JPH10111189A - Vibrating transducer and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリシリコンより
なる振動梁に初期張力を付与し、振動梁に圧縮が加わっ
た場合にも座屈を確実に防止し得る振動式トランスデュ
ーサとその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vibrating transducer capable of imparting initial tension to a vibrating beam made of polysilicon and reliably preventing buckling even when compression is applied to the vibrating beam, and a method of manufacturing the same. Things.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２７は、従来より一般に使用されてい
る従来例の原理的構成説明図で、例えば、ＵＳＰ５０９
０２５４号に示されている。2. Description of the Related Art FIG. 27 is a diagram illustrating the principle of a conventional example generally used in the prior art.
No. 0254.
【０００３】図において、１は、シリコン半導体の基板
である。２は、シリコン半導体の基板１上に形成され、
通常の半導体プロセスにより形成されたポリシリコンよ
りなる振動梁である。振動梁２の両端部分は、基板１に
固定されている。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a silicon semiconductor substrate. 2 is formed on a silicon semiconductor substrate 1;
This is a vibrating beam made of polysilicon formed by a normal semiconductor process. Both ends of the vibrating beam 2 are fixed to the substrate 1.
【０００４】以上の構成において、振動梁２の両端に加
えられた測定力Ｆが変化すると、振動梁２の共振周波数
は変化する。従って、逆に、振動梁２の共振周波数の変
化を測定すれば、振動梁２の両端に加えられた測定力Ｆ
を測定する事が出来る。In the above configuration, when the measuring force F applied to both ends of the vibrating beam 2 changes, the resonance frequency of the vibrating beam 2 changes. Therefore, conversely, if the change in the resonance frequency of the vibrating beam 2 is measured, the measuring force F applied to both ends of the vibrating beam 2
Can be measured.
【０００５】このような装置は、図２８〜図２９に示す
如く、以下の如くして製作する。 （ａ）図２８に示す如く、シリコン半導体の基板１０１
上に、犠牲層酸化膜１０２を形成する。 （ｂ）図２９に示す如く、犠牲層酸化膜１０２の所定個
所１０３をエッチングする。Such an apparatus is manufactured as follows, as shown in FIGS. (A) As shown in FIG. 28, a silicon semiconductor substrate 101
A sacrificial layer oxide film 102 is formed thereon. (B) As shown in FIG. 29, a predetermined portion 103 of the sacrificial layer oxide film 102 is etched.
【０００６】（ｃ）図３０に示す如く、犠牲層酸化膜１
０２と所定個所１０３の半導体の基板１０１上にポリシ
リコン膜１０４を成膜する。 （ｄ）図３１に示す如く、犠牲層酸化膜１０２をエッチ
ング除去する。(C) As shown in FIG. 30, sacrificial layer oxide film 1
A polysilicon film 104 is formed on the semiconductor substrate 101 at 02 and at a predetermined location 103. (D) As shown in FIG. 31, the sacrifice layer oxide film 102 is removed by etching.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な、一般的なサーフェスマイクロマシーニング技術を用
いて作製された振動式トランスデューサは、その振動梁
２部分をポリシリコンで作製されているが、通常の成膜
条件で作製されたポリシリコン膜には、かなり大きな残
留圧縮歪みが残っている。However, in such a vibrating transducer manufactured using a general surface micromachining technique, the vibrating beam 2 is made of polysilicon. In the polysilicon film formed under the above film forming conditions, a considerably large residual compressive strain remains.
【０００８】この残留圧縮歪みを取り除くため、７００
℃以上の高温でアニールを行っているが、アニール温度
により残留歪みの大きさが異なり、また、後工程でのプ
ロセスで、高温の熱処理を制限されるという問題があ
る。また、この方法では、振動梁２に、大きな残留引っ
張り歪みを、保持させることは全くできないことも問題
であった。[0008] To remove the residual compression strain, 700
Although annealing is performed at a high temperature of not less than ° C., the magnitude of the residual strain varies depending on the annealing temperature, and there is a problem that high-temperature heat treatment is limited in a process in a later step. In addition, this method has a problem that the vibrating beam 2 cannot maintain a large residual tensile strain at all.
【０００９】一方、振動式トランスデューサには、差圧
による歪みや、静圧による歪みや、温度による歪みなど
によって、圧縮歪みが加えられる場合があり、その場合
に、振動梁２が座屈してしまわないようにしておく必要
がある。特に、高精度な差圧測定を行うためには、２つ
の振動梁２を、差圧を検知するダイアフラム上に設け
て、差動演算を行う事が採用される。On the other hand, a compressive strain may be applied to the vibrating transducer due to a strain due to a differential pressure, a strain due to a static pressure, a strain due to a temperature, or the like. In this case, the vibrating beam 2 buckles. Need to be kept away. In particular, in order to perform high-precision differential pressure measurement, it is adopted to provide two vibrating beams 2 on a diaphragm for detecting a differential pressure and perform a differential operation.
【００１０】この場合、一方の振動梁２には引っ張り歪
みが、他方の振動梁２には圧縮歪みが印加されるように
ダイアフラム上に配置される。このとき圧縮歪みが印加
される側に配置された振動梁２には、ダイアフラムを通
して圧縮歪みが印加される。この場合、この振動梁２が
確実に座屈を生じない様にするためには、無負荷時に、
あらかじめ、圧縮歪みに対抗する引っ張り歪みを持たせ
なければならない。In this case, the vibrating beams 2 are arranged on the diaphragm such that tensile strain is applied to one vibrating beam 2 and compressive strain is applied to the other vibrating beam 2. At this time, compressive strain is applied to the vibrating beam 2 arranged on the side to which compressive strain is applied through the diaphragm. In this case, in order to ensure that the vibrating beam 2 does not buckle,
In advance, a tensile strain against the compressive strain must be provided.
