック本体51とともに、ウエハWがほぼ
90度回転することになる。その結果、舟形の未洗浄領
域は、図4(e) から理解されるように、ロールブラシ4
1,42の経路上に導かれる。
Next, the control unit 70 controls the hand drive mechanism 33
As shown in FIG. 4D, the end face supporting hands 31, 32 are retracted from the end face of the wafer W, and the holding of the wafer W is released. At this time, the wafer W is exclusively supported by the support pins 53 of the rotary chuck 50. From this state, the control unit 70 controls the chuck driving mechanism 55 to rotate the chuck main body 51 substantially 90 degrees as shown in FIG. FIG. 4E shows an example in which the chuck body 51 is rotated clockwise, but it may be rotated counterclockwise.
Thus, the wafer W is rotated by approximately 90 degrees together with the chuck body 51. As a result, as shown in FIG.
1,42.

【0028】次に、制御部70は、ハンド駆動機構33
を制御し、図4(f) に示すように、端面支持ハンド3
1,32によってウエハWを挟持させる。その後、制御
部70は、チャック駆動機構55を制御して、回転チャ
ック50を下降位置に導く。これにより、図5(g) の状
態となる。そして、制御部70は、ブラシ回転機構43
を制御することによって上下のロールブラシ41および
42を回転させ、ブラシ搬送機構44を制御することに
よってロールブラシ41,42をウエハWに向かって矢
印R2方向に搬送させる。さらに、制御部70は、バル
ブ63を開成することによって、ウエハWの上下の洗浄
液供給ノズル61,62からウエハWの表面および裏面
に洗浄液を供給させる。なお、上下のロールブラシ4
1,42の回転方向は、これらのロールブラシ41,4
2の搬送方向に向かって汚染物質を掃き出す方向であ
り、上下のロールブラシ41,42の回転方向は互いに
逆方向となる。
Next, the controller 70 controls the hand driving mechanism 33
And the end face supporting hand 3 is controlled as shown in FIG.
The wafer W is sandwiched between the wafers 1 and 32. Thereafter, the control unit 70 controls the chuck driving mechanism 55 to guide the rotary chuck 50 to the lowered position. As a result, the state shown in FIG. The control unit 70 controls the brush rotation mechanism 43
, The upper and lower roll brushes 41 and 42 are rotated, and the brush transport mechanism 44 is controlled to transport the roll brushes 41 and 42 toward the wafer W in the arrow R2 direction. Further, the control unit 70 supplies the cleaning liquid to the front and back surfaces of the wafer W from the cleaning liquid supply nozzles 61 and 62 above and below the wafer W by opening the valve 63. The upper and lower roll brushes 4
The rotation direction of the roll brushes 41, 4
This is a direction in which contaminants are swept out toward the transport direction of No. 2 and the rotation directions of the upper and lower roll brushes 41 and 42 are opposite to each other.

【0029】上述のとおり、舟形の未洗浄領域は、ロー
ルブラシ41,42の経路上にあるから、ロールブラシ
41,42がウエハWの反対側まで搬送された後には、
図5(h) に示すように、ウエハWの表面および裏面に未
洗浄領域が残ることはない。こうして、ウエハWの表面
および裏面の全域が隈無くスクラブ洗浄される。この後
には、制御部70は、ブラシ回転機構43を制御して、
ロールブラシ41,42の回転を停止し、ブラシ搬送機
構44を制御して、両面ブラシ装置40の搬送を停止す
る。また、制御部70はバルブ63を閉じ、洗浄液供給
ノズル61,62からウエハWの表裏面への洗浄液の供
給を停止する。
As described above, since the boat-shaped uncleaned area is on the path of the roll brushes 41 and 42, after the roll brushes 41 and 42 are transported to the opposite side of the wafer W,
As shown in FIG. 5H, no uncleaned area remains on the front and back surfaces of the wafer W. In this way, the entire area of the front and back surfaces of the wafer W is scrub-cleaned. After this, the control unit 70 controls the brush rotation mechanism 43 to
The rotation of the roll brushes 41 and 42 is stopped, and the brush transfer mechanism 44 is controlled to stop the transfer of the double-sided brush device 40. Further, the controller 70 closes the valve 63 and stops the supply of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzles 61 and 62 to the front and back surfaces of the wafer W.

