JPH1012111A - 合金型温度ヒュ−ズ及びその製造方法 - Google Patents
合金型温度ヒュ−ズ及びその製造方法Info
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- JPH1012111A JPH1012111A JP17851596A JP17851596A JPH1012111A JP H1012111 A JPH1012111 A JP H1012111A JP 17851596 A JP17851596 A JP 17851596A JP 17851596 A JP17851596 A JP 17851596A JP H1012111 A JPH1012111 A JP H1012111A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】合金型温度ヒュ−ズの定格電流値が６Ａ〜１０
Ａと高く設定され、作動時直前での通電電流が大きく、
ア−クが強烈であっても、接着剤の封止状態を安全に保
持し得、溶融した低融点可溶合金の飛散防止を充分に保
証できる合金型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】膨出頭部１１を有する両リ−ド導体１間に
低融点可溶合金片２が接続され、該低融点可溶合金片に
フラックス３が塗着され、両リ−ド導体端部及び低融点
可溶合金片が筒状絶縁体４で包囲され、各リ−ド導体と
筒状絶縁体端部との間が接着剤５で封止され、各封止接
着剤５と各膨出頭部１１との間が密接され、膨出頭部１
１，１１間の筒状絶縁体内容積Ｖと低融点可溶合金片２
の体積ｖとの比ｖ／Ｖが０．０６８〜０．２０８とされ
ている。
Ａと高く設定され、作動時直前での通電電流が大きく、
ア−クが強烈であっても、接着剤の封止状態を安全に保
持し得、溶融した低融点可溶合金の飛散防止を充分に保
証できる合金型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】膨出頭部１１を有する両リ−ド導体１間に
低融点可溶合金片２が接続され、該低融点可溶合金片に
フラックス３が塗着され、両リ−ド導体端部及び低融点
可溶合金片が筒状絶縁体４で包囲され、各リ−ド導体と
筒状絶縁体端部との間が接着剤５で封止され、各封止接
着剤５と各膨出頭部１１との間が密接され、膨出頭部１
１，１１間の筒状絶縁体内容積Ｖと低融点可溶合金片２
の体積ｖとの比ｖ／Ｖが０．０６８〜０．２０８とされ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は定格電流値が６Ａ〜
１０Ａの合金型温度ヒュ−ズ及びその製造方法に関する
ものである。
１０Ａの合金型温度ヒュ−ズ及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】合金型温度ヒュ−ズ、すなわちヒュ−ズ
エレメントに低融点可溶合金片を使用した温度ヒュ−ズ
においては、保護しようとする電気機器に熱的に密接に
取付けられ、該機器の過電流に基づく発熱で低融点可溶
合金片が溶断され、この溶断により機器への通電が遮断
されて機器の異常発熱、ひいては火災の発生を未然に防
止している。従来、合金型温度ヒュ−ズは電子機器（コ
ンピュ−タ、テレビ、ビデオ、トランス、ソレノイド、
アダプタ−、ＩＣ等）、電動機（扇風機、掃除機等の小
型モ−タ使用機器）、電熱機器（ドライヤ−、電気カ−
ペット、スト−ブ等）、その他電気的回路に接続するこ
とにより、多数の民生用、産業用、電気電子及び熱関連
機器装置の過熱防止デバイスとして多用されているが、
その定格電流値はたかだか５アンペア程度である。
エレメントに低融点可溶合金片を使用した温度ヒュ−ズ
においては、保護しようとする電気機器に熱的に密接に
取付けられ、該機器の過電流に基づく発熱で低融点可溶
合金片が溶断され、この溶断により機器への通電が遮断
されて機器の異常発熱、ひいては火災の発生を未然に防
止している。従来、合金型温度ヒュ−ズは電子機器（コ
ンピュ−タ、テレビ、ビデオ、トランス、ソレノイド、
アダプタ−、ＩＣ等）、電動機（扇風機、掃除機等の小
型モ−タ使用機器）、電熱機器（ドライヤ−、電気カ−
ペット、スト−ブ等）、その他電気的回路に接続するこ
とにより、多数の民生用、産業用、電気電子及び熱関連
機器装置の過熱防止デバイスとして多用されているが、
その定格電流値はたかだか５アンペア程度である。
