JPH098071A - Resin sealing equipment of semiconductor chip - Google Patents
Resin sealing equipment of semiconductor chipInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに形成
されたチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封
止を行う樹脂封止装置に関し、特に、薄型のＩＣカード
に内蔵される半導体チップの樹脂封止を好適に行うこと
が可能な半導体チップの樹脂封止装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin encapsulation apparatus for encapsulating a semiconductor chip mounted on a chip mounting portion formed on a lead frame with a resin, and more particularly to a semiconductor chip incorporated in a thin IC card. The present invention relates to a resin encapsulation device for a semiconductor chip capable of suitably encapsulating resin.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ＩＣカード等の各種電子装置に
搭載・内蔵される半導体チップは、金属薄板に所定の溝
パターンを形成することにより、溝パターンによって区
画されたチップ搭載部、及び、チップ搭載部の周囲に複
数個設けられた導電パターン部とを有するリードフレー
ムにおけるチップ搭載部に搭載され、半導体チップの各
接続端子と各導電パターン部とをワイヤボンディング等
により電気接続した後、樹脂封止が行われる。このよう
に半導体チップの樹脂封止を行うについては、従来より
各種の樹脂封止方法が提案されている。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor chip mounted and incorporated in various electronic devices such as an IC card has a chip mounting portion divided by a groove pattern by forming a predetermined groove pattern on a thin metal plate, and a chip. It is mounted on a chip mounting part in a lead frame having a plurality of conductive pattern parts provided around the mounting part, and each connection terminal of the semiconductor chip and each conductive pattern part are electrically connected by wire bonding or the like, and then sealed with resin. Stop is done. Various resin encapsulation methods have heretofore been proposed for resin encapsulation of semiconductor chips.
【０００３】例えば、ＩＣカードの場合、半導体チップ
が搭載されるチップ搭載部の裏面側におけるリードフレ
ーム面には、ＩＣカードがデータ読取・書き込み装置の
スロットに挿入された際に、ＩＣカードに記憶されたデ
ータの読取用且つデータの書き込み用の端子（電極）部
が形成されるのが一般的である。かかるデータ入出力用
の端子部が、汚れていると正確にデータの入出力を行う
ことができないことから、リードフレームのチップ搭載
部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行うについて
は細心の注意を払う必要がある。For example, in the case of an IC card, when the IC card is inserted into the slot of the data reading / writing device, it is stored in the IC card on the back surface of the chip mounting portion on which the semiconductor chip is mounted. Generally, a terminal (electrode) portion for reading the written data and writing the data is formed. If the data input / output terminal portion is dirty, data cannot be input / output accurately. Therefore, be careful about resin sealing the semiconductor chip mounted on the chip mounting portion of the lead frame. You need to be careful.
【０００４】ここで、ＩＣカードに使用されるリードフ
レームのチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂
封止を行う従来方法について図面を参照して説明する。
先ず、図５に基づきポッティングにより半導体チップの
樹脂封止を行う場合について説明する。図５はリードフ
レームを平板状の下型上に載置しつつ半導体チップの樹
脂封止を行う状態を模式的に示す断面図である。Now, a conventional method of resin-sealing a semiconductor chip mounted on a chip mounting portion of a lead frame used for an IC card will be described with reference to the drawings.
First, a case where a semiconductor chip is sealed with a resin by potting will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a semiconductor chip is resin-sealed while placing a lead frame on a flat plate-shaped lower die.
【０００５】図５において、リードフレーム５０には、
所定の溝パターン５１を介してチップ搭載部５２及びチ
ップ搭載部５２の周囲に複数個の導電パターン部５２Ａ
が設けられており、チップ搭載部５２上には半導体チッ
プ５３が搭載されている。また、半導体チップ５３の各
接続端子と各導電パターン部５２Ａとは、ワイヤボンデ
ィングを行うことによりワイヤ５４を介して相互に接続
されている。In FIG. 5, the lead frame 50 includes
A plurality of conductive pattern portions 52A are provided around the chip mounting portion 52 and the chip mounting portion 52 via a predetermined groove pattern 51.
And a semiconductor chip 53 is mounted on the chip mounting portion 52. Further, each connection terminal of the semiconductor chip 53 and each conductive pattern portion 52A are connected to each other via a wire 54 by performing wire bonding.
【０００６】前記のように構成されたリードフレーム５
０は、平板状の下型５５上に載置され、かかる状態で封
止樹脂Ｒのポッティングが行われる。即ち、封止樹脂Ｒ
は、半導体チップ５２、ワイヤ５４を被覆するようにポ
ッティングされた後、硬化される。このとき、封止樹脂
Ｒは、図５に示すように、リードフレーム５０の溝パタ
ーン５１内まで進入され、また、硬化後における封止樹
脂Ｒは、その粘度等に従って凸形状を有することとな
る。尚、前記のように半導体チップ５３が搭載されたリ
ードフレーム５０は、ＩＣカードの厚さ内に適正に収納
するため、点線Ｌに沿って封止樹脂Ｒの凸部が削り取ら
れる。The lead frame 5 constructed as described above
0 is placed on the flat plate-shaped lower die 55, and potting of the sealing resin R is performed in this state. That is, the sealing resin R
Is potted so as to cover the semiconductor chip 52 and the wires 54, and then cured. At this time, the sealing resin R enters into the groove pattern 51 of the lead frame 50 as shown in FIG. 5, and the sealing resin R after curing has a convex shape according to its viscosity and the like. . The lead frame 50 on which the semiconductor chip 53 is mounted as described above is properly housed within the thickness of the IC card, so that the convex portion of the sealing resin R is scraped off along the dotted line L.
【０００７】次に、トランスファーモールド法により半
導体チップの樹脂封止を行う場合について図６に基づき
説明する。図６は上下一対のモールド型の間にリードフ
レームをセットしつつ半導体チップの樹脂封止を行う状
態を模式的に示す断面図である。Next, a case where the semiconductor chip is sealed with resin by the transfer molding method will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a sectional view schematically showing a state in which a semiconductor chip is sealed with a resin while setting a lead frame between a pair of upper and lower molds.