【0030】次いで、制御部70は、チャック駆動機構
55を制御して、回転チャック50を上昇位置に導き、
ハンド駆動機構33を制御して端面支持ハンド31,3
2によるウエハWの挟持を解放させる。この後には、図
示しない搬送ロボットによって、回転チャック50に保
持されているウエハWが搬出される。以上のようにこの
実施形態によれば、ウエハWを端面で挟持し、この状態
のウエハWの表面および裏面を両面ブラシ装置40によ
ってスクラブ洗浄するようにしている。そして、両面ブ
ラシ装置40は、ウエハWを2回に渡ってスキャンし、
1回目のスキャンと2回目のスキャンとの間に、ウエハ
Wはほぼ90度だけ回転される。これにより、1回目の
スキャンの後に未洗浄のままで残された舟形の領域は、
2回目のスキャン時にスクラブ洗浄されることになる。
こうし、ウエハWの表面および裏面は隈無くスクラブ洗
浄され、しかも、ウエハWの支持は端面で挟持すること
によって達成されているから、洗浄後のウエハWの表面
および裏面に汚染が生じることがない。
Next, the control unit 70 controls the chuck driving mechanism 55 to guide the rotary chuck 50 to the raised position,
By controlling the hand driving mechanism 33, the end face supporting hands 31, 3 are controlled.
2 is released. Thereafter, the wafer W held by the rotary chuck 50 is carried out by a transfer robot (not shown). As described above, according to this embodiment, the wafer W is sandwiched between the end faces, and the front and back surfaces of the wafer W in this state are scrub-cleaned by the double-sided brush device 40. Then, the double-sided brush device 40 scans the wafer W twice.
Between the first scan and the second scan, the wafer W is rotated by approximately 90 degrees. This leaves the boat-shaped area left uncleaned after the first scan,
Scrub cleaning will be performed during the second scan.
In this way, the front and back surfaces of the wafer W are scrub-cleaned thoroughly, and moreover, since the support of the wafer W is achieved by being sandwiched between the end surfaces, contamination may occur on the front and back surfaces of the cleaned wafer W. Absent.

【0031】また、両面ブラシ装置40を水平移動させ
る構成であるので、1つの両面ブラシ装置40によりウ
エハWのスクラブ洗浄を繰り返し行える。そのため、端
面支持ハンドおよび回転チャックならびにこれらに関連
する構成を1つずつ設ければよいから、装置を小型に構
成することができ、装置省スペース化が可能となる。図
6は、この発明の第2の実施形態に係るウエハ洗浄装置
の基本的な構成を示す概念図である。上記第1の実施形
態の装置は両面ブラシ装置40が移動してウエハWをス
クラブする構成であるのに対して、この第2の実施形態
の装置では、両面ブラシ装置は固定配置され、ウエハW
を端面で挟持する端面支持ハンドが水平移動する構成と
なっている。
Further, since the double-sided brush unit 40 is configured to move horizontally, the scrub cleaning of the wafer W can be repeatedly performed by one double-sided brush unit 40. Therefore, the end face supporting hand, the rotary chuck, and the components related to them need only be provided one by one, so that the device can be configured to be small and the device can be saved in space. FIG. 6 is a conceptual diagram showing a basic configuration of a wafer cleaning apparatus according to the second embodiment of the present invention. The apparatus according to the first embodiment has a configuration in which the double-sided brush apparatus 40 moves to scrub the wafer W, whereas the apparatus according to the second embodiment has a fixed arrangement of the double-sided brush apparatus and the wafer W
Is held horizontally by an end face support hand that holds the end face at the end face.

【0032】具体的に説明すれば、このウエハ洗浄装置
は、第1の実施形態における両面ブラシ装置40と同様
な構成を有する第1および第2の両面ブラシ装置40A
および40Bを有している。ただし、これらの両面ブラ
シ装置40Aおよび40Bは、固定配置されていて、移
動可能なようには構成されていない。両面ブラシ装置4
0Aおよび40Bは、それぞれのロールブラシが互いに
平行になるように水平方向に間隔を開けて配置されてい
る。そして、第1の両面ブラシ装置40Aを挟むよう
に、第1のチャック50Aおよび回転チャック50Bが
配置されている。この回転チャック50Bは、結局、第
1の両面ブラシ装置40Aと第2の両面ブラシ装置40
Bとの間に位置している。
More specifically, this wafer cleaning apparatus has first and second double-sided brush units 40A having the same configuration as the double-sided brush unit 40 in the first embodiment.
And 40B. However, these double-sided brush devices 40A and 40B are fixedly arranged and are not configured to be movable. Double-sided brush device 4
0A and 40B are spaced apart in the horizontal direction so that the roll brushes are parallel to each other. The first chuck 50A and the rotary chuck 50B are arranged so as to sandwich the first double-sided brush device 40A. This rotary chuck 50B is, after all, a first double-sided brush device 40A and a second double-sided brush device 40A.
B.

【0033】さらに、第2の両面ブラシ装置40Bの回
転チャック50Bとは反対側には、スクラブ洗浄処理が
終了したウエハWを一時載置するための第2のチャック
50Cが設けられている。ここで、回転チャック50B
は、第1の実施形態における回転チャック50とほぼ同
様な構成を有している。また、第1のチャック50Aお
よび第2のチャック50Cは、上下動が可能であるよう
に構成されている。また、第1および第2のチャック5
0A,50Cとして、上下動が可能な回転チャックを適
用してもよい。
Further, on the opposite side of the rotary chuck 50B of the second double-sided brush device 40B, there is provided a second chuck 50C for temporarily placing the wafer W on which the scrub cleaning process has been completed. Here, the rotary chuck 50B
Has substantially the same configuration as the rotary chuck 50 in the first embodiment. The first chuck 50A and the second chuck 50C are configured to be able to move up and down. Also, the first and second chucks 5
As 0A and 50C, a rotary chuck that can move up and down may be used.

