JPH10104161A - Method and device for evaluating conversion rate to imide - Google Patents

Method and device for evaluating conversion rate to imide

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Publication number
JPH10104161A
JPH10104161A JP25940296A JP25940296A JPH10104161A JP H10104161 A JPH10104161 A JP H10104161A JP 25940296 A JP25940296 A JP 25940296A JP 25940296 A JP25940296 A JP 25940296A JP H10104161 A JPH10104161 A JP H10104161A
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JP
Japan
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light
wavelength
absorbance
substrate
transmitted
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP25940296A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Rokkaku
正 六角
Koichi Kurita
耕一 栗田
隆士 ▲吉▼山
Takashi Yoshiyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP25940296A priority Critical patent/JPH10104161A/en
Publication of JPH10104161A publication Critical patent/JPH10104161A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to perform a quick and quantitative evaluation the conversion rate to imide of a large area by irradiating light on the surface of a substrate, wherein polyamide is formed, obtaining the absorbance of the substrate at the specified wavelength region from the reflected or transmitted light, comparing the absorbance with the absorbance in a reference region, and obtaining the absorbance difference. SOLUTION: Light 11, which is irradiated on a substrate 1 from a light source 10, is projected on the substrate 1 through a lens 12, a diaphram 13 and a lens 14 as collimated light 15. The reflected light from the substrate 1 is transmitted through narrow-band passing filters 19a, b, c and d by way of lenses 17 and 18. The image of the lights having the respective specified wavelengths transmitted through the narrow-and passing filters 19a, b, c and d are picked up with an infrared camera 22. The image data are stored in the frame memory of an image processor 23. In this constitution, the absorbances at the reference wavelengths in the vicinity of the wavelength of 5.8μm, in the vicinity of the wavelength of 6μm and 5.5μm or less are compared with the absorbances in the vicinity of the wavelength of 5.8μm and in the vicinity of the wavelength of 6μm. Thus, the absorbance caused by polyamide and polyimide is computed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイの配向膜を構成するポリイミドを定量的に評価す
るイミド化率評価方法及びイミド化率評価装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an imidation rate evaluation method and an imidation rate evaluation apparatus for quantitatively evaluating, for example, a polyimide constituting an alignment film of a liquid crystal display.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、液晶ディスプレイ市場は急激に成
長しており、液晶ディスプレイのコストダウンを図るこ
とが重要となっている。そのコストダウンの阻害要因の
一つが歩留まりの低下である。液晶ディスプレイの歩留
まりの低下は、最終工程の点灯検査で顕在化する色ム
ラ,輝度ムラ等の画像品質不良が一つの要因となってい
る。
2. Description of the Related Art At present, the liquid crystal display market is growing rapidly, and it is important to reduce the cost of the liquid crystal display. One of the factors that hinder the cost reduction is a decrease in yield. One of the causes of the decrease in the yield of the liquid crystal display is poor image quality such as color unevenness and luminance unevenness that become apparent in the lighting inspection in the final process.

【0003】この色ムラ,輝度ムラの原因の一つに、液
晶分子を配向させるための配向膜のイミド化率の不均一
にあることが判明してきている。液晶ディスプレイの配
向膜は、ガラス基板上にTFT(Thin Film Transisto
r),カラーフィルタ,透明電極膜,オーバコート透明
樹脂膜などが成膜された多層膜の最上層に塗布したポリ
アミド膜に対して加熱・乾燥を行ってポリイミド膜を形
成し、形成されたポリイミド膜に対して物理的接触によ
るラビング処理を行って、複数の微小溝を形成したもの
である。そして、ポリアミドは、ポリイミドに比して硬
度が低く、ポリイミド中にポリアミドが残存している
と、ラビング処理の際に溝が不均一に形成され、最終的
な製品の色ムラ,輝度ムラ等の原因となる。
It has been found that one of the causes of the color non-uniformity and the luminance non-uniformity is the non-uniformity of the imidization ratio of the alignment film for aligning the liquid crystal molecules. The alignment film of a liquid crystal display is composed of a TFT (Thin Film Transistor) on a glass substrate.
r) The polyimide film is formed by heating and drying the polyamide film applied on the top layer of the multilayer film on which the color filter, transparent electrode film, overcoat transparent resin film, etc. are formed. A rubbing process is performed on the film by physical contact to form a plurality of microgrooves. Polyamide has a lower hardness than polyimide, and if the polyamide remains in the polyimide, grooves are formed unevenly during the rubbing treatment, resulting in color unevenness, luminance unevenness, etc. of the final product. Cause.