【００１１】本発明は、この問題点を、解決するもので
ある。本発明の目的は、ポリシリコンよりなる振動梁に
初期張力を付与し、振動梁に圧縮が加わった場合にも座
屈を確実に防止し得る振動式トランスデューサとその製
造方法を提供するにある。The present invention solves this problem. An object of the present invention is to provide a vibratory transducer capable of imparting initial tension to a vibrating beam made of polysilicon and reliably preventing buckling even when compression is applied to the vibrating beam, and a method of manufacturing the same.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 （１）両端が基板に固定された振動梁の共振周波数を測
定する事により該振動梁の両端に加えられた歪を測定す
る振動式トランスデューサにおいて、ボロンの高濃度ド
ープにより所定の初期張力が得られるようにボロンガラ
スが成膜された後加熱された窒素中でドライブインされ
た後前記ボロンガラスが除去されてなるポリシリコンよ
りなる振動梁を具備したことを特徴とする振動式トラン
スデューサ。 （２）前記ポリシリコンよりなる振動梁に初期張力を制
御するために加熱処理を加えたことを特徴とする請求項
１記載の振動式トランスデューサ。 （３）両端が基板に固定された振動ゲートの共振周波数
を測定する事により該振動ゲートの両端に加えられた歪
を測定する振動式トランスデューサの製造方法におい
て、以下の工程を有することを特徴とする振動式トラン
スデューサの製造方法。 （ａ）第１の伝導形式を有する半導体の基板上に、犠牲
層酸化膜を形成する犠牲層酸化膜形成工程。 （ｂ）前記犠牲層酸化膜の所定個所をエッチング除去す
る犠牲層酸化膜一部エッチング工程。 （ｃ）前記犠牲層酸化膜と前記所定個所の前記半導体の
基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜形成
工程。 （ｄ）該ポリシリコン膜上にボロンガラスを形成するボ
ロンガラス形成工程。 （ｅ）窒素中で熱処理を行うボロンドライブイン工程。 （ｆ）前記ボロンガラスをエッチング除去するボロンガ
ラス除去工程。 （ｇ）前記犠牲層酸化膜をエッチング除去する犠牲層酸
化膜エッチング工程。 （４）両端が基板に固定された振動ゲートの共振周波数
を測定する事により該振動ゲートの両端に加えられた歪
を測定する振動式トランスデューサの製造方法におい
て、以下の工程を有することを特徴とする振動式トラン
スデューサの製造方法。 （ａ）第１の伝導形式を有する半導体の基板上に、犠牲
層酸化膜を形成する犠牲層酸化膜形成工程。 （ｂ）前記犠牲層酸化膜の所定個所をエッチング除去す
る犠牲層酸化膜一部エッチング工程。 （ｃ）前記犠牲層酸化膜と前記所定個所の前記半導体の
基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜形成
工程。 （ｄ）該ポリシリコン膜上にボロンガラスを形成するボ
ロンガラス形成工程。 （ｅ）窒素中で熱処理を行うボロンドライブイン工程。 （ｆ）前記ボロンガラスをエッチング除去するボロンガ
ラス除去工程。 （ｇ）前記犠牲層酸化膜をエッチング除去する犠牲層酸
化膜エッチング工程。 （ｈ）前記ポリシリコン膜の初期張力を制御するために
加熱する初期張力制御工程。を採用したものである。In order to achieve this object, the present invention provides: (1) measuring a resonance frequency of a vibrating beam having both ends fixed to a substrate; In the vibration type transducer for measuring strain, the boron glass is removed after being formed into a film so that a predetermined initial tension is obtained by high concentration doping of boron and then driven in heated nitrogen. A vibrating transducer comprising a vibrating beam made of polysilicon. (2) The vibrating transducer according to claim 1, wherein a heat treatment is applied to the vibrating beam made of polysilicon to control initial tension. (3) A method of manufacturing a vibrating transducer for measuring the strain applied to both ends of a vibrating gate by measuring the resonance frequency of the vibrating gate having both ends fixed to the substrate, comprising the following steps. Of manufacturing a vibrating transducer. (A) forming a sacrificial layer oxide film on a semiconductor substrate having a first conductivity type; (B) a sacrificial layer oxide film partial etching step of etching and removing a predetermined portion of the sacrificial layer oxide film; (C) forming a polysilicon film on the sacrificial oxide film and the semiconductor substrate at the predetermined location. (D) a boron glass forming step of forming boron glass on the polysilicon film. (E) Boron drive-in step of performing heat treatment in nitrogen. (F) a boron glass removing step of removing the boron glass by etching; (G) a sacrificial layer oxide film etching step of removing the sacrificial layer oxide film by etching. (4) A method for manufacturing a vibrating transducer for measuring a strain applied to both ends of a vibrating gate by measuring a resonance frequency of the vibrating gate having both ends fixed to the substrate, comprising the following steps. Of manufacturing a vibrating transducer. (A) forming a sacrificial layer oxide film on a semiconductor substrate having a first conductivity type; (B) a sacrificial layer oxide film partial etching step of etching and removing a predetermined portion of the sacrificial layer oxide film; (C) forming a polysilicon film on the sacrificial oxide film and the semiconductor substrate at the predetermined location. (D) a boron glass forming step of forming boron glass on the polysilicon film. (E) Boron drive-in step of performing heat treatment in nitrogen. (F) a boron glass removing step of removing the boron glass by etching; (G) a sacrificial layer oxide film etching step of removing the sacrificial layer oxide film by etching. (H) an initial tension control step of heating to control the initial tension of the polysilicon film. Is adopted.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例の要部構
成説明図である。図において、１１は、シリコン基板で
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view of a main part of an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 11 denotes a silicon substrate.
【００１４】１２は、ボロンの高濃度ドープにより、所
定の初期張力が得られるように、加熱下でボロンガラス
が成膜され、加熱された窒素中でドライブインされた
後、ボロンガラスが除去されてなるポリシリコンよりな
る振動梁である。振動梁１２の両端部分は、シリコン基
板１１に固定されている。In the step 12, a boron glass is deposited under heating so that a predetermined initial tension is obtained by high concentration doping of boron, and after the boron glass is driven in the heated nitrogen, the boron glass is removed. This is a vibrating beam made of polysilicon. Both ends of the vibrating beam 12 are fixed to the silicon substrate 11.
【００１５】以上の構成において、振動梁１２の両端に
加えられた測定力Ｆが変化すると、振動梁１２の共振周
波数は変化する。従って、振動梁１２の共振周波数の変
化を測定すれば、振動梁１２の両端に加えられた測定力
Ｆを測定する事が出来る。In the above configuration, when the measuring force F applied to both ends of the vibrating beam 12 changes, the resonance frequency of the vibrating beam 12 changes. Therefore, by measuring the change in the resonance frequency of the vibrating beam 12, the measuring force F applied to both ends of the vibrating beam 12 can be measured.
