JPH10120783A - Polyamic acid and polyimide - Google Patents

Polyamic acid and polyimide

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JPH10120783A
JPH10120783A JP29123296A JP29123296A JPH10120783A JP H10120783 A JPH10120783 A JP H10120783A JP 29123296 A JP29123296 A JP 29123296A JP 29123296 A JP29123296 A JP 29123296A JP H10120783 A JPH10120783 A JP H10120783A
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polyamic acid
polyimide
carbon atoms
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halogenated
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幸平 後藤
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稔 松原
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a polyamic acid, capable of giving a polyimide low in dielectricity and excellent in heat resistance and solubility in various kinds of solvents by adding specific repeating units and adjusting the logarithmic viscosity within a specific range. SOLUTION: This polyamic acid contains repeating units of formula I A is bis(trifluoromethyl)methylene, a group of formula II [(b) is 1-3], a group of formula III [R<3> , R<4> are each a halogen, a 1-6C (halogenated) alkyl, a 5-12C (halogenated) cyclloalkyl, a 1-6C (halogenated) alkoxy; X is a single bond, O; (c) is 0-4]; R<1> , R<2> are each R<3> ; (a) is 0-3}, and has a logarithmic viscosity of 0.1-4dl/g (solvent: N, N-dimethylformamide, at 30 deg.C, a concentraction of 0.5g/dl). The compound is obtained by polycondensing 9,9-bis[4-(4-aminophenoxy) phenyl]fluorene with a compound of formula IV.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、低い誘電率を有
し、特にLSIの層間絶縁膜として有用なポリイミド、
および該ポリイミドを形成しうるポリアミック酸に関す
る。
The present invention relates to a polyimide having a low dielectric constant and particularly useful as an interlayer insulating film of an LSI.
And a polyamic acid capable of forming the polyimide.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSI(大規模集積回路)は、微細加工
技術の進歩によって、高集積化、多機能化、高性能化の
一途を辿っている。その結果、回路抵抗や配線間のコン
デンサー容量(以下、それぞれ「寄生抵抗」、「寄生容
量」という。)が増大し、それに伴って消費電力が増す
だけではなく、入力信号に対する遅延時間も増大し、デ
バイスの信号スピードが低下する大きな要因となってお
り、その解決が大きな課題となっている。このような信
号スピードの低下を抑える方策として、寄生抵抗や寄生
容量を小さくすることが考えられ、その一つとして、配
線周辺を低誘電率の層間絶縁膜で覆うことにより寄生容
量を下げて、デバイスの高速化に対応しようとしてい
る。その具体例としては、従来の代表的な層間絶縁膜で
ある酸化けい素膜を有機膜に替える試みがなされている
が、この有機膜の材料には、低誘電性とともに、実装基
板製造時の薄膜化工程のほか、チップ接続やピン付け等
の後工程にも耐えられる耐熱性を有することが必要とさ
れている。代表的な低誘電性有機材料としてはポリテト
ラフルオロエチレンに代表されるふっ素樹脂が知られて
いるが、ふっ素樹脂は耐熱性が不十分である。また、耐
熱性の高い有機材料としてポリイミドが知られており、
特にJ. Polymer Sci., Part A : Polymer Chemistry, V
ol.31, 2153-2163(1993)には、9,9−ビス[ 4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル ]フルオレンと、ピロメ
リット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,
4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物ま
たは3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物とから得られるポリイミドが開示され
ているが、これら従来のポリイミドの比誘電率は2.9
〜3.5程度であり、信号スピードの高速化を図ったL
SIの層間絶縁膜としては満足できない。
2. Description of the Related Art LSIs (Large Scale Integrated Circuits) are continually becoming more highly integrated, multifunctional, and more sophisticated with the progress of fine processing technology. As a result, the circuit resistance and the capacitance between the wirings (hereinafter referred to as “parasitic resistance” and “parasitic capacitance”, respectively) increase, and not only the power consumption increases, but also the delay time for the input signal increases. However, this is a major factor in reducing the signal speed of the device, and the solution is a major issue. As a measure to suppress such a decrease in signal speed, it is conceivable to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance. One of the measures is to reduce the parasitic capacitance by covering the periphery of the wiring with an interlayer insulating film having a low dielectric constant. Trying to respond to faster devices. As a specific example, attempts have been made to replace a silicon oxide film, which is a conventional typical interlayer insulating film, with an organic film. It is necessary to have heat resistance that can withstand post-processes such as chip connection and pinning in addition to the thinning process. As a typical low dielectric organic material, a fluororesin represented by polytetrafluoroethylene is known, but the fluororesin has insufficient heat resistance. Also, polyimide is known as an organic material having high heat resistance,
In particular, J. Polymer Sci., Part A: Polymer Chemistry, V
ol. 31, 2153-2163 (1993) includes 9,9-bis [4- (4
-Aminophenoxy) phenyl] fluorene, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 3,3 ',
Polyimides obtained from 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride or 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride are disclosed, but the relative dielectric constant of these conventional polyimides is disclosed. Is 2.9
About 3.5, which is L
It is not satisfactory as an interlayer insulating film of SI.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術を背景になされたものであり、その課題は、誘電率が
低く、かつ高度の耐熱性を有し、しかも各種溶媒に対す
る溶解性にも優れたポリイミド、および該ポリイミドを
形成しうるポリアミック酸を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made on the background of the above-mentioned prior art, and its object is to provide a low dielectric constant, high heat resistance, and low solubility in various solvents. Another object of the present invention is to provide an excellent polyimide and a polyamic acid capable of forming the polyimide.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、第1
に、下記一般式(1)で表される少なくとも1種の繰返
し単位を含有してなり、対数粘度〔ηinh 〕(N,N−
ジメチルホルムアミド溶媒、30℃、濃度0.5g/dl
)が0.1〜4dl/gであるポリアミック酸、からな
る。
The gist of the present invention is as follows.
Contains at least one type of repeating unit represented by the following general formula (1), and has a logarithmic viscosity [ηinh] (N, N-
Dimethylformamide solvent, 30 ° C, concentration 0.5g / dl
) Is 0.1 to 4 dl / g.

