JPH0983336A - Input buffer circuit - Google Patents

Input buffer circuit

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JPH0983336A
JPH0983336A JP7239677A JP23967795A JPH0983336A JP H0983336 A JPH0983336 A JP H0983336A JP 7239677 A JP7239677 A JP 7239677A JP 23967795 A JP23967795 A JP 23967795A JP H0983336 A JPH0983336 A JP H0983336A
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JP
Japan
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field effect
type field
effect transistor
terminal
circuit
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Application number
JP7239677A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Mizuguchi
哲也 水口
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NEC Platforms Ltd
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NEC AccessTechnica Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To freely set the function of an input buffer and also to change this function in a short time by switching the input of the external terminal of a semiconductor integrated circuit. SOLUTION: An inverting input buffer circuit 3 inverts the signal supplied from an input terminal 8 an outputs it to an output terminal 11. An N type FET transistor TR 1 is connected to a power terminal 10 of a resistor 2 and opened there by the control signal of a control terminal 7. An inverter 6 inverts the control signal of a control terminal 9. Then a NOR circuit 4 performs the ON/OFF control of an N type FET TR 5 by the output of both circuit 3 and inverter 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は入力バッファ回路に
関し、特に半導体集積回路の入力バッファ回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an input buffer circuit, and more particularly to an input buffer circuit of a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路の入力バッファ
機能は、いずれか一種類の機能に設計され製造される。
このため、インターフェース上の要求から半導体集積回
路の入力バッファ機能を途中で変更することは不可能
で、変更する場合は新たに回路設計を行ない、再度製造
しなければならない。
2. Description of the Related Art Generally, an input buffer function of a semiconductor integrated circuit is designed and manufactured to have any one kind of function.
For this reason, it is impossible to change the input buffer function of the semiconductor integrated circuit on the way due to the requirement on the interface, and in the case of changing it, it is necessary to newly design the circuit and manufacture it again.

【0003】図3は従来の半導体集積回路の入力バッフ
ァ回路を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing an input buffer circuit of a conventional semiconductor integrated circuit.

【0004】図3(a)は反転型入力バッファ回路を示
し、図3(b)はプルアップ抵抗付き反転型入力バッフ
ァ回路を示し、図3(c)はシュミットトリガ型入力バ
ッファ回路を示す。
FIG. 3A shows an inverting input buffer circuit, FIG. 3B shows an inverting input buffer circuit with a pull-up resistor, and FIG. 3C shows a Schmitt trigger type input buffer circuit.

【0005】図3(a)〜(c)に示す入力バッファの
機能とその回路は固定されており、各々が半導体集積回
路内に組込まれその機能の動作を実行する。
The functions and circuits of the input buffers shown in FIGS. 3A to 3C are fixed, and each is incorporated in a semiconductor integrated circuit to perform the operation of that function.

【0006】図3(a)を参照すると、反転型入力バッ
ファ回路3の入力端子8がハイレベルのとき、P形電界
効果トランジスタ13はOFF状態、N形電界効果トラ
ンジスタ14はON状態となるので、出力端子11には
N形電界効果トランジスタ14のソースに接続されてい
る接地電位が出力されロウ(low)レベルとなる。
Referring to FIG. 3A, when the input terminal 8 of the inverting input buffer circuit 3 is at a high level, the P-type field effect transistor 13 is in the OFF state and the N-type field effect transistor 14 is in the ON state. The ground potential connected to the source of the N-type field effect transistor 14 is output to the output terminal 11 and becomes the low level.

【0007】また、入力端子8がロウレベルのとき、P
形電界効果トランジスタ13はON状態、N形電界効果
トランジスタ14はOFF状態となるので、出力端子1
1にはP形電界効果トランジスタ13のドレインに接続
されている電源端子10の電圧が出力されハイ(hig
h)レベルとなる。
When the input terminal 8 is at low level, P
Since the N-type field effect transistor 13 is turned on and the N-type field effect transistor 14 is turned off, the output terminal 1
1, the voltage of the power supply terminal 10 connected to the drain of the P-type field effect transistor 13 is output to high (high).
h) Level.