【0034】この装置には、また、2対の端面支持ハン
ド31A,32A;31B,32Bが設けられている。
すなわち、第1のチャック50Aに関連して、第1の端
面支持ハンド31A,32Aが設けられており、回転チ
ャック50Bに関連して、第2の端面支持ハンド31
B,32Bが設けられている。第1および第2の端面支
持ハンド31A,32A;31B,32Bの構成は、第
1の実施形態における端面支持ハンド31,32の構成
と同様であるが、これらは、両面ブラシ装置40A,4
0Bの各ロールブラシの長手方向に直交する方向に水平
移動が可能なように構成されている点が異なる。すなわ
ち、第1の端面支持ハンド31A,32Aは、図示の位
置から、第2の端面支持ハンド31B,32Bの図示位
置までの範囲100Aで往復移動することができる。ま
た、第2の端面支持ハンド31B,32Bは、図示の位
置から、第2のチャック50Cに関連して仮想線で示し
た位置までの範囲100Bで往復移動することができ
る。
This device is also provided with two pairs of end face support hands 31A, 32A; 31B, 32B.
That is, the first end face supporting hands 31A, 32A are provided in relation to the first chuck 50A, and the second end face supporting hands 31A, 32A are related to the rotary chuck 50B.
B, 32B. The configuration of the first and second end face support hands 31A, 32A; 31B, 32B is the same as the configuration of the end face support hands 31, 32 in the first embodiment, but these are two-sided brush devices 40A, 4A.
OB is different in that it is configured to be able to move horizontally in a direction perpendicular to the longitudinal direction of each of the roll brushes 0B. That is, the first end face support hands 31A, 32A can reciprocate in a range 100A from the illustrated position to the illustrated position of the second end face support hands 31B, 32B. Further, the second end face support hands 31B and 32B can reciprocate in a range 100B from the illustrated position to a position indicated by a virtual line in relation to the second chuck 50C.

【0035】ウエハWをスクラブするときの処理の流れ
について説明する。未処理のウエハWは、第1のチャッ
ク50Aに搬入されて保持される。この保持されたウエ
ハWは、第1の端面支持ハンド31A,32Aによって
挟持される。第1のチャック50Aが下降して退避した
後、ウエハWを保持した第1の端面支持ハンド31A,
32Bは、矢印R11方向に向けて水平移動する。この
とき、第1の両面ブラシ装置40Aが有する上下のロー
ルブラシが回転駆動され、また、両面ブラシ装置40A
に関連して設けられた洗浄液供給ノズル(図示せず)
は、端面支持ハンド31A,32Aに挟持されて搬送さ
れているウエハWの表面および裏面に洗浄液を供給す
る。
The process flow for scrubbing the wafer W will be described. The unprocessed wafer W is carried into and held by the first chuck 50A. The held wafer W is held between the first end surface support hands 31A and 32A. After the first chuck 50A descends and retreats, the first end surface support hand 31A holding the wafer W,
32B moves horizontally in the direction of arrow R11. At this time, the upper and lower roll brushes of the first double-sided brush device 40A are driven to rotate, and the double-sided brush device 40A is rotated.
Cleaning liquid supply nozzle (not shown) provided in connection with
Supplies the cleaning liquid to the front and back surfaces of the wafer W which is being conveyed while being held between the end surface support hands 31A and 32A.

【0036】こうして、第1の端面支持ハンド31A,
32Aが第2の端面支持ハンド31B,32Bの図示位
置まで移動すると、両面ブラシ装置40Aによるウエハ
Wのスクラブ洗浄が完了する。このとき、ウエハWの表
面および裏面には、上記第1の実施形態における図3
(b) の場合と同様、端面支持ハンド31A,32Bの近
傍に、一対の舟形の未洗浄領域が生じている。
Thus, the first end surface supporting hand 31A,
When 32A moves to the illustrated position of the second end surface support hands 31B and 32B, the scrub cleaning of the wafer W by the double-sided brush device 40A is completed. At this time, the front surface and the back surface of the wafer W are shown in FIG.
As in the case of (b), a pair of boat-shaped unwashed areas are formed near the end face supporting hands 31A and 32B.

【0037】なお、第1の端面支持ハンド31A,32
Aが水平移動するとき、第2の端面支持ハンド31B,
32Bも水平移動する。すなわち、これらは、常時、並
行移動するようになっている。第1の端面支持ハンド3
1A,32Aが回転チャック50Bの上方の位置に達す
ると、この回転チャック50Bが上昇してウエハWを支
持する。その後、第1の端面支持ハンド31A,32A
は、それぞれ、ウエハWから離反する方向に変位し、ウ
エハWの挟持を解放する。その後、第1の端面支持ハン
ド31A,32Aは、矢印R12方向に変位して、第1
のチャック50Aの位置まで戻る。
The first end surface support hands 31A, 32
When A moves horizontally, the second end surface support hand 31B,
32B also moves horizontally. That is, they always move in parallel. First end face support hand 3
When 1A and 32A reach a position above the rotary chuck 50B, the rotary chuck 50B rises and supports the wafer W. Then, the first end surface supporting hands 31A, 32A
Are displaced in a direction away from the wafer W, respectively, to release the holding of the wafer W. Thereafter, the first end surface support hands 31A and 32A are displaced in the direction of arrow R12, and
To the position of the chuck 50A.