【0005】[0005]

【化1】Embedded image

【0006】〔一般式(1)において、Aは[In the general formula (1), A is

【化2】、Embedded image

【0007】[0007]

【化3】Embedded image

【0008】または[0008] or

【化4】Embedded image

【0009】を示し、R1 、R2 、R3 およびR4 は相
互に独立してハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基、炭素数5〜
12のシクロアルキル基、炭素数5〜12のハロゲン化
シクロアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基また
は炭素数1〜6のハロゲン化アルコキシル基を示し、X
は単結合または−O−を示し、各aは相互に独立して0
〜3の整数、bは1〜3の整数、各cは相互に独立して
0〜4の整数である。〕
Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
X represents a cycloalkyl group having 12 carbon atoms, a halogenated cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms;
Represents a single bond or -O-, and each a is independently 0
B is an integer of 1 to 3, each c is an integer of 0 to 4 independently of each other. ]

【0010】本発明の要旨は、第2に、下記一般式
(2)で表される少なくとも1種の繰返し単位を含有し
てなり、対数粘度〔ηinh 〕(m−クレゾール溶媒、3
0℃、濃度0.5g/dl )が0.1〜4dl/gであるポ
リイミド、からなる。
The gist of the present invention is, secondly, that it contains at least one kind of repeating unit represented by the following general formula (2), and has a logarithmic viscosity [ηinh] (m-cresol solvent,
(0 ° C., concentration 0.5 g / dl) of 0.1 to 4 dl / g.

【0011】[0011]

【化5】Embedded image

【0012】〔一般式(2)において、Aは[In the general formula (2), A is

【化2】、Embedded image

【0013】[0013]

【化3】Embedded image

【0014】またはOr

【化4】Embedded image

【0015】を示し、R1 、R2 、R3 およびR4 は相
互に独立してハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基、炭素数5〜
12のシクロアルキル基、炭素数5〜12のハロゲン化
シクロアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基また
は炭素数1〜6のハロゲン化アルコキシル基を示し、X
は単結合または−O−を示し、各aは相互に独立して0
〜3の整数、bは1〜3の整数、各cは相互に独立して
0〜4の整数である。〕
Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
X represents a cycloalkyl group having 12 carbon atoms, a halogenated cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms;
Represents a single bond or -O-, and each a is independently 0
B is an integer of 1 to 3, each c is an integer of 0 to 4 independently of each other. ]

【0016】以下、本発明を詳細に説明する。 ポリアミック酸 本発明のポリアミック酸は、前記一般式(1)で表され
る繰返し単位を含有するものである。本発明のポリアミ
ック酸においては、前記一般式(1)のA、R1 、R2
あるいは各aが異なる2種以上の繰返し単位が含有され
ていてもよく、この場合、2種以上の繰返し単位は、ポ
リアミック酸の分子鎖中にランダム状にもブロック状に
も結合することができる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. Polyamic acid The polyamic acid of the present invention contains a repeating unit represented by the general formula (1). In the polyamic acid of the present invention, A, R 1 , R 2 of the general formula (1)
Alternatively, each a may contain two or more types of repeating units different from each other, and in this case, the two or more types of repeating units can be bonded to the polyamic acid molecular chain in a random or block manner. .

【0017】一般式(1)において、R1 、R2 、R3
およびR4 のハロゲン原子としては、例えば、ふっ素原
子、塩素原子、臭素原子等を挙げることができ、アルキ
ル基あるいはハロゲン化アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル
基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基等や、これらのハロゲン化誘導体を挙げる
ことができ、シクロアルキル基あるいはハロゲン化シク
ロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基
等や、これらのハロゲン化誘導体を挙げることができ、
アルコキシル基あるいはハロゲン化アルコキシル基とし
ては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキ
シ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキ
シ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等や、これ
らのハロゲン化誘導体を挙げることができる。本発明に
おけるポリアミック酸としては、特に、一般式(1)の
Aが
In the general formula (1), R 1 , R 2 , R 3
Examples of the halogen atom for R 4 include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. Examples of the alkyl group or the halogenated alkyl group include:
Methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group,
Examples thereof include a t-butyl group and the like, and halogenated derivatives thereof. Examples of the cycloalkyl group or the halogenated cycloalkyl group include, for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like. Halogenated derivatives,
Examples of the alkoxyl group or halogenated alkoxyl group include, for example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, These halogenated derivatives can be mentioned. As the polyamic acid in the present invention, particularly, A of the general formula (1)

【0018】[0018]

【化2】、Embedded image

【0019】[0019]

【化6】 Embedded image

【0020】またはOr

【0021】[0021]

【化7】 Embedded image

【0022】であり、aが0であるものが好ましい。Wherein a is 0.

【0023】本発明のポリアミック酸は、例えば、下記
式(3)で表される9,9−ビス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル ]フルオレンと、下記一般式(4)
で表されるテトラカルボン酸二無水物の少なくとも1種
とを、通常、適当な有機溶媒中で、重縮合することによ
り製造することができる。
The polyamic acid of the present invention comprises, for example, 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] fluorene represented by the following formula (3) and the following general formula (4)
Can be usually produced by polycondensation with at least one kind of tetracarboxylic dianhydride represented by the following formula in an appropriate organic solvent.

