JPH0991982A - シフトレジスタ - Google Patents

シフトレジスタ

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JPH0991982A
JPH0991982A JP7249589A JP24958995A JPH0991982A JP H0991982 A JPH0991982 A JP H0991982A JP 7249589 A JP7249589 A JP 7249589A JP 24958995 A JP24958995 A JP 24958995A JP H0991982 A JPH0991982 A JP H0991982A
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JP
Japan
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shift register
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JP7249589A
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English (en)
Inventor
Katsushige Kanou
雄慈 狩野
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NEC Engineering Ltd
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NEC Engineering Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シフト量を任意に変更することができるシフ
トレジスタを実現する。 【解決手段】 書込みアドレスが入力されることにより
書込みポートに入力されているデータが書込まれかつ読
出しアドレスが入力されることにより読出しポートに入
力されているデータが読出されるデュアルポートRAM
11を用いる。このデュアルポートRAM11におい
て、書込みアドレスとなるライトアドレスカウンタ13
のカウント出力130が制御入力110の値と一致して
から、読出しアドレスとなるリードアドレスカウンタ1
4のカウント出力140を入力することにより、両カウ
ント出力の間には時間差が生じ、シフトレジスタが構成
できる。制御入力110の値を変更すれば、時間差が変
化し、シフト量を変化させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はシフトレジスタに関
し、特にシフト可変レジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、シフトレジスタは、シフト入力
端子に入力されたデータをクロックの立上りに応じて順
次シフトし、シフト出力端子から出力するレジスタであ
る。かかるシフトレジスタは、D型フリップフロップ
(以下、DFF)を数個直列接続した構成であり、各D
FFに入力されたクロックの立上り毎にデータが順に後
段に伝達される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のシフト
レジスタは、シフト量が多くなればなるほど必要になる
DFFの数が増える。このため、シフト量が多くても、
回路規模の増大しないシフトレジスタの実現が期待され
ていた。また、シフト量を任意に変更することのできる
シフトレジスタの実現が期待されていた。
【0004】ところで、特開昭63―275227号公
報には、ビタビ復号器のパスメモリ回路をセレクタとデ
ュアルポートRAM(Random Access M
emory)とによって構成し、時分割的にパスセレク
ト信号により最尤パスの履歴記憶処理を行うメモリ回路
が記載されている。
【0005】このメモリ回路は以下のような構成であ
る。すなわち、n段のパスメモリ回路に相当する0〜n
番地構成としたデュアルポートRAMに入力切替え信号
によりセレクトされた初段設定値又は前段の出力データ
(読出しアドレスnにより出力)を書込みアドレス0に
より記憶する。このとき、読出しアドレスnが入力され
る。その以降、順に読出しアドレスn、n−1、…、1
を同時に入力することで0番地に書込まれたデータが、
n番地まで復号サイクル毎に生き残りパス判定されパス
セレクト信号により移行し、n番地の読出しアドレスn
により出力信号として出力される。
【0006】しかし、かかるメモリ回路は、復号サイク
ル毎に生き残りパス判定する判定分のワード数のデュア
ルポートRAMにより固定な一定時間のパス判定された
データをシフトするものであり、シフト量を任意に変更
することができないという欠点がある。また、このメモ
リ回路でデータをシフトするためには、データに同期し
たクロックの他に、これより速い周波数のタイミング信
