JPH10103932A - 転写パターンの形状予測方法、設計パターンの検査・補正方法、及び、そのための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 転写パターンの形状予測方法、設計パターン
の検査・補正方法、及び、そのための装置に関し、フォ
トレジスト上の光強度分布の計算のみから、実転写パタ
ーンを高精度に予測する。 【解決手段】 デフォーカスさせて露光した場合のフォ
トレジスト５上の光強度分布を計算で求め、その結果の
光強度分布から設計パターンに対する転写パターンの形
状を予測する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は転写パターンの形状
予測方法、設計パターンの検査・補正方法、及び、その
ための装置に関するものであり、特に、半導体装置の製
造工程等に用いられるフォトレジストにおける転写パタ
ーンの形状を正確に予測し、或いは、予測結果に基づい
て理想的な転写パターンに近づくようにフォトマスクに
設けるパターンを補正する点に特徴を有する転写パター
ンの形状予測方法、設計パターンの検査・補正方法、及
び、そのための装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置を製造する場合には、
多数回のフォトリソグラフィー工程を繰り返しており、
近年の高集積化或いは微細化に伴ってステッパを用いた
縮小投影露光が行なわれている。

【０００３】この場合、半導体ウェハ上に投影された転
写パターンは、隣接するパターンの影響を受けたり、或
いは、投影レンズのもつ分解能の制限により、フォトマ
スクに描画したパターンが正確に転写されないことにな
るが、この様な転写パターンにおける形状劣化、即ち、
転写誤差はパターンが微細になるにしたがって顕著にな
る。

【０００４】そして、この形状劣化が許容値を越えた場
合には、半導体装置に欠陥が生じて、製品化できなくな
るという問題が生ずるので、フォトレジストに形成され
る転写パターンの形状を予め正確に予測し、設計パター
ンの検査、及び、設計変更を効率的に行なうことが要請
されている。

【０００５】ここで、図６を参照して、従来の転写パタ
ーンの形状を説明する。 図６（ａ）及び（ｂ）参照 図６（ａ）は、Ｃｒ膜等の遮光膜パターン３２を設けた
フォトマスク３１の要部平面図であり、また、図６
（ｂ）は図６（ａ）のフォトマスク３１を用いて線幅が
０．２５μｍになるように縮小投影露光して現像した場
合に、光が照射された所が現像液に溶解するポジ型のフ
ォトレジスト３３に形成される実転写パターン３４の顕
微鏡写真を忠実に模写したものである。

【０００６】図から明らかなように、遮光膜パターン３
２を構成する横線の両端部における突出部が、実転写パ
ターン３４においては正確に転写されておらず、このよ
うな形状劣化が半導体装置の製造欠陥の原因となり、正
常に動作する半導体装置を製造するために、新たなフォ
トマスクを設計し直す必要があり、そのためにトライア
ンドエラーを繰り返して、多大に費用、時間、労力を必
要としていた。

【０００７】近年、この様な問題を解決するために、計
算機を用いてフォトレジストに形成される転写パターン
の形状を予め予測することが試みられており、例えば、 フォトレジスト上の光強度分布の算出 光強度分布に基づいて、使用するフォトレジストの感
光特性、及び、プリベーク等の処理条件を考慮したフォ
トレジストの感光分布の算出 現像処理条件を考慮した、最終的な転写パターンの形
状の算出 の３工程を順次行なうことによって転写パターンの形状
を予測していた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な転写
パターンの形状の形状予測手法は、上記の〜の３工
程を全て行なわなければならず、計算に非常に時間がか
かるという問題があり、特に、及びの工程において
は、フォトレジストの感光度合いと現像速度の関係等の
正確な物性値を必要とするため、その物性値を得るため
に別途測定が必要になり、実用的な予測手法とは言えな
かった。

【０００９】また、この様な問題を解決するために、上
記のの工程だけで簡易的に行なうことも検討されてお
り、例えば、フォトレジスト上の光強度に対してあるし
きい値を設定し、そのしきい値の等高線を転写パターン
の形状とすることも試みられている。

