JPH0990249A - 光偏向子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】簡単な構成で且つ部品点数の少ないコンパクト
な光偏向子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】Ａｌ膜で形成された反射ミラー５２が設け
られた板状部材５０と、この板状部材を振動且つ偏向自
在に支持する支持手段と、この支持手段に支持された板
状部材を振動且つ偏向させる駆動手段とを備えており、
駆動手段には、所定のＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜と、こ
のＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜の動作を補助するためのバ
イアスバネ手段とが設けられている。支持手段には、板
状部材を振動且つ偏向自在に支持する一対のトーション
バー６０が設けられている。バイアスバネ手段には、片
持ち梁６６と、この片持ち梁の延出端に突設し且つ板状
部材の裏面に接触可能な突起部６８とが設けられてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子写真式
複写機やレーザビームプリンタ画像形成装置又はバーコ
ード読取装置等の光学機器に用いられる形状記憶合金駆
動型の光偏向子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の光偏向子としては、例え
ば特開平６−１７５０６０号公報に開示されたねじり振
動子を用いた光偏向子が知られている（第１の従来技
術）。図６に示すように、第１の従来技術の光偏向子
は、磁性体で形成された２自由度振動子と、この２自由
度振動子を駆動制御するように、一対の第１コイル２及
び一対の第２コイル４が設けられた基板６とを備えてい
る。

【０００３】２自由度振動子は、基板６に振動自在に支
持された第２ねじり振動子と、この第２ねじり振動子に
よって振動自在に支持された第１ねじり振動子とを備え
ている。第２ねじり振動子には、基板６に固定された固
定部８と、第１ねじり振動子を振動自在に支持する外枠
部１０と、この外枠部１０を固定部８に対して振動自在
に支持する一対の第２ねじりばね１２とが設けられてい
る。また、第１ねじり振動子には、一対の第１ねじりば
ね１４と、これら第１ねじりばね１４によって外枠部１
０に振動自在に支持されている板状部材１６とが設けら
れている。

【０００４】このような構成において、第１コイル２に
電流を流して磁束を発生させることによって、第１ねじ
り振動子を構成する外枠部１０には吸引力が働く。一
方、第１及び第２コイル２，４に交互に通電することに
よって、第１及び第２ねじり振動子は、夫々対応する第
２及び第１ねじりばね１２，１４を中心に回転振動する
ことになる。

【０００５】第１及び第２ねじり振動子を回転振動させ
る方法としては、第２ねじり振動子の共振周波数を第１
ねじり振動子の共振周波数よりもかなり高く設定した状
態において、第１ねじり振動子の共振周波数付近の周波
数の電流を第１及び第２コイル２，４に交互に通電す
る。この場合、第２ねじり振動子の振幅が小さく抑えら
れ、且つ、第１ねじり振動子の振幅が大きくなる。具体
的には、例えば第１ねじり振動子の共振周波数に基づい
て第２ねじり振動子を駆動させた場合、第１ねじり振動
子の振幅Ｘ１と第２ねじり振動子の振幅Ｘ２は、夫々、 ｜Ｘ１｜＝０ …（１） ｜Ｘ２｜＝Ｆ／｜ｋ｜ …（２） となる。但し、Ｆは駆動力、ｋはねじり振動子のばね定
数である。

【０００６】このように第１の従来技術によれば、第２
ねじり振動子と一対の第１及び第２コイル２，４との間
の距離を小さくすることができるため、小さな電流でも
効率良く振動子を駆動させることが可能となる。

【０００７】また、図７に示すような光偏向子も提案さ
れている（第２の従来技術）。図７に示すように、第２
の従来技術の光偏向子には、第１の従来技術に適用され
た２自由度振動子が基板６上に配置されている。但し、
基板６には、第１の従来技術に適用された第１及び第２
コイル２，４の代わりに、第１及び第２の固定電極１
８，２０が設けられている。

【０００８】このような構成によれば、２自由度振動子
を接地した状態において、第１及び第２の固定電極１
８，２０に交互に電圧を印加して静電力を発生させるこ
とによって、２自由度振動子が回転振動することにな
る。但し、この方法では、２自由度振動子に大きな力が
かかったとき、第１ねじり振動子を構成する外枠部１０
が第１及び第２の固定電極１８，２０に接触して吸引固
定され、動作不能になってしまう場合がある。

【０００９】そこで、このような問題を解消するため
に、図８に示すような光偏向子が提案されている（第３
の従来技術）。この光偏向子は、２自由度振動子の外枠
部１０に対向配置された第１及び第２の固定電極対２
２，２４及び２６，２８を備えており、これら第１及び
第２の固定電極対２２，２４及び２６，２８に交互に電
圧を印加して静電力を発生させることによって、２自由
度振動子を回転振動させるように構成されている。な
お、第１及び第２の固定電極対２２，２４及び２６，２
８の対向する電極相互には逆位相の電圧が印加される。

【００１０】また、例えば特開昭６１−１３８２２９号
公報には、形状記憶合金を利用した光偏向子が開示され
ている（第４の従来技術）。図９に示すように、第４の
従来技術の光偏向子によれば、光源３０から発光したレ
ーザー光は、ミラー３２によって所望方向へ反射された
後、スクリーン３４へ投射される。ミラー３２は、第１
のニクロム線３６を介して加熱することによって図中上
方へ屈曲可能な第１の形状記憶合金部材３８に取り付け
られており、この第１の形状記憶合金部材３８は、第２
のニクロム線４０を介して加熱することによって図中横
方向へ屈曲可能な第２の形状記憶合金部材４２に取り付
けられている。なお、第１及び第２の形状記憶合金部材
３８，４２は、断熱材４４を介して連結されており、相
互に温度の影響を受けないように構成されている。