【0038】回転チャック50Bに保持されたウエハW
は、ほぼ90度回転される。これにより、舟形の未洗浄
領域は、両面洗浄装置40Bのロールブラシとほぼ平行
な方向を向く。回転後のウエハWは、第1の端面支持ハ
ンド31A,32Aの動作と同期して回転チャック50
Bに戻ってくる第2の端面支持ハンド31B,32Bに
よって挟持される。
The wafer W held by the rotary chuck 50B
Are rotated approximately 90 degrees. Thus, the boat-shaped uncleaned area is oriented substantially parallel to the roll brush of the double-sided cleaning device 40B. The rotated wafer W is transferred to the rotary chuck 50 in synchronization with the operation of the first end surface support hands 31A and 32A.
The second end face supporting hands 31B and 32B returning to the position B are sandwiched.

【0039】その後、回転チャック50Bが下降して退
避した後、第2の端面支持ハンド31B,32Bは、矢
印R11方向に水平移動する。その一方で、第2の両面
ブラシ装置40Bが有する上下のロールブラシが回転駆
動され、また、両面ブラシ装置40Bに関連して設けら
れた洗浄液供給ノズルから、端面支持ハンド31B,3
2Bによって挟持された状態で搬送されるウエハWの表
面および裏面に洗浄液が供給される。
Thereafter, after the rotary chuck 50B descends and retracts, the second end surface support hands 31B and 32B move horizontally in the direction of arrow R11. On the other hand, the upper and lower roll brushes of the second double-sided brush device 40B are driven to rotate, and the cleaning liquid supply nozzles provided in association with the double-sided brush device 40B are used to feed the end face supporting hands 31B, 3B.
The cleaning liquid is supplied to the front surface and the back surface of the wafer W transported while being sandwiched by 2B.

【0040】第2の端面支持ハンド31B,32Bが第
2のチャック50Cの位置まで搬送される過程で、ウエ
ハWの表面および裏面は、両面ブラシ装置40Bによる
スクラブ洗浄を受ける。このとき、第1の両面ブラシ装
置40Aによるスクラブ洗浄の際に未洗浄の状態で残さ
れた舟形の領域は両面ブラシ装置40Bのロールブラシ
によってスキャンされて洗浄される。その結果、ウエハ
Wの表面および裏面の全域が隈無くスクラブ洗浄を受け
ることになる。
In the process in which the second end face supporting hands 31B and 32B are transported to the position of the second chuck 50C, the front and back surfaces of the wafer W undergo scrub cleaning by the double-sided brush device 40B. At this time, the boat-shaped area left uncleaned at the time of scrub cleaning by the first double-sided brush device 40A is scanned and cleaned by the roll brush of the double-sided brush device 40B. As a result, the entire area of the front surface and the back surface of the wafer W undergoes scrub cleaning.

【0041】第2の端面支持ハンド31B,32Bが第
2のチャック50Cに達すると、第2のチャック50C
が上昇し、ウエハWを支持する。その後、第2の端面支
持ハンド31B,32Bは、それぞれ、ウエハWから離
反する方向に変位し、ウエハWの挟持を解放する。こう
して、スクラブ洗浄処理の完了したウエハWは、図示し
ない搬送ロボットによって、第2のチャック50Cから
搬出されることになる。第2のチャック50Cが回転チ
ャックである場合には、ウエハWを90度回転して搬入
時の姿勢に戻してから、搬送ロボットに受け渡すように
してもよい。
When the second end face supporting hands 31B and 32B reach the second chuck 50C, the second chuck 50C
Rise to support the wafer W. Thereafter, the second end face support hands 31B and 32B are displaced in a direction away from the wafer W, respectively, and release the holding of the wafer W. Thus, the wafer W having undergone the scrub cleaning process is carried out of the second chuck 50C by the transfer robot (not shown). When the second chuck 50C is a rotary chuck, the wafer W may be rotated by 90 degrees to return to the attitude at the time of loading, and then transferred to the transfer robot.

【0042】第2の端面支持ハンド31B,32Bは、
その後、回転チャック50Bの位置まで矢印R12方向
に水平移動する。回転チャック50Bに端面支持ハンド
31B,32Bが戻ったときには、次のウエハWが回転
チャック50Bに保持されている。すなわち、第2の端
面支持ハンド31B,32Bが移動してウエハWのスク
ラブ洗浄が行われている期間には、同時に、第1の端面
支持ハンド31A,32Aが水平移動して別のウエハに
対するスクラブ洗浄が行われている。したがって、この
装置では、2枚のウエハに対するスクラブ洗浄を並行し
て実施することができる。
The second end face supporting hands 31B, 32B are
Thereafter, it is horizontally moved in the direction of arrow R12 to the position of the rotary chuck 50B. When the end face supporting hands 31B and 32B return to the rotary chuck 50B, the next wafer W is held by the rotary chuck 50B. That is, while the second end face supporting hands 31B and 32B are moving and the scrub cleaning of the wafer W is being performed, the first end face supporting hands 31A and 32A are simultaneously moved horizontally to scrub another wafer. Cleaning has been performed. Therefore, in this apparatus, scrub cleaning for two wafers can be performed in parallel.