【００１６】このような装置は、図２〜図９に示す如
く、以下の如くして製作する。 （ａ）図２に示す如く、シリコン半導体の基板２０１上
に、犠牲層酸化膜２０２を形成する。 （ｂ）図３に示す如く、犠牲層酸化膜２０２の所定個所
２０３をエッチングする。Such an apparatus is manufactured as follows, as shown in FIGS. (A) As shown in FIG. 2, a sacrificial layer oxide film 202 is formed on a silicon semiconductor substrate 201. (B) As shown in FIG. 3, a predetermined portion 203 of the sacrificial layer oxide film 202 is etched.
【００１７】（ｃ）図４に示す如く、犠牲層酸化膜２０
２と所定個所２０３の半導体の基板２０１上にポリシリ
コン膜２０４を成膜する。 （ｄ）図５に示す如く、８５０℃以下程度の温度で、ポ
リシリコン膜２０４上にボロンガラス２０５を形成す
る。(C) As shown in FIG. 4, the sacrificial layer oxide film 20
2 and a polysilicon film 204 is formed on the semiconductor substrate 201 at a predetermined position 203. (D) As shown in FIG. 5, a boron glass 205 is formed on the polysilicon film 204 at a temperature of about 850 ° C. or less.
【００１８】（ｅ）図６に示す如く、１０００℃以上の
高温で、窒素中でドライブインする。 （ｆ）図７に示す如く、ボロンガラス２０５をエッチン
グ除去する。 （ｇ）図８に示す如く、ポリシリコン膜２０４を振動梁
１２の形状になる様に不要部分をエッチング除去する。 （ｈ）図９に示す如く、犠牲層酸化膜２０２をエッチン
グ除去する。(E) As shown in FIG. 6, drive in nitrogen at a high temperature of 1000 ° C. or higher. (F) As shown in FIG. 7, the boron glass 205 is removed by etching. (G) As shown in FIG. 8, unnecessary portions of the polysilicon film 204 are removed by etching so as to have the shape of the vibrating beam 12. (H) As shown in FIG. 9, the sacrificial layer oxide film 202 is removed by etching.
【００１９】本願の発明者の実験によれば、図２７の従
来例によれば、例えば、張力が−６００με程度であ
り、本願発明では、張力が２０００με程度の値が得ら
れた。なお、張力を下げて、所要の張力を得るために、
７００℃以上の熱工程を加えることにより、所要の張力
を得る制御が可能である。According to the experiment of the inventor of the present invention, according to the conventional example of FIG. 27, for example, the tension is about -600 με, and the present invention has a value of about 2000 με. In order to reduce the tension and obtain the required tension,
By adding a heat step of 700 ° C. or more, it is possible to control to obtain a required tension.
【００２０】この結果、 （１）ボロンガラスを、ポリシリコンよりなる振動梁上
に形成して、加熱下の窒素中でドライブインすることに
より、ポリシリコンよりなる振動梁に、圧縮歪みに対抗
出来るような初期張力が得られるようにしたので、圧縮
歪みが印加されるような個所に、信頼性良く使用できる
ポリシリコンよりなる振動梁を有する振動式トランスデ
ューサが得られる。As a result, (1) Boron glass is formed on a vibrating beam made of polysilicon, and is driven in nitrogen under heating, so that the vibrating beam made of polysilicon can resist compression strain. Since such an initial tension is obtained, a vibrating transducer having a vibrating beam made of polysilicon which can be used with high reliability at a place where a compressive strain is applied is obtained.
【００２１】（２）通常の半導体プロセスでは、ポリシ
リコンに導電性を持たせるために、ボロンドープが使用
されるが、その際には、酸素中でアニールされる。この
条件下では、酸化シリコンが生じて張力を発生させる事
ができない。(2) In a normal semiconductor process, boron doping is used in order to impart conductivity to polysilicon. In this case, annealing is performed in oxygen. Under these conditions, silicon oxide is generated and tension cannot be generated.
【００２２】本願発明では、加熱下の窒素中でドライブ
インすることにより、シリコン結晶粒の粒界での増速酸
化を抑えることが出来、ポリシリコンよりなる振動梁
に、圧縮歪みに対抗出来るような初期張力が初めて得ら
れるようにすることが出来た。In the present invention, by driving in nitrogen under heating, accelerated oxidation at the grain boundaries of silicon crystal grains can be suppressed, and the vibration beam made of polysilicon can resist compressive strain. It was possible to obtain an initial tension for the first time.
【００２３】（３）７００℃以上の温度で、ポリシリコ
ンが塑性変形する。この点に着目して本願発明では、７
００℃以上の熱工程を加えることにより、大きな値の張
力が得られたポリシリコンよりなる振動梁から、所定の
張力を有するポリシリコンよりなる振動梁を容易に得ら
れるようにした。(3) At a temperature of 700 ° C. or higher, polysilicon is plastically deformed. Focusing on this point, in the present invention, 7
By applying a heat step of at least 00 ° C., a vibrating beam made of polysilicon having a predetermined tension can be easily obtained from a vibrating beam made of polysilicon having a large value of tension.
【００２４】図１０は本発明の他の実施例の要部構成斜
視図で、例えば、特開平７−３０１２８に示されてい
る、振動式トランスデューサを圧力センサとして用いた
例に、本発明を適用したものである。図１１は図１０の
中央部近傍の断面図である。ただし、振動ゲートを覆う
シエル部分とダイアフラム部分については省略してあ
る。図１２は振動ゲートの中央部分における全体側断面
図である。FIG. 10 is a perspective view of a main part of another embodiment of the present invention. For example, the present invention is applied to an example using a vibration type transducer as a pressure sensor disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-30128. It was done. FIG. 11 is a sectional view near the center of FIG. However, a shell portion and a diaphragm portion covering the vibration gate are omitted. FIG. 12 is an overall side sectional view of a central portion of the vibration gate.
【００２５】図１０、図１１、図１２において、シリコ
ン基板２１は、例えば伝導形式がｎ形に形成され、この
シリコン基板２１の上面には、ｐ形の不純物が拡散され
てソースＳが形成され、ここにソースＳの電位を取り出
すためのアルミニウム製の電極２２が、点線で示す配線
部ＷSを介して形成されている。また、このシリコン基
板２１の下面には図示していないがダイアフラムが凹部
状に形成されここに測定すべき圧力ＰMが印加される。Referring to FIGS. 10, 11, and 12, a silicon substrate 21 has, for example, an n-type conduction type, and a p-type impurity is diffused on the upper surface of the silicon substrate 21 to form a source S. , wherein an aluminum electrode 22 for taking out the potential of the source S is formed through the wiring portion W S shown by a dotted line. Further, the pressure P M is not shown on the lower surface is to be measured here is formed on the diaphragm recessed a silicon substrate 21 is applied.