【0024】[0024]

【化8】 Embedded image

【0025】[0025]

【化9】 Embedded image

【0026】〔一般式(4)におけるA、R1 、R2
よびaは、一般式(1)のそれぞれA、R1 、R2 およ
びaと同義である。〕 但し、本発明においては、所期の効果を損なわない限
り、少なくとも1種の他のジアミンおよび/または少な
くとも1種の他のテトラカルボン酸二無水物を併用する
こともできる。この場合の他のジアミンあるいは他のテ
トラカルボン酸二無水物の使用量は、それぞれ9,9−
ビス[ 4−(4−アミノフェノキシ)フェニル ]フルオ
レンあるいは一般式(4)で表されるテトラカルボン酸
二無水物に対して、通常、それぞれ50モル%以下、好
ましくは30モル%以下であり、ポリアミック酸中にお
ける一般式(1)で表される繰返し単位の含有率は、好
ましくは50モル%以上である。本発明のポリアミック
酸を製造する際に使用される前記有機溶媒としては、使
用されるジアミン成分およびテトラカルボン酸二無水物
成分に対して不活性であり、かつこれらを溶解するもの
が使用され、具体的には、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチル
アセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチ
ルカプロラクタム、1,2−ジメトキシエタン、ビス
(2−メトキシエチル)エーテル、1,2−ビス(2−
メトキシエトキシ)エタン、テトラヒドロフラン、1,
3−ジオキサン、1,4−ジオキサン、ピリジン、ピコ
リン、ジチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラ
メチル尿素、o−クレゾール、m−クレゾール、p−ク
レゾール、o−クロロフェノール、m−クロロフェノー
ル、p−クロロフェノール等を挙げることができる。こ
れらの有機溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使
用することができる。本発明のポリアミック酸を製造す
る際の反応温度は、通常、60℃以下、好ましくは常温
〜50℃であり、反応圧力は特に限定されず、通常、常
圧で実施することができる。反応時間は、通常、0.5
〜24時間である。また、反応時のジアミン成分および
テトラカルボン酸二無水物成分の濃度は、適宜調節する
ことができるが、両者の合計重量が、全溶液重量に対し
て、通常、2〜50重量%、好ましくは5〜30重量%
である。本発明のポリアミック酸の対数粘度〔ηinh 〕
(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、30℃、濃度
0.5g/dl )は、0.1〜4dl/gであり、好ましく
は0.3〜2dl/gである。
[0026] [A in the general formula (4), R 1, R 2 and a are each A, same as R 1, R 2 and a formula (1). However, in the present invention, at least one other diamine and / or at least one other tetracarboxylic dianhydride can be used in combination as long as the desired effect is not impaired. In this case, the amount of other diamine or other tetracarboxylic dianhydride used is 9,9-
With respect to bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] fluorene or the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (4), each is usually 50 mol% or less, preferably 30 mol% or less, The content of the repeating unit represented by the general formula (1) in the polyamic acid is preferably at least 50 mol%. As the organic solvent used when producing the polyamic acid of the present invention, those that are inert to the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component used and dissolve these are used, Specifically, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 1,2-dimethoxyethane, bis (2- Methoxyethyl) ether, 1,2-bis (2-
Methoxyethoxy) ethane, tetrahydrofuran, 1,
3-dioxane, 1,4-dioxane, pyridine, picoline, dityl sulfoxide, dimethyl sulfone, tetramethylurea, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol And the like. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more. The reaction temperature at the time of producing the polyamic acid of the present invention is usually 60 ° C. or lower, preferably room temperature to 50 ° C., and the reaction pressure is not particularly limited, and the reaction can be usually performed at normal pressure. The reaction time is usually 0.5
~ 24 hours. In addition, the concentrations of the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component during the reaction can be appropriately adjusted, but the total weight of both components is usually 2 to 50% by weight, preferably 2 to 50% by weight, and preferably the total solution weight. 5-30% by weight
It is. Logarithmic viscosity of the polyamic acid of the present invention [ηinh]
(N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl) is 0.1 to 4 dl / g, preferably 0.3 to 2 dl / g.