【0008】図3(b)の回路は、反転型入力バッファ
回路3の入力端子8をプルアップ抵抗12で電源端子1
0に接続したもので、入力端子が開放状態でもN形電界
効果トランジスタ14がON状態になるため出力端子1
1には常にロウレベルが出力される。
In the circuit of FIG. 3 (b), the input terminal 8 of the inverting type input buffer circuit 3 is connected to the power supply terminal 1 with a pull-up resistor 12.
The output terminal 1 is connected to 0, and the N-type field effect transistor 14 is turned on even when the input terminal is open.
A low level is always output to 1.

【0009】図3(c)の回路は、反転型入力バッファ
回路3の出力端子11にインバータ16を接続し、イン
バータ16の出力をN形電界効果トランジスタ15のゲ
ートに接続し、そのソースおよびドレインをそれぞれ接
地点および出力端子11に接続している。
In the circuit of FIG. 3C, an inverter 16 is connected to the output terminal 11 of the inverting type input buffer circuit 3, the output of the inverter 16 is connected to the gate of the N-type field effect transistor 15, and the source and drain thereof. Are respectively connected to the ground point and the output terminal 11.

【0010】図3(c)を参照すると、反転型入力バッ
ファ回路3の入力端子8がハイレベルのとき、P形電界
効果トランジスタ13はOFF状態、N形電界効果トラ
ンジスタ14はON状態となるので、出力端子11には
N形電界効果トランジスタ14のソースに接続されてい
る接地電位が出力されロウレベルとなる。
Referring to FIG. 3C, when the input terminal 8 of the inverting input buffer circuit 3 is at high level, the P-type field effect transistor 13 is in the OFF state and the N-type field effect transistor 14 is in the ON state. The ground potential connected to the source of the N-type field effect transistor 14 is output to the output terminal 11 and becomes low level.

【0011】出力端子11でのロウレベル出力は、イン
バータ16により反転しハイレベルとなりN形電界効果
トランジスタ15をON状態へと移行させようとする
が、N形電界効果トランジスタ15のドレインが接地電
位のためOFF状態となり、出力端子11はロウレベル
を維持する。
The low level output at the output terminal 11 is inverted by the inverter 16 and becomes a high level to try to shift the N-type field effect transistor 15 to the ON state, but the drain of the N-type field effect transistor 15 is at the ground potential. Therefore, it is turned off, and the output terminal 11 maintains the low level.

【0012】また、入力端子8がロウレベルのとき、P
形電界効果トランジスタ13はON状態、N形電界効果
トランジスタ14はOFF状態となるので、出力端子1
1にはP形電界効果トランジスタ13のドレインに接続
されている電源端子10の電圧が出力されハイレベルと
なる。
When the input terminal 8 is at low level, P
Since the N-type field effect transistor 13 is turned on and the N-type field effect transistor 14 is turned off, the output terminal 1
The voltage of the power supply terminal 10 connected to the drain of the P-type field effect transistor 13 is output to 1 and becomes high level.

【0013】出力端子11でのハイレベル出力は、イン
バータ16により反転しロウレベルとなりN形電界効果
トランジスタ15をOFF状態とするので、出力端子1
1はハイレベルを維持する。
The high level output at the output terminal 11 is inverted by the inverter 16 and becomes a low level to turn off the N-type field effect transistor 15, so that the output terminal 1
1 keeps high level.

【0014】上述の入力バッファ回路はすべて機能が固
定されているので、半導体集積回路は固定された機能の
通り使用しなければならず、入力バッファ回路の機能の
変更はできない。
Since the functions of all the input buffer circuits described above are fixed, the semiconductor integrated circuit must be used according to the fixed functions, and the function of the input buffer circuit cannot be changed.

【0015】なお、半導体集積回路の再製作を行なわな
いで、入力バッファ回路の機能を変更する回路の一例と
して、特開平4−319816号公報記載の「半導体集
積回路」が知られている。
A "semiconductor integrated circuit" described in Japanese Patent Laid-Open No. 4-319816 is known as an example of a circuit for changing the function of the input buffer circuit without remanufacturing the semiconductor integrated circuit.