【０００３】かかる使用条件のもとでの合金型温度ヒュ
−ズの作動状態は、作動温度で低融点可溶合金片が溶融
され、加熱溶融フラックスの活性作用のもとで溶融金属
が表面張力で分断され、その分断間でア−クが発生し、
溶融分断金属の球状化進行で分断間距離が増大され、分
断間距離がア−ク消滅距離に達するとア−クが消滅され
て通電遮断が完結されることにある。上記において、ア
−ク熱により溶融金属が蒸気化されるが、従来では、定
格電流５アンペア以下の規制のもとで使用されているの
で、上記溶融金属の蒸発は電流ヒュ−ズほど激しくはな
い。このことは、ア−ク消滅による通電遮断の完結時、
リ−ド導体先端部に球状化合金が充分な量で残存される
ことからも明らかである。
−ズの作動状態は、作動温度で低融点可溶合金片が溶融
され、加熱溶融フラックスの活性作用のもとで溶融金属
が表面張力で分断され、その分断間でア−クが発生し、
溶融分断金属の球状化進行で分断間距離が増大され、分
断間距離がア−ク消滅距離に達するとア−クが消滅され
て通電遮断が完結されることにある。上記において、ア
−ク熱により溶融金属が蒸気化されるが、従来では、定
格電流５アンペア以下の規制のもとで使用されているの
で、上記溶融金属の蒸発は電流ヒュ−ズほど激しくはな
い。このことは、ア−ク消滅による通電遮断の完結時、
リ−ド導体先端部に球状化合金が充分な量で残存される
ことからも明らかである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】合金型温度ヒュ−ズと
して、膨出頭部を有する両リ−ド導体間に低融点可溶合
金片が接続され、該低融点可溶合金片にフラックスが塗
着され、両リ−ド導体端部及び低融点可溶合金片が筒状
絶縁体で包囲され、各リ−ド導体と筒状絶縁体端部との
間が接着剤で封止され、各封止接着剤と各膨出頭部との
間が密接されてなる構成が公知である。かかる構成の合
金型温度ヒュ−ズにおいては、作動時、溶融合金がア−
ク熱により蒸気化されても、封止接着剤への金属蒸気の
接触がリ−ド導体の膨出頭部で阻止されるため、接着剤
の封止破壊をよく防止でき、溶融金属の飛散を防止でき
て安全である。
して、膨出頭部を有する両リ−ド導体間に低融点可溶合
金片が接続され、該低融点可溶合金片にフラックスが塗
着され、両リ−ド導体端部及び低融点可溶合金片が筒状
絶縁体で包囲され、各リ−ド導体と筒状絶縁体端部との
間が接着剤で封止され、各封止接着剤と各膨出頭部との
間が密接されてなる構成が公知である。かかる構成の合
金型温度ヒュ−ズにおいては、作動時、溶融合金がア−
ク熱により蒸気化されても、封止接着剤への金属蒸気の
接触がリ−ド導体の膨出頭部で阻止されるため、接着剤
の封止破壊をよく防止でき、溶融金属の飛散を防止でき
て安全である。
【０００５】しかしながら、本発明者の検討結果によれ
ば、作動時直前での通電電流が大きい場合、ア−クも強
烈となり、溶融金属のほぼ全部が蒸発されてしまい、金
属蒸気密度が高く、ア−クの消滅に時間がかかり、接着
剤の封止状態が破壊され、金属蒸気がミストとなって飛
散され易くて危険である。
ば、作動時直前での通電電流が大きい場合、ア−クも強
烈となり、溶融金属のほぼ全部が蒸発されてしまい、金
属蒸気密度が高く、ア−クの消滅に時間がかかり、接着
剤の封止状態が破壊され、金属蒸気がミストとなって飛
散され易くて危険である。
【０００６】本発明の目的は、合金型温度ヒュ−ズの定
格電流値が６Ａ〜１０Ａと高く設定され、作動時直前で
の通電電流が大きく、ア−クが強烈であっても、接着剤
の封止状態を安全に保持し得、溶融した低融点可溶合金
の飛散防止を充分に保証できる合金型温度ヒュ−ズを提
供することにある。
格電流値が６Ａ〜１０Ａと高く設定され、作動時直前で
の通電電流が大きく、ア−クが強烈であっても、接着剤
の封止状態を安全に保持し得、溶融した低融点可溶合金
の飛散防止を充分に保証できる合金型温度ヒュ−ズを提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る合金型温度
ヒュ−ズは、定格電流値が６Ａ〜１０Ａの合金型温度ヒ
ュ−ズであり、膨出頭部を有する両リ−ド導体間に低融
点可溶合金片が接続され、該低融点可溶合金片にフラッ
クスが塗着され、両リ−ド導体端部及び低融点可溶合金
片が筒状絶縁体で包囲され、各リ−ド導体と筒状絶縁体
端部との間が接着剤で封止され、各封止接着剤と各膨出
頭部との間が密接され、膨出頭部間の筒状絶縁体内容積
