JP2000049584A - Voltage output circuit provided with level shift circuit - Google Patents

Voltage output circuit provided with level shift circuit

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JP2000049584A
JP2000049584A JP10213700A JP21370098A JP2000049584A JP 2000049584 A JP2000049584 A JP 2000049584A JP 10213700 A JP10213700 A JP 10213700A JP 21370098 A JP21370098 A JP 21370098A JP 2000049584 A JP2000049584 A JP 2000049584A
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level
output
signal
transistor
circuit
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JP10213700A
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Japanese (ja)
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Takashi Ichihara
隆 市原
Mamoru Seike
守 清家
Mayumi Matsushita
真弓 松下
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage output circuit in which a chip area is reduced and power consumption is saved by reducing the breakdown strength of an output stage transistor. SOLUTION: An L-side output transistor 29 connected to -40 V is serially connected to an H-side output transistor 28 connected to 40 V and an output signal S3 is outputted from the connecting point 3. The voltage output circuit is provided with decoding circuits 21-23 generating two decoding signals from two input signals S1 and S2, a first level shift circuit 24 converting one decoding signal into a signal to change between 0 V and 40 V and giving it to the gate of the H-side output transistor 28, a second level shift circuit 25 converting the other decoding signal into the signal to change between -40 V and 5 V and giving it to the gate of the L-side output transistor 29 and a switch circuit for connecting an intermediate level VM to the connecting point of the L-side output transistor with the H-side output transistor.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レベルシフト回路
を備えた電圧出力回路に関し、詳しくは、出力段のMO
S型トランジスタの耐圧を下げることができる回路構成
の改善に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage output circuit having a level shift circuit, and more particularly, to an output stage MO.
The present invention relates to an improvement in a circuit configuration capable of lowering a breakdown voltage of an S-type transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3に示す従来例の出力回路は、液晶表
示装置に電源電圧を供給するための電圧出力回路であ
る。この電圧出力回路は、入力端子1,2に入力された
2つの入力信号S1,S2に基づいて、出力HレベルV
CC(40V)、出力LレベルVEE(−40V)及び
中間レベルVM(2.5V)の3種類の電圧のうちの1
つを出力信号S3として出力端子3に出力する。
2. Description of the Related Art A conventional output circuit shown in FIG. 3 is a voltage output circuit for supplying a power supply voltage to a liquid crystal display device. This voltage output circuit outputs an output H level V based on two input signals S1 and S2 input to input terminals 1 and 2.
CC (40 V), output L level VEE (-40 V) and intermediate level VM (2.5 V).
One is output to the output terminal 3 as the output signal S3.

【0003】第1の入力端子1に入力される第1の入力
信号S1は論理LレベルGND(0V)と論理Hレベル
VDD(5V)との間で変化する信号である。この信号
は、第1のレベルシフト回路4にてVEE(−40V)
とVDDとの間で変化する信号に変換され、更に第2の
レベルシフト回路5にてVEEとVCC(40V)との
間で変化する信号に変換される。
The first input signal S1 inputted to the first input terminal 1 is a signal that changes between a logic L level GND (0 V) and a logic H level VDD (5 V). This signal is converted to VEE (−40 V) by the first level shift circuit 4.
The signal is converted to a signal that changes between VEE and VCC (40 V) by the second level shift circuit 5.

【0004】第2のレベルシフト回路5の出力信号は、
第1のPチャンネルMOS型トランジスタ(以下、Pc
hトランジスタと略記する)9のゲート、NANDゲー
ト7の一方の入力端子、及びインバータ6に入力され
る。インバータ6の出力は第1のNチャンネルMOS型
トランジスタ(以下、Nchトランジスタと記す)10
のゲート及びNORゲート8の一方の入力端子に入力さ
れている。NANDゲート7の他方の入力端子とORゲ
ート8の他方の入力端子は第2の入力端子2に接続され
ている。NANDゲート7,インバータ6及びNORゲ
ート8はそれぞれVEEとVCCとの間で動作し、第2
の入力端子2に入力される第2の入力信号S2はVEE
とVCCとの間で変化する信号である。
The output signal of the second level shift circuit 5 is
A first P-channel MOS transistor (hereinafter, Pc
h transistor), one input terminal of the NAND gate 7 and the inverter 6. The output of the inverter 6 is a first N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as an Nch transistor) 10
And one input terminal of the NOR gate 8. The other input terminal of the NAND gate 7 and the other input terminal of the OR gate 8 are connected to the second input terminal 2. The NAND gate 7, the inverter 6, and the NOR gate 8 operate between VEE and VCC, respectively.
The second input signal S2 input to the input terminal 2 of VEE is VEE
And a signal which changes between VCC and VCC.