【0043】以上のようにこの第2の実施形態によれ
ば、端面において支持されたウエハWの表面および裏面
が2回に渡って両面ブラシ装置によりスキャンされ、1
回目のスキャンと2回目のスキャンとの間に、ウエハW
はほぼ90度回転される。これにより、上記の第1の実
施形態の場合と同様な効果を達成できる。図7は、この
発明の第3の実施形態に係る基板洗浄装置の基本的な構
成を示す概念図である。この基板洗浄装置は、液晶表示
装置用ガラス基板のような長方形の基板Sをスクラブ洗
浄するためのものであり、上記第2の実施形態の装置と
類似の構成を有する。すなわち、平行に配置された一対
の両面ブラシ装置81,82と、両面ブラシ装置81の
両側に配置された第1のチャック83および回転チャッ
ク84と、洗浄処理が完了した基板が載置される第2の
チャック87と、第1のチャック83と回転チャック8
4との間で移動可能な端面支持ハンド85,86と、回
転チャック84と第2のチャック87との間で移動可能
な端面支持ハンド88,89とを有している。
As described above, according to the second embodiment, the front surface and the back surface of the wafer W supported on the end surface are scanned twice by the double-sided brush device, and 1
Between the second scan and the second scan, the wafer W
Is rotated approximately 90 degrees. Thereby, the same effect as in the case of the first embodiment can be achieved. FIG. 7 is a conceptual diagram showing a basic configuration of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention. This substrate cleaning device is for scrub cleaning a rectangular substrate S such as a glass substrate for a liquid crystal display device, and has a configuration similar to that of the device of the second embodiment. That is, a pair of double-sided brush devices 81 and 82 arranged in parallel, a first chuck 83 and a rotary chuck 84 arranged on both sides of the double-sided brush device 81, and a second substrate on which the substrate subjected to the cleaning process is placed. Second chuck 87, first chuck 83 and rotary chuck 8
4 and end face support hands 88 and 89 that can move between the rotary chuck 84 and the second chuck 87.

【0044】両面ブラシ装置81,82の構成および動
作は、上記第2の実施形態における第1および第2の両
面ブラシ装置40の構成および動作とほぼ同様である。
ただし、この実施形態においては、処理対象の基板Sが
長方形であるので、両面ブラシ装置81のロールブラシ
の長さは、基板Sの短辺よりもやや短くなっており、両
面ブラシ82のロールブラシの長さは、基板Sの長辺よ
りもやや短くなっている。
The configuration and operation of the double-sided brush devices 81 and 82 are substantially the same as the configuration and operation of the first and second double-sided brush devices 40 in the second embodiment.
However, in this embodiment, since the substrate S to be processed is rectangular, the length of the roll brush of the double-sided brush device 81 is slightly shorter than the short side of the substrate S, Is slightly shorter than the long side of the substrate S.

【0045】回転チャック84は、上記第2の実施形態
における回転チャック50Bと類似の構成を有し、ま
た、第1および第2のチャック83,87は、上記第2
の実施形態における第1および第2のチャック50A,
50Cと類似の構成を有し、ほぼ同様に動作する。ただ
し、基板Sの4角に対応する位置に各一対ずつコーナー
ピン97が立設されており、ウエハよりもはるかに大き
な長方形の基板Sを保持して回転させることができるよ
うになっている点が異なる。
The rotary chuck 84 has a configuration similar to that of the rotary chuck 50B in the second embodiment, and the first and second chucks 83 and 87 include the second chuck 83 and 87 in the second embodiment.
The first and second chucks 50A,
It has a configuration similar to that of 50C and operates almost the same. However, a pair of corner pins 97 are provided upright at positions corresponding to the four corners of the substrate S, so that the rectangular substrate S, which is much larger than the wafer, can be held and rotated. Are different.

【0046】端面支持ハンド85,86;88,89
は、第2の実施形態における第1および第2の端面支持
ハンド31A,32A;31B,32Bと類似の構成を
有し、かつ、ほぼ同様に動作する。ただし、端面支持ハ
ンド85,86;88,89の基板当接面は、基板Sの
形状に合わせて直線的な平坦面となっている。この構成
により、第2の実施形態の場合と同様にして、長方形の
基板Sに対し、基板Sの方向をほぼ90度異ならせて、
2回のスクラブ処理が施される。その際、参照符号90
で示すように、基板Sの四隅には、未洗浄領域が残され
るが、この未洗浄領域が基板Sの製品としての使用領域
外であれば、実用上の問題が生じることはない。
End supporting hands 85, 86; 88, 89
Has a configuration similar to the first and second end face support hands 31A, 32A; 31B, 32B in the second embodiment, and operates in substantially the same manner. However, the substrate contact surfaces of the end surface support hands 85, 86; 88, 89 are linear flat surfaces according to the shape of the substrate S. With this configuration, as in the case of the second embodiment, the direction of the substrate S is made to differ from the rectangular substrate S by approximately 90 degrees,
Two scrubbing treatments are performed. At that time, reference numeral 90
As shown by, uncleaned areas are left at the four corners of the substrate S, but practical problems will not occur if the uncleaned areas are outside the use area of the substrate S as a product.

