JPH10100141A - ワイヤソ−のスラリ−供給装置およびインゴットの切断方法 - Google Patents

ワイヤソ−のスラリ−供給装置およびインゴットの切断方法

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JPH10100141A
JPH10100141A JP28175996A JP28175996A JPH10100141A JP H10100141 A JPH10100141 A JP H10100141A JP 28175996 A JP28175996 A JP 28175996A JP 28175996 A JP28175996 A JP 28175996A JP H10100141 A JPH10100141 A JP H10100141A
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JP
Japan
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slurry
cutting
wire
ingot
wire saw
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Pending
Application number
JP28175996A
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English (en)
Inventor
Takumi Kiyama
匠 木山
Kazuaki Sugitani
和明 杉谷
Jiro Tatsuta
次郎 龍田
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Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007Use, recovery or regeneration of abrasive mediums

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤソーを用いて切断した半導体ウェーハ
の厚さムラを低減する。ワイヤソーでの切削性を一定に
維持する切断方法を提供する。 【解決手段】 ワイヤに対してスラリーノズル13より
連続してスラリーを供給する。スラリーは走行するワイ
ヤに乗ってインゴット17の切断に使用される。スラリ
ーは回収槽15で回収され、フィルタ16で20μm以
上の砥粒のみがスラリータンク11に戻される。20μ
m未満の砥粒は系外に排出される。排出量に対応する量
の新液からなるスラリーを新液タンク18からスラリー
タンク11に供給する。このワイヤソー装置12では2
0μm以上の砥粒を含むスラリーが連続して供給され、
ワイヤ切削性能が低下しない。切断回数が増えても常に
一定の厚さの半導体ウェーハを作製できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はワイヤソーのスラ
リー供給装置およびインゴットの切断方法、詳しくはワ
イヤソーでのインゴットの切断中にスラリー循環タンク
へ新スラリーを連続的に供給することにより、その切削
性を一定に保ちながら切断するためのスラリー供給装置
およびインゴットの切断方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ワイヤソーは、遊離砥粒をラッピングオ
イルに混合したスラリー状の砥液(以下、スラリー)を
ワーク(例えば単結晶シリコンインゴット)にかけなが
ら、走行するワイヤ列にワークを押し付けて研削作用に
よって切断する機械である。切断能力の向上には、砥粒
の選定と砥液の供給方法も重要である。一般には砥粒径
の大きいほど研削能率が向上する。ワイヤ速度の上昇に
よる切断能力の向上には、ワイヤ速度に見合った量の砥
液の供給が必要である。ワイヤ速度に見合った供給量を
確保するには、砥液をワイヤ列に乗せて切断部位に持ち
込む方式が有効である。
【0003】そして、このワイヤソーでは、切断終了
後、シリコン粉、カーボン粉、鉄粉、潰れた砥粒等がス
ラリーの循環タンク内にたまる。そして、このスラリー
は再びワイヤソーに供給される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のワイ
ヤソーによる切断方法によっては、以下の課題が生じて
いた。すなわち、スラリーは循環して使用されるため、
その砥粒径は徐々に細かくなり、切断されたウェーハの
厚みが切断回数の増加とともに徐々に厚くなることであ
る。ワイヤソーによる切削性能が劣化していくからであ
る。
【0005】
【発明の目的】この発明の目的は、ワイヤソーを用いて
切断した半導体ウェーハの厚さムラを低減することであ
る。この発明の目的は、ワイヤソーでの切削性(研削能
力、切断能力)を一定に維持する切断方法を提供するこ
とである。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、所定値以上の粒径の砥粒を含むスラリーを貯留した
スラリータンクと、この貯留されたスラリーをワイヤソ
ーのワイヤに供給する供給手段と、を備えたワイヤソー
のスラリー供給装置において、上記ワイヤに供給したス
ラリーを回収する回収手段と、回収したスラリー中の砥
粒の粒径が上記所定値以上のもののみを含むスラリーを
上記スラリータンクに戻す砥粒選別手段と、上記ワイヤ
ソーで消費されたスラリー量に応じて所定値以上の粒径
の砥粒を含むスラリーの新液を上記スラリータンクに供
給する新液補充手段と、を含むワイヤソーのスラリー供
給装置である。
【0007】請求項2に記載の発明は、スラリーを供給
しながらワイヤソーによりインゴットを切断するインゴ
ットの切断方法において、このインゴットの切断中、一
定粒径以上の砥粒のみを含むスラリーをワイヤに連続的
に供給するインゴットの切断方法である。
【0008】
【作用】請求項1,2に記載の発明によれば、走行する
ワイヤにスラリーを連続して供給しながらこのワイヤに
よりインゴットを切断する。このスラリーとして、一定
粒径以上の砥粒のみを含むものをワイヤに連続的に供給
する。その結果、常に一定の粒径以上の砥粒のみを含む