【００１１】このような構成によれば、第１及び第２の
形状記憶合金部材３８，４２を屈曲させてミラー３２の
鏡面角度を変化させることによって、ミラー３２からス
クリーン３４上へ投射された反射光は、スクリーン３４
上を所定方向へ移動することになる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の
従来技術の光偏向子は、複数のコイル２，４と第１及び
第２ねじり振動子とを組み合わせて構成している関係
上、構成が複雑化すると共に部品点数が増大する。更
に、第１の従来技術では、各構成が立体的に組み立てら
れていると共に、導線を巻き上げて複数のコイル２，４
が構成されている。このため、複数のコイル自体の小型
化に限界があり、光偏向子全体を小型化することが困難
になる。

【００１３】また、第２の従来技術の光偏向子は、上述
したように外枠部１０が第１及び第２の固定電極１８，
２０に吸引固定されてしまう場合がある。また、第３の
従来技術の光偏向子では、固定電極２２，２６を支持す
る基板４６に加えて固定電極２６，２８を支持するため
の部材４８が別途必要となり、構造が複雑化すると共に
部品点数が増大する。

【００１４】また、第４の従来技術の光偏向子は、第１
及び第２の形状記憶合金部材３８，４２を加熱するため
の第１及び第２のニクロム線３６，４０等が別途必要と
なるため、小型化には限界がある。

【００１５】本発明は、このような課題を解決するため
になされており、その目的は、簡単な構成で且つ部品点
数の少ないコンパクトな光偏向子及びその製造方法を提
供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の光偏向子は、反射手段が設けられた
板状部材と、この板状部材を振動且つ偏向自在に支持す
る支持手段と、この支持手段に支持された前記板状部材
を振動且つ偏向させる駆動手段とを備えており、前記駆
動手段には、所定の形状記憶合金と、この形状記憶合金
の動作を補助するためのバイアスバネ手段とが設けられ
ている。

【００１７】また、本発明の光偏向子の製造方法は、第
１の部材に対して、板状部材及びこの板状部材を振動且
つ偏向自在に支持する支持手段を一体的に形成する第１
の工程と、前記支持手段に支持された前記板状部材を振
動且つ偏向させるように、前記第１の部材に対して所定
の形状記憶合金を一体的に配設する第２の工程と、第２
の部材に対して、前記形状記憶合金の動作を補助するた
めのバイアスバネ手段を一体的に形成する第３の工程
と、前記第１及び第２の工程を介して所定の構成が形成
された前記第１の部材及び前記第３の工程により形成さ
れた前記第２の部材を相互に接合する第４の工程とを有
している。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
に係る光偏向子について、図１を参照して説明する。図
１（ａ）に示すように、本実施の形態の光偏向子は、反
射手段が設けられた板状部材５０と、この板状部材５０
を振動且つ偏向自在に支持する支持手段と、この支持手
段に支持された板状部材５０を振動且つ偏向させる駆動
手段とを備えており、駆動手段には、形状記憶合金と、
この形状記憶合金の動作を補助するためのバイアスバネ
手段とが設けられている。なお、本実施の形態の説明に
際し、板状部材５０のうち、反射手段が設けられている
面を表面と称し、その反対側を裏面と称する。

【００１９】反射手段は、本実施の形態において、アル
ミニウム膜（Ａｌ膜）で形成された反射ミラー５２が該
当する。Ｓｉ基板製の第１の部材５６は、後述するＳｉ
基板製の第２の部材５４と一体接合可能に構成されてお
り、この第１の部材５６には、中抜きエッチング加工さ
れた第１の外枠５８と、この第１の外枠５８の中抜き領
域５８ａ内に板状部材５０が振動且つ偏向自在に位置決
め支持されるように、板状部材５０の両側端を第１の外
枠５８に連結する一対の弾性屈曲部材即ち一対のトーシ
ョンバー６０とが設けられている。この結果、板状部材
５０は、一対のトーションバー６０がねじれることによ
って、これらトーションバー６０を結ぶ軸線を中心に所
定方向へ回転可能に構成される。従って、板状部材５０
の支持手段は、一対のトーションバー６０と第１の外枠
５８とが該当する。

【００２０】形状記憶合金は、本実施の形態において、
ＴｉＮｉ製の形状記憶合金薄膜（以下、ＴｉＮｉ形状記
憶合金薄膜という）によって構成されており、このＴｉ
Ｎｉ形状記憶合金薄膜は、板状部材５０の表面に接合さ
れた第１の接合部６２ａと、第１の外枠５８に接合され
た第２の接合部６２ｂと、第１及び第２の接合部６２
ａ，６２ｂを連結するように、板状部材５０の回転中心
軸（即ち、一対のトーションバー６０を結ぶ軸線）に直
交する方向に延出した一対のブリッジ部６２ｃとを備え
ている。なお、第２の接合部６２ｂは、後述するように
ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に通電するための電極を兼ね
ており、また、一対のブリッジ部６２ｃの電気的抵抗が
高くなるように、一対のブリッジ部６２ｃの膜幅は、第
１及び第２の接合部６２ａ，６２ｂの膜幅よりも充分に
小さく構成されている。

【００２１】バイアスバネ手段は、上記第１の部材５６
と同様に中抜きエッチング加工された第２の外枠６４を
備えた第２の部材５４に一体的に構成されており、具体
的には、バイアスバネ手段は、第２の外枠６４から中抜
き領域６４ａ内に所定長さだけ延出した片持ち梁６６
と、この片持ち梁６６の延出端に突設し且つ板状部材５
０の裏面に接触可能な突起部６８とから構成されてい
る。本実施の形態において、片持ち梁６６に突設された
突起部６８は、一対のトーションバー６０を結ぶ軸線上
以外の領域であって且つこの軸線に直交する線上領域に
対応した板状部材５０の裏面に接触可能に構成されてい
る。

【００２２】ところで、一般的な形状記憶合金におい
て、低温時のマルテンサイト相では、その形状が自由に
変形し、一方、高温時のオーステナイト相では、予め熱
処理によって記憶された初期形状へ回復する。この場
合、オーステナイト相時の形状に対するマルテンサイト
相時の形状変化に起因した歪みが５％程度であれば、形
状記憶合金は、そのオーステナイト相への変態時におい
て、完全に初期形状へ回復する。しかし、５％程度以上
の大きな歪みを与えた場合には、残留歪みが発生するた
め、完全に初期形状へ回復することは困難になる。この
ため、形状記憶合金をアクチュエータとして用いる場合
は、その歪みが５％程度以内に収まるように設計する必
要がある。