【0004】ポリアミドを十分にポリイミド化するに
は、高温で長時間加熱を行えばよい。しかし、高温度で
長時間加熱を行うと、配向膜の下層に形成されている耐
熱性の低いTFTや透明電極膜にダメージが生じ、歩留
まりが悪化する。従って、配向膜の下層の構造を保護す
る観点から、低温度、且つ短時間でポリアミドの加熱を
行うことが望まれる。他方、低温度、且つ短時間の加熱
でポリイミドを形成すると、ポリイミド膜のイミド化率
の低下や不均一が発生し、最終製品の液晶ディスプレイ
の色ムラや輝度ムラの原因となり、歩留まりが低下す
る。そのため最適な条件でポリイミドを形成しなければ
ならない。
[0004] In order to sufficiently convert the polyamide into a polyimide, heating may be performed at a high temperature for a long time. However, when heating is performed at a high temperature for a long time, a TFT having low heat resistance and a transparent electrode film formed below the alignment film are damaged, and the yield is deteriorated. Therefore, from the viewpoint of protecting the structure of the lower layer of the alignment film, it is desired to heat the polyamide at a low temperature in a short time. On the other hand, when the polyimide is formed at a low temperature and for a short time of heating, the imidization ratio of the polyimide film is reduced or non-uniform, which causes color unevenness and brightness unevenness of the liquid crystal display of the final product, and reduces the yield. . Therefore, polyimide must be formed under optimal conditions.

【0005】従って、最適な加熱条件を求めるためにも
ポリアミドとポリイミドとの比率、即ちイミド化率の均
一性を評価する装置が望まれているが、生産現場での評
価に適用できる測定時間を有する装置は存在しない。し
かし、研究室レベルでのイミド化率の評価を行うことは
可能である。例えば、赤外光吸収スペクトルに対してフ
ーリエ解析装置(以下IR分析装置と記)を用いれば分
析可能である。
Therefore, an apparatus for evaluating the ratio of polyamide to polyimide, that is, the uniformity of the imidization ratio is desired in order to obtain optimum heating conditions. There is no device to have. However, it is possible to evaluate the imidation rate at the laboratory level. For example, analysis can be performed by using a Fourier analyzer (hereinafter referred to as an IR analyzer) for an infrared light absorption spectrum.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、IR分
析装置は、評価対象となる点の赤外光の吸収又は反射ス
ペクトルをフーリエ解析するため、1点あたりの分析時
間が長い。また、通常IR分析装置は、試料サイズに制
約がある。そのため、近年大型化しているガラス基板
(例えば360×460mm)に施工された配向膜のイ
ミド化率の不均一性の分布を短時間で評価することは困
難であり、生産ラインのイミド化率評価装置として使用
することに無理がある。
However, since the IR analyzer performs a Fourier analysis on the absorption or reflection spectrum of the infrared light at the point to be evaluated, the analysis time per point is long. In addition, the IR analyzer usually has a limitation on the sample size. Therefore, it is difficult to evaluate in a short time the distribution of non-uniformity of the imidization rate of an alignment film applied to a glass substrate (for example, 360 × 460 mm) which has been increasing in size in recent years. It is impossible to use it as a device.

【0007】また、本発明者等によって、特願平8−4
3737号において、イミド化率低下部分を抽出する装
置が提案されている。しかし、この装置ではイミド化率
の低い部分を抽出することは可能であるが、イミド化率
を定量的に評価することは困難であった。
Further, the present inventors have filed Japanese Patent Application No. 8-4 / 1996.
No. 3737 proposes an apparatus for extracting a portion where the imidation ratio is reduced. However, although it is possible to extract a portion having a low imidation rate with this apparatus, it has been difficult to quantitatively evaluate the imidation rate.

【0008】本発明の目的は、大面積の試料上に形成さ
れているポリイミドのイミド化率を迅速、且つ定量的に
評価することのできるイミド化率評価方法及びイミド化
率評価装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an imidation rate evaluation method and an imidation rate evaluation apparatus capable of quickly and quantitatively evaluating the imidization rate of a polyimide formed on a large-area sample. It is in.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のイミド化率評価
方法及びイミド化率評価方法は、上記課題を解決するた
めに以下のように構成されている。 (1) 本発明のイミド化率評価方法(請求項1)は、
ポリアミドを加熱することによってポリイミドが形成さ
れている基体の表面に光を照射する工程と、前記基体か
らの反射光或いは透過光から、5.5μm以下の1種類
以上の参照波長域,6μm近傍の波長域,5.8μm近
傍の波長域での基体の吸光度を求める工程と、参照波長
域での吸光度との比較により、波長6μmにおける吸光
度差Pa と波長5.8μmにおける吸光度差Pi を求め
る工程と、求められた二つの吸光度差Pa ,Pi からイ
ミド化率 Pi /(Pi +Pa ) を求める工程とを含むことを特徴とする。 (2) 本発明のイミド化率評価装置(請求項2)は、
ポリアミドを加熱することによってポリイミドが形成さ
れた基体の表面に光を投光する光源と、前記基体からの
反射光或いは透過光の内、6μm近傍の波長域,5.8
μm近傍の波長域,5.5μm以下の1種類以上の参照
波長域をそれぞれ透過させる複数の狭帯域通過フィルタ
と、前記基体からの反射光或いは透過光の光路上に、前
記複数の狭帯域通過フィルタの内一つの該フィルタを切
り換えて配置するフィルタ切り替え手段と、前記狭帯域
通過フィルタを透過した光を複数の画素で受光する撮像
手段と、この撮像手段の出力から、前記複数のフィルタ
を透過したそれぞれの波長域における該撮像手段の各画
素の吸光度を求める手段と、参照波長域での吸光度との
比較により、波長6μmにおける吸光度差Pa と波長
5.8μmにおける吸光度差Pi を前記撮像手段の画素
毎に求める手段と、求められた吸光度差Pa ,Pi から
イミド化率 Pi /(Pi +Pa ) を演算する手段とを具備することを特徴とする。
The imidation rate evaluation method and the imidation rate evaluation method of the present invention are configured as follows to solve the above-mentioned problems. (1) The imidation rate evaluation method of the present invention (Claim 1)
Heating the polyamide to irradiate the surface of the substrate on which the polyimide is formed with light, and reflecting or transmitting light from the substrate to one or more reference wavelength ranges of 5.5 μm or less, in the vicinity of 6 μm. The absorbance difference Pa at a wavelength of 6 μm and the absorbance difference P i at a wavelength of 5.8 μm are determined by comparing the absorbance of the substrate in the wavelength range of 5.8 μm with the absorbance of the substrate in the wavelength range near 5.8 μm. And a step of calculating an imidization ratio P i / (P i + P a ) from the obtained two absorbance differences P a and P i . (2) The imidation rate evaluation device of the present invention (Claim 2)
A light source for projecting light onto the surface of the substrate on which the polyimide is formed by heating the polyamide; and a light range of about 6 μm out of the reflected light or transmitted light from the substrate, 5.8
a plurality of narrow band-pass filters that respectively transmit a wavelength range near μm and one or more types of reference wavelength ranges of 5.5 μm or less; Filter switching means for switching and arranging one of the filters; imaging means for receiving light transmitted through the narrow bandpass filter by a plurality of pixels; and transmitting the plurality of filters from the output of the imaging means. The absorbance difference Pa at a wavelength of 6 μm and the absorbance difference P i at a wavelength of 5.8 μm are compared with the means for determining the absorbance of each pixel of the imaging means in the respective wavelength ranges and the absorbance in the reference wavelength range. And a means for calculating an imidization ratio P i / (P i + P a ) from the determined absorbance differences P a and P i. .

