JPH10101736A - イソブチレン系ポリマーのシャク解方法 - Google Patents
イソブチレン系ポリマーのシャク解方法Info
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- JPH10101736A JPH10101736A JP28179896A JP28179896A JPH10101736A JP H10101736 A JPH10101736 A JP H10101736A JP 28179896 A JP28179896 A JP 28179896A JP 28179896 A JP28179896 A JP 28179896A JP H10101736 A JPH10101736 A JP H10101736A
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/50—Partial depolymerisation
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 イソブチレン系ポリマーを分子量の制御性よ
く効率的に、少ないエネルギー消費で分解できるシャク
解方法を得ること。 【解決手段】 イソブチレン系ポリマーを有機溶媒中で
ラジカル発生剤によりシャク解処理する方法。 【効果】 使用目的に応じた分子量分布に制御でき、そ
のイソブチレン系ポリマーをベースポリマーに用いて粘
着特性に優れる粘着剤などを形成できる。
く効率的に、少ないエネルギー消費で分解できるシャク
解方法を得ること。 【解決手段】 イソブチレン系ポリマーを有機溶媒中で
ラジカル発生剤によりシャク解処理する方法。 【効果】 使用目的に応じた分子量分布に制御でき、そ
のイソブチレン系ポリマーをベースポリマーに用いて粘
着特性に優れる粘着剤などを形成できる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、イソブチレン系ポリマー
の分子量を効率よく低下させうるシャク解方法に関す
る。
の分子量を効率よく低下させうるシャク解方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】天然ゴムやブチルゴムの如くイソプレン
単位含有のゴム系ポリマーでは、当該単位に基づく二重
結合の含有で素練り促進剤の配合下、加圧ニーダやバン
バリミキサ等の混練機にて素練りすることで容易に分子
量を低下させうるが、ポリイソブチレンではイソプレン
単位を含有しないために前記の素練り方法では分子量を
低下させにくい。そこでポリイソブチレンの分解には、
ラジカル発生剤によりシャク解処理する方法が採られて
いる。
単位含有のゴム系ポリマーでは、当該単位に基づく二重
結合の含有で素練り促進剤の配合下、加圧ニーダやバン
バリミキサ等の混練機にて素練りすることで容易に分子
量を低下させうるが、ポリイソブチレンではイソプレン
単位を含有しないために前記の素練り方法では分子量を
低下させにくい。そこでポリイソブチレンの分解には、
ラジカル発生剤によりシャク解処理する方法が採られて
いる。
【０００３】従来、前記したポリイソブチレンのシャク
解方法としては、固体状のポリイソブチレンに有機過酸
化物を配合して加熱下に素練りする方法が知られてい
た。しかしながら、バンバリミキサ等の混練機による素
練り処理を要するため電力等のエネルギの消費量が多い
上に、有機過酸化物の分解物を介した水素引抜き反応で
生じたラジカルで主鎖が切断された後、その主鎖切断で
新たなラジカルが発生してそれが他の分子から水素を引
抜く連鎖反応を起こし、分子量の制御が極めて困難な問
題点があった。
解方法としては、固体状のポリイソブチレンに有機過酸
化物を配合して加熱下に素練りする方法が知られてい
た。しかしながら、バンバリミキサ等の混練機による素
練り処理を要するため電力等のエネルギの消費量が多い
上に、有機過酸化物の分解物を介した水素引抜き反応で
生じたラジカルで主鎖が切断された後、その主鎖切断で
新たなラジカルが発生してそれが他の分子から水素を引
抜く連鎖反応を起こし、分子量の制御が極めて困難な問
題点があった。
【０００４】
【発明の技術的課題】前記のシャク解処理による分子量
制御は、例えば耐候性と接着力維持性と初期接着力とが
良好にバランスして糊残りなく容易に再剥離できること
が要求される表面保護材を実現するため、それに用いる
粘着剤の分子量分布の調節などに関係する。従って本発
明は、ポリイソブチレン等のイソブチレン系ポリマーを