【0027】ポリイミド 本発明のポリイミドは、前記一般式(2)で表される繰
返し単位を含有するものである。本発明のポリイミド
は、一般式(1)で表される繰返し単位を含有する前記
ポリアミック酸を、脱水閉環してイミド化することによ
り製造することができる。前記イミド化に際しては、加
熱イミド化法または化学イミド化法を採用することがで
きる。前記加熱イミド化法としては、例えば、 ポリアミック酸溶液をガラス、金属等の表面平滑な基
材上に流延して加熱する方法、あるいは ポリアミック酸溶液をそのまま加熱する方法が適用さ
れる。これらの方法におけるポリアミック酸溶液の溶媒
としては、例えば、ポリアミック酸の製造に使用される
ものと同様の有機溶媒を挙げることができる。前記の
加熱イミド化法では、ポリアミック酸溶液を基板上に流
延して形成された薄膜を、常圧下または減圧下で加熱す
ることにより、フィルム状のポリイミドを得ることがで
きる。この場合の加熱温度は、通常、100〜450
℃、好ましくは150〜400℃であり、反応中徐々に
温度を上げることが好ましい。また、前記の加熱イミ
ド化法では、ポリアミック酸溶液を加熱することによ
り、ポリイミドが粉末ないし溶液として得られる。この
場合の加熱温度は、通常、80〜300℃、好ましくは
100〜250℃である。また、の加熱イミド化法に
際しては、副生する水の除去を容易とするため、水と共
沸し、特に反応系外で水と容易に分離しうる成分、例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
系溶媒を脱水剤として存在させることもできる。さら
に、の加熱イミド化法に際しては、脱水閉環を促進す
るため、第三級アミン、例えば、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミ
ン等の脂肪族第三級アミン類;N,N−ジメチルアニリ
ン、N,N−ジエチルアニリン等の芳香族第三級アミン
類;ピリジン、キノリン、イソキノリン等の複素環式第
三級アミン類等の触媒を、ポリアミック酸100重量部
当たり、例えば10〜400重量部用いることもでき
る。
Polyimide The polyimide of the present invention contains a repeating unit represented by the general formula (2). The polyimide of the present invention can be produced by dehydrating and ring-closing the polyamic acid containing the repeating unit represented by the general formula (1) to imidize the polyamic acid. At the time of the imidization, a heat imidation method or a chemical imidization method can be employed. As the heat imidization method, for example, a method in which a polyamic acid solution is cast on a substrate having a smooth surface such as glass or metal and heated, or a method in which the polyamic acid solution is directly heated is applied. As the solvent for the polyamic acid solution in these methods, for example, the same organic solvents as those used for producing polyamic acid can be mentioned. In the above-mentioned heat imidization method, a film-like polyimide can be obtained by heating a thin film formed by casting a polyamic acid solution on a substrate under normal pressure or reduced pressure. The heating temperature in this case is usually 100 to 450
℃, preferably 150 to 400 ℃, it is preferable to gradually increase the temperature during the reaction. In the above-mentioned heat imidization method, the polyimide is obtained as a powder or a solution by heating the polyamic acid solution. The heating temperature in this case is usually 80 to 300 ° C, preferably 100 to 250 ° C. In the heat imidization method, a component which azeotropes with water and which can be easily separated from water especially outside the reaction system, for example, benzene, toluene, xylene, etc. May be present as a dehydrating agent. In addition, in the heat imidization method, tertiary amines, for example, aliphatic tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, and tributylamine; N, N-dimethylaniline, to promote dehydration ring closure Tertiary amines such as pyridine, quinoline and isoquinoline, and a catalyst such as aromatic tertiary amines such as pyridine, quinoline and isoquinoline, for example, 10 to 400 parts by weight per 100 parts by weight of polyamic acid. It can also be used.

【0028】次に、前記化学イミド化法としては、例え
ば、 ポリアミック酸を脱水環化させる閉環剤を用い、溶液
状態でポリイミド化する方法が採用され、ポリイミドが
粉末あるいは溶液として得られる。この方法で使用され
る溶媒としても、例えば、ポリアミック酸の製造に使用
されるものと同様の有機溶媒を挙げることができる。
の化学イミド化法に使用される閉環剤としては、例え
ば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸の如き酸無
水物を挙げることができる。これらの閉環剤は、単独で
または2種以上を混合して使用することができ、その使
用量は、前記一般式(1)で表される繰返し単位1モル
当たり、通常、2〜100モル、好ましくは2〜50モ
ルである。の化学イミド化法における反応温度は、通
常、0〜200℃である。なお化学イミド化法において
も、前記加熱イミド化法の場合と同様に第三級アミンを
触媒として使用することができる。前記加熱イミド化法
または化学イミド化法によりポリイミドが粉末として得
られた場合は、ろ過、噴霧乾燥、水蒸気蒸留等の適宜の
方法により、ポリイミド粉末を媒体から分離回収するこ
とができる。
Next, as the chemical imidization method, for example, a method in which a ring closing agent for dehydrating and cyclizing a polyamic acid is used to form a polyimide in a solution state is employed, and the polyimide is obtained as a powder or a solution. Examples of the solvent used in this method include, for example, the same organic solvents as those used in the production of polyamic acid.
Examples of the ring closing agent used in the chemical imidation method include acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, and butyric anhydride. These ring-closing agents can be used alone or as a mixture of two or more kinds. The amount of the ring-closing agent is usually 2 to 100 mol per mol of the repeating unit represented by the general formula (1), Preferably it is 2 to 50 mol. The reaction temperature in the chemical imidation method is usually 0 to 200 ° C. In the chemical imidization method, a tertiary amine can be used as a catalyst as in the case of the thermal imidization method. When the polyimide is obtained as a powder by the heat imidization method or the chemical imidization method, the polyimide powder can be separated and recovered from the medium by an appropriate method such as filtration, spray drying, or steam distillation.

