JPH0982632A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH0982632A JPH0982632A JP7262198A JP26219895A JPH0982632A JP H0982632 A JPH0982632 A JP H0982632A JP 7262198 A JP7262198 A JP 7262198A JP 26219895 A JP26219895 A JP 26219895A JP H0982632 A JPH0982632 A JP H0982632A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板ステージ位置検出系と基板マーク位置検
出系との間のオフセットドリフトの発生を抑えて、基板
の高精度な位置検出が可能な投影露光装置。 【解決手段】 投影露光装置において、基板位置検出系
が、第１基準マークと基板上に形成された基板マークと
に基づいて、基板マークの位置を検出するための基板マ
ーク位置検出系と、基板ステージに形成された基板ステ
ージマークと、第１基準マークと一体的に保持された第
２基準マークとに基づいて、基板ステージの位置を検出
するための基板ステージ位置検出系とを備えている。
出系との間のオフセットドリフトの発生を抑えて、基板
の高精度な位置検出が可能な投影露光装置。 【解決手段】 投影露光装置において、基板位置検出系
が、第１基準マークと基板上に形成された基板マークと
に基づいて、基板マークの位置を検出するための基板マ
ーク位置検出系と、基板ステージに形成された基板ステ
ージマークと、第１基準マークと一体的に保持された第
２基準マークとに基づいて、基板ステージの位置を検出
するための基板ステージ位置検出系とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
または液晶表示素子等を製造するためのフォトリソグラ
フィ工程で使用される投影露光装置に関し、特に走査型
投影露光装置における感光基板の位置検出に関する。
または液晶表示素子等を製造するためのフォトリソグラ
フィ工程で使用される投影露光装置に関し、特に走査型
投影露光装置における感光基板の位置検出に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在実用化されている逐次露光型の投影
露光装置の多くには、マスクとしてのレチクルと感光性
基板としてのウエハ（またはガラスプレート等）とを光
学的に位置合わせするためのアライメント系が組み込ま
れている。このようなアライメント系では、種々のアラ
イメント方式が用いられている。これら種々のアライメ
ント方式のうちで高精度なアライメント方式として、レ
チクルの回路パターン周辺に形成されたアライメントマ
ーク（レチクルマーク）と、ウエハ上の各ショット領域
に形成されたアライメントマーク（ウエハマーク）とを
投影光学系を介して同時に検出するＴＴＲ（スルー・ザ
・レチクル）方式が知られている。
露光装置の多くには、マスクとしてのレチクルと感光性
基板としてのウエハ（またはガラスプレート等）とを光
学的に位置合わせするためのアライメント系が組み込ま
れている。このようなアライメント系では、種々のアラ
イメント方式が用いられている。これら種々のアライメ
ント方式のうちで高精度なアライメント方式として、レ
チクルの回路パターン周辺に形成されたアライメントマ
ーク（レチクルマーク）と、ウエハ上の各ショット領域
に形成されたアライメントマーク（ウエハマーク）とを
投影光学系を介して同時に検出するＴＴＲ（スルー・ザ
・レチクル）方式が知られている。
【０００３】ＴＴＲ方式のアライメント系では、レチク
ルの上方に配置されたアライメント系によってレチクル
マークとウエハマークとの相対的な位置ずれ量が計測さ
れ、この位置ずれ量が所定の関係に維持されるようにレ
チクルおよびウエハの少なくとも一方の位置または回転
角が微調整される。一方、ＴＴＲ方式以外のアライメン
ト系として、いわゆるオフアクシス方式のアライメント
系が知られている。オフアクシス方式のアライメント系
では、ウエハ観察系によりウエハマークを、ウエハ観察
系とは別のレチクル観察系によりレチクルマークを、そ
れぞれ投影光学系を介することなく観察する。
ルの上方に配置されたアライメント系によってレチクル
マークとウエハマークとの相対的な位置ずれ量が計測さ
れ、この位置ずれ量が所定の関係に維持されるようにレ
チクルおよびウエハの少なくとも一方の位置または回転
角が微調整される。一方、ＴＴＲ方式以外のアライメン
ト系として、いわゆるオフアクシス方式のアライメント
系が知られている。オフアクシス方式のアライメント系
では、ウエハ観察系によりウエハマークを、ウエハ観察
系とは別のレチクル観察系によりレチクルマークを、そ
れぞれ投影光学系を介することなく観察する。
【０００４】ところで、半導体素子の大集積化の要望は
年々高くなっており、要求される回路パターンのパター
ンルール（線幅）はますます小さくなっている。投影光
学系が解像することのできる線幅は波長に比例して小さ
くなることが知られており、より小さなパターンルール
の回路パターンを露光するためには露光に使用する光の
波長を短くすれば良い。最近では、たとえばＫｒＦを媒
体としたエキシマレーザ光（波長２４９ｎｍ）やＡｒＦ
を媒体としたエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を使
った投影露光装置が提案されている。
年々高くなっており、要求される回路パターンのパター
ンルール（線幅）はますます小さくなっている。投影光
学系が解像することのできる線幅は波長に比例して小さ
くなることが知られており、より小さなパターンルール
の回路パターンを露光するためには露光に使用する光の
波長を短くすれば良い。最近では、たとえばＫｒＦを媒
体としたエキシマレーザ光（波長２４９ｎｍ）やＡｒＦ
を媒体としたエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を使
った投影露光装置が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のようなエキシマ
