JPH0990104A - 光学部品およびその製造方法 - Google Patents

光学部品およびその製造方法

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JPH0990104A
JPH0990104A JP7270611A JP27061195A JPH0990104A JP H0990104 A JPH0990104 A JP H0990104A JP 7270611 A JP7270611 A JP 7270611A JP 27061195 A JP27061195 A JP 27061195A JP H0990104 A JPH0990104 A JP H0990104A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 十分な耐熱性およびエッチング耐性を有する
マイクロレンズなどの微小な光学部品を簡単な製造工程
で製造する。 【解決手段】 製造すべき光学部品、例えばマイクロレ
ンズに対応する形状の開口２ａを有するレジストパター
ン２をＳｉ基板１上に形成し、このレジストパターン２
をマスクとしてＳｉ基板１上に液相ＣＶＤ法などにより
流動性を有する透明な無機材料、例えばＳｉＯ2 膜３を
形成する。次に、レジストパターン２を除去した後、例
えば４００℃程度の低温で熱処理を行ってＳｉＯ2 膜３
を固化させ、例えばマイクロレンズ４を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光学部品および
その製造方法に関し、特に、微小な光学部品、例えばマ
イクロレンズの製造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】集光や光による信号のやりとりを行う光
集積回路（ＯＩＣ）などにおいて、マイクロレンズは重
要な光学部品である。従来、このマイクロレンズのうち
例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）に用いられているもの
は、有機樹脂製のレジストを原料に用い、このレジスト
を基体上に塗布した後、そのエッチバックやフローを行
うことにより製造されていた（例えば、特開平５−４８
０５７号公報および特開平６−１４０６１１号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような有機樹脂製のレジストにより製造されたマイクロ
レンズは、その製造後のプロセス温度を、少なくとも２
００℃以下にする必要があった。このため、マイクロレ
ンズ製造後のプロセスの自由度は制限されたものになら
ざるを得なかった。また、マイクロレンズの材料に有機
樹脂製のレジストを用いていることから、エッチング耐
性が低いという問題があった。さらに、マイクロレンズ
の製造工程は複雑であるので、これを簡略化することが
望まれていた。
【０００４】したがって、この発明の目的は、十分な耐
熱性およびエッチング耐性を有するマイクロレンズなど
の微小な光学部品を簡単な製造工程で製造することがで
きる光学部品の製造方法およびそのような製造方法によ
り製造される十分な耐熱性およびエッチング耐性を有す
るマイクロレンズなどの微小な光学部品を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明による光学部品は、透明な無
機材料からなり、かつ少なくとも一方向の寸法が１０μ
ｍ以下であることを特徴とする。
【０００６】この発明の第１の発明において、透明な無
機材料は、典型的には、二酸化シリコンまたは窒化シリ
コンである。
【０００７】この発明の第２の発明による光学部品は、
第１の透明な無機材料からなる芯部と、芯部を覆うよう
に設けられた、第１の透明な無機材料の屈折率よりも屈
折率が高い第２の透明な無機材料からなる外周部とから
なり、少なくとも一方向の寸法が１０μｍ以下であるこ
とを特徴とする。
【０００８】この発明の第２の発明の一実施形態におい
て、第１の透明な無機材料は二酸化シリコンであり、第
２の透明な無機材料は窒化シリコンである。
【０００９】この発明の第１の発明および第２の発明に
おいて、光学部品の少なくとも一方向の寸法は、光学部
品の用途に応じて、５μｍ以下であることも、３μｍ以
下であることもあり、さらには１μｍ以下であることも
ある。
【００１０】この発明の第３の発明による光学部品の製
