JPH098204A - Manufacture of semiconductor package - Google Patents

Manufacture of semiconductor package

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Publication number
JPH098204A
JPH098204A JP17428495A JP17428495A JPH098204A JP H098204 A JPH098204 A JP H098204A JP 17428495 A JP17428495 A JP 17428495A JP 17428495 A JP17428495 A JP 17428495A JP H098204 A JPH098204 A JP H098204A
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JP
Japan
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solder
hole
holes
metal pin
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP17428495A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoichiro Kawamura
洋一郎 川村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP17428495A priority Critical patent/JPH098204A/en
Publication of JPH098204A publication Critical patent/JPH098204A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3447Lead-in-hole components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Abstract

PURPOSE: To improve the insulation reliability and quality stability of a semiconductor package by filling up through holes with solder grains from the sides opposite to the metallic pin inserting sides after the metallic pins are inserted into the holes and melting the solder grains by heating. CONSTITUTION: After a wiring board is coated with an electroless-plated copper film having a thickness of 15μm by dipping the wiring board in an electroless plating solution for additive for 1 hours, a conductor circuit, through holes 3, and a die pad 5 are formed. Then metallic pins 9 are inserted into the holes 3 from the side opposite to the surface of the wiring board on which the die pad 5 is formed and, after solder grains of 0.15mm in diameter are supplied to the surface carrying the die pad, the holes 3 are filled up with the solder grains composed of Pb and Sn mixed at a ratio of Pb/Sn=6/4 by vibrating the wiring board with ultrasonic waves. Then the pins 9 are fixed to the holes 3 by reflowing the solder grains by heating the solder grains at 250+20 deg.C with a nitrogen flow. No bubble nor solder icicle is observed from the solder in the holes 3. In addition, the amounts of the solder in the holes 3 become uniform and no solder is left on the lands 4 of the holes 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本願発明は、金属ピンを外部端子
として持つ所謂PGA(Pin Grid Array)半導体パッケ
ージの製造方法に関し、特には金属ピンと基板に設けら
れたスルーホールとの接続信頼性に優れた半導体パッケ
ージの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a so-called PGA (Pin Grid Array) semiconductor package having a metal pin as an external terminal, and in particular, it has excellent connection reliability between the metal pin and a through hole provided in a substrate. And a method for manufacturing a semiconductor package.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体パッケージの最も汎用の形態とし
て、いわゆるPGAと呼ばれる形態がある。これは、基
板の外周部分に設けられ、基板に実装される半導体部品
と電気的に接続するスルーホールに、外部端子たる金属
ピンを嵌入して半田接続させた構造を持つものである。
従来このようなPGAを製造するにあたり、金属ピンと
スルーホールの半田接続は、半田ディップ法、半田
ペースト印刷後の加熱溶融(リフロー)、冷却する方法
が採用されていた。の半田ディップ法とは、PGA基
板の内、半田接続しない部分にはソルダーレジストを被
覆しておき、これを溶融半田に浸漬し、ついで冷却する
方法である。また、の方法は、スルーホールと金属ピ
ンとの間隙に半田ペーストをスクリーン印刷などで充填
しておき、これを加熱溶融、冷却させて半田接続を行う
方法である。
2. Description of the Related Art The most general-purpose form of a semiconductor package is a so-called PGA form. This has a structure in which a metal pin, which is an external terminal, is fitted into a through hole, which is provided on an outer peripheral portion of the substrate and electrically connected to a semiconductor component mounted on the substrate, for solder connection.
Conventionally, when manufacturing such a PGA, a solder dip method, a heating and melting (reflow) method after printing a solder paste, and a cooling method have been adopted for the solder connection of the metal pin and the through hole. The solder dipping method is a method in which a portion of the PGA substrate that is not connected to the solder is covered with a solder resist, which is immersed in molten solder, and then cooled. The method (1) is a method in which a solder paste is filled in the gap between the through hole and the metal pin by screen printing or the like, and this is heated and melted and cooled to perform solder connection.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、のよ
うな方法では、半田量や半田形状が各スルーホール毎に
不均一であり、また溶融半田に浸漬してこれを取り出し
て冷却するため、付着した半田が流れてあたかもツララ
状になり、本来電気的な接続があってはならない回路間
を短絡させることになるため、絶縁信頼性の低下を招く
のである。さらに、のような方法では、半田量が各ス
ルーホール毎に不均一であり、また、表面パッド上に半
田が厚く付着し、実装性の低下の原因となる。
However, in such a method, the amount of solder and the shape of the solder are not uniform in each through hole, and the solder is soaked in the molten solder and taken out to be cooled. Since the solder flows and becomes like a flicker, which short-circuits circuits that should not have electrical connection, insulation reliability is lowered. Further, in such a method, the amount of solder is non-uniform for each through hole, and the solder adheres thickly to the surface pad, which causes deterioration of mountability.

【0005】このように、従来は金属ピンとスルーホー
ルの半田接続の方法に関して、絶縁信頼性、品質の安定
性に優れた方法は提案されていない。本願発明の目的
は、このような絶縁信頼性、品質の安定性に優れた半導
体パッケージの製造方法を提案する。
As described above, conventionally, regarding the method of soldering the metal pin and the through hole, a method excellent in insulation reliability and quality stability has not been proposed. An object of the present invention is to propose a method of manufacturing a semiconductor package having excellent insulation reliability and quality stability.