レーザ光（波長１９３ｎｍまたは２４８ｎｍなど）で露
光を行う投影露光装置において、投影光学系は露光光で
あるエキシマレーザ光に対して良好に収差補正されてい
る。ところで、ウエハ上に塗布されたレジストの感光を
避けるためには、アライメント光としてたとえば赤色光
（波長６００ｎｍ〜８００ｎｍ）を使用する必要があ
る。この場合、投影光学系においてアライメント光に対
して大きな色収差（軸上色収差、倍率色収差等）が発生
する。
レーザ光（波長１９３ｎｍまたは２４８ｎｍなど）で露
光を行う投影露光装置において、投影光学系は露光光で
あるエキシマレーザ光に対して良好に収差補正されてい
る。ところで、ウエハ上に塗布されたレジストの感光を
避けるためには、アライメント光としてたとえば赤色光
（波長６００ｎｍ〜８００ｎｍ）を使用する必要があ
る。この場合、投影光学系においてアライメント光に対
して大きな色収差（軸上色収差、倍率色収差等）が発生
する。
【０００６】このように、アライメント光に対して投影
光学系において大きな色収差が発生するような場合、Ｔ
ＴＲ方式により投影光学系を介してウエハ位置を検出す
ることは困難である。そこで、特に波長の短い露光光を
用いる投影露光装置では、投影光学系とは別のウエハ観
察系を介してウエハ位置を検出するオフアクシス方式が
用いられている。
光学系において大きな色収差が発生するような場合、Ｔ
ＴＲ方式により投影光学系を介してウエハ位置を検出す
ることは困難である。そこで、特に波長の短い露光光を
用いる投影露光装置では、投影光学系とは別のウエハ観
察系を介してウエハ位置を検出するオフアクシス方式が
用いられている。
【０００７】ウエハ観察系では、ウエハ観察系の内部に
設けられた基準指標とウエハマーク像とに基づいてウエ
ハマークの位置を検出する。一方、ウエハステージの位
置は、ウエハステージに設けられた移動鏡と投影光学系
に設けられた固定鏡とを用いたレーザ干渉計により計測
される。そして、ウエハ観察系で検出されたウエハマー
クの位置と、レーザ干渉計により計測されたウエハステ
ージの位置との基づいて、ウエハの位置が検出される。
なお、露光中においては、レーザ干渉計により計測され
たウエハステージの位置（すなわち移動量）とウエハの
初期位置との基づいて、ウエハの現在位置が検出され
る。
設けられた基準指標とウエハマーク像とに基づいてウエ
ハマークの位置を検出する。一方、ウエハステージの位
置は、ウエハステージに設けられた移動鏡と投影光学系
に設けられた固定鏡とを用いたレーザ干渉計により計測
される。そして、ウエハ観察系で検出されたウエハマー
クの位置と、レーザ干渉計により計測されたウエハステ
ージの位置との基づいて、ウエハの位置が検出される。
なお、露光中においては、レーザ干渉計により計測され
たウエハステージの位置（すなわち移動量）とウエハの
初期位置との基づいて、ウエハの現在位置が検出され
る。
【０００８】上述したように、レーザ干渉計では、ウエ
ハステージに設けられた移動鏡に対して、投影光学系に
設けられた固定鏡を基準体としてウエハステージの位置
検出を行っている。一方、ウエハ観察系では、ウエハ上
に形成されたウエハマークに対して、ウエハ観察系の内
部に形成された基準指標を基準体としてウエハマークの
位置検出を行っている。なお、ウエハ観察系は、投影光
学系を支持している架台に取り付けられている。
ハステージに設けられた移動鏡に対して、投影光学系に
設けられた固定鏡を基準体としてウエハステージの位置
検出を行っている。一方、ウエハ観察系では、ウエハ上
に形成されたウエハマークに対して、ウエハ観察系の内
部に形成された基準指標を基準体としてウエハマークの
位置検出を行っている。なお、ウエハ観察系は、投影光
学系を支持している架台に取り付けられている。
【０００９】したがって、温度などの環境の変化や振動
等に起因してミラーなどの光学系の変動が起こると、レ
ーザ干渉計の基準体である固定鏡とウエハ観察系の基準
体である基準指標との相対位置が変化する。その結果、
レーザ干渉計とウエハ観察系との間にいわゆるオフセッ
トドリフトが発生し、ウエハの位置検出の精度が低下す
る恐れがあった。
等に起因してミラーなどの光学系の変動が起こると、レ
ーザ干渉計の基準体である固定鏡とウエハ観察系の基準
体である基準指標との相対位置が変化する。その結果、
レーザ干渉計とウエハ観察系との間にいわゆるオフセッ
トドリフトが発生し、ウエハの位置検出の精度が低下す
る恐れがあった。
【００１０】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、基板ステージ位置検出系と基板マーク位置検
出系との間のオフセットドリフトの発生を抑えて、基板
の高精度な位置検出が可能な投影露光装置を提供するこ
とを目的とする。
のであり、基板ステージ位置検出系と基板マーク位置検
出系との間のオフセットドリフトの発生を抑えて、基板
の高精度な位置検出が可能な投影露光装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、所定のパターンが形成されたマ
スクを照明するための照明光学系と、前記マスクに形成
された前記所定のパターンの像を感光性の基板上に形成
するための投影光学系と、前記基板を保持し且つ前記投
影光学系の光軸に垂直な面内において移動可能な基板ス
テージと、前記基板の位置を検出するための基板位置検
出系とを備えた投影露光装置において、前記基板位置検
出系は、第１基準マークと前記基板上に形成された基板
マークとに基づいて、前記基板マークの位置を検出する
ための基板マーク位置検出系と、前記基板ステージに形
成された基板ステージマークと、前記第１基準マークと
一体的に保持された第２基準マークとに基づいて、前記
基板ステージの位置を検出するための基板ステージ位置
検出系とを備えていることを特徴とする投影露光装置を
提供する。
に、本発明においては、所定のパターンが形成されたマ
スクを照明するための照明光学系と、前記マスクに形成
された前記所定のパターンの像を感光性の基板上に形成
するための投影光学系と、前記基板を保持し且つ前記投