【0016】この公報記載の回路は、リード・オンリー
・メモリ(ROM)の内容を書き換えることにより、反
転型入力バッファ回路の入力レベルに対応する出力レベ
ルにヒステリシス特性を有するシュミットトリガ型入力
バッファ回路に自由に変更できる。
The circuit described in this publication is a Schmitt trigger type input buffer circuit having a hysteresis characteristic in the output level corresponding to the input level of the inverting type input buffer circuit by rewriting the contents of the read only memory (ROM). You can change it freely.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の入力バ
ッファ回路は、入力バッファ機能を途中で変える場合半
導体集積回路自体を再度設計製造しなければならないた
め、時間と経費の経済性を損なうという欠点を有してい
る。
In the conventional input buffer circuit described above, the semiconductor integrated circuit itself must be redesigned and manufactured when the input buffer function is changed on the way, so that the economical efficiency of time and cost is impaired. have.

【0018】また、入力バッファ機能の変更を行なうた
めにはROMおよび周辺回路が必要となりかつROMの
内容を書き換える工程が必要になるという欠点を有して
いる。
Further, there is a drawback that a ROM and peripheral circuits are required to change the input buffer function and a step of rewriting the contents of the ROM is required.

【0019】本発明の目的は、半導体集積回路の外部端
子の入力を切替えることにより入力バッファの機能を自
由に設定できかつ短時間で機能の変更が容易な入力バッ
ファ回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an input buffer circuit in which the function of the input buffer can be freely set by switching the input of the external terminal of the semiconductor integrated circuit and the function can be easily changed in a short time.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明の入力バッファ回
路は、第1の制御端子と、この制御端子にゲートが接続
されドレインが電源端子に接続されソースが抵抗の一端
に接続された第1のN形電界効果トランジスタと、ドレ
インが前記電源端子と接続したP形電界効果トランジス
タおよびソースが接地点と接続した第2のN形電界効果
トランジスタからなりこれらトランジスタのゲートが共
通に結合し入力端子および前記抵抗の他の一端と接続し
かつ前記P形電界効果トランジスタのソースおよび前記
第2のN形電界効果トランジスタのドレインを接続し出
力端子とした反転型入力バッファ回路と、第2の制御端
子の制御信号を反転するインバータと、このインバータ
出力と前記反転型入力バッファ回路の出力とが入力され
るNOR回路と、このNOR回路の出力にゲートが接続
しドレインが前記出力端子に接続しソースが前記接地点
に接続した第3のN形電界効果トランジスタとから構成
されたことを特徴としている。
An input buffer circuit according to the present invention comprises a first control terminal, a first control terminal to which a gate is connected, a drain to a power supply terminal, and a source to one end of a resistor. An N-type field effect transistor, a P-type field effect transistor having a drain connected to the power supply terminal, and a second N-type field effect transistor having a source connected to a ground point, and the gates of these transistors are commonly connected to each other to form an input terminal And an inverting input buffer circuit connected to the other end of the resistor and connected to the source of the P-type field effect transistor and the drain of the second N-type field effect transistor as an output terminal, and a second control terminal An inverter for inverting the control signal, and a NOR circuit to which the inverter output and the output of the inverting input buffer circuit are input, Drain gate connected to the output of the NOR circuit is characterized in that the source connected to said output terminal is composed of a third N-type field effect transistor connected to said ground point of.

【0021】また、第1の制御端子と、この制御端子に
ゲートが接続されドレインが電源端子に接続されソース
が抵抗の一端に接続された第1のN形電界効果トランジ
スタと、ドレインが前記電源端子と接続したP形電界効
果トランジスタおよびソースが接地点と接続した第2の
N形電界効果トランジスタからなりこれらトランジスタ
のゲートが共通に結合し入力端子および前記抵抗の他の
一端と接続しかつ前記P形電界効果トランジスタのソー
スおよび前記第2のN形電界効果トランジスタのドレイ
ンを接続し出力端子とした反転型入力バッファ回路と、
第2の制御端子の制御信号を反転するインバータと、こ
のインバータ出力と前記反転型入力バッファ回路の出力
とが入力されるNOR回路と、このNOR回路の出力に
ゲートが接続しドレインが前記出力端子に接続しソース
が前記接地点に接続した第3のN形電界効果トランジス
タと、前記第1および第2の制御端子に制御信号を出力
するリード・オンリー・メモリとから構成されたことを
特徴としている。
Further, a first control terminal, a first N-type field effect transistor having a gate connected to the control terminal, a drain connected to a power supply terminal and a source connected to one end of a resistor, and a drain connected to the power supply. A P-type field effect transistor connected to a terminal and a second N-type field effect transistor having a source connected to ground, the gates of these transistors being commonly coupled and connected to the input terminal and the other end of the resistor and An inverting type input buffer circuit which connects the source of the P-type field effect transistor and the drain of the second N-type field effect transistor and uses it as an output terminal;
An inverter that inverts the control signal of the second control terminal, a NOR circuit to which the inverter output and the output of the inverting input buffer circuit are input, a gate connected to the output of this NOR circuit, and a drain whose output terminal is the output terminal. A third N-type field effect transistor having a source connected to the ground point and a read-only memory for outputting a control signal to the first and second control terminals. There is.

