JPH0992630A - 不凍液使用による半導体ウェーハ等の冷凍切削方法 - Google Patents
不凍液使用による半導体ウェーハ等の冷凍切削方法Info
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- JPH0992630A JPH0992630A JP26802095A JP26802095A JPH0992630A JP H0992630 A JPH0992630 A JP H0992630A JP 26802095 A JP26802095 A JP 26802095A JP 26802095 A JP26802095 A JP 26802095A JP H0992630 A JPH0992630 A JP H0992630A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 冷凍チャックテーブルに凍結固定されたウェ
ーハに切削液を供給しながら回転ブレードで切削する際
に、ウェーハの表面に氷塊が生じないようにした冷凍切
削方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ等をチャックテーブルに
凍結固定し、切削液を供給しながら回転ブレードで切削
する冷凍切削方法において、この冷凍切削方法を遂行す
るに当り、前記切削液としてエチレングリコール等の不
凍液を用いる。
ーハに切削液を供給しながら回転ブレードで切削する際
に、ウェーハの表面に氷塊が生じないようにした冷凍切
削方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ等をチャックテーブルに
凍結固定し、切削液を供給しながら回転ブレードで切削
する冷凍切削方法において、この冷凍切削方法を遂行す
るに当り、前記切削液としてエチレングリコール等の不
凍液を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不凍液使用による
半導体ウェーハ等の冷凍切削方法に関する。
半導体ウェーハ等の冷凍切削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ等を切削するダイシング
装置は、例えば図３に示すように上下動するカセット載
置領域Ａに載置したカセットＣ内から搬出入手段Ｂにて
ウェーハＷ（粘着テープＮを介してフレームＦに固定）
を待機領域Ｄに搬出し、旋回アームを有する搬送手段Ｅ
でそのウェーハＷをチャックテーブルＴに搬送して保持
させ、このチャックテーブルＴを移動してアライメント
手段Ｇに位置付けてアライメントした後、回転ブレード
を有する切削手段Ｈにより切削する。
装置は、例えば図３に示すように上下動するカセット載
置領域Ａに載置したカセットＣ内から搬出入手段Ｂにて
ウェーハＷ（粘着テープＮを介してフレームＦに固定）
を待機領域Ｄに搬出し、旋回アームを有する搬送手段Ｅ
でそのウェーハＷをチャックテーブルＴに搬送して保持
させ、このチャックテーブルＴを移動してアライメント
手段Ｇに位置付けてアライメントした後、回転ブレード
を有する切削手段Ｈにより切削する。
【０００３】前記チャックテーブルは、通常ウェーハ等
を吸引保持する方式のものであるが、ウェーハ等を凍結
固定するようにした冷凍チャックテーブルも存在する。
この冷凍チャックテーブルは、例えばペルチェ素子等の
サーモモジュールにてテーブル上に氷結層を形成してウ
ェーハ等を凍結固定させるものであり、このようにウェ
ーハ等を凍結保持して切削を遂行すると、前記切削手段
Ｈの回転ブレードの冷却効率の向上、チッピングの防止
等が図れるため今後一層期待されるものである。
を吸引保持する方式のものであるが、ウェーハ等を凍結
固定するようにした冷凍チャックテーブルも存在する。
この冷凍チャックテーブルは、例えばペルチェ素子等の
サーモモジュールにてテーブル上に氷結層を形成してウ
ェーハ等を凍結固定させるものであり、このようにウェ
ーハ等を凍結保持して切削を遂行すると、前記切削手段
Ｈの回転ブレードの冷却効率の向上、チッピングの防止
等が図れるため今後一層期待されるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
冷凍切削方法は完成された技術ではなく、切削時に切削
液として水が供給されるためウェーハ等の表面に氷塊が
生成して切削の妨げとなったり、切削溝をチェックする
際の妨げとなったり、又回転ブレードにも悪影響を与え
る等冷凍切削の効果が充分発揮されない問題がある。一
方、切削液を供給しないで切削する所謂ドライカットで
は、ウェーハ等の切断面に焼け、欠け等が発生し、切削
粉が付着して効率的な排出が困難となる問題がある。本
発明は、このような問題を解決するためになされ、冷凍
チャックテーブルを使用し切削液を供給しながら切削す
る場合において、ウェーハ等の表面に氷塊が生成しない
ようにした、半導体ウェーハ等の完成された冷凍切削方
法を提供することを課題とする。
冷凍切削方法は完成された技術ではなく、切削時に切削
液として水が供給されるためウェーハ等の表面に氷塊が