【0010】望ましくは、光源からの光を平行光にして
基体表面に照射する。 (3) 本発明のイミド化率評価装置(請求項3)は、
ポリアミドを加熱することによってポリイミドが形成さ
れた基体を2次元面内で移動させる移動手段と、この移
動手段によって移動された前記基体の表面の複数の位置
に光を投光する光源と、前記基体からの反射光或いは透
過光の内、6μm近傍の波長域,5.8μm近傍の波長
域,5.5μm以下の1種類以上の参照波長域をそれぞ
れ透過させる複数の狭帯域通過フィルタと、前記基体か
らの反射光或いは透過光の光路上に、前記複数の狭帯域
通過フィルタの内一つの該フィルタを切り換えて配置す
るフィルタ切り替え手段と、この狭帯域通過フィルタを
透過した光を受光する赤外センサと、この赤外センサの
出力から吸光度を前記光源からの光が照射された位置毎
に求める手段と、参照波長域での吸光度との比較によ
り、波長6μmにおける吸光度差Pa と波長5.8μm
における吸光度差Pi を求める手段と、求められた吸光
度差Pa ,Pi からイミド化率 Pi /(Pi +Pa ) を演算する手段とを具備する。
[0010] Desirably, the light from the light source is converted into parallel light and irradiated onto the substrate surface. (3) The imidation rate evaluation device of the present invention (claim 3)
Moving means for moving the base on which the polyimide is formed by heating the polyamide in a two-dimensional plane, a light source for projecting light to a plurality of positions on the surface of the base moved by the moving means, and the base A plurality of narrow band pass filters for transmitting at least one of a wavelength range near 6 μm, a wavelength range near 5.8 μm, and at least one reference wavelength range of 5.5 μm or less, among the reflected light or transmitted light from the substrate; Filter switching means for switching and arranging one of the plurality of narrow band-pass filters on the optical path of reflected light or transmitted light from the camera, and an infrared sensor for receiving light transmitted through the narrow band-pass filter Means for determining the absorbance from the output of the infrared sensor for each position irradiated with the light from the light source, and comparing the absorbance in the reference wavelength range with a wavelength of 6 μm. Absorbance difference P a and the wavelength of 5.8μm
Means for determining the absorbance difference P i in, the obtained absorbance difference P a, and means for calculating the imidization ratio P i / (P i + P a) from P i.

【0011】本発明のイミド化率評価方法及びイミド化
率評価方法は、上記構成によって以下の作用・効果を有
する。発明者等の実験により、ポリアミドは波長6μm
近傍での吸光度が高く、ポリイミドは波長5.8μm近
傍での吸光度が高いことがわかった。また、5.5μm
以下の参照波長域での吸光度を基準として、波長6μm
近傍での吸光度差Paと、波長5.8μm近傍での吸光
度差Pi とを算出すると、イミド化率が Pi /(Pi +Pa )×100[%] で定量的に評価できることを確認している。
The method for evaluating imidation rate and the method for evaluating imidation rate of the present invention have the following functions and effects by the above constitution. According to experiments by the inventors, polyamide has a wavelength of 6 μm.
It was found that the absorbance was high in the vicinity, and the absorbance of polyimide was high in the vicinity of the wavelength of 5.8 μm. In addition, 5.5 μm
6 μm wavelength based on the absorbance in the following reference wavelength range
And absorbance difference P a in the vicinity, as calculated the absorbance difference P i at a wavelength near 5.8 [mu] m, that imidization ratio can be quantitatively evaluated by P i / (P i + P a) × 100 [%] I have confirmed.