Ｖと低融点可溶合金片体積ｖとの比ｖ／Ｖが０．０６８
〜０．２０８とされていることを特徴とする構成であ
り、筒状絶縁体には扁平形のものを使用することが望ま
しい。
ヒュ−ズは、定格電流値が６Ａ〜１０Ａの合金型温度ヒ
ュ−ズであり、膨出頭部を有する両リ−ド導体間に低融
点可溶合金片が接続され、該低融点可溶合金片にフラッ
クスが塗着され、両リ−ド導体端部及び低融点可溶合金
片が筒状絶縁体で包囲され、各リ−ド導体と筒状絶縁体
端部との間が接着剤で封止され、各封止接着剤と各膨出
頭部との間が密接され、膨出頭部間の筒状絶縁体内容積
Ｖと低融点可溶合金片体積ｖとの比ｖ／Ｖが０．０６８
〜０．２０８とされていることを特徴とする構成であ
り、筒状絶縁体には扁平形のものを使用することが望ま
しい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る合金型温度ヒュ−ズの一例を示す説明図、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図
１の（イ）及び図１の（ロ）において、１，１はリ−ド
導体（銅線）であり、先端が膨出頭部１１に加工されて
いる。２は一対のリ−ド導体１，１の膨出頭部１１，１
１間に溶接等により接続された低融点可溶合金片、３は
低融点可溶合金片２上に塗布されたフラックスである。
４は扁平な筒状絶縁体、例えば、扁平セラミックス筒で
あり、低融点可溶合金片２上に両リ−ド導体端部にわた
って被せられている。５は接着剤、例えば、エポキシ樹
脂であり、各リ−ド導体と筒状絶縁体端との間が封止さ
れ、各封止接着剤５と各リ−ド導体先端の膨出頭部１１
との間が密着されている。上記膨出頭部１１はその外郭
を扁平筒状絶縁体４の内周に密接させ得るように形成さ
れており、接着剤５は膨出頭部１１のために筒状絶縁体
４内の両リ−ド導体の膨出頭部１１，１１間から遮断さ
れている。上記低融点可溶合金片２には、扁平筒状絶縁
体４の扁平度に応じて扁平に圧潰加工したものが使用さ
れているが、断面円形の丸線を使用することもできる。
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る合金型温度ヒュ−ズの一例を示す説明図、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図
１の（イ）及び図１の（ロ）において、１，１はリ−ド
導体（銅線）であり、先端が膨出頭部１１に加工されて
いる。２は一対のリ−ド導体１，１の膨出頭部１１，１
１間に溶接等により接続された低融点可溶合金片、３は
低融点可溶合金片２上に塗布されたフラックスである。
４は扁平な筒状絶縁体、例えば、扁平セラミックス筒で
あり、低融点可溶合金片２上に両リ−ド導体端部にわた
って被せられている。５は接着剤、例えば、エポキシ樹
脂であり、各リ−ド導体と筒状絶縁体端との間が封止さ
れ、各封止接着剤５と各リ−ド導体先端の膨出頭部１１
との間が密着されている。上記膨出頭部１１はその外郭
を扁平筒状絶縁体４の内周に密接させ得るように形成さ
れており、接着剤５は膨出頭部１１のために筒状絶縁体
４内の両リ−ド導体の膨出頭部１１，１１間から遮断さ
れている。上記低融点可溶合金片２には、扁平筒状絶縁
体４の扁平度に応じて扁平に圧潰加工したものが使用さ
れているが、断面円形の丸線を使用することもできる。
【０００９】上記において、両リ−ド導体１，１の膨出
頭部１１，１１間の筒状絶縁体内容積Ｖと低融点可溶合
金片２の体積ｖとの比ｖ／Ｖは０．０６８〜０．２０８
に設定されている。ｖ／Ｖを０．０６８〜０．２０８に
設定する理由は、０．０６８以下では筒状絶縁体内の容
積が相当に大きくなり、筒状絶縁体が余りにも大型にな
って機器への取付けスペ−ス上、不適切であり、０．２
０８以上では、筒状絶縁体内容積Ｖに対する低融点可溶
合金片の体積ｖが大となり、温度ヒュ−ズ作動時での溶
融金属の蒸気濃度が高くなり、ア−クの消滅に時間がか
かり、接着剤の封止破壊が生じて金属ミストの飛散が生
じ易くなるからである。
頭部１１，１１間の筒状絶縁体内容積Ｖと低融点可溶合
金片２の体積ｖとの比ｖ／Ｖは０．０６８〜０．２０８
に設定されている。ｖ／Ｖを０．０６８〜０．２０８に
設定する理由は、０．０６８以下では筒状絶縁体内の容
積が相当に大きくなり、筒状絶縁体が余りにも大型にな
って機器への取付けスペ−ス上、不適切であり、０．２
０８以上では、筒状絶縁体内容積Ｖに対する低融点可溶