号を供給するための回路が必要となり回路規模が大きく
なるという欠点がある。
【0007】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的はシフト量を任
意に変更することができ、かつ回路規模が大きくなるこ
とのないシフトレジスタを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるシフトレジ
スタは、書込みアドレスが入力されることにより書込み
ポートに入力されているデータが書込まれかつ読出しア
ドレスが入力されることにより読出しポートに入力され
ているデータが読出されるデュアルポートメモリと、前
記書込みアドレスが入力されてから前記読出しアドレス
が入力されるまでの時間を外部制御入力に応じて変化制
御する制御手段とを含み、前記書込みポートをシフト入
力端子とし前記読出しポートをシフト出力端子としたこ
とを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の作用は以下の通りであ
る。
【0010】書込みアドレスが入力されることにより書
込みポートに入力されているデータが書込まれかつ読出
しアドレスが入力されることにより読出しポートに入力
されているデータが読出されるデュアルポートRAMを
用いる。このデュアルポートRAMにおいて、書込みア
ドレスが入力されてから読出しアドレスが入力されるま
での時間を外部制御入力に応じて変化制御する。そし
て、デュアルポートRAMの書込みポートをシフト入力
端子とし読出しポートをシフト出力端子とする。
【0011】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。
【0012】図1は本発明によるシフトレジスタの第1
の実施例の構成を示すブロック図である。図において、
本実施例によるシフトレジスタは、書込みアドレス端子
WADに書込みアドレスが入力されることにより書込み
ポートIDに入力されているデータが書込まれかつ読出
しアドレス端子RADに読出しアドレスが入力されるこ
とにより読出しポートODに入力されているデータが読
出されるデュアルポートRAM11と、クロックCLK
の立上りタイミング毎にカウントアップ動作しそのカウ
ント出力130が書込みアドレスとしてRAM11に入
力されるライトアドレスカウンタ13と、クロックCL
Kの立上りタイミング毎にカウントアップ動作しそのカ
ウント出力140が読出しアドレスとしてRAM11に
入力されるリードアドレスカウンタ14と、ライトアド
レスカウンタ13のカウント出力130と制御入力11
0とを比較し両者の値が一致したときにカウンタ14を
ロード動作状態にする排他的論理和回路10とを含んで
構成されている。
【0013】なお、15は入力データ100を保持する
DFF、19は出力データ200を保持するDFFであ
る。
【0014】デュアルポートRAM11は、本例では2
56ワード×8ビット構成であり、クロックCLKがイ
ネーブル信号としてライトイネーブル端子WE及びリー
ドイネーブル端子REに入力されている。
【0015】ライトアドレスカウンタ13及びリードア
ドレスカウンタ14のカウント初期値は、共に「01」
(Hex(16進数))である。ライトアドレスカウン
タ13及びリードアドレスカウンタ14は共に8ビット
のカウンタであるため、1〜255すなわち「01」
(Hex)〜「FF」(Hex)の値を出力する。リー
ドアドレスカウンタ14のロード端子LDがローレベル
になったとき、「01」(Hex)がリードアドレスカ
ウンタ14にロードされる。
【0016】かかる構成からなる本実施例のシフトレジ
スタについて図2を参照して説明する。同図は図1のシ
フトレジスタの動作を示すタイムチャートであり、入力
データ100と、クロックCLKと、DFF15の出力
データ150と、ライトアドレスカウンタ13のカウン
ト出力130と、リードアドレスカウンタ14のカウン
ト出力140と、制御入力110と、出力データ200
とが示されている。
【0017】本例では、制御入力110の値が当初「0
1」(Hex)で、その後「0A」(Hex)に変更し
た場合の波形が示されている。
【0018】図において、入力データ100は、クロッ
クCLKの立上りタイミング毎にDFF15に順次保持
され、順次出力データ150として送出される。この出
力データ150は、デュアルポートRAM11の書込み
ポートIDに入力される。
【0019】ライトアドレスカウンタ13のカウント出
力130は、図示されているように、クロックCLKの
立上りタイミング毎に「01」〜「FF」(Hex)ま
で変化する。制御入力110の値は、本例の場合当初
「01」(Hex)であり、この制御入力110の値
「01」がライトアドレスカウンタ13のカウント出力
130と一致したときにリードアドレスカウンタ14に
「01」(Hex)がロードされカウントアップを開始
する。これにより、ライトアドレスカウンタ13のカウ