【０００８】トランスファーモールド法によりリードフ
レームの半導体チップを樹脂封止するには、図６に示す
ように、リードフレーム５０（図５に示すリードフレー
ムと同一の構成を有する）を平板状の下モールド型５６
上に載置するとともに、上モールド型５７に形成された
樹脂封止部５８内に半導体チップ５３及びワイヤ５４を
収納するように上モールド型５７を下モールド型５６上
にセットした後、樹脂注入口（図示せず）からエポキシ
樹脂等の封止樹脂Ｒを所定の高圧をもって注入硬化して
各半導体チップ５３、ワイヤ５４を樹脂封止する。この
とき、封止樹脂Ｒは、図６に示すように、樹脂注入時に
高い圧力をかけられることから、リードフレーム５０の
溝パターン５１内まで進入される。In order to seal the semiconductor chip of the lead frame with resin by the transfer molding method, as shown in FIG. 6, the lead frame 50 (having the same structure as the lead frame shown in FIG. 5) is formed into a flat lower mold. Mold 56
After placing the upper mold die 57 on the lower mold die 56 so that the semiconductor chip 53 and the wires 54 are housed in the resin sealing portion 58 formed on the upper mold die 57, the resin injection is performed. A sealing resin R such as an epoxy resin is injected and cured at a predetermined high pressure from an inlet (not shown), and each semiconductor chip 53 and the wire 54 are resin-sealed. At this time, as shown in FIG. 6, since the sealing resin R is applied with a high pressure at the time of resin injection, it enters the groove pattern 51 of the lead frame 50.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ポ
ッティング法により半導体チップ５３等の樹脂封止を行
う場合、リードフレーム５０を平板状の下型上に載置し
た状態で封止樹脂Ｒのポッティングが行われることか
ら、封止樹脂Ｒはその硬化前に毛細管現象に基づき溝パ
ターン５１からリードフレーム５０の下面側にまで回り
込んでしまう。このように封止樹脂Ｒがリードフレーム
５０の下面側まで回り込むと、回り込み部Ａが形成さ
れ、ＩＣカードのデータ入出力用の端子部（リードフレ
ーム５０の下面側にある）が封止樹脂Ｒ（回り込み部
Ａ）により汚損されてしまい、導通不良等に起因して信
頼性が低下することからＩＣカードに使用できなくなる
問題がある。However, when the semiconductor chip 53 or the like is resin-sealed by the potting method, the potting of the sealing resin R is performed with the lead frame 50 placed on the flat plate-shaped lower die. Since it is performed, the sealing resin R wraps around from the groove pattern 51 to the lower surface side of the lead frame 50 based on the capillary phenomenon before curing. In this way, when the sealing resin R wraps around to the lower surface side of the lead frame 50, the wrap-around portion A is formed, and the data input / output terminal portion of the IC card (on the lower surface side of the lead frame 50) is sealed resin R. There is a problem that it cannot be used for an IC card because it is contaminated by the (wraparound portion A) and reliability is reduced due to poor conduction.
【００１０】また、前記トランスファーモールド法によ
り半導体チップ５３等の樹脂封止を行う場合、封止樹脂
Ｒは所定の高圧をもって樹脂封止部５８内に注入される
ことから、封止樹脂Ｒはリードフレーム５０の溝パター
ン５１内にまで進入され、この結果前記と同様、溝パタ
ーン５１からリードフレーム５０の下面側まで回り込ん
でしまう。このように封止樹脂Ｒがリードフレーム５０
の下面側まで回り込むと、回り込み部Ａが形成され（図
７参照）、ＩＣカードのデータ入出力用の端子部（リー
ドフレーム５０の下面側にある）が封止樹脂Ｒ（回り込
み部Ａ）により汚損されてしまい、導通不良等に起因し
て信頼性が低下することからＩＣカードに使用できなく
なる問題がある。Further, when the semiconductor chip 53 or the like is sealed with resin by the transfer molding method, the sealing resin R is injected into the resin sealing portion 58 at a predetermined high pressure, so that the sealing resin R is a lead. The groove 50 enters the groove pattern 51 of the frame 50, and as a result, it wraps around from the groove pattern 51 to the lower surface side of the lead frame 50. In this way, the sealing resin R is applied to the lead frame 50.
When it wraps around to the lower surface side, a wraparound portion A is formed (see FIG. 7), and the terminal portion for data input / output of the IC card (on the lower surface side of the lead frame 50) is formed by the sealing resin R (the wraparound portion A). There is a problem in that the IC card cannot be used for an IC card because it is contaminated and the reliability is lowered due to poor conduction.
【００１１】前記各方法において発生する封止樹脂Ｒの
リードフレーム５０の下面側への回り込みを防止するに
は、予めリードフレーム５０の溝パターン５１に目止め
処理を施しておき、前記ポッティング法やトランスファ
ーモールド法を介して半導体チップ５３等の樹脂封止を
行えばよい。このとき、溝パターン５１の目止め処理を
行う方法としては、溝パターン５１部分に粘着テープを
貼付する方法又は溝パターン５１部分に樹脂をプリモー
ルドして充填しておく方法がある。In order to prevent the encapsulation resin R from wrapping around to the lower surface of the lead frame 50 generated in each of the above methods, the groove pattern 51 of the lead frame 50 is preliminarily subjected to a sealing treatment, and the potting method or The semiconductor chip 53 and the like may be resin-sealed via the transfer molding method. At this time, as a method of sealing the groove pattern 51, there is a method of attaching an adhesive tape to the groove pattern 51 portion or a method of pre-molding and filling the groove pattern 51 portion with resin.
【００１２】そこで、溝パターン５１に前記のような目
止め処理を施してポッティング法により半導体チップ５
３等の樹脂封止を行う方法について図８乃至図１０に基
づき説明する。ここに、図８はリードフレームにおける
溝パターンの下面を粘着テープにより被覆してポッティ
ング法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模
式的に示す断面図、図９はリードフレームにおける溝パ
ターンの上面を粘着テープにより被覆してポッティング
法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模式的
に示す断面図、図１０はリードフレームにおける溝パタ
ーンに樹脂をプリモールドしてポッティング法により半
導体チップの樹脂封止を行った状態を示す断面図であ
る。尚、図８乃至図１０では、ポッティング法により樹
脂封止する場合を示しているが、トランスファーモール
ド法の場合も同様に行われる。Therefore, the groove pattern 51 is subjected to the above-described sealing treatment and the semiconductor chip 5 is formed by the potting method.
A method for sealing resin such as No. 3 will be described with reference to FIGS. 8 to 10. 8 is a sectional view schematically showing a state in which the lower surface of the groove pattern in the lead frame is covered with an adhesive tape and the semiconductor chip is resin-sealed by the potting method, and FIG. 9 is a sectional view of the groove pattern in the lead frame. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the upper surface is covered with an adhesive tape and the semiconductor chip is sealed with a resin by the potting method. FIG. It is sectional drawing which shows the state which performed resin sealing. Although FIG. 8 to FIG. 10 show the case where the resin sealing is performed by the potting method, the transfer molding method is similarly performed.