【0005】Pchトランジスタ9のソースとNchト
ランジスタ10のソースは共に中間電位VM(2.5
V)に接続されている。Pchトランジスタ9のドレイ
ンとNchトランジスタ10のドレインは共に出力端子
3に接続されている。出力端子3は更に、第2のPch
トランジスタ11のドレイン及び第2のNchトランジ
スタ12のドレインにも接続されている。Pchトラン
ジスタ11のソースは正側電源電圧VCCに接続され、
ゲートはNANDゲート7の出力に接続されている。N
chトランジスタ12のソースは負側電源電圧VEEに
接続され、ゲートはNORゲート8の出力に接続されて
いる。
The source of the Pch transistor 9 and the source of the Nch transistor 10 are both at the intermediate potential VM (2.5
V). The drain of the Pch transistor 9 and the drain of the Nch transistor 10 are both connected to the output terminal 3. The output terminal 3 is further connected to the second Pch
The drain of the transistor 11 and the drain of the second Nch transistor 12 are also connected. The source of the Pch transistor 11 is connected to the positive power supply voltage VCC,
The gate is connected to the output of NAND gate 7. N
The source of the channel transistor 12 is connected to the negative power supply voltage VEE, and the gate is connected to the output of the NOR gate 8.

【0006】上記のような回路構成によれば、第1及び
第2の入力信号S1,S2のH又はLレベルの組合せに
よって、出力端子3に得られる出力信号S3の電位がV
CC,VEE及びVMの3つのうちのいずれかの電位に
なる。
According to the above-described circuit configuration, the potential of the output signal S3 obtained at the output terminal 3 becomes V, depending on the combination of the H and L levels of the first and second input signals S1 and S2.
It becomes one of three potentials of CC, VEE and VM.

【0007】例えば図3に示すように、第1の入力信号
S1がLレベルであれば、第2の入力信号S2に関係な
く、第1のPchトランジスタ9及びNchトランジス
タ10が共にオンになり、第2のPchトランジスタ1
1及びNchトランジスタ12が共にオフになる。した
がって、このときの出力信号S3の電位は中間電位VM
となる。
For example, as shown in FIG. 3, when the first input signal S1 is at L level, both the first Pch transistor 9 and the Nch transistor 10 are turned on regardless of the second input signal S2, Second Pch transistor 1
1 and the Nch transistor 12 are both turned off. Therefore, the potential of output signal S3 at this time is intermediate potential VM.
Becomes

【0008】第1の入力信号S1がHレベルの場合は、
第1のPchトランジスタ9及びNchトランジスタ1
0が共にオフになり、第2の入力信号S2に応じて第2
のPchトランジスタ11及びNchトランジスタ12
のいずれか一方がオンになる。つまり、第2の入力信号
S2がHレベルであればPchトランジスタ11かオン
になって出力信号S3の電位はVCCとなり、第2の入
力信号S2がLレベルであればNchトランジスタ12
がオンになって出力信号S3の電位はVEEとなる。
When the first input signal S1 is at H level,
First Pch transistor 9 and Nch transistor 1
0 are both turned off and the second input signal S2
Pch transistor 11 and Nch transistor 12
Is turned on. That is, when the second input signal S2 is at the H level, the Pch transistor 11 is turned on, and the potential of the output signal S3 becomes VCC. When the second input signal S2 is at the L level, the Nch transistor 12 is turned on.
Is turned on, and the potential of the output signal S3 becomes VEE.