分子量の制御性よく効率的に、少ないエネルギー消費で
分解することができるシャク解方法の開発を課題とす
る。
制御は、例えば耐候性と接着力維持性と初期接着力とが
良好にバランスして糊残りなく容易に再剥離できること
が要求される表面保護材を実現するため、それに用いる
粘着剤の分子量分布の調節などに関係する。従って本発
明は、ポリイソブチレン等のイソブチレン系ポリマーを
分子量の制御性よく効率的に、少ないエネルギー消費で
分解することができるシャク解方法の開発を課題とす
る。
【０００５】
【課題の解決手段】本発明は、イソブチレン系ポリマー
を有機溶媒中でラジカル発生剤によりシャク解処理する
ことを特徴とするシャク解方法を提供するものである。
を有機溶媒中でラジカル発生剤によりシャク解処理する
ことを特徴とするシャク解方法を提供するものである。
【０００６】
【発明の効果】本発明によれば、有機溶媒中での処理に
よりイソブチレン系ポリマーを分子量の制御性よく効率
的に分解して、使用目的に応じた分子量分布を有する当
該ポリマーを少ないエネルギー消費量で得ることができ
る。従ってかかるシャク解処理で低分子量化した好適分
子量分布のイソブチレン系ポリマーをベースポリマーに
用いて、上記した初期接着力とその維持性と耐候性が良
好にバランスして、糊残りなく容易に再剥離できる表面
保護材も容易に得ることができる。
よりイソブチレン系ポリマーを分子量の制御性よく効率
的に分解して、使用目的に応じた分子量分布を有する当
該ポリマーを少ないエネルギー消費量で得ることができ
る。従ってかかるシャク解処理で低分子量化した好適分
子量分布のイソブチレン系ポリマーをベースポリマーに
用いて、上記した初期接着力とその維持性と耐候性が良
好にバランスして、糊残りなく容易に再剥離できる表面
保護材も容易に得ることができる。
【０００７】
【発明の実施形態】本発明のシャク解方法は、イソブチ
レン系ポリマーを有機溶媒中でラジカル発生剤によりシ
ャク解処理するものである。イソブチレン系ポリマーと
しては、例えばイソブチレンのホモポリマー、レギュラ
ーブチルゴムや塩素化ブチルゴム、臭素化ブチルゴムや
部分架橋ブチルゴムの如きイソブチレンとイソプレンと
のランダム共重合体、就中イソプレンの含有量が０．５
〜３重量％のランダム共重合体、その加硫物や変性物
（水酸基やカルボキシル基、アミノ基やエポキシ基等の
官能基を導入して変性したもの等）などがあげられる。
レン系ポリマーを有機溶媒中でラジカル発生剤によりシ
ャク解処理するものである。イソブチレン系ポリマーと
しては、例えばイソブチレンのホモポリマー、レギュラ
ーブチルゴムや塩素化ブチルゴム、臭素化ブチルゴムや
部分架橋ブチルゴムの如きイソブチレンとイソプレンと
のランダム共重合体、就中イソプレンの含有量が０．５
〜３重量％のランダム共重合体、その加硫物や変性物
（水酸基やカルボキシル基、アミノ基やエポキシ基等の
官能基を導入して変性したもの等）などがあげられる。
【０００８】シャク解処理に供するイソブチレン系ポリ
マーの重量平均分子量については、得られるシャク解処
理体の使用目的などに応じて適宜に決定することができ
る。一般には有機溶媒による溶解性などの点より、重量
平均分子量が２５０万以下、就中５万〜２２０万、特に
１０万〜２００万のものが用いられる。
マーの重量平均分子量については、得られるシャク解処
理体の使用目的などに応じて適宜に決定することができ
る。一般には有機溶媒による溶解性などの点より、重量
平均分子量が２５０万以下、就中５万〜２２０万、特に
１０万〜２００万のものが用いられる。
【０００９】シャク解処理に際しては、１種又は２種以
上のイソブチレン系ポリマーを用いることができ、天然
ゴム等の他のポリマーとの混合物の状態で用いることも
できる。シャク解により分子量を低下させる程度は、そ
の処理体の使用目的などに応じて適宜に決定される。
上のイソブチレン系ポリマーを用いることができ、天然
ゴム等の他のポリマーとの混合物の状態で用いることも
できる。シャク解により分子量を低下させる程度は、そ
の処理体の使用目的などに応じて適宜に決定される。
【００１０】ちなみに上記した表面保護材の形成には、
重量平均分子量に基づいてシャク解処理前の９０％以
下、就中１０〜８０％に低分子量化したものが好まし
く、特に重量平均分子量３０万〜７０万、数平均分子量
１０万〜４０万にシャク解処理したものが好ましい。な
おシャク解処理によるイソブチレン系ポリマーの分子量
変化は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィ
などによる測定で容易に知ることができる。
重量平均分子量に基づいてシャク解処理前の９０％以
下、就中１０〜８０％に低分子量化したものが好まし
く、特に重量平均分子量３０万〜７０万、数平均分子量
１０万〜４０万にシャク解処理したものが好ましい。な
おシャク解処理によるイソブチレン系ポリマーの分子量
変化は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィ
などによる測定で容易に知ることができる。
【００１１】シャク解環境を形成する有機溶媒として
は、イソブチレン系ポリマーを溶解しうる適宜なものを
用いうる。またシャク解剤として機能するラジカル発生
剤についても、例えば有機過酸化物やアゾ化合物等のラ
ジカル系重合開始剤、その他、ラジカルを発生する有機
や無機の化合物、有機金属化合物、金属錯体などの適宜
な化合物を用いうる。
は、イソブチレン系ポリマーを溶解しうる適宜なものを
用いうる。またシャク解剤として機能するラジカル発生
剤についても、例えば有機過酸化物やアゾ化合物等のラ
ジカル系重合開始剤、その他、ラジカルを発生する有機
や無機の化合物、有機金属化合物、金属錯体などの適宜
な化合物を用いうる。
【００１２】ちなみに一般に用いられる有機溶媒の例と
しては、ｎ−ヘキサンやイソヘキサン、ｎ−ヘプタンや
イソヘプタン、ｎ−オクタンやイソオクタン、シクロヘ
キサンやメチルシクロヘキサン、メチルヘキサンやジメ
チルペンタン、ノナンやデカンの如き炭素数が５〜１５
の脂肪族系炭化水素類、トルエンやキシレン、エチルベ
ンゼンやイソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼンやト
リエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼンの如き炭素
数が６〜１２の芳香族系炭化水素類、ガソリンや石油エ
ーテル、石油ベンジンやリグロイン、ミネラルスピリッ
トや灯油の如き炭化水素混合物類などの良溶媒があげら
れる。
しては、ｎ−ヘキサンやイソヘキサン、ｎ−ヘプタンや
イソヘプタン、ｎ−オクタンやイソオクタン、シクロヘ
キサンやメチルシクロヘキサン、メチルヘキサンやジメ
チルペンタン、ノナンやデカンの如き炭素数が５〜１５
の脂肪族系炭化水素類、トルエンやキシレン、エチルベ
ンゼンやイソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼンやト
リエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼンの如き炭素
数が６〜１２の芳香族系炭化水素類、ガソリンや石油エ
ーテル、石油ベンジンやリグロイン、ミネラルスピリッ
トや灯油の如き炭化水素混合物類などの良溶媒があげら
れる。
【００１３】有機溶媒は、１種又は２種以上を用いるこ
とができる。好ましく用いうる有機溶媒は、その成分の
８０重量％以上が脂肪族系炭化水素類からなるものであ
り、特にその脂肪族系炭化水素類が炭素数６〜８のもの
からなる溶媒が好ましい。なお有機溶媒には、イソブチ
レン系ポリマーを溶解しうる範囲で、アルコール類やケ
トン類やエーテル類などの他の有機溶媒を良溶媒に混合
することができる。
とができる。好ましく用いうる有機溶媒は、その成分の
８０重量％以上が脂肪族系炭化水素類からなるものであ
り、特にその脂肪族系炭化水素類が炭素数６〜８のもの
からなる溶媒が好ましい。なお有機溶媒には、イソブチ
レン系ポリマーを溶解しうる範囲で、アルコール類やケ
トン類やエーテル類などの他の有機溶媒を良溶媒に混合
することができる。
【００１４】一方、一般に用いられるラジカル発生剤の
例としては、メチルエチルケトンパーオキシドやアセチ
ルアセトンパーオキシドの如きケトンパーオキシド類、
１,１−ビス（ｔ-ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン
や２,２−ビス（ｔ-ブチルパーオキシ）ブタンの如きパ
ーオキシケタール類、ジイソプロピルベンゼンヒドロパ
ーオキシドやクメンヒドロパーオキシドの如きヒドロパ
ーオキシド類、α,α'−ビス（ｔ-ブチルパーオキシ）
ジイソプロピルベンゼンやジクミルパーオキシドの如き
ジアルキルパーオキシド類、２,４−ジクロロベンゾイ
ルパーオキシドや（３，５，５−トリメチルヘキサノイ
ル）パーオキシド、オクタノイルパーオキシドやラウロ
イルパーオキシド、ステアロイルパーオキシドやスクシ