【００１３】図８、図９に示すように、リードフレーム
５０における溝パターン５１の下面を被覆するように粘
着テープ５９を貼付したり（図８）、又は、溝パターン
５１の上面を被覆するように粘着テープ５９を貼付した
り（図９）した後、前記と同様のポッティング法により
半導体チップ５３、ワイヤ５４を封止樹脂Ｒにより樹脂
封止した場合には、封止樹脂Ｒが硬化前に溝パターン５
１内に進入することは防止可能ではある。尚、封止樹脂
Ｒの凸部は、前記と同様、リードフレーム５０をＩＣカ
ードの厚さ内に適正に収納するため、点線Ｌに沿って削
り取られる。As shown in FIGS. 8 and 9, an adhesive tape 59 may be attached so as to cover the lower surface of the groove pattern 51 in the lead frame 50 (FIG. 8), or the upper surface of the groove pattern 51 may be covered. When the semiconductor chip 53 and the wires 54 are resin-sealed with the sealing resin R by the same potting method as described above after the adhesive tape 59 is attached to the sealing resin R (FIG. 9), the sealing resin R is cured before curing. Groove pattern 5
It is possible to prevent the entry into 1. Incidentally, the convex portion of the sealing resin R is scraped off along the dotted line L in order to properly accommodate the lead frame 50 within the thickness of the IC card, as described above.
【００１４】しかし、粘着テープ５９は、樹脂封止後
に、リードフレーム５０の下面又は上面から剥離する必
要があり、かかる粘着テープ５９の剥離時に粘着剤が溝
パターン５１の周辺に残存する虞がある。このように溝
パターン５１の周辺に残存された粘着剤は、導通不良の
原因となって信頼性が低下してしまうことから、やはり
この場合にもＩＣカードに使用できなくなるという問題
がある。また、粘着テープ５９を使用する方法では、粘
着テープ５９を溝パターン５１の下面又は上面に貼付す
る工程が必要とされ、更に、粘着テープ５９を剥離する
工程も必要となる。このように、半導体チップ５３等を
樹脂封止するにつき、工程数が増加してしまうことか
ら、コストアップを招来してしまうものである。However, the adhesive tape 59 needs to be peeled off from the lower surface or the upper surface of the lead frame 50 after the resin sealing, and there is a possibility that the adhesive may remain around the groove pattern 51 when the adhesive tape 59 is peeled off. . The pressure-sensitive adhesive remaining around the groove pattern 51 as described above causes poor conduction and lowers reliability. Therefore, also in this case, there is a problem that the adhesive cannot be used for the IC card. Further, in the method using the adhesive tape 59, a step of attaching the adhesive tape 59 to the lower surface or the upper surface of the groove pattern 51 is required, and a step of peeling the adhesive tape 59 is also required. As described above, since the semiconductor chip 53 and the like are resin-sealed, the number of steps is increased, resulting in an increase in cost.
【００１５】また、図１０に示すように、リードフレー
ム５０の溝パターン５１内に目止め樹脂６０をプリモー
ルドにより充填した後、前記と同様のポッティング法に
より半導体チップ５３、ワイヤ５４を封止樹脂Ｒにより
樹脂封止した場合にも、封止樹脂Ｒが硬化前に溝パター
ン５１内に進入することは防止可能ではある。尚、封止
樹脂Ｒの凸部は、前記と同様、リードフレーム５０をＩ
Ｃカードの厚さ内に適正に収納するため、点線Ｌに沿っ
て削り取られる。Further, as shown in FIG. 10, after filling the groove pattern 51 of the lead frame 50 with the sealing resin 60 by pre-molding, the semiconductor chip 53 and the wire 54 are sealed with the sealing resin by the same potting method as described above. Even when the resin is sealed with R, it is possible to prevent the sealing resin R from entering the groove pattern 51 before curing. Incidentally, the convex portion of the sealing resin R has the same shape as that of the lead frame 50 as described above.
To be properly stored within the thickness of the C card, it is scraped off along the dotted line L.
【００１６】しかし、前記のように溝パターン５１内に
目止め樹脂６０をプリモールドする場合、目止め樹脂６
０が溝パターン５１の周辺に付着することが多く、この
ように付着した目止め樹脂６０は、前記と同様、導通不
良の原因となって信頼性が低下してしまうことから、や
はりこの場合にもＩＣカードに使用できなくなるという
問題がある。また、これを防止すべく溝パターン５１の
周辺を研磨して目止め樹脂６０を取り除く場合には、目
止め樹脂６０のプリモールド工程に加えて研磨工程が必
要となり、これにより半導体チップ５３等を樹脂封止す
るにつき、工程数が増加してしまうことから、コストア
ップを招来してしまうものである。However, when pre-molding the sealing resin 60 in the groove pattern 51 as described above, the sealing resin 6
In many cases, 0 adheres to the periphery of the groove pattern 51, and the sealing resin 60 adhered in this way causes a conduction failure as in the above case, resulting in a decrease in reliability. However, there is a problem that it cannot be used for IC cards. Further, in order to prevent this, when the periphery of the groove pattern 51 is polished to remove the sealing resin 60, a polishing step is required in addition to the pre-molding step of the sealing resin 60, whereby the semiconductor chip 53 and the like are removed. Since the number of steps is increased due to the resin sealing, the cost is increased.
【００１７】前記したように、溝パターン５１を被覆す
るように粘着テープ５９を貼付する場合、及び、溝パタ
ーン５１内に目止め樹脂６０をプリモールドして充填す
る場合のいずれにおいても、導通不良に基づく信頼性の
低下に起因してＩＣカードに使用できなくなったり、ま
た、工程数が増加してコストアップを招来するという問
題がある。As described above, in both cases of sticking the adhesive tape 59 so as to cover the groove pattern 51 and prefilling and filling the sealing resin 60 in the groove pattern 51, the conduction failure is caused. However, there is a problem in that the IC card cannot be used for the IC card due to the decrease in reliability due to the above, and the number of steps is increased, resulting in an increase in cost.