影光学系の光軸に垂直な面内において移動可能な基板ス
テージと、前記基板の位置を検出するための基板位置検
出系とを備えた投影露光装置において、前記基板位置検
出系は、第１基準マークと前記基板上に形成された基板
マークとに基づいて、前記基板マークの位置を検出する
ための基板マーク位置検出系と、前記基板ステージに形
成された基板ステージマークと、前記第１基準マークと
一体的に保持された第２基準マークとに基づいて、前記
基板ステージの位置を検出するための基板ステージ位置
検出系とを備えていることを特徴とする投影露光装置を
提供する。
【００１２】本発明の好ましい態様によれば、前記第１
基準マークおよび前記第２基準マークは、前記投影光学
系と一体的に保持されている。また、前記基板ステージ
マークは、前記基板ステージに固定された移動反射鏡の
反射面であり、前記第２基準マークは前記投影光学系に
固定された固定反射鏡の反射面であり、前記基板ステー
ジ位置検出系は、前記移動反射鏡の反射面に対する測長
ビームと前記固定反射鏡の反射面に対する参照ビームと
の干渉に基づいて、前記投影光学系に対する前記基板ス
テージの位置を検出する干渉計であることが好ましい。
基準マークおよび前記第２基準マークは、前記投影光学
系と一体的に保持されている。また、前記基板ステージ
マークは、前記基板ステージに固定された移動反射鏡の
反射面であり、前記第２基準マークは前記投影光学系に
固定された固定反射鏡の反射面であり、前記基板ステー
ジ位置検出系は、前記移動反射鏡の反射面に対する測長
ビームと前記固定反射鏡の反射面に対する参照ビームと
の干渉に基づいて、前記投影光学系に対する前記基板ス
テージの位置を検出する干渉計であることが好ましい。
【００１３】また、前記基板マーク位置検出系は、広帯
域波長または単色光を有する照明光を供給するための照
明光供給手段と、前記投影光学系と前記基板との間にお
いて前記投影光学系に固定されるとともに、前記照明光
供給手段からの照明光の光路中に設けられた光学部材
と、前記照明光に対する前記基板マークからの光に基づ
いて前記基板マークの像を検出するための像検出光学系
とを備え、前記第１基準マークは、前記基板マークと光
学的にほぼ共役な位置に形成され、前記第１基準マーク
および前記第２基準マークは、前記光学部材に一体的に
形成され、前記基板マーク位置検出系は、前記像検出光
学系を介して形成された前記基板マークの像と前記第１
基準マークの像とに基づいて、前記基板マークの位置を
検出することが好ましい。
域波長または単色光を有する照明光を供給するための照
明光供給手段と、前記投影光学系と前記基板との間にお
いて前記投影光学系に固定されるとともに、前記照明光
供給手段からの照明光の光路中に設けられた光学部材
と、前記照明光に対する前記基板マークからの光に基づ
いて前記基板マークの像を検出するための像検出光学系
とを備え、前記第１基準マークは、前記基板マークと光
学的にほぼ共役な位置に形成され、前記第１基準マーク
および前記第２基準マークは、前記光学部材に一体的に
形成され、前記基板マーク位置検出系は、前記像検出光
学系を介して形成された前記基板マークの像と前記第１
基準マークの像とに基づいて、前記基板マークの位置を
検出することが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の投影露光装置では、基板
マーク位置検出系の基準体である第１基準マークと基板
ステージ位置検出系の基準体である第２基準マークと
が、たとえば投影光学系に一体的に保持されている。し
たがって、基板ステージ位置検出系と基板マーク位置検
出系との間に、２つの基準体の相対変位に起因するオフ
セットドリフトが発生することがない。その結果、本発
明の投影露光装置では、基板の位置を高精度に検出する
ことが可能となる。
マーク位置検出系の基準体である第１基準マークと基板
ステージ位置検出系の基準体である第２基準マークと
が、たとえば投影光学系に一体的に保持されている。し
たがって、基板ステージ位置検出系と基板マーク位置検
出系との間に、２つの基準体の相対変位に起因するオフ
セットドリフトが発生することがない。その結果、本発
明の投影露光装置では、基板の位置を高精度に検出する
ことが可能となる。
【００１５】具体的な実施の形態によれば、基板ステー
ジ位置検出系は、たとえばレーザ干渉計である。この場
合、基板ステージ位置検出系において、基板ステージマ
ークは基板ステージに固定された移動反射鏡の反射面で
あり、第２基準マークは投影光学系に固定された固定反
射鏡の反射面である。そして、移動反射鏡の反射面に対
する測長ビームと固定反射鏡の反射面に対する参照ビー
ムとの干渉に基づいて基板ステージの位置を検出する。
ジ位置検出系は、たとえばレーザ干渉計である。この場
合、基板ステージ位置検出系において、基板ステージマ
ークは基板ステージに固定された移動反射鏡の反射面で
あり、第２基準マークは投影光学系に固定された固定反
射鏡の反射面である。そして、移動反射鏡の反射面に対
する測長ビームと固定反射鏡の反射面に対する参照ビー
ムとの干渉に基づいて基板ステージの位置を検出する。
【００１６】また、具体的な実施の形態によれば、基板
マーク位置検出系は、たとえば広帯域波長を有する照明
光を用いて基板マーク像を検出する観察系である。この
観察系では、投影光学系に固定された光学部材（基準
体）の１つとしての偏向手段を介して基板マークに照明
光を照射し、基板マークからの光に基づいて基板マーク
の像を検出する。なお、観察系の基準体である第１基準
マークが基板マークと光学的にほぼ共役な位置に形成さ
れていれば、基板マークの像と第１基準マークの像とを
良好な結像状態で同時に観察することができる。
マーク位置検出系は、たとえば広帯域波長を有する照明
光を用いて基板マーク像を検出する観察系である。この
観察系では、投影光学系に固定された光学部材（基準
体）の１つとしての偏向手段を介して基板マークに照明
光を照射し、基板マークからの光に基づいて基板マーク
の像を検出する。なお、観察系の基準体である第１基準
マークが基板マークと光学的にほぼ共役な位置に形成さ
れていれば、基板マークの像と第１基準マークの像とを
良好な結像状態で同時に観察することができる。