【0012】例えば、ポリアミドの原液はイミド化率は
8%以下、200℃で充分加熱を行うとイミド化率が1
00%、また加熱時間が短いとイミド化率が低下するこ
となどを本発明のイミド化率評価方法で確認している。
For example, the imidation ratio of a stock solution of polyamide is 8% or less, and when sufficiently heated at 200 ° C., the imidization ratio becomes 1%.
It has been confirmed by the imidation ratio evaluation method of the present invention that the imidation ratio is reduced when the heating time is 00% and the heating time is short.

【0013】参照波長域での吸光度を基準とした6μm
における吸光度差Pa と、5.8μmにおける吸光度差
i を測定し、イミド化率を Pi /(Pi +Pa ) と計算することによって、フーリエ解析を行わないの
で、大面積のポリイミド膜のイミド化率を迅速に評価す
ることができる。
6 μm based on the absorbance in the reference wavelength range
And absorbance difference P a at by measuring the absorbance difference P i at 5.8 [mu] m, by calculating the imidization ratio and P i / (P i + P a), is not performed Fourier analysis, the polyimide film having a large area Can be quickly evaluated.

【0014】また、参照波長域での吸光度と5.8μ
m,6μmの吸光度を比較して、吸光度差Pa ,Pi
求めることによって、光源の光強度の変動や、光量分布
の不均一性の影響が除外された吸光度を求めることがで
き、イミド化率をより正確に評価することができる。
The absorbance in the reference wavelength range is 5.8 μm.
By comparing the absorbances of m and 6 μm and determining the absorbance differences P a and P i , it is possible to obtain the absorbance excluding the influence of the fluctuation of the light intensity of the light source and the influence of the non-uniformity of the light amount distribution. The conversion rate can be more accurately evaluated.

【0015】また、実際の生産ラインで形成された液晶
ディスプレイの配向膜のイミド化率を評価することによ
って、色ムラ,輝度ムラの発生を防ぐだけでなく、ポリ
アミド膜の加熱温度及び加熱時間を適正化するための有
用なツールとなる。
In addition, by evaluating the imidation ratio of the alignment film of the liquid crystal display formed on the actual production line, not only the occurrence of color unevenness and luminance unevenness can be prevented, but also the heating temperature and heating time of the polyamide film can be reduced. It is a useful tool for optimizing.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。 (第1実施形態)図1は本発明の第1実施形態に係わる
イミド化率測定装置の構成を示す模式図である。本実施
形態での測定対象は基板(基体)1で、この基板はガラ
ス板2上にポリイミド3が形成されたものである。光源
10から出射した光11の光路上に、レンズ12及び絞
り13が配置されている。なお、5μm以上の波長の光
を有する光を発光する。絞り13の開口部13aから出
射した光路上に開口部13aを焦点とするレンズ14が
配置されている。レンズ14からの光は、コリメート光
15として基板1に対して照射される。基板1からの反
射光16の光路上に2個のレンズ17,18が配置され
ている。レンズ17,18を透過した光の透過周波数を
制限するための狭帯域フィルタ19(19a,b,c,
d)が配置されている。狭帯域通過フィルタ19は、そ
れぞれ波長5μm,5.4μm,5.8μm,6μmを
中心とする狭帯域波長を選択的に透過させるものであ
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an imidation ratio measuring apparatus according to a first embodiment of the present invention. In this embodiment, a measurement target is a substrate (base) 1, which is a glass plate 2 on which a polyimide 3 is formed. A lens 12 and a stop 13 are arranged on the optical path of the light 11 emitted from the light source 10. Note that light having a wavelength of 5 μm or more is emitted. A lens 14 having a focus on the opening 13a is arranged on an optical path emitted from the opening 13a of the stop 13. Light from the lens 14 is applied to the substrate 1 as collimated light 15. Two lenses 17 and 18 are arranged on the optical path of the reflected light 16 from the substrate 1. A narrow band filter 19 (19a, b, c, 19b) for limiting the transmission frequency of the light transmitted through the lenses 17 and 18
d) is arranged. The narrow band pass filter 19 selectively transmits narrow band wavelengths centered on the wavelengths of 5 μm, 5.4 μm, 5.8 μm, and 6 μm, respectively.

【0017】4個のフィルタ19は、それぞれ円盤ホル
ダ20の円周上に等分に設置されている。この円盤ホル
ダ20の中心軸は回転軸21に接合されており、図示さ
れていない割出装置によって、回転軸が90゜毎に回転
割出され、4種類の狭帯域通過フィルタ19が順次反射
光の光路上に配置されるようになっている。
The four filters 19 are equally installed on the circumference of the disk holder 20. The center axis of the disc holder 20 is joined to the rotating shaft 21. The rotating shaft is indexed by 90 ° by an indexing device (not shown), and four types of narrow band pass filters 19 are sequentially reflected light. Is arranged on the optical path.