合金片の体積ｖが大となり、温度ヒュ−ズ作動時での溶
融金属の蒸気濃度が高くなり、ア−クの消滅に時間がか
かり、接着剤の封止破壊が生じて金属ミストの飛散が生
じ易くなるからである。
【００１０】上記において、低融点可溶合金片２の抵抗
値は、ｖ／Ｖ：０．０６８〜０．２０８のもとで、定格
電流値（温度ヒュ−ズを外部からの加熱で作動させ得る
最大の常時通電電流値）を６Ａ〜１０Ａとするように設
定されている。而して、定格電流値で電流を連続して所
定時間通電しても、低融点可溶合金片の自己発熱にもか
かわらず、温度ヒュ−ズを所定の作動温度で作動させ得
るように、低融点可溶合金片の抵抗値が設定されてい
る。このため、ＩＥＣ規格（ＩＥＣ６９１）に準じ、次
のホ−ルディング温度（周囲温度）のもとで定格電流を
１６８時間流し続けても作動しないように低融点可溶合
金片の抵抗値が設定されている。 公称動作温度（℃） ホ-ルテ゛ィンク゛温度（℃） 公称動作温度（℃） ホ -ルテ゛ィンク゛温度（℃） ７６ ５０ １３３ １０８ １０２ ７６ １３９ １１３ １１５ ８９ １５０ １２３ １３０ １０２ １６９ １４２
値は、ｖ／Ｖ：０．０６８〜０．２０８のもとで、定格
電流値（温度ヒュ−ズを外部からの加熱で作動させ得る
最大の常時通電電流値）を６Ａ〜１０Ａとするように設
定されている。而して、定格電流値で電流を連続して所
定時間通電しても、低融点可溶合金片の自己発熱にもか
かわらず、温度ヒュ−ズを所定の作動温度で作動させ得
るように、低融点可溶合金片の抵抗値が設定されてい
る。このため、ＩＥＣ規格（ＩＥＣ６９１）に準じ、次
のホ−ルディング温度（周囲温度）のもとで定格電流を
１６８時間流し続けても作動しないように低融点可溶合
金片の抵抗値が設定されている。 公称動作温度（℃） ホ-ルテ゛ィンク゛温度（℃） 公称動作温度（℃） ホ -ルテ゛ィンク゛温度（℃） ７６ ５０ １３３ １０８ １０２ ７６ １３９ １１３ １１５ ８９ １５０ １２３ １３０ １０２ １６９ １４２
【００１１】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズにおいて
は、定格電流値以下の通電電流のもとで使用され、作動
温度で低融点可溶合金片が溶融され、加熱溶融フラック
スの活性作用のもとで溶融金属が表面張力で分断され、
その分断間でア−クが発生される。通電電流値がほぼ定
格電流値の場合、温度ヒュ−ズ作動時でのア−クエネル
ギ−が強くなり、分断された溶融金属のほぼ全部がその
ア−ク熱のために蒸発されるが、筒状絶縁体内容積Ｖと
低融点可溶合金片の体積ｖとの比ｖ／Ｖを０．０６８以
上としてあるので、その金属蒸気密度を充分に小にで
き、それだけ速くア−クを消滅させ得る。而るに、封止
接着剤５においては、膨出頭部１１により金属蒸気との
接触が防止され、しかも、上記のようにア−ク持続時間
が短くされ、それだけア−クによる熱劣化が軽減される
から、接着剤５の封止状態を充分に保持して溶融金属の
飛散をよく防止できる。
は、定格電流値以下の通電電流のもとで使用され、作動
温度で低融点可溶合金片が溶融され、加熱溶融フラック
スの活性作用のもとで溶融金属が表面張力で分断され、
その分断間でア−クが発生される。通電電流値がほぼ定
格電流値の場合、温度ヒュ−ズ作動時でのア−クエネル
ギ−が強くなり、分断された溶融金属のほぼ全部がその
ア−ク熱のために蒸発されるが、筒状絶縁体内容積Ｖと
低融点可溶合金片の体積ｖとの比ｖ／Ｖを０．０６８以
上としてあるので、その金属蒸気密度を充分に小にで
き、それだけ速くア−クを消滅させ得る。而るに、封止
接着剤５においては、膨出頭部１１により金属蒸気との
接触が防止され、しかも、上記のようにア−ク持続時間
が短くされ、それだけア−クによる熱劣化が軽減される
から、接着剤５の封止状態を充分に保持して溶融金属の
飛散をよく防止できる。
【００１２】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記実
施例において、筒状絶縁体４を扁平とした理由は、筒状
絶縁体の高さを低くして当該温度ヒュ−ズの被保護機器
への取付け占有スペ−スを少なくし、また被保護機器と
の熱的接触面積を大とするためである。この筒状絶縁体
には、円筒体を使用することも可能である。
施例において、筒状絶縁体４を扁平とした理由は、筒状
絶縁体の高さを低くして当該温度ヒュ−ズの被保護機器
への取付け占有スペ−スを少なくし、また被保護機器と