生成して切削の妨げとなったり、切削溝をチェックする
際の妨げとなったり、又回転ブレードにも悪影響を与え
る等冷凍切削の効果が充分発揮されない問題がある。一
方、切削液を供給しないで切削する所謂ドライカットで
は、ウェーハ等の切断面に焼け、欠け等が発生し、切削
粉が付着して効率的な排出が困難となる問題がある。本
発明は、このような問題を解決するためになされ、冷凍
チャックテーブルを使用し切削液を供給しながら切削す
る場合において、ウェーハ等の表面に氷塊が生成しない
ようにした、半導体ウェーハ等の完成された冷凍切削方
法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハ等を
チャックテーブルに凍結固定し、切削液を供給しながら
回転ブレードで切削する冷凍切削方法において、この冷
凍切削方法を遂行するに当り、前記切削液としてエチレ
ングリコール等の不凍液を用いることを要旨とする。
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハ等を
チャックテーブルに凍結固定し、切削液を供給しながら
回転ブレードで切削する冷凍切削方法において、この冷
凍切削方法を遂行するに当り、前記切削液としてエチレ
ングリコール等の不凍液を用いることを要旨とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳説する。図１において、１は図３に示
すようなダイシング装置に装着された冷凍チャックテー
ブルであり、氷結層２を介してウェーハＷを凍結固定
し、従来と同様に移動ステージ３によりＸ軸方向（図の
左右方向）に移動すると共に回転支持軸４を介してθ軸
回転可能に形成されている。
図面に基づいて詳説する。図１において、１は図３に示
すようなダイシング装置に装着された冷凍チャックテー
ブルであり、氷結層２を介してウェーハＷを凍結固定
し、従来と同様に移動ステージ３によりＸ軸方向（図の
左右方向）に移動すると共に回転支持軸４を介してθ軸
回転可能に形成されている。
【０００７】前記冷凍チャックテーブル１は、例えば図
２(イ) 、(ロ) に示すようにテーブル本体１１の上面にポ
ーラス部材１２を取り付け、このポーラス部材１２に複
数のペルチェ素子１３を配設し、更にテーブル本体１１
の外周縁部にペルチェ素子１３と吸引孔１４とを交互に
配設し、ウェーハＷを吸引保持すると共に凍結固定出来
るように構成してある。
２(イ) 、(ロ) に示すようにテーブル本体１１の上面にポ
ーラス部材１２を取り付け、このポーラス部材１２に複
数のペルチェ素子１３を配設し、更にテーブル本体１１
の外周縁部にペルチェ素子１３と吸引孔１４とを交互に
配設し、ウェーハＷを吸引保持すると共に凍結固定出来
るように構成してある。
【０００８】前記ペルチェ素子１３にてテーブル本体１
１の上面を冷却し、その上面に前記氷結層２を形成する
と共にこの氷結層２を介してウェーハＷを凍結固定す
る。
１の上面を冷却し、その上面に前記氷結層２を形成する
と共にこの氷結層２を介してウェーハＷを凍結固定す
る。
【０００９】この後、前記移動ステージ３により冷凍チ
ャックテーブル１を移動し、アライメント手段Ｇに位置
付けてアライメントした後、切削手段Ｈの回転ブレード
ＪによりウェーハＷを切削するが、この際図１に示すよ
うにブレードカバー５に配設された切削液供給ノズル
６、７から不凍液８がウェーハＷの上面に適量供給され
る。
ャックテーブル１を移動し、アライメント手段Ｇに位置
付けてアライメントした後、切削手段Ｈの回転ブレード
ＪによりウェーハＷを切削するが、この際図１に示すよ
うにブレードカバー５に配設された切削液供給ノズル
６、７から不凍液８がウェーハＷの上面に適量供給され
る。
【００１０】この不凍液８としては、氷結温度（冷凍チ
ャックテーブル温度）より凝固点の低い液体、例えばエ
チレングリコール水溶液（凝固点−３５°Ｃ）を用いる
ことが出来、この場合ウェーハＷの表面に氷塊が生じる
ことはない。従って、回転ブレードＪによる切削が妨げ
られることはなく、回転ブレード自体に悪影響を与える
こともなく、チッピング等が発生せずに冷凍切削の効果
を充分発揮することが出来る。又、回転ブレードＪを効
率良く冷却することも出来、更にウェットカットである
からウェーハ等の切断面に焼け、欠け等が発生せず、切
削粉を流出させて効率的な排出も容易になる。
ャックテーブル温度）より凝固点の低い液体、例えばエ
チレングリコール水溶液（凝固点−３５°Ｃ）を用いる
ことが出来、この場合ウェーハＷの表面に氷塊が生じる
ことはない。従って、回転ブレードＪによる切削が妨げ
られることはなく、回転ブレード自体に悪影響を与える
こともなく、チッピング等が発生せずに冷凍切削の効果
を充分発揮することが出来る。又、回転ブレードＪを効
率良く冷却することも出来、更にウェットカットである
からウェーハ等の切断面に焼け、欠け等が発生せず、切
削粉を流出させて効率的な排出も容易になる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
冷凍チャックテーブルにウェーハ等を凍結固定して回転
ブレードにより切削するに際し、切削液としてエチレン