【0018】狭帯域通過フィルタ19を透過した反射光
の光路上に赤外カメラ22が配置されている。赤外カメ
ラ22に、赤外カメラ22で受光された映像データを処
理する画像処理装置23が接続されている。この画像処
理装置23は、撮像エリアの輝度レベルから、狭帯域通
過フィルタ19を透過した光の吸光度を算定を行う。
An infrared camera 22 is arranged on the optical path of the reflected light transmitted through the narrow band pass filter 19. An image processing device 23 that processes video data received by the infrared camera 22 is connected to the infrared camera 22. The image processing device 23 calculates the absorbance of the light transmitted through the narrow band pass filter 19 from the luminance level of the imaging area.

【0019】次に、イミド化率を評価する原理と方法を
説明する。図2はポリアミド膜の反射光をIR分析装置
で分析した典型的なデータを模式的に示した特性図であ
る。この特性図は、横軸に波長を、縦軸に吸光度をとっ
ている。また、図3及び図4に実際に測定した例を示し
ている。図3の横軸は波長の逆数である波数になってい
るが、2000cm-1が5μmで、1724cm-1
5.8μmで、1666cm-1が6μmである。図3及
び図4において、吸光度の一部が、負の値を示している
部分があるが、これはクラマース・クローニッヒ変換の
過程ででてくるものである。ここでは、数値よりも基準
(参照波長域での吸光度)に対する差を問題とするの
で、数値の符号そのものには意味がない。
Next, the principle and method for evaluating the imidation ratio will be described. FIG. 2 is a characteristic diagram schematically showing typical data obtained by analyzing reflected light of a polyamide film by an IR analyzer. In this characteristic diagram, the horizontal axis represents wavelength, and the vertical axis represents absorbance. 3 and 4 show examples of actual measurement. While the horizontal axis in FIG. 3 has a wave number which is the reciprocal of the wavelength, at 2000 cm -1 is 5 [mu] m, at 1724 cm -1 is 5.8 [mu] m, 1666 cm -1 is 6 [mu] m. In FIGS. 3 and 4, a part of the absorbance shows a negative value, which is generated in the process of Kramers-Kronig transformation. Here, since the difference from the reference (absorbance in the reference wavelength range) is more of a problem than the numerical value, the sign of the numerical value itself has no meaning.

【0020】図2において、波長5.8μm近傍にポリ
イミドによる吸光度のピーク(点C)があり、波長6μ
m近傍にポリアミドによる吸光度のピーク(点D)が存
在する。また、波長5μmと5.4μmを参照波長と
し、波長5μm,5.4μmにおける吸光度(点A及び
点B)を結ぶ直線の延長線Lを基準とした波長5.8μ
m,6μmにおける吸光度差(点C,D)をそれぞれP
i ,Pa とする。そして、イミド化率を{Pi /(Pi
+Pa )}×100[ %] で評価する。
In FIG. 2, there is a peak (point C) of the absorbance due to the polyimide near the wavelength of 5.8 μm, and the wavelength is 6 μm.
There is a peak of absorbance (point D) due to polyamide near m. Further, wavelengths of 5 μm and 5.4 μm are used as reference wavelengths, and a wavelength of 5.8 μm based on an extension L of a straight line connecting absorbances (points A and B) at wavelengths of 5 μm and 5.4 μm.
The absorbance difference at m and 6 μm (points C and D)
i, and P a. Then, the imidization rate is calculated as ΔP i / (P i
+ P a )} × 100 [%].

【0021】そして、発明者等が、このイミド化率評価
方法を発明者等の実験結果に対して行った。例えば、ガ
ラス板上にポリアミドの原液をスピンコートで塗布した
直後には、イミド化率が8%であり、200℃の温度で
10秒間加熱すると、イミド化率が63〜66%に達
し、90秒間加熱するとイミド化率が100%となる
等、加熱時間と共にイミド化率が上昇しているので、こ
のイミド化率の評価方法が妥当であることが確認されて
いる。
Then, the present inventors performed this method for evaluating the imidation ratio based on the experimental results of the present inventors. For example, immediately after spin coating of a stock solution of polyamide on a glass plate, the imidation ratio is 8%, and when heated at a temperature of 200 ° C. for 10 seconds, the imidization ratio reaches 63 to 66%, and 90%. Since the imidation rate increases with heating time, for example, the imidation rate becomes 100% when heated for 2 seconds, it has been confirmed that this imidation rate evaluation method is appropriate.