【００１８】本発明は前記問題点を解消するためになさ
れたものであり、導通不良を発生することなく高い信頼
性をもってリードフレーム上の半導体チップを薄く樹脂
封止することができるとともに、製造工程数を増加させ
ることなくコストを低減することができる半導体チップ
の樹脂封止装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and a semiconductor chip on a lead frame can be thinly resin-sealed with high reliability without causing a conduction failure, and a manufacturing process is also possible. An object of the present invention is to provide a resin sealing device for a semiconductor chip, which can reduce the cost without increasing the number.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明に係る半導体チップの樹脂封止装置は、所定パタ
ーンに従って金属薄板に溝パターンが形成され、溝パタ
ーンによって区画されたチップ搭載部及びチップ搭載部
の周囲に複数個設けられた導電パターン部とを有するリ
ードフレームにおけるチップ搭載部に搭載された半導体
チップの樹脂封止を行う半導体チップの樹脂封止装置に
おいて、前記半導体チップを内包する樹脂封止部が形成
されるとともに樹脂封止部に樹脂を供給する樹脂供給部
が形成された上型と、前記溝パターンに対応して溝部が
設けられるとともに溝部の溝幅は溝パターンの溝幅より
も若干大きくされた下型とを備え、各上型と下型との間
に、前記リードフレームを挟持した状態で上型の樹脂供
給部から低圧下で樹脂を注入し、硬化させる構成を有す
る。To achieve the above object, a semiconductor chip resin encapsulation apparatus according to the present invention comprises a chip mounting portion in which a groove pattern is formed in a thin metal plate according to a predetermined pattern, and the groove pattern defines the groove. A semiconductor chip resin encapsulation device for encapsulating a semiconductor chip mounted on a chip mounting part in a lead frame having a plurality of conductive pattern parts provided around the chip mounting part, the semiconductor chip being included. An upper die having a resin sealing portion and a resin supply portion for supplying resin to the resin sealing portion, a groove portion provided corresponding to the groove pattern, and a groove width of the groove portion is a groove of the groove pattern. A lower die slightly larger than the width is provided, and the lead frame is sandwiched between each upper die and the lower die under a low pressure from the resin feed portion of the upper die. Injecting fat, it has a configuration to be cured.
【００２０】[0020]
【作用】前記構成を有する本発明に係る半導体チップの
樹脂封止装置では、溝パターンを介して形成されたリー
ドフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップの
樹脂封止を行うに際して、リードフレームが上型と下方
との間に挟持される。このとき、半導体チップは上型に
形成された樹脂封止部に内包され、また、リードフレー
ムの溝パターンは、下型に形成され溝パターンの溝幅よ
りも若干大きくされた下型の溝部に対応されている。In the resin encapsulation device for a semiconductor chip according to the present invention having the above-described structure, when the resin encapsulation of the semiconductor chip mounted on the chip mounting portion of the lead frame formed through the groove pattern is performed, Is sandwiched between the upper mold and the lower part. At this time, the semiconductor chip is included in the resin sealing portion formed in the upper die, and the groove pattern of the lead frame is formed in the lower die groove formed in the lower die and slightly larger than the groove width of the groove pattern. It is supported.
【００２１】この状態で、上型の樹脂供給部から低圧下
で樹脂が注入され、硬化されて半導体チップの樹脂封止
が行われる。かかる樹脂注入時、樹脂は、低圧をもって
樹脂注入部から注入されるとともに、溝パターンの溝幅
よりも若干大きな溝幅を有する下型の溝部が溝パターン
に対応されていることから、樹脂の表面張力を介して溝
パターンの界面付近にて保持され、また、溝パターン下
面の周囲に回り込むことはない。In this state, the resin is injected from the upper mold resin supply section under a low pressure and cured to seal the semiconductor chip with the resin. At the time of such resin injection, the resin is injected from the resin injection part at a low pressure, and the lower die groove portion having a groove width slightly larger than the groove width of the groove pattern corresponds to the groove pattern. It is held near the interface of the groove pattern via tension and does not go around the lower surface of the groove pattern.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明に係る半導体チップの樹脂封止
装置について、本発明を具体化した実施例に基づき図面
を参照しつつ詳細に説明する。先ず、第１実施例の樹脂
封止装置について図１に基づき説明する。図１はリード
フレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップを樹
脂封止している状態を示す第１実施例の樹脂封止装置の
断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A semiconductor chip resin sealing device according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings based on an embodiment of the present invention. First, the resin sealing device of the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view of a resin encapsulation apparatus of a first embodiment showing a state where a semiconductor chip mounted on a chip mounting portion of a lead frame is resin-sealed.
【００２３】図１において、樹脂封止装置１は上型２と
下型３とを備えており、各上型２と下型３との間には樹
脂封止時にリードフレーム４が挟持固定される。先ず、
リードフレーム４の構成について説明すると、リードフ
レーム４は前記従来におけるリードフレームと同一の構
成を有しており、金属薄板から形成されている。リード
フレーム４には、所定の溝パターン５（後述する）を形
成することによりチップ搭載部６が設けられており、ま
た、チップ搭載部６の周囲には、溝パターン６の溝幅だ
け離間して複数個の導電パターン部７が設けられてい
る。また、チップ搭載部６上には、公知の方法により半
導体チップ８が搭載されており、かかる半導体チップ８
の各接続端子と各導電パターン部７とはワイヤボンディ
ングを行うことによりワイヤ９を介して相互に接続され
ている。In FIG. 1, a resin sealing device 1 is provided with an upper mold 2 and a lower mold 3, and a lead frame 4 is sandwiched and fixed between each upper mold 2 and lower mold 3 during resin sealing. It First,
The structure of the lead frame 4 will be described. The lead frame 4 has the same structure as the conventional lead frame and is formed of a thin metal plate. The lead frame 4 is provided with a chip mounting portion 6 by forming a predetermined groove pattern 5 (which will be described later), and the periphery of the chip mounting portion 6 is separated by the groove width of the groove pattern 6. And a plurality of conductive pattern portions 7 are provided. Further, the semiconductor chip 8 is mounted on the chip mounting portion 6 by a known method.
Each connection terminal and each conductive pattern portion 7 are connected to each other through a wire 9 by performing wire bonding.
【００２４】ここで、前記リードフレーム４の製造方法
について図２を参照して概説する。図２は複数個のリー
ドフレーム４が一体に形成されたフレームＦの平面図で
ある。かかるフレームＦは、厚さ０．２５ｍｍの４２ア
ロイ板を連続的にプレス加工することにより得られ、プ
レス加工時に形成される所定パターンを有する打ち抜き
溝を介して、各リードフレーム４を形成するためのリー
ドフレーム部１０が２列に形成されている。各リードフ
レーム部１０においては溝パターン５が形成され、この
溝パターン５を介して、円形状のチップ搭載部６、及
び、チップ搭載部６の周囲に複数個の導電パターン部７
（Ｎｉ／Ａｕメッキが施される）が設けられる。また、
フレームＦの両側には、フレームＦを一定方向に送り駆
動するための送り穴１１、及び、各リードフレーム部１
０を正確に位置決めすべくセンサ（図示せず）を介して
フレームＦの位置検出を行うためのセンサ穴１２が、そ
れぞれ所定間隔で形成されている。Now, a method of manufacturing the lead frame 4 will be outlined with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view of a frame F in which a plurality of lead frames 4 are integrally formed. The frame F is obtained by continuously press-working a 42 alloy plate having a thickness of 0.25 mm, and for forming each lead frame 4 through a punching groove having a predetermined pattern formed at the time of press-working. The lead frame portions 10 are formed in two rows. A groove pattern 5 is formed in each lead frame portion 10, and a circular chip mounting portion 6 and a plurality of conductive pattern portions 7 around the chip mounting portion 6 are formed through the groove pattern 5.