【0006】[0006]

【課題を解決する手段】本願発明は、基板にスルーホー
ルを形成した後、そのスルーホールに金属ピンを嵌入し
た後、半田接続する半導体パッケージの製造方法におい
て、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピ
ンを嵌入した側とは反対側から、複数の粒状半田を該ス
ルーホールに充填せしめ、その後加熱溶融することを特
徴とする半導体パッケージの製造方法と、基板にスルー
ホールを形成した後、そのスルーホールに金属ピンを嵌
入した後、半田接続する半導体パッケージの製造方法に
おいて、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金
属ピンを嵌入した側とは反対側から、1粒の球状半田を
該スルーホールに配置せしめ、その後加熱溶融すること
を特徴とする半導体パッケージの製造方法に関する。前
記粒状半田は、その直径が0.10〜0.20mmであ
る。また、前記球状半田の直径は、0.4〜1.0mm
である。粒状半田あるいは球状半田と半田ペーストは、
異なるものである。半田ペーストは、半田の微細粉と樹
脂や溶剤などを混合して粘度を高くしたものであり、粒
状半田あるいは球状半田は、半田を粒状あるいは球状に
したものであり、粘度を上げるための樹脂は添加しな
い。
According to the present invention, a through hole is formed in a substrate, a metal pin is inserted into the through hole, and then a solder connection is performed. , A method of manufacturing a semiconductor package, characterized in that a plurality of granular solders are filled into the through holes from the side opposite to the side into which the metal pins are fitted, and then heated and melted, and after forming the through holes in the substrate. In a method of manufacturing a semiconductor package in which a metal pin is fitted into the through hole and then soldered, one grain of spherical solder is inserted from the side opposite to the side where the metal pin is fitted after the metal pin is fitted into the through hole. Is placed in the through hole, and then heated and melted, and relates to a method for manufacturing a semiconductor package. The granular solder has a diameter of 0.10 to 0.20 mm. The diameter of the spherical solder is 0.4 to 1.0 mm.
It is. Granular or spherical solder and solder paste
It is different. The solder paste is a mixture of fine powder of solder and resin or solvent to increase the viscosity, and granular solder or spherical solder is a granular or spherical form of solder, and the resin for increasing the viscosity is Do not add.

【0007】[0007]

【作用】本願発明では、基板に設けられたスルーホール
に金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを嵌入した側と
は反対側から、そのスルーホールに複数の粒状半田を充
填せしめ、その後加熱溶融することが必要である。粒状
半田は、半田ペーストと異なり、樹脂や溶剤などを含ん
でいないため、スルーホールに入り込んだ粒以外は、基
板に付着したり、残存したりすることがなく、スルーホ
ールのパッドに半田が残存したり、半田ツララができる
こともない。さらに、スルーホールに充填される粒状半
田量はスルーホールと金属ピンにより構成される間隙に
より決まるため、半田量も均一となる。また、従来法で
はスルーホールのランドからスルーホール内へ半田が供
給されるが、本願発明の方法では、スルーホール内から
スルーホールのランドへ半田が供給されるため、ランド
に過剰に半田が残存することもない。スルーホールおよ
び金属ピンはニッケル−金めっきを行うため、表面が金
で被服されており、半田との濡れ性に優れ、溶融した半
田はこの金被服面を伝わり、スルーホールへ供給され
る。この充填された粒状半田を加熱溶融(いわゆるリフ
ロー工程)することにより、金属ピンとスルーホールを
接続する。
In the present invention, after the metal pin is inserted into the through hole provided in the board, the through hole is filled with a plurality of granular solders from the side opposite to the side in which the metal pin is inserted, and then heated and melted. It is necessary to. Unlike solder paste, granular solder does not contain resin or solvent, so it does not adhere to or remain on the substrate except for the particles that enter the through holes, and the solder remains on the pads of the through holes. There is no way to do soldering pickles. Furthermore, since the amount of granular solder filled in the through hole is determined by the gap formed by the through hole and the metal pin, the amount of solder becomes uniform. Further, in the conventional method, the solder is supplied from the land of the through hole to the inside of the through hole, but in the method of the present invention, since the solder is supplied to the land of the through hole from the inside of the through hole, excessive solder remains on the land. There is nothing to do. Since the through hole and the metal pin are plated with nickel-gold, the surface is covered with gold and has excellent wettability with solder, and the melted solder is transmitted to the surface covered with gold and supplied to the through hole. By heating and melting the filled granular solder (so-called reflow process), the metal pin and the through hole are connected.

【0008】前記粒状半田は、その直径が0.10〜
0.20mmであることが望ましい。その理由は、0.
10mm未満では、基板表面(PGA以外の場所)に半
田がつまってしまい、流し込みにくく、0.20mmを
越えると、最も汎用のスルーホール直径0.55mmに
対して、充填量が安定しないからである。本願発明で
は、基板に設けられたスルーホールに金属ピンを嵌入し
た後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側の基板面に
粒状半田を供給し、ついで超音波などの振動を与えるこ
とにより、スルーホール内壁と金属ピンにより構成され
る間隙に該粒状半田を充填せしめ、その後加熱溶融する
ことが望ましい。金属ピンを嵌入した側とは反対側の基
板面に粒状半田を供給すると、粒状半田は、基板面を転
がり、スルーホールの中に落ち込む。さらに、超音波振
動を与えることにより、基板面に存在する余分な粒状半
田は取り除かれ、またスルーホールの中に充填された粒
状半田は最密充填されるように配列されるため、間隙に
効率的に充填され、加熱溶融した場合でも気泡が残留し
にくくなり、信頼性の高い接続が可能になるのである。
The granular solder has a diameter of 0.10 to 0.10.
It is preferably 0.20 mm. The reason is 0.
This is because if it is less than 10 mm, the solder is clogged on the substrate surface (at a place other than PGA) and it is difficult to pour it. If it exceeds 0.20 mm, the filling amount is not stable for the most general through hole diameter of 0.55 mm. . In the present invention, after the metal pin is inserted into the through hole provided in the substrate, granular solder is supplied to the substrate surface opposite to the side where the metal pin is inserted, and then vibration such as ultrasonic waves is applied. It is desirable to fill the gap formed by the inner wall of the through hole and the metal pin with the granular solder and then heat and melt it. When the granular solder is supplied to the surface of the substrate opposite to the side where the metal pins are fitted, the granular solder rolls on the surface of the substrate and falls into the through holes. Furthermore, by applying ultrasonic vibration, excess granular solder existing on the substrate surface is removed, and the granular solder filled in the through holes is arranged so as to be the closest packed, so that the gap is efficiently filled. Bubbles are less likely to remain even when they are filled with heat and melted by heating, and a highly reliable connection becomes possible.