ニックアシッドパーオキシド、ｍ-トルオイルベンゾイ
ルパーオキシドやベンゾイルパーオキシド、ジプロピオ
ニルパーオキシドやジアセチルパーオキシドの如きジア
シルパーオキシド類、ジ（３−メチル−３−メトキシブ
チル）パーオキシジカーボネートやジ−２−メトキシブ
チルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオ
キシジカーボネートやジ−ｎ−プロピルパーオキシジカ
ーボネート、ジ（２−エトキシエチル）パーオキシジカ
ーボネートの如きパーオキシジカーボネート類、ｔ-ブ
チルパーオキシイソブチレートや１,１,３,３−テトラ
メチルブチルパーオキシ−２−ヘキサネート、ｔ-ブチ
ルパーオキシネオデカノエートやｔ-ブチルパーオキシ
ビバレートの如きパーオキシエステルなどの有機過酸化
物があげられる。
例としては、メチルエチルケトンパーオキシドやアセチ
ルアセトンパーオキシドの如きケトンパーオキシド類、
１,１−ビス（ｔ-ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン
や２,２−ビス（ｔ-ブチルパーオキシ）ブタンの如きパ
ーオキシケタール類、ジイソプロピルベンゼンヒドロパ
ーオキシドやクメンヒドロパーオキシドの如きヒドロパ
ーオキシド類、α,α'−ビス（ｔ-ブチルパーオキシ）
ジイソプロピルベンゼンやジクミルパーオキシドの如き
ジアルキルパーオキシド類、２,４−ジクロロベンゾイ
ルパーオキシドや（３，５，５−トリメチルヘキサノイ
ル）パーオキシド、オクタノイルパーオキシドやラウロ
イルパーオキシド、ステアロイルパーオキシドやスクシ
ニックアシッドパーオキシド、ｍ-トルオイルベンゾイ
ルパーオキシドやベンゾイルパーオキシド、ジプロピオ
ニルパーオキシドやジアセチルパーオキシドの如きジア
シルパーオキシド類、ジ（３−メチル−３−メトキシブ
チル）パーオキシジカーボネートやジ−２−メトキシブ
チルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオ
キシジカーボネートやジ−ｎ−プロピルパーオキシジカ
ーボネート、ジ（２−エトキシエチル）パーオキシジカ
ーボネートの如きパーオキシジカーボネート類、ｔ-ブ
チルパーオキシイソブチレートや１,１,３,３−テトラ
メチルブチルパーオキシ−２−ヘキサネート、ｔ-ブチ
ルパーオキシネオデカノエートやｔ-ブチルパーオキシ
ビバレートの如きパーオキシエステルなどの有機過酸化
物があげられる。
【００１５】また２,２'−アゾビスイソブチロニトリル
や２,２'−ジクロロ−２,２'−アゾビスプロパン、１,
１'−アゾ(メチルエチル)ジアセテートや２,２'−アゾ
イソブタン、２,２'−アゾビス（２−メチルプロピオン
酸メチル）や２,２'−アゾビス(２−メチルブチロニト
リル)、４,４'−アゾビス（４−シアノ吉草酸）や４,
４'−アゾビス（４−シアノ吉草酸ジメチル）、３,５−
ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−２−メチルマロノジ
ニトリルや２,２'−アゾビス（２−メチルバレロニトリ
ル）、２,２'−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニト
リル）や２,２'−アゾビス（２，４−ジメチル−４−メ
トキシバレロニトリル）、２,２'−アゾビス（２−ヒド
ロキシメチルプロピオニトリル）や１,１'−アゾビス
（シクロヘキサンニトリル）、１,１'−アゾビス（シク
ロヘキサン−１−カルボニトリル）や２,２'−アゾビス
（２−プロピルブチロニトリル）、１,１'−アゾビス
（１−クロロフェニルエタン）や１,１'−アゾビス（１
−フェニルエタン）、１,１'−アゾビスクメンや４−ニ
トロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニル
アゾジフェニルメタンやフェニルアゾトリフェニルメタ
ン、４−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタンや１,
１'−アゾビス（１,２−ジフェニルエタン）、ポリ（テ
トラエチレングリコール−２,２'−アゾビスイソブチレ
ート）やジメチル−２,２'−アゾビス（２−メチルプロ
ピオネート）、２,２'−アゾビス［２−（２−イミダゾ
リン−２−イル）プロパン］の如きアゾ系化合物なども
一般に用いられるラジカル発生剤の例としてあげられ
る。
や２,２'−ジクロロ−２,２'−アゾビスプロパン、１,