【0029】本発明のポリイミドの対数粘度〔ηinh 〕
(m−クレゾール溶媒、30℃、濃度0.5g/dl )
は、0.1〜4dl/gであり、好ましくは0.3〜2dl
/gである。本発明のポリイミドは、低誘電率で、耐熱
性が高く、その比誘電率(1MHz)は、通常、3.0
以下、好ましくは2.9以下であり、また5重量%重量
減少温度(窒素雰囲気中)は、通常、400℃以上、好
ましくは500℃以上である。しかも、本発明のポリイ
ミドは、各種溶媒に対する溶解性も優れている。したが
って、本発明のポリイミドは、特にLSIにおける層間
絶縁膜として極めて好適に使用することができるほか、
一般の絶縁材料、耐熱性材料等としても有用である。本
発明のポリイミドから層間絶縁膜を形成する際には、そ
の前駆物質である前記ポリアミック酸のワニスあるいは
ペースト、該ポリイミドのフィルム等が使用される。前
記層間絶縁膜の形成法を例示すると、下記のとおりであ
る。 (イ)ポリアミック酸のワニスをデバイスの層間に流延
し、ワニス中の過剰の溶媒を加熱下および/または減圧
下で除去して、該ポリアミック酸の薄膜を形成したの
ち、例えば、100〜450℃、常圧下または加圧下
で、該ポリアミック酸を脱水閉環してイミド化する方
法、(ロ)フィルム状のポリイミドをデバイスの層間に
配置し、例えば、100〜450℃、常圧下または加圧
下で、圧着する方法。また、ポリイミドをフィルム状で
取得する方法としては、例えば、(ハ)予め離型処理し
た基板、例えば、ガラス、テフロン、ポリエステル等の
基板上に、ポリアミック酸のワニスを流延し、徐々に加
熱して溶媒を除去しつつ脱水閉環し、イミド化する方
法、(ニ)ポリイミドの粉末を、プレス成形、射出成形
等の適宜の方法によりフィルム状に成形する方法等を採
用することができるが、これらに限定されるものではな
い。
Logarithmic viscosity [ηinh] of the polyimide of the present invention
(M-cresol solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl)
Is 0.1 to 4 dl / g, preferably 0.3 to 2 dl
/ G. The polyimide of the present invention has a low dielectric constant and high heat resistance, and its relative dielectric constant (1 MHz) is usually 3.0.
Or less, preferably 2.9 or less, and the 5% by weight weight reduction temperature (in a nitrogen atmosphere) is usually 400 ° C. or more, preferably 500 ° C. or more. Moreover, the polyimide of the present invention has excellent solubility in various solvents. Therefore, the polyimide of the present invention can be very suitably used especially as an interlayer insulating film in an LSI,
It is also useful as a general insulating material, a heat-resistant material, and the like. When an interlayer insulating film is formed from the polyimide of the present invention, a varnish or paste of the polyamic acid, which is a precursor thereof, a film of the polyimide, and the like are used. An example of a method of forming the interlayer insulating film is as follows. (A) A varnish of a polyamic acid is cast between layers of the device, and an excess solvent in the varnish is removed under heating and / or reduced pressure to form a thin film of the polyamic acid. A method in which the polyamic acid is dehydrated and ring-closed under a normal pressure or under pressure to imidize the polyamic acid; (b) a film-like polyimide is arranged between layers of the device; for example, at 100 to 450 ° C. under normal pressure or under pressure. How to crimp. As a method for obtaining polyimide in the form of a film, for example, (c) a varnish of polyamic acid is cast on a substrate which has been subjected to a release treatment in advance, for example, a substrate of glass, Teflon, polyester, or the like, and is gradually heated. And dehydration ring closure and imidization while removing the solvent, and (d) a method of molding the polyimide powder into a film by an appropriate method such as press molding or injection molding. It is not limited to these.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these embodiments.

【実施例】【Example】

実施例1ポリアミック酸の製造 攪拌機、還流冷却器および窒素ガス導入管を備えた容器
に窒素ガスを流して、容器内を窒素ガスで十分置換し、
N,N−ジメチルホルムアミド276.8gを入れたの
ち、9,9−ビス[ 4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル ]フルオレン26.633g(50ミリモル)を加
えて、室温で十分溶解した。次いで、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン二無水物22.213g(50ミリモル)を加え、
室温で5時間攪拌して、ポリアミック酸の溶液を得た。
このポリアミック酸の対数粘度〔ηinh 〕(N,N−ジ
メチルホルムアミド溶媒、30℃、0.5g/dl )を下
記のようにして測定したところ、1.31dl/gであっ
た。このポリアミック酸の赤外吸収スペクトル(IR)
を、図1に示す。 〈対数粘度〔ηinh 〕の測定〉ウベローデ粘度計を用
い、式ln(t/t0)/c により算出した。但し、tはポリア
ミック酸溶液の標線間の通過時間、t0はN,N−ジメチ
ルホルムアミド溶媒の標線間の通過時間、cはポリアミ
ック酸溶液の濃度(0.5g/dl)である。ポリイミドの製造 (i) 前記ポリアミック酸の溶液を、SUS304基
板上にスピンコートにより塗布したのち、80℃、14
0℃、200℃、250℃、300℃に順次昇温させつ
つ、各温度で20分間加熱して、ポリイミドフィルムを
形成した。その後、このポリイミドフィルム上にマスク
蒸着により金電極を形成して、比誘電率測定用試料とし
て、比誘電率(ε)を下記のようにして測定した。その
結果、ε=2.82であり、十分低い値であった。 〈比誘電率(ε)の測定〉ポリイミドフィルムの1MH
zにおける静電容量を、(株)横川ヒューレットパッカ
ード社製のLCRメーター4284Aにより測定して、下記
式により比誘電率(ε)を求めた。 但し、Cは静電容量、 dはフィルムの膜厚、 ε0
真空中の誘電率、Sは上部電極の面積である。 (ii) また、前記ポリアミック酸の溶液を、ガラス基
板上に流延したのち、80℃、140℃、200℃、2
50℃、300℃に順次昇温させつつ、各温度で20分
間加熱して、ポリイミドフィルムを形成し、ガラス転移
温度(Tg)と5%重量減少温度(Td5)を下記のように
して測定した。その結果、Tg =293℃、Td5=53
4℃であり、高い耐熱性を有することが確認された。こ
のポリイミドの赤外吸収スペクトル(IR)を、図2に
示す。 〈ガラス転移温度(Tg)の測定〉示差走査熱量計(DS
C)により、窒素雰囲気中、昇温温度20℃/分で測定
した。 〈5%重量減少温度(Td5)の測定〉熱天秤を用い、窒
素中、昇温速度10℃/分で加熱して、5%の重量減少
を示した温度を測定した。
Example 1 Production of Polyamic Acid Nitrogen gas was passed through a container equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen gas inlet tube, and the inside of the container was sufficiently replaced with nitrogen gas.
After 276.8 g of N, N-dimethylformamide was added, 26.633 g (50 mmol) of 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] fluorene was added and dissolved sufficiently at room temperature. Then, 22,213 g (50 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was added,
The mixture was stirred at room temperature for 5 hours to obtain a polyamic acid solution.
The logarithmic viscosity [ηinh] (N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., 0.5 g / dl) of this polyamic acid was 1.31 dl / g as measured as follows. Infrared absorption spectrum (IR) of this polyamic acid
Is shown in FIG. <Measurement of logarithmic viscosity [ηinh]> Using an Ubbelohde viscometer, it was calculated by the formula ln (t / t 0 ) / c. However, t is the transit time between the marked lines of the polyamic acid solution, t 0 is N, N- dimethylformamide transit time between the marked lines of the solvent, c is the concentration of the polyamic acid solution (0.5g / dl). Production of Polyimide (i) The solution of the polyamic acid was applied on a SUS304 substrate by spin coating,
While sequentially heating to 0 ° C, 200 ° C, 250 ° C, and 300 ° C, each temperature was heated for 20 minutes to form a polyimide film. Thereafter, a gold electrode was formed on the polyimide film by mask evaporation, and the relative dielectric constant (ε) was measured as a sample for relative dielectric constant measurement as follows. As a result, ε = 2.82, which was a sufficiently low value. <Measurement of relative dielectric constant (ε)> 1 MH of polyimide film
The capacitance at z was measured with an LCR meter 4284A manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Co., Ltd., and the relative dielectric constant (ε) was determined by the following equation. Here, C is the capacitance, d is the film thickness, ε 0 is the dielectric constant in vacuum, and S is the area of the upper electrode. (Ii) After the solution of the polyamic acid is cast on a glass substrate, the solution is heated to 80 ° C, 140 ° C, 200 ° C,
While sequentially heating to 50 ° C. and 300 ° C., each was heated at each temperature for 20 minutes to form a polyimide film, and the glass transition temperature (Tg) and 5% weight loss temperature (Td5) were measured as described below. . As a result, Tg = 293 ° C., Td5 = 53
It was 4 ° C, and it was confirmed that the composition had high heat resistance. FIG. 2 shows the infrared absorption spectrum (IR) of this polyimide. <Measurement of glass transition temperature (Tg)> Differential scanning calorimeter (DS
According to C), the measurement was performed at a heating temperature of 20 ° C./min in a nitrogen atmosphere. <Measurement of 5% Weight Loss Temperature (Td5)> Using a thermobalance, heating was performed in nitrogen at a heating rate of 10 ° C./min, and the temperature at which 5% weight loss was observed was measured.