【００１０】図７（ａ）及び（ｂ）参照 図７（ａ）は、図６（ａ）に示したフォトマスク３１を
用いて線幅が０．２５μｍになるように縮小投影露光し
た場合に、上記のの計算により得られたフォトレジス
ト上の光強度分布を等高線として示すもので、図７
（ｂ）は光強度が０．３以上でフォトレジストが溶解す
るとした場合の現像後の予測転写パターン３６、即ち、
図には示していないが、図の光強度０．４８の等高線と
光強度０．２４の等高線との間に形成される等高線を、
理想転写パターン３５、即ち、図６（ａ）の遮光膜パタ
ーン３２が１００％忠実に転写された場合のパターンと
重ね合わせたものである。

【００１１】図から明らかなように、理想転写パターン
３５に近い予測転写パターン３６が得られているが、図
６（ｂ）に示す実転写パターン３４とはかなり誤差があ
り、十分な精度で転写パターンの形状を予測することが
できず、必要な精度を確保するためには、やはり上記
，，の全ての計算を行なう必要があった。

【００１２】したがって、本発明は、フォトレジスト上
の光強度分布の計算のみから、実転写パターンの形状を
高精度に予測し、その予測結果に基づいて実用に供しえ
る程度の実転写パターンが得られるようにフォトマスク
を補正することを特徴とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、転写パターンの形状予測方法におい
て、デフォーカスさせて露光した場合のフォトレジスト
５上の光強度分布を計算で求め、その結果の光強度分布
から設計パターンに対する転写パターンの形状を予測す
ることを特徴とする。

【００１４】この様に、フォトマスク２に形成された遮
光膜パターンを投影レンズ３を介して被処理基板４上に
塗布されたフォトレジスト５上に縮小投影露光する場
合、ベストフォーカス位置６に対して、デフォーカス量
ｄｆだけデフォーカスさせて露光したものと仮定して、
フォトレジスト５上の光強度分布を計算することによっ
て、ベストフォーカス位置６で露光したものと仮定し
て、フォトレジスト５上の光強度分布を計算した場合に
比べて、実転写パターンにより近い転写パターンの形状
を得ることができる。

【００１５】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、光強度分布から得られる一つの等高線を基にして、
転写パターンの形状を予測することを特徴とする。

【００１６】また、この様な予測は、フォトレジスト５
の特性に依存して設定した光強度のしきい値から得られ
る一つの等高線を基にすることによって、転写パターン
の形状を容易に予測することができる。

【００１７】（３）また、本発明は、上記（２）におい
て、一つの等高線の接線に垂直な方向の光強度分布の勾
配を求め、その勾配による転写パターンの寸法変量を補
正して、転写パターンの形状を予測することを特徴とす
る。

【００１８】さらに、フォトレジスト５の局所的溶解速
度は、一つの等高線の接線に垂直な方向の光強度分布の
勾配に依存するので、その勾配による転写パターンの寸
法変量を加味することによって、より正確な予測が可能
になる。

【００１９】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、デフォーカスする場合のデ
フォーカス量ｄｆを、フォトレジスト５の厚さをｔと
し、フォトレジストの屈折率をｎとした場合、 ｄｆ＝ｆ×（ｔ／ｎ） に設定し、係数ｆを０．８≦ｆ≦１．４にしたことを特
徴とする。

【００２０】この様に、デフォーカス量ｄｆ、即ち、ベ
ストフォーカス位置６からのずれ量ｄｆを、ｄｆ＝ｆ×
（ｔ／ｎ）で表した場合、係数ｆを各種条件を変更して
実験した結果、０．８≦ｆ≦１．４の範囲に設定するこ
とによって、より正確な転写パターンの予測が可能にな
る。

【００２１】（５）また、本発明は、設計パターンの検
査方法において、デフォーカスさせて露光した場合のフ
ォトレジスト５上の光強度分布を計算で求め、その結果
の光強度分布から予測した設計パターンに対する転写パ
ターンの形状と、設計パターンに対する許容転写パター
ンの形状との間の差を求め、この差に基づいて転写誤差
の発生しやすい場所を特定することを特徴とする。

【００２２】この様に、光強度分布から予測した設計パ
ターンに対する転写パターンの形状と、設計パターンに
対する許容転写パターンの形状との間の差から、設計
上、転写誤差の発生しやすい場所を容易に特定すること
ができ、回路パターンをレイアウト設計する場合にフィ
ードバックすることができる。

【００２３】（６）また、本発明は、設計パターンの補
正方法において、デフォーカスさせて露光した場合のフ
ォトレジスト５上の光強度分布を計算で求め、その結果
の光強度分布から予測した設計パターンに対する転写パ
ターンの形状と、設計パターンに対する許容転写パター
ンの形状との間の差を求め、転写パターンの形状が許容
転写パターンの条件を満たすように設計パターンを補正
することを特徴とする。