の熱的接触面積を大とするためである。この筒状絶縁体
には、円筒体を使用することも可能である。
【００１３】図１に示す合金型温度ヒュ−ズは、リ−ド
導体１，１間に低融点可溶合金片２を溶接等により接続
し、低融点可溶合金片２上にフラックス３を塗布し、筒
状絶縁体４を一方のリ−ド導体より低融点可溶合金片２
上に挿通し、各リ−ド導体１と筒状絶縁体各端との間を
接着剤５で封止することにより製造できる。
導体１，１間に低融点可溶合金片２を溶接等により接続
し、低融点可溶合金片２上にフラックス３を塗布し、筒
状絶縁体４を一方のリ−ド導体より低融点可溶合金片２
上に挿通し、各リ−ド導体１と筒状絶縁体各端との間を
接着剤５で封止することにより製造できる。
【００１４】図２の（イ）及び図２の（ロ）〔図２の
（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明に係る合金型温
度ヒュ−ズの別例を示し、筒状絶縁体４の両端内周面に
突出段部４１を筒状絶縁体各端４２から所定の距離を隔
てた各箇所において設けてあり、筒状絶縁体４内に低融
点可溶合金片２及びフラックス３を納め、リ−ド導体
１，１の膨出頭部１１，１１の前面の周囲部を上記突出
段部４１，４１に当接するように各膨出頭部１１，１１
と低融点可溶合金片２各端とを溶接することにより製造
できる。図２に示す実施例においても、低融点可溶合金
片２に、扁平筒状絶縁体４の扁平度に応じて扁平に圧潰
加工したものが使用されているが、断面円形の丸線を使
用することもできる。
（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明に係る合金型温
度ヒュ−ズの別例を示し、筒状絶縁体４の両端内周面に
突出段部４１を筒状絶縁体各端４２から所定の距離を隔
てた各箇所において設けてあり、筒状絶縁体４内に低融
点可溶合金片２及びフラックス３を納め、リ−ド導体
１，１の膨出頭部１１，１１の前面の周囲部を上記突出
段部４１，４１に当接するように各膨出頭部１１，１１
と低融点可溶合金片２各端とを溶接することにより製造
できる。図２に示す実施例においても、低融点可溶合金
片２に、扁平筒状絶縁体４の扁平度に応じて扁平に圧潰
加工したものが使用されているが、断面円形の丸線を使
用することもできる。
【００１５】
〔実施例１〕図１において、扁平セラミックス筒４の内
郭の巾ａを２．８ｍｍ、高さｈを１．４ｍｍ、リ−ド導
体の膨出頭部間の間隔ｃを６ｍｍとし、低融点可溶合金
片には直径１．０ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／
Ｖは０．２０８である。フラックスにはロジンを主体と
した組成物を使用し、接着剤には常温硬化のエポキシ樹
脂を使用した。この温度ヒュ−ズの公称作動温度は１５
０℃であり、定格電流値１０アンペアのもとでホ−ルデ
ィング温度は１２３℃であった。
郭の巾ａを２．８ｍｍ、高さｈを１．４ｍｍ、リ−ド導
体の膨出頭部間の間隔ｃを６ｍｍとし、低融点可溶合金
片には直径１．０ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／
Ｖは０．２０８である。フラックスにはロジンを主体と
した組成物を使用し、接着剤には常温硬化のエポキシ樹
脂を使用した。この温度ヒュ−ズの公称作動温度は１５
０℃であり、定格電流値１０アンペアのもとでホ−ルデ
ィング温度は１２３℃であった。
【００１６】〔実施例２〕図１において、扁平セラミッ
クス筒の内郭の巾を２．８ｍｍ、高さを１．４ｍｍ、リ
−ド導体の膨出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶
合金片には直径０．８５ｍｍの丸線を使用した。而し
て、ｖ／Ｖは０．１３４である。フラックス、接着剤、
公称作動温度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施
例１に同じとした。 〔実施例３〕図１において、扁平セラミックス筒の内郭
の巾を２．８ｍｍ、高さを１．４ｍｍ、リ−ド導体の膨
出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合金片には直
径０．７０ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／Ｖは
０．０９１である。フラックス、接着剤、公称作動温