【0047】図8は、この発明の第4の実施形態に係る
基板処理装置の構成を説明するための図である。この実
施形態の装置は第3の実施形態の装置と類似の構成を有
するので、同等の部分には同一の参照符号を付して示
す。この実施形態の装置が備える第1の端面支持ハンド
91,92は、その基板当接面91a,92aが、基板
Sの搬送方向R21に対して同じ角度(基板Sの搬送方
向に対してθ/2だけ傾斜した角度)だけ傾斜して形成
されているものである。また、第2の端面支持ハンド9
3,94は、その基板当接面93a,94aが、第1の
対面支持ハンド91,92とは逆方向に同じ角度(基板
Sの搬送方向に対してθ/2だけ傾斜した角度)だけ傾
斜して形成されているものである。一方、両面ブラシ装
置81,82の間の回転チャック84は、第1の端面支
持ハンド91,92と第2の端面支持ハンド93,94
との各基板当接面が水平面内においてなす角の補角θの
分だけ時計まわり方向に基板Sを回転する。
FIG. 8 is a view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. Since the device of this embodiment has a configuration similar to that of the device of the third embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals. In the first end surface supporting hands 91 and 92 provided in the apparatus of this embodiment, the substrate contact surfaces 91a and 92a have the same angle with respect to the substrate S transport direction R21 (θ / (An angle inclined by 2). In addition, the second end surface support hand 9
3 and 94, the substrate contact surfaces 93a and 94a are inclined by the same angle (the angle inclined by θ / 2 with respect to the transport direction of the substrate S) in the opposite direction to the first facing support hands 91 and 92. It is formed as follows. On the other hand, the rotary chuck 84 between the two-sided brush devices 81 and 82 is provided with first end face support hands 91 and 92 and second end face support hands 93 and 94.
The substrate S is rotated clockwise by the supplementary angle θ of the angle formed by each substrate contact surface in the horizontal plane.

【0048】第1の端面支持ハンド91,92の動作
は、上記第2の実施形態における第1の端面支持ハンド
31A,32Aの動作と同様であり、第2の端面支持ハ
ンド93,94の動作は、上記第2の実施形態における
第2の端面支持ハンド31B,32Bの動作と同様であ
る。この構成によれば、両面ブラシ装置81によって1
回目のスクラブ洗浄を受けた後の基板Sの表面および裏
面には、一対の対角付近にそれぞれ三角形の未洗浄領域
が生じる。しかし、この未洗浄領域は、回転チャック8
4における角度θの回転により、両面ブラシ装置82に
よる2回目のスクラブ洗浄時にスキャンされることにな
る。その結果、基板Sの表裏面の全域をスクラブ洗浄す
ることができる。
The operation of the first end surface support hands 91 and 92 is the same as the operation of the first end surface support hands 31A and 32A in the second embodiment, and the operation of the second end surface support hands 93 and 94. Is the same as the operation of the second end surface support hands 31B and 32B in the second embodiment. According to this configuration, one-sided brush device 81
On the front surface and the back surface of the substrate S after the second scrub cleaning, triangular uncleaned regions are respectively formed near a pair of diagonals. However, this uncleaned area is not
By the rotation of the angle θ in 4, scanning is performed at the time of the second scrub cleaning by the double-sided brush device 82. As a result, the entire area of the front and back surfaces of the substrate S can be scrub-cleaned.

【0049】なお、基板Sは、搬送方向R21に対して
傾斜した状態で端面支持ハンドによって支持されること
になるが、搬送ロボットによる第1のチャック83への
基板の搬入または第2のチャック87からの基板の搬出
の際には、基板を搬送方向R21に沿って保持するよう
にしてもよい。すなわち、第1のチャック83および第
2のチャック87において、θ/2だけ回転させること
により、搬送ロボットによって搬送されるときの基板の
方向と、端面支持ハンドによって支持されるときの基板
の方向との差を吸収できる。
The substrate S is supported by the end face support hand in a state inclined with respect to the transport direction R21. However, the transport robot transports the substrate into the first chuck 83 or the second chuck 87. When the substrate is unloaded from the substrate, the substrate may be held along the transport direction R21. That is, by rotating the first chuck 83 and the second chuck 87 by θ / 2, the direction of the substrate when transferred by the transfer robot and the direction of the substrate when supported by the end face support hand are changed. Difference can be absorbed.

【0050】また、基板Sを上記第3の実施形態の場合
と同様に両面ブラシ装置の長手方向に側辺が沿う状態で
支持し、両面ブラシ装置に対して傾斜した方向に基板S
を搬送するようにしても、基板Sをロールブラシによっ
て斜めにスキャンできる。したがって、このようにして
も、上記の場合と同様、基板Sの表裏面の全域を隈無く
スクラブ洗浄できる。
Further, the substrate S is supported with the sides along the longitudinal direction of the double-sided brush device as in the case of the third embodiment, and the substrate S is tilted with respect to the double-sided brush device.
, The substrate S can be scanned obliquely by a roll brush. Therefore, even in this case, as in the case described above, the entire area of the front and back surfaces of the substrate S can be scrub-cleaned.

【0051】この発明の4つの実施形態について説明し
てきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されるもの
ではない。たとえば、上記第1の実施形態の説明におい
て、両面ブラシ装置40によるウエハWのスキャンを2
回行うようにしたが、両面ブラシ装置40によるウエハ
Wのスキャンを3回以上行うようにしてもよい。この場
合には、2回の洗浄でウエハWの表裏面の全域のスクラ
ブ洗浄を完了する必要がないから、各回のスキャンの間
に、90度よりも少ない角度だけウエハWを回転するよ
うにすることもできる。
Although four embodiments of the present invention have been described, the present invention is not limited to these embodiments. For example, in the description of the first embodiment, the scanning of the wafer W by the
Although the scanning is performed twice, the scanning of the wafer W by the double-sided brush device 40 may be performed three times or more. In this case, it is not necessary to complete the scrub cleaning of the entire area of the front and back surfaces of the wafer W by two cleanings. Therefore, the wafer W is rotated by an angle smaller than 90 degrees between each scan. You can also.