造方法は、基体上に流動性を有する透明な無機材料を選
択的に形成した後、透明な無機材料を固化させるように
したことを特徴とする。
【００１１】この発明の第３の発明の一実施形態におい
ては、製造すべき光学部品に対応する形状の開口を有す
るパターンを基体上に形成し、このパターンをマスクと
して基体上に透明な無機材料を選択的に形成する。
【００１２】ここで、このパターンの材料としては、光
学部品の製造後にこのパターンだけを選択的に除去する
ことができるものが用いられ、具体的には、例えば、ネ
ガ型レジスト、窒化シリコン、多結晶シリコンなどが用
いられる。このうちネガ型レジストは、その形成および
除去を簡単に行うことができるので、製造プロセスの簡
略化を図る上で有利である。また、例えば、光学部品の
材料として二酸化シリコンを用いる場合、このパターン
の材料として窒化シリコンまたは多結晶シリコンを用い
ると、それぞれの材料のエッチング特性の差により、パ
ターンだけを容易に選択的に除去することができる。
【００１３】この発明の第３の発明の典型的な一実施形
態においては、ゾル−ゲル反応を利用した液相ＣＶＤ法
により透明な無機材料を形成する。
【００１４】この発明の第３の発明において、透明な無
機材料は、典型的には、二酸化シリコンまたは窒化シリ
コンである。
【００１５】この発明の第４の発明による光学部品の製
造方法は、基体上に流動性を有する第１の透明な無機材
料を選択的に形成した後、第１の透明な無機材料を固化
させることにより芯部を形成する工程と、芯部を覆うよ
うに第１の透明な無機材料の屈折率よりも屈折率が高い
第２の透明な無機材料からなる外周部を形成する工程と
を有することを特徴とする。
【００１６】この発明の第４の発明の一実施形態におい
ては、製造すべき光学部品に対応する形状の開口を有す
るパターンを基体上に形成し、このパターンをマスクと
して基体上に第１の透明な無機材料を選択的に形成す
る。
【００１７】ここで、このパターンの材料としては、こ
の発明の第３の発明において述べたと同様なものが用い
られる。
【００１８】この発明の第４の発明の一実施形態におい
ては、ゾル−ゲル反応を利用した液相ＣＶＤ法により第
１の透明な無機材料を形成し、プラズマＣＶＤ法により
第２の透明な無機材料を形成する。
【００１９】この発明の第４の発明の一実施形態におい
ては、第１の透明な無機材料は二酸化シリコンであり、
第２の透明な無機材料は窒化シリコンである。
【００２０】この発明において、光学部品は、典型的に
は、マイクロレンズである。このマイクロレンズには、
円形レンズのほか、ロッドレンズなどが含まれる。
【００２１】この発明によれば、光学部品の材料である
透明な無機材料として二酸化シリコンや窒化シリコンな
どの耐熱性絶縁体を用いることにより、材料だけで考え
ると光学部品製造後のプロセス温度は１０００℃程度ま
で許容することができる。また、エッチング耐性も、有
機樹脂製のレジストと比較すると、はるかに優れてい
る。
【００２２】さらに、第１の透明な無機材料からなる芯
部を覆うように第１の透明な無機材料の屈折率よりも屈
折率が高い第２の透明な無機材料からなる外周部を形成
して光学部品を二重構造とすることにより、集光力を高
めることができる。
【００２３】また、流動性を有する透明な無機材料を基
体上に選択的に形成するだけで、その無機材料自身が有
する表面張力により、光学部品に必要な球面や円筒面が
自然に（自発的に）形成されるため、これらの球面や円
筒面を形成するための工程が不要となり、その分だけ製
造工程が簡略化される。また、光学部品に対応する形状
の開口を有するパターンをリソグラフィー技術を利用し
て形成し、これをマスクとして用いて基体上に無機材料
を選択的に形成することにより、リソグラフィーの解像
度によって決まる限界寸法程度まで光学部品の寸法を縮
小することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【００２５】図１は、この発明の第１の実施形態による
マイクロレンズの製造方法を示す断面図である。
【００２６】この第１の実施形態によるマイクロレンズ
の製造方法においては、図１Ａに示すように、まず、シ
リコン（Ｓｉ）基板１上に、マイクロレンズの型となる
中空の半球またはドーム形状の開口２ａが二次元アレイ
状に複数配置されたレジストパターン２をフォトリソグ
