JPH0998966A - 大面積固体ｘ線検出器により発生される行変動性オフセットを補正する方法及び装置 - Google Patents
大面積固体ｘ線検出器により発生される行変動性オフセットを補正する方法及び装置Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/64—Circuit arrangements for X-ray apparatus incorporating image intensifiers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 変換回路に要求される信号レンジを小さくす
ることのできる大面積固体Ｘ線検出器により発生される
行変動性オフセットを補正する方法及び装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明によれば、大面積固体Ｘ線検出器
の行変動性オフセットが補正される。先ず、行変動性オ
フセットを決定する較正を行う。通常動作中には、この
オフセットは変換回路３８内で補正される。
ることのできる大面積固体Ｘ線検出器により発生される
行変動性オフセットを補正する方法及び装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明によれば、大面積固体Ｘ線検出器
の行変動性オフセットが補正される。先ず、行変動性オ
フセットを決定する較正を行う。通常動作中には、この
オフセットは変換回路３８内で補正される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線検出器に関し、具
体的には、大面積固体（ソリッド・ステート）Ｘ線検出
器のオフセットの補正に関する。
体的には、大面積固体（ソリッド・ステート）Ｘ線検出
器のオフセットの補正に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線業界では現在、大面積固体Ｘ線検出
器が開発されている。このような検出器は典型的には、
光ダイオードの配列と接触したシンチレーティング層を
備えており、各々の光ダイオードはＦＥＴ（電界効果ト
ランジスタ）スイッチを有している。先ず、ＦＥＴスイ
ッチを作動（アクティヴェイト）させることにより、光
ダイオードを既知の安定電圧に接続してこれらの光ダイ
オードを充電する。続いて、ＦＥＴスイッチをオフにす
ることにより、光ダイオードを絶縁する。Ｘ線に照射さ
れると、シンチレータが光を発生し、この光は、各々の
光ダイオードをそのダイオード位置でのＸ線の照射量に
比例して放電させる。次いで、ダイオードを既知の安定
電圧に再び接続することにより再充電する。ダイオード
をその初期電圧に回復させるのに用いられた電荷量を検
知回路によって測定し、この値をディジタル化して記憶
する。
器が開発されている。このような検出器は典型的には、
光ダイオードの配列と接触したシンチレーティング層を
備えており、各々の光ダイオードはＦＥＴ（電界効果ト
ランジスタ）スイッチを有している。先ず、ＦＥＴスイ
ッチを作動（アクティヴェイト）させることにより、光
ダイオードを既知の安定電圧に接続してこれらの光ダイ
オードを充電する。続いて、ＦＥＴスイッチをオフにす
ることにより、光ダイオードを絶縁する。Ｘ線に照射さ
れると、シンチレータが光を発生し、この光は、各々の
光ダイオードをそのダイオード位置でのＸ線の照射量に
比例して放電させる。次いで、ダイオードを既知の安定
電圧に再び接続することにより再充電する。ダイオード
をその初期電圧に回復させるのに用いられた電荷量を検
知回路によって測定し、この値をディジタル化して記憶
する。
【０００３】このような検出器において、光ダイオード
及びこれらに付設されたＦＥＴスイッチは、行列状に編
成されている。行に沿って並んだＦＥＴのゲートは互い
に接続されており、これらの行電極は、走査電子回路に
接続されている。検出器の読み出し中に、ＦＥＴの各行
が順次オンにされ、検出器素子の１行全体が１度に読み
出される。ＦＥＴスイッチの不完全性のため、ＦＥＴス
イッチをオン及びオフにするときに時間依存性の背景電
流が発生する。これにより、Ｘ線照射量に無関係なオフ
セット信号が生ずる。各行は順次読み出されるので、こ
のオフセット信号の一部は行相関性となる、即ち、ある
行内の全素子については同一となるが、行ごとには変化
する。
及びこれらに付設されたＦＥＴスイッチは、行列状に編
成されている。行に沿って並んだＦＥＴのゲートは互い