【００２３】そこで、本実施の形態では、形状記憶合金
としてＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜を適用したが、このＴ
ｉＮｉ形状記憶合金薄膜は、室温でマルテンサイト相と
なり、８０℃でオーステナイト相をとなるように構成さ
れている。また、このＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜は、オ
ーステナイト相において、どの部分も折れ曲がることな
く、完全にフラットな状態となるように形状記憶されて
いる。従って、室温時では、その形状が自由に変形し、
一方、高温時では、その形状が完全にフラットな状態へ
形状回復する。このようなＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜
は、一般的に、その組成比がＴｉ−ｒｉｃｈになるにつ
れてマルテンサイト変態開始温度（Ｍｓ点）が上昇する
傾向にあるが、図１（ｄ）に示すように、室温以上のＭ
ｓ点を実現できる組成比、具体的には、Ｔｉ−４６〜５
２原子％Ｎｉ（Ｔｉ−４６〜５２ａｔ％Ｎｉ）の範囲で
あればよい。

【００２４】このような構成によれば、図１（ｂ）に示
すように、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に通電されていな
い状態において、板状部材５０は、片持ち梁６６の応力
を緩和する方向へ押し上げられた状態に維持される。具
体的には、板状部材５０は、片持ち梁６６の弾性によっ
て一対のトーションバー６０を結ぶ軸線を中心に回転
し、水平軸Ｈに対して角度θの回転状態に維持される。
この場合、第１の外枠５８（図１（ａ）参照）に接合さ
れた第２の接合部６２ｂから延出した一対のブリッジ部
６２ｃは、第１の接合部６２ａを介して板状部材５０に
接合されているため、板状部材５０が上記のように回転
したことによって、所定量だけ伸長された状態に維持さ
れる。

【００２５】次に、上述したような構成を有する本実施
の形態の光偏向子の製造方法について、図１（ａ）〜
（ｃ）を参照して説明する。まず、第１の部材５６に設
けられる各構成の製造プロセスについて説明する。

【００２６】両面が研磨された厚さ３００μｍのＳｉ基
板を用意した後、このＳｉ基板上に厚さ２０μｍのＴｉ
Ｎｉ形状記憶合金薄膜を成膜する。なお、ＴｉＮｉ形状
記憶合金薄膜のＴｉとＮｉの組成比は、Ｔｉ−４８．０
原子％Ｎｉ（Ｔｉ−４８．０ａｔ％Ｎｉ）とする。但
し、上述した通り、この組成比は、Ｔｉ−４６〜５２原
子％Ｎｉ（Ｔｉ−４６〜５２ａｔ％Ｎｉ）の範囲であれ
ば特にＴｉ−４８．０ａｔＮｉである必要はない。

【００２７】次に、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜が図１
（ａ）に示された形状になるように、不必要なＴｉＮｉ
形状記憶合金薄膜を弗硝酸で除去する。この後、板状部
材５０が形成されるべきＳｉ基板の表面に、反射ミラー
５２を構成するためのＡｌ膜を蒸着し、このＡｌ膜を所
望形状にエッチングする。

【００２８】続いて、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜が成膜
された面に対して、Ｓｉ基板の裏面側からＫＯＨによっ
てＳｉ基板の不必要な領域をエッチアウトする。最後
に、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜を結晶化するため、５０
０℃で１時間の熱処理を行う。この処理が施されること
によって、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜は、フラットな形
状を記憶する。

【００２９】次に、第２の部材５４に設けられる各構成
の製造プロセスについて説明する。厚さ３００μｍのＳ
ｉ基板を用意した後、このＳｉ基板上の突起部６８を形
成すべき領域に銅（Ｃｕ）のＳｅｅｄ−Ｌａｙｅｒ（種
結晶）を形成する。

【００３０】続いて、Ｃｕの電解メッキで角柱を生成し
て突起部６８を形成した後、ＫＯＨ等によってＳｉ基板
の不必要な領域をエッチアウトする。このようなプロセ
スによって、第１及び第２の部材５６，５４を製造した
後、これら第１及び第２の部材５６，５４を陽極接合法
によって相互に接合する。この結果、図１（ａ）に示す
ような光偏向子が製造されることになる。

【００３１】次に、本実施の形態の動作について図１
（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。ＴｉＮｉ形状記憶
合金薄膜に通電していない状態において、板状部材５０
の裏面には、片持ち梁６６に突設された突起部６８が接
触している。このとき、板状部材５０は、片持ち梁６６
の弾性によって一対のトーションバー６０を結ぶ軸線を
中心に回転し、水平軸Ｈに対して角度θの回転状態に維
持されている。この場合、板状部材５０の回転状態に対
応してＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜の一対のブリッジ部６
２ｃは、所定量だけ伸長しているが、室温状態では、自
由に歪むマルテンサイト相となっているため負荷無く伸
長している（図１（ｂ）参照）。

【００３２】このような状態において、電極を兼ねた第
２の接合部６２ｂを介してＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に
通電すると、電気抵抗が高い一対のブリッジ部６２ｃの
みが局所的に加熱される。このとき、一対のブリッジ部
６２ｃは、オーステナイト相へ変態して、予め記憶され
た完全なフラット形状へ回復する。この結果、板状部材
５０は、第１の外枠５８と平行になるように、一対のト
ーションバー６０を回転中心として回動する（図１
（ｃ）参照）。

【００３３】ここで、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜にパル
ス的に通電しながら一対のブリッジ部６２ｃを加熱する
と、板状部材５０は、同図（ｂ）と同図（ｃ）の状態に
交互に位置付けられ、角度θの範囲で回転振動する。従
って、レーザー光線Ｌを反射ミラー５２に照射しながら
板状部材５０を回転振動させると、反射角２θの範囲で
反射ミラー５２からレーザー光線が反射される。この結
果、本実施の形態の光偏向子は、スキャナーとしての機
能を奏することが可能となる。