度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１に同じ
とした。
クス筒の内郭の巾を２．８ｍｍ、高さを１．４ｍｍ、リ
−ド導体の膨出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶
合金片には直径０．８５ｍｍの丸線を使用した。而し
て、ｖ／Ｖは０．１３４である。フラックス、接着剤、
公称作動温度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施
例１に同じとした。 〔実施例３〕図１において、扁平セラミックス筒の内郭
の巾を２．８ｍｍ、高さを１．４ｍｍ、リ−ド導体の膨
出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合金片には直
径０．７０ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／Ｖは
０．０９１である。フラックス、接着剤、公称作動温
度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１に同じ
とした。
【００１７】〔実施例４〕図１において、扁平セラミッ
クス筒の内郭の巾を２．８ｍｍ、高さを１．７ｍｍ、リ
−ド導体の膨出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶
合金片には直径１．０ｍｍの丸線を使用した。而して、
ｖ／Ｖは０．１５６である。フラックス、接着剤、公称
作動温度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１
に同じとした。 〔実施例５〕図１において、扁平セラミックス筒の内郭
の巾を２．８ｍｍ、高さを１．７ｍｍ、リ−ド導体の膨
出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合金片には直
径０．８５ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／Ｖは
０．１００である。フラックス、接着剤、公称作動温
度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１に同じ
とした。 〔実施例６〕図１において、扁平セラミックス筒の内郭
の巾を２．８ｍｍ、高さを１．７ｍｍ、リ−ド導体の膨
出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合金片には直
径０．７０ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／Ｖは
０．０６８である。フラックス、接着剤、公称作動温
度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１に同じ
とした。
クス筒の内郭の巾を２．８ｍｍ、高さを１．７ｍｍ、リ
−ド導体の膨出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶
合金片には直径１．０ｍｍの丸線を使用した。而して、
ｖ／Ｖは０．１５６である。フラックス、接着剤、公称
作動温度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１
に同じとした。 〔実施例５〕図１において、扁平セラミックス筒の内郭
の巾を２．８ｍｍ、高さを１．７ｍｍ、リ−ド導体の膨
出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合金片には直
径０．８５ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／Ｖは
０．１００である。フラックス、接着剤、公称作動温
度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１に同じ
とした。 〔実施例６〕図１において、扁平セラミックス筒の内郭
の巾を２．８ｍｍ、高さを１．７ｍｍ、リ−ド導体の膨
出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合金片には直
径０．７０ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ／Ｖは
０．０６８である。フラックス、接着剤、公称作動温