に接続されており、これらの行電極は、走査電子回路に
接続されている。検出器の読み出し中に、ＦＥＴの各行
が順次オンにされ、検出器素子の１行全体が１度に読み
出される。ＦＥＴスイッチの不完全性のため、ＦＥＴス
イッチをオン及びオフにするときに時間依存性の背景電
流が発生する。これにより、Ｘ線照射量に無関係なオフ
セット信号が生ずる。各行は順次読み出されるので、こ
のオフセット信号の一部は行相関性となる、即ち、ある
行内の全素子については同一となるが、行ごとには変化
する。
【０００４】オフセットが存在しなければ、変換回路に
は、Ｘ線の照射によって発生しただけの信号のレンジ及
び分解能しか必要でない。実際には、オフセットのレン
ジは、有用な信号のレンジよりも大きいことがある。実
際的な理由から、変換回路は、入力信号のレンジ、変換
分解能及び変換速度の制限を有している。オフセットの
補正を行わなければ、変換回路には、分解能又は速度を
犠牲にせずに入力レンジの増大に適応することが要求さ
れよう。
は、Ｘ線の照射によって発生しただけの信号のレンジ及
び分解能しか必要でない。実際には、オフセットのレン
ジは、有用な信号のレンジよりも大きいことがある。実
際的な理由から、変換回路は、入力信号のレンジ、変換
分解能及び変換速度の制限を有している。オフセットの
補正を行わなければ、変換回路には、分解能又は速度を
犠牲にせずに入力レンジの増大に適応することが要求さ
れよう。
【０００５】そこで、大面積固体Ｘ線検出器の行変動性
（行により変動する）オフセットを補正する手段を有し
ていることが望ましい。
（行により変動する）オフセットを補正する手段を有し
ていることが望ましい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、大面積固体Ｘ
線検出器における行変動性オフセットを補正する上述の
ような手段を提供する。これにより、行ごとのオフセッ
トの変化は、信号と分離されて、その測定又は予測が可
能になる。本発明の一側面によれば、大面積固体Ｘ線検
出器によって発生した行変動性オフセットを補正する方
法及び装置が開示される。先ず、各々の行の平均オフセ
ットを測定するために、較正を実行する。続いて、各々
の行についてのオフセット補正値を変換回路のメモリに
記憶させる。次いで、記憶された補正値を、検出器の動
作中に入ってきた信号に加算する。その結果、変換回路
に要求される信号レンジが小さくなる。
線検出器における行変動性オフセットを補正する上述の
ような手段を提供する。これにより、行ごとのオフセッ
トの変化は、信号と分離されて、その測定又は予測が可
能になる。本発明の一側面によれば、大面積固体Ｘ線検
出器によって発生した行変動性オフセットを補正する方
法及び装置が開示される。先ず、各々の行の平均オフセ
ットを測定するために、較正を実行する。続いて、各々
の行についてのオフセット補正値を変換回路のメモリに
記憶させる。次いで、記憶された補正値を、検出器の動
作中に入ってきた信号に加算する。その結果、変換回路
に要求される信号レンジが小さくなる。
【０００７】従って、本発明の１つの目的は、Ｘ線検出
器によって発生された行変動性オフセットを補正する手
段を提供することにある。本発明のその他の目的及び利
点は、以下の記載及び図面から明らかになるであろう。
器によって発生された行変動性オフセットを補正する手
段を提供することにある。本発明のその他の目的及び利
点は、以下の記載及び図面から明らかになるであろう。
【０００８】
【実施例】図１に大面積固体（ソリッド・ステート）Ｘ
線検出器作像システム１０を示す。作像システム１０
は、検出器１２を備えており、検出器１２は、図２
（Ａ）に示すようなシンチレータ１４を含んでいる。シ
ンチレータ１４は、Ｘ線フォトン３６を光フォトン１６
に変換する。光フォトンは、光検出器２２によって電気
信号に変換される。次いで、読み出し電子回路１８は、
得られたアナログ信号をディジタル信号に変換し、画像
処理システム・ブロック２０で示すような周知の画像処
理用の技術及び電子回路を用いて、このディジタル信号
を処理し、記憶すると共に表示することができる。図１
において、検出器１２は、Ｘ線源２６によって発生さ
れ、コリメータ２８によってコリメートされ、患者３０
のような被検体を通して透過されたＸ線を受け取る。
線検出器作像システム１０を示す。作像システム１０
は、検出器１２を備えており、検出器１２は、図２
（Ａ）に示すようなシンチレータ１４を含んでいる。シ
ンチレータ１４は、Ｘ線フォトン３６を光フォトン１６