【0022】次に、上記した評価方法で図1に示した装
置でイミド化率を評価する動作について説明する。光源
10から基板1に対して照射された光11は、レンズ1
2,絞り13,レンズ14を経由してコリメート光15
として基板1に投光される。基板1からの反射光は、2
個のレンズ17,18を経由して狭帯域通過フィルタ1
9aを透過する。反射光が狭帯域通過フィルタ19aを
通過する際、5μmを中心とする狭帯域波長が選択的に
透過する。狭帯域通過フィルタ19aを透過した5μm
近傍波長の光を赤外カメラ22で映像をとり、その画像
データをデータDa とし、画像処理装置23の図示され
ていないフレームメモリに格納する。そして、同様に狭
帯域通過フィルタ19b,c,dを順次選択して赤外カ
メラ22で映像をとり、それらの画像データをそれぞれ
データDb ,Dc ,Dd として、映像処理装置23のフ
レームメモリに格納する。
Next, the operation of evaluating the imidation ratio by the apparatus shown in FIG. 1 by the above-described evaluation method will be described. The light 11 emitted from the light source 10 to the substrate 1
2, collimated light 15 via aperture 13 and lens 14
The light is projected on the substrate 1. The reflected light from the substrate 1 is 2
Narrow bandpass filter 1 via lenses 17 and 18
9a. When the reflected light passes through the narrow band pass filter 19a, a narrow band wavelength centered on 5 μm is selectively transmitted. 5 μm transmitted through the narrow band pass filter 19a
The near-wavelength light is imaged by the infrared camera 22 and the image data is stored as data Da in a frame memory (not shown) of the image processing device 23. Then, similarly narrow band pass filter 19b, c, sequentially selects d take images in the infrared camera 22, these image data are data D b, D c, as D d, the frame of the image processing apparatus 23 Store in memory.

【0023】赤外カメラ22の画素をそれぞれ(i,
j)と定義する。そして各画素のイミド化率は、画像デ
ータの各画素単位毎に、次に示す演算を画像処理の一環
として行う。
The pixels of the infrared camera 22 are represented by (i,
j). The imidation rate of each pixel is calculated as follows as a part of the image processing for each pixel unit of the image data.

【0024】ここで、説明のために記号LDk (i,j) ,
(k=a,b,c,d)を定義する。LDk (i,j) は画
像データDk (k=a,b,c,d)の(i,j)画素
の輝度レベルの基準輝度レベルとの差を正規化して得ら
れる画素(i、j)における吸光度である。ここで、基
準輝度レベルとは、例えばポリイミド膜3が形成されて
いない状態で測定された輝度のことである。つまり、L
a (i,j) ,LDb (i,j) ,LDc (i,j) ,LDd (i,
j) は、それぞれ波長5μm,5.4μm,5.8μ
m,6μmにおける撮像エリアの画素(i,j)におけ
る吸光度となる。また、図2で示した吸光度差Pi ,P
a を各画素(i,j)に関して求めるには、次式を計算
すればよい。
Here, for the sake of explanation, the symbols LD k (i, j),
(K = a, b, c, d) is defined. LD k (i, j) is a pixel (i, j) obtained by normalizing the difference between the luminance level of the (i, j) pixel of the image data D k (k = a, b, c, d) and the reference luminance level. The absorbance in j). Here, the reference luminance level is, for example, a luminance measured in a state where the polyimide film 3 is not formed. That is, L
D a (i, j), LD b (i, j), LD c (i, j), LD d (i, j)
j) indicates wavelengths of 5 μm, 5.4 μm, and 5.8 μm, respectively.
The absorbance at the pixel (i, j) in the imaging area at m, 6 μm. Further, the absorbance differences P i , P i shown in FIG.
In order to obtain a for each pixel (i, j), the following equation may be calculated.

【0025】[0025]

【数1】 (Equation 1)

【0026】そして、画素(i,j)におけるイミド化
率は、(1),(2)式より Pi (i,j) /(Pi (i,j) + Pa (i,j) )×100
[%] で評価することができる。
From the equations (1) and (2), the imidation ratio at the pixel (i, j) is given by P i (i, j) / (P i (i, j) + P a (i, j) ) × 100
It can be evaluated in [%].

【0027】即ち、赤外カメラの撮像エリア内の各画素
に対して、基板のイミド化率を評価することができる。
本実施形態のイミド化率評価装置によれば、大面積の試
料上のポリイミドのイミド化率を迅速に測定することが
できる。
That is, the imidation ratio of the substrate can be evaluated for each pixel in the imaging area of the infrared camera.
According to the imidation rate evaluation apparatus of the present embodiment, the imidation rate of polyimide on a large-area sample can be quickly measured.

【0028】(第2実施形態)図5は本発明の第2実施
形態に係わるイミド化率測定装置の構成を示す模式図で
ある。ここで、図1と同一な部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。また、本装置は、基板がX−Yス
テージ(不図示)上に載置され、イミド化率の評価を複
数の位置で行うことができる。
(Second Embodiment) FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of an imidation ratio measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention. Here, the same parts as those in FIG.
The description is omitted. In the present apparatus, the substrate is placed on an XY stage (not shown), and the imidization ratio can be evaluated at a plurality of positions.