ラフィー法により形成する。このレジストパターン２の
平面形状を図２に示す。この場合、このレジストパター
ン２は、ネガ型レジストにより形成される。このレジス
トパターン２は、具体的には、Ｓｉ基板１上にネガ型レ
ジストを塗布し、このネガ型レジストを、製造すべきマ
イクロレンズの反転パターン形状に露光した後、このネ
ガ型レジストの現像を行って未露光の部分を除去するこ
とにより形成することができる。ここで、ネガ型レジス
トは、露光された部分だけが縮合し、この部分が現像後
に残され、このとき現像による除去部の側面は逆テーパ
ー状の湾曲面となることにより、上述のように中空の半
球またはドーム形状の開口２ａが形成される。
【００２７】次に、真空乾燥やプラズマ照射を行うこと
により、レジストパターン２を硬化させる。
【００２８】次に、図１Ｂに示すように、ゾル−ゲル反
応を利用した液相ＣＶＤ法により二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜３の成長を行う。このＳｉＯ2 膜３は、成長温
度を例えば０℃程度に設定して成長を行うことにより、
高い流動性を示すものが得られ、その表面張力により、
レジストパターン２の開口２ａの内部においてＳｉ基板
１上に半球またはドーム形状に成長する。なお、図示は
省略するが、このＳｉＯ2 膜３は、レジストパターン２
上にも薄く成長する。
【００２９】次に、酸素プラズマを用いたアッシング処
理によりレジストパターン２を除去する。このとき、レ
ジストパターン２上に薄く成長したＳｉＯ2 膜（図示せ
ず）は、リフトオフにより除去される。次に、低温で熱
処理を行うことにより、ＳｉＯ2 膜３中に含まれるＯＨ
基を除去し、このＳｉＯ2 膜３を固化させる。この熱処
理は、具体的には、例えば４００℃で１５分程度行う。
これによって、図１Ｃに示すように、ＳｉＯ2 からなる
マイクロレンズ４が二次元アレイ状に形成される。この
ときの平面形状を図３に示す。
【００３０】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、耐熱性絶縁体であるＳｉＯ2 をマイクロレンズ４の
材料として用いているので、マイクロレンズ４の製造後
のプロセス温度は１０００℃程度まで許容することがで
き、有機樹脂製のレジストなどと比較してはるかに高い
耐熱性を得ることができる。また、優れたエッチング耐
性を得ることもできる。このため、マイクロレンズ４の
製造後のプロセスの自由度が高い。さらに、レジストパ
ターン２をマスクとして液相ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜
３の成長を行うだけでマイクロレンズ４に必要な球面が
自発的に形成されるので、この球面を形成するための工
程が不要であり、このため製造工程の簡略化を図ること
ができる。また、レジストパターン２の開口２ａの直径
はフォトリソグラフィーの解像度によって決まる限界寸
法程度まで縮小することができるので、直径が１μｍ以
下の極めて微小なマイクロレンズ４を製造することもで
きる。
【００３１】この第１の実施形態によるマイクロレンズ
の製造方法は、例えば、ＣＣＤにおける各画素の受光セ
ル上に設けられるマイクロレンズ（オンチップマイクロ
レンズ）の製造に用いて好適なものである。
【００３２】図４は、この発明の第２の実施形態による
マイクロレンズの製造方法を示す断面図である。
【００３３】この第２の実施形態によるマイクロレンズ
の製造方法においては、図４Ａに示すように、まず、Ｓ
ｉ基板１上に、第１の実施形態と同様にして、マイクロ
レンズの型となるレジストパターン２を形成する。ただ
し、この場合、このレジストパターン２は、製造すべき
マイクロレンズの高さに比べて十分に薄く形成する。こ
の後、真空乾燥やプラズマ照射を行うことにより、この
レジストパターン２を硬化させる。
【００３４】次に、図４Ｂに示すように、第１の実施形
態と同様にして、液相ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜３の成
長を行う。第１の実施形態におけると同様に、このＳｉ
Ｏ2膜３は、成長温度を例えば０℃程度に設定して成長
を行うことにより、高い流動性を示すものが得られ、そ
の表面張力により、レジストパターン２の開口２ａの内
部におけるＳｉ基板１上に自発的に半球またはドーム形
状に成長する。
【００３５】次に、第１の実施形態と同様にして、酸素