【0022】なお、前記第1および第2のN形電界効果
トランジスタがP形電界効果トランジスタであり、前記
P形電界効果トランジスタがN形電界効果トランジスタ
であることを特徴としている。
The first and second N-type field effect transistors are P-type field effect transistors, and the P-type field effect transistor is an N-type field effect transistor.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の入力バッファ回路の一つの
実施の形態を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the input buffer circuit of the present invention.

【0025】図1に示す本実施の形態は、制御信号を入
力する制御端子7と、制御端子7にゲートが接続されド
レインが電源端子10に接続されソースが抵抗2の一端
に接続されたN形電界効果トランジスタ1と、ドレイン
が電源端子10と接続したP形電界効果トランジスタ1
3およびソースが接地点と接続したN形電界効果トラン
ジスタ14からなりこれらトランジスタのゲートが共通
に結合し入力端子8および抵抗2の他の一端と接続しか
つP形電界効果トランジスタ13のソースおよびN形電
界効果トランジスタ14のドレインを接続し出力端子1
1とした反転型入力バッファ回路3と、制御端子9の制
御信号を反転するインバータ6と、インバータ6の出力
と反転型入力バッファ回路3の出力とが入力されるNO
R回路4と、NOR回路4の出力にゲートが接続しドレ
インが出力端子11に接続しソースが接地点に接続した
N形電界効果トランジスタ5とから構成されている。
The present embodiment shown in FIG. 1 has a control terminal 7 for inputting a control signal, and an N terminal having a gate connected to the control terminal 7, a drain connected to a power supply terminal 10 and a source connected to one end of a resistor 2. -Type field-effect transistor 1 and P-type field-effect transistor 1 whose drain is connected to power supply terminal 10
3 and an N-type field effect transistor 14 whose source is connected to the ground, and the gates of these transistors are commonly connected and connected to the input terminal 8 and the other end of the resistor 2 and the source and N of the P-type field effect transistor 13 are connected. -Type field effect transistor 14 connected to the drain and output terminal 1
1, the inverting input buffer circuit 3, the inverter 6 that inverts the control signal at the control terminal 9, and the NO to which the output of the inverter 6 and the output of the inverting input buffer circuit 3 are input.
It is composed of an R circuit 4 and an N-type field effect transistor 5 having a gate connected to the output of the NOR circuit 4, a drain connected to the output terminal 11, and a source connected to the ground point.

【0026】なお、図1において図3に示す構成要素に
対応するものは同一の参照数字または符号を付し、その
説明を省略する。
In FIG. 1, components corresponding to those shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals or symbols, and their description will be omitted.

【0027】図2はシュミットトリガ型入力バッファ回
路のヒステリシス特性を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing hysteresis characteristics of the Schmitt trigger type input buffer circuit.

【0028】次に、図1および図2を参照して本実施の
形態の動作をより詳細に説明する。
Next, the operation of the present embodiment will be described in more detail with reference to FIGS.

【0029】制御端子7および制御端子9の制御信号が
ロウレベルのとき、N形電界効果トランジスタ1はOF
F状態になり、またインバータ6の出力がハイレベルと
なりNOR回路4の出力がロウレベルになるので、N形
電界効果トランジスタ5はOFF状態となる。したがっ
て、本実施の形態は図3(a)に示す従来の反転型入力
バッファ回路として動作することになる。
When the control signals at the control terminals 7 and 9 are at low level, the N-type field effect transistor 1 is OF
Since the output of the inverter 6 becomes high level and the output of the NOR circuit 4 becomes low level, the N-type field effect transistor 5 is turned off. Therefore, the present embodiment operates as the conventional inverting type input buffer circuit shown in FIG.