【0029】本実施形態は、第1実施形態と次の点で異
なっている。 (1) 光源10からの出射光は、レンズ50を介し
て、基板1表面に集光されている。また、基板1からの
反射光は、レンズ51を介して狭帯域通過フィルタ19
に集光される。 (2) 赤外カメラの代わりに、赤外センサ52を用い
ている。本実施形態では、基板1のポリアミド膜3のイ
ミド化率の分布を赤外カメラの撮像範囲内の複数の点を
一度に評価するのではなく、X−Yステージで基板1を
移動させながら複数の代表点の評価を行う。実用上は、
本実施形態のように、基板の複数の代表点のイミド化率
を評価することで十分である。
This embodiment is different from the first embodiment in the following points. (1) Light emitted from the light source 10 is focused on the surface of the substrate 1 via the lens 50. The reflected light from the substrate 1 is transmitted through the lens 51 to the narrow bandpass filter 19.
Is collected. (2) The infrared sensor 52 is used instead of the infrared camera. In the present embodiment, the distribution of the imidation ratio of the polyamide film 3 of the substrate 1 is not evaluated at a time at a plurality of points within the imaging range of the infrared camera, but the plurality of points are moved while moving the substrate 1 on the XY stage. The representative point of the evaluation is performed. In practice,
As in the present embodiment, it is sufficient to evaluate the imidation rates at a plurality of representative points on the substrate.

【0030】本実施形態のイミド化率評価装置によれ
ば、第1実施形態の効果に加え、第1実施形態の装置に
比べて、構成が単純化されているので、低コストで装置
を製造することができる。
According to the imidation rate evaluation apparatus of the present embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, since the configuration is simplified as compared with the apparatus of the first embodiment, the apparatus can be manufactured at low cost. can do.

【0031】本発明は上記実施形態に限定されるもので
はない。例えば、参照波長は2つでなくとも良く、1つ
或いは3つ以上でもよい。参照波長が3つ以上の場合、
補間法で直線Lを求めればよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the number of reference wavelengths is not limited to two, and may be one or three or more. If there are three or more reference wavelengths,
The straight line L may be obtained by an interpolation method.

【0032】実施形態では、反射光から吸光度を測定し
たが、透過光から吸光度を測定しても良い。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施する
ことが可能である。
In the embodiment, the absorbance is measured from the reflected light, but the absorbance may be measured from the transmitted light. In addition, various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように本発明のイミド化率
評価方法によれば、波長5.8μm近傍,波長6μm近
傍,5.5μm以下の参照波長における吸光度を測定
し、参照波長における吸光度と波長5.8μm近傍及び
波長6μm近傍における吸光度を比較することによっ
て、ポリアミドに起因する吸光度とポリイミドに起因す
る吸光度とを算出することによって、大面積の基板上の
ポリイミド膜のイミド化率を迅速、且つ定量的に求める
ことができる。
As described above, according to the method for evaluating imidation ratio of the present invention, the absorbance at a reference wavelength of about 5.8 μm, the wavelength of about 6 μm, and 5.5 μm or less is measured. By comparing the absorbance at a wavelength of about 5.8 μm and the absorbance at a wavelength of about 6 μm, by calculating the absorbance caused by the polyamide and the absorbance caused by the polyimide, the imidization rate of the polyimide film on the large-area substrate can be quickly calculated. And it can be obtained quantitatively.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態に係わるイミド化率評価装置の構
成を示す模式図。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an imidization rate evaluation device according to a first embodiment.

【図2】イミド化率評価方法を説明する図。FIG. 2 is a view for explaining an imidation rate evaluation method.

【図3】IR分析の例を示す特性図(1)。FIG. 3 is a characteristic diagram (1) showing an example of IR analysis.

【図4】IR分析の例を示す特性図(2)。FIG. 4 is a characteristic diagram (2) showing an example of IR analysis.