プラズマを用いたアッシング処理により、レジストパタ
ーン２を、その上に成長した薄いＳｉＯ2 膜（図示せ
ず）とともに除去する。次に、低温で熱処理を行うこと
により、ＳｉＯ2 膜３中に含まれるＯＨ基を除去し、こ
のＳｉＯ2 膜３を固化させる。この熱処理は、具体的に
は、例えば４００℃で１５分程度行う。これによって、
図４Ｃに示すように、ＳｉＯ2 からなるマイクロレンズ
４が二次元アレイ状に形成される。
【００３６】この第２の実施形態によっても、第１の実
施形態と同様な利点を得ることができる。
【００３７】図５は、この発明の第３の実施形態による
マイクロロッドレンズの製造方法を示す断面図である。
【００３８】この第３の実施形態によるマイクロロッド
レンズの製造方法においては、図５Ａに示すように、ま
ず、Ｓｉ基板１上に、マイクロロッドレンズの型となる
半円またはドーム状の断面形状を有するストライプ状の
開口２ｂが互いに平行に配置されたレジストパターン２
をフォトリソグラフィー法により形成する。このレジス
トパターン２の平面形状を図６に示す。このレジストパ
ターン２は、第１の実施形態と同様な方法で形成する。
【００３９】次に、真空乾燥やプラズマ照射を行うこと
により、レジストパターン２を硬化させる。
【００４０】次に、図５Ｂに示すように、第１の実施形
態と同様にして、液相ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜３の成
長を行う。第１の実施形態におけると同様に、このＳｉ
Ｏ2膜３は、成長温度を例えば０℃程度に設定して成長
を行うことにより、高い流動性を示すものが得られ、そ
の表面張力により、レジストパターン２の開口２ｂの内
部においてＳｉ基板１上に自発的に半球またはドーム状
の断面形状を有するロッド状に成長する。
【００４１】次に、第１の実施形態と同様にして、酸素
プラズマを用いたアッシング処理によりレジストパター
ン２を除去する。このとき、レジストパターン２上に薄
く成長したＳｉＯ2 膜（図示せず）は、リフトオフによ
り除去される。次に、低温で熱処理を行うことにより、
ＳｉＯ2 膜３中に含まれるＯＨ基を除去し、このＳｉＯ
2 膜３を固化させる。この熱処理は、具体的には、例え
ば４００℃で１５分程度行う。これによって、図５Ｃに
示すように、ＳｉＯ2 からなるマイクロロッドレンズ５
が形成される。このときの平面形状を図７に示す。
【００４２】以上のように、この第３の実施形態によれ
ば、ＳｉＯ2 からなるマイクロロッドレンズ５を製造す
ることができ、しかも第１の実施形態と同様な種々の利
点を得ることができる。
【００４３】図８は、この発明の第４の実施形態による
マイクロロッドレンズの製造方法を示す断面図である。
【００４４】この第４の実施形態によるマイクロロッド
レンズの製造方法においては、図８Ａに示すように、ま
ず、Ｓｉ基板１上に、第３の実施形態と同様にして、マ
イクロロッドレンズの型となる半円またはドーム状の断
面形状を有するストライプ状の開口２ｂが互いに平行に
配置されたレジストパターン２をフォトリソグラフィー
法により形成する。このレジストパターン２の平面形状
は図６に示すものと同様である。
【００４５】次に、真空乾燥やプラズマ照射を行うこと
により、レジストパターン２を硬化させる。
【００４６】次に、レジストパターン２をマスクとして
Ｓｉ基板１を等方性エッチングによりエッチングして半
球またはドーム状の断面形状を有するストライプ状の穴
１ａを形成する。
【００４７】次に、図５Ｂに示すように、第１の実施形
態と同様にして、液相ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜３の成
長を行う。第１の実施形態におけると同様に、このＳｉ
Ｏ2膜３は、成長温度を例えば０℃程度に設定して成長
を行うことにより、高い流動性を示すものが得られ、そ
の表面張力により、レジストパターン２の開口２ａの内
部においてＳｉ基板１上に自発的に半球またはドーム状
の断面形状を有するロッド状に成長する。
【００４８】次に、第１の実施形態と同様にして、酸素
プラズマを用いたアッシング処理によりレジストパター
ン２を除去する。このとき、レジストパターン２上に薄
く成長したＳｉＯ2 膜（図示せず）は、リフトオフによ
り除去される。次に、低温で熱処理を行うことにより、
ＳｉＯ2 膜３中に含まれるＯＨ基を除去し、このＳｉＯ