ント出力130の値と、リードアドレスカウンタ14の
カウント出力140の値とは一定の差が生じることにな
る。カウントアップが続けられ、カウント出力130の
値が「01」(Hex)に達すると、時刻t1において
カウンタ14に「01」(Hex)がロードされ再びカ
ウントアップ動作が行われる。
【0020】また、時刻t2において制御入力110の
値が「01」(Hex)から「0A」(Hex)に変更
されると、カウント出力130の値が「0A」(He
x)になった時刻t3においてカウンタ14に「01」
(Hex)が再ロードされ再びカウントアップ動作が行
われる。
【0021】この場合、出力データ150のデータ「D
0」が時刻t1においてRAM11に入力されてから出
力されるまでに時間Tcがかかる。この時間Tcはクロ
ックCLKの10クロック分に相当するため、本RAM
11の入出力間には10ビットの遅れがある。そして、
本シフトレジスタでは、回路自体による遅延時間Taに
時間Tcを加えた時間だけ入出力間に遅延が生じている
ことになる。
【0022】要するに、本シフトレジスタは、書込みア
ドレスが入力されてから読出しアドレスが入力されるま
での時間、すなわちシフト量が外部からの制御入力11
0に応じて変更できるように構成されているのである。
そして、その変化制御の最小単位は1ビット、すなわち
時間Tbである。
【0023】同図には制御入力110の値を「01」
(Hex)から「0A」(Hex)に変更した場合、す
なわちシフト量を大きくした場合が示されているが、逆
にシフト量を小さくした場合にも変更後のシフト量に応
じてシフト動作することは明らかである。
【0024】なお、以上のシフトレジスタにおいては、
1相クロックによって動作するので、他のクロックを必
要とせず、回路規模も大きくならない。
【0025】図3は本発明によるシフトレジスタの第2
の実施例の構成を示すブロック図であり、図1と同等部
分は同一符号により示されている。上述した第1の実施
例ではデュアルポートRAMを1つだけ用いた構成であ
るが、本実施例では2つのデュアルポートRAM11及
び12を用いて高速動作を可能にした構成である。
【0026】図において、本実施例によるシフトレジス
タは、書込みアドレス端子WADに書込みアドレスが入
力されることにより書込みポートIDに入力されている
データが書込まれかつ読出しアドレス端子RADに読出
しアドレスが入力されることにより読出しポートODに
入力されているデータが読出されるデュアルポートRA
M11及び12と、クロックCLKの立上りタイミング
毎にカウントアップ動作しそのカウント出力130が書
込みアドレスとしてRAM11に入力されるライトアド
レスカウンタ13と、クロックCLKの立上りタイミン
グ毎にカウントアップ動作しそのカウント出力140が
読出しアドレスとしてRAM11に入力されるリードア
ドレスカウンタ14とを含んで構成されている。
【0027】また、本実施例によるシフトレジスタは、
7ビットデータの入出力を有するDFF20と、7ビッ
トデータの入力及び7ビットデータの出力(そのうち1
ビットは反転出力)を有するDFF21及び22と、D
FF15〜19と、オア回路23〜28と、排他的論理
和回路10及び30と、反転回路29とを含んで構成さ
れている。
【0028】デュアルポートRAM11及び12は、本
例では128ワード×8ビット構成である。
【0029】ライトアドレスカウンタ13及びリードア
ドレスカウンタ14のカウント初期値は、共に「00」
(Hex)である。ライトアドレスカウンタ13及びリ
ードアドレスカウンタ14は共に8ビットのカウンタで
あるため、0〜255すなわち00(Hex)〜FF
(Hex)の値を出力する。
【0030】カウント出力130はDFF20に入力さ
れ、この出力が書込みアドレスとしてデュアルポートR
AM11に入力される。また、カウント出力140は読
出しアドレスとしてデュアルポートRAM11に入力さ
れる。
【0031】DFF20の出力はDFF21に入力さ
れ、この出力が書込みアドレスとしてデュアルポートR
AM12に入力される。また、カウント出力140はD
FF22に入力され、この出力が読出しアドレスとして
デュアルポートRAM12に入力される。
【0032】クロックCLKは、オア回路24を介して
RAM11のライトイネーブル端子WEに入力されると
共に、オア回路23を介してRAM12のライトイネー
ブル端子WEに入力される。またクロックCLKは、オ
ア回路27を介してRAM11のリードイネーブル端子
REに入力されると共に、オア回路26を介してRAM
12のリードイネーブル端子REに入力される。
【0033】DFF17は、その反転出力QBがD入力
に接続されているため、クロックCLKを2分周して出
力する。このDFF17の出力QはクロックCLKと共
にオア回路23に入力され、反転出力QBはクロックC
LKと共にオア回路24に入力されている。このため、
オア回路23の出力230とオア回路24の出力240