度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１に同じ
とした。
【００１８】〔比較例〕図１において、扁平セラミック
ス筒の内郭の巾を２．８ｍｍ、高さを１．４ｍｍ、リ−
ド導体の膨出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合
金片には直径１．３ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ
／Ｖは０．３１３１である。フラックス、接着剤、公称
作動温度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１
に同じとした。
ス筒の内郭の巾を２．８ｍｍ、高さを１．４ｍｍ、リ−
ド導体の膨出頭部間の間隔を６ｍｍとし、低融点可溶合
金片には直径１．３ｍｍの丸線を使用した。而して、ｖ
／Ｖは０．３１３１である。フラックス、接着剤、公称
作動温度、定格電流値、ホ−ルディング温度は実施例１
に同じとした。
【００１９】これらの実施例並びに比較例につき（試料
数は各２０箇）、定格電流７アンペアの通電下、公称動
作温度−５℃より２℃／minで温度が上昇する槽内で作
動させたところ、比較例では試料の全てに接着剤の封止
破壊による金属ミストの飛散が観られたが、金属ミスト
の飛散が生じた試料は、実施例１では１０％、実施例２
では０％、実施例３では１０％、実施例４では３％、実
施例５では２％、実施例６では０％に過ぎなかった。
数は各２０箇）、定格電流７アンペアの通電下、公称動
作温度−５℃より２℃／minで温度が上昇する槽内で作
動させたところ、比較例では試料の全てに接着剤の封止
破壊による金属ミストの飛散が観られたが、金属ミスト
の飛散が生じた試料は、実施例１では１０％、実施例２
では０％、実施例３では１０％、実施例４では３％、実
施例５では２％、実施例６では０％に過ぎなかった。
【００２０】
【発明の効果】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズおいて
は、定格電流値が高く、作動直前の通電電流値が大であ
り、低融点可溶合金片の溶断に伴い発生するア−クが強
烈であって溶融金属のほぼ全部が蒸気化しても、蒸気密
度を小にできてア−クをそれだけ速く消滅させ得、しか
も封止接着剤をリ−ド導体の膨出頭部で金属蒸気から遮
断できて接着剤の熱劣化をよく防止できるから、溶融合
金の飛散防止を充分に保証できる。
は、定格電流値が高く、作動直前の通電電流値が大であ
り、低融点可溶合金片の溶断に伴い発生するア−クが強
烈であって溶融金属のほぼ全部が蒸気化しても、蒸気密
度を小にできてア−クをそれだけ速く消滅させ得、しか
も封止接着剤をリ−ド導体の膨出頭部で金属蒸気から遮
断できて接着剤の熱劣化をよく防止できるから、溶融合
金の飛散防止を充分に保証できる。
【図１】図１の（イ）は本発明に係る合金型温度ヒュ−
ズの一例を示す説明図、図１の（ロ）は図１の（イ）の
ロ−ロ断面図である。
ズの一例を示す説明図、図１の（ロ）は図１の（イ）の
ロ−ロ断面図である。
【図２】図２の（イ）は本発明に係る合金型温度ヒュ−
ズの一例を示す説明図、図２の（ロ）は図２の（イ）の
ロ−ロ断面図である。
ズの一例を示す説明図、図２の（ロ）は図２の（イ）の
ロ−ロ断面図である。
１ リ−ド導体 １１ 膨出頭部 ２ 低融点可溶合金片 ３ フラックス ４ 筒状絶縁体 ５ 接着剤
Claims (4)
- 【請求項１】膨出頭部を有する両リ−ド導体間に低融点
可溶合金片が接続され、該低融点可溶合金片にフラック
スが付着され、両リ−ド導体端部及び低融点可溶合金片
が筒状絶縁体で包囲され、各リ−ド導体端部と筒状絶縁
体端部との間が接着剤で封止され、各封止接着剤と各膨
出頭部との間が密接され、膨出頭部間の筒状絶縁体内容
積Ｖと低融点可溶合金片体積ｖとの比ｖ／Ｖが０．０６
８〜０．２０８とされていることを特徴とする合金型温
度ヒュ−ズ。 - 【請求項２】筒状絶縁体が扁平形である請求項１記載の
合金型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項３】定格電流値が６Ａ〜１０Ａである請求項１
または２記載の合金型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項４】リ−ド導体間に低融点可溶合金片を接続
し、低融点可溶合金片にフラックスを塗布したのち、両