【0031】実施例2ポリイミドの製造 攪拌機、還流冷却器および窒素ガス導入管を備えた容器
に窒素ガスを流して、容器内を窒素ガスで十分置換し、
m−クレゾール276.8gを入れたのち、2,2−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン二無水物22.213g(50ミリモル)を加
え、100℃で十分溶解した。次いで、9,9−ビス[
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル ]フルオレン2
6.633g(50ミリモル)を加え、160℃で5時
間攪拌して、ポリイミドの溶液を得た。このポリイミド
の対数粘度〔ηinh 〕(m−クレゾール溶媒、30℃、
0.5g/dl )を、溶媒を変えた以外は実施例1と同様
にして測定したところ、0.72dl/gであった。ま
た、前記ポリイミドの溶液を、ポリイミド濃度が3重量
%となるようにm−クレゾールで希釈したのち、容積で
10倍量のメタノール中に注いで、ポリイミドを析出さ
せた。その後、析出した沈澱をろ別、乾燥して、ポリイ
ミド粉末を得た。このポリイミド粉末は、N,N−ジメ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N
−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、m
−クレゾール、o−クロロフェノールに可溶であった。
Example 2 Production of Polyimide A nitrogen gas was flowed into a container equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen gas inlet tube, and the inside of the container was sufficiently replaced with nitrogen gas.
After adding 276.8 g of m-cresol, 22.213 g (50 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was added and dissolved sufficiently at 100 ° C. Then, 9,9-bis [
4- (4-aminophenoxy) phenyl] fluorene 2
6.633 g (50 mmol) was added and stirred at 160 ° C. for 5 hours to obtain a polyimide solution. Logarithmic viscosity [ηinh] of this polyimide (m-cresol solvent, 30 ° C.,
0.5 g / dl) was measured in the same manner as in Example 1 except that the solvent was changed, and it was 0.72 dl / g. Further, the polyimide solution was diluted with m-cresol so that the polyimide concentration was 3% by weight, and then poured into a 10-fold volume of methanol to precipitate the polyimide. Thereafter, the deposited precipitate was separated by filtration and dried to obtain a polyimide powder. This polyimide powder contains N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N
-Methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, m
-Soluble in cresol and o-chlorophenol.