(Ni / Au plated) is provided. Also,
On both sides of the frame F, feed holes 11 for feeding and driving the frame F in a fixed direction, and the lead frame portions 1 are provided.
Sensor holes 12 for detecting the position of the frame F via a sensor (not shown) for accurately positioning 0 are formed at predetermined intervals.
【００２５】そして、リードフレーム４を製造する際に
は、前記のように構成されたフレームＦが、送り装置
（図示せず）により各送り穴１１を介して、例えば、図
２中右方向に送られ、また、センサを介して各センサ穴
１２によりフレームＦの位置検出が行われた時点で、フ
レームＦの送り動作が停止される。この時点において、
各リードフレーム４は、ボンディング装置に対してワイ
ヤボンディング可能な位置にセットされている。この
後、半導体チップ８がチップ搭載部６に搭載され、ボン
ディング装置によりワイヤボンディングが行われる。こ
れにより、半導体チップ８における各接続端子と各導電
パターン部７とが相互に接続され、更に、各リードフレ
ーム部１０毎にフレームＦから切断することにより図１
に示すリードフレーム４が製造されるものである。When the lead frame 4 is manufactured, the frame F configured as described above is moved by the feeding device (not shown) through the feed holes 11 to the right in FIG. 2, for example. When the frame F is fed and the position of the frame F is detected by each sensor hole 12 via the sensor, the feeding operation of the frame F is stopped. At this point
Each lead frame 4 is set at a position where wire bonding can be performed on the bonding device. After that, the semiconductor chip 8 is mounted on the chip mounting portion 6, and wire bonding is performed by the bonding device. As a result, the respective connection terminals of the semiconductor chip 8 and the respective conductive pattern portions 7 are connected to each other, and further, the lead frame portions 10 are cut from the frame F so that each of the lead frame portions 10 shown in FIG.
The lead frame 4 shown in FIG.
【００２６】次に、樹脂封止装置１の上型２、下型３に
ついて説明する。上型２の略中央位置（後述する半導体
チップ８に対応する位置）には樹脂供給部１３が形成さ
れており、また、樹脂供給部１３の内方には半導体チッ
プ８、ワイヤ９等を内包する樹脂封止部１４が形成され
ている。樹脂注入部１３からは封止樹脂Ｒが低圧下で注
入される。また、下型３には、リードフレーム４がセッ
トされた際に、その溝パターン５に対応するように溝部
１５が形成されている。かかる溝部１５は、図３に示す
ように、リードフレーム４の溝パターン５と同一のパタ
ーン形状に形成されており、また、溝パターン５の溝幅
よりも若干大きな溝幅となるように設けられている。従
って、図１に示すように、リードフレーム４を上型２と
下型３との間にセットした状態においては、リードフレ
ーム４の溝パターン５の下方で間隙が設けられつつ、溝
パターン５よりも幅広な溝部１５が配置されることな
る。Next, the upper mold 2 and the lower mold 3 of the resin sealing device 1 will be described. A resin supply part 13 is formed at a substantially central position of the upper mold 2 (a position corresponding to a semiconductor chip 8 described later), and the semiconductor chip 8, the wire 9 and the like are included inside the resin supply part 13. The resin sealing portion 14 is formed. The sealing resin R is injected from the resin injection part 13 under a low pressure. Further, the lower die 3 is provided with a groove portion 15 corresponding to the groove pattern 5 when the lead frame 4 is set. As shown in FIG. 3, the groove portion 15 is formed in the same pattern shape as the groove pattern 5 of the lead frame 4, and is provided to have a groove width slightly larger than the groove width of the groove pattern 5. ing. Therefore, as shown in FIG. 1, when the lead frame 4 is set between the upper die 2 and the lower die 3, a gap is formed below the groove pattern 5 of the lead frame 4 and Also, the wide groove portion 15 is arranged.
【００２７】前記のように構成された樹脂封止装置１を
使用してリードフレーム４のチップ搭載部６に搭載され
た半導体チップ８、ワイヤ９等の樹脂封止を行うには、
先ず、リードフレーム４を図１に示すように上型２と下
型３との間にセットする。かかるリードフレーム４のセ
ット状態においては、上型２の樹脂供給部１３は略半導
体チップ８の上方に配置されており、また、リードフレ
ーム４の溝パターン５は下型３の溝部１４に対応されて
いる。In order to perform resin sealing of the semiconductor chip 8, the wire 9 and the like mounted on the chip mounting portion 6 of the lead frame 4 using the resin sealing device 1 configured as described above,
First, the lead frame 4 is set between the upper die 2 and the lower die 3 as shown in FIG. In the set state of the lead frame 4, the resin supply portion 13 of the upper die 2 is arranged substantially above the semiconductor chip 8, and the groove pattern 5 of the lead frame 4 corresponds to the groove portion 14 of the lower die 3. ing.
【００２８】前記リードフレーム４のセット状態を保持
したまま、樹脂供給部１３から樹脂封止部１４内に封止
樹脂Ｒ（エポキシ樹脂ＣＶ５１９４Ａ：松下電工株式会
社製）を低圧下、例えば、常圧下（大気圧下）で注入す
る。このとき、リードフレーム４の溝パターン５と下型
３の溝部１５との間には間隙が形成され、また、溝部１
５の溝幅は溝パターン４の溝幅よりも若干大きくされて
いることから、封止樹脂Ｒは、常圧で注入されることと
も相まって、その表面張力を介して溝パターン４の界面
付近で保持される。これにより、封止樹脂Ｒが溝パター
ン４の下面の周囲に回り込むことを確実に防止すること
ができ、この結果、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲に
付着等することに起因する導通不良を発生することなく
高い信頼性をもってリードフレーム４上の半導体チップ
８を薄く樹脂封止することができる。While maintaining the set state of the lead frame 4, the sealing resin R (epoxy resin CV5194A: manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd.) is supplied from the resin supply portion 13 into the resin sealing portion 14 under low pressure, for example, under normal pressure. Inject (at atmospheric pressure). At this time, a gap is formed between the groove pattern 5 of the lead frame 4 and the groove portion 15 of the lower die 3, and the groove portion 1
Since the groove width of No. 5 is made slightly larger than the groove width of the groove pattern 4, the sealing resin R is injected near the interface of the groove pattern 4 through its surface tension, together with the fact that the sealing resin R is injected at normal pressure. Retained. Accordingly, it is possible to reliably prevent the sealing resin R from wrapping around the lower surface of the groove pattern 4, and as a result, the conduction failure due to the sealing resin R adhering to the periphery of the groove pattern 4 or the like. The semiconductor chip 8 on the lead frame 4 can be thinly and resin-sealed with high reliability without generating the noise.