【００１７】また、基板マーク位置検出系の第１基準マ
ークおよび基板ステージ位置検出系の第２基準マーク
が、基板ステージと構造的に隔絶された投影光学系に固
定された光学部材（基準体）の１つとしての偏向手段に
一体的に形成されているのが好ましい。なお、投影光学
系に対してマスクおよび基板を相対的に移動させながら
走査露光を行う走査型投影露光装置では、マスクマーク
位置検出系およびマスクステージ位置検出系に対して、
上述の基板マーク位置検出系および基板ステージ位置検
出系の構成をそれぞれ適用することができる。
ークおよび基板ステージ位置検出系の第２基準マーク
が、基板ステージと構造的に隔絶された投影光学系に固
定された光学部材（基準体）の１つとしての偏向手段に
一体的に形成されているのが好ましい。なお、投影光学
系に対してマスクおよび基板を相対的に移動させながら
走査露光を行う走査型投影露光装置では、マスクマーク
位置検出系およびマスクステージ位置検出系に対して、
上述の基板マーク位置検出系および基板ステージ位置検
出系の構成をそれぞれ適用することができる。
【００１８】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の実施例にかかる投影露光装置
の構成を概略的に示す図である。なお、本実施例は、投
影光学系に対してマスクおよびウエハをそれぞれ相対的
に移動させながら露光を行う、いわゆるレンズスキャン
方式の走査型投影露光装置に本発明を適用した例であ
る。図１では、投影光学系の光軸に対して平行にｚ軸
が、光軸に垂直な平面内において図１の紙面に平行な方
向にｘ軸が、ｚ軸およびｘ軸に垂直な方向にｙ軸がそれ
ぞれ設定されている。
明する。図１は、本発明の実施例にかかる投影露光装置
の構成を概略的に示す図である。なお、本実施例は、投
影光学系に対してマスクおよびウエハをそれぞれ相対的
に移動させながら露光を行う、いわゆるレンズスキャン
方式の走査型投影露光装置に本発明を適用した例であ
る。図１では、投影光学系の光軸に対して平行にｚ軸
が、光軸に垂直な平面内において図１の紙面に平行な方
向にｘ軸が、ｚ軸およびｘ軸に垂直な方向にｙ軸がそれ
ぞれ設定されている。
【００１９】図示の投影露光装置は、たとえばＫｒＦま
たはＡｒＦを媒体としたエキシマレーザ光（波長２４９
ｎｍまたは１９３ｎｍ）のような露光光でマスク１を均
一に照明するための照明光学系３を備えている。マスク
１はマスクステージ２上に保持されており、マスクステ
ージ２は投影光学系４の光軸に対して垂直なｘｙ平面内
においてｘ方向およびｙ方向に移動可能である。なお、
マスクステージ２のｘ方向移動量およびｙ方向移動量
は、マスクステージ用レーザ干渉計１１によって常時計
測されている。レーザ干渉計１１の出力は、制御系１３
に供給される。
たはＡｒＦを媒体としたエキシマレーザ光（波長２４９
ｎｍまたは１９３ｎｍ）のような露光光でマスク１を均
一に照明するための照明光学系３を備えている。マスク
１はマスクステージ２上に保持されており、マスクステ
ージ２は投影光学系４の光軸に対して垂直なｘｙ平面内
においてｘ方向およびｙ方向に移動可能である。なお、
マスクステージ２のｘ方向移動量およびｙ方向移動量
は、マスクステージ用レーザ干渉計１１によって常時計
測されている。レーザ干渉計１１の出力は、制御系１３
に供給される。
【００２０】たとえば回路パターンが形成されたマスク
１を透過した光は、投影光学系４を介して感光基板であ
るウエハ７に達し、ウエハ７上にはマスク１のパターン
像が形成される。なお、ウエハ７は、図示を省略したウ
エハホルダを介してウエハステージ８上に保持されてい
る。ウエハステージ８は、投影光学系４の光軸に対して
垂直なｘｙ平面内において、駆動系１４によって二次元
的に駆動されるようになっている。そして、ウエハステ
ージ８のｘ方向移動量およびｙ方向移動量は、ウエハス
テージレーザ用干渉計９により常時計測されている。レ
ーザ干渉計９の出力は、制御系１３に供給される。
１を透過した光は、投影光学系４を介して感光基板であ
るウエハ７に達し、ウエハ７上にはマスク１のパターン
像が形成される。なお、ウエハ７は、図示を省略したウ
エハホルダを介してウエハステージ８上に保持されてい
る。ウエハステージ８は、投影光学系４の光軸に対して
垂直なｘｙ平面内において、駆動系１４によって二次元
的に駆動されるようになっている。そして、ウエハステ
ージ８のｘ方向移動量およびｙ方向移動量は、ウエハス
テージレーザ用干渉計９により常時計測されている。レ
ーザ干渉計９の出力は、制御系１３に供給される。
【００２１】こうして、投影光学系４に対してマスク１
およびウエハ７をｘ方向（走査方向）に沿ってそれぞれ
相対的に移動させながらスキャン露光を行うことによ
り、マスク１のパターンをウエハ７上の１つの露光領域
に転写することができる。そして、ウエハ７をｘｙ平面
内において二次元的に逐次駆動しながら上述のスキャン
露光を繰り返すことにより、マスク１のパターンをウエ
ハ７の各露光領域に逐次転写することができる。
およびウエハ７をｘ方向（走査方向）に沿ってそれぞれ
相対的に移動させながらスキャン露光を行うことによ
り、マスク１のパターンをウエハ７上の１つの露光領域
に転写することができる。そして、ウエハ７をｘｙ平面
内において二次元的に逐次駆動しながら上述のスキャン
露光を繰り返すことにより、マスク１のパターンをウエ
ハ７の各露光領域に逐次転写することができる。
【００２２】上述したように、図１の投影露光装置は、
ウエハステージ８の位置を検出するためのウエハステー
ジ位置検出系の本体として、レーザ干渉計９を備えてい
る。レーザ干渉計９から射出されたビームは、ビームス
プリッター１２で２つに分割される。すなわち、ビーム
スプリッター１２を透過した光は測長ビームとなって、
ウエハステージ８に固定された移動反射鏡１０に入射す
る。一方、ビームスプリッター１２で反射された光は参
照ビームとなって、ミラー１２ａを介した後、投影光学
系４の下端部に固定された光学部材としてのプリズム組
立体５に形成された固定反射鏡（後述する図３において
参照符号５ｃで示す反射面）に入射する。
ウエハステージ８の位置を検出するためのウエハステー