【0009】本願にかかるもう一つの発明は、基板にス
ルーホールを形成した後、そのスルーホールに金属ピン
を嵌入した後、半田接続する半導体パッケージの製造方
法において、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、そ
の金属ピンを嵌入した側とは反対側から、1粒の球状半
田を該スルーホールおよび金属ピンにより構成される空
隙に落としこみ配置せしめ、その後加熱溶融することを
特徴とする半導体パッケージの製造方法である。球状半
田は、スルーホールおよび金属ピンにより構成される空
隙に落としこまれて配置されたもの以外は、基板に付着
したり、残存したりすることがなく、スルーホールのパ
ッドに半田が残存したり、半田ツララができることもな
い。さらに、スルーホールに充填される粒状半田量は球
状半田の大きさにより決まるため、半田量も均一とな
り、その量を調整しやすい。
Another aspect of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor package, in which a through hole is formed in a substrate, a metal pin is fitted into the through hole, and then solder connection is performed, and the metal pin is fitted into the through hole. After that, from the side opposite to the side into which the metal pin is fitted, one spherical solder is dropped into a space formed by the through hole and the metal pin and arranged, and then heated and melted. It is a manufacturing method. Spherical solder does not adhere to or remain on the board, except that it is placed in the void formed by the through hole and the metal pin, and solder remains on the through hole pad. , I can't do solder flicker. Further, since the amount of granular solder filled in the through hole is determined by the size of the spherical solder, the amount of solder becomes uniform and the amount can be easily adjusted.

【0010】また、従来法ではスルーホールのランドか
らスルーホール内へ半田が供給されるが、本願発明の方
法では、スルーホール内からスルーホールのランドへ半
田が供給されるため、ランドに過剰に半田が残存するこ
ともない。スルーホールはニッケル−金めっきを行うた
め、表面が金で被服されており、半田との濡れ性に優
れ、溶融した半田はこの金被服面を伝わり、ランドへ供
給される。この充填された粒状半田を加熱溶融(いわゆ
るリフロー工程)することにより、金属ピンとスルーホ
ールを接続する。
Further, in the conventional method, the solder is supplied from the land of the through hole into the through hole, but in the method of the present invention, the solder is supplied from the inside of the through hole to the land of the through hole. No solder remains. Since the through-hole is nickel-gold plated, the surface is covered with gold and has excellent wettability with the solder, and the melted solder is transmitted through this gold-covered surface and supplied to the land. By heating and melting the filled granular solder (so-called reflow process), the metal pin and the through hole are connected.

【0011】前記粒状半田は、その直径が0.4〜1.
0mmであることが望ましい。この範囲は、汎用のスル
ーホール直径0.55mmを基準に決められたものであ
り、0.4mm未満では、半田量が少なくなり、1.0
mmを超えると球状半田が穴に固定されなくなるからで
ある。
The granular solder has a diameter of 0.4-1.
Desirably, it is 0 mm. This range is determined on the basis of a general-purpose through hole diameter of 0.55 mm, and if it is less than 0.4 mm, the amount of solder is reduced and 1.0
This is because the spherical solder cannot be fixed in the hole if it exceeds mm.

【0012】本願発明においては、基板に形成されたス
ルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを嵌
入した側とは反対側の基板面に、該スルーホールに相当
する位置に開口が設けられたマスクを密着し、ついで球
状半田を供給し、該マスクの開口を透過した球状半田を
該スルーホールあるいは金属ピンに接触配置せしめ、そ
の後加熱溶融することが望ましい。この理由は、球状半
田がマスクの開口部に一旦落ち込み、その後スルーホー
ルに入り込むため、球状半田をスルーホールに確実に供
給配置できるからである。
In the present invention, after the metal pin is fitted into the through hole formed in the substrate, an opening is provided at a position corresponding to the through hole on the surface of the substrate opposite to the side where the metal pin is fitted. It is desirable that the mask thus obtained is brought into close contact, then spherical solder is supplied, the spherical solder that has passed through the opening of the mask is placed in contact with the through hole or the metal pin, and then heated and melted. This is because the spherical solder drops once into the opening of the mask and then enters the through hole, so that the spherical solder can be reliably supplied and arranged in the through hole.

【0013】本願発明における、基板にスルーホールを
形成する方法は常法に従う。例えば、アデティブ法にお
いては、次のような工程が望ましい。 1)基板上に無電解めっき用接着剤を塗布あるいは無電
解めっき用接着剤フィルム積層などの方法で無電解めっ
き用接着剤層を形成する。基板は、ガラスエポキシ基
板、セラミック基板、銅や放熱性基板でもよい。さら
に、基板は、導体回路が形成された絶縁基板であっても
よい。 2)無電解めっき用接着剤表面を酸や酸化剤で処理して
粗化する。 3)ドリルでスルーホール形成用の穴を開ける。穴明け
は、粗化処理の前に行ってもよい。 4)無電解めっき用触媒を付与する。 5)めっきレジストを形成する。めっきレジストは、感
光性樹脂を塗布あるいは、感光性フィルムを積層して露
光現像、加熱硬化して形成する。 6)無電解めっきを行い、スルーホールを形成する。こ
のときスルーホールと実装される半導体部品との接続用
の導体回路を同時に形成する。 7)ソルダーレジストを形成する。ソルダーレジスト
は、フタロシアニングリーンなどの色素を含有する感光
性樹脂であり、これを塗布、露光現像してソルダーレジ
スト層を形成する。
In the present invention, the method of forming the through holes in the substrate follows the conventional method. For example, in the additive method, the following steps are desirable. 1) An adhesive layer for electroless plating is formed on the substrate by applying an adhesive for electroless plating or laminating an adhesive film for electroless plating. The substrate may be a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, copper or a heat dissipation substrate. Furthermore, the substrate may be an insulating substrate on which a conductor circuit is formed. 2) The surface of the adhesive for electroless plating is roughened by treating it with an acid or an oxidizing agent. 3) Drill holes for forming through holes. The drilling may be performed before the roughening treatment. 4) Add a catalyst for electroless plating. 5) Form a plating resist. The plating resist is formed by applying a photosensitive resin or laminating a photosensitive film, exposing and developing, and curing by heating. 6) Perform electroless plating to form through holes. At this time, a conductor circuit for connecting the through hole and the mounted semiconductor component is simultaneously formed. 7) Form a solder resist. The solder resist is a photosensitive resin containing a dye such as phthalocyanine green, and is coated and exposed and developed to form a solder resist layer.