【００２４】この様に、光強度分布から予測した設計パ
ターンに対する転写パターンの形状と、設計パターンに
対する許容転写パターンの形状との間の差を利用するこ
とによって、転写パターンの形状が許容転写パターンの
条件を満たすように設計パターンを容易に補正すること
ができる。

【００２５】（７）また、本発明は、設計パターンの検
査装置において、デフォーカスさせて露光した場合のフ
ォトレジスト５上の光強度分布を求める演算手段、その
結果の光強度分布から予測した設計パターンに対する転
写パターンの形状と、設計パターンに対する許容転写パ
ターンの形状との間の差を求める演算手段を有すること
を特徴とする。

【００２６】なお、上記（５）の工程を実施する設計パ
ターンの検査装置において、光強度分布を求める演算手
段、或いは、差を求める演算手段の少なくとも一方を専
用の演算装置、即ち、ＣＰＵとして設けることによって
作業を効率化することができ、汎用機に頼ることなく、
高速に設計パターンの検査を行なうことができる。

【００２７】（８）また、本発明は、設計パターンの補
正装置において、デフォーカスさせて露光した場合のフ
ォトレジスト５上の光強度分布を求める演算手段、その
結果の光強度分布から予測した設計パターンに対する転
写パターンの形状と、設計パターンに対する許容転写パ
ターンの形状との間の差を求める演算手段、及び、差に
基づいて設計パターンを補正する補正手段を有すること
を特徴とする。

【００２８】なお、上記（６）の工程を実施する設計パ
ターンの補正装置において、光強度分布を求める演算手
段、差を求める演算手段、或いは、補正手段の少なくと
も一方を専用の装置、即ち、ＣＰＵとして設けることに
よって作業を効率化することができ、汎用機に頼ること
なく、高速に設計パターンの補正を行なうことができ
る。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図２
及び図３を参照して説明する。 図２（ａ）参照 図２（ａ）は、図６（ａ）のフォトマスク３１を、波長
０．２４８μｍ、開口数ＮＡ０．５、干渉係数ｓ０．５
の露光装置を用いて、デフォーカス量ｄｆ＝０．５μｍ
の条件で露光したと仮定して計算した場合に得られるフ
ォトレジスト上の光強度分布を等高線として表したもの
であり、最強光強度を１として規格化した光強度による
等高線を示したものであり、図においては、光強度０．
２４、光強度０．４８、光強度０．７２、光強度０．９
６の等高線を示している。

【００３０】図２（ｂ）参照 また、図２（ｂ）は、図２（ａ）においては図示してい
ないものの、光強度が０．３の等高線に対し、光強度の
勾配を考慮して予測した予測転写パターン１２を理想転
写パターン１１に重ねて表示したものであり、例えば、
図におけるｓ−ｓ’においては、光強度が０．３１以上
においてフォトレジストが溶解するものとして補正して
ある。

【００３１】図から明らかなように、予測転写パターン
１２の形状は、ベストフォーカス位置で露光したと仮定
した場合の予測転写パターン、即ち、前述の図７（ｂ）
の予測転写パターン３６と比較して、理想転写パターン
からはずれているものの、前述の図６（ｂ）のベストフ
ォーカス位置で露光した場合の実転写パターン３４をよ
り忠実に再現しており、デフォーカス状態を仮定した方
がより正確な予測が可能になることが分かる。

【００３２】即ち、本発明者は、試行錯誤の結果、本来
的にはより正確であると考えられていたベストフォーカ
ス位置での露光を仮定した場合の予測転写パターン３６
よりも、デフォーカス状態を仮定した方がより忠実に実
転写パターン３４を再現していることを発見したもので
あり、これは、フォトレジストを塗布した被処理基板表
面での光の反射によって、ベストフォーカス位置での露
光を仮定してもデフォーカス状態で露光したのと同じ結
果になるためと推測される。

【００３３】なお、この場合のデフォーカス量ｄｆ、即
ち、ベストフォーカス位置からのずれ量ｄｆは、フォト
レジストの厚さｔと、フォトレジストの屈折率ｎに依存
し、 ｄｆ＝ｆ×（ｔ／ｎ） で表され、この係数のｆは、フォトレジストを塗布した
被処理基板表面の反射率に依存する値となる。