【0009】このようにして、2つの入力信号S1,S
2のHレベル又はLレベルの組合せにより、出力Hレベ
ルVCC(40V)、出力LレベルVEE(−40V)
及び中間レベルVM(2.5V)の3種類の電圧のうち
の1つが出力信号S3として出力端子3から出力され
る。
Thus, the two input signals S1, S
Output H level VCC (40V), output L level VEE (-40V) by a combination of H level or L level
And one of the three voltages of the intermediate level VM (2.5 V) is output from the output terminal 3 as the output signal S3.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の電圧出力回路では、出力段のトランジス
タ、すなわち第2のPchトランジスタ11及びNch
トランジスタ12のゲートにVEE(−40V)からV
CC(40V)の電圧がフルに印加される。このため、
各トランジスタ11,12の十分な耐圧を確保する必要
があり、その結果、集積回路で構成する場合、チップ上
に各トランジスタを形成する面積が大きくなる。また、
インバータ6,NANDゲート7及びNORゲート8に
ついてもVEEからVCCの電圧がフルに印加されるの
で高耐圧設計としなければならず、これらの理由により
チップ面積が増大する。更に、出力電圧の切り換え時に
出力段のトランジスタの両方が一瞬オンになることによ
る貫通電流のために消費電力が大きくなるといった問題
もある。
However, in the conventional voltage output circuit as described above, the output stage transistors, that is, the second Pch transistor 11 and the Nch
VEE (-40V) is applied to the gate of the transistor 12 from VEE.
The voltage of CC (40V) is fully applied. For this reason,
It is necessary to ensure a sufficient withstand voltage of each of the transistors 11 and 12, and as a result, in the case of an integrated circuit, the area for forming each transistor on a chip becomes large. Also,
The inverter 6, the NAND gate 7, and the NOR gate 8 are also applied with the full voltage from VEE to VCC, and therefore must be designed to have a high withstand voltage. For these reasons, the chip area increases. Further, there is also a problem that power consumption is increased due to a through current caused by momentarily turning on both of the transistors in the output stage when the output voltage is switched.

【0011】本発明は、上記のような従来の課題を解決
し、出力段のトランジスタの耐圧を下げることができ、
それに伴いチップ面積を低減すると共に消費電力を下げ
ることができる電圧出力回路を提供することを目的とす
る。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems and can reduce the withstand voltage of the transistor in the output stage.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a voltage output circuit capable of reducing a chip area and power consumption.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の電圧出力回路
は、論理Lレベル(例えば0V)と論理Hレベル(例え
ば5V)との間で変化する入力信号に基づいて、論理L
レベルより低い出力Lレベル(例えば−40V)、及
び、論理Hレベルより高い出力Hレベル(例えば40
V)の出力信号を選択的に出力する出力回路であって、
出力Lレベルに接続されたL側出力トランジスタと出力
Hレベルに接続されたH側出力トランジスタとを直列接
続し、その接続点から出力信号を出力し、入力信号を論
理Lレベルと出力Hレベルとの間で変化する信号にレベ
ル変換し、このレベル変換された信号でH側出力トラン
ジスタをオン・オフ制御する第1のレベルシフト回路
と、入力信号を出力Lレベルと論理Hレベルとの間で変
化する信号にレベル変換し、このレベル変換された信号
でL側出力トランジスタをオン・オフ制御する第2のレ
ベルシフト回路とを備えていることを特徴とする。
A voltage output circuit according to the present invention is based on an input signal that changes between a logic L level (for example, 0 V) and a logic H level (for example, 5 V).
An output L level lower than the level (for example, −40 V) and an output H level higher than the logical H level (for example, 40 V)
V) an output circuit for selectively outputting the output signal of V),
An L-side output transistor connected to the output L level and an H-side output transistor connected to the output H level are connected in series, an output signal is output from the connection point, and the input signal is set to a logical L level and an output H level. And a first level shift circuit that performs on / off control of the H-side output transistor with the level-converted signal, and converts the input signal between the output L level and the logical H level. A second level shift circuit that converts the level of the signal into a changing signal, and controls on / off of the L-side output transistor with the level-converted signal.