とは、共にデューティ比75%で、互いに位相が180
度ずれた波形になる。
【0034】排他的論理和回路10の出力は、リードア
ドレスカウンタ14のロード端子LDに入力される他、
オア回路25にも入力される。排他的論理和回路10の
出力は、リードアドレスカウンタ14がロード動作状態
になっているときだけ「0」で、それ以外のときは
「1」である。また、DFF18の出力Qは直接排他的
論理和回路30に入力される他、オア回路25を介して
排他的論理和回路30に入力されている。そして、この
排他的論理和回路30の出力はDFF18のD入力に接
続されている。
【0035】したがって、リードアドレスカウンタ14
がロード動作状態になっていないとき排他的論理和回路
30は反転回路として動作し、その出力はクロックCL
Kを2分周したものとなる。この排他的論理和回路30
の出力は、クロックCLKと共にオア回路26に入力さ
れている。また、DFF18の反転出力QBはクロック
CLKと共にオア回路27に入力されている。このた
め、オア回路26の出力260とオア回路27の出力2
70とは、共にデューティ比75%で、互いに位相が1
80度ずれた波形になる。
【0036】以上のように、RAM11及び12を、交
互にライトイネーブル状態、リードイネーブル状態に
し、ライトアドレスとリードアドレスとを交互に入力し
ているので、シフトレジスタ全体としては高速にシフト
動作が行われることになる。
【0037】かかる構成からなる本実施例のシフトレジ
スタについて図4を参照して説明する。図4は、図3の
シフトレジスタの動作を示すタイムチャートであり、図
2と同等部分は同一符号により示されている。
【0038】図4には、入力データ100と、クロック
CLKと、DFF15の出力データ150と、DFF1
6の出力データ160と、ライトアドレスカウンタ13
のカウント出力130と、RAM11へのライトアドレ
ス111と、RAM11へのライトイネーブル信号24
0と、RAM12へのライトアドレス121と、RAM
12へのライトイネーブル信号230の各波形が示され
ている。
【0039】また同図には、リードアドレスカウンタ1
4のカウント出力140と、RAM11へのリードアド
レス112と、RAM11へのリードイネーブル信号2
70と、RAM12へのリードアドレス122と、RA
M12へのリードイネーブル信号260と、制御入力1
10と、出力データ200とが示されている。
【0040】なお本例においても、制御入力110の値
が当初「01」(Hex)で、その後「0A」(He
x)に変更した場合の波形が示されている。
【0041】図において、入力データ100は、クロッ
クCLKの立上りタイミング毎にDFF15、16に順
次保持され、順次出力データ150、160として送出
される。これら出力データのうち、出力データ150は
デュアルポートRAM11の書込みポートIDに入力さ
れる。また、出力データ160はデュアルポートRAM
12の書込みポートIDに入力される。
【0042】ライトアドレスカウンタ13のカウント出
力130は、図示されているように、クロックCLKの
立上りタイミング毎に「00」〜「FF」(Hex)ま
で変化する。制御入力110の値は、当初「01」(H
ex)であり、この制御入力110の値「01」がライ
トアドレスカウンタ13のカウント出力130と一致し
たときにリードアドレスカウンタ14に「00」がロー
ドされる(図中の)。そして、リードアドレスカウン
タ14は、この「00」からカウントアップを開始す
る。これにより、ライトアドレスカウンタ13のカウン
ト出力130の値と、リードアドレスカウンタ14のカ
ウント出力140の値との間には「01」(Hex)の
差が生じることになる。
【0043】その後、制御入力110の値が「0A」
(Hex)に変更されると、この制御入力110の値
「01」がライトアドレスカウンタ13のカウント出力
130と一致したときにリードアドレスカウンタ14に
「00」がロードされる(図中の)。そして、リード
アドレスカウンタ14は、この「00」からカウントア
ップを開始する。これにより、ライトアドレスカウンタ
13のカウント出力130の値と、リードアドレスカウ
ンタ14のカウント出力140の値との間には「0A」
(Hex)の差が生じることになる。
【0044】このカウント出力130の値とカウント出
力140の値との間の差が図中の時間Tcである。そし
て、回路自体による遅延時間Taに時間Tcを加えた時
間だけ入出力間に遅延が生じていることになる。制御入
力110による変化制御の最小単位は、図2の場合と同
様に1ビットすなわち時間Tbである。
【0045】ここで、RAM11へのライトイネーブル
信号240とRAM12へのリードイネーブル信号26
0とは同一の波形であり、RAM12へのライトイネー
ブル信号230とRAM11へのリードイネーブル信号
270とは同一の波形である。また、RAM11へのラ