【００２６】また、このソースＳに対して所定間隔だけ
離れて、同じくシリコン基板２１の上面にｐ形の不純物
が拡散されてドレインＤが形成され、ここにドレインＤ
の電位を取り出すためのアルミニウム製の電極２３が点
線で示す配線部ＷDを介して形成されている。Also, at a predetermined distance from the source S, a p-type impurity is diffused into the upper surface of the silicon substrate 21 to form a drain D, where the drain D is formed.
Aluminum electrodes 23 for taking out the potential of the are formed through the wiring portion W D shown by a dotted line.
【００２７】シリコン基板２１の上方には、間隙ｘ2だ
け離れて固定端２４、２５が形成されている。而して、
不純物が拡散されて導電性が付与され、且つ、ボロンの
高濃度ドープにより所定の初期張力が得られるように、
ボロンガラスが成膜された後、加熱された窒素中でドラ
イブインされた後、ボロンガラスが除去されてなるポリ
シリコンの板状の振動ゲート２６の両端が、これ等の固
定端２４、２５に一体に固定されている。[0027] Above the silicon substrate 21, the fixed end 24, 25 separated by a gap x 2 is formed. Thus,
Impurities are diffused to impart conductivity, and a predetermined initial tension is obtained by high concentration doping of boron.
After the boron glass is formed, it is driven in heated nitrogen, and then the both ends of the polysilicon plate-shaped vibrating gate 26 from which the boron glass is removed are fixed to these fixed ends 24 and 25. They are fixed together.
【００２８】振動ゲート２６の梁の長さはＬである。そ
して、この振動ゲート２６はアルミニウム製の電極２７
と、点線で示す配線部分ＷGを介して接続されている。
つまり、振動ゲート２６とシリコン基板２１とは、両端
を除いて間隙ｘ2だけ離れて配置され、この振動ゲート
２６に対応するシリコン基板２１のドレインＤとソース
Ｓとの間にチャネルＣＮＮ２が形成される。The length of the beam of the vibration gate 26 is L. The vibration gate 26 is made of an aluminum electrode 27.
When, it is connected via a wiring portion W G indicated by the dotted line.
That is, the vibrating gate 26 and the silicon substrate 21, are spaced apart by a gap x 2 except the ends, channel CNN2 is formed between the drain D and the source S of the silicon substrate 21 corresponding to the vibration gate 26 You.
【００２９】シリコン基板２１の上面に形成されたこれ
らのドレインＤ、チャネルＣＮＮ２およびソースＳの上
にはポリシリコン保護膜２８と、酸化膜２９とからなる
２層構造膜３１が形成されている。保護膜２８は酸化膜
２９と同様な絶縁体である。On the drain D, the channel CNN2 and the source S formed on the upper surface of the silicon substrate 21, a two-layer structure film 31 composed of a polysilicon protective film 28 and an oxide film 29 is formed. The protective film 28 is an insulator similar to the oxide film 29.
【００３０】そして、この２層構造膜３１と振動ゲート
２６との間は、振動ゲート２６が固定端２４、２５を節
として上下に振動できるように間隙が設けられている。
このようにして振動ゲージ３２が構成されている。３３
はシエル、３４はダイアフラムである。A gap is provided between the two-layer structure film 31 and the vibration gate 26 so that the vibration gate 26 can vibrate up and down with the fixed ends 24 and 25 as nodes.
Thus, the vibration gauge 32 is configured. 33
Is a shell, and 34 is a diaphragm.
【００３１】次に、このような振動式トランスデューサ
の構成要素としての振動ゲージ２２を製造する製造方法
について、図１３から図２６に示す製造工程図を用いて
説明する。Next, a manufacturing method for manufacturing the vibration gauge 22 as a component of such a vibration type transducer will be described with reference to manufacturing process diagrams shown in FIGS.
【００３２】（１）図１３は、ゲート酸化膜形成工程を
示す。ｎ形のシリコン単結晶の基板３０１の上に、ゲー
ト酸化膜３０２を、例えば５００オングストローム程度
の厚さに形成する。(1) FIG. 13 shows a step of forming a gate oxide film. A gate oxide film 302 is formed on an n-type silicon single crystal substrate 301 to a thickness of, for example, about 500 angstroms.
【００３３】（２）図１４は、イオン注入工程を示す。
ここでは、ｐ形不純物としてボロンを、ソース３０３、
ドレイン３０４やゲートのリード部分に対応する所定領
域に、イオン注入しする。(2) FIG. 14 shows an ion implantation step.
Here, boron is used as a p-type impurity,
Ions are implanted into predetermined regions corresponding to the drain 304 and the lead portion of the gate.
【００３４】（３）図１５は、また、必要に応じて、チ
ャネル部３０５に、ボロンを浅い深さでイオン注入する
ことで、ソース３０３−ドレイン３０４間の抵抗値を制
御することが可能である。(3) FIG. 15 shows that the resistance between the source 303 and the drain 304 can be controlled by ion-implanting boron into the channel portion 305 at a shallow depth if necessary. is there.
【００３５】（４）図１６は、ポリシリコン保護膜形成
工程を示す。この工程では、後工程で使用する弗化水素
酸（ＨＦ）に対して耐性が強く、ゲート酸化膜３０２の
保護膜の役目を果たし、かつ安定な膜であるポリシリコ
ン保護膜３０６を、ほぼ５０００オングストローム程度
の厚さでゲート酸化膜３０２の上に成膜する。(4) FIG. 16 shows a step of forming a polysilicon protective film. In this step, the polysilicon protective film 306, which has a high resistance to hydrofluoric acid (HF) used in the subsequent step, serves as a protective film for the gate oxide film 302, and is a stable film, is replaced by almost 5000 A film having a thickness of about Å is formed on the gate oxide film 302.
【００３６】（５）図１７は、第１犠牲層酸化膜形成工
程を示す。この工程は、先ず、最終的に振動ゲート２６
の周囲に空隙を形成するための下側の犠牲層として、例
えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により５
０００オングストローム程度の厚さに、ポリシリコン保
護膜３０６の上に第１犠牲層酸化膜３０７を形成する。(5) FIG. 17 shows a first sacrificial layer oxide film forming step. In this step, first, the vibration gate 26
As a lower sacrificial layer for forming a void around the substrate, for example, by CVD (Chemical Vapor Deposition).
A first sacrificial layer oxide film 307 is formed on the polysilicon protective film 306 to a thickness of about 000 angstroms.