に変換する。光フォトンは、光検出器２２によって電気
信号に変換される。次いで、読み出し電子回路１８は、
得られたアナログ信号をディジタル信号に変換し、画像
処理システム・ブロック２０で示すような周知の画像処
理用の技術及び電子回路を用いて、このディジタル信号
を処理し、記憶すると共に表示することができる。図１
において、検出器１２は、Ｘ線源２６によって発生さ
れ、コリメータ２８によってコリメートされ、患者３０
のような被検体を通して透過されたＸ線を受け取る。
【０００９】続けて図１及び図２（Ａ）を参照すると、
システム１０に要求される読み出し電子回路１８の数量
を減少させるために、光検出器素子２２は、読み出し電
子回路１８がアナログ信号を処理することができるまで
アナログ信号を集積し記憶し得るように構成されてい
る。光検出器素子２２の制御は、走査電子回路２４が行
っている。
システム１０に要求される読み出し電子回路１８の数量
を減少させるために、光検出器素子２２は、読み出し電
子回路１８がアナログ信号を処理することができるまで
アナログ信号を集積し記憶し得るように構成されてい
る。光検出器素子２２の制御は、走査電子回路２４が行
っている。
【００１０】光検出器２２の配列は、アモルファス・シ
リコンのような薄膜材料で作成されている。図２（Ｂ）
は、図２（Ａ）の光検出器素子２２の配列の一部を示し
ている。配列素子は、行列状に編成されており、各々の
素子は、光ダイオード３２と、薄膜電界効果トランジス
タ３４とから成っている。ダイオード３２のカソード
は、トランジスタ３４のソースに接続されており、すべ
てのダイオード３２のアノードは、負のバイアス電圧
（−Ｖb ）に接続されている。行を成しているトランジ
スタ３４のゲートは、互いに接続されており、この行電
極（行）は、図１の走査電子回路２４に接続されてい
る。列を成しているトランジスタのドレインは、互いに
接続されており、この列電極（列）は、図１の読み出し
電子回路１８に接続されている。光ダイオードは、付随
した静電容量を有する大面積ダイオードである。この光
ダイオードは、大面積であるので、シンチレータ１４で
発生された光の大部分を確実に捕らえることができ、
又、光ダイオードは、付随した静電容量を有しているの
で、得られた電気信号を記憶することができる。
リコンのような薄膜材料で作成されている。図２（Ｂ）
は、図２（Ａ）の光検出器素子２２の配列の一部を示し
ている。配列素子は、行列状に編成されており、各々の
素子は、光ダイオード３２と、薄膜電界効果トランジス
タ３４とから成っている。ダイオード３２のカソード
は、トランジスタ３４のソースに接続されており、すべ
てのダイオード３２のアノードは、負のバイアス電圧
（−Ｖb ）に接続されている。行を成しているトランジ
スタ３４のゲートは、互いに接続されており、この行電
極（行）は、図１の走査電子回路２４に接続されてい
る。列を成しているトランジスタのドレインは、互いに
接続されており、この列電極（列）は、図１の読み出し
電子回路１８に接続されている。光ダイオードは、付随
した静電容量を有する大面積ダイオードである。この光
ダイオードは、大面積であるので、シンチレータ１４で
発生された光の大部分を確実に捕らえることができ、
又、光ダイオードは、付随した静電容量を有しているの
で、得られた電気信号を記憶することができる。
【００１１】Ｘ線画像を取得するために、システム１０
は、以下のように動作する。第１に、列を、読み出し電
子回路１８によって供給される既知の安定電圧（Ｖc ）
に接続する。この電圧（Ｖc ）は、通常動作中には一定
でなければならない。行は、Ｖc よりも正である電圧
（Ｖon）に接続される。トランジスタ３４が通電し、負
のバイアスをかけられた光ダイオード３２に関連した静
電容量に電荷が配される。
は、以下のように動作する。第１に、列を、読み出し電
子回路１８によって供給される既知の安定電圧（Ｖc ）
に接続する。この電圧（Ｖc ）は、通常動作中には一定
でなければならない。行は、Ｖc よりも正である電圧
（Ｖon）に接続される。トランジスタ３４が通電し、負
のバイアスをかけられた光ダイオード３２に関連した静
電容量に電荷が配される。
【００１２】ダイオードの充電が終わったら、行をＶc
及び−Ｖb のどちらよりも負である電圧（−Ｖoff ）に
接続すると、トランジスタはオフになり、通電が妨げら
れる。次いで、図２（Ａ）に示すように、検出器１２
は、Ｘ線フォトン３６に照射される。Ｘ線フォトン３６
は、シンチレータ１４によって、より低エネルギのフォ