【００３４】このように本実施の形態によれば、反射ミ
ラー５２が形成された板状部材５０を振動且つ偏向させ
るためのアクチュエータとしてＴｉＮｉ形状記憶合金薄
膜を用いたことによって、全体構成を一体的に且つ２次
元的に構成することができるため、簡単な構成で且つ部
品点数の少ないコンパクトな光偏向子を提供することが
可能となる。

【００３５】次に、本発明の第２の実施の形態に係る光
偏向子について、図２を参照して説明する。なお、本実
施の形態の説明に際し、第１の実施の形態（図１参照）
と同一の構成には、同一符号を付して、その説明を省略
する。

【００３６】上記第１の実施の形態（図１参照）では、
板状部材５０の表面にＡｌ膜を蒸着することによって反
射ミラー５２を形成したが、本実施の形態では、図２に
示すように、板状部材５０の表面全体に成膜したＴｉＮ
ｉ形状記憶合金薄膜によって反射ミラーが構成される。
従って、本実施の形態の説明に際し、板状部材５０の表
面全体に成膜されたＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜のうち、
反射ミラーに相当する部分を反射ミラー部６２ｄとして
表示する。この場合、この反射ミラー部６２ｄは、第１
の接合部６２ａと一体的に成膜されていることになる。
なお、他の構成及び動作は、第１の実施の形態と同一で
あるため、その説明は省略する。

【００３７】本実施の形態の製造方法は、第１の実施の
形態で説明した製造方法の中で、ＴｉＮｉ形状記憶合金
薄膜の成膜範囲を板状部材５０の表面全体に広げる代り
に、Ａｌ膜の蒸着プロセスを削除すればよい。なお、こ
れ以外の製造プロセスは、第１の実施の形態と同一であ
るため、その説明は省略する。

【００３８】このように本実施の形態によれば、第１の
実施の形態と比較して製造プロセスを簡略化させること
が可能となる。また、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に通電
した際に、板状部材５０に成膜されているＴｉＮｉ形状
記憶合金薄膜の電気抵抗を小さくすることができるた
め、低電圧で第１の実施の形態と同様の動作を実現する
ことが可能となる。この場合、板状部材５０上の発生熱
量を抑えることができるため、反射ミラー部６２ｄの熱
的歪みを防ぐことが可能となる。なお、他の効果は、第
１の実施の形態と同一であるため、その説明は省略す
る。

【００３９】次に、本発明の第３の実施の形態に係る光
偏向子について、図３を参照して説明する。なお、本実
施の形態の説明に際し、第１の実施の形態（図１参照）
と同一の構成には、同一符号を付して、その説明を省略
する。

【００４０】上記第２の実施の形態（図２参照）では、
板状部材５０の表面全体に成膜したＴｉＮｉ形状記憶合
金薄膜の一部を反射ミラー部６２ｄとして用いたが、本
実施の形態では、図３に示すように、板状部材５０の表
面全体にＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜を成膜して第１の接
合部６２ａを形成し、この第１の接合部６２ａ上に更に
Ａｌ膜を蒸着して反射ミラー５２ａが形成されている。
なお、他の構成及び動作は、第１及び第２の実施の形態
と同一であるため、その説明は省略する。

【００４１】本実施の形態の製造方法は、Ａｌ膜を板状
部材５０の表面全体に蒸着する点が第１の実施の形態で
説明した製造方法とは異なる点であり、これ以外の製造
プロセスは、第１及び第２の実施の形態と同一であるた
め、その説明は省略する。

【００４２】このように本実施の形態によれば、第１及
び第２の実施の形態に比べて更に反射率の高い反射ミラ
ー５２ａを形成することが可能となると共に、板状部材
５０上の電気抵抗を更に下げることができるため、低電
圧で第１及び第２の実施の形態と同様の動作を実現する
ことが可能となる。この場合、板状部材５０上の発生熱
量を抑えることができるため、反射ミラー５２ａの熱的
歪みを防ぐことが可能となる。なお、他の効果は、第１
及び第２の実施の形態と同一であるため、その説明は省
略する。

【００４３】次に、本発明の第４の実施の形態に係る光
偏向子について、図４を参照して説明する。なお、本実
施の形態は、第２の実施の形態（図２参照）の変形例で
あるため、本実施の形態の説明に際し、第２の実施の形
態と同一の構成には、同一符号を付して、その説明を省
略する。

【００４４】図４（ａ）に示すように、本実施の形態の
光偏向子は、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜の一対のブリッ
ジ部６２ｃが一対のトーションバー６０を結ぶ軸線と平
行に且つ一対のトーションバー６０に近接して設けられ
ている点に特徴を有しており、他の構成は、上記第２の
実施の形態と同一であるため、その説明は省略する。

【００４５】本実施の形態の製造方法は、ＴｉＮｉ形状
記憶合金薄膜の一対のブリッジ部６２ｃを一対のトーシ
ョンバー６０を結ぶ軸線と平行に形成する点を除いて、
第２実施の形態と同様である。

【００４６】次に、本実施の形態の動作について図４
（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。ＴｉＮｉ形状記憶
合金薄膜に通電していない状態において、板状部材５０
の裏面には、片持ち梁６６に突設された突起部６８が接
触している。このとき、板状部材５０は、片持ち梁６６
の弾性によって一対のトーションバー６０を結ぶ軸線を
中心に回転し、水平軸Ｈに対して角度θの回転状態に維
持されている。この場合、板状部材５０の回転状態に対
応してＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜の一対のブリッジ部６
２ｃは、所定量だけ伸長しているが、室温状態では、自
由に歪むマルテンサイト相となっているため負荷無く伸
長している（図４（ｂ）参照）。

【００４７】このような状態において、電極を兼ねた第
２の接合部６２ｂを介してＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に
通電すると、電気抵抗が高い一対のブリッジ部６２ｃの
みが局所的に加熱される。このとき、一対のブリッジ部
６２ｃは、オーステナイト相へ変態して縮むため、予め
記憶された完全なフラット形状へ変化する。この結果、
板状部材５０は、第１の外枠５８と平行になるように、
一対のトーションバー６０を回転中心として回動する
（図４（ｃ）参照）。なお、同図（ｃ）において、板状
部材５０が第１の外枠５８と平行になったとき、一対の
ブリッジ部６２ｃは、板状部材５０の表面に接合された
第１の接合部６２ａ及び反射ミラー部６２ｄと同一平面
上に位置付けられるため、図面上には現されていない。