【００３７】（６）図１８は、梁形成工程を示す。この
工程は最終的に振動ゲート２６を形成するための前工程
である。先ず、第１犠牲層酸化膜３０７の上に、ポリシ
リコン膜３０８（図示せず）を、例えば１μｍ程度の厚
さで成膜する。この後、導電性を付与するためにボロン
をドープする。(6) FIG. 18 shows a beam forming step. This step is a pre-step for finally forming the vibration gate 26. First, a polysilicon film 308 (not shown) is formed on the first sacrificial layer oxide film 307 to a thickness of, for example, about 1 μm. Thereafter, boron is doped to impart conductivity.
【００３８】このボロンドープで振動ゲート２６に導電
性を付与すると共に、初期張力を与える。ボロンドープ
はボロンガラスを室温でスピンコートし、６００℃で焼
成した後、温度を１０００℃に上げ、窒素中でドライブ
インする。その後、ボロンガラスを除去する。The boron doping imparts conductivity to the vibration gate 26 and also imparts an initial tension. Boron dope is formed by spin-coating boron glass at room temperature and firing at 600 ° C., then raising the temperature to 1000 ° C. and driving in nitrogen. After that, the boron glass is removed.
【００３９】次に、フオトリソグラフイ技術により、振
動ゲート２６に対応する部分に、マスクをしてから、Ｒ
ＩＥ（Reactive Ion Etching）により、ポリシリコン３
０８（図示せず）を所定の形状にエッチングして、最終
的に振動ゲート２６となる板状の梁３０９を形成する。Next, a portion corresponding to the vibrating gate 26 is masked by photolithography,
Polysilicon 3 by IE (Reactive Ion Etching)
08 (not shown) is etched into a predetermined shape to form a plate-like beam 309 that finally becomes the vibration gate 26.
【００４０】（７）図１９は、第２犠牲層酸化膜形成工
程を示す。この工程は、先ず、最終的に振動ゲート２６
の周囲に空隙を形成するための、下側を除く部分の犠牲
層として、例えばＣＶＤ法により、５０００オングスト
ローム程度の厚さに、第１犠牲層酸化膜３０７と梁３０
９の上に、第２犠牲層酸化膜４０１を形成する。(7) FIG. 19 shows a step of forming a second sacrificial layer oxide film. In this step, first, the vibration gate 26
The first sacrificial layer oxide film 307 and the beam 30 are formed to a thickness of about 5000 angstroms by, for example, the CVD method as a sacrificial layer except for the lower side for forming a void around the periphery.
9, a second sacrificial layer oxide film 401 is formed.
【００４１】（８）図２０は、間隙対応部形成工程を示
す。先ず、フォトリソグラフィ技術により、振動ゲート
２６の中央部では梁３０９の近傍をマスクしてから、こ
れらの周囲の第１犠牲層酸化膜３０７と第２犠牲層酸化
膜４０１を、弗化水素酸でエッチングして、間隙対応部
４０２を形成する。(8) FIG. 20 shows a step of forming a gap corresponding portion. First, the vicinity of the beam 309 is masked at the center of the vibration gate 26 by photolithography, and then the surrounding first sacrifice layer oxide film 307 and second sacrifice layer oxide film 401 are covered with hydrofluoric acid. The gap corresponding portion 402 is formed by etching.
【００４２】（９）図２１は、ギャップ対応膜形成工程
を示す。この工程は、後工程で用いられる、エッチング
液を導入するための犠牲層としてのギャップ対応酸化膜
４０３を、ほぼ５００オングストローム程度の厚さで、
ポリシリコン保護膜３０６と間隙対応部４０２の上を含
んで全面にＣＶＤ法により形成する。(9) FIG. 21 shows a step of forming a gap corresponding film. In this step, a gap-corresponding oxide film 403 as a sacrificial layer for introducing an etchant, which is used in a later step, is formed with a thickness of about 500 Å,
The entire surface including the polysilicon protective film 306 and the gap corresponding portion 402 is formed by the CVD method.
【００４３】（１０）図２２は、シェル対応部形成工程
を示す。図１０で形成されたギャップ対応酸化膜４０３
上に、１μｍ程度の厚さになるようにポリシリコン膜４
０４（図示せず）を成膜する。(10) FIG. 22 shows a step of forming a shell corresponding portion. Gap corresponding oxide film 403 formed in FIG.
The polysilicon film 4 is formed thereon so as to have a thickness of about 1 μm.
04 (not shown).
【００４４】この後、フォトリソグラフィ技術を用いて
マスクし、ＲＩＥによりポリシリコン膜４０４をエッチ
ングして、振動ゲート２６を覆う大きさの範囲に、シェ
ル対応部４０５を形成する。Thereafter, masking is performed using a photolithography technique, the polysilicon film 404 is etched by RIE, and a shell corresponding portion 405 is formed in a range of a size covering the vibration gate 26.
【００４５】（１１）図２３は、エッチングギャップ形
成工程を示す。この工程は、振動ゲート２６とシェル対
応部４０５を形成するために、弗化水素酸を用いて、ギ
ャップ対応酸化膜４０３をエッチングしながら、これを
除去して導入孔４０６を形成し、ついでこの導入孔４０
６を介して間隙対応部４０２をも除去する。このように
して、振動ゲート２６及びシェル対応部４０５を形成す
る。(11) FIG. 23 shows an etching gap forming step. In this step, in order to form the vibration gate 26 and the shell corresponding portion 405, while etching the gap corresponding oxide film 403 using hydrofluoric acid, the gap corresponding oxide film 403 is removed to form an introduction hole 406. Inlet hole 40
6, the gap corresponding portion 402 is also removed. Thus, the vibration gate 26 and the shell corresponding portion 405 are formed.
【００４６】（１２）図２４は、真空封止工程を示す。
この工程は、真空中でシェル対応部４０５、導入孔４０
６、ポリシリコン保護膜３０６の上を、ポリシリコン膜
４０７でほぼ１μｍ程度の厚さで成膜して、シェル２３
の内部を真空に保持する。(12) FIG. 24 shows a vacuum sealing step.
In this step, the shell corresponding portion 405, the introduction hole 40
6. A polysilicon film 407 is formed on the polysilicon protective film 306 to a thickness of about 1 μm to form a shell 23.
Is maintained in a vacuum.