【００２９】前記のように封止樹脂Ｒを樹脂封止部１４
内に注入した後、各上型２、下型３を１８０℃に加熱し
て封止樹脂Ｒを硬化させる。この後、各上型２、下型３
と共に硬化後の封止樹脂Ｒを冷却して上型２、下型３か
ら取り出せば、チップ搭載部６に搭載された半導体チッ
プ８等を樹脂封止してなるリードフレーム４が得られ
る。前記のように、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲に
付着等することは全くないので、従来におけるように粘
着テープの貼付工程及び剥離工程や樹脂のプリモールド
工程及びその研磨工程は全く行う必要がなくなり、これ
により製造工程数を増加させることなく低いコストをも
って半導体チップ８の樹脂封止を行うことができる。As described above, the resin R is sealed with the sealing resin R.
After the injection, the upper mold 2 and the lower mold 3 are heated to 180 ° C. to cure the sealing resin R. After this, each upper mold 2, lower mold 3
At the same time, when the cured sealing resin R is cooled and taken out from the upper mold 2 and the lower mold 3, the lead frame 4 obtained by resin-sealing the semiconductor chip 8 and the like mounted on the chip mounting portion 6 is obtained. As described above, since the sealing resin R does not adhere to the periphery of the groove pattern 4 at all, the sticking process and the peeling process of the adhesive tape, the resin pre-molding process and the polishing process thereof are performed unlike the conventional case. There is no need to do so, and the semiconductor chip 8 can be resin-sealed at a low cost without increasing the number of manufacturing steps.
【００３０】尚、樹脂注入部１３に相当する封止樹脂Ｒ
は、前記のように樹脂封止が行われた後、取り除かれ
る。次に、第２実施例に係る樹脂封止装置について図４
に基づき説明する。図４はリードフレームのチップ搭載
部に搭載された半導体チップを樹脂封止している状態を
示す第２実施例の樹脂封止装置の断面図である。Incidentally, the sealing resin R corresponding to the resin injection portion 13
Is removed after the resin sealing is performed as described above. Next, the resin sealing device according to the second embodiment is shown in FIG.
It will be described based on. FIG. 4 is a cross-sectional view of the resin sealing device of the second embodiment showing a state in which the semiconductor chip mounted on the chip mounting portion of the lead frame is resin-sealed.
【００３１】尚、第２実施例の樹脂封止装置に使用され
るリードフレームは、厚さ０．２５ｍｍのコバール板に
液体レジストを塗布した後、所定のパターンマスクを使
用して露光、現像を行うことにより、レジストパターン
を形成し、この後、コバール板を塩化第２鉄水溶液にて
エッチングを行うとともに、レジストパターンを剥離し
パラジウムメッキを施して得られたフレームＦから形成
されている点で、前記第１実施例のリードフレーム４と
は異なっている。フレームＦの残余の構成、及び、フレ
ームＦからリードフレームを作成する方法については同
様であり、従って、リードフレーム４に関し同一部材等
については同一の番号を付して説明する。また、第２実
施例の樹脂封止装置において、下型は前記第１実施例の
樹脂封止装置１における下型３と同一構成を有してい
る。The lead frame used in the resin sealing device of the second embodiment is exposed and developed using a predetermined pattern mask after applying a liquid resist to a Kovar plate having a thickness of 0.25 mm. By performing the above, a resist pattern is formed, and thereafter, the Kovar plate is etched with an aqueous solution of ferric chloride, and the resist pattern is peeled off and palladium plating is performed to form a frame F. , Which is different from the lead frame 4 of the first embodiment. The rest of the structure of the frame F and the method of forming a lead frame from the frame F are the same, and therefore, the same members and the like in the lead frame 4 will be described with the same numbers. In the resin sealing device of the second embodiment, the lower mold has the same structure as the lower mold 3 in the resin sealing device 1 of the first embodiment.
【００３２】図４において、樹脂封止装置２１は上型２
２と下型３とを備えており、各上型２２と下型３との間
には樹脂封止時にリードフレーム４が挟持固定される。
上型２２の略中央位置（半導体チップ８に対応する位
置）には樹脂供給部２４（第１実施例の樹脂封止装置１
における上型２の樹脂供給部１３よりも広く形成されて
いる）が形成されており、また、樹脂供給部２４の内方
には半導体チップ８、ワイヤ９等を内包する樹脂封止部
２５が形成されている。樹脂供給部２４からは封止樹脂
Ｒが低圧下で注入され、その後封止樹脂Ｒは、その余分
な樹脂を取り除いて封止樹脂Ｒの上面を平面状にならす
べく、スキージ２６を介して点線Ｌに示すように水平状
態にならされる。In FIG. 4, the resin sealing device 21 is an upper mold 2
2 and a lower mold 3, and the lead frame 4 is sandwiched and fixed between each upper mold 22 and the lower mold 3 during resin sealing.
At a substantially central position (position corresponding to the semiconductor chip 8) of the upper mold 22, the resin supply portion 24 (the resin sealing device 1 of the first embodiment) is provided.
Is formed wider than the resin supply portion 13 of the upper mold 2 in FIG. 2), and the resin sealing portion 25 including the semiconductor chip 8, the wire 9 and the like is provided inside the resin supply portion 24. Has been formed. The sealing resin R is injected from the resin supply unit 24 under a low pressure, and thereafter, the sealing resin R is removed through the squeegee 26 in order to remove the excess resin and flatten the upper surface of the sealing resin R. It is leveled as shown at L.
【００３３】尚、リードフレーム４と下型３とは前記第
１実施例の場合と同様であるので、リードフレーム４を
上型２２と下型３との間にセットした状態においては、
リードフレーム４の溝パターン５の下方で間隙が設けら
れつつ、溝パターン５よりも幅広な溝部１５が配置され
ることとなる。Since the lead frame 4 and the lower mold 3 are the same as in the case of the first embodiment, when the lead frame 4 is set between the upper mold 22 and the lower mold 3,
While the gap is provided below the groove pattern 5 of the lead frame 4, the groove portion 15 wider than the groove pattern 5 is arranged.