【００４８】ここで、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜にパル
ス的に通電しながら一対のブリッジ部６２ｃを加熱する
と、板状部材５０は、同図（ｂ）と同図（ｃ）の状態に
交互に位置付けられ、角度θの範囲で回転振動する。従
って、レーザー光線Ｌを反射ミラー部６２ｄに照射しな
がら板状部材５０を回転振動させると、反射角２θの範
囲で反射ミラー部６２ｄからレーザー光線が反射され
る。この結果、光偏向子は、スキャナーとしての機能を
奏することが可能となる。

【００４９】このように本実施の形態によれば、上述し
た各実施の形態とは異なり、一対のブリッジ部６２ｃを
一対のトーションバー６０に接近して設けることができ
る。ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜は、最大約５％程度歪む
ように設計することが好ましいという点については上述
した通りであるが、本実施の形態のように一対のトーシ
ョンバー６０の近くで約５％程度歪ませる方が、一対の
トーションバー６０から離間した位置で約５％程度歪ま
せるよりも、一対のブリッジ部６２ｃの長さを短くする
ことができる。この結果、第１の外枠５８を上述した各
実施の形態に比べて小さくすることができるため、光偏
向子全体を更にコンパクト化させることが可能となる。

【００５０】次に、本発明の第５の実施の形態に係る光
偏向子について、図５を参照して説明する。反射手段が
設けられた板状部材７０と、この板状部材７０を振動且
つ偏向自在に支持する支持手段と、この支持手段に支持
された板状部材７０を振動且つ偏向させる駆動手段とを
備えており、駆動手段には、形状記憶合金と、この形状
記憶合金の動作を補助するためのバイアスバネ手段とが
設けられている。なお、本実施の形態の説明に際し、板
状部材７０のうち、反射手段が設けられている面を裏面
と称し、その反対側を表面と称する。

【００５１】反射手段は、本実施の形態において、アル
ミニウム膜（Ａｌ膜）で形成された反射ミラー７２（図
５（ｂ），（ｃ）参照）が該当し、この反射ミラー７２
は、板状部材の裏面全体にＡｌを蒸着して形成されてい
る。

【００５２】Ｓｉ基板製の第１の部材７６は、後述する
Ｓｉ基板製の第２の部材７４と一体接合可能に構成され
ており、この第１の部材７６には、その裏面に反射ミラ
ー７２が形成された板状部材７０を振動且つ偏向自在に
支持する一対の弾性屈曲部材即ち一対の板バネ７８と、
これら板バネ７８を支持する板バネ支持部８０とが設け
られている。この結果、板状部材７０は、一対の板バネ
７８が屈曲することによって所定方向に振動且つ偏向可
能に構成される。従って、板状部材７０の支持手段は、
一対の板バネ７８と板バネ支持部８０とが該当する。

【００５３】形状記憶合金は、本実施の形態において、
ＴｉＮｉ製の形状記憶合金薄膜（以下、ＴｉＮｉ形状記
憶合金薄膜という）によって構成されており、このＴｉ
Ｎｉ形状記憶合金薄膜は、板状部材７０の表面全体に接
合された第１の接合部８２ａと、板バネ支持部８０に接
合された第２の接合部８２ｂと、第１及び第２の接合部
８２ａ，８２ｂを連結するように、一対の板バネ７８と
平行に延出した一対のブリッジ部８２ｃとを備えてい
る。なお、第２の接合部８２ｂは、後述するようにＴｉ
Ｎｉ形状記憶合金薄膜に通電するための電極を兼ねてお
り、また、一対のブリッジ部８２ｃの電気的抵抗が高く
なるように、一対のブリッジ部８２ｃの膜幅は、第１及
び第２の接合部８２ａ，８２ｂの膜幅よりも充分に小さ
く構成されている。また、ＴｉとＮｉの組成比は、第１
の実施の形態と同様である。

【００５４】バイアスバネ手段は、第２の部材７４に一
体的に構成されており、具体的には、バイアスバネ手段
は、支持部８４から所定長さだけ延出した片持ち梁８６
と、この片持ち梁８６の延出端に突設し且つ板状部材７
０の表面（具体的には、第１の接合部８２ａ）に接触可
能な突起部８８とから構成されている。

【００５５】このような構成によれば、図５（ｂ）に示
すように、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に通電されていな
い状態において、板状部材７０は、片持ち梁８６の応力
を緩和する方向へ押し下げられた状態に維持される。具
体的には、板状部材７０は、片持ち梁８６の弾性作用を
受けて一対の板バネ７８が屈曲することにより、水平軸
Ｈに対して角度θだけ傾斜した状態に維持される。

【００５６】次に、上述したような構成を有する本実施
の形態の光偏向子の製造方法について、図５（ａ）〜
（ｃ）を参照して説明する。まず、第１の部材７６に設
けられる各構成の製造プロセスについて説明する。

【００５７】両面が研磨された厚さ３００μｍのＳｉ基
板を用意した後、このＳｉ基板上に厚さ５μｍのＴｉＮ
ｉ形状記憶合金薄膜を成膜する。次に、ＴｉＮｉ形状記
憶合金薄膜が図５（ａ）に示された形状になるように、
不必要なＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜を弗硝酸で除去す
る。

【００５８】この後、板状部材７０が形成されるべきＳ
ｉ基板の裏面に、反射ミラー７２を構成するためのＡｌ
膜を蒸着し、このＡｌ膜を所望形状にエッチングする。
続いて、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜が成膜された面に対
して、Ｓｉ基板の裏面側からＫＯＨによってＳｉ基板の
不必要な領域をエッチアウトする。

【００５９】最後に、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜を結晶
化するため、５００℃で１時間の熱処理を行う。この処
理が施されることによって、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜
は、フラットな形状を記憶する。