【００３４】この理由を図３（ａ）を参照して説明す
る。 図３（ａ）参照 図３（ａ）は、デフォーカスして露光した場合の光強度
を、フォトレジスト表面からの距離（Ｚ）で表したもの
であり、フォトレジストの深さ方向の光強度は、デフォ
ーカスするにしたがって低くなっていく。なお、図にお
いては、便宜上Ｚ＝１．２までしか示していない。

【００３５】ここで、被処理基板の表面の位置が、フォ
トレジストの表面からＺ＝０．６の位置にある場合、被
処理基板表面での反射がなければ、転写パターンの形成
に関与する光は０≦Ｚ≦０．６の範囲の光である。

【００３６】また、被処理基板の表面において１００％
の光が反射がされ、且つ、フォトレジスト表面での反射
が無視できるとすると、転写パターンの形成に関与する
のはは０≦Ｚ≦１．２の範囲の光である。

【００３７】この様に、被処理基板の表面の反射率が異
なれば、０．６＜Ｚ≦１．２の範囲の光の関与する割合
が変わるので、デフォーカス量ｄｆを適当な値に設定す
る必要があり、したがって、係数ｆの値を変更する必要
があり、各種の条件を変更して実験した結果、経験的に
は、０．８≦ｆ≦１．４の範囲が好適であり、被処理基
板表面の反射率が高ければｆを大きく設定する必要があ
る。

【００３８】また、この係数ｆの設定に当たっては、光
量の積分値の算出が難しいので、計算を簡単にするため
に、適当な深さにおける光強度を代表値として用いても
良いものであり、例えば、図２（ａ）の等高線の算出に
当たっては、Ｚ＝０．５の光強度Ｐ_a を代表値として用
いることによって係数ｆを１．３に設定し、屈折率ｎ＝
１．６のフォトレジストをｔ＝０．６μｍの厚さに塗布
した場合を想定することによって、 ｄｆ＝１．３×（０．６／１．６）＝０．４８７５≒
０．５（μｍ） としたものである。

【００３９】次に、図３（ｂ）を参照して、光強度の勾
配による補正方法を簡単に説明する。 図３（ｂ）参照 図３（ｂ）は、光強度分布における最も光強度の勾配が
大きい位置の勾配を１とした場合の各勾配における寸法
変動量の補正を、光強度のしきい値として表したもので
ある。

【００４０】光強度分布における最も光強度の勾配が大
きい位置、即ち、図２（ｂ）においてはａ−ａ’で表さ
れる方向において、光強度が０．３の位置で現像後の転
写パターンが形成されるとすると、光強度の勾配の異な
る他の部分、即ち、勾配の小さな部分においては、光強
度が０．３より大きな位置に現像後の転写パターンが形
成されることになる。

【００４１】これは、現像によるフォトレジストの溶解
過程において、溶解部分における溶解速度が、光強度の
勾配によって異なるため、等方性エッチングと同じであ
る現像工程においては、同じ光強度の所に、即ち、光強
度分布における等高線と同じようには転写パターンは形
成されないことになる。

【００４２】即ち、光強度の勾配が大きい部分では、横
方向の現像が早く進行するが、勾配の小さな部分では比
較的遅く現像が進行するので、同じ現像時間内におい
て、勾配の大きな部分では光強度が０．３の位置まで現
像が進んでも、勾配の小さな部分では光強度が０．３の
位置まで現像が進まない。

【００４３】したがって、使用するフォトレジストの感
光特性や現像処理条件等により、各勾配に対する光強度
のしきい値を予め実験的に決定する必要があり、例え
ば、図の場合には、勾配が１．０の部分においては、光
強度が０．３の位置まで現像され、勾配が０．８の位置
においては光強度が０．３５の位置まで現像されると仮
定する。

【００４４】この様にして、図２（ｂ）の場合には、ａ
−ａ’においては光強度が０．３の位置を予測転写パタ
ーン１２の境界とし、ｓ−ｓ’においては光強度が０．
３１の位置を予測転写パターン１２の境界としている。

【００４５】以上、説明したように、本発明の第１の実
施の形態においては、被処理基板の表面の反射率を考慮
して設定したデフォーカス量ｄｆだけデフォーカスした
状態での露光を仮定して、転写パターンの予測を行なう
ことにより、より精度の高い予測が可能になり、また、
光強度の勾配を考慮することによってさらに精度の高い
予測が可能になる。