2 膜３を固化させる。この熱処理は、具体的には、例え
ば４００℃で１５分程度行う。これによって、図８Ｃに
示すように、ＳｉＯ2 からなるマイクロロッドレンズ５
が形成される。
【００４９】この第４の実施形態によれば、円形断面の
マイクロロッドレンズ５を製造することができるほか、
第３の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【００５０】図９は、この発明の第５の実施形態による
マイクロレンズの製造方法を示す断面図である。この第
５の実施形態によるマイクロレンズは、芯部と外周部と
からなる二重構造を有するものである。
【００５１】この第５の実施形態によるマイクロレンズ
の製造方法においては、図９Ａに示すように、まず、Ｓ
ｉ基板１上に、第１の実施形態と同様にして、マイクロ
レンズの型となる中空の半球またはドーム形状の開口２
ａが二次元アレイ状に複数配置されたレジストパターン
２をフォトリソグラフィー法により形成する。このレジ
ストパターン２の平面形状は、図２に示すものと同様で
ある。
【００５２】次に、真空乾燥やプラズマ照射を行うこと
により、レジストパターン２を硬化させる。
【００５３】次に、図９Ｂに示すように、第１の実施形
態と同様にして、液相ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜３の成
長を行う。第１の実施形態におけると同様に、このＳｉ
Ｏ2膜３は、成長温度を例えば０℃程度に設定して成長
を行うことにより、高い流動性を示すものが得られ、そ
の表面張力により、レジストパターン２の開口２ａの内
部においてＳｉ基板１上に半球またはドーム形状に成長
する。
【００５４】次に、第１の実施形態と同様にして、酸素
プラズマを用いたアッシング処理によりレジストパター
ン２を除去する。このとき、レジストパターン２上に薄
く成長したＳｉＯ2 膜（図示せず）は、リフトオフによ
り除去される。次に、低温で熱処理を行うことにより、
ＳｉＯ2 膜３中に含まれるＯＨ基を除去し、このＳｉＯ
2 膜３を固化させる。この熱処理は、具体的には、例え
ば４００℃で１５分程度行う。これによって、図９Ｃに
示すように、マイクロレンズ形状の固化したＳｉＯ2 膜
３が二次元アレイ状に形成される。このときの平面形状
は、図３に示すものと同様である。
【００５５】次に、図９Ｄに示すように、例えばプラズ
マＣＶＤ法により窒化シリコン（ＳｉＮx ）膜６の成長
を行う。このとき、このＳｉＮx 膜６は、ＳｉＯ2 膜３
上にこれを覆うように均一な厚さで成長する。
【００５６】これによって、ＳｉＯ2 膜３からなる芯部
と、この芯部を覆うように設けられたこのＳｉＯ2 膜３
よりも屈折率が高いＳｉＮx 膜６からなる外周部とから
なる二重構造のマイクロレンズ４が製造される。
【００５７】以上のように、この第５の実施形態によれ
ば、ともに耐熱性絶縁体であるＳｉＯ2 およびＳｉＮx
をマイクロレンズ４の材料として用いていることによ
り、第１の実施形態と同様な種々の利点を得ることがで
きるほか、マイクロレンズ４の外周部が芯部のＳｉＯ2
膜３よりも屈折率が高いＳｉＮx 膜６からなるので、高
い集光力を得ることができる。また、このマイクロレン
ズ４は、ＳｉＯ2 膜３およびＳｉＮx 膜６が薄くても集
光力があるため、構造の平坦化の点でも有利である。
【００５８】図１０は、この発明の第６の実施形態によ
るマイクロロッドレンズの製造方法を示す断面図であ
る。この第６の実施形態によるマイクロロッドレンズ
は、芯部と外周部とからなる二重構造を有するものであ
る。
【００５９】この第６の実施形態によるマイクロロッド
レンズの製造方法においては、図１０Ａに示すように、
まず、Ｓｉ基板１上に、第１の実施形態と同様にして、
マイクロロッドレンズの型となる半円またはドーム状の
断面形状を有する開口２ｂが互いに平行に配置されたレ
ジストパターン２をフォトリソグラフィー法により形成
する。このレジストパターン２の平面形状は、図６に示
すと同様である。
【００６０】次に、真空乾燥やプラズマ照射を行うこと
により、レジストパターン２を硬化させる。
【００６１】次に、図１０Ｂに示すように、第１の実施
形態と同様にして液相ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜３の成
長を行う。第１の実施形態におけると同様に、このＳｉ