１'−アゾ(メチルエチル)ジアセテートや２,２'−アゾ
イソブタン、２,２'−アゾビス（２−メチルプロピオン
酸メチル）や２,２'−アゾビス(２−メチルブチロニト
リル)、４,４'−アゾビス（４−シアノ吉草酸）や４,
４'−アゾビス（４−シアノ吉草酸ジメチル）、３,５−
ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−２−メチルマロノジ
ニトリルや２,２'−アゾビス（２−メチルバレロニトリ
ル）、２,２'−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニト
リル）や２,２'−アゾビス（２，４−ジメチル−４−メ
トキシバレロニトリル）、２,２'−アゾビス（２−ヒド
ロキシメチルプロピオニトリル）や１,１'−アゾビス
（シクロヘキサンニトリル）、１,１'−アゾビス（シク
ロヘキサン−１−カルボニトリル）や２,２'−アゾビス
（２−プロピルブチロニトリル）、１,１'−アゾビス
（１−クロロフェニルエタン）や１,１'−アゾビス（１
−フェニルエタン）、１,１'−アゾビスクメンや４−ニ
トロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニル
アゾジフェニルメタンやフェニルアゾトリフェニルメタ
ン、４−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタンや１,
１'−アゾビス（１,２−ジフェニルエタン）、ポリ（テ
トラエチレングリコール−２,２'−アゾビスイソブチレ
ート）やジメチル−２,２'−アゾビス（２−メチルプロ
ピオネート）、２,２'−アゾビス［２−（２−イミダゾ
リン−２−イル）プロパン］の如きアゾ系化合物なども
一般に用いられるラジカル発生剤の例としてあげられ
る。
【００１６】さらに、１,４−ビス（ペンタメチレン）
−２−テトラゼンや１,４−ジメトキシカルボニル−１,
４−ジフェニル−２−テトラゼン、ベンゼンスルホニル
アジドなどの有機化合物も一般に用いられるラジカル発
生剤の例としてあげられる。
−２−テトラゼンや１,４−ジメトキシカルボニル−１,
４−ジフェニル−２−テトラゼン、ベンゼンスルホニル
アジドなどの有機化合物も一般に用いられるラジカル発
生剤の例としてあげられる。
【００１７】分子量制御等の点より好ましく用いうるラ
ジカル発生剤は、オクタノイルパーオキシドやラウロイ
ルパーオキシド、ステアロイルパーオキシドやスクシニ
ックアシッドパーオキシド、ｍ-トルオイルベンゾイル
パーオキシドやベンゾイルパーオキシド等のジアシルパ
ーオキシド類の如く、ベンゼン中における１０時間半減
期温度が６０℃以上のもの、特に７０℃以上のものであ
り、就中ベンゾイルパーオキシドが好ましい。
ジカル発生剤は、オクタノイルパーオキシドやラウロイ
ルパーオキシド、ステアロイルパーオキシドやスクシニ
ックアシッドパーオキシド、ｍ-トルオイルベンゾイル
パーオキシドやベンゾイルパーオキシド等のジアシルパ
ーオキシド類の如く、ベンゼン中における１０時間半減
期温度が６０℃以上のもの、特に７０℃以上のものであ
り、就中ベンゾイルパーオキシドが好ましい。
【００１８】ラジカル発生剤による有機溶媒中でのシャ
ク解処理は、液相反応であることより固体状ゴムの素練
り方式による固相反応に比べて、シャク解剤の配合など
の処理作業が容易で、処理に要するエネルギーも少な
く、低分量化が緩慢に進行して平均分子量の制御も容易
である。またシャク解処理液をそのまま粘着剤等の使用
目的物の調製に供しうる利点なども有している。
ク解処理は、液相反応であることより固体状ゴムの素練
り方式による固相反応に比べて、シャク解剤の配合など
の処理作業が容易で、処理に要するエネルギーも少な
く、低分量化が緩慢に進行して平均分子量の制御も容易
である。またシャク解処理液をそのまま粘着剤等の使用
目的物の調製に供しうる利点なども有している。
【００１９】シャク解処理は、ラジカル重合によるポリ
マー合成に準じラジカル発生剤が分解する温度で溶液を
撹拌する方式などにより行うことができる。処理溶液の
濃度は、溶液粘度等に応じて適宜に決定しうるが、一般
には５〜７０重量％、就中１０〜５０重量％、特に１５
〜４０重量％のポリマー濃度とされる。
マー合成に準じラジカル発生剤が分解する温度で溶液を
撹拌する方式などにより行うことができる。処理溶液の
濃度は、溶液粘度等に応じて適宜に決定しうるが、一般
には５〜７０重量％、就中１０〜５０重量％、特に１５