【0014】前記無電解めっき用接着剤としては、樹脂
マトリックスに耐熱性樹脂微粉末を分散した接着剤が望
ましく、耐熱性樹脂粉末は、粒子形状、中空形状、解砕
片状などの各種形状のものを使用でき、特に粒子形状の
場合は、1)平均粒径10μm以下の粒子、2)平均粒径
2μm以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させて平均粒径2〜
10μmの大きさとした凝集粒子、3)平均粒径2〜10μ
mの耐熱性樹脂粉末と平均粒径2μm以下の耐熱性樹脂
粉末との混合物、4)平均粒径2〜10μmの耐熱性樹脂
粉末の表面に平均粒径2μm以下の耐熱性樹脂粉末もし
くは平均粒径2μm以下の無機粉末のいずれか少なくと
も1種を付着させてなる擬似粒子から選ばれることが望
ましい。この理由は、平均粒径10μmを超えると、アン
カーが深くなり、100 μm以下の所謂ファインパターン
を形成できなくなるからであり、一方、上記2)〜4)
の疑似粒子が望ましい理由は、複雑なアンカーを形成で
き、ピール強度を向上させることができからである。使
用する耐熱性樹脂マトリックスとしては、エポキシ樹
脂、エポキシアクリレートなどがよい。耐熱性樹脂粒子
としては、エポキシ樹脂、メランミ樹脂などのアミノ樹
脂が望ましい。
As the adhesive for electroless plating, an adhesive in which a heat-resistant resin fine powder is dispersed in a resin matrix is desirable, and the heat-resistant resin powder has various shapes such as particle shape, hollow shape and crushed piece shape. In particular, in the case of particle shape, 1) particles having an average particle size of 10 μm or less, 2) heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 μm or less are aggregated to have an average particle size of 2 to
Aggregated particles with a size of 10 μm, 3) Average particle size 2 to 10 μm
m, a mixture of a heat-resistant resin powder and a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 μm or less, 4) a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 μm or less or an average particle on the surface of the heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm It is desirable to be selected from pseudo particles formed by adhering at least one kind of inorganic powder having a diameter of 2 μm or less. The reason for this is that if the average particle size exceeds 10 μm, the anchor becomes deep and it becomes impossible to form a so-called fine pattern of 100 μm or less, while the above 2) to 4).
The reason why the pseudo-particles are preferable is that a complex anchor can be formed and the peel strength can be improved. The heat-resistant resin matrix used is preferably epoxy resin, epoxy acrylate, or the like. As the heat resistant resin particles, an amino resin such as an epoxy resin or a melanin resin is desirable.

【0015】本願発明においては、スルーホールの直径
は、PGAのピンの径±0.2mmであることが望まし
い。本願発明では、フリップチップ実装と同時に金属ピ
ン用半田を供給することも可能である。この理由は、フ
リップチップ実装が半田接続の為、同時リフローが可能
になる。本願発明を実施例を用いてより詳細に説明す
る。なお実施例中の番号は、図面の番号である。
In the present invention, the diameter of the through hole is preferably ± 0.2 mm of the PGA pin diameter. In the present invention, it is possible to supply solder for metal pins at the same time as flip-chip mounting. The reason for this is that since flip-chip mounting is soldered, simultaneous reflow is possible. The present invention will be described in more detail with reference to examples. The numbers in the examples are the numbers in the drawings.

【0016】[0016]

【実施例】【Example】

(実施例1) (1)常法に従い、ガラスエポキシ基板の両面に3層の
導体回路を有する配線板1を作成した(図1)。 (2)エポキシ樹脂粒子(東レ製、平均粒径3.9 μm)
200gを、5lのアセトン中に分散させて得たアルミナ粒
子懸濁液中へ、ヘンシェルミキサー内で攪拌しながら、
アセトン1lに対してエポキシ樹脂(三井石油化学製)
を30gの割合で溶解させたアセトン溶液中にエポキシ樹
脂粉末(東レ製、平均粒径0.5μm)300gを分散させ
て得た懸濁液を滴下することにより、上記エポキシ粒子
表面にエポキシ粉末を付着せしめた後、上記アセトンを
除去し、その後、150 ℃に加熱して、疑似粒子を作成し
た。この疑似粒子は、平均粒径が約4.3 μmであり、約
75重量%が、平均粒径を中心として±2μmの範囲に存
在していた。
(Example 1) (1) According to a conventional method, a wiring board 1 having three layers of conductor circuits on both surfaces of a glass epoxy substrate was prepared (Fig. 1). (2) Epoxy resin particles (Toray, average particle size 3.9 μm)
While stirring in a Henschel mixer into an alumina particle suspension obtained by dispersing 200 g in 5 l of acetone,
Epoxy resin (made by Mitsui Petrochemical) for 1 liter of acetone
300 g of an epoxy resin powder (manufactured by Toray Co., Ltd., average particle size: 0.5 μm) was dispersed in an acetone solution in which 30 g of was dissolved to obtain a suspension of the epoxy powder. After the attachment, the acetone was removed and then heated to 150 ° C. to prepare pseudo particles. This pseudo particle has an average particle size of about 4.3 μm,
75% by weight was in the range of ± 2 μm centered on the average particle size.