Ｏ2膜３は、成長温度を例えば０℃程度に設定して成長
を行うことにより、高い流動性を示すものが得られ、そ
の表面張力により、レジストパターン２の開口２ｂの内
部においてＳｉ基板１上に半円またはドーム状の断面形
状のロッド状に成長する。
【００６２】次に、第１の実施形態と同様にして、酸素
プラズマを用いたアッシング処理によりレジストパター
ン２を除去する。このとき、レジストパターン２上に薄
く成長したＳｉＯ2 膜（図示せず）は、リフトオフによ
り除去される。次に、低温で熱処理を行うことにより、
ＳｉＯ2 膜３中に含まれるＯＨ基を除去し、このＳｉＯ
2 膜３を固化させる。この熱処理は、具体的には、例え
ば４００℃で１５分程度行う。これによって、図１０Ｃ
に示すように、マイクロロッドレンズ形状の固化したＳ
ｉＯ2 膜３が互いに平行に形成される。このときの平面
形状は、図７に示すと同様である。
【００６３】次に、図１０Ｄに示すように、第５の実施
形態と同様にして、例えばプラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｎx 膜６の成長を行う。このとき、このＳｉＮx 膜６
は、ＳｉＯ2 膜３上にこれを覆うように均一な厚さで成
長する。
【００６４】これによって、ＳｉＯ2 膜３からなる芯部
と、この芯部を覆うように設けられたこのＳｉＯ2 膜３
よりも屈折率が高いＳｉＮx 膜６からなる外周部とから
なる二重構造のマイクロロッドレンズ５が製造される。
【００６５】以上のように、この第６の実施形態によれ
ば、ともに耐熱性絶縁体であるＳｉＯ2 およびＳｉＮx
をマイクロロッドレンズ５の材料として用いていること
により、第１の実施形態と同様な種々の利点を得ること
ができるほか、マイクロロッドレンズ５の外周部が芯部
のＳｉＯ2 膜３よりも屈折率が高いＳｉＮx 膜６からな
るので、高い集光力を得ることができる。また、このマ
イクロロッドレンズ５は、ＳｉＯ2 膜３およびＳｉＮx
膜６が薄くても集光力があるため、構造の平坦化の点で
も有利である。
【００６６】以上、この発明の実施形態につき具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものでなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
【００６７】例えば、上述の第１〜第６の実施形態にお
いては、酸素プラズマを用いたアッシング処理によりレ
ジストパターン２を除去しているが、このレジストパタ
ーン２の除去は、例えばアセトンを用いた超音波洗浄に
より行ってもよい。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光学部品の材料として透明な無機材料を用いている
ことにより、十分な耐熱性およびエッチング耐性を有す
るマイクロレンズなどの微小な光学部品を簡単な製造工
程で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態によるマイクロレン
ズの製造方法を説明するための断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるマイクロレン
ズの製造方法において用いるレジストパターンの平面形
状を示す平面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態によるマイクロレン
ズの製造方法により製造されたマイクロレンズの平面形
状を示す平面図である。
【図４】この発明の第２の実施形態によるマイクロレン
ズの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】この発明の第３の実施形態によるマイクロロッ
ドレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第３の実施形態によるマイクロロッ
ドレンズの製造方法において用いるレジストパターンの
平面形状を示す平面図である。
【図７】この発明の第３の実施形態によるマイクロロッ
ドレンズの製造方法により製造されたマイクロロッドレ
ンズの平面形状を示す平面図である。
【図８】この発明の第４の実施形態によるマイクロロッ
ドレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】この発明の第５の実施形態によるマイクロレン