【0013】また、本発明の電圧出力回路の第2の構成
は、論理Lレベル(例えば0V)と論理Hレベル(例え
ば5V)との間で変化する2つの入力信号に基づいて、
論理Lレベルより低い出力Lレベル(例えば−40
V)、論理Hレベルより高い出力Hレベル(例えば40
V)、及び出力Lレベルと出力Hレベルとの間の中間レ
ベル(例えば2.5V)のうちのいずれかの電位の出力
信号を選択的に出力する出力回路であって、出力Lレベ
ルに接続されたL側出力トランジスタと出力Hレベルに
接続されたH側出力トランジスタとを直列接続し、その
接続点から出力信号を出力し、2つの入力信号から第1
及び第2のデコード信号を生成するデコード回路と、第
1のデコード信号を論理Lレベルと出力Hレベルとの間
で変化する信号にレベル変換し、このレベル変換された
信号でH側出力トランジスタをオン・オフ制御する第1
のレベルシフト回路と、第2のデコード信号を出力Lレ
ベルと論理Hレベルとの間で変化する信号にレベル変換
し、このレベル変換された信号でL側出力トランジスタ
をオン・オフ制御する第2のレベルシフト回路と、H側
出力トランジスタ及びL側出力トランジスタが共にオフ
のときに中間レベルをL側出力トランジスタとH側出力
トランジスタとの接続点に接続するスイッチ回路とを備
えていることを特徴とする。
A second configuration of the voltage output circuit according to the present invention is based on two input signals that change between a logic L level (for example, 0 V) and a logic H level (for example, 5 V).
An output L level lower than the logical L level (for example, -40
V), the output H level higher than the logical H level (for example, 40
V) and an output circuit for selectively outputting an output signal of any one of an intermediate level (for example, 2.5 V) between the output L level and the output H level, which is connected to the output L level. The L-side output transistor and the H-side output transistor connected to the output H level are connected in series, an output signal is output from the connection point, and the first input signal is output from the two input signals.
And a decode circuit for generating a second decode signal; and converting the first decode signal into a signal that changes between a logical L level and an output H level, and using the level-converted signal to output an H-side output transistor. 1st on / off control
And a second level shift circuit for converting the level of the second decode signal into a signal that changes between the output L level and the logical H level, and performing on / off control of the L-side output transistor with the level-converted signal. And a switch circuit for connecting an intermediate level to a connection point between the L-side output transistor and the H-side output transistor when both the H-side output transistor and the L-side output transistor are off. And

【0014】上記のような構成によれば、H側出力トラ
ンジスタのゲートに印加される電圧の範囲は論理Lレベ
ル(0V)から出力Hレベル(40V)であり、従来の
半分となる。同様に、L側出力トランジスタのゲートに
印加される電圧の範囲は出力Lレベル(−40V)から
論理Hレベル(5V)であり、従来の半分近くの電圧と
なる。したがって、出力段のトランジスタの耐圧を大幅
に下げることができ、これに伴って集積回路のチップ面
積及び消費電力を低減するとことができる。
According to the above configuration, the range of the voltage applied to the gate of the H-side output transistor ranges from the logic L level (0 V) to the output H level (40 V), which is half the conventional level. Similarly, the range of the voltage applied to the gate of the L-side output transistor is from the output L level (−40 V) to the logic H level (5 V), which is almost half of the conventional voltage. Therefore, the withstand voltage of the transistor in the output stage can be significantly reduced, and accordingly, the chip area and power consumption of the integrated circuit can be reduced.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。 (実施形態1)図1は本発明の第1の実施形態に係る電
圧出力回路を示している。図1において、2つの入力端
子1,2に入力された入力信号S1,S2はインバータ
21,NANDゲート22及びNORゲート23からな
るデコード回路によって2つのデコード信号となる。そ
のうちの一方は第1のレベルシフト回路24に与えら
れ、他方は第2のレベルシフト回路25に与えられる。
入力信号S1,S2は共に論理LレベルGND(0V)
と論理HレベルVDD(5V)との間で変化する信号で
ある。インバータ21,NANDゲート22及びNOR
ゲート23はGND(0V)とVDD(5V)との間で
動作する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 shows a voltage output circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, input signals S1 and S2 input to two input terminals 1 and 2 are converted into two decoded signals by a decoding circuit including an inverter 21, a NAND gate 22, and a NOR gate 23. One of them is provided to the first level shift circuit 24, and the other is provided to the second level shift circuit 25.
The input signals S1 and S2 are both at the logical low level GND (0 V)
And a logic H level VDD (5 V). Inverter 21, NAND gate 22, and NOR
Gate 23 operates between GND (0 V) and VDD (5 V).