【0032】実施例3ポリアミック酸の製造 2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン二無水物22.213g(50ミリモ
ル)の代わりに、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェノキシ)オクタフルオロビフェニル二無水物3
1.117g(50ミリモル)を用いた以外は、実施例
1と同様にして、ポリアミック酸の溶液を得た。このポ
リアミック酸について、実施例1と同様にして、対数粘
度〔ηinh 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、3
0℃、0.5g/dl )を測定したところ、0.53dl/
gであった。このポリアミック酸の赤外吸収スペクトル
(IR)を、図3に示す。ポリイミドの製造 前記ポリアミック酸を用い、実施例1と同様にして、ポ
リイミドフィルムを形成して、比誘電率(ε)、ガラス
転移温度(Tg)および5%重量減少温度(Td5)を測定
した。その結果、ε=2.85、Tg =284℃、Td5
=541℃であり、比誘電率が十分低く、かつ耐熱性も
優れていることが確認された。このポリイミドの赤外吸
収スペクトル(IR)を、図4に示す。
Example 3 Preparation of polyamic acid Instead of 22,213 g (50 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 4,4'-bis (3,3 4-dicarboxyphenoxy) octafluorobiphenyl dianhydride 3
A polyamic acid solution was obtained in the same manner as in Example 1 except that 1.117 g (50 mmol) was used. About this polyamic acid, logarithmic viscosity [ηinh] (N, N-dimethylformamide solvent, 3
0 ° C., 0.5 g / dl) was measured to be 0.53 dl /
g. FIG. 3 shows the infrared absorption spectrum (IR) of this polyamic acid. Production of Polyimide A polyimide film was formed using the above polyamic acid in the same manner as in Example 1, and the relative dielectric constant (ε), glass transition temperature (Tg), and 5% weight loss temperature (Td5) were measured. As a result, ε = 2.85, Tg = 284 ° C., Td5
= 541 ° C, it was confirmed that the relative dielectric constant was sufficiently low and the heat resistance was excellent. FIG. 4 shows the infrared absorption spectrum (IR) of this polyimide.

【0033】実施例4ポリイミドの製造 2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン二無水物22.213g(50ミリモ
ル)の代わりに、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェノキシ)オクタフルオロビフェニル二無水物3
1.117g(50ミリモル)を用いた以外は、実施例
2と同様にして、ポリイミド粉末を得た。このポリイミ
ド粉末は、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、m−クレゾール、o−クロロフェ
ノールに可溶であった。
Example 4 Preparation of Polyimide Instead of 22.213 g (50 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 4,4'-bis (3,4 -Dicarboxyphenoxy) octafluorobiphenyl dianhydride 3
A polyimide powder was obtained in the same manner as in Example 2 except that 1.117 g (50 mmol) was used. This polyimide powder was soluble in N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, m-cresol, and o-chlorophenol.

【0034】実施例5ポリアミック酸の製造 2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン二無水物22.213g(50ミリモ
ル)の代わりに、9,9−ビス[ 4−(3,4−ジカル
ボキシフェノキシ)フェニル ]フルオレン二無水物3
2.131g(50ミリモル)を用いた以外は、実施例
1と同様にして、ポリアミック酸の溶液を得た。このポ
リアミック酸について、実施例1と同様にして、対数粘
度〔ηinh 〕(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、3
0℃、0.5g/dl )を測定したところ、0.47dl/
gであった。このポリアミック酸の赤外吸収スペクトル
(IR)を、図5に示す。ポリイミドの製造 前記ポリアミック酸を用い、実施例1と同様にしてポリ
イミドフィルムを形成して、比誘電率(ε)、ガラス転
移温度(Tg)および5%重量減少温度(Td5)を測定し
た。その結果、ε=2.77、Tg =284℃、Td5=
543℃であり、比誘電率が十分低く、かつ耐熱性も優
れていることが確認された。このポリイミドの赤外吸収
スペクトル(IR)を、図6に示す。
Example 5 Preparation of polyamic acid Instead of 22,213 g (50 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 9,9-bis [4- ( 3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride 3
A polyamic acid solution was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2.131 g (50 mmol) was used. About this polyamic acid, logarithmic viscosity [ηinh] (N, N-dimethylformamide solvent, 3
0 ° C., 0.5 g / dl) was measured to be 0.47 dl /
g. FIG. 5 shows the infrared absorption spectrum (IR) of this polyamic acid. Production of Polyimide A polyimide film was formed using the above polyamic acid in the same manner as in Example 1, and the relative dielectric constant (ε), glass transition temperature (Tg), and 5% weight loss temperature (Td5) were measured. As a result, ε = 2.77, Tg = 284 ° C., Td5 =
It was 543 ° C., and it was confirmed that the relative dielectric constant was sufficiently low and the heat resistance was excellent. FIG. 6 shows the infrared absorption spectrum (IR) of this polyimide.

【0035】実施例6ポリイミドの製造 2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン二無水物22.213g(50ミリモ
ル)の代わりに、9,9−ビス[ 4−(3,4−ジカル
ボキシフェノキシ)フェニル ]フルオレン二無水物3
2.131g(50ミリモル)を用いた以外は、実施例
2と同様にして、ポリイミド粉末を得た。このポリイミ
ド粉末は、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、m−クレゾール、o−クロロフェ
ノールに可溶であった。
Example 6 Preparation of Polyimide Instead of 22,213 g (50 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 9,9-bis [4- (3 , 4-Dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride 3
A polyimide powder was obtained in the same manner as in Example 2 except that 2.131 g (50 mmol) was used. This polyimide powder was soluble in N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, m-cresol, and o-chlorophenol.