【0052】また、上記第1および第2の実施形態にお
いては、ウエハWが両面ブラシ装置による1回目のスキ
ャンを受けた後に、90度だけウエハを回転させるよう
にしているが、1回目のスキャンの後に残る未洗浄領域
の長さがロールブラシの長さに比較して十分に短い場合
には、90度よりも小さい角度、または、90度よりも
大きい角度だけウエハWを回転するようにしても、2回
目のスキャンによって、未洗浄領域を生じさせることな
くウエハWのスクラブ洗浄を行える。
In the first and second embodiments, the wafer W is rotated by 90 degrees after the first scan of the wafer W by the double-sided brush device. However, the first scan is performed. If the length of the uncleaned area remaining after the step is sufficiently shorter than the length of the roll brush, the wafer W is rotated by an angle smaller than 90 degrees or an angle larger than 90 degrees. Also, the scrub cleaning of the wafer W can be performed by the second scan without generating an uncleaned area.

【0053】さらに、上記第2、第3および第4の実施
形態においては、2つの両面ブラシ装置が備えられてい
るが、3つ以上の両面ブラシ装置を備え、スクラブ洗浄
のためのウエハWまたは基板Sのスキャンを3回以上行
えるようにしてもよい。この場合には、2回の洗浄でウ
エハWまたは基板Sの表裏面の全域のスクラブ洗浄を完
了する必要がないから、各回のスキャンの間に、90度
またはθよりも少ない角度だけウエハWまたは基板を回
転するようにすることもできる。
Further, in the second, third, and fourth embodiments, two double-sided brush units are provided. However, three or more double-sided brush units are provided, and the wafer W or scrubbed wafer W for scrub cleaning is provided. The substrate S may be scanned three or more times. In this case, since it is not necessary to complete the scrub cleaning of the entire front and back surfaces of the wafer W or the substrate S by two cleanings, the wafer W or the angle smaller than θ by 90 degrees or θ between each scan. The substrate may be rotated.

【0054】また、上記第1ないし第4の実施形態にお
いては、ロールブラシによってウエハWまたは基板Sの
表裏面を洗浄する構成について説明したが、これに代え
てディスクブラシを用いた両面洗浄手段が適用されても
よい。さらに、上記第1ないし第4の実施形態において
は、ウエハWまたは基板Sを回転または上下動させるた
めのチャックをウエハWまたは基板Sの下方に設けてい
るが、同様な機能を達成できるチャックをウエハWまた
は基板Sの上方に設けてもよい。
In the first to fourth embodiments, the structure in which the front and back surfaces of the wafer W or the substrate S are cleaned by the roll brush has been described. Alternatively, a double-side cleaning means using a disk brush may be used. May be applied. Further, in the first to fourth embodiments, the chuck for rotating or vertically moving the wafer W or the substrate S is provided below the wafer W or the substrate S. It may be provided above the wafer W or the substrate S.

【0055】また、上記第1ないし第4の実施形態にお
いては、ウエハWまたは基板Sをチャックに保持させる
ために、上下動が可能なチャックを用いているが、チャ
ックを上下動させる代わりに、端面支持ハンドを上下動
させるようにしてもよい。その他、特許請求の範囲に記
載された範囲で種々の変更を施すことが可能である。
In the first to fourth embodiments, the chuck that can move up and down is used to hold the wafer W or the substrate S on the chuck, but instead of moving the chuck up and down, The end surface support hand may be moved up and down. In addition, various changes can be made within the scope described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るウエハ洗浄装置
の基本的な構成を示す概念図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a basic configuration of a wafer cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】上記第1の実施形態のウエハ洗浄装置の主とし
て正面から見た構成を示す概念図である。
FIG. 2 is a conceptual diagram mainly showing a configuration of the wafer cleaning apparatus according to the first embodiment as viewed from the front.

【図3】上記第1の実施形態のウエハ洗浄装置によるス
クラブ洗浄処理の流れを説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a flow of a scrub cleaning process by the wafer cleaning apparatus according to the first embodiment.

【図4】上記第1の実施形態のウエハ洗浄装置によるス
クラブ洗浄処理の流れを説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a flow of a scrub cleaning process by the wafer cleaning apparatus of the first embodiment.

【図5】上記第1の実施形態のウエハ洗浄装置によるス
クラブ洗浄処理の流れを説明するための図である。
FIG. 5 is a view for explaining a flow of a scrub cleaning process by the wafer cleaning apparatus of the first embodiment.

【図6】本発明の第2の実施形態に係るウエハ洗浄装置
の基本的な構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view illustrating a basic configuration of a wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3の実施形態に係る基板洗浄装置の
基本的な構成を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view illustrating a basic configuration of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施形態に係る基板処理装置の
基本的な構成を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view illustrating a basic configuration of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】ウエハの洗浄のための従来技術を示す概念図で
ある。
FIG. 9 is a conceptual diagram showing a conventional technique for cleaning a wafer.