【0016】第1のレベルレベルシフト回路24は入力
されたGND(0V)レベル又はVDD(5V)レベル
の信号をGND(0V)レベル又は出力HレベルVCC
(40V)の信号に変換してH側(Pch)出力トラン
ジスタ28のゲートに与える。一方、第2のレベルレベ
ルシフト回路25は入力されたGND(0V)レベル又
はVDD(5V)レベルの信号を出力LレベルVEE
(−40V)又はVDD(5V)の信号に変換してL側
(Nch)出力トランジスタ29のゲートに与える。
The first level shift circuit 24 converts the input GND (0 V) level or VDD (5 V) level signal to the GND (0 V) level or the output H level VCC.
The signal is converted to a signal of (40 V) and applied to the gate of the H-side (Pch) output transistor 28. On the other hand, the second level shift circuit 25 outputs the input GND (0 V) level or VDD (5 V) level signal to the output L level VEE.
The signal is converted into a signal of (-40 V) or VDD (5 V) and is applied to the gate of the L-side (Nch) output transistor 29.

【0017】図3に示した従来の回路と同様に、H側出
力トランジスタ28のソースは出力Hレベルの電源電圧
VCCに接続され、L側出力トランジスタ29のソース
は出力Lレベルの電源電圧VEEに接続されている。そ
して、H側出力トランジスタ28のドレインとL側出力
トランジスタ29のドレインとが接続され、この接続点
が出力端子3に接続されている。この出力端子3から出
力信号S3が出力される。
As in the conventional circuit shown in FIG. 3, the source of the H-side output transistor 28 is connected to the output H-level power supply voltage VCC, and the source of the L-side output transistor 29 is connected to the output L-level power supply voltage VEE. It is connected. The drain of the H-side output transistor 28 and the drain of the L-side output transistor 29 are connected, and this connection point is connected to the output terminal 3. An output signal S3 is output from the output terminal 3.

【0018】更に、中間レベルVM(2.5V)と出力
端子3との間に別のPch及びNchトランジスタ2
6,27を直列接続したスイッチ回路が接続されてい
る。Pchトランジスタ26のゲートはL側出力トラン
ジスタ29のゲートに接続され、Nchトランジスタ2
7のゲートはH側出力トランジスタ28のゲートに接続
されている。
Further, another Pch and Nch transistor 2 is connected between the intermediate level VM (2.5 V) and the output terminal 3.
A switch circuit in which 6, 27 are connected in series is connected. The gate of the Pch transistor 26 is connected to the gate of the L-side output transistor 29, and the Nch transistor 2
The gate of 7 is connected to the gate of the H-side output transistor 28.

【0019】上記のような回路構成によれば、2つの入
力信号S1,S2のH又はLレベルの組合せによって、
出力端子3に得られる出力信号S3がVCC,VEE及
びVMの3つのうちのいずれかの電位になる。
According to the above circuit configuration, the combination of the two input signals S1 and S2 at the H or L level allows
The output signal S3 obtained at the output terminal 3 has one of three potentials of VCC, VEE and VM.

【0020】例えば、図1に示すように、第1の入力信
号S1がLレベルであれば、第2の入力信号S2に関係
なく、第1のレベルシフト回路24の入力信号がHレベ
ルになり、第2のレベルシフト回路25の入力信号がL
レベルになる。この結果、H側出力トランジスタ28及
びL側出力トランジスタ29が共にオフになる。一方、
Lレベル信号がゲートに入力されるPchトランジスタ
26及びHレベル信号がゲートに入力されるNchトラ
ンジスタ27は共にオンになる。したがって、このとき
の出力信号S3の電位は中間電位VMとなる。
For example, as shown in FIG. 1, if the first input signal S1 is at L level, the input signal of the first level shift circuit 24 becomes H level regardless of the second input signal S2. , The input signal of the second level shift circuit 25 is L
Become a level. As a result, both the H-side output transistor 28 and the L-side output transistor 29 are turned off. on the other hand,
The Pch transistor 26 to which the L level signal is input to the gate and the Nch transistor 27 to which the H level signal is input to the gate are both turned on. Therefore, the potential of the output signal S3 at this time becomes the intermediate potential VM.