【0017】(3)DMDGに溶解したクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂(日本化薬製分子量2500)の
25%アクリル化物を70重量部、ポリエーテルスルフォ
ン(PES)30重量部、イミダゾール硬化剤(四国化
成製、商品名:2E4MZ-CN)4重量部、、感光製モノマー
であるカプロラクトン変成トリス(アクロキシエチル)
イソシアヌレート(東亜合成製、商品名;アロニックス
M325)10重量部、光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)5重量部、光増感剤ミヒラーケトン
(関東化学製)0.5重量部、さらにこの混合物に対し
て前記(2)で作成したエポキシ樹脂疑似粒子を40重
量部を混合した後、NMPを添加しながら混合し、ホモ
ディスパー攪拌機で粘度2000 CPSに調整し、続い
て、3本ロールで混練して感光性接着剤溶液を得た。 (4)この感光性接着剤溶液を、前記(1)で作成した
配線板上に、ロールコーターを用いて塗布し、水平状態
で20分間放置してから、60℃で乾燥を行なった。
(3) of a cresol novolac type epoxy resin (made by Nippon Kayaku, molecular weight 2500) dissolved in DMDG
70 parts by weight of 25% acrylate, 30 parts by weight of polyether sulfone (PES), 4 parts by weight of imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, product name: 2E4MZ-CN), and caprolactone modified tris (acryloxy) as a photosensitive monomer. ethyl)
Isocyanurate (manufactured by Toagosei, trade name; Aronix M325) 10 parts by weight, benzophenone as a photoinitiator (manufactured by Kanto Kagaku) 5 parts by weight, photosensitizer Michler ketone (manufactured by Kanto Kagaku) 0.5 parts by weight, and further After mixing 40 parts by weight of the epoxy resin pseudo particles prepared in (2) above with the mixture, the mixture was mixed while adding NMP, and the viscosity was adjusted to 2000 CPS with a homodisper stirrer, followed by three rolls. The mixture was kneaded to obtain a photosensitive adhesive solution. (4) This photosensitive adhesive solution was applied onto the wiring board prepared in (1) above using a roll coater, left standing for 20 minutes in a horizontal state, and then dried at 60 ° C.

【0018】(5)前記(4)の処理を施した配線板
に、100 μmφの黒円が印刷されたフォトマスクフィル
ムを密着させ、超高圧水銀灯500mj /cm2 で露光した。
これをDMDG(ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル)溶液でスプレー現像することにより、配線板上に10
0 μmφのバイアホールとなる開口を形成した(図1
b)。さらに、前記配線板を超高圧水銀灯により約3000
mj/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、その後150 ℃で5
時間の加熱処理することによりフォトマスクフィルムに
相当する寸法精度に優れた開口を有する厚さ50μmの
樹脂層間接着剤層2を形成した。 (6)前記(5)の処理を施した配線板を、pH=13
に調整した過マンガン酸カリウム(KMnO4 、60 g/l )
に70℃で15分間浸漬して層間樹脂絶縁層の表面を粗化し
て粗化面4を形成し、次いで、中和溶液(シプレイ製)
に浸漬した後水洗した。 (7)接着剤層の表面を粗化した基板にパラジウム触媒
(シプレイ製)を付与して接着剤層3の表面を活性化さ
せた。
(5) A photomask film having a 100 μmφ black circle printed thereon was brought into close contact with the wiring board subjected to the treatment of (4) above, and exposed with an ultrahigh pressure mercury lamp of 500 mj / cm 2 .
By spray developing this with DMDG (diethylene glycol dimethyl ether) solution, 10
An opening to be a via hole of 0 μmφ was formed (Fig. 1
b). In addition, the wiring board is installed with an ultra-high pressure mercury lamp for about 3000
Exposure at mj / cm 2 at 100 ° C for 1 hour, then 150 ° C for 5 hours
By heat treatment for a period of time, a resin interlayer adhesive layer 2 having a thickness of 50 μm and having an opening excellent in dimensional accuracy, which corresponds to a photomask film, was formed. (6) The wiring board that has been subjected to the treatment of (5) above has a pH of 13
Adjusted to potassium permanganate (KMnO 4 , 60 g / l)
The surface of the inter-layer resin insulation layer is roughened by immersing it in 70 ° C for 15 minutes to form a roughened surface 4, and then a neutralizing solution (made by Shipley).
It was immersed in water and washed with water. (7) A palladium catalyst (manufactured by Shipley) was applied to the substrate having the roughened surface of the adhesive layer to activate the surface of the adhesive layer 3.

【0019】(8)DMDG(ジメチルグリコールジメ
チルエーテル)に溶解させたクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂(日本化薬製 商品名 EOCN−103
S)のエポキシ基25%をアクリル化した感光性付与の
オリゴマー(分子量4000)、PES(分子量170
00)、イミダゾール系硬化剤(四国化成製 商品名
2PMHZ−PW)、感光性モノマーであるアクリル化
イソシアネート(東亜合成製 商品名 アロニックス
M215)、光開始剤としてベンゾフェノン(関東化学
製)、光増感剤ミヒラーケトン(関東化学製)を用い、
下記組成でNMPを用いて混合した後、ホモディスパー
攪拌機で粘度3000cpsに調整し、続いて3本ロー
ルで混練して、液状レジストを得た。 樹脂組成物:感光性エポキシ/PES/M325/BP
/MK/イミダゾール=70/30/10/5/0.5
/5 (9)この液状レジストを前記(7)の樹脂絶縁層上に
ロールコーターを用いて塗布し、60℃で乾燥させて厚
さ約30μmのレジスト層を形成した(図2)。
(8) Cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, trade name EOCN-103) dissolved in DMDG (dimethyl glycol dimethyl ether)
S) sensitized oligomer (molecular weight 4000) in which 25% of epoxy group is acrylated, PES (molecular weight 170)
00), imidazole-based curing agent (Shikoku Kasei product name
2 PMHZ-PW), acrylated isocyanate which is a photosensitive monomer (trade name Aronix manufactured by Toagosei)
M215), benzophenone (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) as a photoinitiator, and Michler ketone (sensitized by Kanto Chemical Co., Inc.) as a photosensitizer,
After mixing with the following composition using NMP, the viscosity was adjusted to 3000 cps with a homodisper stirrer, followed by kneading with a triple roll to obtain a liquid resist. Resin composition: Photosensitive epoxy / PES / M325 / BP
/MK/imidazole=70/30/10/5/0.5
/ 5 (9) This liquid resist was applied onto the resin insulating layer of (7) above using a roll coater and dried at 60 ° C. to form a resist layer having a thickness of about 30 μm (FIG. 2).