【００４７】（１３）図２５は、電極を形成する工程を
示す。ソース部３０３とドレイン部３０４の上部にある
ゲート酸化膜３０２、ポリシリコン保護膜３０６、及び
ポリシリコン膜４０７の一部を、フォトリソグラフィ技
術とＲＩＥとを用いて開口して、コンタクトホール４０
８，４０９を形成する。(13) FIG. 25 shows a step of forming an electrode. Portions of the gate oxide film 302, the polysilicon protective film 306, and the polysilicon film 407 above the source portion 303 and the drain portion 304 are opened using photolithography and RIE to form contact holes 40.
8,409 are formed.
【００４８】この後、コンタクトホール４０８，４０９
に、アルミニウムをスパッタリング法によって成膜し、
フォトグラフィ技術を用いてパッド部分５０１，５０２
を形成する。金線でボンディングして配線を行なう。Thereafter, contact holes 408 and 409
Next, aluminum is deposited by a sputtering method,
Pad portions 501 and 502 using a photography technique
To form Wiring is performed by bonding with a gold wire.
【００４９】（１４）図２６は、ダイアフラム形成工程
を示す。水酸化カリウム（ＫＯＨ）液を用いて、中央部
が薄肉で周囲が厚肉となる薄肉部になるように、シリコ
ン単結晶の基板３０１の底部をエッチングして、ダイア
フラム２４を形成する。(14) FIG. 26 shows a diaphragm forming step. The diaphragm 24 is formed by etching the bottom of the silicon single crystal substrate 301 using a potassium hydroxide (KOH) solution so that the central portion becomes thinner and the periphery becomes thicker.
【００５０】以上が、振動式トランスデューサの振動ゲ
ージ３２を、シェル３３で覆い、ダイアフラム３４を形
成する製造方法である．The manufacturing method of forming the diaphragm 34 by covering the vibration gauge 32 of the vibration type transducer with the shell 33 has been described above.
【００５１】以上の様な本発明の製造方法によれば、ゲ
ート絶縁膜が保護され、ドリフトが防止出来、振動ゲー
トの付着を防止でき、且つ、ポリシリコンよりなる振動
梁に初期張力を付与し、振動梁に圧縮が加わった場合に
も座屈を確実に防止し得る振動式トランスデューサを、
従来の半導体プロセスを利用して安価に且つ確実に製作
出来る振動式トランスデューサの製造方法を得ることが
できる。According to the manufacturing method of the present invention as described above, the gate insulating film is protected, the drift can be prevented, the attachment of the vibration gate can be prevented, and the initial tension is applied to the vibration beam made of polysilicon. , A vibration transducer that can reliably prevent buckling even when compression is applied to the vibrating beam,
It is possible to obtain a method of manufacturing a vibrating transducer that can be manufactured inexpensively and reliably using a conventional semiconductor process.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上、実施例と共に詳細に説明したよう
に、本発明の第１請求項によれば、 （１）ボロンガラスを、ポリシリコンよりなる振動梁上
に形成して、加熱下の窒素中でドライブインすることに
より、ポリシリコンよりなる振動梁に、圧縮歪みに対抗
出来るような初期張力が得られるようにしたので、圧縮
歪みが印加されるような個所に、信頼性良く使用できる
ポリシリコンよりなる振動梁を有する振動式トランスデ
ューサが得られる。As described above in detail with the embodiments, according to the first aspect of the present invention, (1) boron glass is formed on a vibrating beam made of polysilicon, and By driving in nitrogen, a vibrating beam made of polysilicon can be provided with an initial tension that can resist compressive strain, so that it can be used reliably where compressive strain is applied. A vibrating transducer having a vibrating beam made of polysilicon is obtained.
【００５３】（２）通常の半導体プロセスでは、ポリシ
リコンに導電性を持たせるために、ボロンドープが使用
されるが、その際には、酸素中でアニールされる。この
条件下では、酸化シリコンが生じて張力を発生させる事
ができない。(2) In a normal semiconductor process, boron doping is used in order to impart conductivity to polysilicon. In this case, annealing is performed in oxygen. Under these conditions, silicon oxide is generated and tension cannot be generated.
【００５４】本願発明では、加熱下の窒素中でドライブ
インすることにより、シリコン結晶粒の粒界での増速酸
化を抑えることが出来、ポリシリコンよりなる振動梁
に、圧縮歪みに対抗出来るような初期張力が初めて得ら
れるようにすることが出来る。In the present invention, by driving in nitrogen under heating, accelerated oxidation at the grain boundaries of silicon crystal grains can be suppressed, so that the vibrating beam made of polysilicon can resist compressive strain. It is possible to obtain a proper initial tension for the first time.
【００５５】本発明の第２請求項によれば、７００℃以
上の温度で、ポリシリコンが塑性変形する。この点に着
目して本願発明では、７００℃以上の熱工程を加えるこ
とにより、大きな値の張力が得られたポリシリコンより
なる振動梁から、所定の張力を有するポリシリコンより
なる振動梁が容易に得られる。According to the second aspect of the present invention, at a temperature of 700 ° C. or more, polysilicon is plastically deformed. Focusing on this point, in the present invention, by applying a heat process at 700 ° C. or more, a vibrating beam made of polysilicon having a predetermined tension can be easily changed from a vibrating beam made of polysilicon having a large value of tension. Is obtained.
【００５６】本発明の第３請求項によれば、ポリシリコ
ンよりなる振動梁に初期張力を付与し、振動梁に圧縮が
加わった場合にも座屈を確実に防止し得る振動式トラン
スデューサを従来の半導体プロセスを利用して安価に且
つ確実に製作出来る振動式トランスデューサの製造方法
を得ることができる。According to the third aspect of the present invention, there is provided a vibration type transducer capable of imparting initial tension to a vibrating beam made of polysilicon and reliably preventing buckling even when compression is applied to the vibrating beam. And a method of manufacturing a vibrating transducer that can be manufactured reliably and inexpensively using the semiconductor process described above.
【００５７】本発明の第４請求項によれば、ポリシリコ
ンよりなる振動梁に所定の初期張力が付与できるように
張力制御が容易にでき、振動梁に圧縮が加わった場合に
も座屈を確実に防止し得る振動式トランスデューサを従
来の半導体プロセスを利用して安価に且つ確実に製作出
来る振動式トランスデューサの製造方法を得ることがで
きる。According to the fourth aspect of the present invention, tension control can be easily performed so that a predetermined initial tension can be applied to the vibrating beam made of polysilicon, and buckling can be prevented even when compression is applied to the vibrating beam. According to the present invention, it is possible to obtain a method of manufacturing a vibratory transducer which can be reliably and inexpensively manufactured by using a conventional semiconductor process.