【００６０】次に、第２の部材７４に設けられる各構成
の製造プロセスについて説明する。厚さ３００μｍのＳ
ｉ基板を用意した後、このＳｉ基板上の突起部８８を形
成すべき領域に銅（Ｃｕ）のＳｅｅｄ−Ｌａｙｅｒ（種
結晶）を形成する。

【００６１】続いて、Ｃｕの電解メッキで角柱を生成し
て突起部８８を形成した後、ＫＯＨ等によってＳｉ基板
の不必要な領域をエッチアウトする。このようなプロセ
スによって、第１及び第２の部材７６，７４を製造した
後、これら第１及び第２の部材７６，７４を陽極接合法
によって相互に接合する。この結果、図５（ａ）に示す
ような光偏向子が製造されることになる。

【００６２】次に、本実施の形態の動作について図５
（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。ＴｉＮｉ形状記憶
合金薄膜に通電していない状態において、板状部材７０
の表面には、片持ち梁８６に突設された突起部８８が接
触している。このとき、板状部材７０は、片持ち梁８６
の弾性作用を受けた一対の板バネ７８が屈曲することに
より、水平軸Ｈに対して角度θだけ傾斜した状態に維持
されている。この場合、板状部材７０の傾斜状態に対応
してＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜の一対のブリッジ部８２
ｃは、所定量だけ伸長しているが、室温状態では、自由
に歪むマルテンサイト相となっているため負荷無く伸長
している（図５（ｂ）参照）。

【００６３】このような状態において、電極を兼ねた第
２の接合部８２ｂを介してＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に
通電すると、電気抵抗が高い一対のブリッジ部８２ｃの
みが局所的に加熱される。このとき、一対のブリッジ部
８２ｃは，オーステナイト相へ変態して、予め記憶され
た完全なフラット形状へ回復する。この結果、一対の板
バネ７８は、これに応力が発生する以前の初期形状に変
形するため、板状部材７０は、板バネ支持部８０と平行
に位置付けられる。

【００６４】ここで、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜にパル
ス的に通電しながら一対のブリッジ部８２ｃを加熱する
と、板状部材７０は、同図（ｂ）と同図（ｃ）の状態に
交互に位置付けられ、角度θの範囲で回転振動する。従
って、レーザー光線Ｌを反射ミラー７２に照射しながら
板状部材７０を振動させると、反射ミラー７２からレー
ザー光線が反射される。この結果、本実施の形態の光偏
向子は、スキャナーとしての機能を奏することが可能と
なる。

【００６５】このように本実施の形態によれば、上述し
た各実施の形態において必要であったトーションバーや
第１及び第２の外枠等が不要となるため、極めて単純な
構成で且つ部品点数の少ないコンパクトな光偏向子を実
現することが可能となる。

【００６６】なお、上述した具体的な構成から以下のよ
うな技術的思想が導かれる。 請求項１ （構成）反射手段が設けられた板状部材と、この板状部
材を振動且つ偏向自在に支持する支持手段と、この支持
手段に支持された前記板状部材を振動且つ偏向させる駆
動手段とを備えており、前記駆動手段には、所定の形状
記憶合金と、この形状記憶合金の動作を補助するための
バイアスバネ手段とが設けられていることを特徴とする
光偏向子。 （作用）駆動手段を介して板状部材を所定方向へ振動且
つ偏向させることによって、光偏向子は、スキャナーと
しての機能を奏する。 （効果）反射手段が設けられた板状部材を駆動する駆動
手段を形状記憶合金及びバイアスバネ手段で構成したこ
とによって、簡単な構成で且つ部品点数の少ないコンパ
クトな光偏向子を提供することができる。 請求項２ （構成）前記支持手段には、前記板状部材を振動且つ偏
向自在に支持する一対の弾性屈曲部材が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の光偏向子。 （作用）駆動手段によって駆動された板状部材は、一対
の弾性屈曲部材を介して所定方向へ振動且つ偏向する。 （効果）反射手段が設けられた板状部材を駆動する駆動
手段を形状記憶合金及びバイアスバネ手段で構成したこ
とによって、簡単な構成で且つ部品点数の少ないコンパ
クトな光偏向子を提供することができる。 請求項３ （構成・作用）第１の部材に対して、板状部材及びこの
板状部材を振動且つ偏向自在に支持する支持手段を一体
的に形成する第１の工程と、前記支持手段に支持された
前記板状部材を振動且つ偏向させるように、前記第１の
部材に対して所定の形状記憶合金を一体的に配設する第
２の工程と、第２の部材に対して、前記形状記憶合金の
動作を補助するためのバイアスバネ手段を一体的に形成
する第３の工程と、前記第１及び第２の工程を介して所
定の構成が形成された前記第１の部材及び前記第３の工
程によって形成された前記第２の部材を相互に接合する
第４の工程とを有していることを特徴とする光偏向子の
製造方法。 （効果）第１の部材に対して、バイアスバネ手段を立体
的に配置することができる。 請求項４ （構成・作用）前記支持手段には、前記板状部材を振動
且つ偏向自在に支持する一対の弾性屈曲部材が設けられ
ており、この一対の弾性屈曲部材は、前記第１の工程に
おいて、前記板状部材及び前記支持手段と共に一体的に
形成されることを特徴とする請求項３に記載の光偏向子
の製造方法。 （効果）第１の部材に対して、バイアスバネ手段を立体
的に配置することができる。 請求項５ （構成）前記形状記憶合金は、薄膜で構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の光偏向子。 （作用）駆動手段を介して板状部材を所定方向へ振動且
つ偏向させることによって、光偏向子は、スキャナーと
しての機能を奏する。 （効果）薄膜である形状記憶合金を用いることで、駆動
手段としての形状記憶合金を機械的に組み上げることな
く一体的に形成することができる。また、形状記憶合金
を薄膜化することで形状記憶合金の熱容量を小さくでき
る。