ジ位置検出系の本体として、レーザ干渉計９を備えてい
る。レーザ干渉計９から射出されたビームは、ビームス
プリッター１２で２つに分割される。すなわち、ビーム
スプリッター１２を透過した光は測長ビームとなって、
ウエハステージ８に固定された移動反射鏡１０に入射す
る。一方、ビームスプリッター１２で反射された光は参
照ビームとなって、ミラー１２ａを介した後、投影光学
系４の下端部に固定された光学部材としてのプリズム組
立体５に形成された固定反射鏡（後述する図３において
参照符号５ｃで示す反射面）に入射する。
【００２３】移動反射鏡１０からの戻り光と固定反射鏡
５ｃからの戻り光とは、ビームスプリッター１２におい
て合成され、レーザ干渉計９に入射する。レーザ干渉計
９では合成光の干渉に基づいて、ウエハステージ８の移
動量を、ひいてはウエハステージ８の位置を検出する。
さらに、図１の投影露光装置は、ウエハ７上に形成され
たウエハマークの位置を検出するためのウエハマーク位
置検出系の本体６を備えている。図２は、図１のウエハ
マーク位置検出系の本体６の内部構成を概略的に示す図
である。また、図３は、図１のプリズム組立体５の構成
を概略的に示す図である。
５ｃからの戻り光とは、ビームスプリッター１２におい
て合成され、レーザ干渉計９に入射する。レーザ干渉計
９では合成光の干渉に基づいて、ウエハステージ８の移
動量を、ひいてはウエハステージ８の位置を検出する。
さらに、図１の投影露光装置は、ウエハ７上に形成され
たウエハマークの位置を検出するためのウエハマーク位
置検出系の本体６を備えている。図２は、図１のウエハ
マーク位置検出系の本体６の内部構成を概略的に示す図
である。また、図３は、図１のプリズム組立体５の構成
を概略的に示す図である。
【００２４】図２において、ウエハマーク位置検出系６
は、広帯域波長（たとえば５００ｎｍ〜８５０ｎｍ）を
有する照明光を供給する光源３０を備えている。光源３
０からの照明光は、コリメートレンズ３１により平行光
束となった後、ハーフミラー２５に入射する。ハーフミ
ラー２５で反射された照明光は、ハーフミラー２６、集
光レンズ２７、リレーレンズ系２８を介してプリズム組
立体５の偏光面（または半透過面）５ａに入射する。偏
光面５ａで反射された照明光は、ウエハ７上に形成され
たウエハマークＷＭを照明する。
は、広帯域波長（たとえば５００ｎｍ〜８５０ｎｍ）を
有する照明光を供給する光源３０を備えている。光源３
０からの照明光は、コリメートレンズ３１により平行光
束となった後、ハーフミラー２５に入射する。ハーフミ
ラー２５で反射された照明光は、ハーフミラー２６、集
光レンズ２７、リレーレンズ系２８を介してプリズム組
立体５の偏光面（または半透過面）５ａに入射する。偏
光面５ａで反射された照明光は、ウエハ７上に形成され
たウエハマークＷＭを照明する。
【００２５】一方、偏光面５ａを透過した照明光は、反
射面５ｂで反射され、プリズム組立体５の下面に形成さ
れた基準指標５１を照明する。なお、基準指標５１は、
ウエハマークＷＭと光学的にほぼ共役な位置に形成され
ている。照明光に対するウエハマークＷＭからの反射光
および照明光に対する基準指標５１からの反射光は、偏
光面５ａで合成された後、リレーレンズ系２８および集
光レンズ２７を介して、ハーフミラー２６に入射する。
ハーフミラー２６を透過した光は、結像レンズ３２を介
して、たとえばＣＣＤのような撮像素子３３の撮像面上
に結像する。
射面５ｂで反射され、プリズム組立体５の下面に形成さ
れた基準指標５１を照明する。なお、基準指標５１は、
ウエハマークＷＭと光学的にほぼ共役な位置に形成され
ている。照明光に対するウエハマークＷＭからの反射光
および照明光に対する基準指標５１からの反射光は、偏
光面５ａで合成された後、リレーレンズ系２８および集
光レンズ２７を介して、ハーフミラー２６に入射する。
ハーフミラー２６を透過した光は、結像レンズ３２を介
して、たとえばＣＣＤのような撮像素子３３の撮像面上
に結像する。
【００２６】こうして、撮像素子３３の撮像面上には、
図４に示すように、ウエハマークＷＭの像および基準指
標５１の像がそれぞれ形成される。撮像素子３３の出力
は、制御系１３に供給される。制御系１３では、撮像素
子３３の出力に基づいて、ウエハマークＷＭの像と基準
指標５１の像とからなる像情報を画像処理することによ
り、ウエハマークＷＭの位置を検出する。このように、
光源３０、コリメートレンズ３１、ハーフミラー２５、
ハーフミラー２６、集光レンズ２７、リレーレンズ系２
８、プリズム組立体５、結像レンズ３２および撮像素子
３３は、ウエハマークの位置を検出するためのウエハマ
ーク位置検出光学系を構成している。
図４に示すように、ウエハマークＷＭの像および基準指
標５１の像がそれぞれ形成される。撮像素子３３の出力
は、制御系１３に供給される。制御系１３では、撮像素
子３３の出力に基づいて、ウエハマークＷＭの像と基準
指標５１の像とからなる像情報を画像処理することによ
り、ウエハマークＷＭの位置を検出する。このように、
光源３０、コリメートレンズ３１、ハーフミラー２５、
ハーフミラー２６、集光レンズ２７、リレーレンズ系２
８、プリズム組立体５、結像レンズ３２および撮像素子
３３は、ウエハマークの位置を検出するためのウエハマ
ーク位置検出光学系を構成している。
【００２７】このように、本実施例では、ウエハステー
ジ８の位置を検出するためのウエハステージ位置検出系
における基準体である固定反射鏡が、投影光学系４に固
定されたプリズム組立体５に形成されている。また、ウ
エハマークＷＭの位置を検出するためのウエハマーク位
置検出系における基準体である基準指標５１が、同じく
プリズム組立体５に形成されている。したがって、２つ
の基準体の間に実質的な相対変位が発生することがな
い。その結果、ウエハマーク位置検出系とウエハステー
ジ位置検出系との間にオフセットドリフトが発生するこ
となく、ウエハの高精度な位置検出が可能になる。ま
た、本実施例では、比較的広い波長幅の光を用いてウエ
ハマークの検出を行うので、レジストによる干渉の影響
を低減することができる。
ジ８の位置を検出するためのウエハステージ位置検出系
における基準体である固定反射鏡が、投影光学系４に固