【0020】(10)前記(9)の処理を施した配線板
に、L/S=50/50の導体回路パターンが描画され
たマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯1000m
J/cm2 で露光した。これをトリエチレングリコール
ジメチルエーテル(DMDG)でスプレー現像処理する
ことにより、配線板上に導体回路パターン部の抜けため
っき用レジストを形成した。さらに超高圧水銀灯によ
り、6000mJ/cm2 で露光し、100℃で1時
間、その後150℃で3時間の加熱処理を行った。この
めっきレジストは、スルーホール3(直径0.6m
m)、パターン形成とダイパッド5を形成するためのも
のである。 (11)前記(10)の配線板を下記に示す組成のアデ
ィティブ用無電解めっき液に11時間浸漬し、めっき膜
の厚さが15μmの無電解銅めっきを施し、導体回路、
スルーホール3、ダイパッド5を形成した。
(10) A mask film on which a conductor circuit pattern of L / S = 50/50 is drawn is brought into close contact with the wiring board subjected to the treatment of (9) above, and an ultrahigh pressure mercury lamp of 1000 m
Exposure was at J / cm 2 . This was spray-developed with triethylene glycol dimethyl ether (DMDG) to form a plating resist with a missing conductor circuit pattern on the wiring board. Further, it was exposed with an ultrahigh pressure mercury lamp at 6000 mJ / cm 2 , and heat-treated at 100 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 3 hours. This plating resist has through holes 3 (diameter 0.6 m
m), for patterning and forming the die pad 5. (11) The wiring board of (10) is immersed in an electroless plating solution for additive having the composition shown below for 11 hours, and electroless copper plating having a plating film thickness of 15 μm is performed to form a conductor circuit,
Through holes 3 and die pad 5 were formed.

【0021】(12)DMDGに溶解させたクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂日本化薬製商品名 EOCN
−103S)のエポキシ基の25%アクリル化した感光
性オリゴマー(分子量 4000)、PES(分子量
17000)、イミダゾール系硬化剤(四国化成製 商
品名 2P4MHZ−PW)、感光性モノマーであるア
クリル化イソシアネート(東亜合成製 商品名 アロニ
ックス M215)、光開始剤としてのベンゾフェノ
ン、光増感剤ミヒラー(関東化学)、着色剤(フタロシ
アニングリーン)を用い、下記組成でNMPを用いて混
合し、ホモディスパー攪拌機で粘度2000cpsに調
整し、続いて3本ロールで混練し、液状ソルダーレジス
トを得た。 樹脂組成:感光性エポキシ/PES/M325/BP/
MK/イミダゾール=70/30/10/5/0.5/
5 (13)この液状ソルダーレジストを前記配線板上にロ
ールコーターを用いて、塗布して、60℃で乾燥させ
て、厚さ20μmのソルダーレジスト層を形成した。
(12) Cresol novolak type epoxy resin dissolved in DMDG Nippon Kayaku product name EOCN
-103S) 25% acrylated photosensitive oligomer of epoxy group (molecular weight 4000), PES (molecular weight
17000), imidazole-based curing agent (Shikoku Kasei product name 2P4MHZ-PW), photosensitive monomer acrylated isocyanate (Toagosei product name Aronix M215), benzophenone as photoinitiator, photosensitizer Michler (Kanto). Chemistry) and a colorant (phthalocyanine green) were mixed with NMP with the following composition, the viscosity was adjusted to 2000 cps with a homodisper stirrer, and then the mixture was kneaded with three rolls to obtain a liquid solder resist. Resin composition: Photosensitive epoxy / PES / M325 / BP /
MK / imidazole = 70/30/10/5 / 0.5 /
5 (13) This liquid solder resist was applied onto the wiring board using a roll coater and dried at 60 ° C. to form a solder resist layer having a thickness of 20 μm.

【0022】(14)前記(13)の処理を施した配線
板に、ダイパッドの一部が隠れるようなパターンが描画
されたマスクフィルムを密着させ、露光した。これをジ
エチレングリコールジエチルエーテル(DMDG)でス
プレー現像処理し、金属パッド上に形成した粗化面が露
出するような開口部15を形成した。さらに超高圧水銀
灯により3000mj/cm2 で露光し、100℃で1
時間、その後150℃で3時間の加熱処理を行ない、ソ
ルダーレジスト6を得た(図2)。 (15)常法に従ってスルーホールにニッケルー金めっ
きを施した(図示しない)。 (16)ダイパッド5が形成された面とは反対の面に金
属ピン9を挿入し(図3)、直径0.15mmの粒状半
田10をダイパッド5が形成された面に供給(図4)
後、超音波振動を行い、Pb/Sn=6/4の粒状半田
を充填した(図5および拡大図を図7に示す)。
(14) A mask film having a pattern in which a part of the die pad is hidden is brought into close contact with the wiring board subjected to the treatment of (13), and exposed. This was spray-developed with diethylene glycol diethyl ether (DMDG) to form an opening 15 so that the roughened surface formed on the metal pad was exposed. Further, it was exposed with an ultrahigh pressure mercury lamp at 3000 mj / cm 2 , and the exposure was performed at 100 ° C.
After that, heat treatment was performed for 3 hours at 150 ° C. to obtain a solder resist 6 (FIG. 2). (15) Nickel-gold plating was applied to the through holes according to a conventional method (not shown). (16) Insert the metal pin 9 on the surface opposite to the surface on which the die pad 5 is formed (FIG. 3), and supply the granular solder 10 having a diameter of 0.15 mm to the surface on which the die pad 5 is formed (FIG. 4).
After that, ultrasonic vibration was performed to fill the Pb / Sn = 6/4 granular solder (FIG. 5 and an enlarged view are shown in FIG. 7).