【００５８】従って、本発明によれば、ポリシリコンよ
りなる振動梁に初期張力を付与し、振動梁に圧縮が加わ
った場合にも座屈を確実に防止し得る振動式トランスデ
ューサとその製造方法を実現することが出来る。Therefore, according to the present invention, there is provided a vibrating transducer capable of imparting initial tension to a vibrating beam made of polysilicon and reliably preventing buckling even when compression is applied to the vibrating beam, and a method of manufacturing the same. Can be realized.
【図１】本発明の１実施例の要部構成説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a main part configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】図１の犠牲層酸化膜形成工程説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of a sacrifice layer oxide film forming step of FIG. 1;
【図３】図１の犠牲層酸化膜一部エッチング工程説明図
である。FIG. 3 is an explanatory view of a step of partially etching a sacrifice layer oxide film of FIG. 1;
【図４】図１のポリシリコン膜形成工程説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a polysilicon film forming step of FIG. 1;
【図５】図１のボロンガラス形成工程説明図である。FIG. 5 is an explanatory view of a boron glass forming step of FIG. 1;
【図６】図１の窒素ドライブイン工程説明図である。FIG. 6 is an explanatory view of a nitrogen drive-in step of FIG. 1;
【図７】図１のボロンガラス除去工程説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a boron glass removing step of FIG. 1;
【図８】図１の振動梁形成工程説明図である。FIG. 8 is an explanatory view of a vibrating beam forming step of FIG. 1;
【図９】図１の犠牲層酸化膜エッチング工程説明図であ
る。FIG. 9 is an explanatory view of a sacrificial layer oxide film etching step of FIG. 1;
【図１０】本発明の他の実施例の要部構成斜視図であ
る。FIG. 10 is a perspective view of a main part of another embodiment of the present invention.
【図１１】図１０の中央部近傍の断面図である。11 is a cross-sectional view of the vicinity of the center in FIG.
【図１２】図１０の振動ゲートの中央部分における全体
側断面図である。12 is an overall side sectional view of a central portion of the vibration gate of FIG.
【図１３】図１０のゲート酸化膜形成工程説明図であ
る。FIG. 13 is an explanatory diagram of a gate oxide film forming step of FIG. 10;
【図１４】図１０のイオン注入工程説明図である。FIG. 14 is an explanatory view of the ion implantation step of FIG. 10;
【図１５】図１０のイオン注入工程説明図である。FIG. 15 is an explanatory view of the ion implantation step of FIG. 10;
【図１６】図１０のポリシリコン保護膜形成工程説明図
である。FIG. 16 is an explanatory view of a polysilicon protective film forming step of FIG. 10;
【図１７】図１０の第１犠牲層酸化膜形成工程説明図で
ある。FIG. 17 is an explanatory diagram of a first sacrificial layer oxide film forming step of FIG. 10;
【図１８】図１０の梁形成工程説明図である。FIG. 18 is an explanatory view of a beam forming step in FIG. 10;
【図１９】図１０の第２犠牲層酸化膜形成工程説明図で
ある。FIG. 19 is an explanatory diagram of a second sacrificial layer oxide film forming step of FIG. 10;
【図２０】図１０の間隙対応部形成工程説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram of a gap corresponding portion forming step of FIG. 10;
【図２１】図１０のギャップ対応膜形成工程説明図であ
る。21 is an explanatory view of a gap-forming film forming step of FIG. 10;
【図２２】図１０のシェル対応部形成工程説明図であ
る。FIG. 22 is an explanatory diagram of a shell corresponding portion forming step of FIG. 10;
【図２３】図１０のエッチングギャップ形成工程説明図
である。FIG. 23 is an explanatory diagram of an etching gap forming step of FIG. 10;
【図２４】図１０の真空封止工程説明図である。FIG. 24 is an explanatory view of a vacuum sealing step in FIG. 10;
【図２５】図１０の電極形成工程説明図である。FIG. 25 is an explanatory diagram of the electrode forming step of FIG. 10;
【図２６】図１０のダイアフラム形成工程説明図であ
る。FIG. 26 is an explanatory diagram of the diaphragm forming step of FIG. 10;
【図２７】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。FIG. 27 is an explanatory diagram of a configuration of a conventional example generally used in the related art.
【図２８】図２７の犠牲層酸化膜形成工程説明図であ
る。FIG. 28 is an explanatory diagram of a sacrifice layer oxide film forming step of FIG. 27;
【図２９】図２７の犠牲層酸化膜一部エッチング工程説
明図である。FIG. 29 is an explanatory view of a step of partially etching the sacrifice layer oxide film of FIG. 27;
【図３０】図２７のポリシリコン膜形成工程説明図であ
る。FIG. 30 is an explanatory diagram of the polysilicon film forming step of FIG. 27;
【図３１】図２７の犠牲層酸化膜除去工程説明図であ
る。FIG. 31 is an explanatory view of a sacrificial layer oxide film removing step of FIG. 27.