定されたプリズム組立体５に形成されている。また、ウ
エハマークＷＭの位置を検出するためのウエハマーク位
置検出系における基準体である基準指標５１が、同じく
プリズム組立体５に形成されている。したがって、２つ
の基準体の間に実質的な相対変位が発生することがな
い。その結果、ウエハマーク位置検出系とウエハステー
ジ位置検出系との間にオフセットドリフトが発生するこ
となく、ウエハの高精度な位置検出が可能になる。ま
た、本実施例では、比較的広い波長幅の光を用いてウエ
ハマークの検出を行うので、レジストによる干渉の影響
を低減することができる。
【００２８】図５は、プリズム組立体５に形成された基
準指標５１を斜方照明する変形例を示す図である。図５
に示す変形例では、基準指標５１をピッチの細かい回折
格子で構成している。そして、基準指標用の照明系５２
からの照明光をプリズム組立体５の偏光面（または半透
過面）５ａに対して図中矢印で示すように入射させ、回
折格子５１を斜方から照明する。照明光に対する回折格
子５１からの回折光は、図中矢印で示すように、反射面
５ｂで反射された後、偏光面５ａを透過してウエハマー
ク検出系６へ導かれる。こうして、撮像素子３３の撮像
面上には、回折格子５１からの回折光に基づいて基準指
標５１の明視野像が形成される。
準指標５１を斜方照明する変形例を示す図である。図５
に示す変形例では、基準指標５１をピッチの細かい回折
格子で構成している。そして、基準指標用の照明系５２
からの照明光をプリズム組立体５の偏光面（または半透
過面）５ａに対して図中矢印で示すように入射させ、回
折格子５１を斜方から照明する。照明光に対する回折格
子５１からの回折光は、図中矢印で示すように、反射面
５ｂで反射された後、偏光面５ａを透過してウエハマー
ク検出系６へ導かれる。こうして、撮像素子３３の撮像
面上には、回折格子５１からの回折光に基づいて基準指
標５１の明視野像が形成される。
【００２９】図６は、ウエハステージ用レーザ干渉計９
のｘ方向干渉計およびｙ方向干渉計の構成を概略的に示
す図である。ウエハステージ用レーザ干渉計９では、ウ
エハステージ８のｘ方向移動量を計測するためのｘ方向
干渉計と、ウエハステージ８のｙ方向移動量を計測する
ためのｙ方向干渉計とを独立的に有する。
のｘ方向干渉計およびｙ方向干渉計の構成を概略的に示
す図である。ウエハステージ用レーザ干渉計９では、ウ
エハステージ８のｘ方向移動量を計測するためのｘ方向
干渉計と、ウエハステージ８のｙ方向移動量を計測する
ためのｙ方向干渉計とを独立的に有する。
【００３０】ｘ方向干渉計では、プリズム組立体５の反
射面５ｃ上においてｙ方向に沿って離間した２つの点に
それぞれｘ方向第１参照ビームＬx1およびｘ方向第２参
照ビームＬx2を入射させる。また、ウエハステージ８上
にはｙｚ平面に平行な反射面を有するｘ方向移動反射鏡
１０１が設けられ、この移動反射鏡１０１の反射面上に
おいてｙ方向に沿って離間した２つの点にそれぞれｘ方
向第１測長ビームおよびｘ方向第２測長ビーム（いずれ
も不図示）を入射させる。こうして、ｘ方向第１参照ビ
ームとｘ方向第１測長ビームとの干渉光およびｘ方向第
２参照ビームとｘ方向第２測長ビームとの干渉光に基づ
いて、ウエハステージ８のｘ方向移動量およびｚ軸回り
の回転量を検出する。
射面５ｃ上においてｙ方向に沿って離間した２つの点に
それぞれｘ方向第１参照ビームＬx1およびｘ方向第２参
照ビームＬx2を入射させる。また、ウエハステージ８上
にはｙｚ平面に平行な反射面を有するｘ方向移動反射鏡
１０１が設けられ、この移動反射鏡１０１の反射面上に
おいてｙ方向に沿って離間した２つの点にそれぞれｘ方
向第１測長ビームおよびｘ方向第２測長ビーム（いずれ
も不図示）を入射させる。こうして、ｘ方向第１参照ビ
ームとｘ方向第１測長ビームとの干渉光およびｘ方向第
２参照ビームとｘ方向第２測長ビームとの干渉光に基づ
いて、ウエハステージ８のｘ方向移動量およびｚ軸回り
の回転量を検出する。
【００３１】一方、ｙ方向干渉計では、投影光学系４に
取り付けられた固定反射鏡５５のｘｚ平面に平行な反射
面にｙ方向第１参照ビームＬy1を入射させる。また、プ
リズム組立体５に形成されたｘｚ平面に平行な反射面５
ｄにｙ方向第２参照ビームＬy2を入射させる。さらに、
ウエハステージ８上にはｘｚ平面に平行な反射面を有す
るｙ方向移動反射鏡１０２が設けられ、この移動反射鏡
１０２の反射面上においてｘ方向に沿って離間した２つ
の点にそれぞれｙ方向第１測長ビームおよびｙ方向第２
測長ビーム（いずれも不図示）を入射させる。こうし
て、ｙ方向第１参照ビームとｙ方向第１測長ビームとの
干渉光およびｙ方向第２参照ビームとｙ方向第２測長ビ
ームとの干渉光に基づいて、ウエハステージ８のｙ方向
移動量およびｚ軸回りの回転量を検出する。
取り付けられた固定反射鏡５５のｘｚ平面に平行な反射
面にｙ方向第１参照ビームＬy1を入射させる。また、プ
リズム組立体５に形成されたｘｚ平面に平行な反射面５
ｄにｙ方向第２参照ビームＬy2を入射させる。さらに、
ウエハステージ８上にはｘｚ平面に平行な反射面を有す
るｙ方向移動反射鏡１０２が設けられ、この移動反射鏡
１０２の反射面上においてｘ方向に沿って離間した２つ
の点にそれぞれｙ方向第１測長ビームおよびｙ方向第２
測長ビーム（いずれも不図示）を入射させる。こうし
て、ｙ方向第１参照ビームとｙ方向第１測長ビームとの
干渉光およびｙ方向第２参照ビームとｙ方向第２測長ビ
ームとの干渉光に基づいて、ウエハステージ８のｙ方向
移動量およびｚ軸回りの回転量を検出する。
【００３２】なお、上述の実施例では、ウエハマーク位
置検出系およびウエハステージ位置検出系に本発明を適
用した例を示しているが、走査型投影露光装置において
は、マスクマーク位置検出系およびマスクステージ位置
検出系にも本発明を適用することができることは明らか
である。ただし、マスクマーク位置検出系では、レジス
トによる干渉の影響がないので、広い波長幅の光を用い
る必要はない。また、上述の実施例では、ウエハマーク
位置検出系としてウエハ観察系を、ウエハステージ位置
検出系としてレーザ干渉計を用いた例を示したが、基準
体を用いる他の適当な検出系についても本発明を適用す