【0023】(17)ついで窒素フローで250±20
℃で加熱してリフローして金属ピン9をスルーホール3
に固定した(図6および拡大図として図12を記載)。
スルーホール内の半田11には、気泡はみられず、半田
つららも観察されなかった。さらに、各スルーホール内
の半田量も均一であった。スルーホール3のランド4に
も半田の残存は観られなかった。
(17) Then 250 ± 20 with nitrogen flow
Reheat by heating at ℃ and re-flow metal pin 9 through hole 3
(FIG. 6 and FIG. 12 as an enlarged view).
No bubbles were observed in the solder 11 in the through holes, and solder icicles were not observed. Further, the amount of solder in each through hole was uniform. No solder remained on the land 4 of the through hole 3.

【0024】(実施例2) (1)実施例1の(1)〜(15)までの工程を実施し
た。 (2)スルーホール3の位置に直径0.7mm程度の開
口が設けられたマスクを基板に密着させた。 (3)半径0.6mmのPb/Sn=9/1の球状半田
をマスク面に供給し(図8)、スルーホール内に球状半
田を配置させた(図9および拡大図を図11に記載す
る)。 (4)ついで窒素フローで250℃で加熱してリフロー
して金属ピン9をスルーホール3に固定した(図10お
よび拡大図として図12を記載)。スルーホール内の半
田11には、気泡はみられず、半田つららも観察されな
かった。さらに、各スルーホール内の半田量も均一であ
った。スルーホール3のランド4にも半田の残存は観ら
れなかった。
Example 2 (1) The steps (1) to (15) of Example 1 were carried out. (2) A mask provided with an opening having a diameter of about 0.7 mm at the position of the through hole 3 was brought into close contact with the substrate. (3) Pb / Sn = 9/1 spherical solder with a radius of 0.6 mm was supplied to the mask surface (FIG. 8), and the spherical solder was arranged in the through hole (FIG. 9 and an enlarged view are shown in FIG. 11). To). (4) Then, it was heated at 250 ° C. with a nitrogen flow and reflowed to fix the metal pin 9 to the through hole 3 (FIG. 10 and FIG. 12 as an enlarged view). No bubbles were observed in the solder 11 in the through holes, and solder icicles were not observed. Further, the amount of solder in each through hole was uniform. No solder remained on the land 4 of the through hole 3.

【0025】(比較例1) (1)実施例の(1)〜(15)の工程により、プリン
ト配線板を形成した。 (2)Pb/Sn=9/1の半田を250℃で溶融させ
た半田浴に該プリント配線板をディップさせた後、これ
を取り出して室温まで冷却して金属ピン9をスルーホー
ル3に固定した(拡大図として図13を記載)。得られ
た製品は、スルーホールのランド4や金属ピン9にも半
田が残存し、また各スルーホールの半田量にばらつきが
観られた。また、金属ピンの先端には、半田の突起(半
田つらら)が見られた。
Comparative Example 1 (1) A printed wiring board was formed by the steps (1) to (15) of the example. (2) After dipping the printed wiring board into a solder bath in which Pb / Sn = 9/1 solder is melted at 250 ° C., take out the printed wiring board and cool it to room temperature to fix the metal pin 9 to the through hole 3. (FIG. 13 is shown as an enlarged view). In the obtained product, the solder remained on the land 4 of the through hole and the metal pin 9, and the amount of solder in each through hole varied. Further, solder protrusions (solder icicles) were found at the tips of the metal pins.

【0026】(比較例2) (1)実施例の(1)〜(15)の工程により、プリン
ト配線板を形成した。 (2)Pb/Sn=6/4の半田クリームをスルーホー
ルのランドに印刷し、ついで235℃で加熱してリフロ
ーして金属ピン9をスルーホール3に固定した(拡大図
として図14を記載)。得られた製品は、スルーホール
のランド4に半田が残存し、また各スルーホールの半田
量にばらつきが観られた。
Comparative Example 2 (1) A printed wiring board was formed by the steps (1) to (15) of the example. (2) Solder cream of Pb / Sn = 6/4 was printed on the land of the through hole, then heated at 235 ° C. and reflowed to fix the metal pin 9 to the through hole 3 (see FIG. 14 as an enlarged view). ). In the obtained product, the solder remained on the land 4 of the through hole, and the amount of solder in each through hole varied.

【0027】(比較例3)本実施例は基本的には実施例
1と同様であるが、粒状半田の粒径が0.05mmであ
った。このとき、PGAランド以外のパッドに半田付着
があった。 (比較例4)本実施例は基本的には実施例1と同様であ
るが、粒状半田の粒径が0.25mmであった。このと
き、充填量にばらつきがあった。
Comparative Example 3 This example is basically the same as Example 1, but the grain size of the granular solder was 0.05 mm. At this time, solder was attached to pads other than the PGA land. (Comparative Example 4) This example is basically the same as Example 1, but the grain size of the granular solder was 0.25 mm. At this time, there were variations in the filling amount.

【0028】(比較例5)本実施例は基本的には実施例
2と同様であるが、粒状半田の粒径が0.3mmであっ
た。このとき、スルーホール内に2粒の球状半田が入り
込み、充填量にばらつきが見られた。 (比較例6)本実施例は基本的には実施例2と同様であ
るが、粒状半田の粒径が1.5mmであった。このと
き、半田量が多過ぎ、球状半田が固定されず作業性が低
下した。
Comparative Example 5 This example is basically the same as Example 2, but the grain size of the granular solder was 0.3 mm. At this time, two spherical solder particles entered the through holes, and the amount of filling varied. Comparative Example 6 This example is basically the same as the example 2, but the grain size of the granular solder was 1.5 mm. At this time, the amount of solder was too large, the spherical solder was not fixed, and the workability deteriorated.

【発明の効果】以上説明のように本願発明のプリント配
線板は、金属ピンに半田が付着することもなく、また半
田量にばらつきもなく、半田ツララも観察されず、信頼
性に優れた接続が可能である。
As described above, in the printed wiring board of the present invention, solder does not adhere to the metal pins, there is no variation in the amount of solder, solder flicker is not observed, and the connection is highly reliable. Is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本願発明の製造方法にかかる最初の基板FIG. 1 is a first substrate according to a manufacturing method of the present invention.