【0036】比較例1 2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン二無水物22.213g(50ミリモ
ル)の代わりに、3.3’,4,4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物14.711g(50ミリモル)
を用いた以外は、実施例1と同様にして、ポリアミック
酸の溶液を得た。このポリアミック酸の溶液を用い、実
施例1と同様にしてポリイミドフィルムを形成して、比
誘電率(ε)、ガラス転移温度(Tg)および5%重量減
少温度(Td5)を測定した。その結果、ε=2.95、
Tg =302℃、Td5=567℃であり、耐熱性は良好
であったが、比誘電率が高く、LSIの層間絶縁膜とし
ては満足できないものであった。
Comparative Example 1 3.3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid was used instead of 22.213 g (50 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride 14.711 g (50 mmol) of acid dianhydride
A polyamic acid solution was obtained in the same manner as in Example 1 except for using. Using this polyamic acid solution, a polyimide film was formed in the same manner as in Example 1, and the relative dielectric constant (ε), glass transition temperature (Tg), and 5% weight loss temperature (Td5) were measured. As a result, ε = 2.95,
Tg = 302 ° C. and Td5 = 567 ° C., and the heat resistance was good, but the relative dielectric constant was high, and it was not satisfactory as an interlayer insulating film of LSI.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明のポリイミドは、低い誘電率を有
し、かつ耐熱性が高く、しかも各種溶媒に対する溶解性
にも優れている。したがって、本発明のポリイミドは、
各種電子・電気機器の絶縁材料、耐熱性材料等として極
めて好適に使用することができ、特にLSIの層間絶縁
膜として、信頼性が高くかつ高速化に対応しうるデバイ
スをもたらすことができる。
The polyimide of the present invention has a low dielectric constant, high heat resistance, and excellent solubility in various solvents. Therefore, the polyimide of the present invention,
It can be used very suitably as an insulating material, a heat-resistant material, and the like for various electronic and electric devices. In particular, a highly reliable device capable of coping with high speed can be provided as an interlayer insulating film of an LSI.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1により得られたポリアミック酸のIR
を示す図である。
FIG. 1 shows IR of a polyamic acid obtained according to Example 1.
FIG.

【図2】実施例1により得られたポリイミドのIRを示
す図である。
FIG. 2 is a view showing an IR of the polyimide obtained in Example 1.

【図3】実施例3により得られたポリアミック酸のIR
を示す図である。
FIG. 3 IR of polyamic acid obtained according to Example 3
FIG.

【図4】実施例3により得られたポリイミドのIRを示
す図である。
FIG. 4 is a view showing an IR of the polyimide obtained in Example 3.

【図5】実施例5により得られたポリアミック酸のIR
を示す図である。
FIG. 5: IR of polyamic acid obtained in Example 5
FIG.

【図6】実施例5により得られたポリイミドのIRを示
す図である。
FIG. 6 is a view showing an IR of the polyimide obtained in Example 5.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)で表される少なくとも
1種の繰返し単位を含有してなり、対数粘度〔ηinh 〕
(N,N−ジメチルホルムアミド溶媒、30℃、濃度
0.5g/dl )が0.1〜4dl/gであるポリアミック
酸。 【化1】 〔一般式(1)において、Aは 【化2】 、 【化3】 または 【化4】 を示し、R1 、R2 、R3 およびR4 は相互に独立して
ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜
6のハロゲン化アルキル基、炭素数5〜12のシクロア
ルキル基、炭素数5〜12のハロゲン化シクロアルキル
基、炭素数1〜6のアルコキシル基または炭素数1〜6
のハロゲン化アルコキシル基を示し、Xは単結合または
−O−を示し、各aは相互に独立して0〜3の整数、b
は1〜3の整数、各cは相互に独立して0〜4の整数で
ある。〕
1. A composition comprising at least one type of repeating unit represented by the following general formula (1) and having a logarithmic viscosity [ηinh]
(N, N-dimethylformamide solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl) Polyamic acid having a concentration of 0.1 to 4 dl / g. Embedded image [In the general formula (1), A is , Or Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
6, a halogenated alkyl group, a cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms or 1 to 6 carbon atoms
X represents a single bond or -O-, each a is independently an integer of 0-3, b
Is an integer of 1 to 3, and each c is an integer of 0 to 4 independently of each other. ]
【請求項2】 下記一般式(2)で表される少なくとも
1種の繰返し単位を含有してなり、対数粘度〔ηinh 〕
(m−クレゾール溶媒、30℃、濃度0.5g/dl )が
0.1〜4dl/gであるポリイミド。 【化5】 〔一般式(2)において、Aは 【化2】、 【化3】または 【化4】を示し、R1 、R2 、R3 およびR4 は相互に
独立してハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭
素数1〜6のハロゲン化アルキル基、炭素数5〜12の
シクロアルキル基、炭素数5〜12のハロゲン化シクロ
アルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基または炭素
数1〜6のハロゲン化アルコキシル基を示し、Xは単結
合または−O−を示し、各aは相互に独立して0〜3の
整数、bは1〜3の整数、各cは相互に独立して0〜4
の整数である。〕
2. It comprises at least one kind of repeating unit represented by the following general formula (2), and has a logarithmic viscosity [ηinh].
(M-cresol solvent, 30 ° C., concentration 0.5 g / dl) A polyimide having a concentration of 0.1 to 4 dl / g. Embedded image [In the general formula (2), A represents ## STR2 ## or R 1 , R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a halogen atom and a carbon atom of 1; -6 alkyl groups, halogenated alkyl groups having 1-6 carbon atoms, cycloalkyl groups having 5-12 carbon atoms, halogenated cycloalkyl groups having 5-12 carbon atoms, alkoxyl groups having 1-6 carbon atoms or carbon atoms X represents a single bond or -O-, each a is independently an integer of 0-3, b is an integer of 1-3, each c is independently of each other, Then 0-4
Is an integer. ]
JP29123296A 1996-10-15 1996-10-15 Polyamic acid and polyimide Expired - Lifetime JP3653888B2 (en)

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JP2015054825A (en) * 2013-09-10 2015-03-23 東レ・ファインケミカル株式会社 Diamine compound and method of producing the same

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