トン１６に変換される。この低エネルギのフォトン１６
が検出器１２内の光ダイオードに入射すると、ダイオー
ドは通電し、関連した静電容量が部分的に放電する。負
のバイアスをかけられたダイオードに関連した静電容量
から除去された電荷量は、配列内のその特定のダイオー
ドに入射した光の強度及び時間（期間）に依存する。光
の強度及び時間は、光ダイオードの直上に位置している
シンチレータに入射したＸ線の強度及び時間に依存す
る。従って、配列内のどのダイオードであれそこから除
去された電荷量は、検出器素子の直上に位置しているシ
ンチレータに入射したＸ線の強度及び時間の尺度とな
る。
及び−Ｖb のどちらよりも負である電圧（−Ｖoff ）に
接続すると、トランジスタはオフになり、通電が妨げら
れる。次いで、図２（Ａ）に示すように、検出器１２
は、Ｘ線フォトン３６に照射される。Ｘ線フォトン３６
は、シンチレータ１４によって、より低エネルギのフォ
トン１６に変換される。この低エネルギのフォトン１６
が検出器１２内の光ダイオードに入射すると、ダイオー
ドは通電し、関連した静電容量が部分的に放電する。負
のバイアスをかけられたダイオードに関連した静電容量
から除去された電荷量は、配列内のその特定のダイオー
ドに入射した光の強度及び時間（期間）に依存する。光
の強度及び時間は、光ダイオードの直上に位置している
シンチレータに入射したＸ線の強度及び時間に依存す
る。従って、配列内のどのダイオードであれそこから除
去された電荷量は、検出器素子の直上に位置しているシ
ンチレータに入射したＸ線の強度及び時間の尺度とな
る。
【００１３】Ｘ線の照射が終わったら、各々のダイオー
ドの静電容量をその初期電圧に回復させるのに要求され
る電荷量が読み込まれる。これは、１度に１行ずつ行を
Ｖonに接続して、トランジスタが通電するときに列で要
求される電荷量を測定することにより達成される。次い
で、この行を−Ｖoff に戻し、次の行内の素子を回復さ
せて、同様の方式で読み込む。
ドの静電容量をその初期電圧に回復させるのに要求され
る電荷量が読み込まれる。これは、１度に１行ずつ行を
Ｖonに接続して、トランジスタが通電するときに列で要
求される電荷量を測定することにより達成される。次い
で、この行を−Ｖoff に戻し、次の行内の素子を回復さ
せて、同様の方式で読み込む。
【００１４】ダイオードをその初期電圧にまで回復させ
るのに要求される電荷量は、各々の列に取り付けられた
変換回路によって測定される。ＦＥＴスイッチの不完全
性のため、ＦＥＴのゲートの電位が−Ｖoff からＶ
onへ、そして再び−Ｖoff へと循環するときに時間依存
性の背景電流が発生する。これにより、Ｘ線照射量に無
関係なオフセット信号が生ずる。オフセットが存在しな
ければ、変換回路には、Ｘ線の照射によって発生しただ
けの信号のレンジ及び分解能しか必要でない。実際に
は、ＦＥＴの不完全性により誘発されたオフセットのレ
ンジは、有用な信号のレンジよりも大きいことがある。
これらのオフセットの補正を行わなければ、変換回路に
は、分解能又は速度を犠牲にせずに入力レンジの増大に
適応することが要求されよう。
るのに要求される電荷量は、各々の列に取り付けられた
変換回路によって測定される。ＦＥＴスイッチの不完全
性のため、ＦＥＴのゲートの電位が−Ｖoff からＶ
onへ、そして再び−Ｖoff へと循環するときに時間依存
性の背景電流が発生する。これにより、Ｘ線照射量に無
関係なオフセット信号が生ずる。オフセットが存在しな
ければ、変換回路には、Ｘ線の照射によって発生しただ
けの信号のレンジ及び分解能しか必要でない。実際に
は、ＦＥＴの不完全性により誘発されたオフセットのレ
ンジは、有用な信号のレンジよりも大きいことがある。
これらのオフセットの補正を行わなければ、変換回路に
は、分解能又は速度を犠牲にせずに入力レンジの増大に
適応することが要求されよう。
【００１５】検出器が行列構造であり、且つ各行が順次
読み出されるため、オフセットの一部は、所与の行につ
いては一定であるが、行対行では（行ごとには）異なっ
ている。オフセットのこの行変動性（行により変動す
る）部分は、測定又は予測することが可能である。例え
ば、較正手順中に、各々の行の平均オフセットを測定す
ることができる。１つの実現方法では、Ｘ線を照射しな
いときのいくつかの画像を取得し、これらの画像を合わ
せて平均してオフセット画像を取得する。次いで、オフ
セット画像の行に沿った値を平均して、各々の行の平均
オフセットを算出する。代替的には、各々の行の平均オ
フセットを理論的モデルから予測することができる。