グリコール等の不凍液を供給するので、ウェーハ等の表
面に氷塊が生じることはなく、回転ブレードの切削の妨
げとならず、回転ブレードに悪影響を与えず、冷凍切削
の効果が充分発揮される等の優れた効果を奏する。
冷凍チャックテーブルにウェーハ等を凍結固定して回転
ブレードにより切削するに際し、切削液としてエチレン
グリコール等の不凍液を供給するので、ウェーハ等の表
面に氷塊が生じることはなく、回転ブレードの切削の妨
げとならず、回転ブレードに悪影響を与えず、冷凍切削
の効果が充分発揮される等の優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の実施の形態を示す要部の概略図であ
る。
る。
【図２】 冷凍チャックテーブルの一例を示すもので、
(イ) は概略断面図、(ロ) は平面図である。
(イ) は概略断面図、(ロ) は平面図である。
【図３】 ダイシング装置の一例を示す斜視図である。
１…冷凍チャックテーブル １１…テーブル本体 １２…ポーラス部材 １３…
ペルチェ素子 １４…吸引孔 ２…氷結層 ３…移動ステージ ４…回転支持軸 ５…ブレードカバー ６、７…切削液供給ノズル ８…不凍液 Ｊ…回転ブレード Ｗ…ウェーハ
ペルチェ素子 １４…吸引孔 ２…氷結層 ３…移動ステージ ４…回転支持軸 ５…ブレードカバー ６、７…切削液供給ノズル ８…不凍液 Ｊ…回転ブレード Ｗ…ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ等をチャックテーブルに
凍結固定し、切削液を供給しながら回転ブレードで切削
する冷凍切削方法において、この冷凍切削方法を遂行す
るに当り、前記切削液としてエチレングリコール等の不
凍液を用いることを特徴とする、不凍液使用による半導
体ウェーハ等の冷凍切削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26802095A JPH0992630A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 不凍液使用による半導体ウェーハ等の冷凍切削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26802095A JPH0992630A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 不凍液使用による半導体ウェーハ等の冷凍切削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992630A true JPH0992630A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17452786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26802095A Pending JPH0992630A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 不凍液使用による半導体ウェーハ等の冷凍切削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0802416A2 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-22 | Seiko Instruments R&D Center Inc. | Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor |
| JP2009028810A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法及び切削装置 |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP26802095A patent/JPH0992630A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0802416A2 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-22 | Seiko Instruments R&D Center Inc. | Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor |
| EP0802416A3 (en) * | 1996-04-19 | 1999-01-27 | Seiko Instruments R&D Center Inc. | Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor |
| JP2009028810A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法及び切削装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040224 |