イトイネーブル信号240とRAM12へのライトイネ
ーブル信号230とは位相差が180度であり、RAM
11へのリードイネーブル信号270とRAM12への
リードイネーブル信号260とは位相差が180度であ
る。したがって、これらの各イネーブル信号の入力タイ
ミングにより、RAM11が書込み状態のときRAM1
2は読出し状態となり、逆に、RAM12が書込み状態
のときRAM11は読出し状態となる。すなわち、これ
らRAMには交互に書込みアドレス及び読出しアドレス
が入力され、読出し動作と書込み動作とが交互に行われ
るのである。よって、シフトレジスタ全体としては高速
なシフト動作が行われることになる。
【0046】以上のように、RAM11及び12に交互
に書込みアドレス及び読出しアドレスが入力される様子
が同図中のRAM11へのライトアドレス111、RA
M12へのライトアドレス121、RAM11へのリー
ドアドレス112及びRAM12へのリードアドレス1
22に示されている。
【0047】すなわち、RAM11へのライトアドレス
111が「00」、「02」、「04」…(Hex)で
あるのに対し、RAM12へのライトアドレス121は
「01」、「03」、「05」…(Hex)である。ま
た、RAM11へのリードアドレス112が「00」、
「02」、「04」…(Hex)であるのに対し、RA
M12へのリードアドレス122は「01」、「0
3」、「05」…(Hex)である。
【0048】このように、本実施例のシフトレジスタ
は、アドレスを2つのデュアルポートRAMに振り分け
る構成であるため、第1の実施例よりも高速な動作が可
能となるのである。
【0049】そして、制御入力を「01」から「0A」
に変更しているため、図示されているように、シフト量
が大きくなっている。このように、本実施例の場合にお
いても、書込みアドレスが入力されてから読出しアドレ
スが入力されるまでの時間を制御入力に応じて変化制御
し、シフト量を変更できるのである。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、デュアル
ポートRAMを用いてシフトレジスタを構成し、その書
込みアドレスが入力されてから読出しアドレスが入力さ
れるまでの時間を外部制御入力に応じて変化制御するこ
とにより、シフト量を任意に変更でき、かつ回路規模が
大きくならないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例によるシフトレジスタの
構成を示すブロック図である。
【図2】図1のシフトレジスタの動作を示すタイムチャ
ートである。
【図3】本発明の第2の実施例によるシフトレジスタの
構成を示すブロック図である。
【図4】図3のシフトレジスタの動作を示すタイムチャ
ートである。
【符号の説明】
10、30 排他的論理和回路 11、12 デュアルポートRAM 13 ライトアドレスカウンタ 14 リードアドレスカウンタ 15〜22 DFF

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 書込みアドレスが入力されることにより
    書込みポートに入力されているデータが書込まれかつ読
    出しアドレスが入力されることにより読出しポートに入
    力されているデータが読出されるデュアルポートメモリ
    と、前記書込みアドレスが入力されてから前記読出しア
    ドレスが入力されるまでの時間を外部制御入力に応じて
    変化制御する制御手段とを含み、前記書込みポートをシ
    フト入力端子とし前記読出しポートをシフト出力端子と
    したことを特徴とするシフトレジスタ。
  2. 【請求項2】 前記デュアルポートメモリを複数含み、
    更にこれらデュアルポートメモリに前記書込みアドレス
    を交互に入力する手段と、これらデュアルポートメモリ
    に前記読出しアドレスを交互に入力する手段とを含むこ
    とを特徴とする請求項1記載のシフトレジスタ。
  3. 【請求項3】 前記制御手段は、前記書込みアドレスを
    順次発生する書込みアドレス発生手段と、この発生した
    書込みアドレスと前記外部制御入力の値とが一致した以
    後前記読出しアドレスを順次発生する読出しアドレス発
    生手段とを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の
    シフトレジスタ。
JP7249589A 1995-09-27 1995-09-27 シフトレジスタ Pending JPH0991982A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113205851A (zh) * 2021-05-14 2021-08-03 西安智多晶微电子有限公司 一种基于ram的移位寄存器及其存储方法

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