〜４０重量％のポリマー濃度とされる。
【００２０】またラジカル発生剤の使用量は、シャク解
処理速度等に応じて適宜に決定しうるが、一般にはイソ
ブチレン系ポリマー１００重量部あたり０．０１〜２０
重量部、就中０．０５〜１０重量部、特に０．１〜５重
量部の使用量とされる。ラジカル発生剤の種類や使用
量、シャク解の処理温度などを制御することにより、得
られるイソブチレン系ポリマーシャク解体の平均分子量
を調節することができる。イソブチレン系ポリマーの平
均分子量は、接着性や耐熱性、耐候性などと関係し、従
って目的とする特性に応じて平均分子量を適宜に調節す
ることができる。
処理速度等に応じて適宜に決定しうるが、一般にはイソ
ブチレン系ポリマー１００重量部あたり０．０１〜２０
重量部、就中０．０５〜１０重量部、特に０．１〜５重
量部の使用量とされる。ラジカル発生剤の種類や使用
量、シャク解の処理温度などを制御することにより、得
られるイソブチレン系ポリマーシャク解体の平均分子量
を調節することができる。イソブチレン系ポリマーの平
均分子量は、接着性や耐熱性、耐候性などと関係し、従
って目的とする特性に応じて平均分子量を適宜に調節す
ることができる。
【００２１】シャク解処理における処理容器内の雰囲気
は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気でもよいし、空気で
もよい。また空気等のガスをシャク解処理の溶液中に吹
込む方式なども採ることができる。なおシャク解処理に
際しては、ラジカル発生剤の分解速度制御剤等を添加す
ることもできる。ちなみに分解速度の促進には、各種の
還元剤やアミン化合物、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアニリ
ンやトリエチルアミン、トリブチルアミンなどの添加が
有効である。
は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気でもよいし、空気で
もよい。また空気等のガスをシャク解処理の溶液中に吹
込む方式なども採ることができる。なおシャク解処理に
際しては、ラジカル発生剤の分解速度制御剤等を添加す
ることもできる。ちなみに分解速度の促進には、各種の
還元剤やアミン化合物、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアニリ
ンやトリエチルアミン、トリブチルアミンなどの添加が
有効である。
【００２２】
実施例１ ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチ
レン換算の重量平均分子量（以下同じ）が８０万のポリ
イソブチレン１００部（重量部、以下同じ）をｎ−ヘプ
タン４００部と共に反応釜に入れて撹拌下、８０℃の内
浴温度で溶液としたのち、内浴温度の維持下かつ１気圧
の空気雰囲気下にベンゾイルパーオキシド７５重量％・
水２５重量％の混合物（日本油脂社製、ナイパーＢＷ）
４．０部を添加し、１５時間撹拌してシャク解処理し、
重量平均分子量が３０万に低下したシャク解物を得た。
レン換算の重量平均分子量（以下同じ）が８０万のポリ
イソブチレン１００部（重量部、以下同じ）をｎ−ヘプ
タン４００部と共に反応釜に入れて撹拌下、８０℃の内
浴温度で溶液としたのち、内浴温度の維持下かつ１気圧
の空気雰囲気下にベンゾイルパーオキシド７５重量％・
水２５重量％の混合物（日本油脂社製、ナイパーＢＷ）
４．０部を添加し、１５時間撹拌してシャク解処理し、
重量平均分子量が３０万に低下したシャク解物を得た。
【００２３】なお前記のゲルパーミエーションクロマト
グラフィは、４本のカラム（東ソ社製、ＴＳＫ ｇｅｌ
Ｇ２０００Ｈ ＨＲ、Ｇ３０００Ｈ ＨＲ、Ｇ４０００
ＨＨＲ、及びＧＭＨ−Ｈ ＨＲ）を直列に接続して使用
し、溶離液にテトラヒドロフランを用いて流速１ml／
分、温度４０℃、サンプル濃度０．１重量％テトラヒド
ロフラン溶液、サンプル注入量５００μlの条件で行
い、検出器には示差屈折計を用いた。
グラフィは、４本のカラム（東ソ社製、ＴＳＫ ｇｅｌ
Ｇ２０００Ｈ ＨＲ、Ｇ３０００Ｈ ＨＲ、Ｇ４０００
ＨＨＲ、及びＧＭＨ−Ｈ ＨＲ）を直列に接続して使用
し、溶離液にテトラヒドロフランを用いて流速１ml／
分、温度４０℃、サンプル濃度０．１重量％テトラヒド
ロフラン溶液、サンプル注入量５００μlの条件で行
い、検出器には示差屈折計を用いた。
【００２４】実施例２ 重量平均分子量が８０万のポリイソブチレン６０部と重
量平均分子量が６５万のポリイソブチレン４０部をｎ−