【0030】次に、制御端子7の制御信号がロウレベ
ル、制御端子9の制御信号がハイレベルのとき、N形電
界効果トランジスタ1はOFF状態になるが、インバー
タ6の出力がロウレベルとなるためNOR回路4の出力
は反転型入力バッファ回路3の出力により決定されるこ
とになり、N形電界効果トランジスタ5はOFFまたは
ON状態のいずれかに制御されることになる。
Next, when the control signal at the control terminal 7 is at the low level and the control signal at the control terminal 9 is at the high level, the N-type field effect transistor 1 is in the OFF state, but the output of the inverter 6 is at the low level, and thus NOR. The output of the circuit 4 is determined by the output of the inverting input buffer circuit 3, and the N-type field effect transistor 5 is controlled to either the OFF state or the ON state.

【0031】つまり、NOR回路4の動作は表1の真理
値表に示すようにインバータ6の出力がロウレベルなの
で、出力端子11がロウレベルのときNOR回路4の出
力はハイレベルになり、出力端子11がハイレベルのと
きNOR回路4の出力はロウレベルになる。これはNO
R回路4をインバータに置き換えた回路と等価になる。
That is, in the operation of the NOR circuit 4, since the output of the inverter 6 is low level as shown in the truth table of Table 1, when the output terminal 11 is low level, the output of the NOR circuit 4 becomes high level and the output terminal 11 Is high level, the output of the NOR circuit 4 becomes low level. This is NO
It is equivalent to a circuit in which the R circuit 4 is replaced with an inverter.

【0032】 [0032]

【0033】反転型入力バッファ回路3の入力端子8が
ロウレベルの場合、出力端子11がハイレベルとなるの
でNOR回路4の出力はロウレベルとなり、N形電界効
果トランジスタ5はOFF状態となる。一方、反転型入
力バッファ回路3の入力がハイレベルに変化すると、出
力端子11はロウレベルとなるのでNOR回路4の出力
はハイレベルとなり、N形電界効果トランジスタ5はO
N状態となる。
When the input terminal 8 of the inverting input buffer circuit 3 is at low level, the output terminal 11 is at high level, the output of the NOR circuit 4 is at low level, and the N-type field effect transistor 5 is turned off. On the other hand, when the input of the inverting type input buffer circuit 3 changes to high level, the output terminal 11 becomes low level, the output of the NOR circuit 4 becomes high level, and the N-type field effect transistor 5 becomes O.
The N state is set.

【0034】その結果、反転型入力バッファ回路3で保
持していたP形電界効果トランジスタ13およびN形電
界効果トランジスタ14のドライブ能力の比が崩れ、反
転型入力バッファ回路3のスレッショルドレベルが下が
る。これは、反転型入力バッファ回路3の入力に二つの
スレッショルドレベルが存在することになり、図2に示
すヒステリシス特性を有した図3(c)に示す従来のシ
ュミットトリガ型入力バッファ回路として動作する。
As a result, the ratio of the drivability of the P-type field effect transistor 13 and the N-type field effect transistor 14 held in the inverting type input buffer circuit 3 collapses, and the threshold level of the inverting type input buffer circuit 3 decreases. This means that there are two threshold levels at the input of the inverting type input buffer circuit 3, and it operates as the conventional Schmitt trigger type input buffer circuit shown in FIG. 3C having the hysteresis characteristic shown in FIG. .

【0035】次に、制御端子7の制御信号がハイレベ
ル、制御端子9の制御信号がロウレベルのとき、N形電
界効果トランジスタ1はON状態になり、またインバー
タ6の出力がハイレベルとなりNOR回路4の出力はロ
ウレベルになるので、N形電界効果トランジスタ5はO
FF状態となり、本実施の形態は図3(b)に示す従来
のプルアップ抵抗付き反転型入力バッファ回路として動
作する。
Next, when the control signal at the control terminal 7 is at a high level and the control signal at the control terminal 9 is at a low level, the N-type field effect transistor 1 is in the ON state, and the output of the inverter 6 is at the high level, and the NOR circuit. Since the output of 4 becomes low level, the N-type field effect transistor 5
In the FF state, the present embodiment operates as the conventional inverting input buffer circuit with pull-up resistor shown in FIG.