【図10】ウエハの洗浄のための他の従来技術を示す概
念図である。
FIG. 10 is a conceptual diagram showing another conventional technique for cleaning a wafer.

【図11】液晶表示装置用ガラス基板の洗浄のための従
来技術を示す概念図である。
FIG. 11 is a conceptual view showing a conventional technique for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device.

【図12】液晶表示装置用ガラス基板の洗浄のための他
の従来技術を示す概念図である。
FIG. 12 is a conceptual diagram showing another conventional technique for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device.

【図13】液晶表示装置用ガラス基板の洗浄のためのさ
らに他の従来技術を示す概念図である。
FIG. 13 is a conceptual diagram showing still another conventional technique for cleaning a glass substrate for a liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31,32 端面支持ハンド 33 ハンド駆動機構 40 両面ブラシ装置 41 上ロールブラシ 42 下ロールブラシ 43 ブラシ回転機構 44 ブラシ搬送機構 50 回転チャック 55 チャック駆動機構 61,62 洗浄液供給ノズル 70 制御部 31A,32A 端面支持ハンド 31B,32B 端面支持ハンド 40A,40B 両面ブラシ装置 50B 回転チャック 81,82 両面ブラシ装置 84 回転チャック 85,86 端面支持ハンド 88,89 端面支持ハンド 91,92 端面支持ハンド 93,94 端面支持ハンド 31, 32 End face support hand 33 Hand drive mechanism 40 Double-sided brush device 41 Upper roll brush 42 Lower roll brush 43 Brush rotation mechanism 44 Brush transport mechanism 50 Rotary chuck 55 Chuck drive mechanism 61, 62 Cleaning liquid supply nozzle 70 Control unit 31A, 32A End face Support hands 31B, 32B End support hands 40A, 40B Double-sided brush device 50B Rotary chuck 81, 82 Double-sided brush device 84 Rotary chuck 85, 86 End support hands 88, 89 End support hands 91, 92 End support hands 93, 94 End support hands

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板の端面で当該基板を挟持するための基
板挟持手段と、 上記基板挟持手段によって挟持された基板の一方面側に
対応する位置に配置され、基板を保持した状態で回転す
ることができる回転チャックと、 上記基板挟持手段に挟持された基板の表面および裏面を
スクラブ洗浄する両面洗浄手段と、 上記回転チャックを、所定角度だけ回転させるための回
転手段と、 上記基板挟持手段と上記回転チャックとを相対的に上下
移動させるための上下移動手段と、 上記基板挟持手段と上記両面洗浄手段とを相対的に水平
移動させる水平移動手段とを含むことを特徴とする基板
処理装置。
A substrate holding means for holding the substrate at an end face of the substrate; a substrate holding means provided at a position corresponding to one side of the substrate held by the substrate holding means; and rotating while holding the substrate. A rotating chuck that can scrub the front and back surfaces of the substrate held by the substrate holding means; a rotating means for rotating the rotating chuck by a predetermined angle; and the substrate holding means. A substrate processing apparatus, comprising: a vertical moving means for relatively vertically moving the rotary chuck; and a horizontal moving means for relatively horizontally moving the substrate holding means and the double-sided cleaning means.
【請求項2】上記基板挟持手段、上記回転チャック、上
記両面洗浄手段、上記回転手段、上記上下移動手段、お
よび上記水平移動手段がそれぞれ1つずつ備えられてお
り、上記水平移動手段は、上記基板挟持手段に対して上
記両面洗浄手段を水平に往復移動させるものであること
を特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The apparatus according to claim 2, further comprising one of each of the substrate holding means, the rotary chuck, the double-side cleaning means, the rotating means, the vertical moving means, and the horizontal moving means. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said double-sided cleaning means is reciprocated horizontally with respect to the substrate holding means.
【請求項3】基板を基板の端面で挟持する第1基板挟持
工程と、 基板が端面で挟持されている期間に、基板の表面および
裏面をスクラブ洗浄する第1両面洗浄工程と、 上記第1両面洗浄工程の完了後に、上記第1基板挟持工
程によって挟持された基板の挟持を解放する基板解放工
程と、 解放された基板を所定角度だけ回転させる基板回転工程
と、 所定角度だけ回転された基板をその端面で再度挟持する
第2基板挟持工程と、 この再度挟持された基板の表面および裏面をスクラブ洗
浄する第2両面洗浄工程とを含むことを特徴とする基板
処理方法。
A first substrate clamping step of clamping the substrate at an end face of the substrate; a first double-side cleaning step of scrub-cleaning the front and back surfaces of the substrate during a period in which the substrate is clamped at the end face; After the completion of the double-sided cleaning step, a substrate releasing step of releasing the clamping of the substrate clamped in the first substrate clamping step, a substrate rotating step of rotating the released substrate by a predetermined angle, and a substrate rotating by a predetermined angle And a second double-side cleaning step of scrubbing the front and back surfaces of the re-pinched substrate.
【請求項4】基板のスクラブ洗浄が行われている期間
に、当該基板の表面および裏面に洗浄液を供給する洗浄
液供給工程をさらに含むことを特徴とする請求項3記載
の基板処理方法。
4. The substrate processing method according to claim 3, further comprising a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to the front surface and the back surface of the substrate while the substrate is being scrubbed.
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