ヘプタン３００部とｎ−オクタン２００部と共に反応釜
に入れて撹拌下、８０℃の内浴温度で溶液とした後、内
浴温度の維持下、１気圧の窒素雰囲気下にｍ−トルオイ
ルベンゾイルパーオキシド４０重量％・トルエン６０重
量％の混合物（日本油脂社製、ナイパーＢＭＴ−Ｔ４
０）４．０部を添加し１５時間撹拌してシャク解処理
し、重量平均分子量が３８万に低下したシャク解物を得
た。
量平均分子量が６５万のポリイソブチレン４０部をｎ−
ヘプタン３００部とｎ−オクタン２００部と共に反応釜
に入れて撹拌下、８０℃の内浴温度で溶液とした後、内
浴温度の維持下、１気圧の窒素雰囲気下にｍ−トルオイ
ルベンゾイルパーオキシド４０重量％・トルエン６０重
量％の混合物（日本油脂社製、ナイパーＢＭＴ−Ｔ４
０）４．０部を添加し１５時間撹拌してシャク解処理
し、重量平均分子量が３８万に低下したシャク解物を得
た。
【００２５】実施例３ 重量平均分子量が８０万のポリイソブチレン１００部を
キシレン５００部と共に反応釜に入れて撹拌下、１３０
℃の内浴温度で溶液とした後、内浴温度の維持下、１気
圧の窒素雰囲気下にジクミルパーオキシド３．０部を添
加し１５時間撹拌してシャク解処理し、重量平均分子量
が５０万に低下したシャク解物を得た。
キシレン５００部と共に反応釜に入れて撹拌下、１３０
℃の内浴温度で溶液とした後、内浴温度の維持下、１気
圧の窒素雰囲気下にジクミルパーオキシド３．０部を添
加し１５時間撹拌してシャク解処理し、重量平均分子量
が５０万に低下したシャク解物を得た。
【００２６】比較例１ 重量平均分子量が８０万のポリイソブチレン１００部を
ｎ−ヘプタン４００部と共に反応釜に入れて撹拌下、８
０℃の内浴温度で溶液とした後、内浴温度を９０℃に昇
温しその維持下、１気圧の空気雰囲気下にシャク解剤無
添加で１５時間撹拌した。しかし得られたポリイソブチ
レンは、その重量平均分子量が８０万で分子量に変化は
認められなかった。
ｎ−ヘプタン４００部と共に反応釜に入れて撹拌下、８
０℃の内浴温度で溶液とした後、内浴温度を９０℃に昇
温しその維持下、１気圧の空気雰囲気下にシャク解剤無
添加で１５時間撹拌した。しかし得られたポリイソブチ
レンは、その重量平均分子量が８０万で分子量に変化は
認められなかった。
【００２７】比較例２ 重量平均分子量が８０万のポリイソブチレン５００部を
α,α'−ビス（t-ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベ
ンゼン５部と共に２本ロールを介して２００℃で５分間
ロール練りした。この場合、重量平均分子量が２万にま
で低下しており、かかるシャク解処理方法では分子量の
制御が困難であった。
α,α'−ビス（t-ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベ
ンゼン５部と共に２本ロールを介して２００℃で５分間
ロール練りした。この場合、重量平均分子量が２万にま
で低下しており、かかるシャク解処理方法では分子量の
制御が困難であった。
【００２８】上記した実施例より、ラジカル発生剤の種
類や配合量、反応温度の調節などによりポリイソブチレ
ンの重量平均分子量を制御できることがわかる。また比
較例より、ラジカル発生剤が必須成分であること、及び
固体物の素練り方式では重量平均分子量の制御を実質的
にできないことがわかる。
類や配合量、反応温度の調節などによりポリイソブチレ
ンの重量平均分子量を制御できることがわかる。また比
較例より、ラジカル発生剤が必須成分であること、及び
固体物の素練り方式では重量平均分子量の制御を実質的
にできないことがわかる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅原 俊志 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 西山 直幸 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 馬場 紀秀 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 イソブチレン系ポリマーを有機溶媒中で
ラジカル発生剤によりシャク解処理することを特徴とす
るシャク解方法。 - 【請求項２】 請求項１において、ベンゼン中における
１０時間半減期温度が６０℃以上のラジカル発生剤を用
いるシャク解方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、ラジカル発生
剤がベンゾイルパーオキシドであるシャク解方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３において、有機溶媒に炭素
数が６〜８の脂肪族系炭化水素類を８０重量％以上含有
するものを用いるシャク解方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４に記載のシャク解方法によ
り処理してなるイソブチレン系ポリマー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28179896A JPH10101736A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | イソブチレン系ポリマーのシャク解方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28179896A JPH10101736A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | イソブチレン系ポリマーのシャク解方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10101736A true JPH10101736A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=17644137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28179896A Pending JPH10101736A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | イソブチレン系ポリマーのシャク解方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10101736A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006176575A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 変性ブチルゴム含有熱可塑性エラストマー組成物 |
| US7629435B2 (en) | 2003-12-01 | 2009-12-08 | Nitto Denko Corporation | Method for producing masticated rubber |
-
1996
- 1996-10-02 JP JP28179896A patent/JPH10101736A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7629435B2 (en) | 2003-12-01 | 2009-12-08 | Nitto Denko Corporation | Method for producing masticated rubber |
| JP2006176575A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 変性ブチルゴム含有熱可塑性エラストマー組成物 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040422 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
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Effective date: 20041117 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060808 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060925 |
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Effective date: 20061016 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
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| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20061117 |