【0036】次に、制御端子7の制御信号および制御端
子9の制御信号がハイレベルのとき、N形電界効果トラ
ンジスタ1はON状態となるが、インバータ6の出力が
ロウレベルとなるため、NOR回路4の出力は反転型入
力バッファ回路3の出力の状態により決定される。これ
は、ヒステリシス特性を有する入力バッファにプルアッ
プ抵抗が付いた場合と同等であり、本実施の形態はプル
アップ抵抗付きシュミットトリガ型入力バッファ回路と
して動作することになる。
Next, when the control signal of the control terminal 7 and the control signal of the control terminal 9 are at the high level, the N-type field effect transistor 1 is in the ON state, but the output of the inverter 6 is at the low level, and therefore the NOR circuit. The output of 4 is determined by the state of the output of the inverting input buffer circuit 3. This is equivalent to the case where a pull-up resistor is attached to the input buffer having the hysteresis characteristic, and this embodiment operates as a Schmitt trigger type input buffer circuit with a pull-up resistor.

【0037】なお、上述の制御端子7および9は、外部
回路でハイレベルまたはロウレベルのいずれかに設定す
ることにより半導体集積回路に任意の入力バッファ機能
をもたせることができるが、他の実施の形態として、制
御データが任意に書き換え可能なリード・オンリー・メ
モリ(ROM)の出力を制御端子7および9に出力する
ことも可能である。ROMは半導体集積回路に内蔵され
る場合と外部回路として使用される場合とが可能であ
る。
The above-mentioned control terminals 7 and 9 can be set to either a high level or a low level by an external circuit to allow the semiconductor integrated circuit to have an arbitrary input buffer function, but other embodiments are possible. As an alternative, it is also possible to output the output of a read only memory (ROM) in which the control data can be arbitrarily rewritten to the control terminals 7 and 9. The ROM can be built in the semiconductor integrated circuit or used as an external circuit.

【0038】また、上述のN形電界効果トランジスタを
P形電界効果トランジスタにかつP形電界効果トランジ
スタをN形電界効果トランジスタに各々置き換え、関連
する信号を逆極性とし論理回路の変更を図ることによ
り、同等の効果とすることが可能である。この場合、シ
ュミットトリガ型入力バッファ回路のヒステリシス特性
は逆特性のものが得られる。
Further, by replacing the above N-type field effect transistor with a P-type field effect transistor and replacing the P-type field effect transistor with an N-type field effect transistor, respectively, and setting the related signals to opposite polarities, the logic circuit is changed. , And it is possible to achieve the same effect. In this case, the hysteresis characteristic of the Schmitt trigger type input buffer circuit can be obtained with the reverse characteristic.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の入力バッ
ファ回路は、半導体集積回路の外部端子の入力を切替え
ることにより、入力バッファの機能を自由に設定できか
つ短時間で変更できるという効果を有している。
As described above, according to the input buffer circuit of the present invention, the function of the input buffer can be freely set and changed in a short time by switching the input of the external terminal of the semiconductor integrated circuit. Have

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の入力バッファ回路の一つの実施の形態
を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an input buffer circuit of the present invention.

【図2】シュミットトリガ型入力バッファ回路のヒステ
リシス特性を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing hysteresis characteristics of a Schmitt trigger type input buffer circuit.

【図3】従来の半導体集積回路の入力バッファ回路を示
すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing an input buffer circuit of a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 N形電界効果トランジスタ 2 抵抗 3 反転型入力バッファ回路 4 NOR回路 5 N形電界効果トランジスタ 6 インバータ 7 制御端子 8 入力端子 9 制御端子 10 電源端子 11 出力端子 12 プルアップ抵抗 13 P形電界効果トランジスタ 14 N形電界効果トランジスタ 15 N形電界効果トランジスタ 16 インバータ 1 N-type field effect transistor 2 Resistance 3 Inversion type input buffer circuit 4 NOR circuit 5 N-type field effect transistor 6 Inverter 7 Control terminal 8 Input terminal 9 Control terminal 10 Power supply terminal 11 Output terminal 12 Pull-up resistor 13 P-type field effect transistor 14 N-type field effect transistor 15 N-type field effect transistor 16 Inverter