【図5】第2実施形態に係わるイミド化率評価装置の構
成を示す模式図。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of an imidation rate evaluation device according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 ガラス板 3 ポリイミド膜 10 光源 11 光 12 レンズ 13 絞り 14 レンズ 15 コリメート光 16 反射光 17 レンズ 18 レンズ 19 狭帯域通過フィルタ 20 円盤ホルダ 21 回転軸 22 赤外カメラ 23 画像処理装置 50 レンズ 51 レンズ 52 赤外センサ Reference Signs List 1 substrate 2 glass plate 3 polyimide film 10 light source 11 light 12 lens 13 aperture 14 lens 15 collimated light 16 reflected light 17 lens 18 lens 19 narrow band pass filter 20 disk holder 21 rotation axis 22 infrared camera 23 image processing device 50 lens 51 Lens 52 infrared sensor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ポリアミドを加熱することによってポリイ
ミドが形成されている基体の表面に光を照射する工程
と、 前記基体からの反射光或いは透過光から、5.5μm以
下の1種類以上の参照波長域,6μm近傍の波長域,
5.8μm近傍の波長域での基体の吸光度を求める工程
と、 参照波長域での吸光度との比較により、波長6μmにお
ける吸光度差Pa と波長5.8μmにおける吸光度差P
i を求める工程と、 求められた二つの吸光度差Pa ,Pi からイミド化率 Pi /(Pi +Pa ) を求める工程とを含むことを特徴とするイミド化率評価
方法。
1. A step of irradiating a surface of a substrate on which a polyimide is formed by heating a polyamide with light, and one or more reference wavelengths of 5.5 μm or less from light reflected or transmitted from the substrate. Range, wavelength range around 6 μm,
A step of determining the absorbance of the substrate in a wavelength range near 5.8 μm and comparing the absorbance in the reference wavelength range with the absorbance difference Pa at a wavelength of 6 μm and the absorbance difference P at a wavelength of 5.8 μm;
a step of determining a i, two absorbance difference P a obtained, the imidization ratio evaluation method which comprises a step of obtaining a P i / imidization ratio from P i (P i + P a ).
【請求項2】ポリアミドを加熱することによってポリイ
ミドが形成された基体の表面に光を投光する光源と、 前記基体からの反射光或いは透過光の内、6μm近傍の
波長域,5.8μm近傍の波長域,5.5μm以下の1
種類以上の参照波長域をそれぞれ透過させる複数の狭帯
域通過フィルタと、 前記基体からの反射光或いは透過光の光路上に、前記複
数の狭帯域通過フィルタの内一つの該フィルタを切り換
えて配置するフィルタ切り替え手段と、 前記狭帯域通過フィルタを透過した光を複数の画素で受
光する撮像手段と、 この撮像手段の出力から、前記複数のフィルタを透過し
たそれぞれの波長域における該撮像手段の各画素の吸光
度を求める手段と、 参照波長域での吸光度との比較により、波長6μmにお
ける吸光度差Pa と波長5.8μmにおける吸光度差P
i を前記撮像手段の画素毎に求める手段と、 求められた吸光度差Pa ,Pi からイミド化率 Pi /(Pi +Pa ) を演算する手段とを具備することを特徴とするイミド化
率評価装置。
2. A light source for projecting light onto the surface of a substrate on which a polyimide is formed by heating a polyamide, and a wavelength range of about 6 μm and a wavelength of about 5.8 μm of light reflected or transmitted from the substrate. Wavelength range, 5.5 μm or less 1
A plurality of narrow bandpass filters each transmitting at least one type of reference wavelength band; and one of the plurality of narrowband pass filters is switched and arranged on an optical path of reflected light or transmitted light from the substrate. Filter switching means; imaging means for receiving light transmitted through the narrow band-pass filter by a plurality of pixels; from output of the imaging means, respective pixels of the imaging means in respective wavelength ranges transmitted by the plurality of filters The absorbance difference Pa at a wavelength of 6 μm and the absorbance difference P at a wavelength of 5.8 μm are obtained by comparing the means for determining the absorbance of
means for determining the i for each pixel of said imaging means, the determined absorbance difference P a, imides, characterized by comprising means for calculating the imidization ratio P i / (P i + P a) from P i Conversion rate evaluation device.
【請求項3】ポリアミドを加熱することによってポリイ
ミドが形成された基体を2次元面内で移動させる移動手
段と、 この移動手段によって移動された前記基体の表面の複数
の位置に光を投光する光源と、 前記基体からの反射光或いは透過光の内、6μm近傍の
波長域,5.8μm近傍の波長域,5.5μm以下の1
種類以上の参照波長域をそれぞれ透過させる複数の狭帯
域通過フィルタと、 前記基体からの反射光或いは透過光の光路上に、前記複
数の狭帯域通過フィルタの内一つの該フィルタを切り換
えて配置するフィルタ切り替え手段と、 この狭帯域通過フィルタを透過した光を受光する赤外セ
ンサと、 この赤外センサの出力から吸光度を前記光源からの光が
照射された位置毎に求める手段と、 参照波長域での吸光度との比較により、波長6μmにお
ける吸光度差Pa と波長5.8μmにおける吸光度差P
i を求める手段と、 求められた吸光度差Pa ,Pi からイミド化率 Pi /(Pi +Pa ) を演算する手段とを具備することを特徴とするイミド化
率評価装置。
3. A moving means for moving the base on which the polyimide is formed by heating the polyamide in a two-dimensional plane, and projecting light onto a plurality of positions on the surface of the base moved by the moving means. A light source, and a wavelength range around 6 μm, a wavelength range around 5.8 μm, and a wavelength range of 5.5 μm or less out of reflected light or transmitted light from the substrate.
A plurality of narrow bandpass filters each transmitting at least one type of reference wavelength band; and one of the plurality of narrowband pass filters is switched and arranged on an optical path of reflected light or transmitted light from the substrate. Filter switching means, an infrared sensor for receiving light transmitted through the narrow band-pass filter, means for determining the absorbance from the output of the infrared sensor for each position irradiated with light from the light source, a reference wavelength range The absorbance difference Pa at a wavelength of 6 μm and the absorbance difference P at a wavelength of 5.8 μm are compared with the absorbance at
means for determining i, the obtained absorbance difference P a, imidization ratio evaluating apparatus characterized by comprising a means for calculating the imidization ratio P i / (P i + P a) from P i.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010134361A1 (en) * 2009-05-18 2010-11-25 シャープ株式会社 Liquid crystal panel and method for inspecting liquid crystal panel
JP5285151B2 (en) * 2009-05-18 2013-09-11 シャープ株式会社 Liquid crystal panel and liquid crystal panel inspection method
CN114813603A (en) * 2022-03-09 2022-07-29 南京林业大学 Method for rapidly representing halogenation conversion rate of phenolic hydroxyl compounds without standard substance

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