リ−ド導体端部及び低融点可溶合金片上に筒状絶縁体を
挿通し、次いで、各リ−ド導体と筒状絶縁体端部との間
を接着剤で封止して請求項１または２記載の合金型温度
ヒュ−ズを製造することを特徴とする合金型温度ヒュ−
ズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17851596A JPH1012111A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 合金型温度ヒュ−ズ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17851596A JPH1012111A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 合金型温度ヒュ−ズ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012111A true JPH1012111A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16049828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17851596A Pending JPH1012111A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 合金型温度ヒュ−ズ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012111A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0964419A1 (en) * | 1998-06-11 | 1999-12-15 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Thin type thermal fuse and manufacturing method thereof |
| KR101016522B1 (ko) | 2003-04-03 | 2011-02-24 | 우치하시 에스테크 가부시키가이샤 | 전류퓨즈기능 부착 온도퓨즈 |
| CN104078280A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 比亚迪股份有限公司 | 一种电路保护器 |
| CN107636789A (zh) * | 2015-06-08 | 2018-01-26 | 丰田铁工株式会社 | 熔断器 |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP17851596A patent/JPH1012111A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0964419A1 (en) * | 1998-06-11 | 1999-12-15 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Thin type thermal fuse and manufacturing method thereof |
| KR101016522B1 (ko) | 2003-04-03 | 2011-02-24 | 우치하시 에스테크 가부시키가이샤 | 전류퓨즈기능 부착 온도퓨즈 |
| CN104078280A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 比亚迪股份有限公司 | 一种电路保护器 |
| CN107636789A (zh) * | 2015-06-08 | 2018-01-26 | 丰田铁工株式会社 | 熔断器 |
| US10340111B2 (en) | 2015-06-08 | 2019-07-02 | Toyoda Iron Works Co., Ltd. | Fuse |
| CN107636789B (zh) * | 2015-06-08 | 2020-05-05 | 丰田铁工株式会社 | 熔断器 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
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