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の制御端子と、この制御端子にゲー
トが接続されドレインが電源端子に接続されソースが抵
抗の一端に接続された第1のN形電界効果トランジスタ
と、ドレインが前記電源端子と接続したP形電界効果ト
ランジスタおよびソースが接地点と接続した第2のN形
電界効果トランジスタからなりこれらトランジスタのゲ
ートが共通に結合し入力端子および前記抵抗の他の一端
と接続しかつ前記P形電界効果トランジスタのソースお
よび前記第2のN形電界効果トランジスタのドレインを
接続し出力端子とした反転型入力バッファ回路と、第2
の制御端子の制御信号を反転するインバータと、このイ
ンバータ出力と前記反転型入力バッファ回路の出力とが
入力されるNOR回路と、このNOR回路の出力にゲー
トが接続しドレインが前記出力端子に接続しソースが前
記接地点に接続した第3のN形電界効果トランジスタと
から構成されたことを特徴とする入力バッファ回路。
1. A first control terminal, a first N-type field effect transistor having a gate connected to the control terminal, a drain connected to a power supply terminal, and a source connected to one end of a resistor; and a drain having the power supply. A P-type field effect transistor connected to a terminal and a second N-type field effect transistor having a source connected to ground, the gates of these transistors being commonly coupled and connected to the input terminal and the other end of the resistor and An inverting type input buffer circuit in which a source of the P-type field effect transistor and a drain of the second N-type field effect transistor are connected to each other to serve as an output terminal;
An inverter that inverts the control signal at the control terminal of the NOR circuit, a NOR circuit to which the inverter output and the output of the inverting input buffer circuit are input, and a gate connected to the output of the NOR circuit and a drain connected to the output terminal. And an input buffer circuit having a third N-type field effect transistor whose source is connected to the ground point.
【請求項2】 第1の制御端子と、この制御端子にゲー
トが接続されドレインが電源端子に接続されソースが抵
抗の一端に接続された第1のN形電界効果トランジスタ
と、ドレインが前記電源端子と接続したP形電界効果ト
ランジスタおよびソースが接地点と接続した第2のN形
電界効果トランジスタからなりこれらトランジスタのゲ
ートが共通に結合し入力端子および前記抵抗の他の一端
と接続しかつ前記P形電界効果トランジスタのソースお
よび前記第2のN形電界効果トランジスタのドレインを
接続し出力端子とした反転型入力バッファ回路と、第2
の制御端子の制御信号を反転するインバータと、このイ
ンバータ出力と前記反転型入力バッファ回路の出力とが
入力されるNOR回路と、このNOR回路の出力にゲー
トが接続しドレインが前記出力端子に接続しソースが前
記接地点に接続した第3のN形電界効果トランジスタ
と、前記第1および第2の制御端子に制御信号を出力す
るリード・オンリー・メモリとから構成されたことを特
徴とする入力バッファ回路。
2. A first control terminal, a first N-type field effect transistor having a gate connected to the control terminal, a drain connected to a power supply terminal, and a source connected to one end of a resistor, and a drain having the power supply. A P-type field effect transistor connected to a terminal and a second N-type field effect transistor having a source connected to ground, the gates of these transistors being commonly coupled and connected to the input terminal and the other end of the resistor and An inverting type input buffer circuit in which a source of the P-type field effect transistor and a drain of the second N-type field effect transistor are connected to each other to serve as an output terminal;
An inverter that inverts the control signal from the control terminal of the NOR circuit, a NOR circuit to which the inverter output and the output of the inverting input buffer circuit are input, and a gate connected to the output of the NOR circuit and a drain connected to the output terminal. An input having a third N-type field effect transistor whose source is connected to the ground point and a read-only memory which outputs a control signal to the first and second control terminals. Buffer circuit.
【請求項3】 前記第1および第2のN形電界効果トラ
ンジスタがP形電界効果トランジスタであり、前記P形
電界効果トランジスタがN形電界効果トランジスタであ
ることを特徴とした請求項1および請求項2記載の入力
バッファ回路。
3. The first and second N-type field effect transistors are P-type field effect transistors, and the P-type field effect transistor is an N-type field effect transistor. The input buffer circuit according to item 2.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108075322A (en) * 2016-11-11 2018-05-25 泰科电子(上海)有限公司 Intelligent connector

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