ることができる。
置検出系およびウエハステージ位置検出系に本発明を適
用した例を示しているが、走査型投影露光装置において
は、マスクマーク位置検出系およびマスクステージ位置
検出系にも本発明を適用することができることは明らか
である。ただし、マスクマーク位置検出系では、レジス
トによる干渉の影響がないので、広い波長幅の光を用い
る必要はない。また、上述の実施例では、ウエハマーク
位置検出系としてウエハ観察系を、ウエハステージ位置
検出系としてレーザ干渉計を用いた例を示したが、基準
体を用いる他の適当な検出系についても本発明を適用す
ることができる。
【００３３】さらに、上述の実施例では、レンズスキャ
ン型の走査型投影露光装置に本発明を適用した例を示し
たが、他の一般的な投影露光装置に本発明を適用するこ
とができることは明らかである。また、上述の実施例で
は、エキシマレーザ光を露光光とする投影露光装置に本
発明を適用した例を示したが、他の露光光を用いた一般
的な投影露光装置に本発明を適用することができる。
ン型の走査型投影露光装置に本発明を適用した例を示し
たが、他の一般的な投影露光装置に本発明を適用するこ
とができることは明らかである。また、上述の実施例で
は、エキシマレーザ光を露光光とする投影露光装置に本
発明を適用した例を示したが、他の露光光を用いた一般
的な投影露光装置に本発明を適用することができる。
【００３４】本発明において上述した実施例では、光学
部材（基準体）をプリズム組立体５で構成した例を示し
ている。しかしながら、これに限定されることなく、た
とえば図７に示すように、各光軸が平行となるようにウ
エハマーク位置検出系６を投影光学系４と並列的に配置
した場合には、各基準マークが形成された平行平面板
５’をウエハマーク位置検出系６とウエハ７との間に位
置するように固設することにより、光学部材（基準体）
として機能させてもよい。
部材（基準体）をプリズム組立体５で構成した例を示し
ている。しかしながら、これに限定されることなく、た
とえば図７に示すように、各光軸が平行となるようにウ
エハマーク位置検出系６を投影光学系４と並列的に配置
した場合には、各基準マークが形成された平行平面板
５’をウエハマーク位置検出系６とウエハ７との間に位
置するように固設することにより、光学部材（基準体）
として機能させてもよい。
【００３５】このとき、平行平面板５’において、上面
には基準指標５１が、側面には反射面５ｃ’が、下面に
は光分割面としての半透過面（またはダイクロイックミ
ラー面）５ａ’がそれぞれ形成されている。また、基準
指標５１は、ウエハ面上のウエハマークと共役な位置に
形成されている。
には基準指標５１が、側面には反射面５ｃ’が、下面に
は光分割面としての半透過面（またはダイクロイックミ
ラー面）５ａ’がそれぞれ形成されている。また、基準
指標５１は、ウエハ面上のウエハマークと共役な位置に
形成されている。
【００３６】以上の図７の構成により、ウエハマーク位
置検出系６からの照明光は、平行平面板５’の下面の半
透過面（またはダイクロイックミラー面）５ａ’によっ
て２分割され、その反射光は基準指標５１を照明し、透
過光はウエハマークＷＭを照明する。そして、ウエハマ
ーク位置検出系６は、各マーク（５１、ＷＭ）からの反
射光を平行平面板５’の下面５ａ’および上面を介して
それぞれ受光することにより、ウエハマークＷＭの位置
を検出する。
置検出系６からの照明光は、平行平面板５’の下面の半
透過面（またはダイクロイックミラー面）５ａ’によっ
て２分割され、その反射光は基準指標５１を照明し、透
過光はウエハマークＷＭを照明する。そして、ウエハマ
ーク位置検出系６は、各マーク（５１、ＷＭ）からの反
射光を平行平面板５’の下面５ａ’および上面を介して
それぞれ受光することにより、ウエハマークＷＭの位置
を検出する。
【００３７】一方、平行平面板５’の側面に形成された
反射面５ｃ’は、ウエハステージ用のレーザ干渉計９の
参照用の固定反射鏡として機能する。そして、レーザ干
渉計９は、ビームスプリッター１２により２分割されて
反射面５ｃ’とウエハステージ８の一端に固設された移
動鏡１０とに導かれたレーザ光をそれぞれ受光すること
により、ウエハステージ８の位置を検出する。
反射面５ｃ’は、ウエハステージ用のレーザ干渉計９の
参照用の固定反射鏡として機能する。そして、レーザ干
渉計９は、ビームスプリッター１２により２分割されて
反射面５ｃ’とウエハステージ８の一端に固設された移
動鏡１０とに導かれたレーザ光をそれぞれ受光すること
により、ウエハステージ８の位置を検出する。
【００３８】
【効果】以上説明したように、本発明では、基板マーク
位置検出系の基準マークと基板ステージ位置検出系の基
準マークとが一体的に保持されている。したがって、基
板ステージ位置検出系と基板マーク位置検出系との間に
オフセットドリフトが発生することがなく、基板の位置
を高精度に検出することが可能となる。
位置検出系の基準マークと基板ステージ位置検出系の基
準マークとが一体的に保持されている。したがって、基
板ステージ位置検出系と基板マーク位置検出系との間に
オフセットドリフトが発生することがなく、基板の位置
を高精度に検出することが可能となる。
【図１】本発明の実施例にかかる投影露光装置の構成を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図２】図１のウエハマーク位置検出系の本体６の内部
構成を概略的に示す図である。
構成を概略的に示す図である。
【図３】図１のプリズム組立体５の構成を概略的に示す
図である。
図である。
【図４】図２の撮像素子３３の撮像面上に形成されたウ
エハマークＷＭの像および基準指標５１の像を示す図で
ある。
エハマークＷＭの像および基準指標５１の像を示す図で
ある。
【図５】プリズム組立体５に形成された基準指標５１を
斜方照明する変形例を示す図である。
斜方照明する変形例を示す図である。
【図６】ウエハステージ用レーザ干渉計９のｘ方向干渉
計およびｙ方向干渉計の構成を概略的に示す図である。
計およびｙ方向干渉計の構成を概略的に示す図である。
【図７】図１の実施例の変形例の構成を概略的に示す図
である。
である。