【００６７】更に、光偏向子の板状部材の駆動手段を一
体的に形成でき、機械的な組立てが不必要になるので、
光偏向子全体の小型化が可能である。また、薄膜の熱容
量は小さいので、敏速に熱応答する駆動手段を得ること
ができる。また、放熱特性が良いのでミラー等の熱歪み
が小さくなる。 請求項６ （構成）前記形状記憶合金は、伸縮動作することにより
前記板状部材を振動且つ偏向させる機能を有することを
特徴とする請求項１に記載の光偏向子。 （作用）形状記憶合金が伸縮動作することによって、板
状部材に対して比較的大きな力が与えられる。 （効果）伸縮する形状記憶合金を用いることにより、大
きな力で板状部材を振動且つ偏向させることができる。 請求項７ （構成）前記形状記憶合金は、その伸縮部の伸縮方向と
同方向の法線を持つ断面積が、この形状記憶合金の伸縮
しない部位の前記断面積よりも小さいことを特徴とする
請求項６に記載の光偏向子。 （作用）伸縮部の伸縮方向と同方向の法線を持つ断面積
を、形状記憶合金の伸縮しない部位の前記断面積よりも
小さくすることにより、伸縮する部位の電気的な抵抗値
が高くなる。 （効果）前記形状記憶合金のうち、駆動手段として機能
する箇所のみの電気抵抗を高めることで、その箇所だけ
局所的に加熱することができる。そのため、伸縮部以外
の領域への熱的な影響が無くミラー等の反射手段の熱歪
みを押さえることができる。また、低電力での駆動が可
能になる。 請求項８ （構成）前記形状記憶合金は、振動且つ偏向する前記板
状部材の振動軸に対して平行に配置されていることを特
徴とする請求項１に記載の光偏向子。 （作用）振動且つ偏向する板状部材の振動軸に対して平
行に形状記憶合金を配置することにより、板状部材の振
動軸に対して形状記憶合金を近接配置することが可能と
なる。 （効果）板状部材がある角度で傾いている時、振動軸に
近いほど支持部材と板状部材の間隙が小さくなる。その
ため形状記憶合金を振動軸に近づけて配置するほど形状
記憶合金の長さを短くできる。これにより、光偏向子全
体を小型化することができる。 請求項９ （構成）前記反射手段は、形状記憶合金で形成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の光偏向子。 （作用）反射手段を形状記憶合金で形成することによ
り、駆動手段となる形状記憶合金を形成するのと同時に
反射手段を形成することができる。また、板状部材上に
広い面積で形状記憶合金を配置することにより、板状部
材上の形状記憶合金の電気抵抗を下げることができる。 （効果）反射手段を駆動手段である形状記憶合金と同時
に形成することで、製造プロセスの簡略化を実現するこ
とができる。また、板状部材上の形状記憶合金の面積を
広くとることで、板状部材上の形状記憶合金の電気抵抗
を下げることができ、板状部材上での発熱が無視でき
る。その結果、ミラー等の反射手段の熱的な歪みを押さ
えることができる。また、板状部材上に形成した形状記
憶合金での電圧降下が殆どないので、より低電圧で光偏
向子を駆動することができる。 請求項１０ （構成）前記反射手段を前記形状記憶合金よりも反射率
の高い金属で形成し、このような反射手段を前記板状部
材に形成した形状記憶合金上に設けたことを特徴とする
請求項１に記載の光偏向子。 （作用・効果）板状部材上に形成した形状記憶合金上
に、形状記憶合金より反射率の高い形状記憶合金以外の
金属を用いてミラー等の反射手段を形成することで、反
射率の高い反射手段を形成することができる。また、形
状記憶合金上に、更に別の形状記憶合金以外の金属を重
ねて設けることで、板状部材上での電気抵抗を下げるこ
とができる。このようにより反射率の高い反射手段を形
成することにより、光線の反射効率を上げることができ
る。また、板状部材上での電気抵抗も下がるので板状部
材上での余分な発熱がない。また、電圧降下が小さくな
るので、低電圧駆動が可能になる。 請求項１１ （構成）前記バイアスバネ手段は、前記板状部材を押す
ことによって、前記板状部材を支持する一対の弾性屈曲
部材がねじれ、このとき、前記板状部材に固定されてい
る前記形状記憶合金が引っ張られるように、前記形状記
憶合金の伸び方向に歪みを与えるように配置された弾性
体であることを特徴とする請求項１に記載の光偏向子。 （作用）弾性体であるバイアスバネ手段が板状部材を押
すとき、バイアスバネ手段内部にかかる応力を緩和する
ように板状部材を押し戻す。この結果、板状部材を支持
している支持部材がねじられ、同時に板状部材に固定さ
れている伸縮する形状記憶合金も引っ張られる。 （効果）伸縮動作を利用した形状記憶合金は、引っ張り
時に大きな力を発生するが、縮むときには殆ど力を発生
しない。そのため、一度縮んだ形状記憶合金を伸ばすた
めには、形状記憶合金の引っ張り方向に力を加え再度歪
ませなければならない。前記弾性体は、板状部材を引っ
張っることで縮んだ形状記憶合金を再び伸ばすためのバ
イアスバネとして働く。 請求項１２ （構成）前記バイアスバネ手段には、前記板状部材を押
圧可能に配置された突起部が設けられていることを特徴
とする請求項１１に記載の光偏向子。 （作用）板状部材は、バイアスバネ手段の突起部によっ
て押圧される。 （効果）突起部は、板状部材上に適当な高さで配置され
ているので、突起部の高さに対応して板状部材をある高
さ分だけ押し上げる。これにより、常に板状部材を押し
上げるように力が働き、板状部材に固定されている形状
記憶合金を引っ張り続けることができる。 請求項１３ （構成）前記突起部は、メッキ法によって形成されてい
ることを特徴とする請求項１２に記載の光偏向子。 （作用）溶液中の金属イオンを被メッキ物の上に還元析
出させることにより突起部が形成される。 （効果）メッキ法を用いることにより、突起部を一体的
に形成することができ、組立作業等が不要になると共
に、光偏向子を小型化することができる。 請求項１４ （構成）前記バイアスバネ手段は、前記板状部材を押す
ことによって、前記板状部材を支持する一対の弾性屈曲
部材が曲がり、このとき、前記板状部材に固定されてい
る前記形状記憶合金が引っ張られるように、前記形状記
憶合金の伸び方向に歪みを与えるように配置された弾性
体であることを特徴とする請求項１に記載の光偏向子。 （作用）弾性体であるバイアスバネ手段が板状部材を押
すとき、バイアスバネ手段内部にかかる応力を緩和する
ように板状部材を押し戻す。この結果、板状部材を支持
している支持部材が曲がり、これに伴って、板状部材に
固定されている伸縮する形状記憶合金が引っ張られる。 （効果）伸縮動作を利用した形状記憶合金は、引っ張り
時に大きな力を発生するが、縮むときには殆ど力を発生
しない。そのため、一度縮んだ形状記憶合金を伸ばすた
めには、前記形状記憶合金を引っ張り方向に力を加え再
度歪ませる必要がある。前記弾性体は、板状部材を引っ
張ることで縮んだ形状記憶合金を再び伸ばすためのバイ
アスバネとして働く。 請求項１５ （構成）前記バイアスバネ手段には、前記板状部材を押
圧可能に配置された突起部が設けられていることを特徴
とした請求項１４に記載の光偏向子。 （作用）板状部材は、バイアスバネ手段の突起部によっ
て押圧される。 （効果）突起部は、板状部材上に適当な高さで配置され
ているので、突起部の高さに対応して板状部材をある高
さ分だけ押し上げる。これにより、常に板状部材を押し
上げるように力が働き、板状部材に固定されている形状
記憶合金を引っ張り続ける。 請求項１６ （構成）前記形状記憶合金は、Ｔｉ−４６〜５２原子％
Ｎｉ合金であることを特徴とする請求項１に記載の光偏
向子。 （作用）ＴｉとＮｉの組成比がＴｉ−４６〜５２原子％
Ｎｉである形状記憶合金であるときは、マルテンサイト
変態開始温度（Ｍｓ点）は室温以上になる。 （効果）室温以上のＭｓ点を有する形状記憶合金を用い
た光偏向子を室温で使用する場合、Ｍｓ点は室温より低
いので、形状記憶合金を室温で冷却するとき、この形状
記憶合金がマルテンサイト相へ変態し、この結果、この
形状記憶合金は、マルテンサイト相（Ｍ相）とオーステ
ナイト相（Ａ相）の間で駆動することになる。つまり、
形状記憶合金が有する最大歪みと最大力量を発生させる
ことができる。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、簡単な構成で且つ部品
点数の少ないコンパクトな光偏向子及びその製造方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光
偏向子の構成を示す斜視図、（ｂ）は、ＴｉＮｉ形状記
憶合金薄膜に通電されていない状態において、板状部材
が片持ち梁の応力を緩和する方向へ押し上げられた状態
を示す図、（ｃ）は、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に通電
されている状態において、板状部材が第１の外枠と平行
になった状態を示す図、（ｄ）は、Ｔｉの組成比とマル
テンサイト変態開始温度との対応関係を示す図。