スラリーを使用してインゴットを切断することができ
る。その切削性能(研削能力、切断能力)が常に一定に
保たれることにより、一定の厚さのウェーハを得ること
ができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係るワイヤソー
のスラリー供給装置の一実施例について図1を参照して
説明する。この図において示すように、スラリー供給装
置は、スラリーが貯留されたスラリータンク11と、ス
ラリーをワイヤソー装置12のワイヤに供給する一対の
スラリーノズル13と、ワイヤソー装置12のメインロ
ーラ14の下方に配設された回収槽15と、回収したス
ラリーをフィルタリングするフィルタ16とを備えてい
る。
【0010】このフィルタ16において粒径が20μm
未満の砥粒(SiC)は、回収されたスラリー中から除
去される。そして、20μm以上の粒径のSiC(#6
00)のみからなるスラリーは上記スラリータンク11
に戻される。20μm未満の砥粒はこのフィルタ16に
おいてこのスラリー供給系外に排出されることとなる。
なお、17はシリコンインゴットを示している。なお、
フィルタ16としては例えば遠心分離手段を利用した構
成とすることも考えられる。
【0011】そして、このスラリー供給装置にあって
は、スラリーの新液を貯留しておく新液タンク18を備
えている。この新液タンク18内には、SiCからなる
砥粒の直径が20μmを以上のもののみを含むスラリー
を蓄えている。この新液タンク18内のスラリーは配管
により上記スラリータンク11に連通して接続されてい
る。また、この配管の途中にはバルブ19が介装されて
いる。このバルブ19の開閉は、コントローラ20によ
り制御されている。コントローラ20は、周知のCPU
・ROM・RAM・I/Oなどを有するコンピュータで
構成されている。上記フィルタ16で排出したスラリー
量を表す信号に基づいてバルブ19の開閉を制御してス
ラリー新液の供給量を適正量に管理している。よって、
このスラリー供給装置にあっては、排出されたスラリー
量に応じて新液が供給される構成である。
【0012】このような構成に係るスラリー供給装置に
あっては、ワイヤソー装置12のワイヤに対してスラリ
ーノズル13,13より連続してスラリーが供給され
る。そして、供給されたスラリーはワイヤに乗ってイン
ゴット17の切断において使用される。インゴット17
の切断に使用されたスラリーは、回収槽15で回収さ
れ、フィルタ16でフィルタリングされる。すなわち、
20μm以上の粒径の砥粒のみがスラリータンク11に
戻される。20μm未満の砥粒は系外に排出される。こ
の排出されたスラリー量はコントローラ20に入力され
る。コントローラ20は、所定のプログラムに基づいて
新液の補充供給量を演算し、バルブ19を開閉する。そ
の結果、排出された量に対応する量の新液からなるスラ
リーが新液タンク18からスラリータンク11に供給さ
れることとなる。よって、このワイヤソー装置12にお
けるインゴット17のウェーハへの切断では、常に粒径
が20μm以上の砥粒を含むスラリーが連続して供給さ
れ、ワイヤによる切削性能が低下することがない。すな
わち、切断回数の増加によっても常に一定の厚さの半導
体ウェーハを作製することができる。
【0013】以下この発明に係るスラリー供給装置を使
用してのインゴット切断におけるシリコンウェーハの厚
さムラの状態を従来と比較して示す。図2には、切断し
たシリコンウェーハの表面平坦度(TTV:Total
Thickness Variation)の測定結
果を示している。この図に示すように、この発明に係る
切断方法によれば、従来の切断方法に比較してそのTT
Vが高められていることがわかる。シリコンウェーハの
厚さムラが低減されているものである。なお、この測定
は公知の測定計を用い、上記スラリー供給装置を用いた
場合をこの発明とし、これを用いない場合を従来として
測定した。測定値は所定枚数のウェーハの平均値で比較
している。
【0014】
【発明の効果】この発明では、切断した半導体ウェーハ
の厚さムラを低減することができる。ワイヤソーでの切
削性を一定に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係るワイヤソーのスラリ
ー供給装置を示す模式図である。
【図2】この発明の一実施例に係るインゴット切断方法
によるウェーハの厚さムラを示すグラフである。
【符号の説明】
11 スラリータンク、 12 ワイヤソー装置、 13 スラリーノズル(供給手段)、 15 回収槽(回収手段)、 16 フィルタ(砥粒選別手段)、 18 新液タンク(新液補充手段)、 19 バルブ(新液補充手段)、 20 コントローラ(新液補充手段)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 龍田 次郎 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定値以上の粒径の砥粒を含むスラリー
    を貯留したスラリータンクと、この貯留されたスラリー
    をワイヤソーのワイヤに供給する供給手段と、を備えた
    ワイヤソーのスラリー供給装置において、 上記ワイヤに供給したスラリーを回収する回収手段と、 回収したスラリー中の砥粒の粒径が上記所定値以上のも
    ののみを含むスラリーを上記スラリータンクに戻す砥粒
    選別手段と、 上記ワイヤソーで消費されたスラリー量に応じて所定値
    以上の粒径の砥粒を含むスラリーの新液を上記スラリー
    タンクに供給する新液補充手段と、を含むワイヤソーの
    スラリー供給装置。
  2. 【請求項2】 スラリーを供給しながらワイヤソーによ
    りインゴットを切断するインゴットの切断方法におい
    て、 このインゴットの切断中、一定粒径以上の砥粒のみを含
    むスラリーをワイヤに連続的に供給するインゴットの切
    断方法。
JP28175996A 1996-10-02 1996-10-02 ワイヤソ−のスラリ−供給装置およびインゴットの切断方法 Pending JPH10100141A (ja)

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Effective date: 20040618