１ マスク ２ マスクステージ ３ 露光用照明光学系 ４ 投影光学系 ５ プリズム組立体 ６ ウエハマーク位置検出系の本体 ７ ウエハ ８ ウエハステージ ９ ウエハステージ用レーザ干渉計 １０ 移動反射鏡 １１ マスクステージ用レーザ干渉計 １２ ビームスプリッター １３ 制御系 １４ 駆動系 ３０ 光源 ３１ コリメートレンズ ３２ 結像レンズ ３３ 撮像素子 ＷＭ ウエハマーク
Claims (6)
- 【請求項１】 所定のパターンが形成されたマスクを照
明するための照明光学系と、前記マスクに形成された前
記所定のパターンの像を感光性の基板上に形成するため
の投影光学系と、前記基板を保持し且つ前記投影光学系
の光軸に垂直な面内において移動可能な基板ステージ
と、前記基板の位置を検出するための基板位置検出系と
を備えた投影露光装置において、 前記基板位置検出系は、 第１基準マークと前記基板上に形成された基板マークと
に基づいて、前記基板マークの位置を検出するための基
板マーク位置検出系と、 前記基板ステージに形成された基板ステージマークと、
前記第１基準マークと一体的に保持された第２基準マー
クとに基づいて、前記基板ステージの位置を検出するた
めの基板ステージ位置検出系とを備えていることを特徴
とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記第１基準マークおよび前記第２基準
マークは、前記投影光学系と一体的に保持されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記基板ステージマークは、前記基板ス
テージに固定された移動反射鏡の反射面であり、前記第
２基準マークは前記投影光学系に固定された固定反射鏡
の反射面であり、 前記基板ステージ位置検出系は、前記移動反射鏡の反射
面に対する測長ビームと前記固定反射鏡の反射面に対す
る参照ビームとの干渉に基づいて、前記投影光学系に対
する前記基板ステージの位置を検出する干渉計であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の投影露光装
置。 - 【請求項４】 前記基板マーク位置検出系は、 照明光を供給するための照明光供給手段と、 前記投影光学系と前記基板との間において前記投影光学
系に固定され、前記照明光供給手段からの照明光の光路
中に設けられた光学部材と、 前記照明光に対する前記基板マークからの光に基づいて
前記基板マークの像を検出するための像検出光学系とを
備え、 前記第１基準マークは、前記基板マークと光学的にほぼ
共役な位置に形成され、 前記第１基準マークおよび前記第２基準マークは、前記
光学部材に一体的に形成され、 前記基板マーク位置検出系は、前記像検出光学系を介し
て形成された前記基板マークの像と前記第１基準マーク
の像とに基づいて、前記基板マークの位置を検出するこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
投影露光装置。 - 【請求項５】 前記光学部材はプリズム組立体からな
り、 前記第１基準マークは、前記プリズム組立体に形成され
たマークであり、 前記第２基準マークは、前記プリズム組立体に形成され
た反射面であることを特徴とする請求項３または４に記
載の投影露光装置。 - 【請求項６】 前記マスクを保持し且つ前記投影光学系
の光軸に垂直な面内において移動可能なマスクステージ
と、前記マスクの位置を検出するためのマスク位置検出
系とをさらに備え、前記投影光学系に対して前記マスク
および前記基板を相対的に移動させながら走査露光を行
う走査型投影露光装置であって、 前記マスク位置検出系は、 前記マスク上に形成されたマスクマークと第３基準マー
クとに基づいて、前記マスクマークの位置を検出するた
めのマスクマーク位置検出系と、 前記マスクステージに形成されたマスクステージマーク
と前記第３基準マークと一体的に保持された第４基準マ
ークとに基づいて、前記マスクステージの位置を検出す
るためのマスクステージ位置検出系とを備えていること
を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の投
影露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7262198A JPH0982632A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 投影露光装置 |
| US08/658,962 US5995198A (en) | 1995-06-01 | 1996-05-31 | Exposure apparatus |
| KR1019960019018A KR970002483A (ko) | 1995-06-01 | 1996-05-31 | 노광 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7262198A JPH0982632A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982632A true JPH0982632A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17372451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7262198A Pending JPH0982632A (ja) | 1995-06-01 | 1995-09-14 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982632A (ja) |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP7262198A patent/JPH0982632A/ja active Pending
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Legal Events
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