読み出されるため、オフセットの一部は、所与の行につ
いては一定であるが、行対行では（行ごとには）異なっ
ている。オフセットのこの行変動性（行により変動す
る）部分は、測定又は予測することが可能である。例え
ば、較正手順中に、各々の行の平均オフセットを測定す
ることができる。１つの実現方法では、Ｘ線を照射しな
いときのいくつかの画像を取得し、これらの画像を合わ
せて平均してオフセット画像を取得する。次いで、オフ
セット画像の行に沿った値を平均して、各々の行の平均
オフセットを算出する。代替的には、各々の行の平均オ
フセットを理論的モデルから予測することができる。
【００１６】この測定された又は予測された行変動性オ
フセットの値を用いて、検出器の通常動作中のオフセッ
トを補正することができる。行変動性オフセットを補正
する手段は、変換回路に対する入力レンジの要求条件を
緩めると共に、本発明の目的でもある。ここで図３を参
照すると、同図には、本発明による変換回路３８が示さ
れており、変換回路３８は行変動性オフセットを補正す
る。各々の列は、それ自身の検知回路、即ち電荷検知増
幅器４０を必要とする。行変動性オフセットの補正値
は、行アドレス発生器４４、メモリ４６及びディジタル
からアナログへの変換器（ＤＡＣ）４８によって供給さ
れる。行アドレス発生器４４は、各々の行に固有のアド
レスをメモリ４６に供給する。メモリ４６は、各々の行
について、その行固有のアドレスにおけるオフセット補
正値のディジタル表現を記憶する。次いで、ＤＡＣ４８
は、メモリ４６によって供給されたディジタル値をアナ
ログ電圧に変換する。次いで、このアナログ電圧は、電
荷検知増幅器４０の出力上にアナログ電圧として現れた
信号に加算される。そして、アナログからディジタルへ
の変換器（Ａ／Ｄ）４２が、信号と行オフセット補正電
圧との和であるアナログ電圧を変換する。行アドレス発
生器４４、メモリ４６及びＤＡＣ４８は、読み出し電子
回路のシステム全体、即ちすべての列で共有され得る。
フセットの値を用いて、検出器の通常動作中のオフセッ
トを補正することができる。行変動性オフセットを補正
する手段は、変換回路に対する入力レンジの要求条件を
緩めると共に、本発明の目的でもある。ここで図３を参
照すると、同図には、本発明による変換回路３８が示さ
れており、変換回路３８は行変動性オフセットを補正す
る。各々の列は、それ自身の検知回路、即ち電荷検知増
幅器４０を必要とする。行変動性オフセットの補正値
は、行アドレス発生器４４、メモリ４６及びディジタル
からアナログへの変換器（ＤＡＣ）４８によって供給さ
れる。行アドレス発生器４４は、各々の行に固有のアド
レスをメモリ４６に供給する。メモリ４６は、各々の行
について、その行固有のアドレスにおけるオフセット補
正値のディジタル表現を記憶する。次いで、ＤＡＣ４８
は、メモリ４６によって供給されたディジタル値をアナ
ログ電圧に変換する。次いで、このアナログ電圧は、電
荷検知増幅器４０の出力上にアナログ電圧として現れた
信号に加算される。そして、アナログからディジタルへ
の変換器（Ａ／Ｄ）４２が、信号と行オフセット補正電
圧との和であるアナログ電圧を変換する。行アドレス発
生器４４、メモリ４６及びＤＡＣ４８は、読み出し電子
回路のシステム全体、即ちすべての列で共有され得る。
【００１７】本発明のもう１つの実施例では、通常の検
出器動作に較正手順を組み込んだシステムが設計されて
いる。Ｘ線照射が存在しないときに、平均行オフセット
を周期的に測定し、これを用いてメモリ内のオフセット
補正値を更新する。その結果、すべての動作条件におい
てオペレータが介在しないでも最適なオフセット補正が
維持される。
出器動作に較正手順を組み込んだシステムが設計されて
いる。Ｘ線照射が存在しないときに、平均行オフセット
を周期的に測定し、これを用いてメモリ内のオフセット
補正値を更新する。その結果、すべての動作条件におい
てオペレータが介在しないでも最適なオフセット補正が
維持される。
【００１８】当業者には、大面積固体Ｘ線検出器におい
て行変動性オフセットを補正する方法及びシステムを提
供する本発明の要旨から逸脱することなく、本発明に対
して様々な改変及び変形を行うことが可能であることは
明らかであろう。本発明によれば、較正工程がオフセッ
トの行対行の変動を決定しており、次いで、変換回路を
用いて行依存性が補正されている。
て行変動性オフセットを補正する方法及びシステムを提
供する本発明の要旨から逸脱することなく、本発明に対
して様々な改変及び変形を行うことが可能であることは