【図２】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光
偏向子の構成を示す斜視図、（ｂ）は、板状部材及びこ
の板状部材の表面全体に成膜されたＴｉＮｉ形状記憶合
金薄膜の断面図。

【図３】（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光
偏向子の構成を示す斜視図、（ｂ）は、板状部材と板状
部材の表面全体に成膜されたＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜
とＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜の表面全体に蒸着されたＡ
ｌ膜の断面図。

【図４】（ａ）は、本発明の第４の実施の形態に係る光
偏向子の構成を示す斜視図、（ｂ）は、ＴｉＮｉ形状記
憶合金薄膜に通電されていない状態において、板状部材
が片持ち梁の応力を緩和する方向へ押し上げられた状態
を示す図、（ｃ）は、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に通電
されている状態において、板状部材が第１の外枠と平行
になった状態を示す図。

【図５】（ａ）は、本発明の第５の実施の形態に係る光
偏向子の構成を示す斜視図、（ｂ）は、ＴｉＮｉ形状記
憶合金薄膜に通電されていない状態において、板状部材
が片持ち梁の応力を緩和する方向へ押し下げられた状態
を示す図、（ｃ）は、ＴｉＮｉ形状記憶合金薄膜に通電
されている状態において、板状部材が板バネ支持部と平
行になった状態を示す図。

【図６】第１の従来技術の光偏向子の構成を示す斜視
図。

【図７】第２の従来技術の光偏向子の構成を示す斜視
図。

【図８】第３の従来技術の光偏向子の構成を示す部分断
面図。

【図９】第４の従来技術の光偏向子の構成を示す斜視
図。

【符号の説明】

５０…板状部材、５２…反射ミラー、６０…トーション
バー、６６…片持ち梁、６８…突起部。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反射手段が設けられた板状部材と、 この板状部材を振動且つ偏向自在に支持する支持手段
   と、 この支持手段に支持された前記板状部材を振動且つ偏向
   させる駆動手段とを備えており、 前記駆動手段には、所定の形状記憶合金と、この形状記
   憶合金の動作を補助するためのバイアスバネ手段とが設
   けられていることを特徴とする光偏向子。
2. 【請求項２】 前記支持手段には、前記板状部材を振動
   且つ偏向自在に支持する一対の弾性屈曲部材が設けられ
   ていることを特徴とする請求項１に記載の光偏向子。
3. 【請求項３】 第１の部材に対して、板状部材及びこの
   板状部材を振動且つ偏向自在に支持する支持手段を一体
   的に形成する第１の工程と、 前記支持手段に支持された前記板状部材を振動且つ偏向
   させるように、前記第１の部材に対して所定の形状記憶
   合金を一体的に配設する第２の工程と、 第２の部材に対して、前記形状記憶合金の動作を補助す
   るためのバイアスバネ手段を一体的に形成する第３の工
   程と、 前記第１及び第２の工程を介して所定の構成が形成され
   た前記第１の部材及び前記第３の工程により形成された
   前記第２の部材を相互に接合する第４の工程とを有して
   いることを特徴とする光偏向子の製造方法。