【図2】本願発明の製造方法にかかるスルーホールが形
成された基板
FIG. 2 is a substrate on which a through hole is formed according to the manufacturing method of the present invention.

【図3】本願発明の製造方法にかかるスルーホールに金
属ピンを嵌入させた基板
FIG. 3 is a substrate in which metal pins are fitted in through holes according to the manufacturing method of the present invention.

【図4】本願発明の製造方法にかかる粒状半田の供給FIG. 4 Supply of granular solder according to the manufacturing method of the present invention

【図5】本願発明の製造方法にかかる粒状半田を充填し
た状態の基板
FIG. 5 is a substrate filled with granular solder according to the manufacturing method of the present invention.

【図6】本願発明の製造方法にかかる粒状半田をリフロ
ーした状態の基板
FIG. 6 is a substrate in a state where the granular solder according to the manufacturing method of the present invention is reflowed.

【図7】粒状半田を充填した基板の拡大断面図FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a substrate filled with granular solder.

【図8】本願発明の製造方法にかかる球状半田をリフロ
ーした状態の基板
FIG. 8 is a substrate in a state where the spherical solder according to the manufacturing method of the present invention is reflowed.

【図9】本願発明の製造方法にかかる球状半田を充填し
た状態の基板
FIG. 9 is a substrate filled with spherical solder according to the manufacturing method of the present invention.

【図10】本願発明の製造方法にかかる球状半田をリフ
ローした状態の基板
FIG. 10 is a substrate in a state where the spherical solder according to the manufacturing method of the present invention is reflowed.

【図11】球状半田を充填した基板の拡大断面図FIG. 11 is an enlarged sectional view of a substrate filled with spherical solder.

【図12】リフロー後の基板の拡大断面図FIG. 12 is an enlarged sectional view of the substrate after reflow.

【図13】半田ディップ法により得られた基板の拡大断
面図
FIG. 13 is an enlarged sectional view of a board obtained by a solder dip method.

【図14】スクリーン印刷法により得られた基板の拡大
断面図
FIG. 14 is an enlarged sectional view of a substrate obtained by a screen printing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラスエポキシ基板 2 導体回路 3 スルーホール 4 スルーホールのランド 5 ダイパッド 6 ソルダーレジスト 7 めっきレジスト 8 接着剤層 9 金属ピン 10 粒状半田 11 半田 12 マスク 13 球状半田 1 Glass Epoxy Substrate 2 Conductor Circuit 3 Through Hole 4 Through Hole Land 5 Die Pad 6 Solder Resist 7 Plating Resist 8 Adhesive Layer 9 Metal Pin 10 Granular Solder 11 Solder 12 Mask 13 Spherical Solder

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板にスルーホールを形成した後、その
スルーホールに金属ピンを嵌入した後、半田接続する半
導体パッケージの製造方法において、 スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを
嵌入した側とは反対側から、複数の粒状半田を該スルー
ホールに充填せしめ、その後加熱溶融することを特徴と
する半導体パッケージの製造方法。
1. In a method of manufacturing a semiconductor package, wherein a through hole is formed in a substrate, a metal pin is fitted into the through hole, and then solder connection is performed. After the metal pin is fitted into the through hole, the metal pin is fitted. A method for manufacturing a semiconductor package, characterized in that a plurality of granular solders are filled in the through holes from the side opposite to the side where the heat treatment is performed, and then the solder is heated and melted.
【請求項2】 前記粒状半田は、その直径が0.1〜
0.2mmである請求項1に記載の半導体パッケージの
製造方法。
2. The granular solder has a diameter of 0.1 to 10.
The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein the size is 0.2 mm.
【請求項3】 前記スルーホールに金属ピンを嵌入した
後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側の基板面に粒
状半田を供給し、ついで振動を与えることにより、スル
ーホール内壁と金属ピンにより構成される間隙に該粒状
半田を充填せしめ、その後加熱溶融することを特徴とす
る請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。
3. After inserting a metal pin into the through hole, granular solder is supplied to the surface of the substrate opposite to the side where the metal pin is inserted, and then vibration is applied to the inner wall of the through hole and the metal pin. The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein the gap formed by is filled with the granular solder and then heated and melted.
【請求項4】 基板にスルーホールを形成し、そのスル
ーホールに金属ピンを嵌入した後、半田接続する半導体
パッケージの製造方法において、 スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを
嵌入した側とは反対側から、1粒の球状半田を該スルー
ホールに配置せしめ、その後加熱溶融することを特徴と
する半導体パッケージの製造方法。
4. In a method of manufacturing a semiconductor package, wherein a through hole is formed in a substrate, a metal pin is fitted into the through hole, and then solder connection is performed. After the metal pin is fitted into the through hole, the metal pin is fitted. A method of manufacturing a semiconductor package, wherein one particle of spherical solder is placed in the through hole from the side opposite to the side and then heated and melted.
【請求項5】 前記球状半田の直径は、0.4〜1.0
mmである請求項4に記載の半導体パッケージの製造方
法。
5. The diameter of the spherical solder is 0.4 to 1.0.
The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 4, wherein the size is mm.
【請求項6】 前記スルーホールに金属ピンを嵌入した
後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側の基板面に、
該スルーホールに相当する位置に開口が設けられたマス
クを密着し、ついで球状半田を供給し、該マスクの開口
を透過した球状半田を該スルーホールに配置せしめ、そ
の後加熱溶融することを特徴とする請求項4に記載の半
導体パッケージの製造方法。
6. After inserting a metal pin into the through hole, the substrate surface opposite to the side into which the metal pin is inserted,
A mask having an opening provided at a position corresponding to the through hole is brought into close contact, spherical solder is supplied, spherical solder that has passed through the opening of the mask is placed in the through hole, and then heated and melted. The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 4, wherein
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7847393B2 (en) 1998-12-16 2010-12-07 Ibiden Co., Ltd. Conductive connecting pins for a package substrate

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