【0021】第1の入力信号S1がHレベルの場合は、
第2の入力信号S2に応じて、第1のレベルシフト回路
24の入力信号及び第2のレベルシフト回路25の入力
信号が共にHレベル又はLレベルになる。つまり、第2
の入力信号S2がHレベルであれば、第1及び第2のレ
ベルシフト回路24,25の入力信号が共にLレベルと
なり、第2の入力信号S2がLレベルであれば、第1及
び第2のレベルシフト回路24,25の入力信号が共に
Hレベルとなる。前者の場合はH側出力トランジスタ2
8がオン、L側出力トランジスタ29がオフとなるの
で、このときの出力信号S3の電位はVCCとなる。後
者の場合は、H側出力トランジスタ28がオフ、L側出
力トランジスタ29がオンとなるので、このときの出力
信号S3の電位はVEEとなる。また、いずれの場合
も、Pchトランジスタ26及びNchトランジスタ2
7のいずれか一方がオフになるので、中間電位VMと出
力端子3とは遮断されている。
When the first input signal S1 is at H level,
In response to the second input signal S2, both the input signal of the first level shift circuit 24 and the input signal of the second level shift circuit 25 become H level or L level. That is, the second
If the input signal S2 is at H level, the input signals of the first and second level shift circuits 24 and 25 are both at L level, and if the second input signal S2 is at L level, the first and second Input signals of the level shift circuits 24 and 25 attain the H level. In the former case, the H-side output transistor 2
8 is turned on, and the L-side output transistor 29 is turned off. At this time, the potential of the output signal S3 becomes VCC. In the latter case, since the H-side output transistor 28 is turned off and the L-side output transistor 29 is turned on, the potential of the output signal S3 at this time becomes VEE. In each case, the Pch transistor 26 and the Nch transistor 2
7, the intermediate potential VM and the output terminal 3 are cut off.

【0022】上記のような動作によれば、H側出力トラ
ンジスタ28のゲートに印加される電圧の範囲はGND
(0V)からVCC(40V)であり、従来(−40V
から40V)の半分となる。同様に、L側出力トランジ
スタ29のゲートに印加される電圧の範囲はVEE(−
40V)からVDD(5V)であり、従来(−40Vか
ら40V)の半分近くの電圧となる。したがって、両ト
ランジスタ28,29の耐圧を大幅に下げることがで
き、これに伴って集積回路のチップ面積及び消費電力を
低減するとことができる。
According to the above operation, the range of the voltage applied to the gate of the H-side output transistor 28 is GND.
(0V) to VCC (40V) and the conventional (-40V)
To 40V). Similarly, the range of the voltage applied to the gate of the L-side output transistor 29 is VEE (−
40V) to VDD (5V), which is nearly half of the conventional voltage (-40V to 40V). Therefore, the breakdown voltage of both transistors 28 and 29 can be greatly reduced, and the chip area and power consumption of the integrated circuit can be reduced accordingly.

【0023】(実施形態2)上記の第1の実施形態は出
力S3として、VCC,VEE及びVMの3種類の電圧
のうちの一つを選択的に出力する電圧出力回路である
が、本発明は、これに限らず、例えばVCC及びVEE
のいずれか一方を選択的に出力する電圧出力回路にも適
用することができる。このような実施形態の回路図を図
2に示す。この回路では、図1に示した第1の実施形態
の回路からVMと出力端子3との間のスイッチ回路が削
除されている。また、入力信号はS1だけであり、デコ
ード回路も削除されている。他の回路構成は同じである
ので、動作説明は省略する。
(Embodiment 2) The first embodiment is a voltage output circuit for selectively outputting one of three voltages, VCC, VEE and VM, as an output S3. Is not limited to this, for example, VCC and VEE
The present invention can also be applied to a voltage output circuit that selectively outputs either one of them. A circuit diagram of such an embodiment is shown in FIG. In this circuit, a switch circuit between the VM and the output terminal 3 is deleted from the circuit of the first embodiment shown in FIG. Further, the input signal is only S1, and the decoding circuit is also omitted. Since other circuit configurations are the same, the description of the operation is omitted.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明の電圧出力回
路によれば、出力段のH側(Pch)トランジスタ及び
L側(Nch)トランジスタの耐圧を従来に比べてほぼ
半分に下げることができるので、集積回路のチップ面積
及び消費電力を低減するとことができる。
As described above, according to the voltage output circuit of the present invention, the withstand voltage of the H-side (Pch) transistor and the L-side (Nch) transistor in the output stage can be reduced to almost half as compared with the prior art. Therefore, the chip area and power consumption of the integrated circuit can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る電圧出力回路の
回路図
FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage output circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施形態に係る電圧出力回路の
回路図
FIG. 2 is a circuit diagram of a voltage output circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の電圧出力回路の回路図FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional voltage output circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 入力端子 3 出力端子 21 インバータ 22 NANDゲート 23 NORゲート 24,25 レベルシフト回路 26,28 Pチャンネルトランジスタ 27,29 Nチャンネルトランジスタ 1, 2 input terminals 3 output terminals 21 inverter 22 NAND gate 23 NOR gate 24, 25 level shift circuit 26, 28 P-channel transistor 27, 29 N-channel transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 真弓 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5J056 AA04 AA11 BB17 BB57 CC00 CC21 DD12 DD28 FF07 FF09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Mayumi Matsushita 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference) 5J056 AA04 AA11 BB17 BB57 CC00 CC21 DD12 DD28 FF07 FF09