【００３４】前記のように構成された樹脂封止装置２１
を使用してリードフレーム４のチップ搭載部６に搭載さ
れた半導体チップ８、ワイヤ９等の樹脂封止を行うに
は、先ず、リードフレーム４を図４に示すように上型２
２と下型３との間にセットする。かかるリードフレーム
４のセット状態においては、上型２２の樹脂供給部２４
は略半導体チップ８の上方に配置されており、また、リ
ードフレーム４の溝パターン５は下型３の溝部１４に対
応されている。かかるリードフレーム４のセット状態を
保持したまま、樹脂供給部２４から樹脂封止部２５内に
封止樹脂Ｒ（エポキシ樹脂ＣＥＬ−４６００：日立化成
株式会社製）を低圧下、例えば、常圧下（大気圧下）で
注入する。このとき、前記第１実施例の場合と同様、リ
ードフレーム４の溝パターン５と下型３の溝部１５との
間には間隙が形成され、また、溝部１５の溝幅は溝パタ
ーン４の溝幅よりも若干大きくされていることから、封
止樹脂Ｒは、常圧で注入されることとも相まって、その
表面張力を介して溝パターン４の界面付近で保持され
る。これにより、封止樹脂Ｒが溝パターン４の下面の周
囲に回り込むことを確実に防止することができ、この結
果、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲に付着等すること
に起因する導通不良を発生することなく高い信頼性をも
ってリードフレーム４上の半導体チップ８を薄く樹脂封
止することができる。The resin sealing device 21 constructed as described above
In order to perform resin sealing of the semiconductor chip 8, the wire 9 and the like mounted on the chip mounting portion 6 of the lead frame 4 using, the lead frame 4 is first formed into the upper mold 2 as shown in FIG.
Set between 2 and lower mold 3. In the set state of the lead frame 4, the resin supply section 24 of the upper mold 22 is
Are arranged substantially above the semiconductor chip 8, and the groove pattern 5 of the lead frame 4 corresponds to the groove portion 14 of the lower die 3. While maintaining the set state of the lead frame 4, the sealing resin R (epoxy resin CEL-4600: manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is supplied from the resin supply unit 24 into the resin sealing unit 25 under low pressure, for example, under normal pressure ( Inject under atmospheric pressure). At this time, as in the case of the first embodiment, a gap is formed between the groove pattern 5 of the lead frame 4 and the groove portion 15 of the lower die 3, and the groove width of the groove portion 15 is the groove of the groove pattern 4. Since it is made slightly larger than the width, the sealing resin R is retained near the interface of the groove pattern 4 through its surface tension, together with being injected at normal pressure. Accordingly, it is possible to reliably prevent the sealing resin R from wrapping around the lower surface of the groove pattern 4, and as a result, the conduction failure due to the sealing resin R adhering to the periphery of the groove pattern 4 or the like. The semiconductor chip 8 on the lead frame 4 can be thinly and resin-sealed with high reliability without generating the noise.
【００３５】前記のように封止樹脂Ｒを樹脂封止部２５
内に注入した後、スキージ２６を介して封止樹脂Ｒの上
面を水平状態にならす。この後、各上型２２、下型３を
１８０℃に加熱して封止樹脂Ｒを硬化させる。更に、各
上型２２、下型３と共に硬化後の封止樹脂Ｒを冷却して
上型２、下型３から取り出せば、チップ搭載部６に搭載
された半導体チップ８等を樹脂封止してなるリードフレ
ーム４が得られる。従って、第１実施例の場合と同様、
封止樹脂Ｒが溝パターン５の周囲に付着等することは全
くないので、従来におけるように粘着テープの貼付工程
及び剥離工程や樹脂のプリモールド工程及びその研磨工
程は全く行う必要がなくなり、これにより製造工程数を
増加させることなく低いコストをもって半導体チップ８
の樹脂封止を行うことができる。As described above, the sealing resin R is added to the resin sealing portion 25.
After the filling, the upper surface of the sealing resin R is leveled via the squeegee 26. Then, the upper mold 22 and the lower mold 3 are heated to 180 ° C. to cure the sealing resin R. Further, when the cured encapsulating resin R is cooled together with the upper mold 22 and the lower mold 3 and taken out from the upper mold 2 and the lower mold 3, the semiconductor chip 8 mounted on the chip mounting portion 6 is resin-sealed. The lead frame 4 is obtained. Therefore, as in the case of the first embodiment,
Since the sealing resin R does not adhere to the periphery of the groove pattern 5 at all, it is not necessary to perform the adhesive tape attaching step and the peeling step, the resin pre-molding step and the polishing step as in the conventional case. The semiconductor chip 8 can be manufactured at low cost without increasing the number of manufacturing steps.
The resin sealing can be performed.
【００３６】以上詳細に説明した通り第１実施例及び第
２実施例に係る樹脂封止装置１、２１では、上型２、２
２と下型３との間にリードフレーム４をセットした際
に、リードフレーム４の溝パターン５と対応するととも
に、溝パターン５の溝幅よりも若干大きな溝幅を有する
溝部１５を形成し、また、各樹脂注入部１３、２４から
樹脂封止部１４、２５内に封止樹脂Ｒを注入するにつき
封止樹脂Ｒを低圧で、例えば、常圧をもって注入するよ
うにしたので、リードフレーム４の溝パターン５と下型
３の溝部１５との間には間隙が形成されるとともに、溝
部１５の溝幅は溝パターン４の溝幅よりも若干大きくさ
れることとなり、封止樹脂Ｒは、常圧で注入されること
とも相まって、その表面張力を介して溝パターン４の界
面付近で保持される。これにより、封止樹脂Ｒが溝パタ
ーン４の下面の周囲に回り込むことを確実に防止するこ
とができ、この結果、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲
に付着等することに起因する導通不良を発生することな
く高い信頼性をもってリードフレーム４上の半導体チッ
プ８を薄く樹脂封止することができる。As described in detail above, in the resin sealing devices 1 and 21 according to the first and second embodiments, the upper molds 2 and 2 are used.
When the lead frame 4 is set between the lower mold 3 and the lower mold 3, a groove portion 15 corresponding to the groove pattern 5 of the lead frame 4 and having a groove width slightly larger than the groove width of the groove pattern 5 is formed, Further, when the sealing resin R is injected from the resin injection portions 13 and 24 into the resin sealing portions 14 and 25, the sealing resin R is injected at a low pressure, for example, at normal pressure. A gap is formed between the groove pattern 5 and the groove portion 15 of the lower mold 3, and the groove width of the groove portion 15 is made slightly larger than the groove width of the groove pattern 4, so that the sealing resin R is Together with being injected at normal pressure, it is held near the interface of the groove pattern 4 through its surface tension. As a result, it is possible to reliably prevent the sealing resin R from wrapping around the lower surface of the groove pattern 4, and as a result, a conduction failure due to the sealing resin R adhering to the periphery of the groove pattern 4 or the like. The semiconductor chip 8 on the lead frame 4 can be thinly and resin-sealed with high reliability without generating the noise.