【００４６】次に、図４を参照して、設計パターンの検
査方法に関する本発明の第２の実施の形態を説明する。 図４（ａ）及び（ｂ）参照 図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＬ字状の遮光膜パター
ン２２を設けたフォトマスク２１を、波長０．２４８μ
ｍ、開口数ＮＡ０．５、干渉係数ｓ０．５の露光装置を
用いて、より忠実な実転写パターンが得られる様にデフ
ォーカス量ｄｆ＝０．５μｍの条件で露光したと仮定し
て計算した場合に、フォトレジスト２３上に得られる予
測転写パターン２５を、理想転写パターン２４と一点鎖
線で示す許容転写パターン２６とに重ねて表示したもの
である。

【００４７】図４（ｃ）参照 図４（ｃ）は、図４（ｂ）における破線の円内を拡大し
たものであり、許容誤差パターン２６の外周に対する接
線２７に垂直な方向において、転写誤差から理想転写パ
ターン２４の形状と許容転写パターン２６の形状の差、
即ち、許容誤差Δｐを引いて許容転写パターン２６の形
状と予測転写パターン２５の形状の差Δｆを求める。

【００４８】このΔｆの値は、転写誤差の大きさ、或い
は、許容誤差との差を忠実に表しているので、予測転写
パターン２４の外周形状の各部分におけるΔｆを計算す
ることによって、転写誤差が発生しやすい部分を特定す
ること、即ち、設計パターンの形状による転写誤差の発
生要因を検査・分析することができる。

【００４９】したがって、この検査・分析結果を蓄積す
ることによって、回路レイアウトを作成する場合に、大
きな転写誤差が発生しやすいパターン形状をできるだけ
避けることによって、回路レイアウトを何度も設計し直
すことなく、転写誤差が許容誤差の範囲に収まるレイア
ウトを作成することが可能になる。

【００５０】次に、図５を参照して、設計パターンの補
正方法に関する本発明の第３の実施の形態を説明する。 図５（ａ）参照 図５（ａ）は、上記の第２の実施の形態によって転写誤
差が発生した部分を特定したのち、特定部分において予
測転写パターンが許容転写パターンの条件を満たすよう
に設計パターンを補正し、補正した設計パターンに基づ
いて補正遮光膜パターン２８を形成したフォトマスク２
１を示している。

【００５１】なお、この補正の仕方は、転写倍率、使用
する露光装置の開口率、干渉係数、露光波長等の特性、
使用するフォトレジストの感光・現像特性、或いは、フ
ォトレジストに形成される転写パターンの線幅等に依存
して補正の精度が異なり、非常に煩雑になるので具体的
説明は差し控えるが、大雑把には、設計パターンの山折
りのコーナー及び設計パターンの端部においては設計パ
ターンを理想転写パターンより大きくし、設計パターン
の谷折りのコーナーにおいては理想転写パターンより小
さくする必要があり、その大きくする程度及び小さくす
る程度は、実際に用いる各種の条件により決定すること
になる。

【００５２】図５（ｂ）参照 図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＬ字状の補正遮光膜パ
ターン２８を設けたフォトマスク２１を、波長０．２４
８μｍ、開口数ＮＡ０．５、干渉係数ｓ０．５の露光装
置を用いて、より忠実な実転写パターンが得られる様に
デフォーカス量ｄｆ＝０．５μｍの条件で露光したと仮
定して計算した場合に、フォトレジスト２３上に得られ
る予測転写パターン２９を、理想転写パターン２４に重
ねて表示したものであり、図から明らかなように、許容
誤差を十分に満たしている。

【００５３】この様に、設計パターンから得られる転写
パターンの形状をシミュレーションによって予測し、予
測転写パターンにおける転写誤差の大きい部分を補正す
ることによって、理想転写パターンにより忠実な転写パ
ターンを得ることが可能になる。

【００５４】なお、この様な転写パターンの形状予測、
設計パターンの検査、及び、設計パターンの補正におい
ては、汎用ワークステーションを用いても良いが、本発
明の実施の形態に用いる手法は、一定の決まった手法を
用いているので、作業を効率化するために、専用の演算
手段（ＣＰＵ等）を備えた専用装置を用いても良い。