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 論理Lレベルと論理Hレベルとの間で変
化する入力信号に基づいて、前記論理Lレベルより低い
出力Lレベル又は論理Hレベルより高い出力Hレベルの
出力信号を選択的に出力する出力回路であって、 前記出力Lレベルに接続されたL側出力トランジスタと
前記出力Hレベルに接続されたH側出力トランジスタと
を直列接続し、その接続点から前記出力信号を出力し、 前記入力信号を前記論理Lレベルと前記出力Hレベルと
の間で変化する信号にレベル変換し、このレベル変換さ
れた信号で前記H側出力トランジスタをオン・オフ制御
する第1のレベルシフト回路と、 前記入力信号を前記出力Lレベルと論理Hレベルとの間
で変化する信号にレベル変換し、このレベル変換された
信号で前記L側出力トランジスタをオン・オフ制御する
第2のレベルシフト回路とを備えている電圧出力回路。
1. An output signal having an output L level lower than the logic L level or an output H level higher than the logic H level is selectively output based on an input signal which changes between a logic L level and a logic H level. An output circuit that connects an L-side output transistor connected to the output L level and an H-side output transistor connected to the output H level in series, and outputs the output signal from a connection point thereof; A first level shift circuit that level-converts an input signal into a signal that changes between the logical L level and the output H level, and controls on / off of the H-side output transistor with the level-converted signal; The input signal is level-converted into a signal that changes between the output L level and the logic H level, and the L-side output transistor is turned on / off with the level-converted signal. A second level shift circuit for controlling the voltage output circuit.
【請求項2】 論理Lレベルと論理Hレベルとの間で変
化する2つの入力信号に基づいて、前記論理Lレベルよ
り低い出力Lレベル、前記論理Hレベルより高い出力H
レベル、及び前記出力Lレベルと前記出力Hレベルとの
間の中間レベルのうちのいずれかの電位の出力信号を選
択的に出力する出力回路であって、 前記出力Lレベルに接続されたL側出力トランジスタと
前記出力Hレベルに接続されたH側出力トランジスタと
を直列接続し、その接続点から前記出力信号を出力し、 前記2つの入力信号から第1及び第2のデコード信号を
生成するデコード回路と、 前記第1のデコード信号を前記論理Lレベルと前記出力
Hレベルとの間で変化する信号にレベル変換し、このレ
ベル変換された信号で前記H側出力トランジスタをオン
・オフ制御する第1のレベルシフト回路と、 前記第2のデコード信号を前記出力Lレベルと論理Hレ
ベルとの間で変化する信号にレベル変換し、このレベル
変換された信号で前記L側出力トランジスタをオン・オ
フ制御する第2のレベルシフト回路と、 前記H側出力トランジスタ及び前記L側出力トランジス
タが共にオフのときに前記中間レベルを前記L側出力ト
ランジスタと前記H側出力トランジスタとの接続点に接
続するスイッチ回路とを備えている電圧出力回路。
2. An output L level lower than the logic L level and an output H higher than the logic H level based on two input signals that change between a logic L level and a logic H level.
An output circuit for selectively outputting an output signal of any one of a level and an intermediate level between the output L level and the output H level, wherein the L side connected to the output L level An output transistor and an H-side output transistor connected to the output H level are connected in series, the output signal is output from the connection point, and a first and a second decode signal are generated from the two input signals. A circuit that converts the level of the first decode signal into a signal that changes between the logical L level and the output H level, and controls on / off of the H-side output transistor with the level-converted signal. And a level shift circuit for converting the level of the second decode signal into a signal that changes between the output L level and the logical H level. A second level shift circuit for controlling ON / OFF of the L-side output transistor; and when the H-side output transistor and the L-side output transistor are both off, the intermediate level is set to the L-side output transistor and the H-side output. A voltage output circuit comprising: a switch circuit connected to a connection point with the transistor.
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