ズの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の第６の実施形態によるマイクロロ
ッドレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１ Ｓｉ基板 ２ レジストパターン ２ａ、２ｂ 開口 ３ ＳｉＯ2 膜 ４ マイクロレンズ ５ マイクロロッドレンズ ６ ＳｉＮx 膜

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明な無機材料からなり、かつ少なくと
    も一方向の寸法が１０μｍ以下であることを特徴とする
    光学部品。
  2. 【請求項２】 上記透明な無機材料は二酸化シリコンま
    たは窒化シリコンであることを特徴とする請求項１記載
    の光学部品。
  3. 【請求項３】 上記光学部品はマイクロレンズであるこ
    とを特徴とする請求項１記載の光学部品。
  4. 【請求項４】 第１の透明な無機材料からなる芯部と、 上記芯部を覆うように設けられた、上記第１の透明な無
    機材料の屈折率よりも屈折率が高い第２の透明な無機材
    料からなる外周部とからなり、 少なくとも一方向の寸法が１０μｍ以下であることを特
    徴とする光学部品。
  5. 【請求項５】 上記第１の透明な無機材料は二酸化シリ
    コンであり、上記第２の透明な無機材料は窒化シリコン
    であることを特徴とする請求項４記載の光学部品。
  6. 【請求項６】 上記光学部品はマイクロレンズであるこ
    とを特徴とする請求項４記載の光学部品。
  7. 【請求項７】 基体上に流動性を有する透明な無機材料
    を選択的に形成した後、上記透明な無機材料を固化させ
    るようにしたことを特徴とする光学部品の製造方法。
  8. 【請求項８】 製造すべき光学部品に対応する形状の開
    口を有するパターンを上記基体上に形成し、上記パター
    ンをマスクとして上記基体上に上記透明な無機材料を選
    択的に形成するようにしたことを特徴とする請求項７記
    載の光学部品の製造方法。
  9. 【請求項９】 ゾル−ゲル反応を利用した液相ＣＶＤ法
    により上記透明な無機材料を形成するようにしたことを
    特徴とする請求項７記載の光学部品の製造方法。
  10. 【請求項１０】 上記透明な無機材料は二酸化シリコン
    または窒化シリコンであることを特徴とする請求項７記
    載の光学部品の製造方法。
  11. 【請求項１１】 上記光学部品はマイクロレンズである
    ことを特徴とする請求項７記載の光学部品の製造方法。
  12. 【請求項１２】 基体上に流動性を有する第１の透明な
    無機材料を選択的に形成した後、上記第１の透明な無機
    材料を固化させることにより芯部を形成する工程と、 上記芯部を覆うように上記第１の透明な無機材料の屈折
    率よりも屈折率が高い第２の透明な無機材料からなる外
    周部を形成する工程とを有することを特徴とする光学部
    品の製造方法。
  13. 【請求項１３】 製造すべき光学部品に対応する形状の
    開口を有するパターンを上記基体上に形成し、上記パタ
    ーンをマスクとして上記基体上に上記第１の透明な無機
    材料を選択的に形成するようにしたことを特徴とする請
    求項１２記載の光学部品の製造方法。
  14. 【請求項１４】 ゾル−ゲル反応を利用した液相ＣＶＤ
    法により上記第１の透明な無機材料を形成するようにし
    たことを特徴とする請求項１２記載の光学部品の製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 プラズマＣＶＤ法により上記第２の透
    明な無機材料を形成するようにしたことを特徴とする請
    求項１２記載の光学部品の製造方法。
  16. 【請求項１６】 上記第１の透明な無機材料は二酸化シ
    リコンであり、上記第２の透明な無機材料は窒化シリコ
    ンであることを特徴とする請求項１２記載の光学部品の
    製造方法。
  17. 【請求項１７】 上記光学部品はマイクロレンズである
    ことを特徴とする請求項１２記載の光学部品の製造方
    法。
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