【００５５】また、本発明は、半導体装置における回路
パターン設計を主たる対象にしているが、半導体装置に
限られるものではなく、超電導回路装置、オプトエレク
トロニクス装置、或いは、液晶表示装置に用いるアクテ
ィブマトリクス等の微細回路パターンの形状予測、検
査、補正にも用いることができる。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば、フォトレジスト上に形
成される転写パターンの形状を、デフォーカス状態で露
光したと仮定してシミュレーションすることによって、
設計パターンにより忠実な転写パターンの形状を予測す
ることができ、また、この結果に基づいて設計パターン
における転写誤差の発生しやすい部分を特定することが
可能になり、且つ、その特定結果利用することにより、
理想転写パターンにより忠実な実転写パターンが得られ
るように設計パターンを補正する工程をより効率的に行
なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態におけるデフォーカ
ス量と光強度しきい値の説明図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の説明図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態の説明図である。

【図６】従来の転写パターン形状の説明図である。

【図７】従来のベストフォーカスにおける転写パターン
形状の説明図である。

【符号の説明】

１ 露光光源 ２ フォトマスク ３ 投影レンズ ４ 被処理基板 ５ フォトレジスト ６ ベストフォーカス位置 １１ 理想転写パターン １２ 予測転写パターン ２１ フォトマスク ２２ 遮光膜パターン ２３ フォトレジスト ２４ 理想転写パターン ２５ 予測転写パターン ２６ 許容転写パターン ２７ 接線 ２８ 補正遮光膜パターン ２９ 予測転写パターン ３１ フォトマスク ３２ 遮光膜パターン ３３ フォトレジスト ３４ 実転写パターン ３５ 理想転写パターン ３６ 予測転写パターン

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 デフォーカスさせて露光した場合のフォ
   トレジスト上の光強度分布を計算で求め、前記光強度分
   布から設計パターンに対する転写パターンの形状を予測
   することを特徴とする転写パターンの形状予測方法。
2. 【請求項２】 上記光強度分布から得られる一つの等高
   線を基にして、上記転写パターンの形状を予測すること
   を特徴とする請求項１記載の転写パターンの形状予測方
   法。
3. 【請求項３】 上記一つの等高線の接線に垂直な方向の
   光強度分布の勾配を求め、前記勾配による転写パターン
   の寸法変量を補正して、転写パターンの形状を予測する
   ことを特徴とする請求項２記載の転写パターンの形状予
   測方法。
4. 【請求項４】 上記デフォーカスする場合のデフォーカ
   ス量ｄｆを、フォトレジストの厚さをｔとし、フォトレ
   ジストの屈折率をｎとした場合、 ｄｆ＝ｆ×（ｔ／ｎ） に設定し、係数ｆを０．８≦ｆ≦１．４にしたことを特
   徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の転写パ
   ターンの形状予測方法。
5. 【請求項５】 デフォーカスさせて露光した場合のフォ
   トレジスト上の光強度分布を計算で求め、前記光強度分
   布から予測した設計パターンに対する転写パターンの形
   状と、前記設計パターンに対する許容転写パターンの形
   状との間の差を求め、前記差に基づいて転写誤差の発生
   しやすい場所を特定することを特徴とする設計パターン
   の検査方法。
6. 【請求項６】 デフォーカスさせて露光した場合のフォ
   トレジスト上の光強度分布を計算で求め、前記光強度分
   布から予測した設計パターンに対する転写パターンの形
   状と、前記設計パターンに対する許容転写パターンの形
   状との間の差を求め、前記転写パターンの形状が前記許
   容転写パターンの条件を満たすように前記設計パターン
   の形状を補正することを特徴とする設計パターンの補正
   方法。
7. 【請求項７】 デフォーカスさせて露光した場合のフォ
   トレジスト上の光強度分布を求める演算手段、前記光強
   度分布から予測した設計パターンに対する転写パターン
   の形状と、前記設計パターンに対する許容転写パターン
   の形状との間の差を求める演算手段を有することを特徴
   とする設計パターンの検査装置。
8. 【請求項８】 デフォーカスさせて露光した場合のフォ
   トレジスト上の光強度分布を求める演算手段、前記光強
   度分布から予測した設計パターンに対する転写パターン
   の形状と、前記設計パターンに対する許容転写パターン
   の形状との間の差を求める演算手段、及び、前記差に基
   づいて前記設計パターンの形状を補正する補正手段を有
   することを特徴とする設計パターンの補正装置。