１１ シリコン基板 １２ 振動梁 ２１ シリコン基板 ２２ 電極 ２３ 電極 ２４ 固定端 ２５ 固定端 ２６ 振動ゲート ２７ 電極 ２８ ポリシリコン保護膜 ２９ ゲート酸化膜 ３１ ２層構造膜 ３２ 振動ゲージ ３３ シェル ３４ ダイアフラム ２０１ シリコン基板 ２０２ 犠牲層 ２０３ 所定個所 ２０４ ポリシリコン膜 ２０５ ボロンガラス ３０１ シリコン基板 ３０２ ゲート酸化膜 ３０３ ソース ３０４ ドレイン ３０５ チャネル部 ３０６ ポリシリコン保護膜 ３０７ 第１犠牲層酸化膜 ３０８ ポリシリコン ３０９ 梁 ４０１ 第２犠牲層酸化膜 ４０２ 間隙対応部 ４０３ ギャップ対応酸化膜 ４０４ ポリシリコン膜 ４０５ シェル対応部 ４０６ 導入孔 ４０７ ポリシリコン膜 ４０８ コンタクトホール ４０９ コンタクトホール ５０１ パッド部分 ５０２ パッド部分 Ｓ ソース Ｄ ドレイン Ｅ１ 直流電源 Ｅ２ 直流電源 ＣＮＮ１ チャネル ＣＮＮ２ チャネル DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Silicon substrate 12 Vibration beam 21 Silicon substrate 22 Electrode 23 Electrode 24 Fixed end 25 Fixed end 26 Vibration gate 27 Electrode 28 Polysilicon protective film 29 Gate oxide film 31 Two-layer structure film 32 Vibration gauge 33 Shell 34 Diaphragm 201 Silicon substrate 202 Sacrifice Layer 203 Predetermined location 204 Polysilicon film 205 Boron glass 301 Silicon substrate 302 Gate oxide film 303 Source 304 Drain 305 Channel section 306 Polysilicon protective film 307 First sacrificial layer oxide film 308 Polysilicon 309 Beam 401 Second sacrificial layer oxide film 402 Gap corresponding portion 403 gap corresponding oxide film 404 polysilicon film 405 shell corresponding portion 406 introduction hole 407 polysilicon film 408 contact hole 409 contact hole 501 pad portion 502 pad portion S source D drain E1 DC power source E2 DC power supply CNN1 channel CNN2 channel
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｚ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H03H 9/17 H03H 9/17 Z
Claims (4)
数を測定する事により該振動梁の両端に加えられた歪を
測定する振動式トランスデューサにおいて、 ボロンの高濃度ドープにより所定の初期張力が得られる
ようにボロンガラスが成膜された後加熱された窒素中で
ドライブインされた後前記ボロンガラスが除去されてな
るポリシリコンよりなる振動梁を具備したことを特徴と
する振動式トランスデューサ。1. A vibrating transducer for measuring the strain applied to both ends of a vibrating beam by measuring the resonance frequency of the vibrating beam having both ends fixed to a substrate, wherein a predetermined initial tension is applied by high-concentration doping of boron. A vibrating transducer comprising a vibrating beam made of polysilicon formed by forming a film of boron glass, driving in heated nitrogen, and removing the boron glass so as to obtain.
力を制御するために加熱処理を加えたことを特徴とする
請求項１記載の振動式トランスデューサ。2. The vibrating transducer according to claim 1, wherein a heat treatment is applied to said vibrating beam made of polysilicon to control initial tension.
周波数を測定する事により該振動ゲートの両端に加えら
れた歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法に
おいて、以下の工程を有することを特徴とする振動式ト
ランスデューサの製造方法。 （ａ）第１の伝導形式を有する半導体の基板上に、犠牲
層酸化膜を形成する犠牲層酸化膜形成工程。 （ｂ）前記犠牲層酸化膜の所定個所をエッチング除去す
る犠牲層酸化膜一部エッチング工程。 （ｃ）前記犠牲層酸化膜と前記所定個所の前記半導体の
基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜形成
工程。 （ｄ）該ポリシリコン膜上にボロンガラスを形成するボ
ロンガラス形成工程。 （ｅ）窒素中で熱処理を行うボロンドライブイン工程。 （ｆ）前記ボロンガラスをエッチング除去するボロンガ
ラス除去工程。 （ｇ）前記犠牲層酸化膜をエッチング除去する犠牲層酸
化膜エッチング工程。3. A method of manufacturing a vibrating transducer for measuring a strain applied to both ends of a vibrating gate by measuring a resonance frequency of a vibrating gate having both ends fixed to a substrate, comprising the following steps. A method of manufacturing a vibration type transducer. (A) forming a sacrificial layer oxide film on a semiconductor substrate having a first conductivity type; (B) a sacrificial layer oxide film partial etching step of etching and removing a predetermined portion of the sacrificial layer oxide film; (C) forming a polysilicon film on the sacrificial oxide film and the semiconductor substrate at the predetermined location. (D) a boron glass forming step of forming boron glass on the polysilicon film. (E) Boron drive-in step of performing heat treatment in nitrogen. (F) a boron glass removing step of removing the boron glass by etching; (G) a sacrificial layer oxide film etching step of removing the sacrificial layer oxide film by etching.
周波数を測定する事により該振動ゲートの両端に加えら
れた歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法に
おいて、以下の工程を有することを特徴とする振動式ト
ランスデューサの製造方法。 （ａ）第１の伝導形式を有する半導体の基板上に、犠牲
層酸化膜を形成する犠牲層酸化膜形成工程。 （ｂ）前記犠牲層酸化膜の所定個所をエッチング除去す
る犠牲層酸化膜一部エッチング工程。 （ｃ）前記犠牲層酸化膜と前記所定個所の前記半導体の
基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜形成
工程。 （ｄ）該ポリシリコン膜上にボロンガラスを形成するボ
ロンガラス形成工程。 （ｅ）窒素中で熱処理を行うボロンドライブイン工程。 （ｆ）前記ボロンガラスをエッチング除去するボロンガ
ラス除去工程。 （ｇ）前記犠牲層酸化膜をエッチング除去する犠牲層酸
化膜エッチング工程。 （ｈ）前記ポリシリコン膜の初期張力を制御するために
加熱する初期張力制御工程。4. A method of manufacturing a vibrating transducer for measuring a strain applied to both ends of a vibrating gate by measuring a resonance frequency of the vibrating gate having both ends fixed to a substrate, comprising the following steps. A method of manufacturing a vibration type transducer. (A) forming a sacrificial layer oxide film on a semiconductor substrate having a first conductivity type; (B) a sacrificial layer oxide film partial etching step of etching and removing a predetermined portion of the sacrificial layer oxide film; (C) forming a polysilicon film on the sacrificial oxide film and the semiconductor substrate at the predetermined location. (D) a boron glass forming step of forming boron glass on the polysilicon film. (E) Boron drive-in step of performing heat treatment in nitrogen. (F) a boron glass removing step of removing the boron glass by etching; (G) a sacrificial layer oxide film etching step of removing the sacrificial layer oxide film by etching. (H) an initial tension control step of heating to control the initial tension of the polysilicon film.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004014784A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Sony Corporation | Micromachine and production method therefor |
| WO2004050545A1 (en) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Sony Corporation | Micromachine and method of producing the same |
| JP2013117419A (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Yokogawa Electric Corp | Manufacturing method of oscillatory transducer |
| JP2017164839A (en) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | Electronic device and method for manufacturing electronic device |
-
1996
- 1996-10-09 JP JP26817996A patent/JP3343901B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2004014784A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Sony Corporation | Micromachine and production method therefor |
| WO2004050545A1 (en) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Sony Corporation | Micromachine and method of producing the same |
| US7212081B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-05-01 | Sony Corporation | Micromachine and method of producing the same |
| CN100402411C (en) * | 2002-12-03 | 2008-07-16 | 索尼株式会社 | Micromachine and method of producing the same |
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