【００３７】また、前記のように封止樹脂Ｒが溝パター
ン５の周囲に付着等することは全くないので、従来にお
けるように粘着テープの貼付工程及び剥離工程や樹脂の
プリモールド工程及びその研磨工程は全く行う必要がな
くなり、これにより製造工程数を増加させることなく低
いコストをもって半導体チップ８の樹脂封止を行うこと
ができる。尚、本発明は前記各実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良、変形が可能であることは勿論である。Further, since the sealing resin R never adheres to the periphery of the groove pattern 5 as described above, the sticking process and the peeling process of the adhesive tape, the pre-molding process of the resin and the polishing thereof as in the conventional case. The process need not be performed at all, and thus the resin sealing of the semiconductor chip 8 can be performed at low cost without increasing the number of manufacturing processes. The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various improvements and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、導通不良を
発生することなく高い信頼性をもってリードフレーム上
の半導体チップを薄く樹脂封止することができるととも
に、製造工程数を増加させることなくコストを低減する
ことができる半導体チップの樹脂封止装置を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention, the semiconductor chip on the lead frame can be thinly resin-sealed with high reliability without causing conduction failure, and the cost can be increased without increasing the number of manufacturing steps. It is possible to provide a resin sealing device for a semiconductor chip that can reduce
【図１】リードフレームのチップ搭載部に搭載された半
導体チップを樹脂封止している状態を示す第１実施例の
樹脂封止装置の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a resin sealing device of a first embodiment showing a state where a semiconductor chip mounted on a chip mounting portion of a lead frame is resin-sealed.
【図２】複数個のリードフレームが一体に形成されたフ
レームの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a frame in which a plurality of lead frames are integrally formed.
【図３】フレームの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a frame.
【図４】リードフレームのチップ搭載部に搭載された半
導体チップを樹脂封止している状態を示す第２実施例の
樹脂封止装置の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a resin sealing device of a second embodiment showing a state where a semiconductor chip mounted on a chip mounting portion of a lead frame is resin-sealed.
【図５】従来において、リードフレームを平板状の下型
上に載置しつつ半導体チップの樹脂封止を行う状態を模
式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a conventional state in which a semiconductor chip is resin-sealed while a lead frame is placed on a flat plate-shaped lower die.
【図６】従来において、上下一対のモールド型の間にリ
ードフレームをセットしつつ半導体チップの樹脂封止を
行う状態を模式的に示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a conventional state in which a semiconductor chip is sealed with a resin while a lead frame is set between a pair of upper and lower molds.
【図７】トランスファーモールド法により半導体チップ
を樹脂封止した状態を示すリードフレームの断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view of a lead frame showing a state in which a semiconductor chip is resin-sealed by a transfer molding method.
【図８】従来において、リードフレームにおける溝パタ
ーンの下面を粘着テープにより被覆してポッティング法
により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模式的に
示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a lower surface of a groove pattern in a lead frame is conventionally covered with an adhesive tape and a semiconductor chip is resin-sealed by a potting method.
【図９】従来において、リードフレームにおける溝パタ
ーンの上面を粘着テープにより被覆してポッティング法
により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模式的に
示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a conventional state in which the upper surface of a groove pattern in a lead frame is covered with an adhesive tape and a semiconductor chip is sealed with a resin by a potting method.
【図１０】従来において、リードフレームにおける溝パ
ターンに樹脂をプリモールドしてポッティング法により
半導体チップの樹脂封止を行った状態を示す断面図であ
る。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a conventional state in which a groove pattern in a lead frame is pre-molded with resin and a semiconductor chip is sealed with a resin by a potting method.
１、２１ 樹脂封止装置 ２、２２ 上型 ３ 下型 ４ リードフレーム ５ 溝パターン ６ チップ搭載部 ７ 導電パターン部 ８ 半導体チップ ９ ワイヤ １３、２４ 樹脂注入部 １４、２５ 樹脂封止部 １５ 溝部 Ｒ 封止樹脂 1, 21 Resin sealing device 2, 22 Upper mold 3 Lower mold 4 Lead frame 5 Groove pattern 6 Chip mounting portion 7 Conductive pattern portion 8 Semiconductor chip 9 Wires 13, 24 Resin injection portion 14, 25 Resin sealing portion 15 Groove portion R Sealing resin
Claims (1)
ターンが形成され、溝パターンによって区画されたチッ
プ搭載部及びチップ搭載部の周囲に複数個設けられた導
電パターン部とを有するリードフレームにおけるチップ
搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行う半導
体チップの樹脂封止装置において、 前記半導体チップを内包する樹脂封止部が形成されると
ともに樹脂封止部に樹脂を供給する樹脂供給部が形成さ
れた上型と、前記溝パターンに対応して溝部が設けられ
るとともに溝部の溝幅は溝パターンの溝幅よりも若干大
きくされた下型とを備え、各上型と下型との間に、前記
リードフレームを挟持した状態で上型の樹脂供給部から
低圧下で樹脂を注入し、硬化させる半導体チップの樹脂
封止装置。1. A chip mounting part in a lead frame having a groove pattern formed on a thin metal plate according to a predetermined pattern, and having a chip mounting part partitioned by the groove pattern and a plurality of conductive pattern parts provided around the chip mounting part. In a resin encapsulation device for a semiconductor chip, which encapsulates a semiconductor chip mounted on a semiconductor chip, a resin encapsulation part that encloses the semiconductor chip is formed, and a resin supply part that supplies resin to the resin encapsulation part is formed. And a lower mold having a groove corresponding to the groove pattern and having a groove width of the groove slightly larger than the groove width of the groove pattern, and between the upper mold and the lower mold. A resin encapsulation device for a semiconductor chip, which injects a resin under a low pressure from an upper resin supply portion while the lead frame is sandwiched and is cured.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4944957A (en) * | 1987-02-17 | 1990-07-31 | Cuisine Crafts, Inc. | Process and composition for improving the organoleptic properties of seafood |
| EP0999586A2 (en) * | 1998-11-05 | 2000-05-10 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of producing same |
| JP2002243747A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Aloka Co Ltd | Rack for reagent imparting pad |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP17683395A patent/JP3713306B2/en not_active Expired - Fee Related
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| EP0999586A3 (en) * | 1998-11-05 | 2002-06-05 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of producing same |
| JP2002243747A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Aloka Co Ltd | Rack for reagent imparting pad |
| JP4508438B2 (en) * | 2001-02-09 | 2010-07-21 | アロカ株式会社 | Reagent application pad rack |
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