明らかであろう。本発明によれば、較正工程がオフセッ
トの行対行の変動を決定しており、次いで、変換回路を
用いて行依存性が補正されている。
【００１９】いくつかの好適な実施例を具体的に参照し
ながら本発明を詳細に記載してきたが、本発明の要旨の
範囲内で改変及び変形をなし得ることがわかるであろ
う。
ながら本発明を詳細に記載してきたが、本発明の要旨の
範囲内で改変及び変形をなし得ることがわかるであろ
う。
【図１】Ｘ線作像システムのブロック図である。
【図２】図２（Ａ）は図１に示す固体検出器配列の詳細
図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の光検出器配列の一
部を示す図である。
図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の光検出器配列の一
部を示す図である。
【図３】本発明による変換回路であって、行変動性オフ
セットを補正する変換回路を示す図である。
セットを補正する変換回路を示す図である。
１０ 大面積固体Ｘ線検出器作像システム １２ 検出器 １４ シンチレータ １６ 光フォトン １８ 読み出し電子回路 ２０ 画像処理システム ２２ 光検出器 ２４ 走査電子回路 ２６ Ｘ線源 ２８ コリメータ ３０ 患者 ３２ 光ダイオード ３４ 電界効果トランジスタ ３６ Ｘ線フォトン ３８ 変換回路 ４０ 電荷検知増幅器 ４２ アナログからディジタルへの変換器（Ａ／Ｄ） ４４ 行アドレス発生器 ４６ メモリ ４８ ディジタルからアナログへの変換器（ＤＡＣ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローレンス・リチャード・スクレネス アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ハー トランド、ワレン・ドライブ、エヌ6980 （番地なし) (72)発明者 ジーン−クラウデ・モーヴァン アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ミル ウォーキー、ウェスト・ハドレイ・ストリ ート、9515番 (72)発明者 ポール・リチャード・グランフォース アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ミル ウォーキー、ノース・クラメル・ストリー ト、3201番
Claims (4)
- 【請求項１】 行列構造を有しており、行が順次読み出
される大面積固体Ｘ線検出器により発生される行変動性
オフセットを補正する方法であって、 オフセットの行ごとの変動を決定する較正を行う工程
と、 オフセットの行ごとの変動を補正する工程とを備えた大
面積固体Ｘ線検出器により発生される行変動性オフセッ
トを補正する方法。 - 【請求項２】 前記オフセットの行ごとの変動を決定す
る較正を行う工程は、各々の行の平均オフセットを測定
する工程を更に含んでいる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 行列構造を有しており、行が順次読み出
される大面積固体Ｘ線検出器により発生される行変動性
オフセットを補正する装置であって、 オフセットの行ごとの変動を決定する較正を行う手段
と、 オフセットの行ごとの変動を補正する手段とを備えた大
面積固体Ｘ線検出器により発生される行変動性オフセッ
トを補正する装置。 - 【請求項４】 前記オフセットの行ごとの変動を決定す
る較正を行う手段は、各々の行の平均オフセットを測定
する手段を更に含んでいる請求項３に記載の装置。
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|---|---|---|---|
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| US08/501800 | 1995-07-13 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0998966A (ja) |
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- 1996-07-12 DE DE69618863T patent/DE69618863T2/de not_active Expired - Fee Related
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